技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開了一種藍(lán)綠光發(fā)光二極管的外延片及制備方法，屬于光電子技術(shù)領(lǐng)域。該外延片包括平片襯底和依次層疊在平片襯底上的AlN緩沖層、u型GaN層、N型GaN層、有源層和P型GaN層，AlN緩沖層的厚度為dnm，5≤d＜25，由于采用平片襯底，相比使用PSS可以降低制作的成本，由于平片襯底上設(shè)置有AlN緩沖層，且AlN緩沖層的厚度為5nm～25nm，AlN緩沖層的晶格常數(shù)接近于平片襯底和u型GaN層，從而可以減少外延片中的晶格缺陷，提高外延片的質(zhì)量。

技術(shù)研發(fā)人員：孫玉芹;董彬忠;王江波
受保護(hù)的技術(shù)使用者：華燦光電（浙江）有限公司
文檔號碼：201710051020
技術(shù)研發(fā)日：2017.01.23
技術(shù)公布日：2017.06.09