1.一種通過光學(xué)薄膜來提高OLED發(fā)光器件光取出的方法，其特征在于：在有機(jī)電致發(fā)光器件出光玻璃基底表面上，采用UV光學(xué)膠貼附光學(xué)薄膜擴(kuò)散膜，所選用的UV光學(xué)膠的折射率與OLED發(fā)光器件的出光玻璃基底的折射率相近，擴(kuò)散膜孔徑為6-15um，擴(kuò)散膜的厚度為15um，然后將覆有光學(xué)薄膜擴(kuò)散膜的有機(jī)電致發(fā)光器件放入U(xiǎn)V固化機(jī)中，利用紫外線照射接近5min后使UV光學(xué)膠產(chǎn)生聚合反應(yīng)從而固化，使光學(xué)薄膜擴(kuò)散膜固定結(jié)合在有機(jī)電致發(fā)光器件表面，形成玻璃基底表面結(jié)合厚度薄而均勻的介質(zhì)膜的復(fù)合出光結(jié)構(gòu)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述通過光學(xué)薄膜來提高OLED發(fā)光器件光取出的方法，其特征在于：擴(kuò)散膜孔徑為10-12um。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述通過光學(xué)薄膜來提高OLED發(fā)光器件光取出的方法，其特征在于：擴(kuò)散膜使用PET為基材，采用折射率相異的介質(zhì)在基層表面制作出不同的光學(xué)散光結(jié)構(gòu)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述通過光學(xué)薄膜來提高OLED發(fā)光器件光取出的方法，其特征在于：根據(jù)霧化度對(duì)擴(kuò)散膜進(jìn)行選擇，采用霧度低于5％的光學(xué)薄膜，制備OLED顯示器件。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述通過光學(xué)薄膜來提高OLED發(fā)光器件光取出的方法，其特征在于：在出光玻璃基底表面上利用UV光學(xué)膠貼附光學(xué)薄膜擴(kuò)散膜時(shí)，所選用的UV光學(xué)膠折射率接近1.56，在出光玻璃基底和光學(xué)薄膜擴(kuò)散膜之間的界面內(nèi)應(yīng)避免氣泡的產(chǎn)生，將擴(kuò)散膜完全貼附在出光玻璃基底表面。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述通過光學(xué)薄膜來提高OLED發(fā)光器件光取出的方法，其特征在于：所采用的UV固化機(jī)選用合適的波長，并接近UV光學(xué)膠的固化吸收波長，且控制光強(qiáng)度波動(dòng)在5％范圍內(nèi)。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述通過光學(xué)薄膜來提高OLED發(fā)光器件光取出的方法，其特征在于：控制附著擴(kuò)散膜的OLED器件色坐標(biāo)從0度到80度變化△(x,y)＝(0.012,0.0.004)。
8.根據(jù)權(quán)利要求1～7中任意一項(xiàng)所述通過光學(xué)薄膜來提高OLED發(fā)光器件光取出的方法，其特征在于，步驟如下：
a.采用玻璃基底作為襯底，在玻璃基底上濺射高電導(dǎo)率的ITO，其厚度最少為180nm，作為陽極電極層；
b.在所述步驟a中制備的陽極電極層上蒸鍍MoO3，其厚度為1-6nm，作為界面修飾層；
c.在所述步驟b中制備的界面修飾層上面依次蒸鍍厚度至少為60nm的NPB層、厚度至少為60nm的Alq3層、厚度至少為0.8nm的LiF層和厚度至少為100nm的Al層分別作為空穴傳輸層、發(fā)光層、電子注入層和陰極電極層；
d.在所述步驟c中制備好的底發(fā)射有機(jī)電致發(fā)光綠光器件玻璃背面，采用NOA63型UV光學(xué)膠貼附光學(xué)薄膜擴(kuò)散膜，放入U(xiǎn)V固化機(jī)，紫外線照射約5min后使膠水產(chǎn)生聚合反應(yīng)從而固化采用NOA63型UV光學(xué)膠貼附光學(xué)薄膜擴(kuò)散膜，然后將覆有光學(xué)薄膜擴(kuò)散膜的有機(jī)電致發(fā)光器件放入U(xiǎn)V固化機(jī)中，利用紫外線照射5min后使UV光學(xué)膠產(chǎn)生聚合反應(yīng)從而固化。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述通過光學(xué)薄膜來提高OLED發(fā)光器件光取出的方法，其特征在于：在所述步驟b中，在陽極電極層上蒸鍍MoO3的厚度為3-5nm。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述通過光學(xué)薄膜來提高OLED發(fā)光器件光取出的方法，其特征在于：在所述步驟d中，所制備的附著擴(kuò)散膜的OLED器件的發(fā)光區(qū)域的尺寸至少為5mm×5mm。