本發(fā)明涉及光電子技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種發(fā)光二極管的制備方法。

背景技術(shù)：

發(fā)光二極管(英文：Light Emitting Diode，簡稱：LED)作為光電子產(chǎn)業(yè)中極具影響力的新產(chǎn)品，具有體積小、使用壽命長、顏色豐富多彩、能耗低等特點(diǎn)，廣泛應(yīng)用于照明、顯示屏、信號(hào)燈、背光源、玩具等領(lǐng)域。

為了提高發(fā)光二極管的出光率，在制作發(fā)光二極管的過程中，通常會(huì)對位于出光側(cè)的電流擴(kuò)展層進(jìn)行粗化處理，即通過化學(xué)腐蝕的方式使電流擴(kuò)展層表面形成微觀的粗糙結(jié)構(gòu)。電流擴(kuò)展層在進(jìn)行粗化處理后表面會(huì)呈顆粒狀，粗糙度增加，可以減少光在電流擴(kuò)展層中的全反射，從而提高出光率，提高發(fā)光二極管的亮度。

電流擴(kuò)展層中的Al組分的含量會(huì)影響到顆粒的大小，較高的Al組分含量可以使得粗化后形成的顆粒小，高度低，但是Al組分含量高會(huì)導(dǎo)致芯片漏電，為了避免出現(xiàn)芯片漏電，現(xiàn)有的電流擴(kuò)展層中Al組分的含量都比較低，這就使得在現(xiàn)有的粗化過程中，常常會(huì)出現(xiàn)粗化后形成的顆粒過大、粗化不均勻等問題，從而導(dǎo)致發(fā)光二極管亮度不均勻。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

為了解決電流擴(kuò)展層粗化后出現(xiàn)發(fā)光二極管亮度不均勻的問題，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種發(fā)光二極管的制備方法。所述技術(shù)方案如下：

本發(fā)明實(shí)施例提供了一種發(fā)光二極管的制備方法，所述制備方法包括：

提供一襯底；

在所述襯底上依次生長N型緩沖層、N型腐蝕停層、N型歐姆接觸層、第一N型粗化引導(dǎo)層、第二N型粗化引導(dǎo)層、N型電流擴(kuò)展層、N型限制層、多量子阱層、P型限制層、P型電流擴(kuò)展層，在該外延層基礎(chǔ)上再制作金屬反射層；其中，所述第一N型粗化引導(dǎo)層為(Al_xGa_1-x)_0.5In_0.5P層，所述第二N型粗化引導(dǎo)層為(Al_yGa_1-y)_0.5In_0.5P層，且x＞y；

提供一基板；

將所述金屬反射層粘合到所述基板上；

依次去除所述襯底、所述N型緩沖層和所述N型腐蝕停層，以露出所述N型歐姆接觸層；

在所述N型歐姆接觸層上制作第一電極；

去除位于所述第一電極在所述襯底厚度方向上的投影之外的所述N型歐姆接觸層，以露出所述第一N型粗化引導(dǎo)層；

從所述第一N型粗化引導(dǎo)層遠(yuǎn)離所述襯底的一側(cè)面向靠近所述襯底的方向進(jìn)行粗化處理，且所述粗化處理的粗化深度大于所述第一N型粗化引導(dǎo)層和所述第二N型粗化引導(dǎo)層的總厚度；

在所述基板的背向所述金屬反射層的一側(cè)面上制作第二電極。

優(yōu)選地，從所述對所述第一N型粗化引導(dǎo)層遠(yuǎn)離所述襯底的一側(cè)面向所述襯底一側(cè)進(jìn)行粗化處理，包括：

進(jìn)行多次粗化，以使所述粗化深度大于所述第一N型粗化引導(dǎo)層和所述第二N型粗化引導(dǎo)層的總厚度，且在所述多次粗化中，第一次粗化的時(shí)間最長。

進(jìn)一步地，所述第一次粗化的時(shí)間為1～3min。

優(yōu)選地，所述粗化深度為1.2～1.7μm。

優(yōu)選地，所述第一N型粗化引導(dǎo)層的生長溫度為670～685℃。

優(yōu)選地，所述第二N型粗化引導(dǎo)層的生長溫度為670～685℃。

進(jìn)一步地，所述第一N型粗化引導(dǎo)層的生長厚度為200～600nm。

優(yōu)選地，所述第二N型粗化引導(dǎo)層的生長厚度為400～800nm。

可選地，所述第一N型粗化引導(dǎo)層和所述第二N型粗化引導(dǎo)層的載流子濃度均為1E18cm^-3～3E18cm^-3。

可選地，所述N型電流擴(kuò)展層的生長溫度為670～685℃。

本發(fā)明實(shí)施例提供的技術(shù)方案帶來的有益效果是：通過先在襯底上依次外延生長N型緩沖層、N型腐蝕停層、N型歐姆接觸層、第一N型粗化引導(dǎo)層、第二N型粗化引導(dǎo)層、N型電流擴(kuò)展層、N型限制層、多量子阱層、P型限制層和P型電流擴(kuò)展層，以完成對外延層的制作，再通過在P型電流擴(kuò)展層上形成的金屬反射層將外延層轉(zhuǎn)移到基板上，并依次去除襯底、N型緩沖層和N型腐蝕停層，以露出N型歐姆接觸層，N型緩沖層可以有利于外延層的生長，N型腐蝕停層可以避免在去除襯底和N型緩沖層時(shí)，N型歐姆接觸層受到腐蝕。在N型歐姆接觸層上制作完成第一電極后，去除位于第一電極在襯底厚度方向上的投影之外的N型歐姆接觸層，從而將第一N型粗化引導(dǎo)層露出，以便從第一N型粗化引導(dǎo)層遠(yuǎn)離襯底的一側(cè)面向靠近襯底的方向進(jìn)行粗化處理，由于第一N型粗化引導(dǎo)層為(Al_xGa_1-x)_0.5In_0.5P層，第二N型粗化引導(dǎo)層為(Al_yGa_1-y)_0.5In_0.5P層，且x＞y，第一N型粗化引導(dǎo)層中Al的組分高于第二N型粗化引導(dǎo)層中Al的組分，在粗化過程中，Al組分越高，則粗化后的表面顆粒越小且高度越低，反之，Al組分越低，粗化后的表面顆粒越大且高度越高，因此，粗化過程中第一N型粗化引導(dǎo)層會(huì)被腐蝕成較小的分布均勻的顆粒，顆粒之間的孔隙較小，分布均勻且間距較小，粗化液會(huì)優(yōu)先沿著孔隙對深層進(jìn)行粗化，隨著粗化深度的增加，從而使得第二N型粗化引導(dǎo)層被腐蝕成分布均勻的較大的顆粒，顆粒之間的孔隙較大，分布均勻且間距較大，粗化液優(yōu)先沿著孔隙進(jìn)一步對深層進(jìn)行粗化，隨著粗化深度的進(jìn)一步增加，N型電流擴(kuò)展層逐漸開始被粗化，由于第二N型粗化引導(dǎo)層上的孔隙分布均勻且間距較大，N型電流擴(kuò)展層上優(yōu)先被腐蝕的區(qū)域分布均勻且間距較大，使得優(yōu)先粗化的區(qū)域腐蝕的深度較大，從而最終形成顆粒小，分布均勻且高度較高的表面，避免了因粗化不均而導(dǎo)致的發(fā)光二極管出現(xiàn)亮度不均勻的情況。

附圖說明

為了更清楚地說明本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案，下面將對實(shí)施例描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。

圖1是本發(fā)明實(shí)施例提供的一種發(fā)光二極管的制備方法的流程圖；

圖2是本發(fā)明實(shí)施例提供的另一種發(fā)光二極管的制備方法的流程圖；

圖3～圖19是本發(fā)明實(shí)施例提供的發(fā)光二極管制作過程中的結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

為使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面將結(jié)合附圖對本發(fā)明實(shí)施方式作進(jìn)一步地詳細(xì)描述。

圖1是本發(fā)明實(shí)施例提供的一種發(fā)光二極管的制備方法的流程圖，如圖1所示，該制備方法包括：

S101：提供一襯底。

S102：在襯底上依次生長N型緩沖層、N型腐蝕停層、N型歐姆接觸層、第一N型粗化引導(dǎo)層、第二N型粗化引導(dǎo)層、N型電流擴(kuò)展層、N型限制層、多量子阱層、P型限制層、P型電流擴(kuò)展層和金屬反射層；其中，第一N型粗化引導(dǎo)層為(Al_xGa_1-x)_0.5In_0.5P層，第二N型粗化引導(dǎo)層為(Al_yGa_1-y)_0.5In_0.5P層，且x＞y。

S103：提供一基板。

S104：將金屬反射層粘合到基板上。

S105：依次去除襯底、N型緩沖層和N型腐蝕停層，以露出N型歐姆接觸層。

S106：在N型歐姆接觸層上制作第一電極。

S107：去除位于第一電極在襯底厚度方向上的投影之外的N型歐姆接觸層，以露出第一N型粗化引導(dǎo)層。

S108：從第一N型粗化引導(dǎo)層遠(yuǎn)離襯底的一側(cè)面向靠近襯底的方向進(jìn)行粗化處理。

具體地，粗化處理的粗化深度大于第一N型粗化引導(dǎo)層和第二N型粗化引導(dǎo)層的總厚度。

S109：在基板的背向金屬反射層的一側(cè)面上制作第二電極。

通過先在襯底上依次外延生長N型緩沖層、N型腐蝕停層、N型歐姆接觸層、第一N型粗化引導(dǎo)層、第二N型粗化引導(dǎo)層、N型電流擴(kuò)展層、N型限制層、多量子阱層、P型限制層和P型電流擴(kuò)展層，以完成對外延層的制作，再通過在P型電流擴(kuò)展層上形成的金屬反射層將外延層轉(zhuǎn)移到基板上，并依次去除襯底、N型緩沖層和N型腐蝕停層，以露出N型歐姆接觸層，N型緩沖層可以有利于外延層的生長，N型腐蝕停層可以避免在去除襯底和N型緩沖層時(shí)，N型歐姆接觸層受到腐蝕。在N型歐姆接觸層上制作完成第一電極后，去除位于第一電極在襯底厚度方向上的投影之外的N型歐姆接觸層，從而將第一N型粗化引導(dǎo)層露出，以便從第一N型粗化引導(dǎo)層遠(yuǎn)離襯底的一側(cè)面向靠近襯底的方向進(jìn)行粗化處理，由于第一N型粗化引導(dǎo)層為(Al_xGa_1-x)_0.5In_0.5P層，第二N型粗化引導(dǎo)層為(Al_yGa_1-y)_0.5In_0.5P層，且x＞y，第一N型粗化引導(dǎo)層中Al的組分高于第二N型粗化引導(dǎo)層中Al的組分，在粗化過程中，Al組分越高，則粗化后的表面顆粒越小且高度越低，反之，Al組分越低，粗化后的表面顆粒越大且高度越高，因此，粗化過程中第一N型粗化引導(dǎo)層會(huì)被腐蝕成較小的分布均勻的顆粒，顆粒之間的孔隙較小，分布均勻且間距較小，粗化液會(huì)優(yōu)先沿著孔隙對深層進(jìn)行粗化，隨著粗化深度的增加，從而使得第二N型粗化引導(dǎo)層被腐蝕成分布均勻的較大的顆粒，顆粒之間的孔隙較大，分布均勻且間距較大，粗化液優(yōu)先沿著孔隙進(jìn)一步對深層進(jìn)行粗化，隨著粗化深度的進(jìn)一步增加，N型電流擴(kuò)展層逐漸開始被粗化，由于第二N型粗化引導(dǎo)層上的孔隙分布均勻且間距較大，N型電流擴(kuò)展層上優(yōu)先被腐蝕的區(qū)域分布均勻且間距較大，使得優(yōu)先粗化的區(qū)域腐蝕的深度較大，從而最終形成顆粒小，分布均勻且高度較高的表面，避免了發(fā)光二極管出現(xiàn)亮度不均勻的情況。

圖2是本發(fā)明實(shí)施例提供的另一種發(fā)光二極管的制備方法的流程圖，下面結(jié)合附圖3～19對圖2提供的制備方法進(jìn)行詳細(xì)說明：

S201：提供一襯底。

實(shí)現(xiàn)時(shí)，該襯底可以是GaAs襯底，GaAs襯底是一種常見的襯底，也是紅黃光發(fā)光二極管常用的襯底。

在步驟S21中，可以對GaAs襯底進(jìn)行預(yù)處理，具體可以包括將GaAs襯底依次在三氯乙烯、丙酮、乙醇中超聲清洗10分鐘，去除表面有機(jī)物，然后在去離子水中超聲清洗15分鐘后用氮?dú)獯蹈?，最后高溫退火去除GaAs襯底表面的氧化薄膜。

S202：在襯底上外延生長N型緩沖層。

如圖3所示，在襯底10上生長N型GaAs緩沖層20。

其中，N型GaAs緩沖層20的厚度可以為150nm～300nm，生長的N型GaAs緩沖層20的厚度不同，最終形成的外延層的質(zhì)量也會(huì)不同，若N型GaAs緩沖層20的厚度過薄，則會(huì)導(dǎo)致N型GaAs緩沖層20的表面較為疏松和粗糙，不能為后續(xù)結(jié)構(gòu)的生長提供一個(gè)好的模板，隨著N型GaAs緩沖層20厚度的增加，N型GaAs緩沖層20的表面逐漸變得較為致密和平整，有利于后續(xù)結(jié)構(gòu)的生長，但是若N型GaAs緩沖層20的厚度過厚，則會(huì)導(dǎo)致N型GaAs緩沖層20的表面過于致密，同樣不利于后續(xù)結(jié)構(gòu)的生長，無法減少外延層中的晶格缺陷。

具體地，生長N型GaAs緩沖層20時(shí)，控制砷烷(AsH₃)和金屬有機(jī)源的摩爾流量比(V/III比)為20～30，生長速率可以控制在0.5～0.8nm/s，生長溫度可以為650～670℃，其中砷烷可以為純度在99.9999％以上的電子特氣。

S203：在N型緩沖層上外延生長N型腐蝕停層。

如圖4所示，在N型GaAs緩沖層20上生長N型GaInP腐蝕停層30。

具體地，N型GaInP腐蝕停層30的厚度可以為200nm～300nm。

進(jìn)一步地，生長N型GaInP腐蝕停層30時(shí)，控制磷烷(PH₃)和金屬有機(jī)源的摩爾流量比(V/III比)為20～30，生長速率可以控制在0.5～0.6nm/s，生長溫度可以為650～670℃，其中磷烷可以為純度在99.9999％以上的電子特氣。

S204：在N型腐蝕停層上外延生長N型歐姆接觸層。

如圖5所示，在N型GaInP腐蝕停層30上生長N型GaAs歐姆接觸層40。

具體地，N型GaAs歐姆接觸層40的厚度可以為30nm～60nm。

進(jìn)一步地，生長N型GaAs歐姆接觸層40時(shí)，控制砷烷(AsH₃)和金屬有機(jī)源的摩爾流量比(V/III比)為20～30，生長速率可以控制在0.5～0.8nm/s，生長溫度可以為650～670℃，其中砷烷可以為純度在99.9999％以上的電子特氣。

可選地，N型GaAs歐姆接觸層40中的載流子濃度可以為5E18cm^-3～8E18cm^-3。

S205：在N型歐姆接觸層上外延生長第一N型粗化引導(dǎo)層。

如圖6所示，在N型GaAs歐姆接觸層40上生長第一N型粗化引導(dǎo)層51。

實(shí)現(xiàn)時(shí)，第一N型粗化引導(dǎo)層51為(Al_xGa_1-x)_0.5In_0.5P層，其中，0.8≤x≤1，較高的Al組分可以使粗化過程中形成較小的顆粒，顆粒的高度也越低。

具體地，第一N型粗化引導(dǎo)層51的厚度可以為200nm～600nm，若厚度過薄，則粗化的時(shí)間短，不容易控制粗化深度，若厚度過厚，則會(huì)延長粗化時(shí)間，增加粗化次數(shù)，使生產(chǎn)效率降低。

進(jìn)一步地，第一N型粗化引導(dǎo)層51的生長溫度可以為670～685℃。

可選地，第一N型粗化引導(dǎo)層51中的載流子濃度可以為1E18cm^-3～3E18cm^-3。

可選地，第一N型粗化引導(dǎo)層51的N型摻雜劑包括SiH4、Si2H6。

S206：在第一N型粗化引導(dǎo)層上外延生長第二N型粗化引導(dǎo)層。

如圖7所示，在第一N型粗化引導(dǎo)層51上生長第二N型粗化引導(dǎo)層52。

實(shí)現(xiàn)時(shí)，第二N型粗化引導(dǎo)層52為(Al_yGa_1-y)_0.5In_0.5P層，其中，0.4≤y≤0.6，較低的Al組分可以使粗化過程中形成較大的顆粒，顆粒的高度也越高，若y過小，則會(huì)增加對光的吸收，降低出光率，影響發(fā)光二極管的亮度。

具體地，第二N型粗化引導(dǎo)層52的厚度可以為400nm～800nm，若厚度過薄，則粗化的時(shí)間短，不容易控制粗化深度，若厚度過厚，則會(huì)延長粗化時(shí)間，增加粗化次數(shù)，使生產(chǎn)效率降低。

進(jìn)一步地，第二N型粗化引導(dǎo)層52的生長溫度可以為670～685℃。

可選地，第二N型粗化引導(dǎo)層52中的載流子濃度可以為1E18cm^-3～3E18cm^-3。

可選地，第二N型粗化引導(dǎo)層52的N型摻雜劑包括SiH4、Si2H6。

S207：在第二N型粗化引導(dǎo)層上外延生長N型電流擴(kuò)展層。

如圖8所示，在第二N型粗化引導(dǎo)層52上生長N型AlGaInP電流擴(kuò)展層60。

具體地，N型AlGaInP電流擴(kuò)展層60的厚度可以為1.5μm～2.5μm，若N型AlGaInP電流擴(kuò)展層60的厚度過薄，會(huì)使得N型AlGaInP電流擴(kuò)展層60的橫向的電阻增大，降低電流的擴(kuò)展能力，若N型AlGaInP電流擴(kuò)展層60的厚度過厚，則會(huì)增加對光的吸收，降低出光率，使發(fā)光二極管亮度降低，翹曲變大，碎片率增加。

進(jìn)一步地，生長N型AlGaInP電流擴(kuò)展層60時(shí)，控制磷烷(PH₃)和金屬有機(jī)源的摩爾流量比(V/III比)為20～30，生長速率可以控制在0.45～0.55nm/s，生長溫度可以為670～685℃，其中磷烷可以為純度在99.9999％以上的電子特氣。

可選地，N型AlGaInP電流擴(kuò)展層60中的載流子濃度可以為1E18cm^-3～2E18cm^-3。

可選地，N型AlGaInP電流擴(kuò)展層60為(Al_zGa_1-z)_0.5In_0.5P層，其中0.6＜z＜0.8。

S208：在N型電流擴(kuò)展層上外延生長N型限制層。

如圖9所示，在N型AlGaInP電流擴(kuò)展層60上生長N型AlInP限制層70。

具體地，N型AlInP限制層70的厚度可以為250nm～350nm。

進(jìn)一步地，生長N型AlInP限制層70時(shí)，控制磷烷(PH₃)和金屬有機(jī)源的摩爾流量比(V/III比)為20～30，生長速率可以控制在0.45～0.55nm/s，生長溫度可以為670～685℃，其中磷烷可以為純度在99.9999％以上的電子特氣。

可選地，N型AlInP限制層70中的載流子濃度可以為1E18cm^-3～2E18cm^-3。

S209：在N型限制層上外延生長多量子阱層。

如圖10所示，在N型AlInP限制層70上生長多量子阱層80。

具體地，多量子阱層80的厚度可以為150nm～200nm。

進(jìn)一步地，生長多量子阱層80時(shí)，控制磷烷(PH₃)和金屬有機(jī)源的摩爾流量比(V/III比)為20～30，生長速率可以控制在0.45～0.55nm/s，生長溫度可以為670～685℃，其中磷烷可以為純度在99.9999％以上的電子特氣。

S210：在多量子阱層上外延生長P型限制層。

如圖11所示，在多量子阱層80上生長P型AlInP限制層90。

具體地，P型AlInP限制層90的厚度可以為250nm～350nm。

進(jìn)一步地，生長P型AlInP限制層90時(shí)，控制磷烷(PH₃)和金屬有機(jī)源的摩爾流量比(V/III比)為20～30，生長速率可以控制在0.45～0.55nm/s，生長溫度可以為670～685℃，其中磷烷可以為純度在99.9999％以上的電子特氣。

可選地，P型AlInP限制層90中的載流子濃度可以為7E17cm^-3～9E17cm^-3。

S211：在P型限制層上外延生長P型電流擴(kuò)展層。

如圖12所示，在P型AlInP限制層90上生長P型GaP電流擴(kuò)展層100。

具體地，P型GaP電流擴(kuò)展層100的厚度可以為1.5μm～2.5μm。

進(jìn)一步地，生長P型GaP電流擴(kuò)展層100時(shí)，控制磷烷(PH₃)和金屬有機(jī)源的摩爾流量比(V/III比)為20～30，生長速率可以控制在2.5～3nm/s，生長溫度可以為695～710℃，其中磷烷可以為純度在99.9999％以上的電子特氣。

可選地，P型GaP電流擴(kuò)展層100中的載流子濃度可以為2E18cm^-3～5E18cm^-3。

S212：在P型電流擴(kuò)展層上制作金屬反射層。

如圖13所示，在P型GaP電流擴(kuò)展層100上制作金屬反射層110。

金屬反射層110可以將發(fā)光二極管發(fā)出的光向出光側(cè)反射，從而提高出光率，使發(fā)光二極管的亮度得到提升。

S213：提供一基板120。

實(shí)現(xiàn)時(shí)，該基板120可以是硅基板。

S214：將金屬反射層粘合到基板上。

如圖14所示，將金屬反射層110粘合到基板120上。

通過金屬反射層110將外延層轉(zhuǎn)移到基板120上后，從而可以去除GaAs襯底10，避免GaAs材料對光的吸收。

S215：依次去除襯底、N型緩沖層和N型腐蝕停層。

如圖15所示，依次去除襯底10、N型GaAs緩沖層20和N型GaInP腐蝕停層30，以露出N型GaAs歐姆接觸層40。

具體地，可以通過腐蝕液將襯底10、N型GaAs緩沖層20和N型GaInP腐蝕停層30依次腐蝕去除。

實(shí)現(xiàn)時(shí)，腐蝕液可以為雙氧水和鹽酸。

S216：制作第一電極。

如圖16所示，在N型GaAs歐姆接觸層40上制作第一電極131。

具體地，可以先在N型GaAs歐姆接觸層40上蒸鍍電極材料，再通過刻蝕去除部分電極材料，以形成第一電極131。

S217：去除部分N型歐姆接觸層。

如圖17所示，去除位于第一電極131在襯底10厚度方向上的投影之外的N型GaAs歐姆接觸層40，以露出第一N型粗化引導(dǎo)層51。

具體地，可以通過光刻去除位于第一電極131之外的N型GaAs歐姆接觸層40，從而將第一N型粗化引導(dǎo)層51露出，以便于進(jìn)行粗化處理。

S218：粗化處理。

如圖18所示，進(jìn)行多次粗化，以使粗化深度大于第一N型粗化引導(dǎo)層51和第二N型粗化引導(dǎo)層52的總厚度，且第一次粗化的時(shí)間最長。

具體地，將待粗化處理的待加工件浸入粗化液中，進(jìn)行第一次粗化，在完成第一次粗化后，將待加工件取出，甩干處理后再次浸入粗化液，進(jìn)行第二次粗化，在完成第二次粗化后，將待加工件取出，甩干處理后再次浸入粗化液，以進(jìn)行第三次粗化，如此完成對待加工件的多次粗化。由于粗化過程中，無法確保一次粗化就得到所需要的粗化深度，因此需要通過多次粗化逐漸加深粗化深度，以使粗化深度達(dá)到工藝要求，粗化深度大于第一N型粗化引導(dǎo)層51和第二N型粗化引導(dǎo)層52的總厚度，從而確保N型AlGaInP電流擴(kuò)展層60的表面被粗化處理(圖18中的61即為N型AlGaInP電流擴(kuò)展層60的表面被粗化的部分)。

實(shí)現(xiàn)時(shí)，第一次粗化的時(shí)間可以為1～3min，若第一次粗化時(shí)間太短，則第一次的粗化深度過淺，會(huì)增加粗化次數(shù)，若第一次粗化時(shí)間太長，則可能導(dǎo)致第一次粗化完成后，粗化深度就超過了工藝要求。第一次粗化之后的每次粗化的時(shí)間可以為0.2～1min，第一次粗化之后的每次粗化的時(shí)間越短，則總的粗化深度越容易控制，但相應(yīng)地，粗化次數(shù)也可能越多。

進(jìn)一步地，第一次粗化之后的每次粗化的時(shí)間可以逐漸縮短，以使總的粗化深度符合工藝要求。

可選地，粗化深度可以為1.2～1.7μm，具體的粗化深度可以根據(jù)第一N型粗化引導(dǎo)層51和第二N型粗化引導(dǎo)層52的總厚度確定，應(yīng)確保粗化深度大于第一N型粗化引導(dǎo)層51和第二N型粗化引導(dǎo)層52的總厚度。

可選地，粗化液可以是H₃PO₄和HCl的混合溶液，其中H₃PO₄和HCl的物質(zhì)的量之比為5∶1。

優(yōu)選地，在執(zhí)行步驟S218之前，可以先在第一電極131上設(shè)置保護(hù)層，以避免第一電極131被腐蝕。

需要說明的是，在完成全部的粗化處理后，第一N型粗化引導(dǎo)層51和第二N型粗化引導(dǎo)層52上位于第一電極131之外的部分可能在粗化過程中被全部腐蝕掉，也可能仍保留有一部分的第一N型粗化引導(dǎo)層51和第二N型粗化引導(dǎo)層52，為了便于說明，圖18～19中顯示了完整的第一N型粗化引導(dǎo)層51和第二N型粗化引導(dǎo)層52。

S219：制作第二電極。

如圖19所示，在基板120的背向金屬反射層110的一側(cè)面上制作第二電極132。

通過完成第二電極132的制作后，即可進(jìn)行裂片，從而得到多個(gè)發(fā)光二極管。

以上所述僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例，并不用以限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。