本公開的實(shí)施例涉及一種顯示基板及其制備方法、顯示面板。

背景技術(shù)：

平板顯示近十年來得到了飛速的發(fā)展，受到了廣泛的關(guān)注。因此，采用更加先進(jìn)的制造技術(shù)，簡化生產(chǎn)工藝，降低成本，提高產(chǎn)品良率，成為生產(chǎn)廠商在競爭中得以生存的重要保證。但是，在顯示面板的生產(chǎn)制造過程中，切割工藝后的陣列基板外圍區(qū)域中的信號線上方的彩膜基板會被切掉，使得陣列基板的外圍區(qū)域露出以進(jìn)行后續(xù)程序。外圍區(qū)域中的信號線起到的是將驅(qū)動電路的信號傳輸給顯示區(qū)，起到控制每行薄膜晶體管(TFT)開關(guān)開啟關(guān)閉和每列像素充電的作用，但是如此重要的信號線往往只有鈍化層作為保護(hù)層。

在切割工藝完成后還有較多的工藝流程和檢查流程，實(shí)際生產(chǎn)過程中這些信號線往往面臨被劃傷或者刮斷的問題，導(dǎo)致顯示不良，影響產(chǎn)品良率。尤其是在外圍區(qū)域中的信號線為雙層走線時(shí)，由于使用源漏電極層形成的信號線相對于使用柵電極形成的信號線要高出例如220納米，常常首先受到劃傷的影響，加之源漏電極層形成的信號線的上層僅有一層鈍化層覆蓋，保護(hù)力較弱，因此源漏電極層形成的信號線更容易被劃斷，造成顯示不良，影響產(chǎn)品良率。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本公開至少一實(shí)施例提供了一種顯示基板及其制備方法、顯示面板以解決上述技術(shù)問題。在該顯示基板的制備過程中，沿著其包括的信號線設(shè)置虛設(shè)線，且虛設(shè)線的高度大于信號線，如此例如在進(jìn)行切割工藝時(shí)，可優(yōu)先切割虛設(shè)線，從而對信號線進(jìn)行保護(hù)。

本公開至少一實(shí)施例提供一種顯示基板，包括：襯底基板；設(shè)置于所述襯底基板上的顯示區(qū)和位于所述顯示區(qū)外圍的引線區(qū)；其中，所述引線區(qū)包括至少一個(gè)信號線和沿所述信號線平行設(shè)置的至少一個(gè)虛設(shè)線，所述虛設(shè)線遠(yuǎn)離所述襯底基板的表面與所述襯底基板之間的距離大于所述信號線遠(yuǎn)離所述襯底基板的表面與所述襯底基板之間的距離。

例如，在本公開實(shí)施例提供的顯示基板中，所述虛設(shè)線與所述信號線至少部分重疊設(shè)置，或者所述引線區(qū)包括多個(gè)信號線，所述虛設(shè)線設(shè)置于相鄰的所述信號線之間。

例如，在本公開實(shí)施例提供的顯示基板中，所述顯示區(qū)包括設(shè)置于所述襯底基板上的柵電極層、有源層、源漏電極層和像素電極層中的至少一個(gè)。

例如，在本公開實(shí)施例提供的顯示基板中，所述虛設(shè)線與所述有源層、所述像素電極層和所述源漏電極層中的至少一個(gè)同層且彼此絕緣。

例如，在本公開實(shí)施例提供的顯示基板中，所述信號線包括與所述柵電極層同層設(shè)置并電連接的柵極信號線和與所述源漏電極層同層設(shè)置并電連接的數(shù)據(jù)信號線中的至少一個(gè)。

例如，在本公開實(shí)施例提供的顯示基板中，所述數(shù)據(jù)信號線位于所述相鄰的柵極信號線之間。

例如，在本公開實(shí)施例提供的顯示基板中，所述信號線中的至少一個(gè)的至少一部分設(shè)置為具有至少兩個(gè)分支走線，所述分支走線的兩個(gè)端部之間分別相連且除所述端部之外的部分彼此間隔，所述虛設(shè)線中的至少一部分位于相鄰的所述分支走線之間。

例如，本公開實(shí)施例提供的顯示基板，還包括設(shè)置于所述虛設(shè)線和所述信號線之間的絕緣層。

本公開至少一實(shí)施例提供了一種顯示面板，包括上述任一所述的顯示基板。

本公開至少一實(shí)施例提供了一種顯示基板的制備方法，包括：提供襯底基板，所述襯底基板包括顯示區(qū)和位于所述顯示區(qū)外圍的引線區(qū)；在所述引線區(qū)中的襯底基板上依次形成至少一個(gè)信號線和至少一個(gè)虛設(shè)線；其中，所述虛設(shè)線沿著所述信號線形成，所述虛設(shè)線遠(yuǎn)離所述襯底基板的表面與所述襯底基板之間的距離大于所述信號線遠(yuǎn)離所述襯底基板的表面與所述襯底基板之間的距離。

例如，在本公開實(shí)施例提供的制備方法中，形成的所述虛設(shè)線與所述信號線至少部分重疊，或者在所述引線區(qū)形成的信號線為多個(gè)，所述虛設(shè)線形成在相鄰的所述信號線之間。

例如，本公開實(shí)施例提供的制備方法，還包括在所述顯示區(qū)的所述襯底基板上形成柵電極層、有源層、源漏電極層和像素電極層中的至少一個(gè)。

例如，在本公開實(shí)施例提供的制備方法中，所述虛設(shè)線與所述有源層、所述像素電極層和所述源漏電極層中的至少一個(gè)同層且同時(shí)形成。

例如，本公開實(shí)施例提供的制備方法，其中，形成信號線的方法包括在形成所述柵電極層和所述源漏電極層中的至少一個(gè)的同時(shí)形成與所述柵電極層同層設(shè)置并電連接的柵極信號線和與所述源漏電極層同層設(shè)置并電連接的數(shù)據(jù)信號線中的至少一個(gè)。

例如，本公開實(shí)施例提供的制備方法，還包括在所述虛設(shè)線和所述信號線之間形成絕緣層。

附圖說明

為了更清楚地說明本發(fā)明實(shí)施例的技術(shù)方案，下面將對實(shí)施例的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅涉及本發(fā)明的一些實(shí)施例，而非對本發(fā)明的限制。

圖1為一種顯示基板引線區(qū)的橫截面結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2為另一種顯示基板引線區(qū)的橫截面結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3為本公開一實(shí)施例提供的一種顯示基板引線區(qū)結(jié)構(gòu)的俯視圖；

圖4為本公開一實(shí)施例提供的另一種顯示基板引線區(qū)結(jié)構(gòu)的俯視圖；

圖5為本公開一實(shí)施例提供的一種顯示基板引線區(qū)的橫截面結(jié)構(gòu)示意圖；

圖6a為本公開一實(shí)施例提供的另一種顯示基板引線區(qū)的橫截面結(jié)構(gòu)示意圖；

圖6b為本公開一實(shí)施例提供的另一種顯示基板引線區(qū)的橫截面結(jié)構(gòu)示意圖；

圖7為本公開一實(shí)施例提供的另一種顯示基板引線區(qū)的橫截面結(jié)構(gòu)示意圖；

圖8為本公開一實(shí)施例提供的另一種顯示基板引線區(qū)的橫截面結(jié)構(gòu)示意圖；

圖9a～圖9f為本公開實(shí)施例提供的一種顯示基板引線區(qū)制備方法的過程圖；

圖10a～圖10f為本公開實(shí)施例提供的另一種顯示基板引線區(qū)制備方法的過程圖；

圖11為本公開一實(shí)施例提供的一種顯示面板的局部橫截面結(jié)構(gòu)示意圖。

附圖標(biāo)記：

1-顯示基板；2-彩膜基板；3-顯示區(qū)；4-外圍區(qū)；5-引線區(qū)；6-封框膠；100-襯底基板；110-絕緣層；120-鈍化層；200-信號線；210-柵極信號線；220-數(shù)據(jù)信號線；300-虛設(shè)線；310-第一虛設(shè)線；320-第二虛設(shè)線；330-第三虛設(shè)線；1000-電極層。

具體實(shí)施方式

為使本公開實(shí)施例的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例的附圖，對本發(fā)明實(shí)施例的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述。顯然，所描述的實(shí)施例是本發(fā)明的一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例。基于所描述的本發(fā)明的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在無需創(chuàng)造性勞動的前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。

除非另外定義，本公開使用的技術(shù)術(shù)語或者科學(xué)術(shù)語應(yīng)當(dāng)為本發(fā)明所屬領(lǐng)域內(nèi)具有一般技能的人士所理解的通常意義。本公開中使用的“第一”、“第二”以及類似的詞語并不表示任何順序、數(shù)量或者重要性，而只是用來區(qū)分不同的組成部分?！鞍ā被蛘摺鞍钡阮愃频脑~語意指出現(xiàn)該詞前面的元件或者物件涵蓋出現(xiàn)在該詞后面列舉的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件?！斑B接”或者“相連”等類似的詞語并非限定于物理的或者機(jī)械的連接，而是可以包括電性的連接，不管是直接的還是間接的?！吧稀?、“下”、“左”、“右”等僅用于表示相對位置關(guān)系，當(dāng)被描述對象的絕對位置改變后，則該相對位置關(guān)系也可能相應(yīng)地改變。

在顯示基板的制備過程中，外圍引線區(qū)域中信號線上方的彩膜基板玻璃會被切割掉，從而將外圍引線區(qū)中的例如信號線等電路暴露出來。信號線可以起到控制顯示面板中開關(guān)元件例如TFT的開關(guān)和像素電極充電等的作用。但是在切割工藝中，除了被切割掉的彩膜基板可能會掉落在引線區(qū)上之外，還例如會產(chǎn)生一些碎屑，而信號線上方通常只設(shè)置有鈍化層，防護(hù)作用較弱，所以例如掉落的彩膜基板或碎屑等外物可能將信號線劃傷或刮斷，從而造成產(chǎn)品顯示不良等問題。

圖1為一種顯示基板引線區(qū)的橫截面結(jié)構(gòu)示意圖。如圖1所示，信號線200可以為單層走線例如只包括柵極信號線210，其設(shè)置于襯底基板100上，信號線之上依次設(shè)置有絕緣層110和鈍化層120，其中，柵極信號線210例如為在制備顯示區(qū)中的薄膜晶體管開關(guān)的柵電極時(shí)同時(shí)通過構(gòu)圖工藝形成的。在圖1中，A表示切割工藝進(jìn)行方向，B-B表示切割工藝?yán)绠a(chǎn)生的碎屑的移動方向，因信號線200上只設(shè)置有強(qiáng)度不高的絕緣層110和鈍化層120，碎屑可能會將信號線200劃傷或者割斷。

圖2為另一種顯示基板引線區(qū)的橫截面結(jié)構(gòu)示意圖。如圖2所示，信號線200可以為雙層走線例如包括柵極信號線210和數(shù)據(jù)信號線220，其設(shè)置于襯底基板100上，信號線之上設(shè)置有絕緣層110和鈍化層120，數(shù)據(jù)信號線220上設(shè)置有鈍化層120，而且因?yàn)閿?shù)據(jù)信號線220與柵極信號線210之間設(shè)置有絕緣層110，在襯底基板100上數(shù)據(jù)信號線220的高度例如通常會大于柵極信號線210的高度，例如可以高出220納米左右，其中，柵極信號線210例如為在制備顯示區(qū)中的薄膜晶體管開關(guān)的柵電極時(shí)同時(shí)通過構(gòu)圖工藝形成；數(shù)據(jù)信號線220例如為在制備顯示區(qū)中的薄膜晶體管開關(guān)的源漏電極層時(shí)同時(shí)進(jìn)行構(gòu)圖工藝形成。在圖2中，A表示切割工藝進(jìn)行方向，B-B表示切割工藝?yán)绠a(chǎn)生的碎屑的移動方向，信號線200上只設(shè)置有強(qiáng)度不高的絕緣層110和鈍化層120，其中數(shù)據(jù)信號線220高于柵極信號線210而且其上甚至只設(shè)置有鈍化層120，信號線200例如其中的數(shù)據(jù)信號線220更容易被劃傷。

需要說明的是，在本公開所提及的內(nèi)容中，高度是以襯底基板為參照物的，某一項(xiàng)的高度為其遠(yuǎn)離襯底基板的表面至襯底基板的垂直距離，并不等同于其本身厚度。以圖2中所示的數(shù)據(jù)信號線220為例，其高度為其遠(yuǎn)離襯底基板100的表面至襯底基板100的垂直距離，在此情況下，其高度為絕緣層110的厚度與其本身厚度之和。

本公開的至少一個(gè)實(shí)施例提供了一種顯示基板及其制備方法、顯示面板以解決以上問題。該顯示基板包括襯底基板、設(shè)置于襯底基板上的顯示區(qū)和位于顯示區(qū)外圍的引線區(qū)，其中，引線區(qū)包括至少一個(gè)信號線和沿信號線設(shè)置的至少一個(gè)虛設(shè)線，虛設(shè)線遠(yuǎn)離襯底基板的表面與襯底基板之間的距離大于信號線遠(yuǎn)離襯底基板的表面與襯底基板之間的距離，即例如等同于在襯底基板上虛設(shè)線的高度大于信號線的高度。在進(jìn)行例如切割工藝過程中，因虛設(shè)線高度大于信號線的高度，并且其沿著信號線設(shè)置，所以切割過程中例如產(chǎn)生的碎屑優(yōu)先切割虛設(shè)線，之后例如碎屑的動能被釋放，不能對信號線構(gòu)成破壞，從而對實(shí)現(xiàn)信號線的防護(hù)。

本公開的一實(shí)施例提供了一種顯示基板，圖3為本公開一實(shí)施例提供的一種顯示基板引線區(qū)結(jié)構(gòu)的俯視圖。在本實(shí)施例中，例如，如圖3所示，在該顯示基板的引線區(qū)中，其包括至少一個(gè)信號線200(例如柵極信號線210)和沿信號線200設(shè)置的至少一個(gè)虛設(shè)線300。虛設(shè)線300例如可以設(shè)置于相鄰的信號線200之間且其高度大于信號線200。此時(shí)，虛設(shè)線300會優(yōu)先被切割。

沿信號線設(shè)置的虛設(shè)線不限于例如與信號線平行設(shè)置，例如其還可以為沿信號線分布并與信號線交叉設(shè)置的多線段，或者在信號線之上或相鄰信號線之間多點(diǎn)分布的柱狀結(jié)構(gòu)等；虛設(shè)線也不限于為線段分布，例如還可以為連續(xù)的線或點(diǎn)狀分布等。只要虛設(shè)線設(shè)置于信號線的臨近處，并且其高度大于相鄰的信號線并能夠?qū)εc其相鄰的信號線起到保護(hù)即可達(dá)到同樣的技術(shù)效果。

例如，在本公開的實(shí)施例中，信號線中的至少一個(gè)的至少一部分設(shè)置為具有至少兩個(gè)分支走線，該分支走線的兩個(gè)端部之間分別相連且除端部之外的部分彼此間隔，虛設(shè)線中的至少一部分位于相鄰的分支走線之間。示例性的，信號線的分支走線為兩條，兩條分支走線的兩個(gè)端點(diǎn)(信號線分離為分支走線的分離點(diǎn)和分支走線合并為一條信號線的合并點(diǎn))之間彼此相連，但是分支走線的除端點(diǎn)之外的其它部分彼此不相連例如兩個(gè)分支走線之間存在間隔區(qū)域，虛設(shè)線的一部分設(shè)置在此間隔區(qū)域以對兩個(gè)分支走線進(jìn)行保護(hù)。

在本公開實(shí)施例提供的顯示基板中，圖4為本公開一實(shí)施例提供的另一種顯示基板引線區(qū)結(jié)構(gòu)的俯視圖。例如，如圖4所示，信號線200中至少一個(gè)的至少一部分具有至少兩個(gè)分支走線。該具有分支走線的部分可以設(shè)置為回型結(jié)構(gòu)，在回型結(jié)構(gòu)處，信號線200為雙走線，部分虛設(shè)線300設(shè)置于回型信號線200之中。例如，該回型結(jié)構(gòu)可以設(shè)置于信號線200容易被切割的位置，例如在信號線200中回字型結(jié)構(gòu)處的一個(gè)走線被切傷或切斷后，另一個(gè)走線依然可以保持信號線200的連通。其中，在易被切割處，信號線200不限于如圖4所示的設(shè)計(jì)為回字型結(jié)構(gòu)，例如將該處的信號線200加寬，同時(shí)例如可以將部分虛設(shè)線300設(shè)置于被加寬的信號線200上，也可以取得相同的技術(shù)效果。

需要說明的是，例如以設(shè)置有分支走線的信號線的分支走線的數(shù)量為兩個(gè)為例，該兩個(gè)分支走線構(gòu)成的例如回型結(jié)構(gòu)的回型圖案可以為方形或圓形等結(jié)構(gòu)，只要該回型圖案可以具有至少兩個(gè)并列的走線以使得虛設(shè)線的一部分設(shè)置于回型走線的回型圖案中間即可取得對該部分走線保護(hù)的技術(shù)效果。

需要說明的是，在本公開實(shí)施例提供的顯示基板中，如圖3和圖4所示為本公開實(shí)施例中信號線和虛設(shè)線的設(shè)置方式，其中信號線為單層走線，即例如只有柵極信號線。但本領(lǐng)域技術(shù)人員需要理解的是，在其信號線例如為包括柵極信號線和數(shù)據(jù)信號線的雙層走線的情況下，如圖3和圖4所對應(yīng)實(shí)施例中的信號線和虛設(shè)線的設(shè)置方式也同樣適用。

例如，在本公開提供的實(shí)施例中，顯示區(qū)包括設(shè)置于襯底基板上的柵電極層、有源層、源漏電極層和像素電極層中的至少一個(gè)，顯示區(qū)中的柵電極層、有源層、源漏電極層和像素電極層皆在襯底基板上通過構(gòu)圖工藝形成。

例如，在本公開實(shí)施例提供的顯示基板中，虛設(shè)線與有源層、像素電極層和源漏電極層中的至少一個(gè)為同層且彼此絕緣。

例如，在本公開實(shí)施例的一個(gè)示例中，該信號線為單層走線，圖5為本公開一實(shí)施例提供的一種顯示基板引線區(qū)的橫截面結(jié)構(gòu)示意圖。例如如圖5所示，襯底基板100上依次設(shè)置有信號線200、虛設(shè)線300，其中該信號線200例如可以為柵極信號線210，柵極信號線210可在通過構(gòu)圖工藝形成柵電極的過程中同時(shí)形成。其中，虛設(shè)線300可以設(shè)置于相鄰的信號線200之間，也可以設(shè)置于信號線200之上。

例如，在本示例中，如圖5所示，虛設(shè)線300中的第一虛設(shè)線310可以與顯示區(qū)中的有源層為同層且彼此絕緣的結(jié)構(gòu)。例如，可以在襯底基板100上通過構(gòu)圖工藝制備有源層的同時(shí)形成第一虛設(shè)線310，第一虛設(shè)線310的材料例如可以與有源層相同。

例如，在本示例中，如圖5所示，虛設(shè)線300中的第二虛設(shè)線310可以與顯示區(qū)中的像素電極層為同層且彼此絕緣的結(jié)構(gòu)。例如，可以在襯底基板100上通過構(gòu)圖工藝制備像素電極層的同時(shí)，同時(shí)形成第二虛設(shè)線320，第二虛設(shè)線320的材料例如可以與像素電極層相同。

例如，在本示例中，如圖5所示，虛設(shè)線300中的第三虛設(shè)線310可以與顯示區(qū)中的源漏電極層為同層且彼此絕緣的結(jié)構(gòu)。例如，可以在襯底基板100上通過構(gòu)圖工藝制備源漏電極層的同時(shí)形成第三虛設(shè)線330，第三虛設(shè)線330的材料例如可以與源漏電極層相同。

需要說明的是，在本公開提供的所有實(shí)施例中，虛設(shè)線可以包括第一虛設(shè)線、第二虛設(shè)線和第三虛設(shè)線中的一種，也可以為其中任意的組合，只要可以使得虛設(shè)線的高度在信號線之上，即可起到保護(hù)信號線的技術(shù)效果。

例如，在本公開實(shí)施例的一個(gè)示例中，該信號線為雙層走線，圖6a為本公開一實(shí)施例提供的另一種顯示基板引線區(qū)的橫截面結(jié)構(gòu)示意圖。例如如圖6a所示，襯底基板100上依次設(shè)置有信號線200、虛設(shè)線300，其中該信號線200例如可以包括柵極信號線210和數(shù)據(jù)信號線220，柵極信號線210可在通過構(gòu)圖工藝形成柵電極的過程中同時(shí)形成，數(shù)據(jù)信號線220可在通過構(gòu)圖工藝形成源漏電極層的過程中同時(shí)形成，因形成的順序不同，數(shù)據(jù)信號線220通常形成在柵極信號線210之上，并且例如可以形成在相鄰的柵極信號線210之間，并且其高度大于柵極信號線210。虛設(shè)線300例如可以設(shè)置于柵極信號線210之上，只要保證虛設(shè)線300的高度大于數(shù)據(jù)信號線220即可。

例如，在本示例中，如圖6a所示，虛設(shè)線300中的第一虛設(shè)線310可以與顯示區(qū)中的有源層為同層且彼此絕緣的結(jié)構(gòu)。例如，可以在襯底基板100上通過構(gòu)圖工藝制備有源層的同時(shí)形成第一虛設(shè)線310，第一虛設(shè)線310的材料例如可以與有源層相同。

例如，在本示例中，如圖6a所示，虛設(shè)線300中的第二虛設(shè)線310可以與顯示區(qū)中的像素電極層為同層且彼此絕緣的結(jié)構(gòu)。例如，可以在襯底基板100上通過構(gòu)圖工藝制備像素電極層的同時(shí)，同時(shí)形成第二虛設(shè)線320，第二虛設(shè)線320的材料例如可以與像素電極層相同。

例如，在本實(shí)施例提供的以上所有示例中，虛設(shè)線中的例如第一虛設(shè)線例如可以與顯示區(qū)中的有源層材料相同。例如，形成該有源層的材料包括非晶硅、多晶硅、氧化銦鎵鋅(IGZO)、氧化銦鋅(IZO)、氧化鋅(ZnO)、氧化鎵鋅(GZO)等金屬氧化物等。

例如，在本實(shí)施例提供的以上所有示例中，虛設(shè)線中的例如第二虛設(shè)線例如可以與顯示區(qū)中的像素電極相同，可以采用透明導(dǎo)電材料形成或金屬材料形成，例如，形成該像素電極的材料可以包括氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)、氧化銦鎵(IGO)、氧化鎵鋅(GZO)氧化鋅(ZnO)、氧化銦(In₂O₃)、氧化鋁鋅(AZO)和碳納米管等。

例如，在本實(shí)施例提供的以上所有示例中，虛設(shè)線中的例如第三虛設(shè)線或者數(shù)據(jù)信號線例如可以與顯示區(qū)中的源漏電極層材料相同。例如，源漏電極層可以為金屬材料，可以形成單層或多層結(jié)構(gòu)，例如，形成為單層鋁結(jié)構(gòu)、單層鉬結(jié)構(gòu)、或者由兩層鉬夾設(shè)一層鋁的三層結(jié)構(gòu)。

例如，在本實(shí)施例提供的以上所有示例中，如圖5和圖6a所示，顯示基板還包括設(shè)置于襯底基板100和虛設(shè)線300之間的絕緣層110。例如，該絕緣層110可以為柵絕緣層，即在形成顯示區(qū)薄膜晶體管的的柵絕緣層的過程中，在引線區(qū)的襯底基板100的柵極信號線210上也同時(shí)形成一層?xùn)沤^緣層。例如，形成柵絕緣層的材料可以包括氮化硅(SiNx)、氧化硅(SiOx)、氧化鋁(Al₂O₃)、氮化鋁(AlN)或其他適合的材料等。

例如，在本實(shí)施例提供的以上所有示例中，如圖5和圖6a所示，顯示基板還可以包括設(shè)置于所述襯底基板100上的鈍化層120，該鈍化層120設(shè)置于信號線200以及虛設(shè)線300之上。例如，該鈍化層120的制備材料可以包括氮化硅(SiNx)或者氧化硅(SiOx)等。

需要說明的是，虛設(shè)線的組成不限于上述實(shí)施例中所提及的組合方式，也可以由其它方式所替代，只要形成的虛設(shè)線具有一定的強(qiáng)度并且高度大于信號線，即可取得保護(hù)虛設(shè)線的技術(shù)效果。

例如，在本公開實(shí)施例提供的一個(gè)示例中，圖6b為本公開一實(shí)施例提供的另一種顯示基板引線區(qū)的橫截面結(jié)構(gòu)示意圖。例如信號線為雙層走線時(shí)，例如如圖6b所示，設(shè)置有虛設(shè)線300和信號線100的襯底基板上設(shè)置一電極層1000，柵極信號線210上例如設(shè)置有第一虛設(shè)線210、第二虛設(shè)線320以及電極層1000，數(shù)據(jù)信號線220上例如設(shè)置有電極層1000。柵極信號線210處的電極層1000的高度大于數(shù)據(jù)信號線220處的電極層1000的高度。當(dāng)有例如碎屑等外物作用在數(shù)據(jù)信號線220處的電極層1000上時(shí)，因電極層1000的表面比較光滑，外物會滑至旁邊的更高的位置例如柵極信號線210處的電極層1000處，外物的動能例如劃傷力在此釋放，而不會對高層的數(shù)據(jù)信號線220造成傷害。

需要說明的是，電極層的設(shè)置不限于如圖6b所示的信號線為雙層走線的情況，當(dāng)信號線為單層走線時(shí)，也可以設(shè)置電極層以對信號線進(jìn)行防護(hù)；電極層還不限于在虛設(shè)線以及信號線上都設(shè)置，也可以只設(shè)置于數(shù)據(jù)信號線之上以對數(shù)據(jù)信號線進(jìn)行保護(hù)；虛設(shè)線也不限于只包括第一虛設(shè)線和第二虛設(shè)線，其還可以包括第一虛設(shè)線、第二虛設(shè)線和第三虛設(shè)線中的任意一種或組合。

電極層例如可以采用透明導(dǎo)電材料形成或金屬材料形成，例如，形成該像素電極的材料可以包括氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)、氧化銦鎵(IGO)、氧化鎵鋅(GZO)氧化鋅(ZnO)、氧化銦(In₂O₃)、氧化鋁鋅(AZO)和碳納米管等，其中例如氧化銦錫(ITO)的表面光滑，可以起到使外物例如碎屑滑動的作用。

例如，在本公開實(shí)施例中的一個(gè)示例中，例如信號線為單層走線的情況下，圖7為本公開一實(shí)施例提供的另一種顯示基板引線區(qū)結(jié)構(gòu)的橫截面結(jié)構(gòu)示意圖。例如如圖7所示，虛設(shè)線300可以只包括一層第三虛設(shè)線330，第三虛設(shè)線330的結(jié)構(gòu)與源漏電極層相同，具有一定的結(jié)構(gòu)強(qiáng)度，可以對柵極信號線210進(jìn)行保護(hù)。

虛設(shè)線不限于只有一種設(shè)置方式，例如可以設(shè)置于相鄰信號線之間，也可以設(shè)置于信號線之上，還可以兩種設(shè)置方式兼有。

例如，在本公開實(shí)施例中的一個(gè)示例中，例如信號線為雙層走線的情況下，圖8為本公開一實(shí)施例提供的另一種顯示基板引線區(qū)結(jié)構(gòu)的橫截面結(jié)構(gòu)示意圖。例如如圖8所示，虛設(shè)線300可以只包括一層第三虛設(shè)線330，例如第三虛設(shè)線330和數(shù)據(jù)信號線220的結(jié)構(gòu)可以與源漏電極層相同，具有一定的結(jié)構(gòu)強(qiáng)度，其中數(shù)據(jù)信號線220設(shè)置于相鄰的柵極信號線210之間，第三虛設(shè)線330設(shè)置于柵極信號線210之上，第三虛設(shè)線330的高度在數(shù)據(jù)信號線220之上，并且柵極信號線210位于第三虛設(shè)線330之下，所以第三虛設(shè)線330的設(shè)置可以對信號線200進(jìn)行保護(hù)。

在如圖8所示的本示例中，虛設(shè)線300只包括第三虛設(shè)線330，與圖6a所示示例的虛設(shè)線300的設(shè)置方式相比較，采用第三虛設(shè)線330代替第一虛設(shè)線310和第二虛設(shè)線320的設(shè)置，但是本領(lǐng)域技術(shù)人員可以理解的是，第三虛設(shè)線330也可以設(shè)置于如圖6a所示示例中的第一虛設(shè)線310和第二虛設(shè)線320之上，使得虛設(shè)線300例如可以包括第一虛設(shè)線310、第二虛設(shè)線320和第三虛設(shè)線330的三層結(jié)構(gòu)。

本公開的實(shí)施例還提供了一種顯示基板的制備方法，該制備方法包括提供襯底基板，該襯底基板包括顯示區(qū)和位于顯示區(qū)外圍的引線區(qū)；在引線區(qū)中的襯底基板上依次形成至少一個(gè)信號線和至少一個(gè)虛設(shè)線；其中，虛設(shè)線沿著信號線形成，虛設(shè)線遠(yuǎn)離襯底基板的表面高度大于信號線遠(yuǎn)離襯底基板的表面高度。

例如，本公開實(shí)施例提供的制備方法，還包括在顯示區(qū)的襯底基板上形成柵電極層、有源層、源漏電極層和像素電極層中的至少一個(gè)。

例如，在本公開實(shí)施例提供的制備方法中，虛設(shè)線與有源層、像素電極層和源漏電極層中的至少一個(gè)或組合為同層或同時(shí)形成。

例如，本公開實(shí)施例提供的制備方法，還包括在形成柵電極層和源漏電極層中的至少一個(gè)的同時(shí)形成與柵電極層同層設(shè)置并電連接的柵極信號線和與源漏電極層同層設(shè)置并電連接的數(shù)據(jù)信號線中的至少一個(gè)。

例如，本公開實(shí)施例提供的制備方法，還包括在虛設(shè)線和信號線之間形成絕緣層。

例如，在本公開實(shí)施例提供的制備方法中，虛設(shè)線形成在信號線之上，或者虛設(shè)線形成在相鄰的信號線之間。

在本公開實(shí)施例提供的顯示基板中，在顯示基板的引線區(qū)設(shè)置高度比信號線的高度大的虛設(shè)線，從而緩解或避免了信號線被劃傷的問題。另外，虛設(shè)線可以與顯示基板的其他層(例如薄膜晶體管中的各層結(jié)構(gòu))采用同一材料并在同一工藝步驟中形成，因此，也不會增加額外的工藝步驟。

該實(shí)施例的信號線可以為上述實(shí)施例中提供的單層走線或雙層走線，為方便理解，本實(shí)施例分別提供此兩種情況下顯示基板的制備過程的示例。需要說明的是，示例中提供的虛設(shè)線僅為上述實(shí)施例中提供的多種虛設(shè)線組合方式中的其中一種，但是本領(lǐng)域技術(shù)人員需要理解的是，其它設(shè)置方式下的虛設(shè)線同樣適用于示例中提供的制備方法。

需要說明的是，因?yàn)橐€區(qū)中的例如信號線和虛設(shè)線等的結(jié)構(gòu)與顯示區(qū)中的薄膜晶體管的一些結(jié)構(gòu)例如柵電極、有源層、像素電極層和源漏電極層等是同時(shí)形成的，所以在下述的制備過程中，雖未示出顯示區(qū)中的相應(yīng)薄膜晶體管的各結(jié)構(gòu)制備過程，但是可以用薄膜晶體管各結(jié)構(gòu)的形成過程來表述引線區(qū)中顯示基板的制備過程。例如在襯底基板(或顯示區(qū))上形成柵電極層薄膜等同于在引線區(qū)的顯示基板上也形成有柵電極層薄膜，對其經(jīng)構(gòu)圖處理后形成柵電極(顯示區(qū)中)和柵極信號線(引線區(qū)中)，但在該示例中僅表述引線區(qū)顯示基板版制備過程，所以此形成過程僅表達(dá)為形成柵極信號線。

例如，本實(shí)施例中的一個(gè)示例提供信號線為單層走線情況下的顯示基板的制備過程。參照圖9a～9f，本示例中的顯示基板的制備過程包括如下步驟。

如圖9a所示，提供襯底基板100，并在所述襯底基板100上沉積一層?xùn)烹姌O層薄膜，通過對該柵電極層薄膜進(jìn)行構(gòu)圖工藝處理以形成柵極信號線210，該柵極信號線210作為信號線200。

在本實(shí)施例中，構(gòu)圖工藝?yán)缈梢詾楣饪虡?gòu)圖工藝，其例如可以包括：在需要被構(gòu)圖的結(jié)構(gòu)層上涂覆光刻膠層，使用掩膜板對光刻膠層進(jìn)行曝光，對曝光的光刻膠層進(jìn)行顯影以得到光刻膠圖案，使用光刻膠圖案對結(jié)構(gòu)層進(jìn)行蝕刻，然后可選地去除光刻膠圖案。

如圖9b所示，在形成有柵極信號線210的襯底基板上沉積一層絕緣層110。

如圖9c所示，在絕緣層110上形成一層有源層薄膜，并對其進(jìn)行構(gòu)圖工藝處理以形成第一虛設(shè)線310，該第一虛設(shè)線310例如可以形成于相鄰的柵極信號線210之間。例如，該第一虛設(shè)線310還可以形成在柵極信號線210之上。

如圖9d所示，在形成有第一虛設(shè)線310的襯底基板100上沉積一層像素電極層薄膜并對其進(jìn)行構(gòu)圖工藝處理以形成第二虛設(shè)線320，該第二虛設(shè)線320位于第一虛設(shè)線310之上。

如圖9e所示，在形成有第二虛設(shè)線320的襯底基板100上沉積一層源漏電極層薄膜并對其進(jìn)行構(gòu)圖工藝處理以形成第三虛設(shè)線330，該第三虛設(shè)線330位于第二虛設(shè)線320之上。

如圖9f所示，在形成有第三虛設(shè)線330的襯底基板100上沉積一層鈍化層120。

例如，本實(shí)施例中的另一個(gè)示例提供信號線為雙層走線情況下的顯示基板的制備過程。參照圖10a～10f，本示例中的顯示基板的制備過程包括如下步驟。

如圖10a所示，提供襯底基板100，并在所述襯底基板100上沉積一層?xùn)烹姌O層薄膜，通過對該柵電極層薄膜進(jìn)行構(gòu)圖工藝處理以形成柵極信號線210，該柵極信號線210作為信號線200的其中一層走線。

如圖9b所示，在形成有柵極信號線210的襯底基板上沉積一層絕緣層110。

如圖9c所示，在絕緣層110上形成一層有源層薄膜，并對其進(jìn)行構(gòu)圖工藝處理以形成第一虛設(shè)線310，該第一虛設(shè)線310例如可以形成在柵極信號線210之上。

如圖9d所示，在形成有第一虛設(shè)線310的襯底基板100上沉積一層像素電極層薄膜并對其進(jìn)行構(gòu)圖工藝處理以形成第二虛設(shè)線320，該第二虛設(shè)線320位于第一虛設(shè)線310之上。

如圖9e所示，在形成有第二虛設(shè)線320的襯底基板100上沉積一層源漏電極層薄膜并對其進(jìn)行構(gòu)圖工藝處理以形成數(shù)據(jù)信號線220，該數(shù)據(jù)信號線220例如可以位于相鄰的柵極信號線210之間，該數(shù)據(jù)信號線220作為信號線200的其中另一層走線。

如圖9f所示，在形成有第三虛設(shè)線330的襯底基板100上沉積一層鈍化層120。

由以上兩個(gè)示例可以看出，本實(shí)施例提供的顯示基板的制備方法，其步驟與常規(guī)的顯示基板制備過程相同，在不改變現(xiàn)有工藝流程的情況下并不會增加例如構(gòu)圖等工藝的步驟數(shù)量即可形成對信號線具有保護(hù)作用的虛設(shè)線。

需要說明的是，在本公開提供的實(shí)施例中，顯示區(qū)的薄膜晶體管以底柵型結(jié)構(gòu)為例進(jìn)行解釋，則虛設(shè)線中的各層形成順序則參照底柵型薄膜晶體管中各層的制備順序。但是薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)還可以例如為頂柵型結(jié)構(gòu)，在此情況下，虛設(shè)線中的各層形成順序則還可以參照底柵型薄膜晶體管中各層的制備順序。即虛設(shè)線中的第一虛設(shè)線、第二虛設(shè)線和第三虛設(shè)線的疊置順序不是固定的，其疊置層數(shù)也不是固定的，只要虛設(shè)線的高度大于信號線的高度即可取得保護(hù)信號線的技術(shù)效果。

本公開至少一實(shí)施例提供了一種顯示面板，包括上述任一實(shí)施例中所述的顯示基板。例如，該顯示面板還包括與顯示基板對盒設(shè)置的彩膜基板，其中，引線區(qū)位于襯底基板和彩膜基板之間，彩膜基板配置為切割后暴露出該引線區(qū)。

本公開的一實(shí)施例提供了一種顯示面板，圖11為本公開一實(shí)施例提供的一種顯示面板的局部橫截面結(jié)構(gòu)示意圖。例如如圖11所示，顯示面板包括顯示基板1、彩膜基板2和將該顯示基板1與彩膜基板2對盒設(shè)置的封框膠6，該顯示基板1包括顯示區(qū)3和外圍區(qū)4，外圍區(qū)4中包括引線區(qū)5以及其它周邊區(qū)域，封框膠6設(shè)置在顯示區(qū)3與外圍區(qū)4之間。

在顯示面板的制備工藝過程中，需要沿切割線A將彩膜基板2切割以暴露出引線區(qū)5。但是在切割過程中，彩膜基板2的被切割掉的部分易落在顯示基板1上，并且在切割過程中也會產(chǎn)生很多碎屑，如此會很容易導(dǎo)致引線區(qū)5上的電路劃傷，本實(shí)施例中的顯示基板的引線區(qū)中設(shè)置有虛設(shè)線(圖中未示出)，可以對其中的電路例如信號線等進(jìn)行保護(hù)，以免因電路劃傷導(dǎo)致的顯示面板電路缺陷而導(dǎo)致的顯示不良。

該顯示面板的一個(gè)示例為液晶顯示面板，包括顯示基板和例如彩膜基板，二者彼此對置以形成液晶盒，在液晶盒中填充有液晶材料。顯示基板的每個(gè)像素單元的像素電極用于施加電場對液晶材料的旋轉(zhuǎn)的程度進(jìn)行控制從而進(jìn)行顯示操作。

該顯示面板的另一個(gè)示例為有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯示面板，其中，顯示基板上形成有機(jī)發(fā)光材料的疊層，每個(gè)像素單元的像素電極作為陽極或陰極用于驅(qū)動有機(jī)發(fā)光材料發(fā)光以進(jìn)行顯示操作。

該顯示面板的再一個(gè)示例為電子紙顯示面板，其中，顯示基板上形成有電子墨水層，每個(gè)像素單元的像素電極作為用于施加驅(qū)動電子墨水中的帶電微顆粒移動以進(jìn)行顯示操作的電壓。

對于本公開，還有以下幾點(diǎn)需要說明：

(1)本公開實(shí)施例附圖只涉及到與本公開實(shí)施例涉及到的結(jié)構(gòu)，其他結(jié)構(gòu)可參考通常設(shè)計(jì)。

(2)為了清晰起見，在用于描述本公開的實(shí)施例的附圖中，層或區(qū)域的厚度被放大或縮小，即這些附圖并非按照實(shí)際的比例繪制。

(3)在不沖突的情況下，本公開的實(shí)施例及實(shí)施例中的特征可以相互組合以得到新的實(shí)施例。

以上所述，僅為本公開的具體實(shí)施方式，但本公開的保護(hù)范圍并不局限于此，本公開的保護(hù)范圍應(yīng)以所述權(quán)利要求的保護(hù)范圍為準(zhǔn)。