本發(fā)明涉及一類芳香膦氧主體材料、合成方法及其應用。

背景技術：

高效率、低壓驅動的有機電致發(fā)光為發(fā)光二極管的發(fā)展帶來了革命性的創(chuàng)新。有機發(fā)光材料和器件的研究引起了人們的廣泛關注和深入研究。有機電致發(fā)光二極管被稱作第三代平面顯示和照明技術，在節(jié)能環(huán)保等方面具有突出的優(yōu)勢，為了有效的利用電致發(fā)光過程中產(chǎn)生的單重態(tài)和三重態(tài)激子，目前普遍采用的方式是使用磷光染料來構建電致磷光，但是磷光染料所涉及的重金屬不僅昂貴而且污染環(huán)境，迫切需要使用其他的材料加以替代。近期，被稱為第三代有機電致發(fā)光技術的熱激發(fā)延遲熒光技術取得了很大的進展，其中熱激發(fā)延遲熒光染料可以通過自身三線態(tài)到單線態(tài)的反轉隙間竄躍使三線態(tài)激子轉化為單線態(tài)激子，進而利用其發(fā)光，從而從理論上實現(xiàn)100％的內量子效率。由于熱激發(fā)延遲熒光染料其器件效率可與電致磷光效率相匹敵，而熱激發(fā)延遲熒光染料是純有機化合物。但是，目前針對熱激發(fā)延遲熒光染料的主體材料的研究還非常有限，一般普遍的方式是采用有機電致磷光器件的主體材料，因此，需要針對熱激發(fā)延遲熒光染料的特點來有目的的開發(fā)適合他們的主體材料。由于熱激發(fā)延遲熒光染料存在嚴重的三線態(tài)三線態(tài)湮滅和濃度淬滅效應，嚴重地降低了電致發(fā)光器件的各方面性能，因此，需要開發(fā)一類具有突出載流子注入/傳輸性能的同時能夠有效抑制分子間猝滅效應的主體材料。

研究表明，選擇合適的主體材料可以很大程度地提高器件的性能。對于熱激發(fā)延遲熒光器件來說，器件猝滅效應很嚴重，為此要使用主體材料來抑制分子間存在相互作用以降低猝滅效應，為了降低主體和發(fā)光客體之間的相互作用，往往需要使用惰性的主體材料，因而會導致器件的電學性能不平衡，降低器件效率導致效率滾降。為了解決這個關鍵問題，需要構建一系列的具有良好的載流子注入傳輸能力的熱激發(fā)延遲熒光主體材料，因此，合理地設計芳香膦氧化合物的結構，如引入膦氧基團的數(shù)目、位置等，便有可能獲得高效的熱激發(fā)延遲熒光主體材料。

技術實現(xiàn)要素：

本發(fā)明是為了解決熱激發(fā)延遲熒光染料存在嚴重的三線態(tài)-三線態(tài)以及三線態(tài)-單線態(tài)湮滅和濃度淬滅效應，嚴重的降低了電致發(fā)光器件的各方面性能的技術問題，提供了一種基于二苯并噻吩基團的雙極熱激發(fā)延遲熒光芳香膦氧主體材料、合成方法及其應用。

基于二苯并噻吩基團的雙極熱激發(fā)延遲熒光芳香膦氧主體材料，該材料在二苯并噻吩的2、4、6、8位置上分別引入2個、3個或4個二苯基膦氧基團構成，分子結構式如下：

其中X為H或Ph₂OP，Y為H或Ph₂OP，Z為H或Ph₂OP，且Y和Z不同時為H；當X、Y為H，Z為Ph₂OP時，化合物為2,4DBTDPO，其結構式為：

當Y為Ph₂OP，X、Z為H時，化合物為2,8DBTDPO，其結構式為：

當Y和Z為Ph₂OP，X為H時，化合物為2,4,8DBTTPO，其結構式為：

當X、Y為Ph₂OP，Z為氫時，化合物為2,4,6DBTTPO，其結構式為：

當X、Y、Z都為Ph₂OP時，化合物為2,4,6,8DBTQPO，其結構式為：

基于二苯并噻吩基團的雙極熱激發(fā)延遲熒光芳香膦氧主體材料的合成方法，該方法如下：

將1mmol溴代二苯基膦氧基二苯并噻吩、1～6mmol的二苯基膦、1～6mmol的無水乙酸鈉、0.001～0.01mmol醋酸鈀和5～10ml的DMF混合，反應10～36小時后倒入冰水中，萃取，得到有機層，有機層干燥后加入1ml H₂O₂氧化，再經(jīng)萃取、干燥后，以乙醇和乙酸乙酯的混合溶劑為淋洗劑柱層析純化，得到基于二苯并噻吩基團的雙極熱激發(fā)延遲熒光芳香膦氧主體材料(多膦氧二苯并噻吩基膦氧)。

所述基于二苯并噻吩基團的雙極熱激發(fā)延遲熒光芳香膦氧材料的作為發(fā)光層主體或激子阻擋層材料用于制備電致發(fā)光器件。

本發(fā)明的基于二苯并噻吩基團的雙極熱激發(fā)延遲熒光芳香膦氧主體材料可以有效的抑制分子間的相互作用，從而抑制猝滅效應?？梢詫崿F(xiàn)超低壓驅動的高效熱激發(fā)延遲熒光藍光器件，其電流效率達到最大值24.24cd·A^-1，功率效率達到最大值19.56lm·W^-1。，在本發(fā)明中通過使用二苯并噻吩基團，利用這個基團的雙極性，同時利用膦氧(P＝O)基團的誘導作用對電學性能進行調控，進而通過膦氧基團的位阻效應，來抑制分子間的相互作用。從而調節(jié)載流子注入傳輸平衡，抑制猝滅效應。本發(fā)明的雙極結構的主體材料通過二苯并噻吩基團的平面結構以及二苯并噻吩芳香膦氧主體材料的雙極性來平衡載流子注入傳輸，同時調節(jié)膦氧基團的數(shù)目和修飾位置來調控分子間的作用以及整個分子的載流子傳輸能力。從而在高的三重態(tài)激發(fā)態(tài)能級和良好的載流子注入傳輸能力之間求得平衡?？梢杂行У囊种品肿娱g的相互作用，從而抑制猝滅效應。本發(fā)明材料作為發(fā)光層的主體或激子阻擋層用于制備電致發(fā)光器件。

本發(fā)明基于二苯并噻吩基團的雙極熱激發(fā)延遲熒光芳香膦氧主體材料用于電致發(fā)光器件包含以下優(yōu)點：

1、保持較高的三線態(tài)能級，保證能量從主體到客體的有效傳遞。

2、提高電致發(fā)光器件材料的載流子注入和傳輸能力，以基于二苯并噻吩基團的雙極熱激發(fā)延遲熒光芳香膦氧主體材料制備的電致藍光器件將電致藍光器件的啟亮電壓降低到2.8V，具有良好的熱力學穩(wěn)定性，裂解溫度為435℃-479℃，同時提高了有機電致發(fā)光材料的發(fā)光效率和亮度，本發(fā)明主要應用于有機電致發(fā)光二極管器件中。

本發(fā)明基于二苯并噻吩基團的雙極熱激發(fā)延遲熒光芳香膦氧主體材料既可以作為發(fā)光器件的發(fā)光層主體材料，也可以作為發(fā)光器件的激子阻擋層材料。

附圖說明

圖1是實驗一基于二苯并噻吩基團的雙極熱激發(fā)延遲熒光芳香膦氧主體材料的紫外熒光光譜譜圖及溶于二氯甲烷溶劑中的熒光光譜圖和磷光光譜圖，■表示基于二苯并噻吩基團的雙極熱激發(fā)延遲熒光芳香膦氧主體材料在二氯甲烷溶劑中的紫外光譜圖，□表示基于二苯并噻吩基團的雙極熱激發(fā)延遲熒光芳香膦氧主體材料溶于二氯甲烷溶劑中的熒光光譜圖，●表示基于二苯并噻吩基團的雙極熱激發(fā)延遲熒光芳香膦氧主體材料磷光光譜圖；

圖2是實驗一基于二苯并噻吩基團的雙極熱激發(fā)延遲熒光芳香膦氧主體材料的熱重分析圖；

圖3是實驗二基于二苯并噻吩基團的雙極熱激發(fā)延遲熒光芳香膦氧主體材料的紫外熒光光譜譜圖及溶于二氯甲烷溶劑中的熒光光譜圖和磷光光譜圖，■表示基于二苯并噻吩基團的雙極熱激發(fā)延遲熒光芳香膦氧主體材料二氯甲烷溶劑中的紫外光譜圖，□表示基于二苯并噻吩基團的雙極熱激發(fā)延遲熒光芳香膦氧主體材料溶于二氯甲烷溶劑中的熒光光譜圖，●表示基于二苯并噻吩基團的雙極熱激發(fā)延遲熒光芳香膦氧主體材料磷光光譜圖；

圖4是實驗二基于二苯并噻吩基團的雙極熱激發(fā)延遲熒光芳香膦氧主體材料的熱重分析譜圖；

圖5是實驗三基于二苯并噻吩基團的雙極熱激發(fā)延遲熒光芳香膦氧主體材料的紫外熒光光譜譜圖及溶于二氯甲烷溶劑中的熒光光譜圖和磷光光譜圖，■表示基于二苯并噻吩基團的雙極熱激發(fā)延遲熒光芳香膦氧主體材料二氯甲烷溶劑中的紫外光譜圖，□表示基于二苯并噻吩基團的雙極熱激發(fā)延遲熒光芳香膦氧主體材料溶于二氯甲烷溶劑中的熒光光譜圖，●表示基于二苯并噻吩基團的雙極熱激發(fā)延遲熒光芳香膦氧主體材料磷光光譜圖；

圖6是實驗三基于二苯并噻吩基團的雙極熱激發(fā)延遲熒光芳香膦氧主體材料的熱重分析譜圖；

圖7是實驗四基于二苯并噻吩基團的雙極熱激發(fā)延遲熒光芳香膦氧主體材料的紫外熒光光譜譜圖及溶于二氯甲烷溶劑中的熒光光譜圖和磷光光譜圖，■表示基于二苯并噻吩基團的雙極熱激發(fā)延遲熒光芳香膦氧主體材料二氯甲烷溶劑中的紫外光譜圖，□表示基于二苯并噻吩基團的雙極熱激發(fā)延遲熒光芳香膦氧主體材料溶于二氯甲烷溶劑中的熒光光譜圖，●表示基于二苯并噻吩基團的雙極熱激發(fā)延遲熒光芳香膦氧主體材料磷光光譜圖；

圖8是實驗四基于二苯并噻吩基團的雙極熱激發(fā)延遲熒光芳香膦氧主體材料的熱重分析譜圖；

圖9是實驗五基于二苯并噻吩基團的雙極熱激發(fā)延遲熒光芳香膦氧主體材料的紫外熒光光譜譜圖及溶于二氯甲烷溶劑中的熒光光譜圖和磷光光譜圖，■表示基于二苯并噻吩基團的雙極熱激發(fā)延遲熒光芳香膦氧主體材料二氯甲烷溶劑中的紫外光譜圖，□表示基于二苯并噻吩基團的雙極熱激發(fā)延遲熒光芳香膦氧主體材料溶于二氯甲烷溶劑中的熒光光譜圖，●表示基于二苯并噻吩基團的雙極熱激發(fā)延遲熒光芳香膦氧主體材料磷光光譜圖；

圖10是實驗五基于二苯并噻吩基團的雙極熱激發(fā)延遲熒光芳香膦氧主體材料的熱重分析譜圖；

圖11是實驗一基于二苯并噻吩基團的雙極熱激發(fā)延遲熒光芳香膦氧主體材料的電致發(fā)光器件的電壓-電流密度關系曲線；

圖12是實驗一基于二苯并噻吩基團的雙極熱激發(fā)延遲熒光芳香膦氧主體材料的電致發(fā)光器件的電壓-亮度關系曲線；

圖13是實驗一基于二苯并噻吩基團的雙極熱激發(fā)延遲熒光芳香膦氧主體材料的電致發(fā)光器件的亮度-電流效率關系曲線；

圖14是實驗一雙極熱激發(fā)延遲熒光基于二苯并噻吩芳香膦氧主體材料的電致發(fā)光器件的亮度-功率效率關系曲線；

圖15是實驗一基于二苯并噻吩基團的雙極熱激發(fā)延遲熒光芳香膦氧主體材料的電致發(fā)光器件的電流密度-外量子效率關系曲線效率；

圖16是實驗一基于二苯并噻吩基團的雙極熱激發(fā)延遲熒光芳香膦氧主體材料的電致發(fā)光器件的電致發(fā)光光譜圖；

圖17是實驗二基于二苯并噻吩基團的雙極熱激發(fā)延遲熒光芳香膦氧主體材料的電致發(fā)光器件的電壓-電流密度關系曲線；

圖18是實驗二基于二苯并噻吩基團的雙極熱激發(fā)延遲熒光芳香膦氧主體材料的電致發(fā)光器件的電壓-亮度關系曲線；

圖19是實驗二基于二苯并噻吩基團的雙極熱激發(fā)延遲熒光芳香膦氧主體材料的電致發(fā)光器件的亮度-電流效率關系曲線；

圖20是實驗二基于二苯并噻吩基團的雙極熱激發(fā)延遲熒光芳香膦氧主體材料的電致發(fā)光器件的亮度-功率效率關系曲線；

圖21是實驗二基于二苯并噻吩基團的雙極熱激發(fā)延遲熒光芳香膦氧主體材料的電致發(fā)光器件的電流密度-外量子效率關系曲線效率；

圖22是實驗二基于二苯并噻吩基團的雙極熱激發(fā)延遲熒光芳香膦氧主體材料的電致發(fā)光器件的電致發(fā)光光譜圖；

圖23是實驗三基于二苯并噻吩基團的雙極熱激發(fā)延遲熒光芳香膦氧主體材料的電致發(fā)光器件的電壓-電流密度關系曲線；

圖24是實驗三基于二苯并噻吩基團的雙極熱激發(fā)延遲熒光芳香膦氧主體材料的電致發(fā)光器件的電壓-亮度關系曲線；

圖25是實驗三基于二苯并噻吩基團的雙極熱激發(fā)延遲熒光芳香膦氧主體材料的電致發(fā)光器件的亮度-電流效率關系曲線；

圖26是實驗三基于二苯并噻吩基團的雙極熱激發(fā)延遲熒光芳香膦氧主體材料的電致發(fā)光器件的亮度-功率效率關系曲線；

圖27是實驗三基于二苯并噻吩基團的雙極熱激發(fā)延遲熒光芳香膦氧主體材料的電致發(fā)光器件的電流密度-外量子效率關系曲線效率；

圖28是實驗三基于二苯并噻吩基團的雙極熱激發(fā)延遲熒光芳香膦氧主體材料的電致發(fā)光器件的電致發(fā)光光譜圖；

圖29是實驗四基于二苯并噻吩基團的雙極熱激發(fā)延遲熒光芳香膦氧主體材料的電致發(fā)光器件的電壓-電流密度關系曲線；

圖30是實驗四基于二苯并噻吩基團的雙極熱激發(fā)延遲熒光芳香膦氧主體材料的電致發(fā)光器件的電壓-亮度關系曲線；

圖31是實驗四基于二苯并噻吩基團的雙極熱激發(fā)延遲熒光芳香膦氧主體材料的電致發(fā)光器件的亮度-電流效率關系曲線；

圖32是實驗四基于二苯并噻吩基團的雙極熱激發(fā)延遲熒光芳香膦氧主體材料的電致發(fā)光器件的亮度-功率效率關系曲線；

圖33是實驗四基于二苯并噻吩基團的雙極熱激發(fā)延遲熒光芳香膦氧主體材料的電致發(fā)光器件的電流密度-外量子效率關系曲線效率；

圖34是實驗四基于二苯并噻吩基團的雙極熱激發(fā)延遲熒光芳香膦氧主體材料的電致發(fā)光器件的電致發(fā)光光譜圖；

圖35是實驗五基于二苯并噻吩基團的雙極熱激發(fā)延遲熒光芳香膦氧主體材料的電致發(fā)光器件的電壓-電流密度關系曲線；

圖36是實驗五基于二苯并噻吩基團的雙極熱激發(fā)延遲熒光芳香膦氧主體材料的電致發(fā)光器件的電壓-亮度關系曲線；

圖37是實驗五基于二苯并噻吩基團的雙極熱激發(fā)延遲熒光芳香膦氧主體材料的電致發(fā)光器件的亮度-電流效率關系曲線；

圖38是實驗五基于二苯并噻吩基團的雙極熱激發(fā)延遲熒光芳香膦氧主體材料的電致發(fā)光器件的亮度-功率效率關系曲線；

圖39是實驗五基于二苯并噻吩基團的雙極熱激發(fā)延遲熒光芳香膦氧主體材料的電致發(fā)光器件的電流密度-外量子效率關系曲線效率；

圖40是實驗五基于二苯并噻吩基團的雙極熱激發(fā)延遲熒光芳香膦氧主體材料的電致發(fā)光器件的電致發(fā)光光譜圖。

具體實施方式

本發(fā)明技術方案不局限于以下所列舉具體實施方式，還包括各具體實施方式間的任意組合。

具體實施方式一：本實施方式中基于二苯并噻吩基團的雙極熱激發(fā)延遲熒光芳香膦氧主體材料，該材料在二苯并噻吩的2、4、6、8位置上分別引入2個、3個或4個二苯基膦氧基團構成，分子結構式如下：

其中X為H或Ph₂OP，Y為H或Ph₂OP，Z為H或Ph₂OP，且Y和Z不同時為H；當X、Y為H，Z為Ph₂OP時，化合物為2,4DBTDPO，其結構式為：

當Y為Ph₂OP，X、Z為H時，化合物為2,8DBTDPO，其結構式為：

當Y和Z為Ph₂OP，X為H時，化合物為2,4,8DBTTPO，其結構式為：

當X、Y為Ph₂OP，Z為氫時，化合物為2,4,6DBTTPO，其結構式為：

當X、Y、Z都為Ph₂OP時，化合物為2,4,6,8DBTQPO，其結構式為：

具體實施方式二：具體實施方式一所述基于二苯并噻吩基團的雙極熱激發(fā)延遲熒光芳香膦氧主體材料的合成方法，其特征在于該方法如下：

將1mmol溴代二苯基膦氧基二苯并噻吩、1～6mmol的二苯基膦、1～6mmol的無水乙酸鈉、0.001～0.01mmol醋酸鈀和5～10ml的DMF混合，反應10～36小時后倒入冰水中，萃取，得到有機層，有機層干燥后加入1ml H₂O₂氧化，再經(jīng)萃取、干燥后，以乙醇和乙酸乙酯的混合溶劑為淋洗劑柱層析純化，得到基于二苯并噻吩基團的雙極熱激發(fā)延遲熒光芳香膦氧主體材料。

具體實施方式三：本實施方式與具體實施方式二不同的是所述的二苯基膦與溴代二苯基膦氧基二苯并噻吩物質的量比為(1～2)﹕1，醋酸鈀與溴代二苯基膦氧基二苯并噻吩物質的量比為(0.001～0.002)﹕1，醋酸鈉與溴代二苯基膦氧基二苯并噻吩物質的量比為(1～2)﹕1。其他與具體實施方式二相同。

具體實施方式四：本實施方式與具體實施方式二不同的是所述的乙醇和乙酸乙酯的混合溶劑中乙醇與乙酸乙酯的體積比為1﹕20。其他與具體實施方式二相同。

具體實施方式五：本實施方式與具體實施方式二不同的是將1mmol溴代二苯基膦氧基二苯并噻吩、4mmol的二苯基膦、4mmol的無水乙酸鈉、0.006mmol醋酸鈀和6ml的DMF混合。其他與具體實施方式二相同。

具體實施方式六：本實施方式與具體實施方式二不同的是將1mmol溴代二苯基膦氧基苯醚、4mmol的二苯基膦、4mmol的無水乙酸鈉、0.007mmol醋酸鈀和7ml的DMF混合。其他與具體實施方式二相同。

具體實施方式七：本實施方式與具體實施方式二不同的是將1mmol溴代二苯基膦氧基二苯并噻吩、5mmol的二苯基膦、5mmol的無水乙酸鈉、0.009mmol醋酸鈀和8ml的DMF混合。其他與具體實施方式二相同。

具體實施方式八：本實施方式與具體實施方式二不同的是將1mmol溴代二苯基膦氧基二苯并噻吩、5mmol的二苯基膦、5mmol的無水乙酸鈉、0.01mmol醋酸鈀和9ml的DMF混合。其他與具體實施方式二相同。

具體實施方式九：本實施方式與具體實施方式二不同的是將1mmol溴代二苯基膦氧基二苯并噻吩、5mmol的二苯基膦、5mmol的無水乙酸鈉、0.005mmol醋酸鈀和10ml的DMF混合。其他與具體實施方式二相同。

具體實施方式十：具體實施方式一所述基于二苯并噻吩基團的雙極熱激發(fā)延遲熒光芳香膦氧材料的作為發(fā)光層主體或激子阻擋層材料用于制備電致發(fā)光器件。

本實施方式中所述基于二苯并噻吩基團的雙極熱激發(fā)延遲熒光芳香膦氧主體材料作為發(fā)光層或空穴阻擋層用于制備電致發(fā)光器件的方法如下：

一、將經(jīng)去離子水清洗的玻璃或塑料襯底放入真空蒸鍍儀，真空度為1×10^-6mbar，蒸鍍速率設為0.1～0.3nm s^-1，在玻璃或塑料襯底上蒸鍍材料為氧化銦錫(ITO)，厚度為1～100nm的陽極導電層；

二、在陽極導電層上蒸鍍空穴注入層材料MoOx，得厚度為2～10nm空穴注入層；

三、在空穴注入層上蒸鍍空穴傳輸層材料NPB，得厚度為20～40nm空穴傳輸層；

四、在空穴傳輸層上蒸鍍阻擋層材料mCP，得厚度為5～15nm激子阻擋層；

五、在激子阻擋層上蒸鍍發(fā)光層材料基于二苯并噻吩基團的雙極熱激發(fā)延遲熒光芳香膦氧主體材料與DMAC(二甲基乙酰胺)的混合物，厚度為5～50nm發(fā)光層；

六、在發(fā)光層上繼續(xù)蒸鍍基于二苯并噻吩基團的雙極熱激發(fā)延遲熒光芳香膦氧材料形成空穴阻擋層，厚度為5～40nm空穴阻擋層；

七、在空穴阻擋層上蒸鍍電子傳輸層材料Bphen，厚度為10～80nm電子傳輸層；

八、在電子傳輸層上蒸鍍電子注入層材料LiF，厚度為1～10nm電子注入層；

九、在電子注入層上蒸鍍材料為金屬，厚度為1～100nm的陰極導電層，得到電致發(fā)光器件。

步驟八中所述的金屬為鈣、鎂、銀、鋁、鈣合金、鎂合金、銀合金或鋁合金。

采用下述實驗驗證本發(fā)明效果：

實驗一：本實驗基于二苯并噻吩基團的雙極熱激發(fā)延遲熒光芳香膦氧主體材料的合成方法按下列步驟實現(xiàn)：

將1mmol溴代二苯基膦氧基二苯并噻吩、1mmol的二苯基膦、1mmol的無水乙酸鈉，0.001mmol的醋酸鈀和10ml的DMF混合，反應10小時后倒入冰水中，萃取得到有機層，有機層干燥后加入1ml H₂O₂氧化，再經(jīng)萃取、干燥后以乙醇和乙酸乙酯的體積比為1:20為淋洗劑柱層析純化，得到2,4-二苯基膦氧基二苯并噻吩。

其中本實驗所述的二苯基膦與溴代二苯基膦氧基二苯并噻吩物質的量比為1︰1，無水乙酸鈉與溴代二苯基膦氧基二苯并噻吩物質的量比為1︰1，醋酸鈀與溴代二苯基膦氧基二苯并噻吩物質的量比為0.001︰1；

本實驗得到的溴代二苯基膦氧基二苯并噻吩為2，4，二苯基膦氧基二苯并噻吩，結構式為

采用核磁共振儀檢測本試驗制備的多功能化修飾的2,4DBTDPO，檢測結果如下：

¹H NMR(TMS,CDCl₃,400MHz):＝8.174(d,J＝7.6Hz,2H),7.819-7.765(qd,J₁＝1.2Hz,J₂＝7.6Hz,J₃＝13.2Hz,2H),7.655-7.603(td,J₁＝1.2Hz,J₂＝7.2Hz,8H),7.478-7.430(td,J₁＝1.2Hz,J₂＝7.2Hz,6H),7.361-7.314ppm(td,J₁＝3.2Hz,J₂＝8Hz,8H)；LDI-TOF:m/z(％):584(100)[M⁺]；elemental analysis(％)for C₃₆H₂₆O₂P₂S:H,4.48；O,5.47；S,5.48；

本實驗得到的基于二苯并噻吩基團的雙極熱激發(fā)延遲熒光芳香膦氧主體材料2,4DBTDPO的紫外熒光光譜，磷光光譜譜圖如圖1所示。

本實驗得到的二苯并噻吩基團的雙極熱激發(fā)延遲熒光基于芳香膦氧主體材料2,4DBTDPO的熱重分析譜圖如圖2所示，由圖可知二苯并噻吩基膦氧主體材料2,4DBTDPO的裂解溫度為435℃。

基于二苯并噻吩基團的雙極熱激發(fā)延遲熒光芳香膦氧主體材料作為發(fā)光層或空穴阻擋層用于制備電致發(fā)光器件的方法如下：

一、將經(jīng)去離子水清洗的塑料襯底放入真空蒸鍍儀，真空度為1×10^-6mbar，蒸鍍速率設為0.1nm s^-1，在玻璃或塑料襯底上蒸鍍材料為氧化銦錫(ITO)，厚度為1 0nm的陽極導電層；

二、在陽極導電層上蒸鍍空穴注入層材料MoOx，得厚度為10nm空穴注入層；

三、在空穴注入層上蒸鍍空穴傳輸層材料NPB，得厚度為40nm空穴傳輸層；

四、在空穴傳輸層上蒸鍍阻擋層材料mCP，得厚度為15nm激子阻擋層；

五、在激子阻擋層上蒸鍍發(fā)光層材料基于二苯并噻吩基團的雙極熱激發(fā)延遲熒光芳香膦氧主體材料與DMAC(二甲基乙酰胺)的混合物，厚度為50nm發(fā)光層；

六、在發(fā)光層上繼續(xù)蒸鍍基于二苯并噻吩基團的雙極熱激發(fā)延遲熒光芳香膦氧材料形成空穴阻擋層，厚度為40nm空穴阻擋層；

七、在空穴阻擋層上蒸鍍電子傳輸層材料Bphen，厚度為80nm電子傳輸層；

八、在電子傳輸層上蒸鍍電子注入層材料LiF，厚度為10nm電子注入層；

九、在電子注入層上蒸鍍材料為金屬，厚度為10nm的陰極導電層，得到電致發(fā)光器件。

步驟八中所述的金屬為鋁。

本實驗中基于二苯并噻吩基團的雙極熱激發(fā)延遲熒光芳香膦氧主體材料既是電致發(fā)光器件的發(fā)光層主體材料，又是電致發(fā)光器件的空穴阻擋層材料。

本實驗電致發(fā)光器件的結構為：ITO/MoOx(10nm)/NPB(40nm)/mCP(15nm)/2,4DBTDPO:DMAC(20％)50nm/2,4DBTDPO(40nm)/Bphen(80nm)/LiF(10nm)/Al。

本實驗以基于二苯并噻吩基團的雙極熱激發(fā)延遲熒光芳香膦氧主體材料2,4DBTDPO制備的電致發(fā)光器件的電壓-電流密度關系曲線如圖11所示，由此圖可知基于二苯并噻吩基團的雙極熱激發(fā)延遲熒光芳香膦氧主體材料2,4DBTDPO材料具有半導體特性，其閥值電壓為3.5V。

本實驗以基于二苯并噻吩基團的雙極熱激發(fā)延遲熒光芳香膦氧主體材料2,4DBTDPO制備的電致發(fā)光器件的電壓-亮度關系曲線如圖12所示，由此圖可知該器件的啟亮電壓為4V。

本實驗以基于二苯并噻吩基團的雙極熱激發(fā)延遲熒光芳香膦氧主體材料2,4DBTDPO制備的電致發(fā)光器件的亮度-電流效率關系曲線如圖13所示，由此圖可知該器件在亮度為3cd·m^-2時，電流效率達到最大值6.5cd·A^-1。

本實驗以基于二苯并噻吩基團的雙極熱激發(fā)延遲熒光芳香膦氧主體材料2,4DBTDPO制備的電致發(fā)光器件的亮度-功率效率關系曲線如圖14所示，由此圖可知該器件在亮度為3.2cd·m^-2時，功率效率達到最大值5.2lm·W^-1。

本實驗以基于二苯并噻吩基團的雙極熱激發(fā)延遲熒光芳香膦氧主體材料2,4DBTDPO制備的電致發(fā)光器件的電流密度-外量子效率關系曲線如圖15所示，由此圖可知該器件在亮度為0.64mA·cm^-2時，獲得最大外量子效率3.4％。

本實驗以基于二苯并噻吩基團的雙極熱激發(fā)延遲熒光芳香膦氧主體材料2,4DBTDPO制備的電致發(fā)光器件的電致發(fā)光光譜圖如圖16所示，由此圖可知該器件的電致發(fā)光峰在462nm處。

實驗二：本實驗基于二苯并噻吩基團的雙極熱激發(fā)延遲熒光芳香膦氧主體材料的合成方法按下列步驟實現(xiàn)：

將1mmol溴代二苯基膦氧基二苯并噻吩、1mmol的二苯基膦、1mmol的無水乙酸鈉，0.001mmol的醋酸鈀和10ml的DMF混合，反10小時后倒入冰水中，萃取得到有機層，有機層干燥后加入1ml H₂O₂氧化，再經(jīng)萃取、干燥后以乙醇和乙酸乙酯的體積比為1:20為淋洗劑柱層析純化，得到2,8二苯基膦氧基二苯并噻吩。

其中本實驗所述的二苯基膦與溴代二苯基膦氧基二苯并噻吩物質的量比為1︰1，無水乙酸鈉與溴代二苯基膦氧基二苯并噻吩物質的量比為1︰1，醋酸鈀與溴代二苯基膦氧基二苯并噻吩物質的量比為0.001︰1；

本實驗得到的2,8二苯基膦氧基二苯并噻吩，結構式為其核磁共振氫譜的數(shù)據(jù)為：

¹H NMR(TMS,CDCl₃,400MHz):＝8.301(d,J＝11.6Hz,2H),7.796(t,J＝9.2Hz,2H),7.707-7.659(q,J₁＝6.8Hz,J₂＝12Hz,10H),7.575(t,J＝7.2Hz,4H),7.484ppm(t,J＝7.6Hz,8H)；LDI-TOF:m/z(％):584(100)[M⁺]；elemental analysis(％)for C₃₆H₂₆O₂P₂S:C,73.96；H,4.48；O,5.47；S,5.48；

本實驗得到基于二苯并噻吩基團的雙極熱激發(fā)延遲熒光芳香膦氧主體材料為2,8DBTDPO。

本實驗得到的基于二苯并噻吩基團的雙極熱激發(fā)延遲熒光芳香膦氧主體材料2,8DBTDPO的紫外熒光光譜譜圖如圖3所示。

本實驗得到的基于二苯并噻吩基團的雙極熱激發(fā)延遲熒光芳香膦氧主體材料2,8DBTDPO的熱重分析譜圖如圖4所示，由圖可知2,8DBTDPO的裂解溫度為440℃。

基于二苯并噻吩基團的雙極熱激發(fā)延遲熒光芳香膦氧主體材料作為發(fā)光層或空穴阻擋層用于制備電致發(fā)光器件的方法如下：

一、將經(jīng)去離子水清洗的玻璃襯底放入真空蒸鍍儀，真空度為1×10^-6mbar，蒸鍍速率設為0.1nm s^-1，在玻璃或塑料襯底上蒸鍍材料為氧化銦錫(ITO)，厚度為10nm的陽極導電層；

二、在陽極導電層上蒸鍍空穴注入層材料MoOx，得厚度為10nm空穴注入層；

三、在空穴注入層上蒸鍍空穴傳輸層材料NPB，得厚度為40nm空穴傳輸層；

四、在空穴傳輸層上蒸鍍阻擋層材料mCP，得厚度為15nm激子阻擋層；

五、在激子阻擋層上蒸鍍發(fā)光層材料基于二苯并噻吩基團的雙極熱激發(fā)延遲熒光芳香膦氧主體材料與DMAC(二甲基乙酰胺)的混合物，厚度為50nm發(fā)光層；

六、在發(fā)光層上繼續(xù)蒸鍍基于二苯并噻吩基團的雙極熱激發(fā)延遲熒光芳香膦氧材料形成空穴阻擋層，厚度為40nm空穴阻擋層；

七、在空穴阻擋層上蒸鍍電子傳輸層材料Bphen，厚度為80nm電子傳輸層；

八、在電子傳輸層上蒸鍍電子注入層材料LiF，厚度為10nm電子注入層；

九、在電子注入層上蒸鍍材料為金屬，厚度為10nm的陰極導電層，得到電致發(fā)光器件。

步驟八中所述的金屬為鋁。

本實驗中不對稱熱激發(fā)延遲熒光二苯醚芳香膦氧材料既是電致發(fā)光器件的發(fā)光層主體材料，又是電致發(fā)光器件的空穴阻擋層材料。

本實驗電致發(fā)光器件的結構為：ITO/MoOx(10nm)/NPB(40nm)/mCP(15nm)/2,8DBTDPO:DMAC(20％)50nm/2,8DBTDPO(40nm)/Bphen(80nm)/LiF(10nm)/Al。本實驗以基于二苯并噻吩基團的雙極熱激發(fā)延遲熒光芳香膦氧主體材料2,8DBTDPO制備的電致發(fā)光器件的電壓-電流密度關系曲線如圖17所示，由此圖可知基于二苯并噻吩基團的雙極熱激發(fā)延遲熒光芳香膦氧主體材料2,8DBTDPO具有半導體特性，其閥值電壓為3.8V。

本實驗以基于二苯并噻吩基團的雙極熱激發(fā)延遲熒光芳香膦氧主體材料2,8DBTDPO制備的電致發(fā)光器件的電壓-亮度關系曲線如圖18所示，由此圖可知該器件的啟亮電壓為3.8V。

本實驗以基于二苯并噻吩基團的雙極熱激發(fā)延遲熒光芳香膦氧主體材料2,8DBTDPO制備的電致發(fā)光器件的亮度-電流效率關系曲線如圖19所示，由此圖可知該器件器件在亮度為83.56cd·m^-2時，電流效率達到最大值19.75cd·A^-1。

本實驗以基于二苯并噻吩基團的雙極熱激發(fā)延遲熒光芳香膦氧主體材料2,8DBTDPO制備的電致發(fā)光器件的亮度-功率效率關系曲線如圖20所示，由此圖可知該器件器件在亮度為86.95cd·m^-2時，功率效率達到最大值7.84lm·W^-1。

本實驗以基于二苯并噻吩基團的雙極熱激發(fā)延遲熒光芳香膦氧主體材料2,8DBTDPO制備的電致發(fā)光器件的電流密度-外量子效率關系曲線如圖21所示，由此圖可知該器件在亮度為0.38mA·cm^-2時，獲得最大外量子效率9.50％。

本實驗以基于二苯并噻吩基團的雙極熱激發(fā)延遲熒光芳香膦氧主體材料2,8DBTDPO制備的電致發(fā)光器件的電致發(fā)光光譜圖如圖22所示，由此圖可知該器件的電致發(fā)光峰在457nm處。

實驗三：本實驗基于二苯并噻吩基團的雙極熱激發(fā)延遲熒光芳香膦氧主體材料的合成方法按下列步驟實現(xiàn)：

將1mmol溴代二苯基膦氧基二苯并噻吩、2mmol的二苯基膦、3mmol的無水乙酸鈉，0.002mmol的醋酸鈀和10ml的DMF混合，反10小時后倒入冰水中，萃取得到有機層，有機層干燥后加入1ml H₂O₂氧化，再經(jīng)萃取、干燥后以乙醇和乙酸乙酯的體積比為1:20為淋洗劑柱層析純化，得到2,4,8二苯基膦氧基二苯并噻吩。

其中本實驗所述的二苯基膦與溴代二苯基膦氧基二苯并噻吩物質的量比為2︰1，無水乙酸鈉與溴代二苯基膦氧基二苯并噻吩物質的量比為2︰1，醋酸鈀與溴代二苯基膦氧基二苯并噻吩物質的量比為0.002︰1；

本實驗得到的2,4,8二苯基膦氧基二苯并噻吩，結構式為其核磁共振氫譜的數(shù)據(jù)為：

¹H NMR(TMS,CDCl₃,400MHz):＝8.634(d,J＝11.6Hz,1H),8.246(d,J＝11.6Hz,1H),7.843(t,J＝9.2Hz,1H),7.686(t,J＝12.8Hz,9H),7.617-7.539(m,11H),7.496-7.412ppm(m,12H)；LDI-TOF:m/z(％):784(100)[M⁺]；elemental analysis(％)for C₄₈H₃₅O₃P₃S:C,73.46；H,4.50；O,6.12；P,11.84；S,4.09；

本實驗得到的基于二苯并噻吩基團的雙極熱激發(fā)延遲熒光芳香膦氧主體材料2,4,8DBTTPO的紫外熒光光譜譜圖,磷光光譜如圖5所示。

本實驗得到的基于二苯并噻吩基團的雙極熱激發(fā)延遲熒光芳香膦氧主體材料2,4,8DBTTPO的熱重分析譜圖如圖6所示，由圖可知二苯并噻吩基膦氧主體材料2,4,8DBTTPO的裂解溫度為472℃。

基于二苯并噻吩基團的雙極熱激發(fā)延遲熒光芳香膦氧主體材料作為發(fā)光層或空穴阻擋層用于制備電致發(fā)光器件的方法如下：

一、將經(jīng)去離子水清洗的玻璃襯底放入真空蒸鍍儀，真空度為1×10^-6mbar，蒸鍍速率設為0.1nm s^-1，在玻璃或塑料襯底上蒸鍍材料為氧化銦錫(ITO)，厚度為10nm的陽極導電層；

二、在陽極導電層上蒸鍍空穴注入層材料MoOx，得厚度為10nm空穴注入層；

三、在空穴注入層上蒸鍍空穴傳輸層材料NPB，得厚度為40nm空穴傳輸層；

四、在空穴傳輸層上蒸鍍阻擋層材料mCP，得厚度為15nm激子阻擋層；

五、在激子阻擋層上蒸鍍發(fā)光層材料基于二苯并噻吩雙極熱激發(fā)延遲熒光芳香膦氧主體材料與DMAC(二甲基乙酰胺)的混合物，厚度為50nm發(fā)光層；

六、在發(fā)光層上繼續(xù)蒸鍍基于二苯并噻吩基團的雙極熱激發(fā)延遲熒光芳香膦氧材料形成空穴阻擋層，厚度為40nm空穴阻擋層；

七、在空穴阻擋層上蒸鍍電子傳輸層材料Bphen，厚度為80nm電子傳輸層；

八、在電子傳輸層上蒸鍍電子注入層材料LiF，厚度為10nm電子注入層；

九、在電子注入層上蒸鍍材料為金屬，厚度為10nm的陰極導電層，得到電致發(fā)光器件。

步驟八中所述的金屬為鋁。

本實驗中基于二苯并噻吩基團的雙極熱激發(fā)延遲熒光芳香膦氧主體材料既是電致發(fā)光器件的發(fā)光層主體材料，又是電致發(fā)光器件的空穴阻擋層材料。

本實驗電致發(fā)光器件的結構為：ITO/MoOx(10nm)/NPB(40nm)/mCP(15nm)/2,4,8DBTTPO:DMAC(20％)50nm/2,4,8DBTTPO(40nm)/Bphen(80nm)/LiF(10nm)/Al。本實驗以基于二苯并噻吩基團的雙極熱激發(fā)延遲熒光芳香膦氧主體材料2,4,8DBTTPO制備的電致發(fā)光器件的電壓-電流密度關系曲線如圖29所示，由此圖可知雙極的延遲熒光芳香膦氧主體材料2,4,8DBTTPO材料具有半導體特性，其閥值電壓為3.4V。

本實驗以基于二苯并噻吩基團的雙極熱激發(fā)延遲熒光芳香膦氧主體材料2,4,8DBTTPO制備的電致發(fā)光器件的電壓-亮度關系曲線如圖30所示，由此圖可知該器件的啟亮電壓為4.5V。

本實驗以基于二苯并噻吩基團的雙極熱激發(fā)延遲熒光芳香膦氧主體材料2,4,8DBTTPO制備的電致發(fā)光器件的亮度-電流效率關系曲線如圖31所示，由此圖可知該器件亮度亮度為32.24cd·m^-2時，電流效率達到最大值7.94cd·A^-1。

本實驗以基于二苯并噻吩基團的雙極熱激發(fā)延遲熒光芳香膦氧主體材料2,4,8DBTTPO制備的電致發(fā)光器件的亮度-功率效率關系曲線如圖32所示，由此圖可知該器件在在亮度為37.13cd·m^-2時，功率效率達到最大值4.52lm·W^-1。

本實驗以基于二苯并噻吩基團的雙極熱激發(fā)延遲熒光芳香膦氧主體材料2,4,8DBTTPO制備的電致發(fā)光器件的電流密度-外量子效率關系曲線如圖33所示，由此圖可知該器件在亮度為0.08mA·cm^-2時，獲得最大外量子效率8.26％。

本實驗以基于二苯并噻吩基團的雙極熱激發(fā)延遲熒光芳香膦氧主體材料2,4,8DBTTPO制備的電致藍光發(fā)光器件的電致發(fā)光光譜圖如圖34所示，由此圖可知該器件的電致發(fā)光峰在462nm處。

實驗四：本實驗基于二苯并噻吩基團的雙極熱激發(fā)延遲熒光芳香膦氧主體材料的合成方法按下列步驟實現(xiàn)：

將1mmol溴代二苯基膦氧基二苯并噻吩、1mmol的二苯基膦、1mmol的無水乙酸鈉，0.002mmol的醋酸鈀和5ml的DMF混合，反應10小時后倒入冰水中，萃取得到有機層，有機層干燥后加入1ml H₂O₂氧化，再經(jīng)萃取、干燥后以乙醇和乙酸乙酯的體積比為1:20為淋洗劑柱層析純化，得到2,4,6二苯基膦氧基二苯并噻吩。

其中本實驗所述的二苯基膦與溴代二苯基膦氧基二苯并噻吩物質的量比為1︰1，無水乙酸鈉與溴代二苯基膦氧基二苯并噻吩物質的量比為1︰1，醋酸鈀與溴代二苯基膦氧基二苯并噻吩物質的量比為0.002︰1；

本實驗得到的2,4,6二苯基膦氧基二苯并噻吩，結構式為

采用核磁共振儀檢測本試驗制備的二苯并噻吩基團的雙極熱激發(fā)延遲熒光基于芳香膦氧主體材料2,4,6DBTTPO，其核磁共振氫譜的數(shù)據(jù)為：

¹H NMR(TMS,CDCl₃,400MHz):＝8.815(d,J＝11.6Hz,1H),8.171(d,J＝8Hz,1H),7.987-7.936(q,J₁＝7.2Hz,J₂＝12.4Hz,1H),7.676-7.629(q,J₁＝7.6Hz,J₂＝12.4Hz,4H),7.587-7.495(m,12H),7.486-7.332(m,12H),7.287ppm(t,J＝7.6Hz,4H)；LDI-TOF:m/z(％):784(100)[M⁺]；elemental analysis(％)for C₄₈H₃₅O₃P₃S:C,73.46；H,4.50；O,6.12；S,4.09；

本實驗得到的基于二苯并噻吩基團的雙極熱激發(fā)延遲熒光芳香膦氧主體材料2,4,6DBTTPO的紫外熒光光譜譜圖，磷光光譜如圖7所示。

本實驗得到的基于二苯并噻吩基團的雙極熱激發(fā)延遲熒光芳香膦氧主體材料2,4,6DBTTPO的熱重分析譜圖如圖，8所示，由圖可知二苯并噻吩基膦氧主體材料2,4,6DBTTPO的裂解溫度為479℃。

基于二苯并噻吩基團的雙極熱激發(fā)延遲熒光芳香膦氧主體材料作為發(fā)光層或空穴阻擋層用于制備電致發(fā)光器件的方法如下：

一、將經(jīng)去離子水清洗的玻璃襯底放入真空蒸鍍儀，真空度為1×10^-6mbar，蒸鍍速率設為0.1nm s^-1，在玻璃或塑料襯底上蒸鍍材料為氧化銦錫(ITO)，厚度為1～100nm的陽極導電層；

二、在陽極導電層上蒸鍍空穴注入層材料MoOx，得厚度為10nm空穴注入層；

三、在空穴注入層上蒸鍍空穴傳輸層材料NPB，得厚度為40nm空穴傳輸層；

四、在空穴傳輸層上蒸鍍阻擋層材料mCP，得厚度為15nm激子阻擋層；

五、在激子阻擋層上蒸鍍發(fā)光層材料基于二苯并噻吩基團的雙極熱激發(fā)延遲熒光芳香膦氧主體材料與DMAC(二甲基乙酰胺)的混合物，厚度為50nm發(fā)光層；

六、在發(fā)光層上繼續(xù)蒸鍍基于二苯并噻吩基團的雙極的雙極熱激發(fā)延遲熒光芳香膦氧材料形成空穴阻擋層，厚度為40nm空穴阻擋層；

七、在空穴阻擋層上蒸鍍電子傳輸層材料Bphen，厚度為80nm電子傳輸層；

八、在電子傳輸層上蒸鍍電子注入層材料LiF，厚度為10nm電子注入層；

九、在電子注入層上蒸鍍材料為金屬，厚度為10nm的陰極導電層，得到電致發(fā)光器件。

步驟八中所述的金屬為鋁。

本實驗中基于二苯并噻吩基團的雙極熱激發(fā)延遲熒光芳香膦氧主體材料既是電致發(fā)光器件的發(fā)光層主體材料，又是電致發(fā)光器件的空穴阻擋層材料。

本實驗電致發(fā)光器件的結構為：ITO/MoOx(10nm)/NPB(40nm)/mCP(15nm)/2,4,6-DBTTPO:DMAC(20％)50nm/2,4,6-DBTTPO(40nm)/Bphen(80nm)/LiF(10nm)/Al。本實驗以基于二苯并噻吩基團的雙極熱激發(fā)延遲熒光芳香膦氧主體材料2,4,6DBTTPO制備的電致發(fā)光器件的電壓-電流密度關系曲線如圖23所示，由此圖可知基于二苯并噻吩基團的雙極熱激發(fā)延遲熒光芳香膦氧主體材料2,4,6DBTTPO材料具有半導體特性，其閥值電壓為2.9V。

本實驗以基于二苯并噻吩基團的雙極熱激發(fā)延遲熒光芳香膦氧主體材料2,4,6DBTTPO制備的電致發(fā)光器件的電壓-亮度關系曲線如圖24所示，由此圖可知該器件的啟亮電壓為2.9V。

本實驗以基于二苯并噻吩基團的雙極熱激發(fā)延遲熒光芳香膦氧主體材料2,4,6DBTTPO制備的電致發(fā)光器件的亮度-電流效率關系曲線如圖25所示，由此圖可知該器件亮度為66.87cd·m^-2時，電流效率達到最大值24.24cd·A^-1。

本實驗以基于二苯并噻吩基團的雙極熱激發(fā)延遲熒光芳香膦氧主體材料2,4,6DBTTPO制備的電致發(fā)光器件的亮度-功率效率關系曲線如圖26所示，由此圖可知該器件在亮度為70.57cd·m^-2時，功率效率達到最大值19.56lm·W^-1。

本實驗以基于二苯并噻吩基團的雙極熱激發(fā)延遲熒光芳香膦氧主體材料2,4,6DBTTPO制備的電致發(fā)光器件的電流密度-外量子效率關系曲線如圖27所示，由此圖可知該器件在亮度為0.23mA·cm^-2時，獲得最大外量子效率11.89％。

本實驗以基于二苯并噻吩基團的雙極熱激發(fā)延遲熒光芳香膦氧主體材料2,4,6DBTTPO制備的電致發(fā)光器件的電致發(fā)光光譜圖如圖28所示，由此圖可知該器件的電致發(fā)光峰在470nm處。

實驗五：本實驗基于二苯并噻吩基團的雙極熱激發(fā)延遲熒光芳香膦氧主體材料的合成方法按下列步驟實現(xiàn)：

將1mmol溴代二苯基膦氧基二苯并噻吩、2mmol的二苯基膦、3mmol的無水乙酸鈉，0.002mmol的醋酸鈀和10ml的DMF混合，反應10小時后倒入冰水中，萃取得到有機層，有機層干燥后加入1ml H₂O₂氧化，再經(jīng)萃取、干燥后以乙醇和乙酸乙酯的體積比為1:20為淋洗劑柱層析純化，2,4,6,8-二苯基膦氧基二苯并噻吩。

其中本實驗所述的二苯基膦與溴代二苯基膦氧基二苯并噻吩物質的量比為2︰1，無水乙酸鈉與溴代二苯基膦氧基二苯并噻吩物質的量比為2︰1，醋酸鈀與溴代二苯基膦氧基二苯并噻吩物質的量比為0.002︰1；

本實驗得到的2,4,6,8-二苯基膦氧基二苯并噻吩，結構式為

采用核磁共振儀檢測本試驗制備的基于二苯并噻吩基團的雙極熱激發(fā)延遲熒光芳香膦氧主體材料2,4,6,8DBTQPO，采用核磁共振儀檢測本試驗制備的于二苯并噻吩雙極熱激發(fā)延遲熒光基芳香膦氧主體材料2,4,6,8DBTQPO其核磁共振氫譜的數(shù)據(jù)為：

¹H NMR(TMS,CDCl₃,400MHz):＝8.594(d,J＝11.6Hz,2H),7.848(t,J＝11.6Hz,2H),7.610-7.539(m,20H),7.456(t,J＝8.4Hz,12H),7.345ppm(d,J＝7.2Hz,8H)；LDI-TOF:m/z(％):984(100)[M⁺]；elemental analysis(％)for C₆₀H₄₄O₄P₄S:C,73.17；H,4.50；O,6.50；S,3.25

本實驗得到的基于二苯并噻吩雙極熱激發(fā)延遲熒光芳香膦氧主體材料2,4,6,8DBTQPO的紫外熒光光譜譜圖,磷光光譜如圖9所示。

本實驗得到的基于二苯并噻吩基團的雙極熱激發(fā)延遲熒光芳香膦氧主體材料2,4,6,8DBTQPO的熱重分析譜圖如圖10所示，由圖可知二苯并噻吩基膦氧主體材料2,4,6,8DBTQPO的裂解溫度為465℃。

基于二苯并噻吩基團的雙極熱激發(fā)延遲熒光芳香膦氧主體材料作為發(fā)光層或空穴阻擋層用于制備電致發(fā)光器件的方法如下：

一、將經(jīng)去離子水清洗的玻璃襯底放入真空蒸鍍儀，真空度為1×10^-6mbar，蒸鍍速率設為0.1nm s^-1，在玻璃或塑料襯底上蒸鍍材料為氧化銦錫(ITO)，厚度為1～100nm的陽極導電層；

二、在陽極導電層上蒸鍍空穴注入層材料MoOx，得厚度為10nm空穴注入層；

三、在空穴注入層上蒸鍍空穴傳輸層材料NPB，得厚度為40nm空穴傳輸層；

四、在空穴傳輸層上蒸鍍阻擋層材料mCP，得厚度為15nm激子阻擋層；

五、在激子阻擋層上蒸鍍發(fā)光層材料基于二苯并噻吩基團的雙極熱激發(fā)延遲熒光芳香膦氧主體材料與DMAC(二甲基乙酰胺)的混合物，厚度為50nm發(fā)光層；

六、在發(fā)光層上繼續(xù)蒸鍍基于二苯并噻吩基團的雙極熱激發(fā)延遲熒光芳香膦氧材料形成空穴阻擋層，厚度為40nm空穴阻擋層；

七、在空穴阻擋層上蒸鍍電子傳輸層材料Bphen，厚度為80nm電子傳輸層；

八、在電子傳輸層上蒸鍍電子注入層材料LiF，厚度為10nm電子注入層；

九、在電子注入層上蒸鍍材料為金屬，厚度為10nm的陰極導電層，得到電致發(fā)光器件。

步驟八中所述的金屬為鋁。

本實驗中基于二苯并噻吩基團的雙極熱激發(fā)延遲熒光芳香膦氧主體材料既是電致發(fā)光器件的發(fā)光層主體材料，又是電致發(fā)光器件的空穴阻擋層材料。

本實驗電致發(fā)光器件的結構為：ITO/MoOx(10nm)/NPB(40nm)/mCP(15nm)/2,4,6,8DBTQPO:DMAC(20％)50nm/2,4,6,8DBTQPO(40nm)/Bphen(80nm)/LiF(10nm)/Al。

本實驗以多功能化修飾的二苯并噻吩基膦氧主體材料2,4,6,8DBTQPO制備的電致發(fā)光器件的電壓-電流密度關系曲線如圖35所示，由此圖可知二苯并噻吩基膦氧主體材料2,4,6,8DBTQPO材料具有半導體特性，其閥值電壓為2.8V。

本實驗以基于二苯并噻吩基團的雙極熱激發(fā)延遲熒光芳香膦氧主體材料2,4,6,8DBTQPO制備的電致發(fā)光器件的電壓-亮度關系曲線如圖36所示，由此圖可知該器件的啟亮電壓為3.77V。

本實驗以基于二苯并噻吩基團的雙極熱激發(fā)延遲熒光芳香膦氧主體材料2,4,6,8DBTQPO制備的電致發(fā)光器件的亮度-電流效率關系曲線如圖37所示，由此圖可知該器件在亮度為58.09cd·m^-2時，電流效率達到最大值8.26cd·A^-1。

本實驗以基于二苯并噻吩基團的雙極熱激發(fā)延遲熒光芳香膦氧主體材料2,4,6,8DBTQPO制備的電致發(fā)光器件的亮度-功率效率關系曲線如圖38所示，由此圖可知該器件在在亮度為56.27cd·m^-2時，功率效率達到最大值3.93lm·W^-1。

本實驗以基于二苯并噻吩基團的雙極熱激發(fā)延遲熒光芳香膦氧主體材料2,4,6,8DBTQPO制備的電致發(fā)光器件的電流密度-外量子效率關系曲線如圖39所示，由此圖可知該器件在亮度為0.025mA·cm^-2時，獲得最大外量子效率12.39％。

本實驗以基于二苯并噻吩基團的雙極熱激發(fā)延遲熒光芳香膦氧主體材料2,4,6,8DBTQPO制備的電致發(fā)光器件的電致發(fā)光光譜圖如圖40所示，由此圖可知該器件的電致發(fā)光峰在467nm處。