本發(fā)明涉及電能儲存技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及電能儲存裝置的制作方法。

背景技術(shù)：

電能儲存裝置尤其是電容的容量，影響電子裝備的執(zhí)行效能和作業(yè)時間，尤其是發(fā)展電能存儲量大的電容取代電池，有重量輕、體積小、無污染等優(yōu)勢，能改善現(xiàn)今人們的生活。

巨磁阻效應(yīng)是一種量子力學(xué)和凝聚態(tài)物理學(xué)現(xiàn)象，磁阻效應(yīng)的一種，可在磁性材料和非磁性材料相間的薄膜層(幾個納米厚)結(jié)構(gòu)中觀察到。這種結(jié)構(gòu)物質(zhì)的電阻值與鐵磁性材料薄膜層的磁化方向有關(guān)，兩層磁性材料磁化方向相反情況下的電阻值，明顯大于磁化方向相同時的電阻值，電阻在很弱的外加磁場下具有很大的變化量。

利用巨磁阻效應(yīng)做高效絕緣體，利用磁性電容做電容器，磁性電容的結(jié)構(gòu)中包含的磁性層具有磁南極和磁北極，磁場強(qiáng)度是磁體中磁疇綜合反映的結(jié)果，請參照圖1，圖1中繪制的是因磁性電容中磁性物質(zhì)不均勻等原因?qū)е麓女牭臉O化方向不同，由于永磁鐵和磁性物質(zhì)內(nèi)部磁疇分布不均勻，磁疇磁化方向不一致，最終表現(xiàn)為在磁極法向方向磁力線不均勻，這種不均勻性整體表現(xiàn)為法向的磁極化方向。磁極化方向是眾多磁疇綜合反映的結(jié)果，值得注意的是磁鐵邊緣存在磁力線，而這種磁力線因?yàn)榇盆F內(nèi)部磁疇的分布而閉合。

由于該型磁性電容器利用了巨磁阻效應(yīng)，且電容的極板顆粒特征及介電層為薄層，因此，這種電容的容量大，體積小，重量輕，某種程度上可以取代電池使用，有實(shí)際需求。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的在于提供電能儲存裝置的制作方法。

本發(fā)明解決其技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是：

一方面，提供一種電能儲存裝置的制作方法，包括：

生成第一導(dǎo)電磁性層、第二導(dǎo)電磁性層、第一導(dǎo)電順磁顆粒層、介電層、第二導(dǎo)電順磁顆粒層、第三導(dǎo)電磁性層及第四導(dǎo)電磁性層的薄膜；

對所述第一導(dǎo)電磁性層、第二導(dǎo)電磁性層、第三導(dǎo)電磁性層及第四導(dǎo)電磁性層的薄膜的表面進(jìn)行處理以設(shè)置磁極化方向；

依據(jù)電容器的結(jié)構(gòu)依次對所述第一導(dǎo)電磁性層、第二導(dǎo)電磁性層、第一導(dǎo)電順磁顆粒層、介電層、第二導(dǎo)電順磁顆粒層、第三導(dǎo)電磁性層及第四導(dǎo)電磁性層進(jìn)行層疊并壓實(shí)以形成平板電容；

對所述平板電容進(jìn)行切割，并設(shè)置導(dǎo)電裝置，將所述導(dǎo)電裝置焊接在所述平板電容所切割的位置；

對所述平板電容進(jìn)行封裝為單體電容，依據(jù)預(yù)設(shè)的電路將所述單體電容封裝為電能儲存裝置。

在本發(fā)明所述的制作方法中，所述生成第一導(dǎo)電磁性層、第二導(dǎo)電磁性層、第一導(dǎo)電順磁顆粒層、介電層、第二導(dǎo)電順磁顆粒層、第三導(dǎo)電磁性層及第四導(dǎo)電磁性層的薄膜，包括：

將所述第一導(dǎo)電磁性層、第二導(dǎo)電磁性層、第一導(dǎo)電順磁顆粒層、介電層、第二導(dǎo)電順磁顆粒層、第三導(dǎo)電磁性層及第四導(dǎo)電磁性層均設(shè)置為薄層；

通過濺鍍或化學(xué)沉淀或晶體生長的方式生成所述第一導(dǎo)電磁性層、第二導(dǎo)電磁性層、第一導(dǎo)電順磁顆粒層、介電層、第二導(dǎo)電順磁顆粒層、第三導(dǎo)電磁性層及第四導(dǎo)電磁性層的薄膜。

在本發(fā)明所述的制作方法中，所述對所述第一導(dǎo)電磁性層、第二導(dǎo)電磁性層、第三導(dǎo)電磁性層及第四導(dǎo)電磁性層的薄膜的表面進(jìn)行處理以設(shè)置磁極化方向，包括：

將所述第一導(dǎo)電磁性層及所述第四導(dǎo)電磁性層的磁極化方向設(shè)置為第一方向；

將所述第二導(dǎo)電磁性層及所述第三導(dǎo)電磁性層的磁極化方向設(shè)置為第二方向；其中，所述第一方向與所述第二方向相互垂直。

在本發(fā)明所述的制作方法中，所述第一方向?yàn)樗椒较?，所述第二方向?yàn)榇怪狈较颉?/p>

在本發(fā)明所述的制作方法中，所述將所述第一導(dǎo)電磁性層及所述第四導(dǎo)電磁性層的磁極化方向設(shè)置為第一方向中，將所述第一導(dǎo)電磁性層的磁極化方向及所述第四導(dǎo)電磁性層的磁極化方向設(shè)置為相同或相反方向。

所述將所述第二導(dǎo)電磁性層及所述第三導(dǎo)電磁性層的磁極化方向設(shè)置為第二方向中，將所述第二導(dǎo)電磁性層的磁極化方向及所述第三導(dǎo)電磁性層的磁極化方向設(shè)置為相同或相反方向。

在本發(fā)明所述的制作方法中，所述依據(jù)電容器的結(jié)構(gòu)依次對所述第一導(dǎo)電磁性層、第二導(dǎo)電磁性層、第一導(dǎo)電順磁顆粒層、介電層、第二導(dǎo)電順磁顆粒層、第三導(dǎo)電磁性層及第四導(dǎo)電磁性層進(jìn)行層疊并壓實(shí)以形成平板電容，包括：

依次層疊所述第一導(dǎo)電磁性層、第二導(dǎo)電磁性層、第一導(dǎo)電順磁顆粒層、介電層、第二導(dǎo)電順磁顆粒層、第三導(dǎo)電磁性層及第四導(dǎo)電磁性層；

將絕緣層設(shè)置于所述第一導(dǎo)電磁性層的上表面；

壓實(shí)所述絕緣層、第一導(dǎo)電磁性層、第二導(dǎo)電磁性層、第一導(dǎo)電順磁顆粒層、介電層、第二導(dǎo)電順磁顆粒層、第三導(dǎo)電磁性層及第四導(dǎo)電磁性層以形成平板電容。

在本發(fā)明所述的制作方法中，對所述平板電容進(jìn)行切割，并設(shè)置導(dǎo)電裝置，將所述導(dǎo)電裝置焊接在所述平板電容所切割的位置，包括：

對所述平板電容進(jìn)行切割以制作電容模塊；

設(shè)置導(dǎo)電裝置，所述導(dǎo)電裝置包括第一導(dǎo)電層、第二導(dǎo)電層、第三導(dǎo)電層及第四導(dǎo)電層；

將所述導(dǎo)電裝置焊接在所述平板電容所切割的位置；其中，將所述第一導(dǎo)電層及所述第三導(dǎo)電層分別設(shè)置于所述第一導(dǎo)電磁性層、第二導(dǎo)電磁性層及第一導(dǎo)電順磁顆粒層的兩側(cè)；將所述第二導(dǎo)電層及所述第四導(dǎo)電層分別設(shè)置于所述第二導(dǎo)電順磁顆粒層、第三導(dǎo)電磁性層及第四導(dǎo)電磁性層的兩側(cè)。

在本發(fā)明所述的制作方法中，所述對所述平板電容進(jìn)行封裝為單體電容，依據(jù)預(yù)設(shè)的電路將所述單體電容封裝為電能儲存裝置，包括：

提供m個所述單體電容，m為大于或等于2的正整數(shù)；

當(dāng)m等于2時，第1個單體電容的第三導(dǎo)電層與第2個單體電容的第一導(dǎo)電層連接，第1個單體電容的第四導(dǎo)電層與第2個單體電容的第二導(dǎo)電層連接；

當(dāng)m大于2時，第1個單體電容的第三導(dǎo)電層與第2個單體電容的第一導(dǎo)電層連接，第1個單體電容的第四導(dǎo)電層與第2個單體電容的第二導(dǎo)電層連接；第i個單體電容的第三導(dǎo)電層與第i+1個單體電容的第一導(dǎo)電層連接，第i個單體電容的第四導(dǎo)電層與第i+1個單體電容的第二導(dǎo)電層連接，第i個單體電容的第一導(dǎo)電層與第i-1個單體電容的第三導(dǎo)電層連接，第i個單體電容的第二導(dǎo)電層與第i-1個單體電容的第四導(dǎo)電層連接；第m個單體電容的第一導(dǎo)電層與第m-1個單體電容的第三導(dǎo)電層連接，第m個單體電容的第二導(dǎo)電層與第m-1個單體電容的第四導(dǎo)電層連接；其中，i為大于1且小于m的正整數(shù)。

另一方面，提供一種電能儲存裝置的制作方法，包括：

生成第一導(dǎo)電磁性層、第二導(dǎo)電磁性層、第一導(dǎo)電順磁顆粒層、介電層、第二導(dǎo)電順磁顆粒層及第三導(dǎo)電磁性層的薄膜；

對所述第一導(dǎo)電磁性層、第二導(dǎo)電磁性層及第三導(dǎo)電磁性層的薄膜的表面進(jìn)行處理以設(shè)置磁極化方向；

依據(jù)電容器的結(jié)構(gòu)依次對所述第一導(dǎo)電磁性層、第二導(dǎo)電磁性層、第一導(dǎo)電順磁顆粒層、介電層、第二導(dǎo)電順磁顆粒層及第三導(dǎo)電磁性層進(jìn)行層疊并壓實(shí)以形成平板電容；

對所述平板電容進(jìn)行切割，并設(shè)置導(dǎo)電裝置，將所述導(dǎo)電裝置焊接在所述平板電容所切割的位置；

對所述平板電容進(jìn)行封裝為單體電容，依據(jù)預(yù)設(shè)的電路將所述單體電容封裝為電能儲存裝置。

在本發(fā)明所述的制作方法中，所述對所述平板電容進(jìn)行封裝為單體電容，依據(jù)預(yù)設(shè)的電路將所述單體電容封裝為單體電容，包括：

提供n個所述單體電容及第四導(dǎo)電磁性層，所述第四導(dǎo)電磁性層的磁極化方向與所述第一導(dǎo)電磁性層的磁極化方向平行，n為大于或等于2的正整數(shù)；所述導(dǎo)電裝置包括第一導(dǎo)電層、第二導(dǎo)電層、第三導(dǎo)電層及第四導(dǎo)電層；所述第一導(dǎo)電層及所述第三導(dǎo)電層分別設(shè)置于所述第一導(dǎo)電磁性層、第二導(dǎo)電磁性層及第一導(dǎo)電順磁顆粒層的兩側(cè)；所述第二導(dǎo)電層及所述第四導(dǎo)電層分別設(shè)置于所述第二導(dǎo)電順磁顆粒層及第三導(dǎo)電磁性層的兩側(cè)；

當(dāng)n等于2時，第1個單體電容的第二導(dǎo)電層與第2個單體電容的第一導(dǎo)電層連接，第1個單體電容的第四導(dǎo)電層與第2個單體電容的第三導(dǎo)電層連接，第2個單體電容的第三導(dǎo)電磁性層與所述第四導(dǎo)電磁性層連接；

當(dāng)n大于2時，第1個單體電容的第二導(dǎo)電層與第2個單體電容的第一導(dǎo)電層連接，第1個單體電容的第四導(dǎo)電層與第2個單體電容的第三導(dǎo)電層連接；第j個單體電容的第二導(dǎo)電層與第j+1個單體電容的第一導(dǎo)電層連接，第j個單體電容的第四導(dǎo)電層與第j+1個單體電容的第三導(dǎo)電層連接，第j個單體電容的第一導(dǎo)電層與第j-1個單體電容的第二導(dǎo)電層連接，第j個單體電容的第三導(dǎo)電層與第j-1個單體電容的第四導(dǎo)電層連接；第n個單體電容的第一導(dǎo)電層與第n-1個單體電容的第二導(dǎo)電層連接，第n個單體電容的第三導(dǎo)電層與第n-1個單體電容的第四導(dǎo)電層連接，第n個單體電容的第三導(dǎo)電磁性層與所述第四導(dǎo)電磁性層連接；其中，j為大于1且小于n的正整數(shù)。

上述公開的電能儲存裝置的制作方法具有以下有益效果：通過制作電能儲存裝置，其磁化后增加介電質(zhì)的介電常數(shù)，極大增加該型磁性電容的電容量；電能儲存裝置容量大，體積小，重量輕，可以取代電池使用；該制作方法不僅程序簡單，還節(jié)省了制作成本。

附圖說明

圖1為永磁鐵和磁性物質(zhì)磁極表面磁疇的磁極方向示意圖；

圖2為本發(fā)明第一實(shí)施例提供的電能儲存裝置的制作方法的流程圖；

圖3為本發(fā)明第一實(shí)施例提供的單體電容的結(jié)構(gòu)剖面圖；

圖4為本發(fā)明第一實(shí)施例提供的電能儲存裝置的結(jié)構(gòu)剖面圖；

圖5為本發(fā)明第二實(shí)施例提供的單體電容的結(jié)構(gòu)剖面圖；

圖6為本發(fā)明第二實(shí)施例提供的電能儲存裝置的結(jié)構(gòu)剖面圖；

圖7為本發(fā)明第三實(shí)施例提供的電能儲存裝置的結(jié)構(gòu)剖面圖；

圖8為本發(fā)明第三實(shí)施例提供的電能儲存裝置的電路結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

為了使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案及優(yōu)點(diǎn)更加清楚明白，以下結(jié)合附圖及實(shí)施例，對本發(fā)明進(jìn)行進(jìn)一步詳細(xì)說明。應(yīng)當(dāng)理解，此處所描述的具體實(shí)施例僅用以解釋本發(fā)明，并不用于限定本發(fā)明。

本發(fā)明提供了電能存儲裝置10的制作方法，其目的在于，通過制作電能存儲裝置10，其磁化后增加介電質(zhì)的介電常數(shù)，極大增加該型磁性電容的電容量；電能儲存裝置容量大，體積小，重量輕，可以取代電池使用；該制作方法不僅程序簡單，還節(jié)省了制作成本。

參見圖2，圖2為本發(fā)明第一實(shí)施例提供的電能儲存裝置的制作方法的流程圖，包括步驟S1-S5：

S1、生成第一導(dǎo)電磁性層101、第二導(dǎo)電磁性層102、第一導(dǎo)電順磁顆粒層103、介電層104、第二導(dǎo)電順磁顆粒層105、第三導(dǎo)電磁性層106及第四導(dǎo)電磁性層107的薄膜；步驟S1包括子步驟S11-S12：

S11、將所述第一導(dǎo)電磁性層101、第二導(dǎo)電磁性層102、第一導(dǎo)電順磁顆粒層103、介電層104、第二導(dǎo)電順磁顆粒層105、第三導(dǎo)電磁性層106及第四導(dǎo)電磁性層107均設(shè)置為薄層；

S12、通過濺鍍或化學(xué)沉淀或晶體生長的方式生成所述第一導(dǎo)電磁性層101、第二導(dǎo)電磁性層102、第一導(dǎo)電順磁顆粒層103、介電層104、第二導(dǎo)電順磁顆粒層105、第三導(dǎo)電磁性層106及第四導(dǎo)電磁性層107的薄膜。

其中，濺鍍通常指的是磁控濺鍍，屬于高速低溫濺鍍法。該工藝要求真空度在1×10^-3Torr左右，即1.3×10^-3Pa的真空狀態(tài)充入惰性氣體氬氣(Ar)，并在塑膠基材(陽極)和金屬靶材(陰極)之間加上高壓直流電，由于輝光放電(glow discharge)產(chǎn)生的電子激發(fā)惰性氣體，產(chǎn)生等離子體，等離子體將金屬靶材的原子轟出，沉積在塑膠基材上。

化學(xué)沉淀一般為投加化學(xué)劑，使水中需要去除的溶解物質(zhì)轉(zhuǎn)化為難溶物質(zhì)而析出的水處理方法。

晶體生長是指物質(zhì)在一定溫度、壓力、濃度、介質(zhì)、pH等條件下由氣相、液相、固相轉(zhuǎn)化，形成特定線度尺寸晶體的過程。

S2、對所述第一導(dǎo)電磁性層101、第二導(dǎo)電磁性層102、第三導(dǎo)電磁性層106及第四導(dǎo)電磁性層107的薄膜的表面進(jìn)行處理以設(shè)置磁極化方向；所述步驟S2包括子步驟S21-S22：

S21、將所述第一導(dǎo)電磁性層101及所述第四導(dǎo)電磁性層107的磁極化方向設(shè)置為第一方向；將所述第一導(dǎo)電磁性層101的磁極化方向及所述第四導(dǎo)電磁性層107的磁極化方向設(shè)置為相同或相反方向。

S22、將所述第二導(dǎo)電磁性層102及所述第三導(dǎo)電磁性層106的磁極化方向設(shè)置為第二方向；其中，所述第一方向與所述第二方向相互垂直。將所述第二導(dǎo)電磁性層102的磁極化方向及所述第三導(dǎo)電磁性層106的磁極化方向設(shè)置為相同或相反方向。

優(yōu)選的，所述第一方向?yàn)樗椒较?，所述第二方向?yàn)榇怪狈较颉?/p>

S3、依據(jù)電容器的結(jié)構(gòu)依次對所述第一導(dǎo)電磁性層101、第二導(dǎo)電磁性層102、第一導(dǎo)電順磁顆粒層103、介電層104、第二導(dǎo)電順磁顆粒層105、第三導(dǎo)電磁性層106及第四導(dǎo)電磁性層107進(jìn)行層疊并壓實(shí)以形成平板電容；步驟S3包括子步驟S31-S33：

S31、依次層疊所述第一導(dǎo)電磁性層101、第二導(dǎo)電磁性層102、第一導(dǎo)電順磁顆粒層103、介電層104、第二導(dǎo)電順磁顆粒層105、第三導(dǎo)電磁性層106及第四導(dǎo)電磁性層107；

S32、將絕緣層設(shè)置于所述第一導(dǎo)電磁性層101的上表面；

S33、壓實(shí)所述絕緣層112、第一導(dǎo)電磁性層101、第二導(dǎo)電磁性層102、第一導(dǎo)電順磁顆粒層103、介電層104、第二導(dǎo)電順磁顆粒層105、第三導(dǎo)電磁性層106及第四導(dǎo)電磁性層107以形成平板電容。

S4、對所述平板電容進(jìn)行切割，并設(shè)置導(dǎo)電裝置，將所述導(dǎo)電裝置焊接在所述平板電容所切割的位置；步驟S4包括子步驟S41-S43：

S41、對所述平板電容進(jìn)行切割以制作電容模塊；

S42、設(shè)置導(dǎo)電裝置，所述導(dǎo)電裝置包括第一導(dǎo)電層108、第二導(dǎo)電層109、第三導(dǎo)電層110及第四導(dǎo)電層111；

S43、將所述導(dǎo)電裝置焊接在所述平板電容所切割的位置；其中，將所述第一導(dǎo)電層108及所述第三導(dǎo)電層110分別設(shè)置于所述第一導(dǎo)電磁性層101、第二導(dǎo)電磁性層102及第一導(dǎo)電順磁顆粒層103的兩側(cè)；將所述第二導(dǎo)電層109及所述第四導(dǎo)電層111分別設(shè)置于所述第二導(dǎo)電順磁顆粒層105、第三導(dǎo)電磁性層106及第四導(dǎo)電磁性層107的兩側(cè)。

S5、對所述平板電容進(jìn)行封裝為單體電容100，依據(jù)預(yù)設(shè)的電路將所述單體電容100封裝為電能儲存裝置。該單體電容參見圖3，圖3為本發(fā)明第一實(shí)施例提供的單體電容的結(jié)構(gòu)剖面圖，該單體電容100包括依次層疊的第一導(dǎo)電磁性層101、第二導(dǎo)電磁性層102、第一導(dǎo)電順磁顆粒層103、介電層104、第二導(dǎo)電順磁顆粒層105、第三導(dǎo)電磁性層106及第四導(dǎo)電磁性層107。即內(nèi)部總共有7層，而第一導(dǎo)電磁性層101和第四導(dǎo)電磁性層107的磁極化方向平行，而第二導(dǎo)電磁性層102和第三導(dǎo)電磁性層106的磁極化方向平行，且和第一導(dǎo)電磁性層101及第四導(dǎo)電磁性層107的磁極化方向垂直，第一導(dǎo)電順磁顆粒層103和第二導(dǎo)電順磁顆粒層105中采用順磁性金屬顆粒，利于提高磁性電容的表面積，同時，由于第二導(dǎo)電磁性層102和第三導(dǎo)電磁性層106的磁場對第一導(dǎo)電順磁顆粒層103和第二導(dǎo)電順磁顆粒層105有磁化作用，在介電層104與第一導(dǎo)電順磁顆粒層103及第二導(dǎo)電順磁顆粒層105接觸的表面也會相應(yīng)有磁化現(xiàn)象，增加了介電層104的介電常數(shù)，從而增加了該磁性電容器的容量。

所述第一導(dǎo)電磁性層101及所述第四導(dǎo)電磁性層107用于約束電子逃逸；所述第二導(dǎo)電磁性層102及所述第三導(dǎo)電磁性層106的磁極化方向垂直于所述第一導(dǎo)電磁性層101及所述第四導(dǎo)電磁性層107的磁極化方向，所述第二導(dǎo)電磁性層102及所述第三導(dǎo)電磁性層106用于增加該單體電容100的電容量；所述第一導(dǎo)電順磁顆粒層103及所述第二導(dǎo)電順磁顆粒層105用于增加極板面積以增加該單體電容100的電容量；所述介電層104用于存儲電能；其中，導(dǎo)電磁性層的磁極化方向在圖中采用箭頭表示，即第一導(dǎo)電磁性層101和第四導(dǎo)電磁性層107磁場強(qiáng)度平行，第二導(dǎo)電磁性層102和第三導(dǎo)電磁性層106磁極化方向垂直于第一導(dǎo)電磁性層101和第四導(dǎo)電磁性層107磁極化方向，也就是說第一導(dǎo)電磁性層101和第四導(dǎo)電磁性層107磁極化方向平行，平行于介電層104。

第一導(dǎo)電順磁顆粒層103和第二導(dǎo)電順磁顆粒層105可由多層順磁性材料的金屬顆粒堆積而成，因顆粒細(xì)微，可以極大增加這種結(jié)構(gòu)的表面積，因而增加磁性電容的電容量。由于第一導(dǎo)電磁性層101和第四導(dǎo)電磁性層107磁極化方向平行，第二導(dǎo)電磁性層102和第三導(dǎo)電磁性層106磁極化方向同第一導(dǎo)電磁性層101和第四導(dǎo)電磁性層107磁極化方向垂直，且第二導(dǎo)電磁性層102和第三導(dǎo)電磁性層106將分別對第一導(dǎo)電順磁顆粒層103和第二導(dǎo)電順磁顆粒層105進(jìn)行磁化，保持第二導(dǎo)電磁性層102和第三導(dǎo)電磁性層106磁極化方向同第一導(dǎo)電磁性層101和第四導(dǎo)電磁性層107磁極化方向垂直，同時保持第一導(dǎo)電順磁顆粒層103和第二導(dǎo)電順磁顆粒層105不會被第一導(dǎo)電磁性層101和第四導(dǎo)電磁性層107強(qiáng)烈磁化。

所述第一導(dǎo)電磁性層101、所述第二導(dǎo)電磁性層102、所述第三導(dǎo)電磁性層106及所述第四導(dǎo)電磁性層107均為磁性薄膜(鐵基、鎳基或鈷基合金等材料，厚度為納米級)。所述第一導(dǎo)電順磁顆粒層103及所述第二導(dǎo)電順磁顆粒層105均具有順磁金屬顆粒堆積結(jié)構(gòu)，即第一導(dǎo)電順磁顆粒層103和第二導(dǎo)電順磁顆粒層105可用(鐵基、鎳基或鈷基合金等材料)納米級粉末制備；介電層104可由相對介電常數(shù)大的材料如鈦酸鋇或鈦的氧化物制成。

所述單體電容100還包括：第一導(dǎo)電層108、第二導(dǎo)電層109、第三導(dǎo)電層110及第四導(dǎo)電層111；所述第一導(dǎo)電層108及所述第三導(dǎo)電層110分別設(shè)置于所述第一導(dǎo)電磁性層101、第二導(dǎo)電磁性層102及第一導(dǎo)電順磁顆粒層103的兩側(cè)；所述第二導(dǎo)電層109及所述第四導(dǎo)電層111分別設(shè)置于所述第二導(dǎo)電順磁顆粒層105、第三導(dǎo)電磁性層106及第四導(dǎo)電磁性層107的兩側(cè)。所述第一導(dǎo)電層108、所述第二導(dǎo)電層109、所述第三導(dǎo)電層110及所述第四導(dǎo)電層111均為薄層，或者所述第一導(dǎo)電層108、所述第二導(dǎo)電層109、所述第三導(dǎo)電層110及所述第四導(dǎo)電層111可由銀或銅薄膜制成。

優(yōu)選的，該單體電容100還包括絕緣層112，所述絕緣層112設(shè)置于所述第一導(dǎo)電磁性層101的上表面。絕緣層112的目的是防止單體電容100及系統(tǒng)10疊加時正極板與負(fù)極板接觸，便于電路集成。

該步驟S5包括子步驟S51-S53：

S51、提供m個所述單體電容，m為大于或等于2的正整數(shù)；參見圖4，圖4為本發(fā)明第一實(shí)施例提供的電能儲存裝置10的結(jié)構(gòu)剖面圖，該電能儲存裝置10為第一實(shí)施例的單體電容100對應(yīng)的產(chǎn)品，該電能儲存裝置10包括m個如上所述的單體電容100，m為大于或等于2的正整數(shù)。

S52、當(dāng)m等于2時，第1個單體電容100的第三導(dǎo)電層110與第2個單體電容100的第一導(dǎo)電層108連接，第1個單體電容100的第四導(dǎo)電層111與第2個單體電容100的第二導(dǎo)電層109連接；

S53、當(dāng)m大于2時，第1個單體電容100的第三導(dǎo)電層110與第2個單體電容100的第一導(dǎo)電層108連接，第1個單體電容100的第四導(dǎo)電層111與第2個單體電容100的第二導(dǎo)電層109連接；第i個單體電容100的第三導(dǎo)電層110與第i+1個單體電容100的第一導(dǎo)電層108連接，第i個單體電容100的第四導(dǎo)電層111與第i+1個單體電容100的第二導(dǎo)電層109連接，第i個單體電容100的第一導(dǎo)電層108與第i-1個單體電容100的第三導(dǎo)電層110連接，第i個單體電容100的第二導(dǎo)電層109與第i-1個單體電容100的第四導(dǎo)電層111連接；第m個單體電容100的第一導(dǎo)電層108與第m-1個單體電容100的第三導(dǎo)電層110連接，第m個單體電容100的第二導(dǎo)電層109與第m-1個單體電容100的第四導(dǎo)電層111連接；其中，i為大于1且小于m的正整數(shù)。

本發(fā)明第二實(shí)施例的電能儲存裝置的制作方法包括步驟S101-S105：

S101、生成第一導(dǎo)電磁性層101、第二導(dǎo)電磁性層102、第一導(dǎo)電順磁顆粒層103、介電層104、第二導(dǎo)電順磁顆粒層105及第三導(dǎo)電磁性層106的薄膜；步驟S101與第一實(shí)施例步驟S1的子步驟相同。

S102、對所述第一導(dǎo)電磁性層101、第二導(dǎo)電磁性層102及第三導(dǎo)電磁性層106的薄膜的表面進(jìn)行處理以設(shè)置磁極化方向；步驟S102與第一實(shí)施例步驟S2的子步驟相同。

S103、依據(jù)電容器的結(jié)構(gòu)依次對所述第一導(dǎo)電磁性層101、第二導(dǎo)電磁性層102、第一導(dǎo)電順磁顆粒層103、介電層104、第二導(dǎo)電順磁顆粒層105及第三導(dǎo)電磁性層106進(jìn)行層疊并壓實(shí)以形成平板電容；步驟S103與第一實(shí)施例步驟S3的子步驟相同。

S104、對所述平板電容進(jìn)行切割，并設(shè)置導(dǎo)電裝置，將所述導(dǎo)電裝置焊接在所述平板電容所切割的位置；步驟S104與第一實(shí)施例步驟S4的子步驟相同。

S105、對所述平板電容進(jìn)行封裝為單體電容100，依據(jù)預(yù)設(shè)的電路將所述單體電容100封裝為電能儲存裝置10。參見圖5，圖5為本發(fā)明第二實(shí)施例提供的單體電容100的結(jié)構(gòu)剖面圖，該單體電容100不同于第一實(shí)施例之處在于，該單體電容100內(nèi)部有6層，包括依次層疊的第一導(dǎo)電磁性層101、第二導(dǎo)電磁性層102、第一導(dǎo)電順磁顆粒層103、介電層104、第二導(dǎo)電順磁顆粒層105及第三導(dǎo)電磁性層106；

所述第一導(dǎo)電磁性層101用于約束電子逃逸；所述第二導(dǎo)電磁性層102及所述第三導(dǎo)電磁性層106的磁極化方向垂直于所述第一導(dǎo)電磁性層101的磁極化方向，所述第二導(dǎo)電磁性層102及所述第三導(dǎo)電磁性層106用于增加該單體電容100的電容量；所述第一導(dǎo)電順磁顆粒層103及所述第二導(dǎo)電順磁顆粒層105用于增加極板面積以增加該單體電容100的電容量；所述介電層104用于存儲電能；

所述單體電容100還包括：第一導(dǎo)電層108、第二導(dǎo)電層109、第三導(dǎo)電層110及第四導(dǎo)電層111；

所述第一導(dǎo)電層108及所述第三導(dǎo)電層110分別設(shè)置于所述第一導(dǎo)電磁性層101、第二導(dǎo)電磁性層102及第一導(dǎo)電順磁顆粒層103的兩側(cè)；所述第二導(dǎo)電層109及所述第四導(dǎo)電層111分別設(shè)置于所述第二導(dǎo)電順磁顆粒層105及第三導(dǎo)電磁性層106的兩側(cè)。

步驟S105包括子步驟S1051-S1053：

S1051、提供n個所述單體電容100及第四導(dǎo)電磁性層107，所述第四導(dǎo)電磁性層107的磁極化方向與所述第一導(dǎo)電磁性層101的磁極化方向平行，n為大于或等于2的正整數(shù)；所述導(dǎo)電裝置包括第一導(dǎo)電層108、第二導(dǎo)電層109、第三導(dǎo)電層110及第四導(dǎo)電層111；所述第一導(dǎo)電層108及所述第三導(dǎo)電層110分別設(shè)置于所述第一導(dǎo)電磁性層101、第二導(dǎo)電磁性層102及第一導(dǎo)電順磁顆粒層103的兩側(cè)；所述第二導(dǎo)電層109及所述第四導(dǎo)電層111分別設(shè)置于所述第二導(dǎo)電順磁顆粒層105及第三導(dǎo)電磁性層106的兩側(cè)；參見圖6，圖6為本發(fā)明第二實(shí)施例提供的電能儲存裝置10的結(jié)構(gòu)剖面圖，該電能儲存裝置10為第二實(shí)施例的單體電容100對應(yīng)的系統(tǒng)產(chǎn)品，其包括n個如上所述的單體電容100及第四導(dǎo)電磁性層107，所述第四導(dǎo)電磁性層107的磁極化方向與所述第一導(dǎo)電磁性層101的磁極化方向平行，n為大于或等于2的正整數(shù)。

S1052、當(dāng)n等于2時，第1個單體電容100的第二導(dǎo)電層109與第2個單體電容100的第一導(dǎo)電層108連接，第1個單體電容100的第四導(dǎo)電層111與第2個單體電容100的第三導(dǎo)電層110連接，第2個單體電容100的第三導(dǎo)電磁性層106與所述第四導(dǎo)電磁性層107連接；

S1053、當(dāng)n大于2時，第1個單體電容100的第二導(dǎo)電層109與第2個單體電容100的第一導(dǎo)電層108連接，第1個單體電容100的第四導(dǎo)電層111與第2個單體電容100的第三導(dǎo)電層110連接；第j個單體電容100的第二導(dǎo)電層109與第j+1個單體電容100的第一導(dǎo)電層108連接，第j個單體電容100的第四導(dǎo)電層111與第j+1個單體電容100的第三導(dǎo)電層110連接，第j個單體電容100的第一導(dǎo)電層108與第j-1個單體電容100的第二導(dǎo)電層109連接，第j個單體電容100的第三導(dǎo)電層110與第j-1個單體電容100的第四導(dǎo)電層111連接；第n個單體電容100的第一導(dǎo)電層108與第n-1個單體電容100的第二導(dǎo)電層109連接，第n個單體電容100的第三導(dǎo)電層110與第n-1個單體電容100的第四導(dǎo)電層111連接，第n個單體電容100的第三導(dǎo)電磁性層106與所述第四導(dǎo)電磁性層107連接；其中，j為大于1且小于n的正整數(shù)。

參見圖7，圖7為本發(fā)明第三實(shí)施例提供的電能儲存裝置10的結(jié)構(gòu)剖面圖，該實(shí)施例為第一實(shí)施例及第二實(shí)施例提供的電能儲存裝置10的組合及疊加。

參見圖8，圖8為本發(fā)明第三實(shí)施例提供的電能儲存裝置10的電路200結(jié)構(gòu)示意圖。由于每個單體電容100均為一該型磁性電容，在橫向n個電容構(gòu)成n個并聯(lián)支路，縱向m個電容構(gòu)成m個并聯(lián)支路，并連接至正電極201及負(fù)電極202。

本文提供了實(shí)施例的各種操作。在一個實(shí)施例中，所述的一個或操作可以構(gòu)成一個或計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)上存儲的計(jì)算機(jī)可讀指令，其在被電子設(shè)備執(zhí)行時將使得計(jì)算設(shè)備執(zhí)行所述操作。描述一些或所有操作的順序不應(yīng)當(dāng)被解釋為暗示這些操作必需是順序相關(guān)的。本領(lǐng)域技術(shù)人員將理解具有本說明書的益處的可替代的排序。而且，應(yīng)當(dāng)理解，不是所有操作必需在本文所提供的每個實(shí)施例中存在。

而且，本文所使用的詞語“優(yōu)選的”意指用作實(shí)例、示例或例證。奉文描述為“優(yōu)選的”任意方面或設(shè)計(jì)不必被解釋為比其他方面或設(shè)計(jì)更有利。相反，詞語“優(yōu)選的”的使用旨在以具體方式提出概念。如本申請中所使用的術(shù)語“或”旨在意指包含的“或”而非排除的“或”。即，除非另外指定或從上下文中清楚，“X使用A或B”意指自然包括排列的任意一個。即，如果X使用A；X使用B；或X使用A和B二者，則“X使用A或B”在前述任一示例中得到滿足。

而且，盡管已經(jīng)相對于一個或?qū)崿F(xiàn)方式示出并描述了本公開，但是本領(lǐng)域技術(shù)人員基于對本說明書和附圖的閱讀和理解將會想到等價變型和修改。本公開包括所有這樣的修改和變型，并且僅由所附權(quán)利要求的范圍限制。特別地關(guān)于由上述組件(例如元件等)執(zhí)行的各種功能，用于描述這樣的組件的術(shù)語旨在對應(yīng)于執(zhí)行所述組件的指定功能(例如其在功能上是等價的)的任意組件(除非另外指示)，即使在結(jié)構(gòu)上與執(zhí)行本文所示的本公開的示范性實(shí)現(xiàn)方式中的功能的公開結(jié)構(gòu)不等同。此外，盡管本公開的特定特征已經(jīng)相對于若干實(shí)現(xiàn)方式中的僅一個被公開，但是這種特征可以與如可以對給定或特定應(yīng)用而言是期望和有利的其他實(shí)現(xiàn)方式的一個或其他特征組合。而且，就術(shù)語“包括”、“具有”、“含有”或其變形被用在具體實(shí)施方式或權(quán)利要求中而言，這樣的術(shù)語旨在以與術(shù)語“包含”相似的方式包括。

本發(fā)明實(shí)施例中的各功能單元可以集成在一個處理模塊中，也可以是各個單元單獨(dú)物理存在，也可以多個或多個以上單元集成在一個模塊中。上述集成的模塊既可以采用硬件的形式實(shí)現(xiàn)，也可以采用軟件功能模塊的形式實(shí)現(xiàn)。所述集成的模塊如果以軟件功能模塊的形式實(shí)現(xiàn)并作為獨(dú)立的產(chǎn)品銷售或使用時，也可以存儲在一個計(jì)算機(jī)可讀取存儲介質(zhì)中。上述提到的存儲介質(zhì)可以是只讀存儲器，磁盤或光盤等。上述的各裝置或系統(tǒng)，可以執(zhí)行相應(yīng)方法實(shí)施例中的存儲方法。

綜上所述，雖然本發(fā)明已以優(yōu)選實(shí)施例揭露如上，但上述優(yōu)選實(shí)施例并非用以限制本發(fā)明，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，均可作各種更動與潤飾，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍以權(quán)利要求界定的范圍為準(zhǔn)。