本發(fā)明涉及顯示器領(lǐng)域，特別涉及一種導(dǎo)電層、薄膜晶體管及其制作方法、陣列基板和顯示裝置。

背景技術(shù)：

薄膜晶體管(英文Thin Film Transistor，簡(jiǎn)稱(chēng)TFT)是液晶顯示器(英文Liquid Crystal Display，簡(jiǎn)稱(chēng)LCD)的重要組成部件。TFT基本結(jié)構(gòu)依次為襯底、柵極、柵極絕緣層、有源層、源漏(英文Source/Drain，簡(jiǎn)稱(chēng)S/D)極以及絕緣保護(hù)層。

TFT中電極(柵極或SD極)材料通常會(huì)選擇電阻盡量小、導(dǎo)電性強(qiáng)的材料，例如銅(Cu)或鋁(Al)，以便減少功耗、降低壓降及提高響應(yīng)速度。以Cu為例，在采用Cu制作電極時(shí)，需要先沉積一層Cu，然后在Cu上形成光刻膠圖案，然后采用刻蝕液對(duì)未被光刻膠圖案遮擋的部分進(jìn)行腐蝕，得到電極。但是，一方面，由于Cu導(dǎo)電性強(qiáng)，制作電極時(shí)通常有細(xì)線化要求，制成的電極的寬度較細(xì)，刻蝕時(shí)，對(duì)應(yīng)的光刻膠圖案也較細(xì)，且Cu與光刻膠的結(jié)合力不夠強(qiáng)，造成光刻膠容易發(fā)生剝離，另一方面，刻蝕Cu所采用的刻蝕液粘稠度較稀，容易進(jìn)入光刻膠和Cu之間，這兩個(gè)方面原因可能會(huì)造成刻蝕液對(duì)不需要刻蝕掉的位置的Cu造成腐蝕。另外，Cu較為活潑，易與氧氣及水分接觸發(fā)生氧化，影響電極與其他膜層的接觸電阻。

因此，在采用Cu或Al制作電極時(shí)，如何防止刻蝕液對(duì)不需要刻蝕位置的Cu或Al造成腐蝕，同時(shí)避免Cu或Al氧化等問(wèn)題尤為重要。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

為了解決在采用Cu或Al制作電極時(shí)，如何防止刻蝕液對(duì)不需要刻蝕位置的Cu或Al造成腐蝕，同時(shí)避免Cu或Al氧化的問(wèn)題，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種導(dǎo)電層、薄膜晶體管及其制作方法、陣列基板和顯示裝置。所述技術(shù)方案如下：

第一方面，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種導(dǎo)電層，所述導(dǎo)電層包括：一金屬層，以及覆蓋在所述金屬層上的有機(jī)磷-金屬絡(luò)合物。

在本發(fā)明實(shí)施例的一種實(shí)現(xiàn)方式中，所述金屬層為銅層，所述有機(jī)磷-金屬絡(luò)合物為有機(jī)磷-銅絡(luò)合物；或者，所述金屬層為鋁層，所述有機(jī)磷-金屬絡(luò)合物為有機(jī)磷-鋁絡(luò)合物。

在本發(fā)明實(shí)施例的另一種實(shí)現(xiàn)方式中，所述金屬層的厚度為3000-5000埃。

在本發(fā)明實(shí)施例的另一種實(shí)現(xiàn)方式中，所述有機(jī)磷-金屬絡(luò)合物的厚度為500-2000埃。

第二方面，本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種導(dǎo)電層制備方法，所述方法包括：

提供一金屬層；

在所述金屬層上制作一層有機(jī)磷-金屬絡(luò)合物。

在本發(fā)明實(shí)施例的一種實(shí)現(xiàn)方式中，所述金屬層為銅層，所述有機(jī)磷-金屬絡(luò)合物為有機(jī)磷-銅絡(luò)合物；或者，所述金屬層為鋁層，所述有機(jī)磷-金屬絡(luò)合物為有機(jī)磷-鋁絡(luò)合物。

在本發(fā)明實(shí)施例的另一種實(shí)現(xiàn)方式中，在所述金屬層上制作一層有機(jī)磷-金屬絡(luò)合物，包括：

采用濕刻設(shè)備將含磷藥液噴涂在所述金屬層表面，形成一層有機(jī)磷-金屬絡(luò)合物；或者，

在所述金屬層上制作一層有機(jī)磷-金屬絡(luò)合物，包括：

將金屬粉末與足量含磷藥液反應(yīng)，并對(duì)反應(yīng)后的生成物進(jìn)行烘干；將烘干后的生成物作為靶材，采用濺射工藝在所述金屬層上制作一層有機(jī)磷-金屬絡(luò)合物。

在本發(fā)明實(shí)施例的另一種實(shí)現(xiàn)方式中，所述含磷的藥液包括：有機(jī)磷化合物溶液、磷酸及其衍生物溶液、亞磷酸酯溶液和磷雜環(huán)化合物溶液。

第三方面，本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種薄膜晶體管，所述薄膜晶體管包括：

襯底，依次設(shè)置在所述襯底上的柵極、柵極絕緣層、有源層和源漏極；

所述柵極和所述源漏極中的至少一個(gè)采用第一方面任一項(xiàng)所述的導(dǎo)電層制成。

第四方面，本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種薄膜晶體管制作方法，包括：

提供一襯底；

在所述襯底上制作依次制作柵極、柵極絕緣層、有源層和源漏極；

所述柵極和所述源漏極中的至少一個(gè)采用如下方式制成：

制作一金屬層；

在所述金屬層上制作一層有機(jī)磷-金屬絡(luò)合物；

對(duì)所述金屬層及其上的有機(jī)磷-金屬絡(luò)合物進(jìn)行圖形化處理，得到所述柵極或所述源漏極。

在本發(fā)明實(shí)施例的另一種實(shí)現(xiàn)方式中，所述金屬層為銅層，所述有機(jī)磷-金屬絡(luò)合物為有機(jī)磷-銅絡(luò)合物；或者，所述金屬層為鋁層，所述有機(jī)磷-金屬絡(luò)合物為有機(jī)磷-鋁絡(luò)合物。

在本發(fā)明實(shí)施例的另一種實(shí)現(xiàn)方式中，所述方法還包括：

對(duì)所述柵極進(jìn)行中溫回火處理，中溫回火處理的溫度小于金屬的再結(jié)晶溫度；或者，

對(duì)所述源漏極進(jìn)行中溫回火處理，中溫回火處理的溫度小于金屬的再結(jié)晶溫度。

第五方面，本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種陣列基板，所述陣列基板包括薄膜晶體管，所述薄膜晶體管包括襯底，依次設(shè)置在所述襯底上的柵極、柵極絕緣層、有源層和源漏極，所述陣列基板還包括與所述柵極同層設(shè)置的柵線和以及與所述源漏極同層設(shè)置的數(shù)據(jù)線，所述柵極、所述源漏極、所述柵線和所述數(shù)據(jù)線中的至少一個(gè)采用第一方面任一項(xiàng)所述的導(dǎo)電層制成。

第六方面，本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種顯示裝置，所述顯示裝置包括如第五方面任一項(xiàng)所述的陣列基板。

本發(fā)明實(shí)施例提供的技術(shù)方案帶來(lái)的有益效果是：

通過(guò)在金屬表面制成有機(jī)磷-金屬絡(luò)合物，一方面，有機(jī)磷-金屬絡(luò)合物具有導(dǎo)電性并能夠阻止金屬表面與氧氣接觸，在作為T(mén)FT中的電極的材料時(shí)，能夠在不影響電極性能的前提下避免金屬氧化；另一方面，有機(jī)磷-金屬絡(luò)合物可增加金屬與光刻膠的結(jié)合力，避免光刻膠剝離，從而防止刻蝕液對(duì)不需要刻蝕位置的金屬造成腐蝕。從而能夠提高電極的穩(wěn)定性及電子傳輸性能。

附圖說(shuō)明

為了更清楚地說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見(jiàn)地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。

圖1是本發(fā)明實(shí)施例提供的一種導(dǎo)電層的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2是本發(fā)明實(shí)施例提供的一種導(dǎo)電層制作方法的流程圖；

圖3是本發(fā)明實(shí)施例提供的一種薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖4是本發(fā)明實(shí)施例提供的一種薄膜晶體管制作方法的流程圖；

圖5為本發(fā)明實(shí)施例提供的薄膜晶體管的制作過(guò)程中的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖6為本發(fā)明實(shí)施例提供的薄膜晶體管的制作過(guò)程中的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖7為本發(fā)明實(shí)施例提供的薄膜晶體管的制作過(guò)程中的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖8為本發(fā)明實(shí)施例提供的薄膜晶體管的制作過(guò)程中的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖9為本發(fā)明實(shí)施例提供的薄膜晶體管的制作過(guò)程中的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖10為本發(fā)明實(shí)施例提供的薄膜晶體管的制作過(guò)程中的結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

為使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面將結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明實(shí)施方式作進(jìn)一步地詳細(xì)描述。

圖1是本發(fā)明實(shí)施例提供了一種導(dǎo)電層的結(jié)構(gòu)示意圖，參見(jiàn)圖1，導(dǎo)電層包括：一金屬層100，以及覆蓋在金屬層100上的有機(jī)磷-金屬絡(luò)合物101。

本發(fā)明實(shí)施例通過(guò)在金屬表面制成有機(jī)磷-金屬絡(luò)合物，一方面，有機(jī)磷-金屬絡(luò)合物具有導(dǎo)電性并能夠阻止金屬表面與氧氣接觸，在作為T(mén)FT中的電極的材料時(shí)，能夠在不影響電極性能的前提下避免金屬氧化；另一方面，有機(jī)磷-金屬絡(luò)合物可增加金屬與光刻膠的結(jié)合力，避免光刻膠剝離，從而防止刻蝕液對(duì)不需要刻蝕位置的金屬造成腐蝕。從而能夠提高電極的穩(wěn)定性及電子傳輸性能。

由于制作TFT的電極或電極線時(shí)，只有導(dǎo)電性強(qiáng)的金屬材料具有細(xì)線化需求，才會(huì)出現(xiàn)其上的光刻膠易剝離以及易被腐蝕等問(wèn)題，所以上述導(dǎo)電層中的金屬層100優(yōu)選為采用Cu(銅)或者Al(鋁)制成，當(dāng)然本發(fā)明實(shí)施例也不限制其他用于制作電極的金屬，如Mo(鉬)、Cr(鉻)、Ti(鈦)等。具體地，金屬層100為銅層，有機(jī)磷-金屬絡(luò)合物101為有機(jī)磷-銅絡(luò)合物；或者，金屬層100為鋁層，有機(jī)磷-金屬絡(luò)合物101為有機(jī)磷-鋁絡(luò)合物。

在本發(fā)明實(shí)施例中，金屬層的厚度為3000-5000埃。將金屬層的厚度設(shè)計(jì)為3000-5000埃，以銅為例，銅層厚度在3000-5000埃時(shí)，電阻為0.1-0.05Ω/□(方塊電阻)，能夠滿足TFT的電極制作需要。

在本發(fā)明實(shí)施例中，有機(jī)磷-金屬絡(luò)合物的厚度為500-2000埃。將有機(jī)磷-金屬絡(luò)合物的厚度設(shè)計(jì)為500-2000埃，以銅為例，有機(jī)磷-金屬絡(luò)合物的厚度在500-2000埃時(shí)，電阻為0.7-0.3Ω/□，此時(shí)整個(gè)導(dǎo)電層的阻值在0.2-0.1Ω/□。有機(jī)磷-金屬絡(luò)合物的厚度設(shè)計(jì)為500-2000埃，既不會(huì)造成整個(gè)電極厚度過(guò)大，影響最終面板厚度，又不會(huì)因?yàn)楹穸冗^(guò)小而達(dá)不到保護(hù)金屬的需求。

圖2是本發(fā)明實(shí)施例提供的一種導(dǎo)電層制備方法的流程圖，參見(jiàn)圖2，該方法包括：

步驟201：提供一金屬層。

在本發(fā)明實(shí)施例中，提供一金屬層可以包括：通過(guò)濺射工藝制作一金屬層。

步驟202：在金屬層上制作一層有機(jī)磷-金屬絡(luò)合物。

本發(fā)明實(shí)施例通過(guò)在金屬表面制成有機(jī)磷-金屬絡(luò)合物，一方面，有機(jī)磷-金屬絡(luò)合物具有導(dǎo)電性并能夠阻止金屬表面與氧氣接觸，在作為T(mén)FT中的電極的材料時(shí)，能夠在不影響電極性能的前提下避免金屬氧化；另一方面，有機(jī)磷-金屬絡(luò)合物可增加金屬與光刻膠的結(jié)合力，避免光刻膠剝離，從而防止刻蝕液對(duì)不需要刻蝕位置的金屬造成腐蝕。從而能夠提高電極的穩(wěn)定性及電子傳輸性能。

由于制作TFT的電極或電極線時(shí)，只有導(dǎo)電性強(qiáng)的金屬材料具有細(xì)線化需求，才會(huì)出現(xiàn)其上的光刻膠易剝離以及易被腐蝕等問(wèn)題，所以上述導(dǎo)電層中的金屬層優(yōu)選為采用銅或者鋁制成，當(dāng)然本發(fā)明實(shí)施例也不限制其他用于制作電極的金屬，如鉬、鉻、鈦等。具體地，金屬層為銅層，有機(jī)磷-金屬絡(luò)合物為有機(jī)磷-銅絡(luò)合物；或者，金屬層為鋁層，有機(jī)磷-金屬絡(luò)合物為有機(jī)磷-鋁絡(luò)合物。

在一種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，前述步驟202可以包括：

采用濕刻設(shè)備將含磷藥液噴涂在金屬層表面，形成一層有機(jī)磷-金屬絡(luò)合物。在該實(shí)現(xiàn)方式中，采用進(jìn)行TFT中電極制作所需用到的濕刻設(shè)備進(jìn)行有機(jī)磷-金屬絡(luò)合物制作，簡(jiǎn)單方便，且無(wú)需采用新的設(shè)備。

在該實(shí)現(xiàn)方式中，噴涂的溫度可以為35-50度。采用該溫度保證有機(jī)磷-金屬絡(luò)合物的正常制作。

在該實(shí)現(xiàn)方式中，噴涂的時(shí)間可以為30-90秒。采用該時(shí)間保證有機(jī)磷-金屬絡(luò)合物的正常制作。

在另一種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，前述步驟202可以包括：

將金屬粉末與足量含磷藥液反應(yīng)，并對(duì)反應(yīng)后的生成物進(jìn)行烘干；將烘干后的生成物作為靶材，采用濺射工藝在金屬層上制作一層有機(jī)磷-金屬絡(luò)合物。在該實(shí)現(xiàn)方式中，采用濺射工藝進(jìn)行有機(jī)磷-金屬絡(luò)合物制作，簡(jiǎn)單方便，且無(wú)需采用新的設(shè)備(金屬層沉積也采用濺射工藝完成，可采用相同設(shè)備)。

在該實(shí)現(xiàn)方式中，將金屬粉末與足量含磷藥液反應(yīng)時(shí)，金屬粉末與含磷藥液的質(zhì)量分?jǐn)?shù)比可以為1：20。

在該實(shí)現(xiàn)方式中，對(duì)反應(yīng)后的生成物進(jìn)行烘干，包括：在200-250度的溫度下，將反應(yīng)后的生成物烘干。

在該實(shí)現(xiàn)方式中，采用濺射工藝在金屬層上制作一層有機(jī)磷-金屬絡(luò)合物時(shí)，濺射溫度通常不高于50度。

在前述兩種實(shí)現(xiàn)方式中，含磷的藥液可以包括：有機(jī)磷化合物溶液(例如由α-萘酚和三氯化磷為原料制得的有機(jī)磷化合物溶液)、磷酸及其衍生物溶液、亞磷酸酯溶液和磷雜環(huán)化合物溶液。采用上述溶液，均能與金屬反應(yīng)形成有機(jī)磷-金屬絡(luò)合物。

在本發(fā)明實(shí)施例中，金屬層的厚度可以為3000-5000埃，從而能夠滿足TFT的電極制作需要。有機(jī)磷-金屬絡(luò)合物的厚度可以為500-2000埃，既不會(huì)造成整個(gè)電極厚度過(guò)大，影響最終面板厚度，又不會(huì)因?yàn)楹穸冗^(guò)小而達(dá)不到保護(hù)金屬的需求。

圖3是本發(fā)明實(shí)施例提供的一種薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)示意圖，參見(jiàn)圖3，薄膜晶體管包括：襯底301，依次設(shè)置在襯底301上的柵極302、柵極絕緣層303、有源層304和源漏極305。其中，柵極302和源漏極305中的至少一個(gè)采用圖1所示的導(dǎo)電層制成。

本發(fā)明實(shí)施例采用金屬層和有機(jī)磷-金屬絡(luò)合物組成的導(dǎo)電層制作柵極和源漏極中的至少一個(gè)，一方面，有機(jī)磷-金屬絡(luò)合物具有導(dǎo)電性并能夠阻止金屬表面與氧氣接觸，在作為T(mén)FT中的電極的材料時(shí)，能夠在不影響電極性能的前提下避免金屬氧化；另一方面，有機(jī)磷-金屬絡(luò)合物可增加金屬與光刻膠的結(jié)合力，避免光刻膠剝離，從而防止刻蝕液對(duì)不需要刻蝕位置的金屬造成腐蝕。從而能夠提高電極的穩(wěn)定性及電子傳輸性能。

在本發(fā)明實(shí)施例中，襯底301可以為透明襯底，例如玻璃襯底、硅襯底和塑料襯底等。柵極絕緣層303可以為氮化硅或氮氧化硅層。

在本發(fā)明實(shí)施例中，有源層304可以使用非晶硅、微晶硅或者多晶硅制成。例如，有源層304可以包括設(shè)置在柵極絕緣層303上的非晶硅層341和設(shè)置在非晶硅層341上的N型摻雜非晶硅層342。通過(guò)在非晶硅層上設(shè)置N型摻雜非晶硅層，可以避免非晶硅層與源漏極直接接觸，降低非晶硅層與源漏極之間的晶格失配。

進(jìn)一步地，該薄膜晶體管還可以包括設(shè)置在源漏極305上的鈍化層306，通過(guò)設(shè)置鈍化層306，可以對(duì)TFT起保護(hù)作用。其中，鈍化層可以為氮化硅或氮氧化硅層。

圖4是本發(fā)明實(shí)施例提供的一種薄膜晶體管制作方法的流程圖，參見(jiàn)圖4，該方法包括：

步驟401：提供一襯底。

步驟402：在襯底上制作依次制作柵極、柵極絕緣層、有源層和源漏極。

下面通過(guò)圖5-圖10對(duì)上述薄膜晶體管的制作過(guò)程進(jìn)行說(shuō)明：

如圖5所示，先提供一塊襯底301，并進(jìn)行洗凈處理；然后在襯底301上采用圖形化工藝制成柵極302。襯底301可以為透明襯底，例如玻璃襯底、硅襯底和塑料襯底等。

在柵極302制作完成后，在制作有柵極302的襯底301上制作一層?xùn)艠O絕緣層303，例如，在制作有柵極302的襯底301上沉積一層?xùn)艠O絕緣層303。柵極絕緣層303可以為氮化硅或氮氧化硅層。

如圖6所示，在形成柵極絕緣層303后，依次生長(zhǎng)非晶硅和N型摻雜非晶硅(可采用沉積方式實(shí)現(xiàn)，具體可以采用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法(英文Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition，簡(jiǎn)稱(chēng)PECVD))，然后通過(guò)圖形化工藝形成如圖6所示的非晶硅層341和N型摻雜非晶硅層342(可采用光刻工藝實(shí)現(xiàn)，光刻工藝中的刻蝕技術(shù)可以是電感耦合等離子體(英文Inductive Coupled Plasma，簡(jiǎn)稱(chēng)ICP)刻蝕實(shí)現(xiàn))。

如圖7所示，在形成非晶硅層341和N型摻雜非晶硅層342后，制作一導(dǎo)電層356，具體可以采用前文所述的導(dǎo)電層，如圖7所示，導(dǎo)電層356包括金屬層350和有機(jī)磷-金屬絡(luò)合物360，然后通過(guò)圖形化工藝形成如圖8所示的源漏極305。

如圖9所示，在形成源漏極305后，通過(guò)圖形化工藝除去N型摻雜非晶硅層342中位于源漏極305之間的部分(可采用光刻工藝實(shí)現(xiàn))。

進(jìn)一步地，如圖10所示，該方法還可以包括：在源漏極305上制作一層鈍化層306。

在上述制作過(guò)程中，柵極和源漏極中的至少一個(gè)采用前文所述的由金屬層和有機(jī)磷-金屬絡(luò)合物構(gòu)成的導(dǎo)電層制成，具體制作過(guò)程如下：制作一金屬層；在金屬層上制作一層有機(jī)磷-金屬絡(luò)合物；對(duì)金屬層及其上的有機(jī)磷-金屬絡(luò)合物進(jìn)行圖形化處理，得到柵極或源漏極。

本發(fā)明實(shí)施例采用金屬層和有機(jī)磷-金屬絡(luò)合物組成的導(dǎo)電層制作柵極和源漏極中的至少一個(gè)，一方面，有機(jī)磷-金屬絡(luò)合物具有導(dǎo)電性并能夠阻止金屬表面與氧氣接觸，在作為T(mén)FT中的電極的材料時(shí)，能夠在不影響電極性能的前提下避免金屬氧化；另一方面，有機(jī)磷-金屬絡(luò)合物可增加金屬與光刻膠的結(jié)合力，避免光刻膠剝離，從而防止刻蝕液對(duì)不需要刻蝕位置的金屬造成腐蝕。從而能夠提高電極的穩(wěn)定性及電子傳輸性能。

由于制作TFT的電極或電極線時(shí)，只有導(dǎo)電性強(qiáng)的金屬材料具有細(xì)線化需求，才會(huì)出現(xiàn)其上的光刻膠易剝離以及易被腐蝕等問(wèn)題，所以上述導(dǎo)電層中的金屬層優(yōu)選為采用銅或者鋁制成，當(dāng)然本發(fā)明實(shí)施例也不限制其他用于制作電極的金屬，如鉬、鉻、鈦等。具體地，金屬層為銅層，有機(jī)磷-金屬絡(luò)合物為有機(jī)磷-銅絡(luò)合物；或者，金屬層為鋁層，有機(jī)磷-金屬絡(luò)合物為有機(jī)磷-鋁絡(luò)合物。

在本發(fā)明實(shí)施例中，制作一金屬層可以包括：通過(guò)濺射工藝制作一金屬層。

在本發(fā)明實(shí)施例中，對(duì)金屬層及其上的有機(jī)磷-金屬絡(luò)合物進(jìn)行圖形化處理，可以包括：采用濕刻工藝對(duì)金屬層及其上的有機(jī)磷-金屬絡(luò)合物進(jìn)行處理。采用濕刻工藝進(jìn)行圖形化處理，可以與有機(jī)磷-金屬絡(luò)合物生成采用相同的濕刻設(shè)備實(shí)現(xiàn)。

進(jìn)一步地，在金屬層上制作一層有機(jī)磷-金屬絡(luò)合物，可以采用下述兩種實(shí)現(xiàn)方式實(shí)現(xiàn)：

第一種實(shí)現(xiàn)方式：采用濕刻設(shè)備將含磷藥液噴涂在金屬層表面，形成一層有機(jī)磷-金屬絡(luò)合物。在本發(fā)明實(shí)施例中，在進(jìn)行柵極或者源漏極刻蝕時(shí)，同樣采用濕刻的方式實(shí)現(xiàn)，因此采用進(jìn)行TFT中電極制作所需用到的濕刻設(shè)備進(jìn)行有機(jī)磷-金屬絡(luò)合物制作，簡(jiǎn)單方便，且無(wú)需采用新的設(shè)備。

第二種實(shí)現(xiàn)方式：將金屬粉末與足量含磷藥液反應(yīng)，并對(duì)反應(yīng)后的生成物進(jìn)行烘干；將烘干后的生成物作為靶材，采用濺射工藝在金屬層上制作一層有機(jī)磷-金屬絡(luò)合物。采用濺射工藝進(jìn)行有機(jī)磷-金屬絡(luò)合物制作，簡(jiǎn)單方便，且無(wú)需采用新的設(shè)備(金屬層沉積也采用濺射工藝完成，可采用相同設(shè)備)。

上述兩種實(shí)現(xiàn)方式的詳細(xì)過(guò)程與步驟202相同，這里不在贅述。

進(jìn)一步地，該方法還可以包括：

對(duì)柵極進(jìn)行中溫回火處理，中溫回火處理的溫度小于金屬層所采用的金屬的再結(jié)晶溫度；或者，對(duì)源漏極進(jìn)行中溫回火處理，中溫回火處理的溫度小于金屬的再結(jié)晶溫度。對(duì)源漏極進(jìn)行中溫回火，由于中溫回火處理的溫度小于金屬的再結(jié)晶溫度，保證金屬晶粒能夠逐漸長(zhǎng)大，從而能夠增加金屬的金屬晶粒度，消除內(nèi)部應(yīng)力和缺陷及增加韌性，進(jìn)而提高源漏極的穩(wěn)定性及電子傳輸性能。

其中，中溫回火處理的溫度可以為200-250度(℃)。該溫度能夠保證中溫回火處理后的金屬晶粒度。

中溫回火處理的溫度通常設(shè)置成比再結(jié)晶溫度低50-100度。因此，確定中溫回火處理的溫度前先要確定再結(jié)晶溫度，下面以銅為例，銅的再結(jié)晶溫度＝m*T；M為系數(shù)值，范圍在0.25-0.35(銅的純度越高系數(shù)越小)；T為銅的融化溫度，其值為1083度。由上可知，銅的再結(jié)晶溫度范圍在270-370度，通常制作TFT使用的銅為高純銅(0.9999以上)，再結(jié)晶溫度為300度以下，根據(jù)中溫回火溫度低于再結(jié)晶溫度50-100度原則，設(shè)置中溫回火溫度為200-250度，優(yōu)選為220度。

其中，中溫回火處理的時(shí)間可以為20-45分鐘。該時(shí)長(zhǎng)能夠保證中溫回火處理后的金屬晶粒度。進(jìn)一步地，中溫回火處理的時(shí)間優(yōu)選為20min。

中溫回火處理的時(shí)間可以采用下述公式確定：中溫回火處理的時(shí)間＝aD+b；D為工件有效尺寸(柵極或源漏極厚度，mm)；a為加熱系數(shù)，通常為1-2.5(min/mm)；b為附加時(shí)間，一般為10-20min。

也就是說(shuō)，在進(jìn)行中溫回火處理時(shí)，先升溫至200-250度(需要0.5-1小時(shí))，然后保持20-45分鐘，然后隨爐冷卻至室溫。

本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種陣列基板，陣列基板包括薄膜晶體管，薄膜晶體管包括襯底，依次設(shè)置在襯底上的柵極、柵極絕緣層、有源層和源漏極，陣列基板還包括與柵極同層設(shè)置的柵線和以及與源漏極同層設(shè)置的數(shù)據(jù)線，柵極、源漏極、柵線和數(shù)據(jù)線中的至少一個(gè)可以采用如圖1所示的導(dǎo)電層制成。

本發(fā)明實(shí)施例采用金屬層和有機(jī)磷-金屬絡(luò)合物組成的導(dǎo)電層制作柵極和源漏極中的至少一個(gè)，一方面，有機(jī)磷-金屬絡(luò)合物具有導(dǎo)電性并能夠阻止金屬表面與氧氣接觸，在作為T(mén)FT中的電極的材料時(shí)，能夠在不影響電極性能的前提下避免金屬氧化；另一方面，有機(jī)磷-金屬絡(luò)合物可增加金屬與光刻膠的結(jié)合力，避免光刻膠剝離，從而防止刻蝕液對(duì)不需要刻蝕位置的金屬造成腐蝕。從而能夠提高電極的穩(wěn)定性及電子傳輸性能。

本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種顯示裝置，該顯示裝置包括前文所述的陣列基板。

在具體實(shí)施時(shí)，本發(fā)明實(shí)施例提供的顯示裝置可以為手機(jī)、平板電腦、電視機(jī)、顯示器、筆記本電腦、數(shù)碼相框、導(dǎo)航儀等任何具有顯示功能的產(chǎn)品或部件。

本發(fā)明實(shí)施例通過(guò)在金屬表面制成有機(jī)磷-金屬絡(luò)合物，一方面，有機(jī)磷-金屬絡(luò)合物具有導(dǎo)電性并能夠阻止金屬表面與氧氣接觸，在作為T(mén)FT中的電極的材料時(shí)，能夠在不影響電極性能的前提下避免金屬氧化；另一方面，有機(jī)磷-金屬絡(luò)合物可增加金屬與光刻膠的結(jié)合力，避免光刻膠剝離，從而防止刻蝕液對(duì)不需要刻蝕位置的金屬造成腐蝕。從而能夠提高電極的穩(wěn)定性及電子傳輸性能。

以上僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例，并不用以限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。