1.一種柔性復合透明導電薄膜，其特征在于：包括柔性襯底及依次置于柔性襯底上的金屬氧化物膜、中間金屬層膜，以及金屬納米線膜。
2.根據權利要求1所述的一種柔性復合透明導電薄膜，其特征在于：所述中間金屬層膜的材料為銀、金，或者二者的合金。
3.根據權利要求1或2所述的一種柔性復合透明導電薄膜，其特征在于：中間金屬層膜的厚度為5nm～25nm。
4.根據權利要求1所述的一種柔性復合透明導電薄膜，其特征在于：所述金屬氧化物膜為ITO薄膜、AZO薄膜、IZO薄膜或IGZO薄膜，膜厚介于20nm～100nm之間。
5.根據權利要求1所述的一種柔性復合透明導電薄膜，其特征在于：所述金屬納米線膜為銀納米線膜，膜厚為金屬納米線長度的2～5倍。
6.根據權利要求1或5所述的一種柔性復合透明導電薄膜，其特征在于：所述的金屬納米線的直徑為30nm～180nm，長度為30μm～200μm。
7.根據權利要求1或5所述的一種柔性復合透明導電薄膜，其特征在于：所述的金屬氧化物膜、中間金屬層膜，以及金屬納米線膜的厚度保證柔性復合透明導電薄膜在可見光范圍400nm～700nm內的平均透光率可達82％以上，平均方塊電阻小于7.5Ω/□。
8.一種柔性復合透明導電薄膜的制備方法，其特征在于：依次在柔性襯底上制備金屬氧化物膜、中間金屬膜和金屬納米線膜，其中，金屬氧化物膜和中間金屬膜采用磁控濺射工藝制備，金屬納米線膜采用涂布工藝制備。
9.根據權利要求8所述的一種柔性復合透明導電薄膜的制備方法，其特征在于：所述金屬氧化物膜是在氬氣和氧氣的混合氣氛內進行，中間金屬膜是在氬氣氣氛內進行；磁控濺射制備金屬氧化物時，襯底的溫度為25℃～220℃，磁控濺射制備中間金屬膜時，襯底的溫度為室溫；磁控濺射制備金屬氧化物和中間金屬膜的其他條件為：本底真空：1.0×10-3Pa～3.0×10-3Pa；濺射壓強：0.2Pa～0.8Pa；濺射功率：30W～200W。
10.根據權利要求8所述的一種柔性復合透明導電薄膜的制備方法，其特征在于：所述的金屬納米線膜是在室溫下以50mm/s～200mm/s的速度進行涂布。