本揭露涉及一種封裝件及方法。

背景技術(shù)：

無線充電已變成日益流行的充電技術(shù)。無線充電有時也稱作感應(yīng)式充電，其使用電磁場來傳送在能量傳送器與能量接收器之間的能量。所述能量通過感應(yīng)式耦合送至電氣裝置，所述裝置接著可使用所述能量來將電池充電或使所述裝置運作。感應(yīng)充電器使用第一感應(yīng)線圈，以從所述傳送器創(chuàng)造交流電磁場；以及第二感應(yīng)線圈，以從所述電磁場接收電力。第二感應(yīng)線圈將能量轉(zhuǎn)換回電流，所述電流接著被用來將電池充電或直接驅(qū)動電氣裝置。當(dāng)彼此靠近時，這兩個感應(yīng)線圈形成電力變壓器。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

根據(jù)本揭露的一些實施例，一種封裝件包括裝置裸片；以及囊封材料，囊封所述裝置裸片于其中。所述囊封材料具有頂部表面，其與所述裝置裸片的頂部表面共平面。線圈從所述囊封材料的所述頂部表面延伸到所述囊封材料的底部表面，以及所述裝置裸片在所述線圈所圈繞的區(qū)中。至少一個介電層形成于所述囊封材料以及所述線圈上方。多個重布線在所述至少一個介電層中。所述線圈通過所述重布線電耦合到所述裝置裸片。

根據(jù)本揭露的一些實施例，一種封裝件包括線圈，延伸到靠近所述封裝件的所有邊緣；裝置裸片，其在所述線圈內(nèi)部；囊封材料，囊封所述裝置裸片以及所述線圈于其中；至少一個介電層，在所述囊封材料以及所述線圈上方；以及多個重布線，在所述至少一個介電層中。所述重布線經(jīng)電耦合到所述線圈以及所述裝置裸片。

根據(jù)本揭露的一些實施例，一種方法包括形成線圈于載體上方；以及將裝置裸片放于所述載體上方，其中所述裝置裸片在所述線圈所圈繞的區(qū)中。所述方法進(jìn)一步包括囊封所述裝置裸片以及所述線圈在囊封材料中；與所述囊封材料的頂部表面一起平面化所述第一裝置裸片的頂部表面以及所述線圈的頂端；形成至少一個介電層于所述囊封材料、所述線圈以及所述第一裝置裸片上方；以及形成多個重布線于所述至少一個介電層中。所述重布線經(jīng)電耦合到所述第一裝置裸片以及所述線圈。

附圖說明

本揭露的方面將在與隨附圖式一同閱讀下列詳細(xì)說明下被最優(yōu)選地理解。請注意，根據(jù)業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)作法，各種特征未依比例繪制。事實上，為了使討論內(nèi)容清楚，各種特征的尺寸可刻意放大或縮小。

圖1至14是根據(jù)一些實施例繪示在一些封裝件的形成中的中間階段的剖面圖。

圖15是根據(jù)一些實施例繪示封裝件的俯視圖。

圖16是根據(jù)一些實施例繪示用于形成封裝件的工藝流程圖。

圖17是根據(jù)一些實施例繪示線圈的一部分。

圖18是根據(jù)一些實施例繪示雙線線圈。

具體實施方式

下列揭露提供許多用于實施本發(fā)明的不同特征的不同實施例或?qū)嵗?。為了簡化本揭露，在下文描述組件及配置的具體實例。當(dāng)然這些僅為實例而非意圖為限制性。例如，在以下說明中，形成第一特征于第二特征上方或上可包括其中第一及第二特征經(jīng)形成為直接接觸的實施例，以及也可包括其中額外特征可形成于第一與第二特征之間而使得第一及第二特征不可直接接觸的實施例。此外，本揭露可重復(fù)參考編號和/或字母于各種實例中。此重復(fù)是為了簡單與清楚的目的且其本身并不決定所討論的各種實施例和/或構(gòu)形之間的關(guān)系。

再者，空間相關(guān)詞匯，例如“下方”、“下面”、“下”、“上方”、“上”和類似詞匯，可能是為了使說明書便于描述如圖式繪示的一個組件或特征與另一個(或多個)組件或特征的相對關(guān)系而使用于本文中。除了圖式中所畫的方位外，這些空間相對詞匯也意圖用來涵蓋裝置在使用中或操作時的不同方位。所述設(shè)備可以其它方式定向(旋轉(zhuǎn)90度或于其它方位)，據(jù)此在本文中所使用的這些空間相關(guān)說明符可以類似方式加以解釋。

根據(jù)各種示范性實施例提供一種用于無線充電的封裝件，其包括交流電-直流電(alternatingcurrent-directcurrent，ac-dc)轉(zhuǎn)換器電路芯片和/或藍(lán)牙電路芯片。繪示形成所述封裝件的中間階段。對一些實施例的一些變化做出討論。遍及各種視圖及說明性實施例，類似的參考編號用于表示類似的組件。

圖1至14是根據(jù)本揭露說明一些實施例繪示在一些封裝件的形成中的中間階段的剖面圖。顯示于圖1至14中的步驟也示意性地繪示在圖16中所顯示的工藝流程圖200中。

圖1繪示載體20以及形成于載體20上方的離型層22。載體20可以是玻璃載體、陶瓷載體或類似物。載體20可具有圓形俯視形狀，且可具有硅晶片大小。例如，載體20可具有8英寸直徑、12英寸直徑或類似者。離型層22可由聚合物系材料(例如光熱轉(zhuǎn)換(lighttoheatconversion，lthc)材料)所形成，其可連同載體20從將在后續(xù)步驟中形成的上方結(jié)構(gòu)去除。根據(jù)本揭露的一些實施例，離型層22由環(huán)氧系熱離型材料所形成。根據(jù)本揭露的一些實施例，離型層22由紫外光(ultra-violet，uv)膠所形成。離型層22可呈液體分注并固化。根據(jù)本揭露的替代性實施例，離型層22是層壓膜且經(jīng)層壓到載體20上。離型層22的頂部表面是平整的且具有高度共平面性。

根據(jù)本揭露的一些實施例，介電層24形成于離型層22上方。相應(yīng)步驟經(jīng)顯示成圖16中所顯示的工藝流程圖的步驟202。在最終產(chǎn)品中，介電層24可用來作為鈍化層，以將上方金屬裝置與濕氣及其它有害物質(zhì)的不利效果隔離。介電層24可由聚合物所形成，所述聚合物也可以是光敏材料例如聚苯并惡唑(polybenzoxazole，pbo)、聚酰亞胺、苯并環(huán)丁烯(benzocyclobutene，bcb)或類似物。根據(jù)本揭露的替代性實施例，介電層24由無機材料(等)所形成，所述材料可以是氮化物例如氮化硅、氧化物例如氧化硅、磷硅酸鹽玻璃(phosphosilicateglass，psg)、硼硅酸鹽玻璃(borosilicateglass，bsg)、硼摻雜磷硅酸鹽玻璃(boron-dopedphosphosilicateglass，bpsg)或類似物。根據(jù)本揭露的其它替代性實施例，沒有介電層24被形成。據(jù)此，介電層24是以虛線顯示，以表明其可形成或可不形成。

圖2及3繪示導(dǎo)電部件32的形成，由于它們穿通過將在后續(xù)步驟中分注的囊封材料52(圖6)，所以下文中將導(dǎo)電部件32稱作貫穿導(dǎo)體。參考圖2，晶種層26是例如通過物理氣相沉積(physicalvapordeposition，pvd)或金屬箔層壓而形成于介電層24上方。晶種層26可由銅、鋁、鈦、或其多層所形成。根據(jù)本揭露的一些實施例，晶種層26包括鈦層(未分開顯示)以及在鈦層上方的銅層(未分開顯示)。根據(jù)替代性實施例，晶種層26包括單一銅層。

光阻28被施加在晶種層26上方且接著被圖案化。相應(yīng)步驟也顯示成圖16中所顯示的工藝流程圖的步驟202。因此，開口30是通過曝光以及顯影步驟形成在光阻28中。晶種層26的一些部分是通過貫穿開口30暴露出。

根據(jù)本揭露的一些實施例，開口30用來形成線圈33(圖15)，線圈33可被用作為接收器，以于無線充電中接收能量。為了改善接收能量的效率，開口30的節(jié)距p1被盡可能小地設(shè)計且實現(xiàn)。例如，根據(jù)本申請案的一些實施例，節(jié)距p1小于約300微米(μm)。如圖15所顯示，線圈33具有四邊，各系非常長(與其寬度相比)。再者，如圖13所顯示，組合形成如圖15所顯示的線圈33的導(dǎo)體32具有高長寬比。據(jù)此，難以形成長、窄且低節(jié)距的線圈。根據(jù)本申請案的一些實施例，根據(jù)線圈33的設(shè)計，例如形狀、大小、高度(如圖13中的剖面圖)，以及被線圈33所圈繞的區(qū)的大小以及形狀而選擇光阻28。找出適當(dāng)光阻材料的示范性方法包括判斷多個候選光阻材料的分辨率、使用矩陣評估以判斷候選光阻材料的分辨率、從具有所欲分辨率的候選光阻材料中找出適宜光阻以及接著實施實驗以測試所選光阻中的哪一個可符合設(shè)計要求。然而，應(yīng)意識到，適當(dāng)光阻材料的種類涉及各種所討論的因子，以及適合于一種設(shè)計的光阻可能不適合于另一種設(shè)計。

回頭參考圖1，因為具有光阻28是由適當(dāng)材料所形成，開口30的節(jié)距p1可夠低，因此用于吸收能量的線圈33的整體效率可夠高以符合設(shè)計要求。根據(jù)本揭露的一些實施例，開口30具有寬度w1小于約300μm，以及在相鄰開口30之間的間距s1也可以是小于約300μm。據(jù)此，節(jié)距p1可以是小于約600μm。

接下來，如也在圖2中所顯示，貫穿導(dǎo)體32是通過電鍍工藝形成于開口30中，所述電鍍工藝可以是電鍍或無電式電鍍。相應(yīng)步驟經(jīng)顯示成圖16中所顯示的工藝流程圖的步驟204。貫穿導(dǎo)體32經(jīng)電鍍于晶種層26的暴露的部分上。貫穿導(dǎo)體32可包括銅、鋁、鎢、鎳或其合金。貫穿導(dǎo)體32的俯視形狀包括但不限于螺旋、環(huán)、長方形、正方形、圓形及類似物，這取決于貫穿導(dǎo)體32的意欲功能以及可用空間。根據(jù)各種實施例，貫穿導(dǎo)體32的高度由后續(xù)所放的集成電路芯片(裝置裸片)38(圖5，包括38a與38b)的厚度確定，具有貫穿導(dǎo)體32的高度大于或等于裝置裸片38的厚度。

在貫穿導(dǎo)體32的電鍍工藝之后，光阻28被去除，且所得結(jié)構(gòu)顯示在圖3中。暴露出先前被光阻28所覆蓋的晶種層26的部分(圖2)。接著實施蝕刻步驟，以去除晶種層26的暴露的部分，其中所述蝕刻可以是非等向性或等向性蝕刻。另一方面，被貫穿導(dǎo)體32所重疊的晶種層26的部分維持未被蝕刻。在整個說明書中，晶種層26的留下的下方部分被視作貫穿導(dǎo)體32的底部部分。當(dāng)晶種層26由相似于或相同于相應(yīng)的上方貫穿導(dǎo)體32所具者的材料形成時，晶種層26可與貫穿導(dǎo)體32融合而在其之間沒有可區(qū)分接口。據(jù)此，晶種層26未顯示在后續(xù)圖式中。根據(jù)本揭露的替代性實施例，在晶種層26與貫穿導(dǎo)體32的上方經(jīng)電鍍部分之間存在有可區(qū)分接口。

貫穿導(dǎo)體32的俯視形狀涉及它們的意欲功能且由它們的意欲功能確定。根據(jù)一些其中使用貫穿導(dǎo)體32形成電感的示范性實施例，所繪示的貫穿導(dǎo)體32可以是線圈33的部件。圖15是根據(jù)一些實施例繪示示范性電感的俯視圖。在圖15中，貫穿導(dǎo)體32組合形成螺旋，以兩個端口34連接到所述螺旋的相對端。根據(jù)替代性實施例(未顯示)，貫穿導(dǎo)體32形成多個同心環(huán)，以外環(huán)圈繞內(nèi)環(huán)。所述環(huán)具有中斷以允許外環(huán)通過橋連接至內(nèi)環(huán)，且所述環(huán)串聯(lián)連接到兩個端口34。端口34也連接到半導(dǎo)體芯片38a。

圖4繪示將裝置裸片38(包括38a以及38b)放置于載體20上方。相應(yīng)步驟經(jīng)顯示成圖16中所顯示的工藝流程圖的步驟206。裝置裸片38可通過裸片附接膜(die-attachfilm，daf)40附接到介電層24，daf為粘著劑膜。根據(jù)本揭露的一些實施例，裝置裸片38包括ac-dc轉(zhuǎn)換器芯片38a，其具有接收來自線圈33的ac電流以及轉(zhuǎn)換ac電流成dc電流的功能。dc電流用以將電池(未顯示)充電、或驅(qū)動封裝件位于其中之相應(yīng)產(chǎn)品的電路，所述封裝件包括線圈33。

裝置裸片38也可包括通信裸片38b，其可以是藍(lán)牙低能量(bluetoothlow-energy，ble)裸片。ble裸片38b可具有與傳送器(未顯示)通信的功能，這是通過例如藍(lán)牙技術(shù)。傳送器以及ble裸片38b可協(xié)商能量的傳送，例如，當(dāng)傳送器與線圈33之間的距離足夠小時和/或當(dāng)電池中所儲存的電力比預(yù)定的閾值電平低時。接著傳送器可開始傳送能量，其可以是在高頻，例如在約6.78兆赫(mhz)的磁場形式。線圈33接收所述能量并饋送相應(yīng)電流到ac-dc轉(zhuǎn)換器芯片38a。

根據(jù)本揭露的一些實施例，封裝件的形成是在晶片級。據(jù)此，多個線圈33同時形成，各圈繞一內(nèi)部區(qū)。多個裝置裸片38被放在載體20上。例如，線圈33的各者圍繞一個裝置裸片38a以及一個裝置裸片38b于其中。所述線圈33以及裝置裸片38被分配成具有多個行及列的陣列。

裝置裸片38可分別包括半導(dǎo)體襯底42a以及42b，其可以是硅襯底。集成電路裝置44a以及44b分別形成于半導(dǎo)體襯底42a以及42b上。集成電路裝置44a以及44b包括有源裝置例如晶體管及二極管，以及可包括或可不包括無源裝置例如電阻、電容器、電感或類似物。裝置裸片38可包括電耦合到相應(yīng)集成電路裝置44a以及44b的金屬柱46。金屬柱46可包埋于介電層48中，例如介電層48可以是由pbo、聚酰亞胺或bcb所形成。也繪示鈍化層50，其中金屬柱46可延伸到鈍化層50中。鈍化層50可由氮化硅、氧化硅或其多層所形成。

接下來，參考圖5，囊封材料52經(jīng)囊封(有時稱作成型)于裝置裸片38上。相應(yīng)步驟經(jīng)顯示成圖16中所顯示的工藝流程圖的步驟208。囊封材料52填充相鄰貫穿導(dǎo)體32之間的間隙以及貫穿導(dǎo)體32與裝置裸片38之間的間隙。囊封材料52可包括聚合物系材料，且可包括模塑料、模塑底膠填充、環(huán)氧化物和/或樹脂。囊封材料52的頂部表面高于金屬柱46的頂端。

在后續(xù)步驟中，如圖6所顯示，實施平面化工藝?yán)缁瘜W(xué)機械拋光(chemicalmechanicalpolish,cmp)工藝或研磨工藝，以減少囊封材料52的頂部表面，直到暴露出貫穿導(dǎo)體32及金屬柱46。相應(yīng)步驟經(jīng)顯示成圖16中所顯示的工藝流程圖的步驟210。由于平面化，貫穿導(dǎo)體32的頂端大體上與金屬柱46的頂部表面齊平(共平面)，且大體上與囊封材料52的頂部表面共平面。

根據(jù)本揭露的一些實施例，裝置裸片38經(jīng)包埋于囊封材料52中，如圖6所顯示。在如圖5中所顯示的囊封步驟之前，無源裝置56(標(biāo)作56a)也可被放在載體20上。相應(yīng)無源裝置56經(jīng)顯示于圖14中，其也繪示更多在后續(xù)步驟中形成的特征。無源裝置56a可以是電容器、電阻、電感和/或類似物。無源裝置56a的表面導(dǎo)電部件46也在平面化步驟中暴露，如圖6中所顯示。據(jù)此，無源裝置56a通過后續(xù)形成的重布線(redistributionline，rdl)電耦合到其它裝置。無源裝置56a可以是集成無源裝置(integratedpassivedevice，ipd)，其經(jīng)形成于相應(yīng)芯片中的半導(dǎo)體襯底上。在整篇說明書中，ipd可以是單一裝置芯片，其可包括單一無源裝置，例如電感、電容器、電阻或類似物，沒有其它無源裝置以及有源裝置在相應(yīng)芯片中。再者，根據(jù)一些實施例，沒有有源裝置，例如晶體管以及二極管在ipd56a中。

根據(jù)替代性實施例，沒有無源裝置被囊封在囊封材料52中。據(jù)此，在圖14中，使用虛線繪示無源裝置56a，以表示無源裝置可被或可不被包埋在囊封材料52中。

圖7至11繪示正面重布線及相應(yīng)介電層的形成。參考圖7，形成介電層54。相應(yīng)步驟經(jīng)顯示成圖16中所顯示的工藝流程圖的步驟212。根據(jù)本揭露的一些實施例，介電層54是由聚合物例如pbo、聚酰亞胺、或類似物所形成。根據(jù)本揭露的替代性實施例，介電層54是由無機材料例如氮化硅、氧化硅或類似物所形成。開口57形成于介電層54中(例如，通過曝光及顯影)，以暴露出貫穿導(dǎo)體32及金屬柱46。開口57可通過光刻工藝形成。

接下來，參考圖8，形成重布線(rdl)58以連接金屬柱46及貫穿導(dǎo)體32。相應(yīng)步驟經(jīng)顯示成圖16中所顯示的工藝流程圖的步驟214。rdl58也可互連金屬柱46與貫穿導(dǎo)體32。此外，rdl58可用來形成用以將電感33的端口34(圖15)連接到裝置裸片38a的連接。rdl58包括在介電層54上方的金屬跡線(金屬線)以及延伸到介電層54中的通路。在rdl58中的通路經(jīng)連接到貫穿導(dǎo)體32及金屬柱46。根據(jù)本揭露的一些實施例，rdl58的形成包括形成整片銅晶種層、形成及圖案化屏蔽層在整片銅晶種層上方、實施電鍍工藝以形成rdl58、去除屏蔽層、以及蝕刻不被rdl58所覆蓋的整片銅晶種層的部分。rdl58可由金屬或金屬合金，包括鋁、銅、鎢和/或其合金所形成。

參考圖9，根據(jù)本揭露的一些實施例，介電層60形成于圖8所顯示的結(jié)構(gòu)上方，接著形成開口62于介電層60中。rdl58的一些部分因此被暴露出。相應(yīng)步驟經(jīng)顯示成圖16中所顯示的工藝流程圖的步驟216?？墒褂眠x自用于形成介電層54的相同候選材料的材料來形成介電層60。

接下來，如圖10所顯示，rdl64形成于介電層60中。相應(yīng)步驟也顯示成圖16中所顯示的工藝流程圖的步驟216。根據(jù)本揭露的一些實施例，rdl64的形成包括形成整片銅晶種層、形成及圖案化屏蔽層在整片銅晶種層上方、實施電鍍工藝以形成rdl64、去除屏蔽層、以及蝕刻不被rdl64所覆蓋的整片銅晶種層的部分。rdl64也可由金屬或金屬合金，包括鋁、銅、鎢和/或其合金所形成。可以理解的是，雖然在繪示的示范性實施例中形成兩層rdl(58及64)，但可具有任何數(shù)目的rdl層，例如一層或多于兩層。所述rdl的組合可將貫穿導(dǎo)體32、裝置裸片38、無源裝置56以及類似物電互連。

圖11及12是根據(jù)一些示范性實施例繪示介電層66及電連接件68的形成。相應(yīng)步驟經(jīng)顯示成圖16中所顯示的工藝流程圖的步驟218。參考圖11，介電層66是使用例如pbo、聚酰亞胺或bcb形成。開口59形成于介電層66中，以暴露出下方金屬墊，其為rdl64的部件。根據(jù)一些實施例，凸塊下金屬(under-bumpmetallurgy,ubm，未顯示)經(jīng)形成為延伸到介電層66中的開口59中。

接著形成電連接件68，如圖12所顯示。電連接件68的形成可包括將焊球放在ubm的暴露的部分上，以及接著回焊焊球。根據(jù)本揭露的替代性實施例，電連接件68的形成包括實施電鍍步驟以形成焊料區(qū)在rdl64中的暴露的金屬墊上方，以及接著回焊焊料區(qū)。電連接件68也可包括金屬柱、或金屬柱與焊料帽，其也可通過電鍍工藝形成。在整個說明書中，包括介電層24以及組合的上方結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)被稱作封裝件100，其包括多個裝置裸片38的復(fù)合晶片。

接下來，封裝件100是從載體20去接合，例如通過投射uv光或激光束在離型層22上，而使得離型層22在uv光或激光束的熱下分解。封裝件100因此從載體20去接合。所得封裝件100經(jīng)顯示于圖13中。根據(jù)本揭露的一些實施例，在所得封裝件100中，介電層24留下作為封裝件100的底部部件，并保護(hù)貫穿導(dǎo)體32。介電層24可以是整層，其中沒有貫穿開口。根據(jù)替代性實施例，不形成介電層24，且在去接合之后，囊封材料52的底部表面及貫穿導(dǎo)體32的底部表面被暴露?？蓪嵤?或可不實施)背面研磨以去除daf40(若有使用它們)，而使得貫穿導(dǎo)體32的底部表面與裝置裸片38a以及38b的底部表面共平面。裝置裸片38a以及38b的底部表面也可以是半導(dǎo)體襯底42a以及42b的底部表面。

圖14繪示將無源裝置56b接合到封裝件100。相應(yīng)步驟經(jīng)顯示成圖16中所顯示的工藝流程圖的步驟220。在圖14中，無源裝置56b與裝置裸片38a以及38b重疊。一些無源裝置56b也可與無源裝置56a重疊。無源裝置56b也稱作表面安裝裝置，這是因為它們安裝在封裝件100的頂部表面上。無源裝置56b可以是電容器、電阻、電感和/或類似物。無源裝置56b可以是形成于半導(dǎo)體襯底上的ipd。再者，根據(jù)一些實施例，沒有有源裝置，例如晶體管以及二極管在無源裝置56b中。根據(jù)一些實施例，被包埋無源裝置56a、表面安裝無源裝置56、或二者經(jīng)采用于封裝件100中。據(jù)此，使用虛線顯示無源裝置56a以及56b，以表示它們可被或不被形成。將無源裝置56a包埋或?qū)o源裝置56b接合在rdl的頂部具有它們自己的有利特征。例如，當(dāng)采用無源裝置56a且沒有接合無源裝置56b時，可減少封裝件100的總厚度。換句話說，接合無源裝置56b可減少封裝件100的面積。據(jù)此，經(jīng)包埋無源裝置56a、表面安裝無源裝置56b、或二者被采用于封裝件100中，以適配不同設(shè)計要求。無源裝置56a以及56b可通過rdl64以及58電耦合裝置裸片38a和/或38b。

根據(jù)本揭露的一些實施例，接著封裝件100被單?；曳庋b件100被鋸成多個彼此完全相同的封裝件100'。圖15繪示示范性封裝件100'的俯視圖。根據(jù)一些示范性實施例，封裝件100'包括四個邊緣100a。圖13中所顯示的剖面圖是從含有圖15中線13-13的平面獲得。圖14中所顯示的剖面圖是從含有圖15中線14-14的平面獲得。電感33具有靠近相應(yīng)邊緣100a的四個面。再者，不可有位于電感33以及邊緣100a之間的任何裝置。電感33的端口34通過rdl58/64連接到裝置裸片38a。裝置裸片38a以及38b被線圈33(以及相應(yīng)的貫穿導(dǎo)體32)所圍繞，其中沒有裝置裸片且沒有無源裝置是在線圈33的外部，因此最小化封裝件100'的面積。無源裝置56(包括56a和/或56b)也被電感33所圍繞(在封裝件100'的俯視圖中)。參考圖15，根據(jù)一些實施例，線圈33的長度l1(其為所述同心環(huán)的最長長度)在約封裝件100'的長度l2(其也是囊封材料52的長度)的50％到約99％之間的范圍。所述同心環(huán)的最短長度l3是長度l2的約30％到約70％。線圈33所占面積(包括被線圈33所環(huán)繞的中心面積)可在封裝件100'的俯視面積的約25％以及約98％。寬度w1/h1的比值(圖14)可在約0.4與約1.5之間的范圍。

圖14也繪示形成于介電層54、60以及66中的密封環(huán)70。密封環(huán)70是在rdl58以及64形成的同時形成。在封裝件100'的俯視圖中，密封環(huán)70圍繞線圈33，且形成于線圈33與封裝件100'的相應(yīng)邊緣之間(圖15，其中密封環(huán)70未顯示)。密封環(huán)70可以是電性接地或電性浮接。

圖17繪示圖15中的封裝件100'的部分72的放大圖，其中繪示兩個貫穿導(dǎo)體32作為實例。為減小壓力，貫穿導(dǎo)體32可具有圓角。例如，貫穿導(dǎo)體的半徑r1可在約w1/2與2w1/3之間的范圍。

根據(jù)一些實施例，為增進(jìn)效率，線圈33的外環(huán)可具有大于或等于內(nèi)環(huán)的寬度的寬度。例如，參考圖15，寬度w1a(其可能是最外環(huán)的寬度，可等于或大于最內(nèi)環(huán)的寬度w1b。比值w1b/w1a可在約1/2與約2/3之間的范圍。再者，從外環(huán)往內(nèi)環(huán)，貫穿導(dǎo)體32的寬度可以是越來越少或每幾環(huán)周期性地減少。

圖18是根據(jù)一些實施例繪示包括雙線線圈33的封裝件100'。為了更清楚的視圖，未于圖18中繪示將線圈33的所述端連接到裝置裸片38a的rdl58以及64(圖15)。圖18中的結(jié)構(gòu)基本上與圖15中所顯示者相同，除了替代于具有單一貫穿導(dǎo)體32卷起，線圈33具有平行的兩個貫穿導(dǎo)體32a以及32b卷起。貫穿導(dǎo)體32a以及32b彼此平行，且如同單一導(dǎo)體組合使用，以形成線圈。為了區(qū)分貫穿導(dǎo)體32a與32b，所以可清楚地看見它們配置，使用不同圖案顯示貫穿導(dǎo)體32a以及32b。

如圖18中所顯示，貫穿導(dǎo)體32a以及32b的各者由其本身形成線圈。貫穿導(dǎo)體32a以及32b的所述端通過導(dǎo)體74a以及74b互連。連接件74a以及74b的各者可以是當(dāng)貫穿導(dǎo)體32a以及32b形成時同時形成的貫穿通路、或可以是rdl58以及64的一部分。連接件74a以及74b也可包括貫穿導(dǎo)體部分與rdl部分兩者。根據(jù)一些實施例貫穿導(dǎo)體32a以及32b僅在它們的端而不是在中間連接，如圖18中所顯示。根據(jù)替代性實施例，相似于連接件74a以及74b的額外連接件可周期地形成，以將貫穿導(dǎo)體32a的中間部分互連到貫穿導(dǎo)體32a的相應(yīng)部分。例如，貫穿導(dǎo)體32a以及32b的各直線部分可包括一或多個互連件。

貫穿導(dǎo)體32a與32b互連的結(jié)果是貫穿導(dǎo)體32a與32b組合形成線圈。當(dāng)圖18中的線圈33在高頻操作時，例如數(shù)兆赫或更高，其具有與如圖15中所顯示的主體線圈33可相比擬，且有時較如圖15中所顯示的主體線圈33更優(yōu)選的性能。此可能是因表層效果所致。再者，具有與塊線圈相比較窄的貫穿導(dǎo)體32a與32b，因為它等同于去除如圖15中所顯示貫穿導(dǎo)體32的中間部分，在貫穿導(dǎo)體32a和32b的電鍍工藝中圖案負(fù)載效果被減少。

本揭露的實施例具有一些有利特征。通過包埋(有源)裝置裸片以及包埋和/或接合無源裝置(裸片)在電感所圈繞的區(qū)中，無線充電器的面積被減少。應(yīng)意識到，傳統(tǒng)上，裝置裸片以及無源裝置不能被放在電感內(nèi)部，因為這會造成電力接收效率損失到不可接受的水平。根據(jù)本揭露的一些實施例，通過減少電感33的節(jié)距，如果改善接收效率，其會彌補因?qū)⒀b置裸片或無源裝置放在電感所圈繞的區(qū)中所造成的效率損失。接收效率因此增加到可接受水平。

根據(jù)本揭露的一些實施例，一種封裝件包括裝置裸片；以及囊封材料，囊封所述裝置裸片于其中。所述囊封材料具有頂部表面，與所述裝置裸片的頂部表面共平面。線圈是從所述囊封材料的所述頂部表面延伸到所述囊封材料的底部表面，以及所述裝置裸片在所述線圈所圈繞的區(qū)中。至少一個介電層經(jīng)形成于所述囊封材料以及所述線圈上方。多個重布線在所述至少一個介電層中。所述線圈是通過所述重布線電耦合到所述裝置裸片。

根據(jù)本揭露的一些實施例，一種封裝件包括線圈，延伸到靠近所述封裝件的所有邊緣；裝置裸片，在所述線圈內(nèi)部；囊封材料，囊封所述裝置裸片以及所述線圈于其中；至少一個介電層，在所述囊封材料以及所述線圈上方；以及多個重布線，在所述至少一個介電層中。所述重布線經(jīng)電耦合到所述線圈以及所述裝置裸片。

根據(jù)本揭露的一些實施例，一種方法包括形成線圈于載體上方；以及將裝置裸片放在所述載體上方，其中所述裝置裸片在所述線圈所圈繞的區(qū)中。所述方法進(jìn)一步包括囊封所述裝置裸片以及所述線圈于囊封材料中；與所述囊封材料的頂部表面一起平面化所述第一裝置裸片的頂部表面以及所述線圈的頂端；形成至少一個介電層于所述囊封材料、所述線圈以及所述第一裝置裸片上方；以及形成多個重布線于所述至少一個介電層中。所述重布線經(jīng)電耦合到所述第一裝置裸片以及所述線圈。

前面列述了數(shù)個實施例的特征以便所屬領(lǐng)域的一般技術(shù)人員可更有選地理解本揭露的方面。所屬領(lǐng)域的一般技術(shù)人員應(yīng)了解它們可輕易地使用本揭露作為用以設(shè)計或修改其它工藝及結(jié)構(gòu)的基礎(chǔ)以實現(xiàn)本文中所介紹實施例的相同目的和/或達(dá)成本文中所介紹實施例的相同優(yōu)點。所屬領(lǐng)域的一般技術(shù)人員也應(yīng)體認(rèn)到這些均等構(gòu)造不會脫離本揭露的精神及范圍，以及它們可在不脫離本揭露的精神及范圍下做出各種改變、取代或替代。

符號說明

13-13線

14-14線

20載體

22離型層

24介電層

26晶種層

28光阻

30貫穿開口/開口

32導(dǎo)電部件/貫穿導(dǎo)體/導(dǎo)體

32a貫穿導(dǎo)體

32b貫穿導(dǎo)體

33線圈/電感/雙線線圈

34端口

38集成電路芯片/裝置裸片

38a半導(dǎo)體芯片/交流電-直流電轉(zhuǎn)換器芯片

38b通信裸片/藍(lán)牙低能量裸片/裝置裸片

40裸片附接膜

42a半導(dǎo)體襯底

42b半導(dǎo)體襯底

44a集成電路裝置

44b集成電路裝置

46金屬柱/表面導(dǎo)電部件

48介電層

50鈍化層

52囊封材料

54介電層

56無源裝置/表面安裝裝置

56a無源裝置

56b無源裝置/表面安裝裝置

57開口

58重布線

59開口

60介電層

66介電層

62開口

64重布線

68電連接件

70密封環(huán)

72部分

74a連接件

74b連接件

100封裝件

100'封裝件

100a邊緣

200工藝流程圖

202步驟

204步驟

206步驟

208步驟

210步驟

212步驟

214步驟

216步驟

218步驟

220步驟

l1長度

l2長度

l3長度

p1節(jié)距

r1半徑

s1間距

w1寬度

w1a寬度

w1b寬度