本發(fā)明涉及半導(dǎo)體裝置。

背景技術(shù)：

以往，已知在具有rc-igbt結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體裝置中，具有fwd區(qū)域與igbt區(qū)域相鄰而形成的結(jié)構(gòu)(例如，參照專利文獻(xiàn)1)。

現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)

專利文獻(xiàn)

專利文獻(xiàn)1：日本特開2004-363328號(hào)公報(bào)

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

技術(shù)問題

然而，現(xiàn)有的半導(dǎo)體裝置由于注入fwd區(qū)域的壽命控制體也被注入到了igbt區(qū)域，所以有時(shí)會(huì)犧牲igbt的電氣特性。

技術(shù)方案

在本發(fā)明的第一方式中，提供一種半導(dǎo)體裝置，具備：半導(dǎo)體基板；晶體管部，其形成于半導(dǎo)體基板；二極管部，其形成于半導(dǎo)體基板，且在半導(dǎo)體基板的正面?zhèn)染哂袎勖刂企w；以及柵極流道，其設(shè)置在晶體管部與二極管部之間，且與晶體管部的柵極電連接。

半導(dǎo)體基板可以在半導(dǎo)體基板的正面?zhèn)惹覗艠O流道的下方的至少一部分區(qū)域具有壽命控制體。

半導(dǎo)體基板可以在半導(dǎo)體基板的正面?zhèn)惹覗艠O流道的下方的整個(gè)區(qū)域具有壽命控制體。

半導(dǎo)體基板可以在半導(dǎo)體基板的正面?zhèn)惹遗c柵極流道相比更靠晶體管部側(cè)的至少一部分具有壽命控制體。

晶體管部的集電極區(qū)可以形成于柵極流道的下方的至少一部分。

晶體管部的集電極區(qū)可以形成于柵極流道的下方的整個(gè)區(qū)域。

晶體管部的集電極區(qū)可以形成于與柵極流道相比更靠二極管部側(cè)的至少一部分。

二極管部的陰極區(qū)可以不形成于柵極流道的下方。

半導(dǎo)體裝置還可以具備阱區(qū)，所述阱區(qū)具有與半導(dǎo)體基板不同的導(dǎo)電型，且形成于柵極流道的下方。

晶體管部可以具備形成于半導(dǎo)體基板的正面的柵極溝槽部，柵極溝槽部的至少一部分形成于柵極流道的下方。

二極管部可以配置于半導(dǎo)體裝置的活性區(qū)的端部。

二極管部可以配置于半導(dǎo)體裝置的活性區(qū)的角部。

二極管部可以在俯視時(shí)包圍晶體管部的周圍。

晶體管部可以在俯視時(shí)包圍二極管部的周圍。

半導(dǎo)體裝置還可以具備：溫度傳感器，其以與晶體管部相鄰的方式設(shè)置，檢測(cè)與晶體管部的溫度對(duì)應(yīng)的信號(hào)；以及溫度傳感器端子，其通過傳感器用布線與溫度傳感器電連接，并被輸入溫度傳感器所檢測(cè)到的信號(hào)。

二極管部可以具有用于供柵極流道和傳感器用布線中的至少一方橫穿二極管部的間隔區(qū)域。

溫度傳感器可以配置于阱區(qū)的上方。

溫度傳感器可以被晶體管部包圍。

二極管部可以具有：第一二極管區(qū)，其形成于半導(dǎo)體裝置的活性區(qū)的一端；以及第二二極管區(qū)，其形成于活性區(qū)的與一端對(duì)置的另一端。

溫度傳感器可以設(shè)置于第一二極管區(qū)與第二二極管區(qū)之間。

半導(dǎo)體裝置還可以具備：第一導(dǎo)電型的發(fā)射極區(qū)，其形成于半導(dǎo)體基板的正面；與第一導(dǎo)電型不同的第二導(dǎo)電型的基區(qū)，其形成于半導(dǎo)體基板的正面；第一導(dǎo)電型的累積層，其形成于半導(dǎo)體基板的正面?zhèn)?，且與半導(dǎo)體基板的雜質(zhì)濃度相比為高濃度；以及層間絕緣膜，其形成在半導(dǎo)體基板的正面上。另外，在層間絕緣膜可以與發(fā)射極區(qū)和基區(qū)的至少一部分區(qū)域?qū)?yīng)地形成貫通層間絕緣膜的接觸孔。累積層可以在晶體管部所具有的溝槽部的延伸方向上形成于形成有接觸孔的區(qū)域的內(nèi)側(cè)。

累積層可以在二極管部所具有的溝槽部的延伸方向上形成于形成有接觸孔的區(qū)域的內(nèi)側(cè)。

累積層可以形成于形成有晶體管部、二極管部和柵極流道的區(qū)域。

累積層的至少一部分可以形成于阱區(qū)內(nèi)。

二極管部側(cè)的接觸孔可以以在俯視時(shí)與阱區(qū)分離的方式形成。

晶體管部的溝槽部的端部的至少一部分可以形成于阱區(qū)內(nèi)。

應(yīng)予說明，上述的發(fā)明內(nèi)容未列舉本發(fā)明的所有特征。另外，這些特征群的子組合也能夠成為發(fā)明。

附圖說明

圖1是表示實(shí)施例1的半導(dǎo)體裝置100的一個(gè)例子的俯視圖。

圖2表示實(shí)施例1的半導(dǎo)體裝置100的更詳細(xì)的俯視圖的一個(gè)例子。

圖3表示實(shí)施例1的半導(dǎo)體裝置100的a-a’截面的一個(gè)例子。

圖4是表示比較例1的半導(dǎo)體裝置500的構(gòu)成的俯視圖。

圖5表示比較例1的半導(dǎo)體裝置500的氦照射區(qū)域。

圖6是比較例1的半導(dǎo)體裝置500的更詳細(xì)的俯視圖。

圖7表示比較例1的半導(dǎo)體裝置500的b-b’截面的一個(gè)例子。

圖8表示實(shí)施例2的半導(dǎo)體裝置100的構(gòu)成的一個(gè)例子。

圖9表示實(shí)施例3的半導(dǎo)體裝置100的構(gòu)成的一個(gè)例子。

圖10表示實(shí)施例4的半導(dǎo)體裝置100的構(gòu)成的一個(gè)例子。

圖11表示溫度傳感器90的構(gòu)成的一個(gè)例子。

圖12表示實(shí)施例5的半導(dǎo)體裝置100的a-a’截面的一個(gè)例子。

圖13表示實(shí)施例6的半導(dǎo)體裝置100的a-a’截面的一個(gè)例子。

圖14是表示實(shí)施例7的半導(dǎo)體裝置100的一個(gè)例子的俯視圖。

圖15表示實(shí)施例7的半導(dǎo)體裝置100的c-c’截面的一個(gè)例子。

圖16是表示實(shí)施例8的半導(dǎo)體裝置100的一個(gè)例子的俯視圖。

圖17表示實(shí)施例8的半導(dǎo)體裝置100的d-d’截面的一個(gè)例子。

圖18是表示實(shí)施例9的半導(dǎo)體裝置100的一個(gè)例子的俯視圖。

圖19表示實(shí)施例9的半導(dǎo)體裝置100的d-d’截面的一個(gè)例子。

圖20是表示實(shí)施例10的半導(dǎo)體裝置100的一個(gè)例子的俯視圖。

圖21表示實(shí)施例10的半導(dǎo)體裝置100的d-d’截面的一個(gè)例子。

圖22表示導(dǎo)通電壓von(v)與關(guān)斷損耗eoff(mj)之間的關(guān)系。

符號(hào)說明

10：半導(dǎo)體基板

12：發(fā)射極區(qū)

14：基區(qū)

15：接觸區(qū)

16：累積層

17：阱區(qū)

18：漂移區(qū)

22：集電極區(qū)

24：集電極

26：層間絕緣膜

28：陰極區(qū)

30：虛擬溝槽部

40：柵極溝槽部

41：對(duì)置部

43：突出部

45：多晶硅層

46：柵極流道

47：壽命控制體

48：壽命控制體

49：柵極絕緣膜

52：發(fā)射極

54：接觸孔

55：接觸孔

56：接觸孔

57：接觸孔

60：發(fā)射極溝槽部

70：晶體管部

80：二極管部

90：溫度傳感器

91：第一導(dǎo)電型區(qū)

92：第二導(dǎo)電型區(qū)

93：第一連接部

94：第二連接部

95：絕緣膜

100：半導(dǎo)體裝置

102：活性區(qū)

103：柵極端子

105：外側(cè)區(qū)

106：柵極焊盤

107：感測(cè)部

108：溫度檢測(cè)部

109：邊緣終端區(qū)

500：半導(dǎo)體裝置

510：半導(dǎo)體基板

512：發(fā)射極區(qū)

514：基區(qū)

515：接觸區(qū)

517：阱區(qū)

518：漂移區(qū)

522：集電極區(qū)

524：集電極

526：層間絕緣膜

530：虛擬溝槽部

540：柵極溝槽部

546：柵極流道

547：壽命控制體

548：壽命控制體

551：柵極端子

552：發(fā)射極

553：發(fā)射極端子

554：接觸孔

555：接觸孔

556：接觸孔

557：接觸孔

560：發(fā)射極溝槽部

570：晶體管部

580：二極管部

582：陰極區(qū)

具體實(shí)施方式

以下，通過發(fā)明的實(shí)施方式說明本發(fā)明，但以下的實(shí)施方式不限定權(quán)利要求的發(fā)明。另外，在實(shí)施方式中說明的特征的所有組合并不一定為發(fā)明的技術(shù)方案所必須的。

圖1是表示實(shí)施例1的半導(dǎo)體裝置100的一個(gè)例子的俯視圖。半導(dǎo)體裝置100是具有形成有活性區(qū)102和外側(cè)區(qū)105的半導(dǎo)體基板的半導(dǎo)體芯片。半導(dǎo)體基板具有第一導(dǎo)電型。在本例中，使第一導(dǎo)電型為n型，使第二導(dǎo)電型為p型進(jìn)行說明。但是，也可以使第一導(dǎo)電型為p型，使第二導(dǎo)電型為n型。

活性區(qū)102是在驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體裝置100時(shí)有電流流通的區(qū)域。在活性區(qū)102設(shè)有多個(gè)晶體管部70和二極管部80。另外，活性區(qū)102可以與晶體管部70或二極管部80相鄰地具有溫度傳感器90。

晶體管部70包括igbt(insulatedgatebipolartransistor：絕緣柵雙極型晶體管)等晶體管。在一個(gè)例子中，晶體管部70具備排列成長條狀的多個(gè)晶體管。晶體管部70所具備的多個(gè)晶體管相互電并聯(lián)連接，并在柵極、發(fā)射極、集電極的各端子分別施加相同的電位。本例的晶體管部70以覆蓋二極管部80的周圍的方式形成。

二極管部80包括fwd(freewheeldiode：續(xù)流二極管)等二極管。在一個(gè)例子中，二極管部80具備排列成長條狀的多個(gè)二極管。二極管部80所具備的多個(gè)二極管相互電并聯(lián)地設(shè)置，并在發(fā)射極(或陽極)、陰極的各端子分別施加相同的電位。

溫度傳感器90形成于半導(dǎo)體基板10的正面的上方，檢測(cè)與半導(dǎo)體裝置100的溫度對(duì)應(yīng)的信號(hào)。在一個(gè)例子中，溫度傳感器90具備pn二極管。為了檢測(cè)晶體管部70的溫度，溫度傳感器90優(yōu)選設(shè)置在晶體管部70的附近。另外，溫度傳感器90可以設(shè)置在二極管部80的附近。

外側(cè)區(qū)105設(shè)置在活性區(qū)102的外側(cè)?；钚詤^(qū)102的外側(cè)是指沒有被活性區(qū)102包圍，且比活性區(qū)102的中心更靠近半導(dǎo)體基板10的端部的區(qū)域。外側(cè)區(qū)105可以包圍活性區(qū)102。本例的外側(cè)區(qū)105具備柵極焊盤106、感測(cè)部107和溫度檢測(cè)部108。另外，可以在外側(cè)區(qū)105的更外側(cè)設(shè)置邊緣終端區(qū)109等。

柵極焊盤106通過柵極流道46與晶體管部70連接。柵極焊盤106將晶體管部70的柵極設(shè)定為柵極電位。晶體管部70的柵極是指例如柵極溝槽部40內(nèi)的柵極導(dǎo)電部。

柵極流道46以覆蓋晶體管部70的周圍的方式形成。特別是，柵極流道46優(yōu)選形成于晶體管部70與二極管部80之間的邊界區(qū)域。柵極流道46由多晶硅等導(dǎo)電性的材料形成。柵極流道46與多個(gè)晶體管部70連接，并且與柵極焊盤106連接。

感測(cè)部107檢測(cè)在晶體管部70流通的電流。在一個(gè)例子中，在感測(cè)部107流通有與在晶體管部70流通的主電流成比例且比主電流小的電流。例如，感測(cè)部107與晶體管部70并聯(lián)連接，并被輸入有相同的柵極電位。應(yīng)予說明，在感測(cè)部107可以連接比與晶體管部70連接的電阻大的電阻。

溫度檢測(cè)部108是通過布線與溫度傳感器90連接的溫度傳感器端子的一個(gè)例子。對(duì)于溫度檢測(cè)部108，被輸入有表示溫度傳感器90檢測(cè)到的半導(dǎo)體裝置100的溫度的信號(hào)。溫度檢測(cè)部108可以將被輸入的信號(hào)輸出到外部。另外，半導(dǎo)體裝置100可以基于溫度傳感器90檢測(cè)到的溫度被驅(qū)動(dòng)控制。應(yīng)予說明，本例的溫度傳感器90的布線具有與柵極流道46部分交叉的區(qū)域。此時(shí)，在一個(gè)例子中，通過將柵極流道46在半導(dǎo)體基板的正面形成于熱氧化膜等絕緣膜上，并介由層間絕緣膜等絕緣膜將溫度傳感器90的布線形成于柵極流道46的上方，從而使柵極流道46與溫度傳感器90的布線立體交叉。

邊緣終端區(qū)109緩和半導(dǎo)體基板的正面?zhèn)鹊碾妶黾?。邊緣終端區(qū)109具有例如保護(hù)環(huán)、場板、降低表面場(resurf)和組合了這些的結(jié)構(gòu)。

圖2表示實(shí)施例1的半導(dǎo)體裝置100的更詳細(xì)的俯視圖的一個(gè)例子。本例的半導(dǎo)體裝置100在芯片的正面?zhèn)染邆鋿艠O流道46、發(fā)射極52、柵極溝槽部40、虛擬溝槽部30、發(fā)射極溝槽部60、阱區(qū)17、發(fā)射極區(qū)12、基區(qū)14、接觸區(qū)15和接觸孔54、55、56、57。

在半導(dǎo)體基板的正面?zhèn)鹊膬?nèi)部形成有柵極溝槽部40、虛擬溝槽部30、發(fā)射極溝槽部60、阱區(qū)17、發(fā)射極區(qū)12、基區(qū)14和接觸區(qū)15。另外，在半導(dǎo)體基板的正面的上方設(shè)有發(fā)射極52和柵極流道46。應(yīng)予說明，在發(fā)射極52和柵極流道46與半導(dǎo)體基板的正面之間形成有層間絕緣膜，但在圖1中省略圖示。

接觸孔54、55、56、57以貫通形成于半導(dǎo)體基板的上方的層間絕緣膜的方式形成。形成接觸孔54、55、56、57的位置不特別地限定于本例。

發(fā)射極52穿過接觸孔54、56、57與半導(dǎo)體基板接觸。發(fā)射極52由含有金屬的材料形成。在一個(gè)例子中，發(fā)射極52的至少一部分區(qū)域由鋁形成。發(fā)射極52可以具有由含有鎢的材料形成的區(qū)域。本例的發(fā)射極52以與晶體管部70和二極管部80分別對(duì)應(yīng)的方式被設(shè)置。

晶體管部70是進(jìn)行晶體管動(dòng)作的區(qū)域。對(duì)于晶體管部70的邊緣，在本圖中，為了便于說明，為形成于進(jìn)行晶體管動(dòng)作的區(qū)域上的發(fā)射極52的邊緣，但可以進(jìn)行適當(dāng)改變。

二極管部80是fwd等的進(jìn)行二極管動(dòng)作的區(qū)域。對(duì)于二極管部80的邊緣，在本圖中，為了便于說明，為形成于進(jìn)行二極管動(dòng)作的區(qū)域上的發(fā)射極52的邊緣，但可以進(jìn)行適當(dāng)改變。

柵極流道46穿過接觸孔55與柵極流道46下層的多晶硅層45電連接。本例的柵極流道46介由多晶硅層45與半導(dǎo)體基板連接。柵極流道46與發(fā)射極52同樣地由包含金屬的材料形成。

虛擬溝槽部30以在半導(dǎo)體基板的正面沿著預(yù)先確定的延伸方向延伸的方式形成。虛擬溝槽部30在晶體管部70的區(qū)域中沿著預(yù)定的排列方向，以與柵極溝槽部40隔著預(yù)定的間隔的方式排列有1個(gè)以上。本例的虛擬溝槽部30的形狀是兩端具有曲線形狀的環(huán)形。

柵極溝槽部40具有對(duì)置部41和突出部43。對(duì)置部41在與虛擬溝槽部30對(duì)置的范圍內(nèi)以沿著上述的延伸方向延伸的方式形成。換言之，對(duì)置部41與虛擬溝槽部30平行地形成。突出部43從對(duì)置部41進(jìn)一步延伸，而形成在不與虛擬溝槽部30對(duì)置的范圍。在本例中，設(shè)置在虛擬溝槽部30兩側(cè)的2個(gè)對(duì)置部41通過1個(gè)突出部43連接。突出部43的至少一部分可以具有曲線形狀。本例的柵極溝槽部40具有兩端形成有突出部43的環(huán)形形狀。

為了將突出部43與柵極流道46連接，而形成有多晶硅層45。本例的突出部43在最遠(yuǎn)離對(duì)置部41的區(qū)域中具有沿著與對(duì)置部41正交的方向延伸的部分。在突出部43中的上述延伸的部分，柵極溝槽部40內(nèi)的多晶硅層與多晶硅層45連接。多晶硅層45介由接觸孔55與柵極流道46連接。柵極流道46與柵極焊盤106連接。如上所述，從外部電路等施加到柵極焊盤106的柵極電位介由柵極流道46、多晶硅層45而被施加到柵極溝槽部40內(nèi)的多晶硅層。

本例的柵極溝槽部40和虛擬溝槽部30在預(yù)定的排列方向上交替地配置。另外，各溝槽部可以以恒定的間隔配置。但是，各溝槽部的配置不限于上述的例子。在2個(gè)虛擬溝槽部30之間可以配置多個(gè)柵極溝槽部40。另外，設(shè)置于各虛擬溝槽部30之間的柵極溝槽部40的數(shù)量可以不恒定。

接觸孔55形成于柵極流道46下部的層間絕緣膜。

發(fā)射極溝槽部60設(shè)置在形成有二極管部80的區(qū)域。發(fā)射極溝槽部60可以具有環(huán)形形狀和直線形形狀這兩種形狀。另外，本例的發(fā)射極溝槽部60以與虛擬溝槽部30和柵極溝槽部40的溝槽寬度相對(duì)應(yīng)的方式設(shè)置。但是，發(fā)射極溝槽部60的形狀可以根據(jù)晶體管部70和二極管部80的布局進(jìn)行適當(dāng)改變。

阱區(qū)17在從設(shè)置柵極流道46的區(qū)域起的預(yù)定的范圍形成。另外，阱區(qū)17形成于柵極流道46的下方。本例的阱區(qū)17以從柵極流道46起向晶體管部70側(cè)和二極管部80側(cè)延伸的方式形成。阱區(qū)17在半導(dǎo)體基板為第一導(dǎo)電型的情況下，具有與半導(dǎo)體基板不同的第二導(dǎo)電型。

接觸區(qū)15是在基區(qū)14的正面中，雜質(zhì)濃度比基區(qū)14的雜質(zhì)濃度高的第二導(dǎo)電型的區(qū)域。本例的接觸區(qū)15為p+型。

發(fā)射極區(qū)12在晶體管部70中，作為雜質(zhì)濃度比半導(dǎo)體基板的雜質(zhì)濃度高的第一導(dǎo)電型的區(qū)域而選擇性地形成于接觸區(qū)15的正面的一部分。本例的發(fā)射極區(qū)12為n+型。接觸區(qū)15和發(fā)射極區(qū)12分別從相鄰的一個(gè)溝槽部起形成到另一個(gè)溝槽部。晶體管部70的1個(gè)以上的接觸區(qū)15和1個(gè)以上的發(fā)射極區(qū)12以在被各溝槽部所夾的區(qū)域中沿著溝槽部的延伸方向交替露出的方式形成。

接觸孔54在晶體管部70中形成于發(fā)射極區(qū)12和接觸區(qū)15的上方。本例的接觸孔54橫跨在發(fā)射極區(qū)12和接觸區(qū)15上而形成。接觸孔54可以以使發(fā)射極區(qū)12的正面的整個(gè)范圍露出的方式形成。另外，接觸孔54可以以使接觸區(qū)15的正面的整個(gè)范圍也露出的方式形成。但是，接觸孔54不在與基區(qū)14和阱區(qū)17對(duì)應(yīng)的區(qū)域形成。

另外，接觸孔54在二極管部80中形成于基區(qū)14和接觸區(qū)15的上方。在一個(gè)例子中，晶體管部70的接觸孔54和二極管部80的接觸孔54在各溝槽部的延伸方向上具有相同的長度。

應(yīng)予說明，在二極管部80中，可以不在基區(qū)14的正面形成接觸區(qū)15，而僅存在基區(qū)14。由此，在二極管部80中，能夠抑制少數(shù)載流子向漂移區(qū)18的注入過量。

接觸孔56在晶體管部70中形成于虛擬溝槽部30的上方。接觸孔56將發(fā)射極52與形成于虛擬溝槽部30內(nèi)的虛擬導(dǎo)電部連接。

接觸孔57在二極管部80中形成于發(fā)射極溝槽部60的上方。接觸孔57將發(fā)射極52與形成于發(fā)射極溝槽部60內(nèi)的虛擬導(dǎo)電部連接。

圖3表示實(shí)施例1的半導(dǎo)體裝置100的a-a’截面的一個(gè)例子。本例的半導(dǎo)體裝置100在半導(dǎo)體基板10的漂移區(qū)18具有壽命控制體47和壽命控制體48。應(yīng)予說明，在本例中，在柵極流道46和發(fā)射極52與半導(dǎo)體基板10之間圖示有層間絕緣膜26。

壽命控制體47形成于半導(dǎo)體基板10的正面?zhèn)?，用于調(diào)整載流子的壽命。通過形成壽命控制體47，能夠縮短載流子的壽命。壽命控制體47通過從半導(dǎo)體基板10的正面?zhèn)然虮趁鎮(zhèn)日丈潆x子等而形成。在一個(gè)例子中，壽命控制體47通過向半導(dǎo)體基板10照射氦而形成。本例的壽命控制體47例如形成于二極管部80的陽極區(qū)側(cè)，使陽極區(qū)側(cè)的載流子壽命降低。由此，半導(dǎo)體裝置100能夠減小尾電流，降低反向恢復(fù)損耗err。

壽命控制體48形成于半導(dǎo)體基板10的背面?zhèn)?，縮短載流子的壽命。壽命控制體48例如是從半導(dǎo)體基板10的背面?zhèn)冗M(jìn)行照射而成。在一個(gè)例子中，壽命控制體48通過照射氦而形成。例如，壽命控制體48形成在不與耗盡層接觸的位置，所述耗盡層是在半導(dǎo)體裝置100被施加有額定反向電壓的情況下，從陽極區(qū)與半導(dǎo)體基板10的n型區(qū)域的邊界擴(kuò)展而成。

本例的半導(dǎo)體基板10在半導(dǎo)體基板10的正面?zhèn)惹覗艠O流道46的下方的至少一部分區(qū)域也具有壽命控制體47。在本說明書中，柵極流道46的下方是指俯視時(shí)形成柵極流道46的區(qū)域且與柵極流道46相比更靠近半導(dǎo)體基板10的背面?zhèn)?。?yīng)予說明，在本說明書中，俯視是指從半導(dǎo)體基板10的正面?zhèn)扔^察背面?zhèn)葧r(shí)的視點(diǎn)。

另外，半導(dǎo)體基板10可以在半導(dǎo)體基板10的正面?zhèn)惹亿鍏^(qū)17的下方的至少一部分區(qū)域也具有壽命控制體47。由此，能夠抑制少數(shù)載流子從雜質(zhì)濃度高的阱區(qū)17被過量注入到漂移區(qū)18。在本說明書中，阱區(qū)17的下方是指俯視時(shí)形成阱區(qū)17的區(qū)域且與阱區(qū)17相比更靠近半導(dǎo)體基板10的背面?zhèn)?。另外，形成阱區(qū)17的區(qū)域可以指在半導(dǎo)體基板10的正面中，注入用于形成阱區(qū)17的摻雜劑的區(qū)域。

集電極區(qū)22設(shè)置在柵極流道46的下方的至少一部分區(qū)域。集電極區(qū)22可以設(shè)置在阱區(qū)17的下方的至少一部分區(qū)域。本例的集電極區(qū)22由于設(shè)置在柵極流道46的下方的至少一部分區(qū)域，所以能夠使晶體管部70與陰極區(qū)28分開。因此，半導(dǎo)體裝置100能夠抑制由來自陰極區(qū)28的影響導(dǎo)致的晶體管部70的誤動(dòng)作。

[比較例1]

圖4是表示比較例1的半導(dǎo)體裝置500的構(gòu)成的俯視圖。本例的半導(dǎo)體裝置500具備交替排列的晶體管部570和二極管部580。對(duì)于由與半導(dǎo)體裝置100共用的符號(hào)表示的構(gòu)成而言，具有與半導(dǎo)體裝置100的情況同樣的功能。半導(dǎo)體裝置500具備用于連接?xùn)艠O端子103與晶體管部570的柵極流道546。

柵極流道546以包圍交替排列的晶體管部570和二極管部580的周圍的方式布線。本例的柵極流道546設(shè)置在晶體管部570彼此之間，以及二極管部580彼此之間。另外，柵極流道546以將晶體管部570和二極管部580統(tǒng)一包圍的方式形成。即，本例的柵極流道546未設(shè)置在晶體管部570與二極管部580之間的邊界區(qū)域。

圖5表示比較例1的半導(dǎo)體裝置500的氦照射區(qū)域。由虛線表示的區(qū)域是在半導(dǎo)體基板的正面?zhèn)戎姓丈浜るx子的區(qū)域。以二極管部580為中心，將氦照射到二極管部580和其周邊的區(qū)域。另外，對(duì)于晶體管部570而言，雖然無需在正面?zhèn)日丈浜?，但在晶體管部570與二極管部580的邊界區(qū)域中，為了防止半導(dǎo)體裝置500的誤動(dòng)作，有時(shí)會(huì)照射氦。因此，本例的半導(dǎo)體裝置500對(duì)于晶體管部570也照射有氦。

圖6是比較例1的半導(dǎo)體裝置500的更詳細(xì)的俯視圖。本例的半導(dǎo)體裝置500在芯片的正面?zhèn)戎芯邆鋿艠O流道546、發(fā)射極552、柵極溝槽部540、虛擬溝槽部530、發(fā)射極溝槽部560、阱區(qū)517、發(fā)射極區(qū)512、基區(qū)514、接觸區(qū)515和接觸孔554、555、556、557。

半導(dǎo)體裝置500中，晶體管部570與二極管部580在排列方向上并排配置。因此，在二極管部580與晶體管部570的邊界未設(shè)置柵極流道546。由于柵極流道546沒有設(shè)置在晶體管部570與二極管部580之間，所以晶體管部570與二極管部580相鄰地形成。

圖7表示比較例1的半導(dǎo)體裝置500的b-b’截面的一個(gè)例子。半導(dǎo)體裝置500具備形成于半導(dǎo)體基板510的虛擬溝槽部530、柵極溝槽部540、發(fā)射極溝槽部560、集電極區(qū)522、陰極區(qū)582。另外，半導(dǎo)體裝置500在半導(dǎo)體基板510的下方形成有集電極524，在半導(dǎo)體基板510的上方形成有層間絕緣膜526和發(fā)射極552。應(yīng)予說明，柵極溝槽部540與柵極端子551連接，虛擬溝槽部530和發(fā)射極溝槽部560與發(fā)射極端子553連接。

半導(dǎo)體裝置500具有形成于半導(dǎo)體基板510的漂移區(qū)518的壽命控制體547和壽命控制體548。壽命控制體547與二極管部580對(duì)應(yīng)地設(shè)置在半導(dǎo)體基板510的正面?zhèn)?。壽命控制體548與晶體管部570和二極管部580對(duì)應(yīng)地設(shè)置在半導(dǎo)體基板510的背面?zhèn)取?/p>

本例的半導(dǎo)體裝置500在晶體管部570與二極管部580之間不具有柵極流道546。為了防止誤動(dòng)作，半導(dǎo)體裝置500在半導(dǎo)體基板510的正面?zhèn)惹揖w管部570側(cè)也設(shè)有壽命控制體547。通過在晶體管部570側(cè)設(shè)置壽命控制體547，半導(dǎo)體裝置500的特性有時(shí)會(huì)變差。

[實(shí)施例2]

圖8表示實(shí)施例2的半導(dǎo)體裝置100的構(gòu)成的一個(gè)例子。本例的半導(dǎo)體裝置100具備設(shè)置在活性區(qū)102的端部的2個(gè)二極管部80a、80b。本例的半導(dǎo)體裝置100表示晶體管部70、二極管部80和溫度傳感器90的配置的一個(gè)例子，可以根據(jù)所要求的特性等適當(dāng)改變各區(qū)域的面積等。例如，晶體管部70和二極管部80以具有預(yù)定的面積比的方式?jīng)Q定大小。

二極管部80a設(shè)置在活性區(qū)102的一端。二極管部80b設(shè)置在與設(shè)置有二極管部80a的活性區(qū)102的一端不同的另一端。本例的二極管部80b設(shè)置在與設(shè)置有二極管部80a的一端對(duì)置的活性區(qū)102的端部。這樣，二極管部80通過配置在活性區(qū)102的端部，而不會(huì)在活性區(qū)102的一端側(cè)與晶體管部70接觸。因此，由照射到二極管部80的氦對(duì)晶體管部70帶來的影響變小。

晶體管部70在活性區(qū)102中形成于未形成二極管部80a、80b的區(qū)域。在一個(gè)例子中，晶體管部70以分割成5個(gè)區(qū)域的方式配置。晶體管部70以周圍分別被柵極流道46包圍的方式設(shè)置。因此，在晶體管部70與二極管部80的邊界一定形成有柵極流道46。由此，能夠抑制晶體管部70的特性變差。

溫度傳感器90以被晶體管部70包圍的方式形成。更具體而言，溫度傳感器90設(shè)置于活性區(qū)102的中心附近的晶體管部70的內(nèi)側(cè)。由此，溫度傳感器90能夠測(cè)定晶體管部70的最容易成為高溫的區(qū)域的溫度。但是，溫度傳感器90也可以設(shè)置在活性區(qū)102的除了中心以外的晶體管部70的附近的區(qū)域。另外，溫度傳感器90也可以設(shè)置在二極管部80的附近。本例的溫度傳感器90配置在二極管部80a與二極管部80b之間。

[實(shí)施例3]

圖9表示實(shí)施例3的半導(dǎo)體裝置100的構(gòu)成的一個(gè)例子。本例的半導(dǎo)體裝置100表示晶體管部70、二極管部80和溫度傳感器90的配置的一個(gè)例子，可以根據(jù)所要求的特性等對(duì)各區(qū)域的面積等進(jìn)行適當(dāng)改變。

二極管部80形成于活性區(qū)102的端部。特別是本例的二極管部80形成于活性區(qū)102的角部。即，通過增大與活性區(qū)102的端部接觸的區(qū)域，來配置二極管部80以使二極管部80與晶體管部70的邊界區(qū)域變少。因此，由照射到二極管部80的氦對(duì)晶體管部70帶來的影響變小。

晶體管部70在活性區(qū)102中形成于未形成二極管部80的區(qū)域。晶體管部70以周圍分別被柵極流道46包圍的方式設(shè)置。因此，在晶體管部70與二極管部80的邊界一定形成有柵極流道46。由此，能夠抑制晶體管部70的特性變差。特別是，由于本例的二極管部80設(shè)置在活性區(qū)102的角部，所以與晶體管部70接觸的邊界區(qū)域僅為2個(gè)邊。因此，由氦的照射對(duì)晶體管部70帶來的影響小。

溫度傳感器90根據(jù)二極管部80的位置而進(jìn)行配置。在一個(gè)例子中，溫度傳感器90以布線位于晶體管部70與二極管部80之間的方式設(shè)置。由此，能夠增大晶體管部70的面積。另外，本例的溫度傳感器90，以連接溫度傳感器90與溫度檢測(cè)部108的布線與二極管部80的1邊相鄰的方式設(shè)置。這樣，通過在二極管部80的周圍配置原本不作為晶體管部70動(dòng)作的無效區(qū)域，從而使由照射到二極管部80的氦對(duì)晶體管部70帶來的影響變得更小。

[實(shí)施例4]

圖10表示實(shí)施例4的半導(dǎo)體裝置100的構(gòu)成的一個(gè)例子。本例的半導(dǎo)體裝置100表示晶體管部70、二極管部80和溫度傳感器90的配置的一個(gè)例子，可以根據(jù)所要求的特性等對(duì)各區(qū)域的面積等進(jìn)行適當(dāng)改變。

晶體管部70形成于活性區(qū)102的中心。活性區(qū)102的中心不需要完全是活性區(qū)102的中心，可以包括在晶體管部70的周圍形成有二極管部80等其它區(qū)域的情況。另外，晶體管部70在中心配置有溫度傳感器90，并具有用于使連接溫度傳感器90與溫度檢測(cè)部108的布線通過的凹部。本例的晶體管部70在與溫度傳感器90和布線的邊界處具有柵極流道46。即，柵極流道46沿著晶體管部70的凹部配置。

二極管部80以包圍晶體管部70的周圍的方式形成。雖然本例的二極管部80以具有相同寬度的方式形成，但也可以在各邊具有不同的寬度。例如，二極管部80的寬度可以以使晶體管部70與二極管部80具有特定的面積比率的方式進(jìn)行調(diào)整。另外，二極管部80具有用于設(shè)置溫度傳感器90的布線的間隔區(qū)域s。

圖11表示半導(dǎo)體裝置100的截面的一個(gè)例子。該圖特別地示出形成有溫度傳感器90的區(qū)域的截面。

溫度傳感器90具有pn二極管。溫度傳感器90利用pn二極管的電流-電壓特性根據(jù)溫度而變化的特性來檢測(cè)半導(dǎo)體裝置100的溫度。溫度傳感器90例如介由柵極絕緣膜49配置在半導(dǎo)體基板10的上方。更具體而言，溫度傳感器90形成于阱區(qū)17的上方。這樣，由于溫度傳感器90形成于不作為晶體管部70動(dòng)作的無效區(qū)域的阱區(qū)17的上方，所以能夠在不使晶體管部70的區(qū)域變得狹窄的情況下配置。本例的溫度傳感器90具備第一導(dǎo)電型區(qū)91、第二導(dǎo)電型區(qū)92、第一連接部93、第二連接部94和絕緣膜95。

第一導(dǎo)電型區(qū)91和第二導(dǎo)電型區(qū)92構(gòu)成pn二極管。例如，第一導(dǎo)電型區(qū)91由n型半導(dǎo)體形成，第二導(dǎo)電型區(qū)92由p型半導(dǎo)體形成。

第一連接部93和第二連接部94分別與第一導(dǎo)電型區(qū)91和第二導(dǎo)電型區(qū)92電連接。另外，第一連接部93和第二連接部94通過布線與溫度檢測(cè)部108電連接。

絕緣膜95以使第一連接部93和第二連接部94與除了第一導(dǎo)電型區(qū)91和第二導(dǎo)電型區(qū)92以外的不需要連接的區(qū)域不電連接的方式進(jìn)行絕緣。

[實(shí)施例5]

圖12表示實(shí)施例5的半導(dǎo)體裝置100的a-a’截面的一個(gè)例子。本例的半導(dǎo)體裝置100示出壽命控制體47和集電極區(qū)22的配置例。另外，本例的半導(dǎo)體裝置100對(duì)圖2的a-a’截面進(jìn)行圖示。

壽命控制體47在一個(gè)例子中設(shè)置于半導(dǎo)體基板10的正面?zhèn)惹覗艠O流道46的下方的整個(gè)區(qū)域。本例的半導(dǎo)體裝置100中，雖然壽命控制體47形成于柵極流道46的下方的整個(gè)區(qū)域，但未形成于晶體管部70側(cè)的區(qū)域，所以抑制晶體管部70的特性變差。另外，壽命控制體47可以形成于阱區(qū)17的下方的整個(gè)區(qū)域。此時(shí)，壽命控制體47也可以不形成于晶體管部70側(cè)的區(qū)域。

集電極區(qū)22設(shè)置在柵極流道46的下方的整個(gè)區(qū)域。本例的集電極區(qū)22形成于柵極流道46的下方的整個(gè)區(qū)域，但未設(shè)置在二極管部80側(cè)的區(qū)域。即，能夠在不對(duì)二極管部80的區(qū)域帶來影響的情況下將晶體管部70與陰極區(qū)28分離。另外，半導(dǎo)體裝置100能夠抑制由來自陰極區(qū)28的影響導(dǎo)致的晶體管部70的誤動(dòng)作。

集電極區(qū)22可以設(shè)置在阱區(qū)17的下方的整個(gè)區(qū)域。此時(shí)，集電極區(qū)22也可以不設(shè)置在二極管部80側(cè)的區(qū)域。

集電極區(qū)22可以越過與形成于二極管部80的發(fā)射極52的邊緣對(duì)應(yīng)的背面?zhèn)鹊奈恢枚纬?。由此，能夠抑制二極管部80的載流子蔓延到晶體管部70側(cè)的影響。

[實(shí)施例6]

圖13表示實(shí)施例6的半導(dǎo)體裝置100的a-a’截面的一個(gè)例子。本例的半導(dǎo)體裝置100示出壽命控制體47和集電極區(qū)22的配置例。另外，本例的半導(dǎo)體裝置100對(duì)圖2的a-a’截面進(jìn)行圖示。

壽命控制體47在一個(gè)例子中設(shè)置在晶體管部70側(cè)的至少一部分。本例的壽命控制體47也設(shè)置在半導(dǎo)體基板10的正面?zhèn)惹覗艠O流道46的下方的整個(gè)區(qū)域。即，本例的壽命控制體47以從二極管部80側(cè)延伸到晶體管部70為止的方式形成。本例的半導(dǎo)體裝置100由于將壽命控制體47設(shè)置到晶體管部70側(cè)為止，所以能夠抑制由來自陰極區(qū)28的影響導(dǎo)致的晶體管部70的誤動(dòng)作。

集電極區(qū)22設(shè)置在二極管部80側(cè)的至少一部分。另外，集電極區(qū)22也設(shè)置在柵極流道46的下方的整個(gè)區(qū)域。陰極區(qū)28未形成于柵極流道46的下方。即，本例的陰極區(qū)28以比實(shí)施例5的半導(dǎo)體裝置100更遠(yuǎn)離晶體管部70側(cè)的方式形成。由此，本例的半導(dǎo)體裝置100變得更容易抑制由來自陰極區(qū)28的影響導(dǎo)致的晶體管部70的誤動(dòng)作。另外，集電極區(qū)22也可以設(shè)置在二極管部80側(cè)的至少一部分和阱區(qū)17的下方的整個(gè)區(qū)域。

應(yīng)予說明，壽命控制體47的晶體管部70側(cè)的邊緣的位置和集電極區(qū)22的二極管部80側(cè)的邊緣的位置可以針對(duì)上述的構(gòu)成進(jìn)行適當(dāng)組合。例如壽命控制體47的晶體管部70側(cè)的邊緣的位置如圖3所示，可以形成于柵極流道46或阱區(qū)17的下方的一部分，集電極區(qū)22的二極管部80側(cè)的邊緣的位置如圖13所示，可以以設(shè)置于二極管部80側(cè)的至少一部分的方式延伸。由此，能夠充分減小壽命控制體47對(duì)晶體管部70的特性帶來的影響。

其它的，例如壽命控制體47的晶體管部70側(cè)的邊緣的位置如圖13所示，可以以越過柵極流道46或阱區(qū)17的下方而在晶體管部70的一部分延伸的方式形成，集電極區(qū)22的二極管部80側(cè)的邊緣的位置如圖3所示，可以形成于柵極流道46或阱區(qū)17的下方的一部分。由此，能夠抑制從二極管部80累積到柵極流道46下部或阱區(qū)17下部的少數(shù)載流子對(duì)晶體管部70側(cè)帶來的影響。

[實(shí)施例7]

圖14是表示實(shí)施例7的半導(dǎo)體裝置100的一個(gè)例子的俯視圖。本例的半導(dǎo)體裝置100具有多晶硅層與柵極流道46直接連接的結(jié)構(gòu)，所述多晶硅層介由柵極絕緣膜埋入到柵極溝槽部40的內(nèi)部。

晶體管部70具備具有環(huán)形形狀的虛擬溝槽部30和具有直線形狀的柵極溝槽部40。但是，將虛擬溝槽部30和柵極溝槽部40設(shè)為環(huán)形形狀還是設(shè)為直線形狀可以適當(dāng)改變。

二極管部80與實(shí)施例1的情況同樣，具備以與虛擬溝槽部30和柵極溝槽部40的溝槽寬度對(duì)應(yīng)的方式由環(huán)形形狀和直線形狀構(gòu)成的發(fā)射極溝槽部60。但是，發(fā)射極溝槽部60的形狀可以根據(jù)晶體管部70和二極管部80的布局進(jìn)行適當(dāng)改變。

柵極流道46設(shè)置在晶體管部70與二極管部80之間。本例的柵極流道46形成為直線狀。

柵極溝槽部40具有與柵極流道46的延伸方向平行地形成的區(qū)域和與虛擬溝槽部30的延伸方向平行地形成的區(qū)域。柵極溝槽部40的至少一部分以介由接觸孔55與柵極流道46連接的方式形成。柵極溝槽部40的至少一部分可以形成于柵極流道46的下方。

圖15表示實(shí)施例7的半導(dǎo)體裝置100的c-c’截面的一個(gè)例子。本例的半導(dǎo)體裝置100在晶體管部70與二極管部80之間具有柵極流道46，因此能夠抑制由來自陰極區(qū)28的影響導(dǎo)致的晶體管部70的誤動(dòng)作。

壽命控制體47在一個(gè)例子中設(shè)置在晶體管部70側(cè)的至少一部分。本例的壽命控制體47也設(shè)置在半導(dǎo)體基板10的正面?zhèn)惹覗艠O流道46的下方的整個(gè)區(qū)域。即，本例的壽命控制體47以從二極管部80側(cè)延伸到晶體管部70為止的方式形成。本例的半導(dǎo)體裝置100由于將壽命控制體47設(shè)置到晶體管部70側(cè)為止，所以能夠抑制由來自陰極區(qū)28的影響導(dǎo)致的晶體管部70的誤動(dòng)作。

應(yīng)予說明，如本例所示，即使在柵極溝槽部40與柵極流道46直接連接的情況下，也可以如其它實(shí)施例所示，適當(dāng)設(shè)定壽命控制體47與柵極流道46之間的關(guān)系。

集電極區(qū)22可以越過與形成于二極管部80的發(fā)射極52的邊緣對(duì)應(yīng)的背面?zhèn)鹊奈恢枚纬?。由此，能夠抑制二極管部80的載流子蔓延到晶體管部70側(cè)的影響。

[實(shí)施例8]

圖16是表示實(shí)施例8的半導(dǎo)體裝置100的一個(gè)例子的俯視圖。圖17表示實(shí)施例8的半導(dǎo)體裝置100的d-d’截面的一個(gè)例子。本例的半導(dǎo)體裝置100除了實(shí)施例1的半導(dǎo)體裝置100的構(gòu)成以外，還具備累積層16。

累積層16形成于基區(qū)14的背面?zhèn)?。累積層16與半導(dǎo)體基板10的雜質(zhì)濃度相比被形成為高濃度。更具體而言，累積層16的雜質(zhì)濃度比漂移區(qū)18的雜質(zhì)濃度高。累積層16形成于相鄰的溝槽間。在一個(gè)例子中，累積層16的雜質(zhì)濃度為1e16cm^-3以上且1e18cm^-3以下。應(yīng)予說明，e是指10的乘方，例如1e16cm^-3表示1×10¹⁶cm^-3。例如，累積層16通過從半導(dǎo)體基板10的正面?zhèn)茸⑷肓椎萵型雜質(zhì)而形成。通過設(shè)置累積層16，可抑制在導(dǎo)通狀態(tài)下從集電極區(qū)22注入到漂移區(qū)18的空穴向基區(qū)14流入，因此提高從發(fā)射極區(qū)12向基區(qū)14的電子的注入促進(jìn)效果。由此，可降低半導(dǎo)體裝置100的導(dǎo)通電壓。

本例的累積層16形成于晶體管部70，但未形成于二極管部80。另外，累積層16以在俯視時(shí)與形成有接觸孔54的區(qū)域?qū)?yīng)的方式形成。本例的累積層16在晶體管部70所具有的溝槽部的延伸方向上形成于形成有接觸孔54的區(qū)域的內(nèi)側(cè)。由此，本例的半導(dǎo)體裝置100提高由累積層16帶來的載流子抽取效果，抑制耐量的降低。另外，優(yōu)選地晶體管部70的溝槽部的端部的至少一部分形成于阱區(qū)17內(nèi)。由此，提高半導(dǎo)體裝置100的耐壓。

[實(shí)施例9]

圖18是表示實(shí)施例9的半導(dǎo)體裝置100的一個(gè)例子的俯視圖。圖19表示實(shí)施例9的半導(dǎo)體裝置100的d-d’截面的一個(gè)例子。本例的半導(dǎo)體裝置100除了實(shí)施例1的半導(dǎo)體裝置100的構(gòu)成以外，還具備累積層16。

本例的累積層16形成于晶體管部70和二極管部80這兩方。但是，累積層16未形成于阱區(qū)17。換言之，在形成有柵極流道46的區(qū)域中沒有形成累積層16。另外，累積層16以在俯視時(shí)與形成有接觸孔54的區(qū)域?qū)?yīng)的方式形成。晶體管部70側(cè)的接觸孔54以在俯視時(shí)與阱區(qū)17分離的方式形成。另外，二極管部80側(cè)的接觸孔54也以在俯視時(shí)與阱區(qū)17分離的方式形成。

本例的累積層16在晶體管部70所具有的溝槽部的延伸方向上形成于形成有接觸孔54的區(qū)域的內(nèi)側(cè)。另外，在二極管部80中也同樣，累積層16在二極管部80所具有的溝槽部的延伸方向上形成于形成有接觸孔54的區(qū)域的內(nèi)側(cè)。由此，本例的半導(dǎo)體裝置100提高由累積層16帶來的載流子抽取效果，抑制耐量的降低。應(yīng)予說明，在二極管部80形成累積層16的情況下，可以省略正面?zhèn)鹊膲勖刂企w47。

[實(shí)施例10]

圖20是表示實(shí)施例10的半導(dǎo)體裝置100的一個(gè)例子的俯視圖。圖21示出實(shí)施例10的半導(dǎo)體裝置100的d-d’截面的一個(gè)例子。本例的半導(dǎo)體裝置100除了實(shí)施例1的半導(dǎo)體裝置100的構(gòu)成以外還具備累積層16。

本例的累積層16形成于晶體管部70和二極管部80這兩方。此外，本例的累積層16的至少一部分形成于阱區(qū)17內(nèi)。換言之，累積層16在形成有柵極流道46的區(qū)域也形成有累積層16。因此，本例的累積層16形成于形成有晶體管部70、二極管部80和柵極流道46的區(qū)域。在此，在截面圖中，將形成于阱區(qū)17的累積層作為累積層16a，將形成于阱區(qū)17以外的累積層作為累積層16b。累積層16b形成于基區(qū)14。累積層16b與實(shí)施例8和9的累積層16同樣地是n型的高濃度層。累積層16a無需像累積層16b那樣為n型。即，累積層16a可以與累積層16b在同一工序中形成，也可以由于形成于阱區(qū)17，而保持p型。另外，在阱區(qū)17的累積層16a中可以包含n型的雜質(zhì)。阱區(qū)17中的n型的雜質(zhì)的化學(xué)性濃度比阱區(qū)17的p型的雜質(zhì)的化學(xué)性濃度低。由此，半導(dǎo)體裝置100能夠抑制耐壓和耐量的降低。應(yīng)予說明，在二極管部80形成累積層16時(shí)，可以省略正面?zhèn)鹊膲勖刂企w47。

圖22表示導(dǎo)通電壓von(v)與關(guān)斷損耗eoff(mj)之間的關(guān)系。實(shí)施例1的半導(dǎo)體裝置100的關(guān)斷損耗eoff(mj)比比較例1的半導(dǎo)體裝置500的關(guān)斷損耗eoff(mj)降低。這是因?yàn)橥ㄟ^將二極管部80設(shè)置于中央，晶體管部70正面的壽命控制體導(dǎo)入?yún)^(qū)域變小，改善了導(dǎo)通電壓von(v)與關(guān)斷損耗eoff(mj)的權(quán)衡關(guān)系。

以上，使用實(shí)施方式說明了本發(fā)明，但本發(fā)明的技術(shù)范圍不限于上述實(shí)施方式中記載的范圍。對(duì)本領(lǐng)域技術(shù)人員來說可以對(duì)上述實(shí)施方式進(jìn)行各種變更或改良是顯而易見的。顯然，根據(jù)權(quán)利要求書的記載可知，實(shí)施了那樣的變更或改良的方式也可包括在本發(fā)明的技術(shù)方案內(nèi)。

應(yīng)當(dāng)注意的是，在權(quán)利要求書、說明書和附圖中所示的裝置和方法中的動(dòng)作、順序、步驟和階段等各處理的執(zhí)行順序并未特別明確“在……之前”，“事先”等，另外，只要不是后續(xù)處理中需要使用之前處理的結(jié)果，就可以按任意順序?qū)崿F(xiàn)。對(duì)于權(quán)利要求書、說明書和附圖中的動(dòng)作流程，即使為方便起見使用“首先”、“接下來”等進(jìn)行了說明，也不表示一定要按照該順序?qū)嵤?/p>