本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造
技術(shù)領(lǐng)域：
，特別涉及一種閃存器件的制造方法。
背景技術(shù)：
：在目前的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中，集成電路產(chǎn)品主要可分為三大類型：模擬電路、數(shù)字電路和數(shù)/?；旌想娐?，其中，存儲器件是數(shù)字電路中的一個重要類型。而在存儲器件中，近年來快閃存儲器(FlashMemory，簡稱閃存)的發(fā)展尤為迅速。閃存的主要特點是在不加電的情況下能長期保持存儲的信息；且具有集成度高、存儲速度快、易于擦除和重寫等優(yōu)點，因而在微機(jī)、自動化控制等多項領(lǐng)域得到了廣泛的應(yīng)用。一般而言，閃存器件分為柵極疊層(StackGate)結(jié)構(gòu)或分柵(SplitGate)結(jié)構(gòu)或兩者的結(jié)合結(jié)構(gòu)。其中，分柵結(jié)構(gòu)由于具有更高的編程效率，字線的結(jié)構(gòu)可以避免“過擦除”等優(yōu)點，因而被廣泛運用在各類諸如智能卡、SIM卡、微控制器、手機(jī)等電子產(chǎn)品中。隨著電子產(chǎn)品的發(fā)展，對存儲器擦除及編程性能有著越來越高的要求，從而希望能夠提供一種更好地改進(jìn)分柵存儲器的擦除及編程性能的方法。然而，現(xiàn)有技術(shù)中的閃存器件的良率有待提高。技術(shù)實現(xiàn)要素：本發(fā)明解決的問題是提供一種閃存器件的制造方法，保證各閃存器件中具有良好且穩(wěn)定的浮柵尖端形貌，提高半導(dǎo)體工藝制程中形成的閃存器件良率。為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明提供一種閃存器件的制造方法，包括：提供襯底，所述襯底具有器件面，所述器件面具有閃存區(qū)，所述器件面具有第一面積，所述閃存區(qū)具有第二面積；在所述襯底的器件面上形成耦合介質(zhì)層、位于耦合介質(zhì)層上的浮柵層、位于浮柵層上的掩膜層、以及位于所述掩膜層上的圖形層，所述圖形層具有暴露出閃存區(qū)部分掩膜層；以圖形層為掩膜，采用第一刻蝕工藝刻蝕所述掩膜層和部分浮柵層，在所述掩膜層和浮柵層內(nèi)形成第一開口，所述第一開口具有第一開口深度，所述第一刻蝕工藝具有第一刻蝕時間，所述第一刻蝕時間通過所述第一面積和第二面積的比值獲??；以掩膜層為掩膜，采用第二刻蝕工藝刻蝕所述第一開口底部的部分浮柵層，形成第二開口，所述第二開口的頂部尺寸與所述第一開口的底部尺寸一致，且所述第二開口的頂部尺寸大于所述第二開口的底部尺寸?？蛇x的，所述第一刻蝕工藝為：刻蝕所述掩膜層的各向異性干法刻蝕工藝?？蛇x的，所述第一開口包括：位于掩膜層內(nèi)的掩膜開口以及位于浮柵層內(nèi)的浮柵開口；所述掩膜層厚度為3000?！?000埃；所述浮柵開口深度為：130?！?40埃。可選的，刻蝕形成掩膜開口的刻蝕速率為45埃/秒～55埃/秒；刻蝕形成浮柵開口的刻蝕速率為2埃/秒～8埃/秒?？蛇x的，所述第一刻蝕時間包括：形成掩膜開口的掩膜開口時間和形成浮柵開口的浮柵開口時間?？蛇x的，所述掩膜開口時間的獲取方法包括：依據(jù)掩膜層的厚度和形成掩膜開口的刻蝕速率獲取?？蛇x的，所述浮柵開口時間的獲取方法包括：依據(jù)預(yù)設(shè)浮柵開口的深度和形成浮柵開口的刻蝕速率獲取，其中，所述形成浮柵開口的刻蝕速率的獲取方法是通過所述第一面積和第二面積的比值獲取?？蛇x的，所述第二刻蝕工藝為具有一定各向同性的干法刻蝕工藝，經(jīng)第二刻蝕工藝形成的第二開口側(cè)壁與底部構(gòu)成的頂角為圓角。可選的，形成覆蓋所述第一開口、第二開口的第一側(cè)墻；以所述第一側(cè)墻和掩膜層為掩膜，刻蝕所述浮柵層直至暴露出襯底；形成覆蓋浮柵層的側(cè)壁以及第一側(cè)墻側(cè)壁的第二側(cè)墻；在相鄰的第二側(cè)墻之間形成源線層；在形成源線層之后，去除所述掩膜層；在去除所述掩膜層之后，以所述浮柵側(cè)墻為掩膜，刻蝕去除暴露出的浮柵層，形成浮柵結(jié)構(gòu)，所述浮柵結(jié)構(gòu)暴露出的側(cè)壁與所述第二開口靠近頂部的部分側(cè)壁構(gòu)成浮柵尖端；在所述浮柵結(jié)構(gòu)側(cè)壁上形成隧穿介質(zhì)層；在所述隧穿介質(zhì)層上形成字線層?？蛇x的，所述第二刻蝕工藝具有第二刻蝕時間；獲取所述第二刻蝕時間的步驟包括：通過測試獲取位于第一開口底部的浮柵層厚度；根據(jù)所述第一開口底部的浮柵層厚度和所述浮柵結(jié)構(gòu)的預(yù)設(shè)最終厚度獲取第二刻蝕工藝的刻蝕量；根據(jù)第二刻蝕工藝的刻蝕速率和第二刻蝕工藝的刻蝕量獲取第二刻蝕時間。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明實施例的技術(shù)方案具有以下有益效果：本發(fā)明技術(shù)方案提供的閃存器件的制造方法中，以圖形層為掩膜，采用第一刻蝕工藝對掩膜層進(jìn)行過刻蝕，在所述掩膜層和浮柵層內(nèi)形成第一開口，所述第一刻蝕工藝能夠刻蝕貫穿所述掩膜層并能夠在浮柵層內(nèi)產(chǎn)生一定的損失量。由于所述第一刻蝕工藝刻蝕至浮柵層，以此能夠減少掩膜層殘留對后續(xù)第二刻蝕工藝形成的第二開口的形貌造成影響。而所述第二開口靠近頂部的部分側(cè)壁用于后續(xù)形成浮柵尖端，第二開口的形貌穩(wěn)定能夠保證后續(xù)形成的浮柵尖端的形貌良好。所述第一刻蝕工藝具有第一刻蝕時間，由于在相同的刻蝕條件下，所述第一開口的深度隨第一面積和第二面積的比值而變化，為了保證在不同的第一面積和第二面積的比值下對浮柵層的刻蝕深度穩(wěn)定，所述第一刻蝕時間通過所述第一面積和第二面積的比值獲取。經(jīng)過所述第一刻蝕工藝在第一刻蝕時間下刻蝕浮柵層，所述浮柵層的損失量穩(wěn)定，因此經(jīng)歷第一刻蝕工藝形成的第一開口深度穩(wěn)定。所述第一開口的形貌決定了后續(xù)形成的浮柵尖端形貌，經(jīng)過上述第一刻蝕工藝制備的浮柵尖端形貌良好，從而提高閃存器件的性能，進(jìn)而提高閃存器件的良率。附圖說明圖1至圖4為一種閃存器件的形成方法各步驟的結(jié)構(gòu)示意圖；圖5至圖11是本發(fā)明閃存器件的形成方法一實施例各步驟的結(jié)構(gòu)示意圖。具體實施方式閃存器件的形成方法存在諸多問題，例如：浮柵尖端形貌不穩(wěn)定。以下將結(jié)合一種閃存器件的制造方法，分析形成的浮柵尖端性能較差的原因。圖1至圖4為一種閃存器件的形成方法各步驟的結(jié)構(gòu)示意圖。請參考圖1，提供襯底100，在所述襯底100上形成耦合介質(zhì)層101、在所述耦合介質(zhì)層101上形成浮柵層102以及在所述浮柵層102上形成掩膜層103，在所述襯底100內(nèi)形成隔離結(jié)構(gòu)104，所述隔離結(jié)構(gòu)104頂部表面高于浮柵層102頂部表面。請參考圖2，采用第一刻蝕工藝對所述掩膜層103進(jìn)行刻蝕形成開口105。請參考圖3，在所述第一刻蝕工藝之后，以掩膜層103為掩膜進(jìn)行第二刻蝕工藝，沿所述開口105刻蝕部分浮柵層102，在所述浮柵層102內(nèi)形成具有一定弧度的浮柵開口106。請參考圖4，形成覆蓋開口105以及所述浮柵開口106側(cè)壁的第一側(cè)墻107，所述第一側(cè)墻107位于部分浮柵層102上；以所述第一側(cè)墻107和掩膜層103為掩膜，刻蝕所述浮柵層102直至暴露出襯底100；形成覆蓋浮柵層102的側(cè)壁以及第一側(cè)墻107側(cè)壁的第二側(cè)墻108；在相鄰的第二側(cè)墻108之間形成源線層109；在形成源線層109之后，去除所述掩膜層103；在去除所述掩膜層103之后，以所述第一側(cè)墻107為掩膜，刻蝕所述浮柵層102，形成浮柵結(jié)構(gòu)，所述浮柵結(jié)構(gòu)暴露出的側(cè)壁與所述浮柵開口106靠近頂部的部分側(cè)壁構(gòu)成浮柵尖端110；在形成所述浮柵尖端110之后，在所述浮柵結(jié)構(gòu)側(cè)壁上形成隧穿介質(zhì)層111；在所述隧穿介質(zhì)層111上形成字線層112。然而，對于不同的產(chǎn)品，所述開口105的深度不同，這主要是因為不同產(chǎn)品存儲區(qū)在器件面上所占的面積不同，選擇相同的刻蝕時間，以掩膜層103為掩膜，采用第一刻蝕工藝刻蝕所述掩膜層103，掩膜層103蝕刻后浮柵層102的損失量不同，因此形成最終的浮柵尖端不穩(wěn)定，從而影響產(chǎn)品的良率。對于不同產(chǎn)品來說，存儲區(qū)在器件面上所占的面積不同，進(jìn)而容易導(dǎo)致第一刻蝕工藝對不同產(chǎn)品的刻蝕速率不同。當(dāng)?shù)谝豢涛g工藝選擇相同的刻蝕時間，刻蝕不同產(chǎn)品的存儲區(qū)時，由于刻蝕速率的差異，會使得蝕刻后浮柵層102的損失量不同，且隨著存儲區(qū)在器件面上所占面積比率的減小，浮柵層102的損失量也隨之減少。所述浮柵層102在第一刻蝕過程中損失量過小無法保證掩膜層103在第一刻蝕過程中被完全去除，殘留的掩膜層103對后續(xù)形成的浮柵尖端109形貌造成影響，相反地，隨著存儲區(qū)在器件上所占面積比率的增大，浮柵層的損失量也將隨之增大，過大的浮柵層損失量也同樣不利于穩(wěn)定浮柵尖端110的形貌。所述浮柵尖端110的形貌決定了閃存器件在擦除時電流的大小，過鈍且低的浮柵尖端110會使電場強(qiáng)度過低，從而出現(xiàn)閃存器件擦除電流過小，導(dǎo)致擦除時間過長的情況；相應(yīng)的浮柵尖端110過尖且高會使閃存編程效率降低，也不利于閃存器件的運行。為解決所述技術(shù)問題，本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，包括：提供襯底，所述襯底具有器件面，所述器件面具有閃存區(qū)，所述器件面具有第一面積，所述存儲區(qū)具有第二面積；在所述襯底的器件面上形成耦合介質(zhì)層、位于所述耦合介質(zhì)層上的浮柵層、位于所述浮柵層上的掩膜層、以及位于所述掩膜層上的圖形層，所述圖形層暴露出閃存區(qū)部分掩膜層；以圖形層為掩膜，采用第一刻蝕工藝刻蝕所述掩膜層和部分浮柵層，在所述浮柵層內(nèi)形成第一開口，所述第一開口具有第一開口深度，所述第一刻蝕工藝具有第一刻蝕時間，所述第一刻蝕時間通過所述第一面積和第二面積的比值獲??；以掩膜層為掩膜，采用第二刻蝕工藝刻蝕所述第一開口底部的部分浮柵層，形成第二開口，所述第二開口的頂部尺寸與所述第一開口的底部尺寸一致，且所述第二開口的頂部尺寸大于所述第二開口的底部尺寸。其中，第一刻蝕工藝過程對掩膜層進(jìn)行過刻蝕，也就是說在所述第一刻蝕工藝能夠刻蝕貫穿所述掩膜層并能夠在浮柵層內(nèi)產(chǎn)生一定的損失量。由于所述第一刻蝕工藝刻蝕至浮柵層，以此能夠減少掩膜層殘留對后續(xù)形成的第二開口的形貌造成影響，而所述第二開口靠近頂部的具有一定弧度的部分側(cè)壁用于后續(xù)形成浮柵尖端，第二開口的形貌穩(wěn)定能夠保證后續(xù)形成的浮柵尖端的形貌良好。所述第一刻蝕工藝具有第一刻蝕時間，由于在相同的刻蝕條件下，所述第一開口的深度隨第一面積和第二面積的比值而變化，為了保證在不同的第一面積和第二面積的比值下對浮柵層的刻蝕深度穩(wěn)定，所述第一刻蝕時間通過所述第一面積和第二面積的比值獲取。當(dāng)所述第一刻蝕工藝在第一刻蝕時間下刻蝕浮柵層，所述浮柵層的損失量穩(wěn)定，因此經(jīng)歷第一刻蝕工藝形成的第一開口深度穩(wěn)定。所述第一開口的形貌決定了后續(xù)形成浮柵尖端的形貌，經(jīng)過上述第一刻蝕工藝制備的浮柵尖端形貌良好，從而提高閃存器件的性能，進(jìn)而提高閃存器件的良率。為使本發(fā)明的上述目的、特征和有益效果能夠更為明顯易懂，下面結(jié)合附圖對本發(fā)明的具體實施例做詳細(xì)的說明。圖5至圖11是本發(fā)明閃存器件的形成方法一實施例各步驟的結(jié)構(gòu)示意圖。請參考圖5，提供襯底200，所述襯底200具有器件面，所述器件面具有閃存區(qū)A，所述器件面具有第一面積X，所述閃存區(qū)A具有第二面積Y；在所述襯底200的器件面上形成耦合介質(zhì)層201、位于所述耦合介質(zhì)層201上的浮柵層202、位于所述浮柵層202上的掩膜層203、以及位于所述掩膜層203上的圖形層204，所述圖形層204暴露出閃存區(qū)A部分掩膜層203。所述襯底200具有器件面，所述器件面具有第一面積X，所述器件面為制造閃存器件提供工藝平臺。所述器件面包括閃存區(qū)A，所述閃存區(qū)A具有第二面積Y，后續(xù)在閃存區(qū)A上形成閃存器件。所述襯底200的材料為硅、鍺、鍺化硅、砷化鎵或鎵化銦；所述襯底200還可以為絕緣體上的硅襯底、絕緣體上的鍺襯底或絕緣體上的鍺硅襯底。本實施例中，所述襯底200的材料為硅。所述耦合介質(zhì)層201的材料為氧化硅、氮氧化硅或碳氧化硅。本實施例中，所述耦合介質(zhì)層201的材料為氧化硅。所述浮柵層202為后續(xù)形成閃存器件的浮柵結(jié)構(gòu)提供工藝基礎(chǔ)。采用化學(xué)氣相沉積工藝形成所述浮柵層202。所述浮柵層202的材料為多晶硅或摻雜的多晶硅。本實施例中，所述浮柵層202的材料為多晶硅。所述掩膜層203的材料與浮柵層202的材料不同。所述掩膜層203可以是單層結(jié)構(gòu)，也可以為疊層結(jié)構(gòu)；當(dāng)掩膜層203為單層結(jié)構(gòu)時，掩膜層203的材料可以為氮化硅、氮氧化硅或氮碳化硅；當(dāng)掩膜層203為疊層結(jié)構(gòu)時，疊層結(jié)構(gòu)中的每一層的材料可以為氮化硅、氮氧化硅或氮碳化硅。所述掩膜層203的形成工藝為沉積工藝，如等離子體化學(xué)氣相沉積工藝、低壓化學(xué)氣相沉積工藝或亞大氣壓化學(xué)氣相沉積工藝。所述圖形層204包括正性光刻膠或負(fù)性光刻膠；所述圖形層204具有暴露出掩膜層203的開口205，所述開口205用于定義后續(xù)形成的第一開口的位置。在耦合介質(zhì)層201上形成浮柵層202之后，形成掩膜層203之前，還包括：在閃存區(qū)A周圍的襯底200內(nèi)形成隔離結(jié)構(gòu)206，所述隔離結(jié)構(gòu)206頂部表面高于浮柵層202頂部表面。所述隔離結(jié)構(gòu)206的材料為絕緣介質(zhì)材料，如氧化硅。形成所述隔離結(jié)構(gòu)206的工藝為沉積工藝，如等離子體化學(xué)氣相沉積工藝、低壓化學(xué)氣相沉積工藝、亞大氣壓化學(xué)氣相沉積工藝、高密度等離子體化學(xué)氣相沉積工藝或流體化學(xué)氣相沉積工藝。所述耦合介質(zhì)層201、浮柵層202、掩膜層203和圖形層204的厚度可以根據(jù)工藝需要而設(shè)定。請參考圖6，以圖形層204為掩膜，采用第一刻蝕工藝刻蝕所述掩膜層203和部分浮柵層202，在所述浮柵層202內(nèi)形成第一開口。所述第一開口具有第一開口深度，所述第一刻蝕工藝具有第一刻蝕時間，所述第一刻蝕時間通過所述第一面積和第二面積的比值獲取。所述第一刻蝕工藝為：刻蝕所述掩膜層的各向異性干法刻蝕工藝。本實施例中，所述掩膜層203的材料為：氮化硅，所述各向異性干法刻蝕工藝參數(shù)包括：刻蝕氣體為O2，CHF3，CF4等，壓強(qiáng)為50微米汞柱～70微米汞柱。所述第一刻蝕工藝能夠刻蝕貫穿所述掩膜層203并能夠在浮柵層202內(nèi)產(chǎn)生一定的損失量，因此能夠減少掩膜層203殘留對后續(xù)第二刻蝕工藝形成的第二開口的形貌造成影響。經(jīng)第二刻蝕工藝形成的第二開口側(cè)壁與底部構(gòu)成的頂角為圓角，所述第二開口用于后續(xù)形成浮柵尖端。所述第一開口深度包括掩膜開口深度和浮柵開口深度；所述掩膜層203的厚度為：3000?！?000埃；所述浮柵開口深度為浮柵層202在第一刻蝕工藝過程中的預(yù)設(shè)損失量，所述浮柵層202在第一刻蝕工藝過程中的預(yù)設(shè)損失量為130?！?40埃。所述第一刻蝕時間包括：形成掩膜開口的掩膜開口時間和形成浮柵開口的浮柵開口時間。所述掩膜開口時間的獲取方法包括：依據(jù)掩膜層的厚度和形成掩膜開口的刻蝕速率獲取。具體的，以所述掩膜層的厚度除以形成掩膜開口的刻蝕速率，獲取所述掩膜開口時間。所述浮柵開口時間的獲取方法包括：依據(jù)浮柵開口的深度和形成浮柵開口的刻蝕速率獲??；其中，形成所述浮柵開口的刻蝕速率的獲取方法是通過所述第一面積和第二面積的比值獲取。在本實施例中，刻蝕形成所述掩膜開口的刻蝕速率為45埃/秒～55埃/秒；刻蝕形成浮柵開口的刻蝕速率為2埃/秒～8埃/秒。獲取所述第一刻蝕時間的步驟包括：提供第一刻蝕工藝的預(yù)設(shè)條件；在所述第一刻蝕工藝的預(yù)設(shè)條件下，所述第一刻蝕時間根據(jù)閃存區(qū)與器件面面積比率獲取，以確保掩膜層203被刻蝕貫穿且浮柵層202被去除的厚度為預(yù)設(shè)損失量。所述第一刻蝕工藝的預(yù)設(shè)條件包括：第一刻蝕過程浮柵層的預(yù)設(shè)損失量、掩膜層沉積厚度、第一刻蝕工藝過程中刻蝕形成所述掩膜開口的刻蝕速率、第一刻蝕工藝過程中刻蝕形成所述浮柵開口的刻蝕速率。所述預(yù)設(shè)條件包括：第一蝕刻過程浮柵層202的預(yù)設(shè)損失量為130埃～240埃，掩膜層203沉積厚度為3000?！?000埃，第一刻蝕過程中對掩膜層203的蝕刻速率為：45埃/秒～55埃/秒，第一刻蝕過程中對浮柵層202的蝕刻速率為2埃/秒～8埃/秒。具體的，本實施例中，所述第一刻蝕過程浮柵層202的預(yù)設(shè)損失量為：180埃，所述掩膜層203沉積厚度為：3800埃，所述第一刻蝕過程中對掩膜層203的刻蝕速率為：50埃/秒，所述第一刻蝕過程中對浮柵層202的刻蝕速率為5埃/秒。當(dāng)所述第一刻蝕工藝在所述預(yù)設(shè)條件下時，所述第一刻蝕時間與不同閃存區(qū)與器件面面積比率具有時間面積對應(yīng)關(guān)系，所述時間面積對應(yīng)關(guān)系包括若干不同的閃存區(qū)與器件面的面積比率區(qū)間，以及各閃存區(qū)與器件面的面積比率區(qū)間對應(yīng)的第一刻蝕時間。在本實施例中，獲取第一刻蝕時間的步驟包括：在所述掩膜層203上形成圖形層204之后，在進(jìn)行第一刻蝕工藝之前，檢測并判斷閃存區(qū)A在器件面上所占的面積比；獲取所述閃存區(qū)A在器件面上所占的面積比所在的面積比率區(qū)間；基于所述時間面積對應(yīng)關(guān)系，通過所述面積比率區(qū)間獲取第一刻蝕時間；以圖形層204為掩膜，采用第一刻蝕工藝在所述第一刻蝕時間和預(yù)設(shè)條件下刻蝕所述掩膜層203和部分浮柵層202，在所述掩膜層203和浮柵層203內(nèi)形成第一開口。在本實施例中，所述第一刻蝕時間與不同閃存區(qū)與器件面面積比率的時間面積對應(yīng)關(guān)系表如表1所示：表1.第一刻蝕時間與不同閃存區(qū)與器件面面積比率的時間面積對應(yīng)關(guān)系表閃存區(qū)與器件面面積比率第一刻蝕時間(秒)小于1％671％～2％652％～4％634％～6％61大于6％60據(jù)表1可知：當(dāng)閃存區(qū)在器件面上所占的面積比率小于1％時，第一刻蝕工藝刻蝕時長是67秒；當(dāng)閃存區(qū)在器件面上所占的面積比率大于1％小于2％時，第一刻蝕工藝刻蝕時長是65秒；當(dāng)閃存區(qū)在器件面上所占的面積比率大于2％小于4％時，第一刻蝕工藝刻蝕時長是63秒；當(dāng)閃存區(qū)在器件面上所占的面積比率大于4％小于6％時，第一刻蝕工藝刻蝕時長是61秒；當(dāng)閃存區(qū)在器件面上所占的面積比率大于6％時，第一刻蝕工藝刻蝕時長是60秒。據(jù)表1可知，第一刻蝕時間隨著閃存區(qū)在器件面上所占面積比率的增大而減小，相反地，第一刻蝕時間隨著閃存區(qū)在器件面上所占面積比率的減小而增大。選擇上述使用規(guī)則進(jìn)行第一刻蝕工藝，能夠刻蝕貫穿所述掩膜層203，并且刻蝕去除部分浮柵層202，從而確保所述掩膜層203無殘留，進(jìn)而避免所述掩膜層203對后續(xù)第二刻蝕工藝形成浮柵尖端形貌出現(xiàn)偏差。請參考圖7，第一刻蝕工藝刻蝕去除所述掩膜層203和部分浮柵層202之后，去除圖形層204。去除所述圖形層204的步驟包括：采用灰化工藝去除所述圖形層204；所述灰化工藝之后，采用去離子水或其他清洗液對殘渣進(jìn)行清洗。請參考圖8，以掩膜層203為掩膜，采用第二刻蝕工藝刻蝕所述第一開口底部的部分浮柵層202，形成第二開口207。所述第二開口207的深度與后續(xù)形成的浮柵尖端的高度一致，所述第二開口207的側(cè)壁與底部構(gòu)成的頂角為圓角。所述第二刻蝕工藝為各向同性刻蝕工藝，通過所述各向同性刻蝕工藝刻蝕所述浮柵層202形成具有弧度的第二開口207，所述第二開口207具有的弧度與后續(xù)形成的浮柵尖端具有的弧度一致。為了使后續(xù)形成的浮柵結(jié)構(gòu)形貌良好，在進(jìn)行第一刻蝕工藝之后，測試第一開口底部的浮柵層的厚度；根據(jù)浮柵結(jié)構(gòu)的預(yù)設(shè)最終厚度以及第一開口底部的浮柵層的厚度，獲取第二刻蝕工藝的刻蝕量；根據(jù)所述第二刻蝕工藝的刻蝕量和第二刻蝕工藝的刻蝕速率，確定第二次刻蝕工藝的時間。第二刻蝕時間為：85秒～110秒，第一開口底部的浮柵層厚度為：380?！?50埃。當(dāng)選擇一定的第二刻蝕速率時，所述第二刻蝕時間隨著第一開口底部的浮柵層厚度的增加而增加，相反的，所述第二刻蝕時間隨著第一開口底部的浮柵層厚度的減小而減小。在本實施例中，預(yù)設(shè)浮柵結(jié)構(gòu)最終厚度為290埃時，當(dāng)剩余浮柵層的厚度為453埃時，第二刻蝕時間為110秒；當(dāng)剩余浮柵層的厚度大于438埃時，第二刻蝕時間為105秒；當(dāng)剩余浮柵層的厚度大于423埃小于438埃時，第二刻蝕時間為100秒；當(dāng)剩余浮柵層的厚度大于408埃小于423埃時，第二刻蝕時間為95秒；當(dāng)剩余浮柵層的厚度大于393埃小于408埃時，第二刻蝕時間為90秒；當(dāng)剩余浮柵層的厚度小于393埃時，第二刻蝕時間為85秒。請參考圖9，形成覆蓋所述第二開口207側(cè)壁的第一側(cè)墻209；以所述第一側(cè)墻209和掩膜層203為掩膜，刻蝕所述浮柵層202直至暴露出襯底200；形成覆蓋浮柵層202的側(cè)壁以及第一側(cè)墻209側(cè)壁的第二側(cè)墻210；在相鄰的第二側(cè)墻210之間形成源線層211。所述第一側(cè)墻209的形成步驟包括：第一側(cè)墻膜的沉積；對所述第一側(cè)墻膜刻蝕形成所述第一側(cè)墻209。所述第一側(cè)墻膜的材料為氧化硅或氮氧化硅。所述第一側(cè)墻膜工藝包括沉積工藝，所述沉積工藝為等離子體化學(xué)氣相沉積工藝、低壓化學(xué)氣相沉積工藝、亞大氣壓化學(xué)氣相沉積工藝或者原子層沉積工藝。所述第二側(cè)墻210的形成步驟包括：第二側(cè)墻膜的沉積；對所述第二側(cè)墻膜刻蝕形成所述第二側(cè)墻210。所述第二側(cè)墻210的材料為氮化硅。所述第二側(cè)墻膜的形成工藝包括：沉積工藝，所述沉積工藝為等離子體化學(xué)氣相沉積工藝、低壓化學(xué)氣相沉積工藝、亞大氣壓化學(xué)氣相沉積工藝或者原子層沉積工藝。所述源線層211的材料為多晶硅。形成所述源線層211的工藝為沉積工藝，如等離子體化學(xué)氣相沉積工藝、低壓化學(xué)氣相沉積工藝或亞大氣壓化學(xué)氣相沉積工藝。請參考圖10，在形成源線層211之后，去除所述掩膜層203；在去除所述掩膜層203之后，以所述第一側(cè)墻209為掩膜，刻蝕所述浮柵層202，形成浮柵結(jié)構(gòu)208，所述浮柵結(jié)構(gòu)208暴露出的側(cè)壁與所述第二開口207(如圖8所示)靠近頂部的部分側(cè)壁構(gòu)成浮柵尖端。去除所述掩膜層203和形成浮柵結(jié)構(gòu)208的工藝為：濕法刻蝕工藝或者干法刻蝕工藝。所述浮柵尖端是由所述浮柵結(jié)構(gòu)208暴露出的側(cè)壁與所述第二開口207靠近頂部的部分側(cè)壁構(gòu)成。所述浮柵尖端的形貌受兩方面因素的影響：一方面，第一刻蝕工藝過程中殘留的掩膜層203(如圖9所示)對后續(xù)進(jìn)行的第二刻蝕工藝造成影響，從而影響浮柵尖端的形貌；另一方面，構(gòu)成所述尖端的所述第二開口207靠近頂部的部分側(cè)壁的形貌，所述第二開口207靠近頂部的部分側(cè)壁的形貌是由第二刻蝕時間決定。所述第二刻蝕時間通過所述第二刻蝕量和第二刻蝕速率獲取。所述第二刻蝕量能夠通過第一開口底部的浮柵層202的厚度和預(yù)設(shè)浮柵結(jié)構(gòu)最終厚度獲取。所述第一刻蝕工藝能夠刻蝕貫穿所述掩膜層203并能夠在浮柵層202(如圖9所示)內(nèi)產(chǎn)生一定的損失量。由于所述第一刻蝕工藝刻蝕至浮柵層202，以此能夠減少掩膜層203殘留對后續(xù)第二刻蝕工藝形成的第二開口207的形貌造成影響，而所述第二開口207靠近頂部的部分側(cè)壁用于后續(xù)形成浮柵尖端，第二開口207的形貌穩(wěn)定能夠保證后續(xù)形成的浮柵尖端的形貌良好。所述第一刻蝕工藝具有第一刻蝕時間，由于在相同的刻蝕條件下，所述第一開口的深度隨第一面積和第二面積的比值而變化，為了保證在不同的第一面積和第二面積的比值下對浮柵層202的刻蝕深度穩(wěn)定，所述第一刻蝕時間可以通過所述第一面積和第二面積的比值獲取。當(dāng)所述第一刻蝕工藝在第一刻蝕時間下刻蝕浮柵層202，所述浮柵層202的損失量穩(wěn)定，因此經(jīng)歷第一刻蝕工藝形成的第一開口深度穩(wěn)定。后續(xù)所述第一開口的形貌決定了浮柵尖端的形貌，經(jīng)過上述第一刻蝕工藝制備的浮柵尖端形貌良好，從而提高閃存器件的性能，進(jìn)而提高閃存器件的良率。所述第二刻蝕過程中，選取合適的第二刻蝕速率，所述第二刻蝕時間可以定量計算出來，因此經(jīng)歷第二刻蝕工藝形成的浮柵尖端結(jié)構(gòu)208將具有固定的形貌，所述浮柵結(jié)構(gòu)208具有固定的高度及弧度。請參考圖11，在形成所述浮柵結(jié)構(gòu)208之后，在所述浮柵結(jié)構(gòu)208側(cè)壁上形成隧穿介質(zhì)層212；在所述隧穿介質(zhì)層212上形成字線層213。所述字線層213材料為多晶硅。所述字線層213的高度受到第一側(cè)墻209的高度的影響。具體的，第一側(cè)墻209的高度越小，字線層213的高度越小。所述字線層213的高度指的是垂直于半導(dǎo)體襯底200表面方向的尺寸。所述字線層213用于避免浮柵尖端208“過擦除”。由前述分析可知，本實施例中形成的浮柵結(jié)構(gòu)208的浮柵尖端具有穩(wěn)定的形貌，從而提高了形成的閃存器件的良率。雖然本發(fā)明披露如上，但本發(fā)明并非限定于此。任何本領(lǐng)域技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，均可作各種更動與修改，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)當(dāng)以權(quán)利要求所限定的范圍為準(zhǔn)。當(dāng)前第1頁1 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