技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
提供一種半導體裝置與其形成方法。半導體裝置的形成方法中，第一接點孔形成于源極/漏極區(qū)或柵極上的一或多個介電層中。粘著層形成于第一接點孔中。第一金屬層形成于第一接點孔中的粘著層上。硅化物層形成于第一金屬層的上表面上。硅化物層包含的金屬元素與第一金屬層相同。

技術(shù)研發(fā)人員：許家銘;周沛瑜;曹志彬;許光源;陳志輝
受保護的技術(shù)使用者：臺灣積體電路制造股份有限公司
技術(shù)研發(fā)日：2017.01.26
技術(shù)公布日：2017.08.08