本發(fā)明通常涉及一種集成電路(ic)器件的設(shè)計及制造。本發(fā)明特別適用于28納米(nm)及其上下的技術(shù)節(jié)點的ic器件中的集成高頻諧振體晶體管(rbt)。

背景技術(shù)：

一般而言，ic器件利用不同頻率源來產(chǎn)生該ic器件中不同邏輯及/或模擬電路所使用的時鐘信號。高質(zhì)量(high-q)濾波器可用于通過將振蕩器整合至具有提供適當增益的放大器的一正反饋回路中以產(chǎn)生振蕩。這些振蕩器是用于通訊系統(tǒng)以及模擬電子中的必不可少的一信號源。它們也可以被用于作為數(shù)字電子的一時鐘源。高質(zhì)量濾波器還可用于在通訊系統(tǒng)中選擇特定的頻段與信道，消除干擾，及抑制寄生傳輸，以及許多其他的用途。濾波器的質(zhì)量因子q值越高，其對于不同信號與頻段所提供的選擇越好，以及由這些濾波器所構(gòu)建的振蕩器的相位噪聲和抖動也越低。然而，在千兆赫(ghz)頻段甚至10ghz頻段范圍下呈現(xiàn)高質(zhì)量濾波器的設(shè)計是非常具有挑戰(zhàn)性的。此外，在芯片(chip)上完成系統(tǒng)整合已成為滿足日益增加的減少電子系統(tǒng)尺寸、重量以及功耗的需求的唯一方式。

從cmos金屬層建構(gòu)電感以允許生成芯片上lc諧振電路。這些都是單片集成電諧振器，并可輕易地實現(xiàn)10ghz的頻率。然而，他們會受到低質(zhì)量因子(q值小于50)以及電損耗較高的困擾。此外，芯片上電感通常會占據(jù)大的裸片(die)面積而無法安置其他的器件，導致了整體系統(tǒng)成本的增加。石英晶體以其高質(zhì)量的因子(q值～10⁵)、低插入損耗以及低溫系數(shù)，占據(jù)了半個世紀以來的高精度振蕩器市場。然而，石英晶體被限制于幾百兆赫的頻率，且難以擴展到千兆赫的頻率。由于不兼容的制造工藝，它們在cmos集成電路中的整合已被證明是非常具有挑戰(zhàn)性的。

在cmos集成電路中用于濾波器應(yīng)用的機械諧振器的單片集成是過去30年來多個研究工作中的重點。依靠機械諧振器的濾波器在電氣化lc諧振電路上顯示了優(yōu)越的性能。微電子機械系統(tǒng)(mems)諧振器因其所具有的高品質(zhì)因子，這些高品質(zhì)因子通常超過10⁴，小尺寸(小于芯片上lc諧振電路1000倍)以及與cmos電路整合的能力，從而使其成為一個潛在的解決方案以解決當前時間及rf挑戰(zhàn)性的需求。mems器件以及諧振器通常包括移動的表面。這些表面中的一些必須是自由的邊界，且往往是整個mems器件必須被掛起。因此mems器件通常包括犧牲層以用于支持在制造過程中的器件，然后該犧牲層在一釋放制程中被蝕刻以生成一自由掛起的器件。用于在cmos制程中集成mems諧振器的多種方案包括先mems，后mems，ic上mems以及cmos-mems均是可用的。該先mems技術(shù)為該mems器件在該cmos電路之前先被制造并在該cmos電路工藝的期間受到鈍化層的保護。當cmos工藝完成，該mems器件被暴露并采用蝕刻該犧牲層予以釋放。該后mems技術(shù)依賴于先制造該cmos電路。當該cmos電路制造完成，其在制造該mems器件時被鈍化并受到保護，然后釋放該mems器件以生成該所需的自由掛起結(jié)構(gòu)。在上述兩項技術(shù)中，該mems器件最終會損耗有價值的cmos面積。

ic上mems技術(shù)依賴于在已完成的cmos裸片的頂部生長該mems器件，其次是該必要的釋放步驟。在上述所有技術(shù)中，該順序處理的mems與cmos總是導致一個或另一個的一有限的熱預算。同時，該cmos或mems的產(chǎn)量可能因為該額外的處理而受到明顯的損害。cmos-mems器件是指通過圖案化以及蝕刻已完成cmos裸片的后段工藝(beol)層所形成的器件。該cmos-mems后段工藝制造技術(shù)已被成功應(yīng)用于低兆赫范圍內(nèi)的mems諧振器。由于需要更小的尺寸，而該cmos后段工藝處理相較于前段工藝(feol)處理通常具有較大的臨界尺寸(cd)，因此擴展到千兆赫的頻率是一個挑戰(zhàn)。cmos-mems后段工藝器件通常包含有該后段工藝(beol)臨界尺寸所定的較大的氣隙(airgap)，其要求提供該mems器件提供更高的工作電壓(10伏)，并使與cmos電路的接口更為復雜。

薄膜體聲波諧振器(fbar)是另一種mems諧振器的變種，其被廣泛地采用作為射頻工業(yè)的濾波器。fbar提供高質(zhì)量和低插入功耗，但由于他們屬于厚型器件，因此它們的共振頻率是由層厚所決定。這限制了他們在與cmos集成時每一晶圓(wafer)的單一頻率的應(yīng)用。

一些ic器件可使用諧振體晶體管作為一芯片上頻率源，該芯片上頻率源可提供更高頻率以及更低相位噪聲以改進傳統(tǒng)例如電感電容(lc)諧振、石英晶體、或fbar的解決方案。cmos諧振體晶體管是未釋放的mems諧振器，其作為該cmos前段工藝以及后段工藝中一不可或缺的一部分，沒有任何額外的釋放或鈍化步驟。它們就像cmos工藝中的任意常規(guī)的場效應(yīng)晶體管(fet)進行制作。隨著一釋放步驟以及額外的后處理的不足，cmos諧振體晶體管不會影響該cmos工藝或該諧振體晶體管本身的產(chǎn)量。同時，作為無空隙的未釋放器件，它們固有地封裝于該cmos裸片中，且無需任何特殊封裝或密封處理。cmos諧振體晶體管包含一位于該cmos工藝的該feol(前段工藝)層中的機械諧振腔。該諧振體晶體管(rbt)諧振腔是從頂部通過該cmos制程的金屬以及介電beol(后段工藝)層所形成的一維(1d)、二維(2d)或三維(3d)聲子晶體(pnc)所定義。該cmos塊體晶圓的全內(nèi)反射用于從該底部達成能量約束，其連同該pnc定義出該腔體的垂直尺寸。圖案化feol(前段工藝)層用于建構(gòu)平面反射(in-planereflector)以實現(xiàn)橫向能量約束并定義該水平腔體的尺寸。cmos諧振體晶體管利用來自該cmos技術(shù)的一常規(guī)的fet用于有源fet檢測。該聲波諧振腔內(nèi)的機械應(yīng)力調(diào)節(jié)該fet通道的流動性，以于該fet適當?shù)募右云脮r，該外部電路中有一小的信號電流。

然而，目前的諧振體晶體管使用電容驅(qū)動以及感測方法以產(chǎn)生需要通過一跨阻放大器放大的弱頻(例如1微西門子(micro-siemens；μs))信號從而獲取一振動/時鐘信號。cmos諧振體晶體管通過適用于cmos前段工藝中的mos電容器(或作為電容器的常規(guī)fet)的幫助進行靜電驅(qū)動。該mos電容器上的電荷調(diào)制(通過該柵極電壓)產(chǎn)生由這些電荷引起的該靜電電壓的一個調(diào)制，并在該機構(gòu)中引起機械應(yīng)力。cmos諧振體晶體管受益于該cmos的前段工藝所適用的小臨界尺寸和固有的可擴展到千兆赫頻率。cmos諧振體晶體管還可小至比幾微米還小的尺寸，因此他們無需占用昂貴的裸片面積。隨著該cmos諧振體晶體管可直接適用于該cmos裸片的前段工藝中，相較于其他的集成方案，至cmos電路的互連寄生是極小的。然而，減少/防止該聲能量傳播到該ic器件的不同部分(例如基板)的方法可能會限制可由該諧振體晶體管所產(chǎn)生的不同頻率的信號的極限可用性。

因此，需要一種方法以利用諧振體晶體管生成并感測一ic器件及由此生成的器件中的高質(zhì)量因子(q值)的更高頻率的信號。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本發(fā)明的一個方面為提供一種方法，能利用壓電材料作為一ic器件中rbt中的一柵極介電質(zhì)，以生成并感測高質(zhì)量的更高頻率的信號。

本發(fā)明的另一方面為提供一ic器件，其包括壓電材料在rbt中作為一柵極介電質(zhì)以生成并感測高質(zhì)量的更高頻率的信號。

本發(fā)明的附加方面以及其他特征將在以下的說明書中予以描述，其中部分內(nèi)容為根據(jù)以下的說明內(nèi)容，對于本領(lǐng)域的技術(shù)人員而言是顯而易見的，或可從本發(fā)明的實踐中所習得。本發(fā)明的優(yōu)點可通過所附的權(quán)利要求書中所特別指出的來實現(xiàn)或獲得。

根據(jù)本發(fā)明的一些技術(shù)功效可以部分通過一種方法來實現(xiàn)，包括：形成包含多個傳感rbt與驅(qū)動rbt的rbt于一半導體層的一上表面上，各該rbt包括一壓電柵極介電層、一柵極、以及位于該壓電柵極介電層的相對側(cè)上與柵極上的一介電間隔，其中，至少一對傳感rbt直接位于兩組驅(qū)動rbt之間；形成通過層間介電層分隔的多層金屬層于該rbt上方；以及形成通孔以通過該rbt上方的一介電層連接該rbt至一金屬層。

一附加方面包括形成一壓電介電層于該半導體層中的源極/漏極(s/d)區(qū)域的上方，并相鄰于各該介電間隔。在一個方面，該金屬層為固體層并形成一一維聲子晶體。

另一方面包括分隔該金屬層以形成一二維聲子晶體。

另一方面包括形成相鄰于該驅(qū)動rbt的一組終端rbt。

一個方面包括連接一直流電壓(dc)至各該傳感rbt的一柵極以于該傳感rbt中形成一反轉(zhuǎn)狀態(tài)；以及連接一直流電壓與一射頻(rf)信號的組合至該傳感rbt的一源極終端、一漏極終端、或上述兩者的組合，其中，該射頻信號的一相位為一相鄰rbt的該射頻信號的一相反相位。

在一方面中，該直流柵極電壓為一n型rbt的一正直流電壓以及一p型rbt的一負直流電壓。

一附加方面包括連接一直流電壓至各該驅(qū)動rbt的一柵極；以及連接一射頻信號至該柵極或至一源極終端、一漏極終端、或上述的組合，其中，該射頻信號的一相位為一相鄰rbt的該射頻信號的一相反相位。

本發(fā)明的另一個方面為提供一種器件，包括：包含多個傳感rbt以及驅(qū)動rbt的rbt，其位于一半導體層的一上表面上，各該rbt包括一壓電柵極介電層、一柵極、以及位于該壓電柵極介電層的相對側(cè)上與柵極上的一介電間隔，其中，至少一對傳感rbt直接位于兩組驅(qū)動rbt之間；多層金屬層，其通過層間介電層分隔并位于該rbt上方；以及通孔，其通過該rbt上方的一介電層連接該rbt至一金屬層。

一個方面包括一壓電介電層，其位于該半導體層中s/d區(qū)域的上方并相鄰于各該介電間隔。另一個方面，該金屬層為固體層并形成一一維聲子晶體。

在一個方面該金屬層是分段的，以形成一二維聲子晶體結(jié)構(gòu)。

另一方面包括相鄰于該驅(qū)動rbt的一組終端rbt。

一附加方面包括一直流柵極電壓，其連接至各該傳感rbt的一柵極以于該傳感rbt中形成一反轉(zhuǎn)狀態(tài)；以及一直流電壓與一射頻信號的組合，其連接至該傳感rbt的一源極終端、一漏極終端、或上述兩者的組合，其中，該射頻信號的一相位為一相鄰rbt的該射頻信號的一相反相位。

在一個方面，該直流柵極電壓為連接至一n型rbt的一正直流電壓源以及連接至一p型rbt的一負直流電壓源。

另一個方面包括一直流電壓，其連接至各該驅(qū)動rbt的一柵極；以及一射頻信號連接，其連接至該柵極或至一源極終端、一漏極終端、或上述的組合，其中，在一差分驅(qū)動操作模式下，該射頻信號的一相位為一相鄰rbt的該射頻信號的一相反相位。

本發(fā)明的附加方面以及技術(shù)效果通過以下詳細描述對本領(lǐng)域技術(shù)人員而言是顯而易見的，于下述的詳細描述中，本發(fā)明的各實施例通過說明最好的模式來實施本發(fā)明的方式予以描述。本發(fā)明可通過其他以及不同的實施例來實現(xiàn)，且其中的一些細節(jié)能在不同的明顯的方面進行修改，這些修改均屬于本發(fā)明的范圍。因此，該圖示以及描述僅被視為是說明性的，而非用于限制。

附圖說明

本發(fā)明是通過該附圖中所示的實施例的方式予以說明，而非用以限制本發(fā)明，且圖式中相關(guān)的數(shù)字是指代相似的元件，其中：

圖1a為根據(jù)一示例性實施例所示的包括一二維聲子晶體(pnc)的一半導體基板的一剖視圖；

圖1b為根據(jù)一示例性實施例所示的圖1中該二維pnc的一金屬層的一單細胞單元；

圖1c及圖1d為根據(jù)一示例性實施例所示的包括壓電柵極介電材料的一pnc的一諧振體晶體管(rbt)柵極結(jié)構(gòu)的形成；

圖1e為根據(jù)一示例性實施例所示的圖1a的該二維pnc中聲能量的一圖示；

圖1f及圖1g為根據(jù)示例性實施例所示的圖1a的該二維pnc的頻帶的圖示；

圖1h為根據(jù)一示例性實施例所示的包括一一維pnc的一半導體基板的一剖視圖；

圖1i為根據(jù)一示例性實施例所示的圖1h的該一維pnc的一金屬層的一單細胞單元；

圖1j為根據(jù)一示例性實施例所示的圖1h的該一維pnc中聲能量的一圖示；

圖1k及圖1l為根據(jù)示例性實施例所示的圖1h的該一維pnc的頻段的圖示；

圖1m為根據(jù)一示例性實施例所示的圖1h的該一維pnc的一俯視圖；以及

圖1n為根據(jù)示例性實施例，包括圖1a及圖1h的該諧振體晶體管的電氣連接配置的示意說明。

具體實施方式

在下面的描述中，為了說明的目的，提出了了很多具體的細節(jié)以提供一透徹理解的示例性實施例。然而，需了解的是，這些示例性實施例可在沒有這些具體細節(jié)或通過一個等效的安排的情況下予以實施。在其他情況下，是以框圖的形式顯示公知的結(jié)構(gòu)以及器件，以期避免不必要的干擾性的示例性實施例。此外，除非另有說明，在說明書及權(quán)利要求書中所適用的所有表示數(shù)量、比例的數(shù)值，以及成分、反應(yīng)條件的數(shù)值屬性等均被理解為可在所有情況下通過術(shù)語“約”進行修改。

本發(fā)明涉及并解決了在一ic器件中通過利用聲子晶體(pnc)生成高質(zhì)量因子的高頻信號所帶來的局限性問題。本發(fā)明涉及并解決了例如特別是通過在rbt中利用壓電材料替代傳統(tǒng)柵極介電材料所導致的問題。

pnc是指在其色散關(guān)系中以帶隙為特征的一維、二維或三維周期性結(jié)構(gòu)。當彈性波通過位于該pnc帶隙中的一個頻率發(fā)生于一pnc上時，這種波由于可支持其傳播的該結(jié)構(gòu)的一本征振動模式的缺失而無法在該pnc中傳播。因此，這種波在該pnc內(nèi)逐漸衰減(decayevanascently)導致了該入射波的強反射。pnc作為對于其帶隙中的頻率的高反射聲反射鏡。為構(gòu)建pnc，具有高聲阻抗(應(yīng)力波與位移速度的比率)對比度的材料是必需的。適用于該cmos后段工藝層的材料例如銅金屬化(coppermetallization)、鎢、低k電介質(zhì)、二氧化硅、銅包覆層、蝕刻停止層、抗反射涂層等，它們所呈現(xiàn)的這些高聲阻抗對比，使其成為理想的形成pnc的材料。由銅金屬化以及低k電介質(zhì)所構(gòu)成的pnc已被用于由現(xiàn)有cmos諧振體晶體管的頂部提供聲波約束。

圖1a顯示了一半導體基板101(例如硅(si)、硅鍺(sige)、鍺、銦鎵砷化物(ingaas)等)的一剖視圖，位于該基板層101的一上表面的一段之上的一介電層103、多個傳感rbt105、多個驅(qū)動rbt107、以及多個終端rbt109(例如，有助于減少一音頻信號的一強度/功率)。各該rbt105、107及109包括一柵極以及一壓電柵介電層，如圖1c所示。通過多個介電層113所分隔的多個分段/圖案化金屬層111以及多個可形成于該rbt上的層間介電層115。通過多個可形成的通孔117(例如通過一介電層103)以提供在該rbt105、107及109與位于該等rbt上方的一金屬層111(例如第一金屬層(metalone))之間的一連接通道。該層間介電層115可為一低k介電材料(例如，sicoh)形成于該金屬層111的各段之間以及該層間介電層113之間。一柵極的一長度可例如為48nm，一金屬層111的一寬度可為122nm，其在相鄰的金屬分段118之間具有一82nm的間隔。該分段金屬層111可形成一二維pnc結(jié)構(gòu)。

圖1b顯示了一金屬層111的一單細胞單元，其具有a的寬度，包括該介電層113及115，包括一襯墊121(例如tan/ta)的一腔體119以及一金屬填充123(例如銅)。

圖1c顯示了一rbt柵極結(jié)構(gòu)，包括一介電間隔125(例如氮化硅(sin)、二氧化硅(sio2))，位于該基板101的一上表面的一界面介電層127(例如0.5nm厚度的sio2)，一壓電(例如鐵電質(zhì)或反鐵電質(zhì))柵極介電層129(例如2至5nm的厚度)，以及一柵極131(例如由多晶硅與硅化物、金屬等所形成)。該柵極介電層129可例如由氧化鋯鉿(hfzro)或摻雜硅(si)、鋁(al)、釓(gd)等的氧化鉿(hfo2)所形成。如圖1d所示，于該柵極形成之后，附加的壓電介電層133(例如10至15nm的厚度)可形成于該基板101的該上表面上，該介電間隔125的相對側(cè)上，以及該基板101中的s/d區(qū)域上方。一層間介電層135可形成于該壓電介電層133的一上表面上，通過通孔119于該介電間隔125的相對側(cè)上形成通過該層間介電層135直至該壓電介電層133的該上表面的連接通道。每一個傳感rbt的一柵極可連接至一直流偏置電壓(例如大于一閾值電壓)以于該傳感rbt內(nèi)引起一反轉(zhuǎn)狀態(tài)，其中該直流電壓可為一n型(例如nmos)rbt的一正電壓以及一p型(例如pmos)rbt的一負電壓。一直流電壓以及一rf信號的組合可以連接到該傳感rbt的一源極終端、一漏極終端、或上述兩者的組合，其中，該rf信號的一相位為一相鄰rbt的該rf信號的一相反相位(例如,反向、交替)。此外，一直流電壓可連接至每一個驅(qū)動rbt的一柵極，以及一rf信號可連接至該柵極或至一源極終端、一漏極終端、或上述的組合，其中，該rf信號的一相位為一相鄰rbt的該rf信號的一相反相位。

圖1e顯示了圖1a中的該rbt的一局部視圖，其中，由各相鄰的rbt(例如105a及105b)所產(chǎn)生的聲能量/聲波137為拉升或壓縮(例如，180°反向)，其可通過kx＝π/a進行定義，其中，該細胞單元的寬度為a(如圖1b所示)。在一塊狀器件中的聲能量在所有方向上被限制。由金屬線以及層間介電層構(gòu)成的具有高對比度聲阻抗的二維聲子晶體可防止該機械諧振器上方的損耗。該橫向隔離是利用聲學布拉格反射(abr)所形成，但它們只針對一給定的波長有效(淺溝槽隔離與硅島(siliconislands)必須通過一四分之一波長來分隔)。塊狀cmos中的機械諧振器具有許多可用的頻率，但abr只針對其中一個有用。該塊狀器件中的損耗可利用差分驅(qū)動(differentialdriving)來防止。與諧振rbt結(jié)構(gòu)的典型波長相比，該基板101(例如塊狀晶圓)可被認為是接近于無限大的一連續(xù)且均勻的介質(zhì)。該基板101的本征模可被認為是一個線性色散關(guān)系為ω＝c|k|的平面波，其中，c為該基板101中的波速(例如縱向波和剪切波兩者)，|k|是由kx和ky組成的該總波矢量的量級(magnitude)。某一kx組件可通過某種空間周期性的一激發(fā)來執(zhí)行，其中，該基板101中的平面波的該色散關(guān)系可以表述為ω>ckx(其中ky可以假設(shè)為給定kx的任意值)。因此，對于一給定kx(由于激勵周期)，頻率波ω>ckx可在該基板101中自由傳播。對于一給定kx，頻率波ω<ckx可在該基板101中衰減而生成一全反射。因此，自然振動模式kx＝π/a與頻率低于ω＝cshearπ/a可從該基板101完全反射。如果這些模式的頻率也落入該pnc結(jié)構(gòu)的該帶隙，他們也可從該pnc反射并將受困于beolpnc金屬層111與該基板101之間，以達到垂直約束。

圖1f及圖1g為一二維pnc的頻帶的圖示。圖1f為說明一二維pnc頻帶139，例如7到10ghz，其在圖1g中被示為一不可簡化布里淵區(qū)(brillouinzone；ibz)圖。此外，圖1f顯示了x-m中其他頻段的部分帶隙141及143。

圖1h顯示了傳感rbt105，驅(qū)動rbt107，以及固體金屬層145以形成一一維(1d)pnc結(jié)構(gòu)。圖1i顯示了一單細胞單元，其具有一寬度a以及一高度b，并包括金屬層145(例如銅)以及該介電層113及115。

如圖1j所示，一一維pnc結(jié)構(gòu)可無需終端柵極(terminationgate)(例如圖1a中的rbt109)，而為高頻段的該聲能量147提供更有效的約束。然而，位于傳感柵極的該信號可能較弱。

圖1k及1l為一一維pnc中的頻段帶隙的圖示。圖1k顯示了在一k空間中沿著該x-m方向的多個局部帶隙149，其對應(yīng)kx＝π/a以及ky，假設(shè)數(shù)值從0到π/b，其中，a和b對應(yīng)圖1i的該細胞單元的尺寸。圖1l所示的是包括該帶隙149的一對應(yīng)的ibz圖。

圖1m為一一維pnc的俯視圖，其包括直接設(shè)于兩組驅(qū)動rbt107之間的一對傳感rbt105上方的該柵極介電間隔125。該傳感方案改善了傳感柵極的信號。

圖1n包括rbt的電性連接配置的示意說明圖。例如，對于一rbt151，一dc與rf信號的組合153可施加至一柵極終端155，而s/d終端157/159可連接至一共同接地端。另外，對于一rbt161，一直流(dc)柵極信號163可施加至一柵極終端165，且一dc與rf信號的組合167可施加至該漏極終端(或源極)，而該源極終端(或漏極)可接地。此外，對于一rbt169，一直流柵極信號171可施加至一柵極終端173，而一dc與rf信號的組合175可施加至s/d終端。各個rbt的尺寸與電性連接可表示該rbt作為一傳感rbt、一驅(qū)動rbt、或一終端rbt的功能。

本發(fā)明的實施例可達成多種技術(shù)功效，包括利用壓電材料作為一ic器件中的rbt內(nèi)的一柵極介電以生成并感測高質(zhì)量的更高頻率的信號。此外，這些實施例適用于各種工業(yè)應(yīng)用，例如，微處理器、智能手機、手機、機頂盒、dvd刻錄機及播放器、汽車導航儀、打印機及外設(shè)、網(wǎng)絡(luò)及電信器件、游戲系統(tǒng)、數(shù)碼相機、或其他利用邏輯或高電壓技術(shù)節(jié)點的器件。因此，本發(fā)明具有各種類型的高集成半導體器件的產(chǎn)業(yè)適用性，包括使用sram單元的器件(例如液晶顯示器(lcd)驅(qū)動、數(shù)字處理器等)，尤指28納米及其上下技術(shù)節(jié)點的器件。

在前述的描述中，本發(fā)明結(jié)合參考具體的示例性實施例予以描述。然而，需明確的是，在不悖離本披露的精神及范圍的前提下，即如本發(fā)明的權(quán)利要求范圍，可做出不同的修改以及變化。因此，該說明書以及附圖均被視為是說明性的，而非限定性的。需了解，本發(fā)明能夠使用各種其他的組合及實施例，并能夠在本發(fā)明的概念所表述的范圍內(nèi)進行任意的變更或修改。