本發(fā)明涉及半導(dǎo)體顯示領(lǐng)域，具體地，涉及濕法刻蝕系統(tǒng)及濕法刻蝕方法。

背景技術(shù)：

在半導(dǎo)體顯示領(lǐng)域中，常見(jiàn)的陣列基板所用的金屬導(dǎo)線為Mo、Al或其合金。陣列基板的性能與其所用的導(dǎo)線材料有很大相關(guān)性。隨著顯示終端大尺寸，高分辨率及驅(qū)動(dòng)頻率高速化的發(fā)展及要求，常規(guī)金屬導(dǎo)線(如Mo、Al或其合金)因電阻率較高，已無(wú)法滿足電路設(shè)計(jì)需求。而Cu導(dǎo)線由于相對(duì)于常規(guī)金屬導(dǎo)線具有較低的電阻率及良好的抗電遷移能力，因此吸引了越來(lái)越多的關(guān)注。目前在制備基于Cu導(dǎo)線的陣列基板時(shí)，多采用濕法刻蝕的方法，刻蝕Cu以形成陣列基板的導(dǎo)線等結(jié)構(gòu)。

然而，目前的濕法刻蝕系統(tǒng)以及濕法刻蝕方法仍有待改進(jìn)。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明是基于發(fā)明人的以下發(fā)現(xiàn)而做出的：

目前采用刻蝕液對(duì)Cu進(jìn)行濕法刻蝕時(shí)，常出現(xiàn)不同刻蝕批次的刻蝕效果不一致，刻蝕系統(tǒng)的穩(wěn)定性較差，進(jìn)而對(duì)最終獲得的陣列基板的電學(xué)性能造成負(fù)面影響。發(fā)明人經(jīng)過(guò)深入研究以及大量實(shí)驗(yàn)發(fā)現(xiàn)，這主要是由于目前常用的Cu刻蝕液，多為雙氧水系刻蝕液，其與Cu反應(yīng)進(jìn)行刻蝕的原理如下：

Cu+H₂O₂+2H⁺→Cu²⁺+2H₂O

出于節(jié)約成本的考慮，刻蝕后的刻蝕液多被回收循環(huán)利用。此時(shí)刻蝕后形成的銅離子(Cu²⁺)混入刻蝕后的刻蝕液中，而銅離子在未達(dá)到飽和濃度之前，會(huì)催化加速雙氧水與Cu反應(yīng)的速率，因此造成刻蝕過(guò)程中Cu刻蝕速率的加快，導(dǎo)致不同批次的刻蝕產(chǎn)品刻蝕程度不能統(tǒng)一。雖然這一問(wèn)題可以通過(guò)在刻蝕過(guò)程中，人工向刻蝕液中添加銅粉(刻蝕液溶解Cu以提高銅離子濃度至飽和)得到一定程度的緩解，然而人工添加銅粉不僅耗時(shí)耗力，且不利于濕法刻蝕系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)全自動(dòng)化。并且，添加銅粉之后，生產(chǎn)的銅離子會(huì)催化雙氧水的分解，生成氧氣，因此造成儲(chǔ)液罐中的氣壓增加，也不利于安全生產(chǎn)。

本發(fā)明旨在至少一定程度上緩解或解決上述提及問(wèn)題中的至少之一。

有鑒于此，在本發(fā)明的一個(gè)方面，本發(fā)明提出了一種濕法刻蝕系統(tǒng)。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，該系統(tǒng)包括：刻蝕液儲(chǔ)存裝置，所述刻蝕液儲(chǔ)存單元包括刻蝕液儲(chǔ)罐、刻蝕液出口以及刻蝕液回收口，所述刻蝕液出口以及所述刻蝕液回收口設(shè)置在所述刻蝕液儲(chǔ)罐上；刻蝕裝置，所述刻蝕單元分別與所述刻蝕液出口以及所述刻蝕液回收口相連，用于利用所述刻蝕液儲(chǔ)罐中的刻蝕液對(duì)待刻蝕件進(jìn)行刻蝕處理；以及金屬離子調(diào)節(jié)裝置，所述金屬離子調(diào)節(jié)裝置與所述刻蝕液儲(chǔ)存裝置相連，用于調(diào)節(jié)所述刻蝕液中的金屬離子濃度。該系統(tǒng)可以實(shí)現(xiàn)刻蝕液中金屬離子(如Cu離子)濃度的自動(dòng)調(diào)節(jié)，可以實(shí)現(xiàn)濕法刻蝕的全程自動(dòng)化處理，且對(duì)于不同批次的待處理件的刻蝕效果可以保持統(tǒng)一，進(jìn)而有利于提高利用該系統(tǒng)進(jìn)行濕法刻蝕的效率以及效果。

根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，所述刻蝕裝置包括：噴淋單元，所述噴淋單元與所述刻蝕液出口相連，所述噴淋單元包括多個(gè)噴嘴，所述多個(gè)噴嘴用于噴淋所述刻蝕液；傳輸單元，所述傳輸單元設(shè)置在所述噴淋單元的下方，所述傳輸單元用于放置并輸送待刻蝕件；以及刻蝕液回收單元，所述刻蝕液回收單元設(shè)置在所述傳輸單元下方且與所述刻蝕液回收口相連，用于回收所述刻蝕液。由此，可以實(shí)現(xiàn)刻蝕后剩余刻蝕液的回收，有利于降低生產(chǎn)成本。

根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，所述刻蝕裝置進(jìn)一步包括：刻蝕液供給管路，所述刻蝕液供給管路分別與所述噴淋單元以及所述刻蝕液儲(chǔ)存裝置相連，所述刻蝕液供給管路上設(shè)置有泵、閥門(mén)、流量計(jì)以及溫度計(jì)。由此，可以為刻蝕液供給提供動(dòng)力，并對(duì)供給至刻蝕裝置中的刻蝕液的流量、溫度進(jìn)行調(diào)節(jié)，從而有利于進(jìn)一步提高利用該系統(tǒng)進(jìn)行濕法刻蝕的效率以及效果。

根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，所述金屬離子調(diào)節(jié)裝置包括：金屬離子檢測(cè)器，所述金屬離子檢測(cè)器與所述刻蝕液儲(chǔ)罐相連，用于檢測(cè)所述刻蝕液儲(chǔ)罐中所述刻蝕液的所述金屬離子濃度；刻蝕液循環(huán)管路，所述刻蝕液循環(huán)管路的兩端分別與所述刻蝕液儲(chǔ)罐相連；金屬離子添加單元，所述金屬離子添加單元設(shè)置在所述刻蝕液循環(huán)管路上；控制單元，所述控制單元分別與所述金屬離子檢測(cè)器以及所述刻蝕液循環(huán)管路相連，用于基于所述金屬離子檢測(cè)器的檢測(cè)結(jié)果，控制所述刻蝕液循環(huán)管路與所述刻蝕液儲(chǔ)罐之間的液體連通或斷開(kāi)。由此，可以實(shí)現(xiàn)對(duì)刻蝕液中金屬離子濃度的自動(dòng)化調(diào)節(jié)，從而有利于進(jìn)一步提高利用該系統(tǒng)進(jìn)行刻蝕的效率以及效果。

根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，所述金屬離子添加單元包括涂覆有金屬粉的濾膜。由此，可以在刻蝕液流經(jīng)該濾膜時(shí)實(shí)現(xiàn)銅離子的添加，有利于簡(jiǎn)化金屬離子添加單元。

根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，所述金屬離子添加單元可拆卸地設(shè)置在所述刻蝕液循環(huán)管路上。由此，可以簡(jiǎn)便地實(shí)現(xiàn)對(duì)金屬離子添加單元的維護(hù)保養(yǎng)。

根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，所述刻蝕液儲(chǔ)存裝置進(jìn)一步包括：加熱單元，所述加熱單元與所述刻蝕液儲(chǔ)罐相連，用于加熱所述刻蝕液；以及排氣口，所述排氣口設(shè)置在所述刻蝕液儲(chǔ)罐上。由此，可以進(jìn)一步提高金屬粉在刻蝕液中的溶解速度，且可以及時(shí)將產(chǎn)生的氣體排出該系統(tǒng)，從而有利于提高該系統(tǒng)的安全程度。

在本發(fā)明的另一方面，本發(fā)明提出了一種利用前面所述的系統(tǒng)進(jìn)行濕法刻蝕的方法。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，該方法包括：將待刻蝕件置于刻蝕裝置中，利用刻蝕液儲(chǔ)存裝置中的刻蝕液對(duì)所述刻蝕件進(jìn)行所述濕法刻蝕，其中，進(jìn)行所述濕法刻蝕之前，預(yù)先利用所述金屬離子調(diào)節(jié)裝置，將用于所述濕法刻蝕的所述刻蝕液中的金屬離子濃度調(diào)節(jié)至所述金屬離子的飽和濃度。由此，可以緩解在濕法刻蝕過(guò)程中，由于金屬離子濃度變化而導(dǎo)致的刻蝕速率變化的問(wèn)題。

根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，所述濕法刻蝕包括：將所述待刻蝕件置于傳送帶上，通過(guò)所述刻蝕液供給管路，將所述刻蝕液由所述刻蝕液儲(chǔ)存裝置中供給至所述噴淋單元的多個(gè)噴嘴中，并噴淋至所述待刻蝕件上；以及利用所述刻蝕液回收單元回收剩余的所述刻蝕液，并供給回所述刻蝕液儲(chǔ)存裝置中。由此，可以實(shí)現(xiàn)刻蝕后剩余刻蝕液的回收利用，從而有利于節(jié)省生產(chǎn)成本。

根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，所述金屬離子濃度的調(diào)節(jié)是通過(guò)以下步驟實(shí)現(xiàn)的：利用所述金屬離子檢測(cè)器，檢測(cè)所述刻蝕液儲(chǔ)存裝置中的所述刻蝕液的金屬離子濃度；當(dāng)所述金屬離子濃度小于所述飽和濃度時(shí)，通過(guò)控制單元使所述刻蝕液循環(huán)管路以及所述刻蝕液儲(chǔ)罐之間液體連通，以便利用所述金屬離子添加單元增加所述刻蝕液中的所述金屬離子濃度。由此，可以進(jìn)一步提高利用該方法進(jìn)行濕法刻蝕的效率以及效果。

根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，該方法進(jìn)一步包括：開(kāi)啟所述刻蝕液儲(chǔ)存裝置中的所述排氣口；以及利用加熱單元對(duì)所述刻蝕液進(jìn)行加熱。由此，可以進(jìn)一步提高利用該方法進(jìn)行濕法刻蝕的安全性。

附圖說(shuō)明

本發(fā)明的上述和/或附加的方面和優(yōu)點(diǎn)從結(jié)合下面附圖對(duì)實(shí)施例的描述中將變得明顯和容易理解，其中：

圖1顯示了根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的濕法刻蝕系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2顯示了根據(jù)本發(fā)明另一個(gè)實(shí)施例的濕法刻蝕系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3顯示了根據(jù)本發(fā)明有一個(gè)實(shí)施例的濕法刻蝕系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖4顯示了根據(jù)本發(fā)明有一個(gè)實(shí)施例的濕法刻蝕系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)示意圖；以及

圖5顯示了根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的濕法刻蝕方法的流程示意圖。

附圖標(biāo)記說(shuō)明：

100：刻蝕液儲(chǔ)存裝置；110：刻蝕液儲(chǔ)罐；120：刻蝕液出口；130：刻蝕液回收口；140：加熱單元；150：排氣口；

200：刻蝕裝置；210：噴淋單元；10：噴嘴；220：傳輸單元；21：傳送基板；22：傳送件；230：刻蝕液回收單元；240：刻蝕液供給管路；41：泵；42：溫度計(jì)；43：閥門(mén)；44：流量計(jì)；250：刻蝕液回收管路；

300：金屬離子調(diào)節(jié)裝置；310：金屬離子檢測(cè)器；320：刻蝕液循環(huán)管路；330：金屬離子添加單元；340：控制單元；50：控制閥；60：循環(huán)泵。

具體實(shí)施方式

下面詳細(xì)描述本發(fā)明的實(shí)施例，所述實(shí)施例的示例在附圖中示出，其中自始至終相同或類(lèi)似的標(biāo)號(hào)表示相同或類(lèi)似的元件或具有相同或類(lèi)似功能的元件。下面通過(guò)參考附圖描述的實(shí)施例是示例性的，僅用于解釋本發(fā)明，而不能理解為對(duì)本發(fā)明的限制。

在本發(fā)明的一個(gè)方面，本發(fā)明提出了一種濕法刻蝕系統(tǒng)。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，參考圖1，該系統(tǒng)包括：刻蝕液儲(chǔ)存裝置100、刻蝕裝置200以及金屬離子調(diào)節(jié)裝置300?？涛g液儲(chǔ)存單元100包括刻蝕液儲(chǔ)罐110、刻蝕液出口120以及刻蝕液回收口130，其中，刻蝕液出口120以及刻蝕液回收口130設(shè)置在刻蝕液儲(chǔ)罐110上，刻蝕單元200分別與刻蝕液出口120以及刻蝕液回收口130相連，以便利用刻蝕液儲(chǔ)罐110中的刻蝕液，對(duì)待刻蝕件進(jìn)行濕法刻蝕處理。處理后的剩余刻蝕液，經(jīng)刻蝕液回收口130回收至刻蝕液儲(chǔ)罐110中。金屬離子調(diào)節(jié)裝置300與刻蝕液儲(chǔ)存裝置100相連，用于調(diào)節(jié)刻蝕液中的金屬離子濃度。該系統(tǒng)可以實(shí)現(xiàn)刻蝕液中金屬離子(如Cu離子)濃度的自動(dòng)調(diào)節(jié)，可以實(shí)現(xiàn)濕法刻蝕的全程自動(dòng)化處理，且對(duì)于不同批次的待處理件的刻蝕效果可以保持統(tǒng)一，進(jìn)而有利于提高利用該系統(tǒng)進(jìn)行濕法刻蝕的效率以及效果。

下面根據(jù)本發(fā)明的具體實(shí)施例，對(duì)該濕法刻蝕系統(tǒng)的各個(gè)裝置、單元等進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。

根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，參考圖2，刻蝕裝置200包括：噴淋單元210、傳輸單元220以及刻蝕液回收單元230。具體的，噴淋單元210與刻蝕液出口120相連，噴淋單元210中設(shè)置有多個(gè)噴嘴10，以便噴淋刻蝕液。傳輸單元220用于放置并輸送待刻蝕件。噴嘴10可以被設(shè)置為向下噴淋刻蝕液，進(jìn)而可以利用刻蝕液的重力作用，實(shí)現(xiàn)噴淋。本領(lǐng)域技術(shù)人員能夠理解的是，由于噴嘴10向下噴淋供給刻蝕液，因此傳輸單元220可以設(shè)置在噴淋單元210的下方。刻蝕液回收單元230可以設(shè)置在傳輸單元220下方，以便承接剩余的刻蝕液?？涛g液回收單元230與刻蝕液回收口130相連，進(jìn)而可以將回收的剩余刻蝕液供給回刻蝕液儲(chǔ)罐110中。由此，可以實(shí)現(xiàn)刻蝕后剩余刻蝕液的回收，有利于降低生產(chǎn)成本。

需要說(shuō)明的是，在本發(fā)明中，傳輸單元220的具體類(lèi)型不受特別限制，只要能夠?qū)崿F(xiàn)待刻蝕件的輸送即可。例如，傳輸單元220可以包括傳送基板21以及傳送件22。待刻蝕件可以放置于傳送基板21上，通過(guò)傳送件22帶動(dòng)傳送基板21運(yùn)動(dòng)，實(shí)現(xiàn)待刻蝕件的傳輸。例如，傳送件22可以包括傳送軸、傳送齒輪、傳送馬達(dá)等?；蛘?，根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例，也可以不設(shè)置傳送基板21，直接將待刻蝕件置于傳送件22上，利用傳送件22直接帶動(dòng)待刻蝕件運(yùn)動(dòng)。由此，可以避免噴頭10噴淋出的刻蝕液腐蝕傳送基板。

根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，刻蝕裝置200還可以進(jìn)一步包括刻蝕液供給管路240以及刻蝕液回收管路250。刻蝕液供給管路240可以分別與噴淋單元210以及刻蝕液儲(chǔ)存裝置100相連，刻蝕液供給管路240上可以設(shè)置有泵41、閥門(mén)43、流量計(jì)44以及溫度計(jì)42。泵41可以為刻蝕液的供給提供動(dòng)力，并利用流量計(jì)44以及溫度計(jì)42對(duì)供給至噴淋單元210中的刻蝕液的流量、溫度進(jìn)行檢測(cè)或控制，在必要時(shí)，可以利用閥門(mén)43控制刻蝕液供給管路240與噴淋單元210之間液體的連通或斷開(kāi)。刻蝕液回收管路250一端與刻蝕液回收單元230相連，另一端與刻蝕液回收口130相連。由此，有利于進(jìn)一步提高利用該系統(tǒng)進(jìn)行濕法刻蝕的效率以及效果。

根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，刻蝕液回收單元230的具體類(lèi)型不受特別限制，只要能夠?qū)崿F(xiàn)剩余刻蝕液的回收即可。例如，根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，刻蝕液回收單元230可以為設(shè)置在傳輸單元下方的回收槽。回收槽下端設(shè)置有開(kāi)口，開(kāi)口處與刻蝕液回收管路250相連。由此，可以簡(jiǎn)便地依靠重力作用，實(shí)現(xiàn)剩余刻蝕液的回收。

根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，參考圖3，金屬離子調(diào)節(jié)裝置300包括：金屬離子檢測(cè)器310、刻蝕液循環(huán)管路320、金屬離子添加單元330以及控制單元340。具體的，金屬離子檢測(cè)器310與刻蝕液儲(chǔ)罐110相連，用于檢測(cè)刻蝕液儲(chǔ)罐110中刻蝕液的述金屬離子(如Cu離子)濃度?？涛g液循環(huán)管路320的兩端分別與刻蝕液儲(chǔ)罐110相連，金屬離子添加單元330設(shè)置在刻蝕液循環(huán)管路320上。控制單元分別與金屬離子檢測(cè)器310、刻蝕液循環(huán)管路320相連，以便基于金屬離子檢測(cè)器310的檢測(cè)結(jié)果，控制刻蝕液循環(huán)管路320與刻蝕液儲(chǔ)罐110之間的液體連通或斷開(kāi)。由此，可以實(shí)現(xiàn)對(duì)刻蝕液中金屬離子濃度的自動(dòng)化調(diào)節(jié)，從而有利于進(jìn)一步提高利用該系統(tǒng)進(jìn)行刻蝕的效率以及效果。

具體的，在刻蝕裝置200中，由于濕法刻蝕過(guò)程中金屬(如Cu)被溶解至剩余的刻蝕液中，因此剩余刻蝕液中金屬離子的濃度較濕法處理刻蝕之前有一定的升高。如前所述，在刻蝕液中金屬離子(Cu離子)未達(dá)到飽和時(shí)，金屬離子濃度的升高，將導(dǎo)致刻蝕幅度的加快，進(jìn)而影響不同刻蝕批次的刻蝕效果。因此，可以利用金屬離子檢測(cè)器310實(shí)時(shí)檢測(cè)刻蝕液儲(chǔ)罐110中儲(chǔ)存的刻蝕液的金屬離子濃度。當(dāng)該濃度未達(dá)到金屬離子在該刻蝕液中的飽和濃度時(shí)，由控制單元340使得刻蝕液循環(huán)管路320以及刻蝕液儲(chǔ)罐110之間液體連通，例如，在刻蝕液循環(huán)管路320以及刻蝕液儲(chǔ)罐110之間設(shè)置閥門(mén)，并利用控制單元340打開(kāi)該閥門(mén)。此時(shí)，儲(chǔ)存在刻蝕液儲(chǔ)罐110中的刻蝕液，進(jìn)入刻蝕液循環(huán)管路320中進(jìn)行循環(huán)。循環(huán)過(guò)程中，刻蝕液經(jīng)過(guò)金屬離子添加單元330。由此，實(shí)現(xiàn)向刻蝕液中自動(dòng)添加金屬離子。隨著上述循環(huán)過(guò)程的進(jìn)行，刻蝕液中的金屬離子濃度不斷增加。當(dāng)金屬離子檢測(cè)器310檢測(cè)到該金屬離子濃度增加至飽和濃度時(shí)，控制單元340可以控制斷開(kāi)刻蝕液循環(huán)管路320以及刻蝕液儲(chǔ)罐110之間的液體連通。

需要說(shuō)明的是，在本發(fā)明中，金屬離子添加單元330、金屬離子檢測(cè)器310的具體類(lèi)型不受特別限制，只要能夠滿足上述功能即可。例如，根據(jù)本發(fā)明的具體實(shí)施例，金屬離子添加單元330可以為涂覆有金屬粉的濾膜。如，金屬離子添加單元330可以為一側(cè)涂覆有銅粉的過(guò)濾膜。如前所述，由于刻蝕液能夠與銅反應(yīng)生成銅離子，因此，上述金屬離子添加單元330可以在刻蝕液流經(jīng)該濾膜時(shí)，實(shí)現(xiàn)金屬離子的添加。根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例，金屬離子添加單元330可以是可拆卸地設(shè)置在刻蝕液循環(huán)管路320上的。由此，可以簡(jiǎn)便地實(shí)現(xiàn)對(duì)金屬離子添加單元的維護(hù)保養(yǎng)。例如，可以定期拆卸金屬離子添加單元330，更換涂覆有金屬粉的濾膜。

根據(jù)本發(fā)明的具體實(shí)施例，參考圖4，金屬離子檢測(cè)器310的一端與刻蝕液儲(chǔ)罐110相連，另一端通過(guò)一根連接有循環(huán)泵60的管路，與刻蝕液儲(chǔ)罐110循環(huán)連接。由此，可以實(shí)現(xiàn)對(duì)刻蝕液中金屬離子濃度的實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)。刻蝕液循環(huán)管路320的一端與金屬離子檢測(cè)器310相連，另一端與循環(huán)泵60相連?？涛g液循環(huán)管路320上設(shè)置有金屬離子添加單元330以及控制閥50。當(dāng)金屬離子檢測(cè)器310檢測(cè)到的金屬離子濃度小于飽和濃度時(shí)，由控制單元340打開(kāi)控制閥50，此時(shí)刻蝕液循環(huán)管路320參與刻蝕液的循環(huán)，進(jìn)而利用設(shè)置在其上的金屬離子添加單元330實(shí)現(xiàn)金屬離子的添加。當(dāng)金屬離子檢測(cè)器310檢測(cè)到的金屬離子濃度等于其飽和濃度時(shí)，僅需關(guān)閉控制閥50即可。

根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，為了進(jìn)一步提高金屬粉溶解的速率，并提高該系統(tǒng)的安全性能，該刻蝕液儲(chǔ)存裝置100還可以進(jìn)一步包括：加熱單元150以及排氣口140。加熱單元150與刻蝕液儲(chǔ)罐110相連，用于加熱刻蝕液。例如，加熱單元150可以為設(shè)置在刻蝕液儲(chǔ)罐110中的加熱棒。排氣口140設(shè)置在刻蝕液儲(chǔ)罐110上。本領(lǐng)域技術(shù)人員能夠理解的是，金屬溶于刻蝕液的過(guò)程中通常會(huì)產(chǎn)生氣體，因此，可以利用排氣口150維持刻蝕液儲(chǔ)罐110中保持壓力的相對(duì)穩(wěn)定。

綜上所述，根據(jù)本發(fā)明的濕法刻蝕系統(tǒng)具有以下優(yōu)點(diǎn)的至少之一：

(1)可實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定的刻蝕效果，對(duì)于不同批次的待刻蝕件，能夠以較為均一的刻蝕速率進(jìn)行刻蝕；

(2)可實(shí)現(xiàn)自動(dòng)化添加金屬粉，且金屬粉的添加可調(diào)控，避免人工操作費(fèi)時(shí)費(fèi)力，且加入的金屬粉不能夠準(zhǔn)確控制的缺陷；

(3)金屬粉溶解更加有效，進(jìn)而具有較高的生產(chǎn)效率；

(4)安全性能較高，刻蝕液儲(chǔ)罐中可以保持相對(duì)穩(wěn)定的壓力。

在本發(fā)明的另一方面，本發(fā)明提出了一種利用前面所述的系統(tǒng)進(jìn)行濕法刻蝕的方法。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，該方法包括：將待刻蝕件置于刻蝕裝置中，利用刻蝕液儲(chǔ)存裝置中的刻蝕液對(duì)刻蝕件進(jìn)行所述濕法刻蝕。并且，在進(jìn)行上述濕法刻蝕之前，預(yù)先利用金屬離子調(diào)節(jié)裝置，將用于濕法刻蝕的刻蝕液中的金屬離子濃度，調(diào)節(jié)至該金屬離子在刻蝕液中的飽和濃度。由此，可以緩解在濕法刻蝕過(guò)程中，由于金屬離子濃度變化而導(dǎo)致的刻蝕速率變化的問(wèn)題。

根據(jù)本發(fā)明的具體實(shí)施例，上述濕法刻蝕可以包括：將待刻蝕件置于傳輸單元上，通過(guò)刻蝕液供給管路，向噴淋單元供給刻蝕液，并通過(guò)噴淋單元的多個(gè)噴嘴將刻蝕液噴淋至待刻蝕件上。剩余的刻蝕液經(jīng)過(guò)刻蝕液回收單元進(jìn)行回收，并供給回刻蝕液儲(chǔ)存裝置中。由此，可以實(shí)現(xiàn)刻蝕后剩余刻蝕液的回收利用，從而有利于節(jié)省生產(chǎn)成本。

根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，將金屬離子濃度調(diào)節(jié)至飽和濃度可以通過(guò)以下步驟實(shí)現(xiàn)：利用金屬離子檢測(cè)器，檢測(cè)刻蝕液儲(chǔ)存裝置中的刻蝕液金屬離子濃度。當(dāng)金屬離子濃度小于飽和濃度時(shí)，通過(guò)控制單元使刻蝕液循環(huán)管路以及刻蝕液儲(chǔ)罐之間液體連通，以便利用金屬離子添加單元增加刻蝕液中的所述金屬離子濃度。由此，可以進(jìn)一步提高利用該方法進(jìn)行濕法刻蝕的效率以及效果。為了進(jìn)一步提高金屬粉溶解的效率并提高該系統(tǒng)的安全性能，此時(shí)可以開(kāi)啟刻蝕液儲(chǔ)存裝置中的排氣口，或是利用加熱單元對(duì)刻蝕液進(jìn)行加熱。由此，可以進(jìn)一步提高利用該方法進(jìn)行濕法刻蝕的安全性。

根據(jù)本發(fā)明的具體實(shí)施例，參考圖5，該利用前面所述的系統(tǒng)進(jìn)行濕法刻蝕的方法可以包括以下步驟：

S100：利用刻蝕液對(duì)待刻蝕件進(jìn)行濕法刻蝕

具體的，將待刻蝕件置于刻蝕單元中，利用刻蝕液對(duì)待刻蝕件進(jìn)行濕法刻蝕。刻蝕液與待刻蝕件中的金屬發(fā)生反應(yīng)，實(shí)現(xiàn)待刻蝕件的刻蝕的同時(shí)，刻蝕后的剩余刻蝕液中金屬離子的濃度增加。

S200：利用刻蝕液回收單元回收剩余刻蝕液

在該步驟中，回收剩余的刻蝕液。

S300：檢測(cè)金屬離子濃度是否達(dá)飽和

如前所述，由于回收的剩余刻蝕液中金屬離子濃度增加，而在刻蝕液中金屬離子濃度未達(dá)到飽和的前提下，上述增加將會(huì)導(dǎo)致刻蝕速率的加快，進(jìn)而影響濕法刻蝕的效果，依次，在利用包含剩余刻蝕液的刻蝕液對(duì)下一批待刻蝕件僅刻蝕之前，首先對(duì)刻蝕液中的金屬離子濃度進(jìn)行檢測(cè)。如刻蝕液中金屬離子濃度已達(dá)到飽和，則可以直接將該刻蝕液重新供給至刻蝕單元中，進(jìn)行下一批次的濕法刻蝕。當(dāng)刻蝕液中金屬離子濃度未達(dá)到飽和時(shí)，該方法進(jìn)一步包括：

S400：利用金屬離子裝置調(diào)節(jié)

在該步驟中，利用金屬離子調(diào)節(jié)裝置，調(diào)節(jié)刻蝕液中的金屬離子濃度，使其增加至金屬離子的飽和濃度，再將該刻蝕液供給至刻蝕裝置中。

關(guān)于金屬離子濃度的檢測(cè)、金屬離子調(diào)節(jié)裝置工作的原理以及過(guò)程，前面已經(jīng)進(jìn)行了詳細(xì)的描述，在此不再贅述。

綜上所述，根據(jù)本發(fā)明的刻蝕方法具有以下優(yōu)點(diǎn)的至少之一：

(1)可實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定的刻蝕效果，對(duì)于不同批次的待刻蝕件，能夠以較為均一的刻蝕速率進(jìn)行刻蝕；

(2)可實(shí)現(xiàn)自動(dòng)化添加金屬粉，且金屬粉的添加可調(diào)控，避免人工操作費(fèi)時(shí)費(fèi)力，且加入的金屬粉不能夠準(zhǔn)確控制的缺陷；

(3)金屬粉溶解更加有效，進(jìn)而具有較高的生產(chǎn)效率；

(4)安全性能較高，刻蝕液儲(chǔ)罐中可以保持相對(duì)穩(wěn)定的壓力。

在本發(fā)明的描述中，術(shù)語(yǔ)“上”、“下”等指示的方位或位置關(guān)系為基于附圖所示的方位或位置關(guān)系，僅是為了便于描述本發(fā)明而不是要求本發(fā)明必須以特定的方位構(gòu)造和操作，因此不能理解為對(duì)本發(fā)明的限制。

在本說(shuō)明書(shū)的描述中，參考術(shù)語(yǔ)“一個(gè)實(shí)施例”、“另一個(gè)實(shí)施例”等的描述意指結(jié)合該實(shí)施例描述的具體特征、結(jié)構(gòu)、材料或者特點(diǎn)包含于本發(fā)明的至少一個(gè)實(shí)施例中。在本說(shuō)明書(shū)中，對(duì)上述術(shù)語(yǔ)的示意性表述不必須針對(duì)的是相同的實(shí)施例或示例。而且，描述的具體特征、結(jié)構(gòu)、材料或者特點(diǎn)可以在任一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例或示例中以合適的方式結(jié)合。此外，在不相互矛盾的情況下，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以將本說(shuō)明書(shū)中描述的不同實(shí)施例或示例以及不同實(shí)施例或示例的特征進(jìn)行結(jié)合和組合。另外，需要說(shuō)明的是，本說(shuō)明書(shū)中，術(shù)語(yǔ)“第一”、“第二”僅用于描述目的，而不能理解為指示或暗示相對(duì)重要性或者隱含指明所指示的技術(shù)特征的數(shù)量。

盡管上面已經(jīng)示出和描述了本發(fā)明的實(shí)施例，可以理解的是，上述實(shí)施例是示例性的，不能理解為對(duì)本發(fā)明的限制，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員在本發(fā)明的范圍內(nèi)可以對(duì)上述實(shí)施例進(jìn)行變化、修改、替換和變型。