技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明涉及一種納米復(fù)合多層相變薄膜及其制備方法和應(yīng)用，該相變薄膜為Ge50Te50相變材料和Ge8Sb92相變材料呈周期濺射得到的膜層，制備時(shí)，清洗SiO2/Si(100)基片；安裝好濺射靶材，先后開啟機(jī)械泵和分子泵抽真空；設(shè)定濺射氣體流量、腔內(nèi)濺射氣壓、靶材的濺射功率；采用室溫磁控濺射方法制備[Ge50Te50(a)/Ge8Sb92(b)]x納米復(fù)合多層相變薄膜。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明具有熱穩(wěn)定性好、相變速度快、存儲密度高等優(yōu)點(diǎn)。

技術(shù)研發(fā)人員：翟繼衛(wèi);吳衛(wèi)華;陳施諭
受保護(hù)的技術(shù)使用者：同濟(jì)大學(xué)
文檔號碼：201710029756
技術(shù)研發(fā)日：2017.01.16
技術(shù)公布日：2017.06.09