本發(fā)明涉及一種導(dǎo)熱材料，尤其是涉及一種導(dǎo)電導(dǎo)熱薄膜組件。

背景技術(shù)：

移動(dòng)通訊裝置如手機(jī)及便攜式3C產(chǎn)品因電子元件在高速運(yùn)算與空間限縮下，產(chǎn)生廢熱及局部高溫難以逸散，造成CPU/APU芯片降頻與機(jī)件過(guò)熱問(wèn)題；此外，高功率發(fā)光二極管(LED)在工作期間也會(huì)產(chǎn)生大量的熱，其中高達(dá)60-70％的能量主要以非輻射復(fù)合發(fā)生的點(diǎn)陣振動(dòng)的形式轉(zhuǎn)化成熱能，而這些LED操作時(shí)產(chǎn)生的高溫，若無(wú)法有效導(dǎo)出將消弱發(fā)光效率，并減少LED使用壽命?；诂F(xiàn)今多數(shù)產(chǎn)品在熱導(dǎo)需求下，使均溫散熱材料需適當(dāng)?shù)貙?dǎo)入裝置中以解決該熱積蓄的問(wèn)題，而在未來(lái)機(jī)件尺寸微縮下，具有超薄、均溫與高熱傳性能，能有效降低機(jī)件熱源溫度及緩和熱點(diǎn)功效之散熱材料迫切需要。

現(xiàn)有的傳統(tǒng)手機(jī)散熱設(shè)計(jì)中，以智能手機(jī)常用散熱材料來(lái)說(shuō)，是去置換中間的Middle Frame以增加熱容積與增加傳導(dǎo)的速度，或是直接貼上銅箔、石墨等產(chǎn)品，使其運(yùn)作時(shí)之升溫梯度減緩，并將主要的熱源快速的橫向攤開(kāi)到遠(yuǎn)端較冷處，避免熱點(diǎn)的堆積。然而此種散熱方式，由于銅箔或石墨并非直接與熱源接觸，中間存在有一定的空氣層，造成散熱與均溫效果不佳。

傳統(tǒng)手機(jī)另一常見(jiàn)的散熱設(shè)計(jì)實(shí)例，以熱導(dǎo)管輔以熱傳膠，黏著于銹鋼材質(zhì)結(jié)構(gòu)上，此種方式雖能夠直接黏著于熱源處，相較于說(shuō)明一的實(shí)例雖能夠較有傳導(dǎo)熱量，然熱導(dǎo)管具有一定厚度，且熱導(dǎo)管在有效的導(dǎo)熱作用下，該熱導(dǎo)管的整體厚度瓶頸為0.5毫米，使得整體的機(jī)件厚度在未來(lái)厚度減薄下將無(wú)法勝任。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的是解決上述提出的問(wèn)題，提供一種具導(dǎo)電與導(dǎo)熱之薄膜材料，該薄膜可由石墨烯材或金屬組成，亦或?yàn)槭┎呐c金屬的合成材料，使得此種具導(dǎo)電與導(dǎo)熱之薄膜材料，在電流散布與熱傳導(dǎo)特性等，均可獲得相當(dāng)程度的提升的一種導(dǎo)電導(dǎo)熱薄膜組件。

本發(fā)明的目的是以如下方式實(shí)現(xiàn)的：一種導(dǎo)電導(dǎo)熱薄膜組件，包括熱源和導(dǎo)熱膜，所述導(dǎo)熱膜包覆再所述熱源的表面。

上述的一種導(dǎo)電導(dǎo)熱薄膜組件，所述導(dǎo)熱膜是有石墨烯和/或金屬組成的合成材料。

上述的一種導(dǎo)電導(dǎo)熱薄膜組件，所述石墨烯材是碳60、碳70、石墨烯、奈米碳管、碳纖維、石墨、類(lèi)鉆碳或上述至少一種材料所組成之薄膜。

上述的一種導(dǎo)電導(dǎo)熱薄膜組件，所述金屬是鋁、銅、紅銅、黃銅、銀、金、鎂、鋅、鐵、不銹鋼、鈦或上述至少一種金屬所形成之合金。

上述的一種導(dǎo)電導(dǎo)熱薄膜組件，所述石墨烯材與金屬的合成材料是將石墨烯材成長(zhǎng)于金屬表面、或金屬沉積于石墨烯材表面、或石墨烯材沉積于金屬表面，亦或?qū)⑹┎呐c金屬以任意比例混合而成之薄膜。

上述的一種導(dǎo)電導(dǎo)熱薄膜組件，所述金屬材料是薄片、基板、或沉積于任何另一基板之薄膜，其厚度調(diào)整自1nm至1000um之間。

上述的一種導(dǎo)電導(dǎo)熱薄膜組件，將石墨烯材成長(zhǎng)于金屬表面的方式包含電漿火炬法、微波電漿化學(xué)氣相沈積、電漿增強(qiáng)化學(xué)氣相沈積、電子回旋共振式化學(xué)氣相沈積、電感式耦合電漿化學(xué)氣相沈積、低壓化學(xué)氣相沈積、常壓化學(xué)氣相沈積、熱化學(xué)氣相沈積或金屬有機(jī)化學(xué)氣相沈積等化學(xué)氣相沈積之方式。

上述的一種導(dǎo)電導(dǎo)熱薄膜組件，所述石墨烯材沉積于金屬表面，該沉積的方式可以是熱蒸鍍、離子濺鍍、雷射濺鍍、電鍍、無(wú)電極電鍍、電弧放電、噴涂、旋涂、電泳、網(wǎng)印法、刮刀成膜。

本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)：本發(fā)明所提出之導(dǎo)熱薄膜材料，除具有極佳的導(dǎo)熱特性外，能達(dá)到更薄的厚度，可接著于熱源之上，使得整體的機(jī)件厚度能有效下降，而不影響其散熱性能。

附圖說(shuō)明

為了使本發(fā)明的內(nèi)容更容易被清楚地理解，下面根據(jù)具體實(shí)施例并結(jié)合附圖，對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)的說(shuō)明，其中

圖1是本發(fā)明的結(jié)構(gòu)示意圖；

具體實(shí)施方式：

見(jiàn)圖1所示，一種導(dǎo)電導(dǎo)熱薄膜組件，包括熱源1和導(dǎo)熱膜2，所述導(dǎo)熱膜2包覆再所述熱源1的表面。所述導(dǎo)熱膜2是有石墨烯和/或金屬組成的合成材料。

所述石墨烯材是碳60、碳70、石墨烯、奈米碳管、碳纖維、石墨、類(lèi)鉆碳或上述至少一種材料所組成之薄膜。所述金屬是鋁、銅、紅銅、黃銅、銀、金、鎂、鋅、鐵、不銹鋼、鈦或上述至少一種金屬所形成之合金。所述石墨烯材與金屬的合成材料是將石墨烯材成長(zhǎng)于金屬表面、或金屬沉積于石墨烯材表面、或石墨烯材沉積于金屬表面，亦或?qū)⑹┎呐c金屬以任意比例混合而成之薄膜。所述金屬材料是薄片、基板、或沉積于任何另一基板之薄膜，其厚度調(diào)整自1nm至1000um之間。：將石墨烯材成長(zhǎng)于金屬表面的方式包含電漿火炬法、微波電漿化學(xué)氣相沈積、電漿增強(qiáng)化學(xué)氣相沈積、電子回旋共振式化學(xué)氣相沈積、電感式耦合電漿化學(xué)氣相沈積、低壓化學(xué)氣相沈積、常壓化學(xué)氣相沈積、熱化學(xué)氣相沈積或金屬有機(jī)化學(xué)氣相沈積等化學(xué)氣相沈積之方式。所述石墨烯材沉積于金屬表面，該沉積的方式可以是熱蒸鍍、離子濺鍍、雷射濺鍍、電鍍、無(wú)電極電鍍、電弧放電、噴涂、旋涂、電泳、網(wǎng)印法、刮刀成膜。

以上所述的具體實(shí)施例，對(duì)本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和有益效果進(jìn)行了進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明，所應(yīng)理解的是，以上所述僅為本發(fā)明的具體實(shí)施例而已，并不用于限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所做的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。