本申請是如下發(fā)明專利申請的分案申請：

發(fā)明名稱：發(fā)光模塊、發(fā)光裝置；申請?zhí)枺?01210432031.5；申請日：12年11月2日。

本發(fā)明涉及一種在被密封的空間中具備發(fā)光元件的發(fā)光模塊、以及一種具備發(fā)光模塊的發(fā)光裝置。

背景技術：

已知在一對電極之間具備包含擴展為面狀的發(fā)光性有機化合物的層（也稱為el層）的發(fā)光元件。這種發(fā)光元件例如被稱為有機el元件，當對一對電極之間施加電壓時，可從發(fā)光性有機化合物得到發(fā)光。還有，已知將有機el元件用于發(fā)光裝置諸如照明裝置、顯示裝置等。專利文獻1公開了使用有機el元件的顯示裝置的一例。

[專利文獻1]日本專利申請公開2002-324673號公報。

一種發(fā)光模塊，它具有在一對電極之間具備包含發(fā)光性有機化合物的層的發(fā)光元件，其中在起因于電阻（也稱為薄層電阻（sheetresistance））的一個電極的電壓下降而導致的亮度的下降大到能夠被觀察者確認到的情況下，難以從該發(fā)光模塊取出擴展為面狀的均勻的光，有時在取出發(fā)光的面能確認到亮度的不均勻（也稱為亮度的分布不良）。

另外，在一個面上設置有發(fā)光元件的第一襯底和使該發(fā)光元件所發(fā)射的光透射的第二襯底之間密封該發(fā)光元件的發(fā)光模塊中，在第一襯底和第二襯底之間的間隔存在有不均勻時，觀察到牛頓環(huán)，尤其是不均勻的牛頓環(huán)，而損壞美觀。

技術實現要素：

本發(fā)明的一個方式是鑒于上述技術背景而實現的。因此，本發(fā)明的目的之一在于提供能夠以均勻的亮度取出光的發(fā)光模塊。另外，本發(fā)明的目的之一在于提供觀察不到牛頓環(huán)的美觀優(yōu)異的發(fā)光模塊。

或者，本發(fā)明的目的之一在于提供能夠以均勻的亮度取出光的發(fā)光裝置。另外，本發(fā)明的目的之一在于提供觀察不到牛頓環(huán)的美觀優(yōu)異的發(fā)光裝置。

為了實現上述目的，本發(fā)明的一個方式注目于：輔助電極，它減少在一對電極之間具備包含發(fā)光性有機化合物的層的發(fā)光元件的一個電極的電阻（也稱為薄層電阻）；以及間隔物，它調整密封該發(fā)光元件的第一襯底和第二襯底之間的間隔。本發(fā)明人想到了具備下面的結構的發(fā)光模塊，而到達上述目的的解決。

本發(fā)明的一個方式的一種發(fā)光模塊，包括：第一襯底；形成在第一襯底的一個面?zhèn)鹊陌l(fā)光元件；第二襯底；保持第一襯底和第二襯底之間的間隔的導電性的間隔物；以及在第一襯底和第二襯底之間密封發(fā)光元件的空間。該第一襯底具備：第一電極；在第一電極上具有開口部的隔壁；第一電極上的第二電極；以及由第一電極和第二電極夾住的包含發(fā)光性的有機化合物的層。該發(fā)光元件在與上述隔壁的開口部重疊的位置具備：第一電極；第二電極；以及由第一電極和第二電極夾住的包含發(fā)光性有機化合物的層。另外，第二電極是利用蒸鍍法形成的金屬薄膜，并且具有薄到使包含發(fā)光性有機化合物的層所發(fā)射的光透射的程度的厚度。該第二襯底在與發(fā)光元件重疊的位置具備使該發(fā)光元件所發(fā)射的光透射的區(qū)域。該空間的壓力為大氣壓力以下。該導電性的間隔物在與隔壁重疊的位置電連接到第二電極，并且以緩和在第二電極中發(fā)生的電壓下降的方式設置在第二襯底上。另外，通過由厚度薄的金屬薄膜形成的第二電極，從第二襯底側射出包含發(fā)光性有機化合物的層所發(fā)射的層的光。

就是說，本發(fā)明的一個方式的一種發(fā)光模塊，包括：第一襯底；形成在第一襯底的一個面?zhèn)鹊陌l(fā)光元件；設置在第一襯底的一個面?zhèn)鹊牡诙r底；保持第一襯底和第二襯底之間的間隔的導電性的間隔物；以及在第一襯底和第二襯底之間密封發(fā)光元件的空間。而且，第一襯底具備：第一電極；在第一電極上具有開口部的隔壁；第一電極上的第二電極；以及由第一電極和第二電極夾住的包含發(fā)光性的有機化合物的層。發(fā)光元件在與隔壁的開口部重疊的位置具備：第一電極；第二電極；以及由第一電極和第二電極夾住的包含發(fā)光性有機化合物的層。第二電極是利用蒸鍍法形成的金屬薄膜，并且薄到使包含發(fā)光性有機化合物的層所發(fā)射的光透射的程度。第二襯底在與發(fā)光元件重疊的位置具備使該發(fā)光元件所發(fā)射的光透射的區(qū)域?？臻g的壓力為大氣壓力以下。導電性的間隔物在與隔壁重疊的位置電連接到第二電極，并且以緩和在第二電極中發(fā)生的電壓下降的方式設置在第二襯底上。

在上述本發(fā)明的一個方式的發(fā)光模塊中，設置在第二襯底上的導電性的間隔物和設置在第一襯底上的發(fā)光元件的第二電極在隔壁上電連接，而緩和在第二電極中發(fā)生的電壓下降。其結果，可以提供能夠以均勻的亮度取出光的發(fā)光模塊。或者，可以提供觀察不到牛頓環(huán)的美觀優(yōu)異的發(fā)光模塊。

另外，本發(fā)明的一個方式是上述發(fā)光模塊，其中發(fā)光元件具備：包含發(fā)光性有機化合物的第一層；包含發(fā)光性有機化合物的第二層；以及在包含發(fā)光性有機化合物的第一層和包含發(fā)光性有機化合物的第二層之間的中間層。而且，中間層包含電子傳輸性的物質和施主物質。導電性的間隔物包括角部以曲面施以倒角加工的端部。端部電連接到第二電極。

上述本發(fā)明的一個方式的發(fā)光模塊具有一種發(fā)光元件，該發(fā)光元件包括：包含發(fā)光性有機化合物的第一層；包含發(fā)光性有機化合物的第二層；以及在包含發(fā)光性有機化合物的第一層和包含發(fā)光性有機化合物的第二層之間的中間層。另外，導電性的間隔物包括角部以曲面施以倒角加工的端部，該端部在隔壁上連接到發(fā)光元件的第二電極。特別是，導電性的間隔物的端部的角部以曲面施以倒角加工，因此能夠分散導電性的間隔物對包含發(fā)光性有機化合物的第一層、包含發(fā)光性有機化合物的第二層、中間層乃至第二電極施加的應力。

另外，包含發(fā)光性有機化合物的第一層、包含發(fā)光性有機化合物的第二層乃至中間層都容易被損壞，如果被損壞，有時引起發(fā)光元件的異常發(fā)光。

例如，在從導電性的間隔物的端部應力集中于第二電極和包含發(fā)光性有機化合物的第二層，而這些層被損壞的情況下，有時導電性的間隔物和中間層短路而在不流過包含發(fā)光性有機化合物的第二層。結果，有時來自包含發(fā)光性有機化合物的第二層的發(fā)光減少或者消失。

但是，根據本發(fā)明的一個方式，導電性的間隔物能夠分散施加到隔壁上的層的應力，因此能夠防止如上述不良的發(fā)生。其結果，可以提供能夠以均勻的亮度取出光的發(fā)光模塊?；蛘?，可以提供觀察不到牛頓環(huán)的美觀優(yōu)異的發(fā)光模塊。

另外，本發(fā)明的一個方式的一種發(fā)光模塊，包括：第一襯底；形成在第一襯底的一個面?zhèn)鹊陌l(fā)光元件；設置在第一襯底的一個面?zhèn)鹊牡诙r底；保持第一襯底和第二襯底之間的間隔的導電性的間隔物；以及在第一襯底和第二襯底之間密封發(fā)光元件的空間。而且，第一襯底具備：第一電極；在第一電極上具有開口部的隔壁；第一電極上的第二電極；以及由第一電極和第二電極夾住的包含發(fā)光性的有機化合物的層。發(fā)光元件在與隔壁的開口部重疊的位置具備：第一電極；第二電極；以及由第一電極和第二電極夾住的包含發(fā)光性有機化合物的層。第二電極是通過蒸鍍法形成的金屬薄膜，并且薄到使包含發(fā)光性有機化合物的層所發(fā)射的光透射的程度。第二襯底在與發(fā)光元件重疊的位置具備使該發(fā)光元件所發(fā)射的光透射的區(qū)域?？臻g的壓力為大氣壓力以下。導電性的間隔物在與隔壁重疊的位置電連接到第二電極，并且以緩和在第二電極中發(fā)生的電壓下降的方式設置在第一襯底上。

在上述本發(fā)明的一個方式的發(fā)光模塊中，設置在第一襯底的導電性的間隔物和設置在第一襯底上的發(fā)光元件的第二電極電連接，而緩和在第二電極中發(fā)生的電壓下降。其結果，可以提供能夠以均勻的亮度取出光的發(fā)光模塊。或者，可以提供觀察不到牛頓環(huán)的美觀優(yōu)異的發(fā)光模塊。

另外，本發(fā)明的一個方式是具備一種導電性間隔物的上述發(fā)光模塊，該導電性間隔物具備多個層且在第二襯底側設有比其他層反射率低的層。

在上述本發(fā)明的一個方式的發(fā)光模塊中，導電性的間隔物在第二襯底側設有比其他層反射率低的層。該反射率低的層吸收從第二襯底側行進到導電性的間隔物的外光及在導電性的間隔物中包括的其他層所反射的外光的一部分。其結果，可以提供外光的反射被抑制且以均勻的亮度取出光的發(fā)光模塊?；蛘?，可以提供外光的反射被抑制且觀察不到牛頓環(huán)的美觀優(yōu)異的發(fā)光模塊。

另外，本發(fā)明的一個方式是具備在第二襯底和導電性的間隔物之間延伸的彩色濾光片的上述發(fā)光模塊。

上述本發(fā)明的一個方式的發(fā)光模塊具備在第二襯底和導電性的間隔物之間延伸的彩色濾光片。該彩色濾光片吸收從第二襯底側行進到導電性的間隔物的外光及在導電性的間隔物所反射的外光的一部分。其結果，可以提供外光的反射被抑制且以均勻的亮度取出光的發(fā)光模塊?；蛘撸梢蕴峁┩夤獾姆瓷浔灰种魄矣^察不到牛頓環(huán)的美觀優(yōu)異的發(fā)光模塊。

另外，本發(fā)明的一個實施方式是使用上述發(fā)光模塊的發(fā)光裝置。

在上述本發(fā)明的一個方式的發(fā)光裝置中，設置在第一襯底或第二襯底上的導電性的間隔物和設置在第一襯底上的發(fā)光元件的第二電極電連接，而緩和在第二電極中發(fā)生的電壓下降。其結果，可以提供能夠以均勻的亮度取出光的發(fā)光裝置?；蛘?，可以提供觀察不到牛頓環(huán)的美觀優(yōu)異的發(fā)光裝置。

另外，在本說明書中，el層是指設置在發(fā)光元件的一對電極之間的層。因此，含有作為夾在電極之間的發(fā)光物質的有機化合物的發(fā)光層為el層的一個方式。

此外，在本說明書中，當將物質a分散在由其他物質b形成的基質（matrix）中時，將構成基質的物質b稱為主體材料，并且將分散在基質中的物質a稱為客體材料。請注意，物質a和物質b可以分別是單一物質或者是兩種或更多種物質的混合物。

另外，在本說明書中，發(fā)光裝置是指圖像顯示裝置、發(fā)光器件或光源（包括照明設備）。而且，所述發(fā)光裝置包括任何下列模塊：其中連接器如fpc（flexibleprintedcircuit：軟性印刷電路）或者tcp（tapecarrierpackage：帶載封裝）被安裝到發(fā)光裝置上的模塊；在tcp的末端設有印刷線路板的的模塊；或者通過cog（chip-on-glass：玻璃上芯片）法將ic（集成電路）直接安裝在形成有發(fā)光元件的襯底上的模塊。

根據本發(fā)明的一個方式，可以提供能夠以均勻的亮度取出光的發(fā)光模塊。或者，可以提供觀察不到牛頓環(huán)的美觀優(yōu)異的發(fā)光模塊。

或者，可以提供能夠以均勻的亮度取出光的發(fā)光裝置?；蛘?，可以提供觀察不到牛頓環(huán)的美觀優(yōu)異的發(fā)光裝置。

附圖說明

圖1a至1c是說明根據實施方式的發(fā)光模塊的圖；

圖2a至2c是說明根據實施方式的發(fā)光模塊的圖；

圖3a至3c是說明根據實施方式的發(fā)光模塊的圖；

圖4是說明根據實施方式的發(fā)光模塊的圖；

圖5a和5b是說明使用根據實施方式的發(fā)光模塊的發(fā)光面板的圖；

圖6a和6b是說明使用根據實施方式的發(fā)光模塊的發(fā)光裝置的圖；

圖7a至7e是說明可以用于根據實施方式的發(fā)光模塊的發(fā)光元件的圖；

圖8a至8f是說明使用根據實施方式的發(fā)光模塊的電子器件的圖。

具體實施方式

參照附圖對實施方式進行詳細說明。但是，本發(fā)明不局限于以下說明，而所屬技術領域的普通技術人員可以很容易地理解一個事實就是其方式及詳細內容在不脫離本發(fā)明的宗旨及其范圍的情況下可以被變換為各種各樣的形式。因此，本發(fā)明不應該被解釋為僅局限在以下所示的實施方式所記載的內容中。注意，在下面說明的發(fā)明結構中，在不同的附圖中共同使用相同的附圖標記來表示相同的部分或具有相同功能的部分，而省略反復說明。

實施方式1

在本實施方式中，說明本發(fā)明的一個方式的發(fā)光模塊的結構。具體而言，對一種發(fā)光模塊進行說明，該發(fā)光模塊具有：第一襯底；形成在第一襯底的一個面?zhèn)鹊陌l(fā)光元件；設置在第一襯底的一個面?zhèn)鹊牡诙r底；保持第一襯底和第二襯底之間的間隔的導電性的間隔物；以及在第一襯底和第二襯底之間密封發(fā)光元件的空間。另外，第一襯底具備第一電極和在第一電極上具有開口部的隔壁。并且發(fā)光元件在與隔壁的開口部重疊的位置具備：第一電極；第二電極；以及由第一電極和第二電極夾住的包含發(fā)光性有機化合物的層。第二電極是通過蒸鍍法形成的金屬薄膜，并且薄到使包含發(fā)光性有機化合物的層所發(fā)射的光透射的程度。第二襯底在與發(fā)光元件重疊的位置具備使該發(fā)光元件所發(fā)射的光透射的區(qū)域?？臻g的壓力為大氣壓力以下。導電性的間隔物在與隔壁重疊的位置電連接到第二電極，并且以緩和在第二電極中發(fā)生的電壓下降的方式設置在第二襯底上。

在本實施方式所例示的發(fā)光模塊中，設置在第二襯底上的導電性的間隔物和設置在第一襯底上的發(fā)光元件的第二電極在隔壁上電連接，而緩和在第二電極中發(fā)生的電壓下降。其結果，可以提供能夠以均勻的亮度取出光的發(fā)光模塊。或者，可以提供觀察不到牛頓環(huán)的美觀優(yōu)異的發(fā)光模塊。

對本實施方式所例示的發(fā)光模塊，參照圖1a至圖2c進行說明。

圖1a是本發(fā)明的一個方式的發(fā)光模塊的俯視圖，圖1b是沿著圖1a中的切斷線m1-m2-m3-m4的截面圖。另外，圖1c是詳細說明圖1b的一部分的圖。

圖1a至1c所例示的發(fā)光模塊100具有：第一襯底101；形成在第一襯底101的一個面?zhèn)鹊陌l(fā)光元件110；設置在第一襯底101的一個面?zhèn)鹊牡诙r底102；保持第一襯底101和第二襯底102之間的間隔的導電性的間隔物135；以及在第一襯底101和第二襯底102之間密封發(fā)光元件110的空間130。另外，第一襯底101具備第一電極111、在第一電極111上具有開口部的隔壁114。并且發(fā)光元件110在與隔壁114的開口部重疊的位置具備：第一電極111；第二電極112；以及由第一電極111和第二電極112夾住的包含發(fā)光性有機化合物的層113。第二電極112是通過蒸鍍法形成的金屬薄膜，并且薄到使包含發(fā)光性有機化合物的層113所發(fā)射的光透射的程度。第二襯底102在與發(fā)光元件110重疊的位置具備使該發(fā)光元件110所發(fā)射的光透射的區(qū)域。空間130的壓力為大氣壓力以下。導電性的間隔物135在與隔壁114重疊的位置電連接到第二電極112，并且以緩和在第二電極112中發(fā)生的電壓下降的方式設置在第二襯底102上。

另外，第一端子103電連接到第一電極111，第二端子104電連接到第二電極112，它們分別延伸至被密封的空間130的外側（參照圖1b）。

<被密封的空間的結構>

空間130是由以圍繞發(fā)光元件110的方式設置的密封材料131、第一襯底101及第二襯底102圍繞的空間，密封材料131將第一襯底101和第二襯底102貼合起來。另外，由于空間130保持為大氣壓以下，因而以彼此擠壓的方式對第一襯底101和第二襯底102施加大氣壓。

<發(fā)光元件的結構>

在本實施方式中，對發(fā)光元件110所包括的第一電極111及第二電極112的結構進行詳細說明。關于發(fā)光元件110的另外結構（例如，包含發(fā)光性有機化合物的層113），在實施方式5中詳細說明。

《第一電極》

第一電極111包含導電材料，也可以為單層結構又可以為兩層以上的疊層結構。此外，其厚度沒有特別的限制。

導電材料可以使用具有導電性且能夠耐受制造步驟的材料，例如可以使用選自鉬、鈦、鉭、鎢、鋁、銀、銅、鉻、釹、鈧等中的一種金屬或包含選自它們中的一種金屬的合金。

作為包含鋁的合金，可以舉出鋁-鎳-鑭合金、鋁-鈦合金、鋁-釹合金等。另外，作為包含銀的合金，可以舉出銀-釹合金、鎂-銀合金等。另外，也可以使用包含金、銅的合金。

導電材料可以使用金屬氮化物。具體地說，可以舉出氮化鈦、氮化鉬、氮化鎢等作為其例子。

導電材料也可以使用導電性的金屬氧化物。具體地說，可以使用氧化銦、氧化錫、銦-錫氧化物（也稱為ito）、銦-鋅氧化物、氧化鋅、添加有鎵或鋁的氧化鋅或使上述金屬氧化物材料包含氧化硅的材料。

在本實施方式中，作為第一電極111使用在包含鋁-鎳-鑭合金的層上層疊包含鈦的層的疊層結構。鋁-鎳-鑭合金具有高反射率，而優(yōu)選使用于反射電極。此外，能夠抑制由于包含鈦的層，在第一電極的表面上形成高電阻的氧化膜的現象。其結果，能夠減少發(fā)光元件所發(fā)射的光的強度的損失和起因于電阻的電力的損失。

《第二電極》

第二電極112包含導電材料，并且既可以為單層結構又可以為兩層以上的疊層結構。

另外，第二電極112以與包含發(fā)光性有機化合物的層接觸的方式形成，該第二電極112薄到使包含發(fā)光性有機化合物的層113所發(fā)射的光透射的程度，優(yōu)選為5nm以上且30nm以下。如此這樣，該厚度薄（換言之截面面積?。?，因此有第二電極112的電阻（也可以稱為薄層電阻）變大的趨勢。

作為用作第二電極112的金屬，可以蒸鍍的金屬即可，例如可以舉出貴金屬、稀土金屬、堿金屬、堿土金屬、具體地說，銀、金、鐿、鉺、鈣、鎂以及鋁等?；蛘撸梢耘e出包含上述金屬之一的合金，具體地說，銀-釹合金、鎂-銀合金、鋁-鎳-鑭合金、鋁-鈦合金、鋁-釹合金等。

另外，作為形成第二電極112的方法，優(yōu)選采用電子束蒸鍍法，特別優(yōu)選為加熱蒸鍍法或電子束蒸鍍法等。在通過濺射法形成第二電極112的情況下，有時對用作該第二電極112的基底的包含發(fā)光性有機化合物的層113帶來損傷。此外，有時包含大粒子地形成第二電極112。當對這種粒子集中應力或電場時，成為不良的發(fā)生原因?；蛘?，從靶材具有大的動能并跑出來的粒子碰撞到包含發(fā)光性有機化合物的層113，而帶來損傷。或者，有時形成在靶材近旁的等離子體所發(fā)射的紫外線等的活性能量線對包含發(fā)光性有機化合物的層113帶來損傷?；蛘撸袝r濺射氣體成為發(fā)光元件的雜質而降低可靠性。

本發(fā)明的一個方式的發(fā)光模塊100所具備的發(fā)光元件110具有通過真空蒸鍍法形成的第二電極112。其結果，包含發(fā)光性有機化合物的層113不容易受到第二電極的形成所伴隨的損傷。其結果，本發(fā)明的一個方式的發(fā)光模塊的可靠性高。

另外，也可以將第一電極111作為反射性的電極，將第二電極112作為半透射/半反射性的電極，通過調整第一電極111和第二電極112的間隔（光學距離）構成微諧振器（也稱為微腔），來從半透射/半反射性的第二電極112高效地取出特定波長的光。

<隔壁的結構>

隔壁114包含導電材料，既可以為單層結構又可以為兩層以上的疊層結構。此外，其厚度沒有特別的限制。在隔壁的上端部或下端部優(yōu)選形成具有曲率的曲面。例如，隔壁114中的接觸于第一電極111的部分的形狀優(yōu)選為具備平緩的角度或曲率（例如為0.2μm以上且3μm以下）。通過以與第一電極111之間不形成臺階的方式形成隔壁114的端部，可以防止在臺階部中發(fā)生第一電極111和第二電極112的短路的現象。

隔壁114可以使用具有絕緣性且能夠耐受制造工序的材料，例如可以使用選自光聚合體、光敏丙烯酸樹脂、光敏聚酰亞胺等的一種絕緣層，或包含選自它們的一種的絕緣層。

隔壁114在第一電極111上具有至少一個開口部，并且隔壁114設置在與導電性的間隔物135重疊的位置（參照圖1c）。本實施方式所例示的隔壁114的方式是格子狀。

作為隔壁114可以適用的材料是絕緣性的材料即可，可以舉出例如樹脂、無機絕緣材料或它們的組合。具體地說，可以使用負型或正型的感光性的樹脂。通過調節(jié)曝光條件，能夠平緩地形成感光性的樹脂的端部的形狀。

另外，在隔壁114上順序層疊有包含發(fā)光性有機化合物的層113、第二電極112。

<導電性的間隔物的結構>

導電性的間隔物135具有如下功能：保持第一襯底101和第二襯底102之間的間隔；緩和第二電極112的電壓下降。

本實施方式所例示的導電性的間隔物135形成在第二襯底102上的與隔壁114重疊的位置。導電性的間隔物135在其端部和隔壁114之間夾住包含發(fā)光性有機化合物的層113和第二電極112，而支撐施加到第一襯底101和第二襯底102的大氣壓（參照圖1c）。

導電性的間隔物135的長度例如為2μm以上且6μm以下，代表為3μm以上且5μm以下。在將導電性的間隔物形成為較長時，來自發(fā)光模塊射出的光的指向性較高，在將導電性的間隔物形成為較短時，來自發(fā)光模塊射出的光的指向性較低。當指向性高時優(yōu)選使用于在發(fā)光模塊的正面明亮的照明裝置等，當指向性弱時優(yōu)選使用于廣視角的發(fā)光顯示裝置等。

另外，導電性的間隔物135的端部在隔壁114上與第二電極112接觸，而彼此電連接（參照圖1c）。與第二電極112相比，導電性的間隔物135不容易發(fā)生電壓下降，且形成為在廣泛的范圍中使電流容易流過即可，可以適用各種各樣的方式。

具體地說，導電性的間隔物135的形狀可以為條紋狀、葉脈狀、格子狀或網孔狀。

在本實施方式中，例示格子狀的導電性的間隔物135（參照圖1a）。在導電性的間隔物135連續(xù)的部分（例如圖1a中的從m1至m2的格子的部分）中電流容易通過。另一方面，導電性的間隔物135的不連續(xù)的部分（例如圖1a中的從m3至m4）使發(fā)光元件110所發(fā)射的光透射。

另外，雖然在本實施方式中，在每個形成有隔壁114的部分中分別例示設置導電性的間隔物135的結構，但是也可以采用在每兩個形成有隔壁114的部分分別設置導電性的間隔物135的結構，適當地調整其布置，以使難以觀察到起因于第二電極112的電壓下降的發(fā)光元件110的發(fā)光不均勻（也稱為亮度不均勻）即可。

導電性的間隔物135的電阻越降低，緩和電壓下降的效果越明顯。作為導電性的間隔物135的電阻減少的方法，例如可以適用導電性高的材料和/或截面面積大的方式。

另外，在第一襯底101的面積中發(fā)光元件110的面積占有的比率越大，發(fā)光模塊的亮度越明亮，這是優(yōu)選的。因此，導電性的間隔物135或隔壁114都優(yōu)選采用盡量不覆蓋第一襯底101的形狀。

導電性的間隔物135優(yōu)選采用覆蓋第一襯底101的面積小且截面面積大的形狀。例如，如本實施方式所例示那樣，優(yōu)選為寬度窄且高度高的形狀，換言之縱橫比高的形狀。

作為可以用于導電性的間隔物135的材料，可以以單層或層疊使用如金屬、合金、金屬氮化物以及金屬氧化物等。作為金屬或合金，具體地說，可以舉出包含選自鋁、銅、鉻、鉭、鈦、鉬及鎢中的元素。

另外，包含鋁的合金既導電性高又反射率高，不容易發(fā)生吸收發(fā)光元件110所發(fā)射的光而損失的現象。作為包含鋁的合金，可以使用包含鎳的鋁、包含鑭及鎳的鋁、包含硅的鋁。

作為金屬氮化物，具體地說，可以舉出氮化鈦、氮化鉬以及氮化鎢等。

作為可以用于導電性的間隔物135的層疊材料，可以舉出在下側和上側的一方或雙方層疊有高熔點金屬或上述金屬氮化物的結構。另外，作為高熔點金屬，具體地說可以舉出鉻、鉭、鈦、鉬、鎢、釹、鈧、釔等。當采用在鋁或銅的下側和上側的一方或雙方層疊的結構時能夠避免鋁及銅的耐熱性及腐蝕性的問題。

本實施方式所例示的導電性的間隔物135在第二襯底102上順序層疊有鋁及鈦，并且通過光蝕刻法進行加工而形成。通過采用第二電極接觸于鈦層的結構，能夠抑制由于形成在導電性的間隔物135的表面的氧化膜而導致的電阻的上升。

<第一襯底及第二襯底>

第一襯底101及第二襯底102分別具有耐受制造步驟的程度的耐熱性，其厚度及尺寸只要可以使用于制造裝置，就沒有特別的限制。另外，也可以采用單層結構或層疊兩層以上的層的結構。

第一襯底101及第二襯底102優(yōu)選具有氣體阻隔性。另外，也可以在與第一襯底101和發(fā)光元件及第二襯底102和發(fā)光元件之間形成具有氣體阻隔性的膜。具體來說，當氣體阻隔性的水蒸氣透過率為10^-5g/m²×天以下，優(yōu)選為10^-6g/m²×天以下時，可以提高發(fā)光模塊的可靠性，所以是優(yōu)選的。

另外，第一襯底101及第二襯底102也可以具有可撓性。作為具有可撓性的襯底，除了塑料襯底之外還可以使用厚度為50μm以上且500μm以下的薄玻璃或金屬箔。

至少第二襯底102在與發(fā)光元件110重疊的位置具備使發(fā)光元件110所發(fā)射的光透射的區(qū)域。

作為使發(fā)光元件110所發(fā)射的可見光透射的襯底的例子，可以舉出如無堿玻璃襯底、硼硅酸鋇玻璃襯底、硼硅酸鋁玻璃襯底、石英襯底、藍寶石襯底、以及包含frp（fiberglass-reinforcedplastics：玻璃纖維增強塑料）、聚酯、丙烯酸樹脂或聚酰亞胺等的襯底。

第一襯底101的形成有發(fā)光元件的面可以具有絕緣性，并且形成多個發(fā)光元件。也可以在一個襯底上形成多個發(fā)光元件，并且在該襯底上形成多個發(fā)光模塊。另外，也可以通過在第一襯底101上層疊絕緣膜來得到絕緣性。

另外，第一襯底101的形成有發(fā)光元件一側的面優(yōu)選為平坦的。另外，也可以層疊設置用于平坦化的膜。

另外，也可以作為第一襯底101用于難以使發(fā)光元件110所發(fā)射的光透射的材料。例如，可以舉出陶瓷襯底及包含不銹鋼等的金屬襯底等。

另外，也可以在第一襯底101上設置晶體管，連接到發(fā)光模塊的發(fā)光元件所具備的第一電極。

在本實施方式所說明的發(fā)光模塊100中，作為第一襯底101及第二襯底102分別使用無堿玻璃襯底。

<變形例1>

參照圖2a說明本實施方式的發(fā)光模塊的變形例1。變形例1所例示的發(fā)光模塊中的發(fā)光元件110具有：包含發(fā)光性有機化合物的第一層113a；包含發(fā)光性有機化合物的第二層113b；以及中間層113c。另外，中間層113c處于包含發(fā)光性有機化合物的第一層113a和包含發(fā)光性有機化合物的第二層113b之間。

另外，導電性的間隔物135包括角部以曲面施以倒角加工的端部135a，該端部135a在隔壁114上連接到發(fā)光元件110的第二電極112。

導電性的間隔物135設置為夾住在該導電性的間隔物135的端部和隔壁114之間形成在隔壁114上的層，而保持第一襯底101和第二襯底102之間的間隔。因此，施加到第二襯底102的應力容易集中于導電性的間隔物135的端部。

另一方面，在隔壁114上形成有包含發(fā)光性有機化合物的第一層113a、包含發(fā)光性有機化合物的第二層113b及第二電極112，它們都是容易被破壞的層。

在采用本實施方式的變形例1的情況下，在隔壁114上形成有：包含發(fā)光性有機化合物的第一層113a；包含發(fā)光性有機化合物的第二層113b；中間層113c；以及第二電極112。每個包含發(fā)光性有機化合物的層是厚度為幾十至幾百nm左右的層，第二電極112是厚度為幾nm左右的金屬層，它們都是被容易破壞的層。

在集中于導電性的間隔物135的端部的應力破壞形成在隔壁114上的層的情況下，有時引起發(fā)光元件110的異常的發(fā)光。

例如，在第二電極112及包含發(fā)光性有機化合物的第二層113b被破壞而導電性的間隔物135和中間層113c短路的情況下，在該短路部分的周邊，電流在第一電極111和導電性的間隔物135之間流過而不通過包含發(fā)光性有機化合物的第二層113b。其結果，有時來自包含發(fā)光性有機化合物的第二層113b的發(fā)光消失，或者該發(fā)光的強度及呈現的顏色變化。

但是，根據本實施方式，導電性的間隔物135包括角部以曲面施以倒角加工的端部135a，因此能夠防止如下現象，即在導電性的間隔物135的端部135a集中破壞形成在隔壁114上的層的應力。其結果，可以提供不發(fā)生異常的發(fā)光且能夠以均勻的亮度取出光的發(fā)光模塊?；蛘撸梢蕴峁┎话l(fā)生異常的發(fā)光且觀察不到牛頓環(huán)的美觀優(yōu)異的發(fā)光模塊。

<變形例2>

參照圖2b說明本實施方式的發(fā)光模塊的變形例2。在變形例2所例示的發(fā)光模塊中，導電性的間隔物135在第二襯底102一側具備反射率低的層135b。

作為反射率低的層135b只要使用難以反射外光的材料來形成即可，例如著色導電層之外，還可以使用著色絕緣層等。

作為著色導電層，可以舉出金屬層、金屬氮化物層、以及分散有填料的樹脂等，具體地說可以使用金、銅、氮化鈦、以及分散有碳黑的樹脂等。另外，作為著色絕緣層，可以舉出絕緣性的無機物層及分散有顏料的樹脂層等。

該反射率低的層135b吸收從第二襯底102一側行進到導電性的間隔物的外光（在圖2b中以實線表示的箭頭）及在導電性的間隔物中包括的其他層所反射的外光（在圖2b中以虛線表示的箭頭）的一部分。其結果，可以提供外光的反射被抑制且以均勻的亮度取出光的發(fā)光模塊?；蛘撸梢蕴峁┩夤獾姆瓷浔灰种魄矣^察不到牛頓環(huán)的美觀優(yōu)異的發(fā)光模塊。

<變形例3>

參照圖2c說明本實施方式的發(fā)光模塊的變形例3。在圖2c中，作為發(fā)光模塊的一個方式例示具備多個發(fā)光模塊的結構。此外，這種結構也可以稱為發(fā)光面板。圖2c所例示的發(fā)光面板具有：第一襯底101；形成在第一襯底101的一個面?zhèn)鹊亩鄠€發(fā)光元件（例如，發(fā)光元件110r、發(fā)光元件110g及發(fā)光元件110b）；設置在第一襯底101的一個面?zhèn)鹊牡诙r底102；保持第一襯底101和第二襯底102之間的間隔的導電性的間隔物135；以及在第一襯底101和第二襯底102之間密封發(fā)光元件的空間130。

另外，第一襯底101具有：多個第一電極（例如，第一電極111r、第一電極111g及第一電極111b）；以及在多個第一電極上分別具有開口部的隔壁114。多個第一電極的每一個成為獨立的發(fā)光元件的第一電極，每個發(fā)光元件在與隔壁114的開口部重疊的位置具備如下：第一電極；第二電極112；以及由第一電極和第二電極112夾住的包含發(fā)光性有機化合物的層113。第二電極112是通過蒸鍍法形成的金屬薄膜，并且薄到使包含發(fā)光性有機化合物的層113所發(fā)射的光透射的程度。

另外，第二襯底102在與發(fā)光元件110r、110g及110b重疊的位置具備設置有如下彩色濾光片的區(qū)域，即使發(fā)光元件110r、110g及110b所發(fā)射的光的一部分透射的彩色濾光片（例如彩色濾光片137r、彩色濾光片137g及彩色濾光片137b）。另外，也可以設置覆蓋該彩色濾光片的保護層138。

另外，空間130的壓力為大氣壓力以下。導電性的間隔物135在與隔壁114重疊的位置電連接到第二電極112，并且以緩和在第二電極112中發(fā)生的電壓下降的方式設置在第二襯底102一側。

另外，在作為導電性的間隔物135使用遮光性的材料的情況下，能夠抑制發(fā)生如下現象，即設置在鄰接的一個發(fā)光模塊的發(fā)光元件所發(fā)射的光進入到設置在另一個發(fā)光模塊中的彩色濾光片的現象（所謂的串擾的現象）。

另外，彩色濾光片在第二襯底102和導電性的間隔物135之間延伸。另外，也可以將遮光層139設置在第二襯底102和導電性的間隔物135之間。

上述本發(fā)明的一個方式的發(fā)光面板具備可以獨立地驅動的多個發(fā)光模塊，在每個發(fā)光模塊的發(fā)光元件中分別層疊而設置彩色濾光片。該彩色濾光片在第二襯底和導電性的間隔物之間延伸。該彩色濾光片除了從發(fā)光元件選擇性地取出呈現一個顏色的光之外，還吸收從第二襯底一側行進到導電性的間隔物的外光及在導電性的間隔物所反射的外光的一部分。其結果，可以提供外光的反射被抑制且以均勻的亮度取出光的發(fā)光面板?；蛘撸梢蕴峁┩夤獾姆瓷浔灰种魄矣^察不到牛頓環(huán)的美觀優(yōu)異的發(fā)光面板。

《發(fā)光元件的變形例》

在變形例3中例示的發(fā)光面板具備多個模塊，多個發(fā)光模塊彼此電獨立。每多個發(fā)光元件具備：一個包含發(fā)光性有機化合物的層113；一個第二電極112；以及電獨立的第一電極。例如，發(fā)光元件110r具備第一電極111r，發(fā)光元件110g具備第一電極111g，并且發(fā)光元件110b具備第一電極111b。

第一電極可以通過光蝕刻法來形成，因此，與在每個發(fā)光元件中將其他層（具體而言，包含發(fā)光性的有機化合物的層及第二電極）分離地形成的結構相比，更容易地實現分離且高精細化。

另外，在變形例3中例示的發(fā)光面板所具備的發(fā)光模塊都設置有發(fā)射呈現白色的光（具體而言，包括呈現紅色、綠色及藍色的光的光）的多個發(fā)光元件。

《第二襯底的變形例》

在變形例3中例示的發(fā)光面板所具備的發(fā)光模塊中，第二襯底設置有使發(fā)光元件所發(fā)射的光的一部分透射的彩色濾光片。

在呈現白色的光的發(fā)光元件上重疊而設置使紅色的光透射的彩色濾光片137r的發(fā)光模塊發(fā)射呈現紅色的光，設置使綠色的光透射的彩色濾光片137g的發(fā)光元件發(fā)射呈現綠色的光，設置使藍色的光透射的彩色濾光片137b的發(fā)光模塊發(fā)射呈現藍色的光。此外，也可以與這些發(fā)光模塊一起設置發(fā)射呈現白色的光的發(fā)光模塊（例如，在第二襯底上沒有設置彩色濾光片的結構）。

與一個發(fā)光元件重疊而設置的彩色濾光片，沿與鄰接的發(fā)光元件重疊的方向延伸。例如，與發(fā)光元件110g重疊而設置的彩色濾光片137g延伸至與鄰接的發(fā)光元件110r重疊的一側和與鄰接的發(fā)光元件110b重疊的一側。另一方面，與發(fā)光元件110r重疊的彩色濾光片137r延伸至彩色濾光片137g一側，并且與發(fā)光元件110b重疊的彩色濾光片137b延伸至彩色濾光片137g一側。

另外，優(yōu)選采用以不重疊于一個發(fā)光元件的方式設置鄰接的兩個彩色濾光片的結構。這是因為若在一個發(fā)光元件上重疊多個彩色濾光片，就不能取得呈現鮮明的顏色的光的緣故。

另外，也可以覆蓋彩色濾光片地設置保護層138。保護層138既可以為單層結構，又可以為兩層以上的疊層結構。另外，其厚度沒有特別的限制。

保護層138使形成在彩色濾光片的表面上的凹凸平坦化?；蛘?，保護層138抑制如下現象，即彩色濾光片和/或遮光層139所包含的雜質擴散到形成有發(fā)光元件的空間130。保護層138為能夠耐受制造工序的材料即可，可以使用如包含選自聚酰亞胺層、環(huán)氧層、以及丙烯酸樹脂層等中的一種的層。另外，既可以使用熱固化型材料，又可以使用紫外線固化型材料。

在本實施方式中，對作為保護層138使用聚酰亞胺的情況進行說明。

彩色濾光片137r、彩色濾光片137g及彩色濾光片137b使包含發(fā)光性的有機化合的層113所發(fā)射的光的至少一部分透射。另外，既可以為單層結構，又可以為兩層以上的疊層結構。另外，其厚度沒有特別的限制。

作為可用于彩色濾光片的材料只要是能夠耐受制造工序的材料即可，可以使用如包含著色材料的有機材料層或多層膜濾波器。

作為包含著色材料的有機材料層，可以舉出：使呈現紅色的光透射的層；使呈現綠色的光透射的層；或使呈現藍色的光透射的層。

在變形例3所例示的發(fā)光面板所具備的發(fā)光模塊中，導電性的間隔物135重疊于彩色濾光片。該彩色濾光片吸收從第二襯底102一側行進到導電性的間隔物135的外光及在導電性的間隔物135所反射的外光的一部分。其結果，可以提供外光的反射被抑制且以均勻的亮度取出光的發(fā)光面板?；蛘撸梢蕴峁┩夤獾姆瓷浔灰种魄矣^察不到牛頓環(huán)的美觀優(yōu)異的發(fā)光面板。

尤其是，優(yōu)選采用在隔壁114上重疊一部分地設置鄰接的兩個彩色濾光片，并且將導電性的間隔物135設置為與隔壁及兩個彩色濾光片重疊的結構。這是因為在重疊而設置兩個彩色濾光片的情況下，能夠高效地吸收從第二襯底102一側行進到導電性的間隔物135的外光及在導電性的間隔物135所反射的外光的一部分的緣故。

另外，也可以在第二襯底102和導電性的間隔物135之間設置遮光層139。

遮光層139也可以包含遮蔽透射第二襯底102的光的層。此外，既可以為單層結構，又可以為兩層以上的疊層結構。

作為遮蔽透射第二襯底102的光的層只要是如下材料即可，即遮蔽第二襯底102進入到發(fā)光模塊內部的光且耐受制造工序的材料，例如可以使用選自鉻層、鈦層、鎳層至分散有碳黑的高分子層等中的一種遮光層。

在本實施方式中，使用在遮光層139中分散有碳黑的樹脂層。

遮光層139吸收從第二襯底102一側行進到導電性的間隔物135的外光及在導電性的間隔物135所反射的外光的一部分，而能夠抑制外光的反射。

注意，本實施方式可以與本說明書所示的其他實施方式適當地組合。

實施方式2

在本實施方式中，說明本發(fā)明的一個方式的發(fā)光模塊的結構。具體而言，對一種發(fā)光模塊進行說明，具有：第一襯底；形成在第一襯底的一個面?zhèn)鹊陌l(fā)光元件；設置在第一襯底的一個面?zhèn)鹊牡诙r底；保持第一襯底和第二襯底之間的間隔的導電性的間隔物；以及在第一襯底和第二襯底之間密封發(fā)光元件的空間。另外，第一襯底具備第一電極和在第一電極上具有開口部的隔壁。發(fā)光元件在與隔壁的開口部重疊的位置具備：第一電極；第二電極；以及由第一電極和第二電極夾住的包含發(fā)光性有機化合物的層。第二電極是通過蒸鍍法形成的金屬薄膜，并且薄到使包含發(fā)光性有機化合物的層所發(fā)射的光透射的程度。第二襯底在與發(fā)光元件重疊的位置具備使該發(fā)光元件所發(fā)射的光透射的區(qū)域?？臻g的壓力為大氣壓力以下。導電性的間隔物在與隔壁重疊的位置電連接到第二電極，并且以緩和在第二電極中發(fā)生的電壓下降的方式設置在第一襯底上。

在本實施方式所例示的發(fā)光模塊中，設置在第一襯底上的導電性的間隔物和設置在第一襯底上的發(fā)光元件的第二電極在隔壁上電連接，而緩和在第二電極中發(fā)生的電壓下降。其結果，可以提供能夠以均勻的亮度取出光的發(fā)光模塊?；蛘?，可以提供觀察不到牛頓環(huán)的美觀優(yōu)異的發(fā)光模塊。

對本實施方式所例示的發(fā)光模塊，參照圖3a至圖4進行說明。

圖3a是本發(fā)明的一個方式的發(fā)光模塊的俯視圖，圖3b是沿著圖3a中的切斷線m1-m2-m3-m4的截面圖。另外，圖3c是詳細說明圖3b的一部分的圖。

圖3a至3c所例示的發(fā)光模塊200具有：第一襯底201；形成在第一襯底201的一個面?zhèn)鹊陌l(fā)光元件210；設置在第一襯底201的一個面?zhèn)鹊牡诙r底202；保持第一襯底201和第二襯底202之間的間隔的導電性的間隔物235；以及在第一襯底201和第二襯底202之間密封發(fā)光元件210的空間230。另外，第一襯底201具備第一電極211、在第一電極211上具有開口部的隔壁214。并且發(fā)光元件210在與隔壁214的開口部重疊的位置具備：第一電極211；第二電極212；以及由第一電極211和第二電極212夾住的包含發(fā)光性有機化合物的層213。第二電極212是通過蒸鍍法形成的金屬薄膜，并且薄到使包含發(fā)光性有機化合物的層213所發(fā)射的光透射的程度。第二襯底202在與發(fā)光元件210重疊的位置具備使該發(fā)光元件210所發(fā)射的光透射的區(qū)域?？臻g230的壓力為大氣壓力以下。導電性的間隔物235在與隔壁214重疊的位置電連接到第二電極212，并且以緩和在第二電極212中發(fā)生的電壓下降的方式設置在第一襯底201上。

另外，第一端子203電連接到第一電極211，第二端子204電連接到第二電極212，它們分別延伸至被密封的空間230的外側（參照圖3b）。

<被密封的空間的結構>

空間230是由以圍繞發(fā)光元件210的方式設置的密封材料231、第一襯底201及第二襯底202圍繞的空間，密封材料231將第一襯底201和第二襯底202貼合起來。另外，由于空間230保持為大氣壓以下，因而以彼此擠壓的方式對第一襯底201和第二襯底202施加大氣壓。

<發(fā)光元件的結構>

作為在本實施方式中例示的發(fā)光元件210所包含的第一電極211的結構，可以適用與在實施方式1中詳細說明的第一電極111相同的結構，作為包含發(fā)光性的有機化合物的層213的結構可以適用在實施方式5中詳細說明的包含發(fā)光性有機化合物的層的結構。

由此，本發(fā)明的一個方式的發(fā)光模塊200所具有的發(fā)光元件210具備通過真空蒸鍍法形成的第二電極212，因而難以損壞包含發(fā)光性有機化合物的層213。其結果，本發(fā)明的一個方式的發(fā)光模塊的可靠性高。

<隔壁的結構>

隔壁214在第一電極211上具有至少一個開口部，并且設置有重疊于隔壁214的導電性的間隔物235（參照圖3c）。本實施方式所例示的隔壁214的方式是格子狀。

隔壁214中的接觸于第一電極211的部分的形狀優(yōu)選為具備平緩的角度或曲率（例如為0.2μm至3μm）。通過以與第一電極211之間不形成臺階的方式形成隔壁214的端部，可以防止在臺階部中發(fā)生第一電極211和第二電極212的短路的現象。

作為隔壁214可以適用的材料是絕緣性的材料即可，可以舉出例如樹脂、無機絕緣材料或它們的組合。具體地說，可以使用負型或正型的感光性的樹脂。通過調節(jié)曝光條件，能夠平緩地形成感光性的樹脂的端部的形狀。

另外，在隔壁214上順序層疊了包含發(fā)光性有機化合物的層213、第二電極212。

<導電性的間隔物的結構>

導電性的間隔物235具有如下功能：保持第一襯底201和第二襯底202之間的間隔；緩和第二電極212的電壓下降。

本實施方式所例示的導電性的間隔物235形成在第一襯底201上所形成的隔壁214上。導電性的間隔物235在其端部和第二襯底202之間夾住包含發(fā)光性有機化合物的層213和第二電極212，而支撐施加到第一襯底201和第二襯底202的大氣壓（參照圖3c）。

導電性的間隔物235的長度例如為2μm以上且6μm以下，代表為3μm以上且5μm以下。在將導電性的間隔物形成為較長時，來自發(fā)光模塊射出的光的指向性較高，在將導電性的間隔物形成為較短時，來自發(fā)光模塊射出的光的指向性較低。當指向性高時優(yōu)選使用于在發(fā)光模塊的正面明亮的照明裝置等，當指向性弱時優(yōu)選使用于廣視角的發(fā)光顯示裝置等。

另外，導電性的間隔物235與第二電極212電連接。與第二電極212相比，導電性的間隔物235不容易發(fā)生電壓下降，且形成為在廣泛的范圍中使電流容易流過即可，可以適用各種各樣的方式。

例如，導電性的間隔物235的上表面形狀可以為例如條紋狀、葉脈狀、格子狀或網孔狀。

在本實施方式中，例示格子狀的導電性的間隔物235（參照圖3a）。在連續(xù)導電性的間隔物235的部分（例如圖3a中的從m1至m2的格子的部分）中電流容易通過。另一方面，不連續(xù)導電性的間隔物235的的部分（例如圖3a中的從m3至m4）使發(fā)光元件210所發(fā)射的光透射。

另外，將導電性的間隔物235的截面優(yōu)選形成為t字狀或反錐形。對這種導電性的間隔物235利用各向異性強的成膜方法形成包含發(fā)光性有機化合物的層213，并且利用各向異性的蒸鍍方法對導電性的間隔物235的側面斜向地蒸鍍而形成用作第二電極212的導電膜，而能夠將第二電極212在導電性的間隔物235的側面電連接。

此外，利用比用于包含發(fā)光性有機化合物的層213的成膜方法各向同性更強的成膜方法而形成第二電極212，也可以同樣地電連接。另外，截面為t字狀或反錐形的形狀是指將導電性的間隔物235的上部投影在第一襯底201上的形狀的面積重疊于投影下部的面積，并且上部的投影面積大于下部的投影面積的形狀。

另外，雖然在本實施方式中，在每個形成有隔壁214的部分中分別例示設置導電性的間隔物235的結構，但是也可以采用在每兩個形成有隔壁214的部分分別設置導電性的間隔物235的結構，適當地調整其布置，以使難以觀察到第二電極212的電壓下降即可。

導電性的間隔物235的電阻越低，緩和電壓下降的效果越明顯。作為導電性的間隔物235的電阻減少的方法，例如可以適用導電性高的材料和/或截面面積大的方式。

另外，在第一襯底201的面積中發(fā)光元件210的面積占有的比率越大，發(fā)光模塊的亮度越明亮，因而這是優(yōu)選的。因此，導電性的間隔物235或隔壁214都優(yōu)選采用盡量不覆蓋第一襯底201的形狀。例如，如本實施方式所例示那樣，優(yōu)選采用寬度窄且高度高的形狀，換言之縱橫比高的形狀。

作為可以用于導電性的間隔物235的材料，可以以單層或層疊使用如金屬、合金、金屬氮化物以及金屬氧化物等。作為金屬或合金，具體地說，可以舉出包含選自鋁、銅、鉻、鉭、鈦、鉬及鎢中的元素。

另外，包含鋁的合金既導電性高又反射率高，不容易發(fā)生吸收發(fā)光元件210所發(fā)射的光而損失的現象。作為包含鋁的合金，可以使用包含鎳的鋁、包含鑭及鎳的鋁、包含硅的鋁。

作為金屬氮化物，具體地說，可以舉出氮化鈦、氮化鉬以及氮化鎢等。

作為可以用于導電性的間隔物235的層疊材料，可以舉出在下側和上側的一方或雙方層疊有高熔點金屬或上述金屬氮化物的結構。另外，作為高熔點金屬，具體地說可以舉出鉻、鉭、鈦、鉬、鎢、釹、鈧、釔等。當采用在鋁或銅的下側和上側的一方或雙方層疊的結構時能夠避免鋁及銅的耐熱性及腐蝕性的問題。另外，在導電性的間隔物235具有疊層結構的情況下，也可以在最上層設置反射率低的層。作為反射率低的層的材料，可以使用與變形例2所示的材料相同的材料。

本實施方式所例示的導電性的間隔物235在第一襯底201上順序層疊有鋁及鈦，并且通過光蝕刻法進行加工而形成。

<第一襯底及第二襯底>

第一襯底201及第二襯底202分別具有耐受制造步驟的程度的耐熱性，其厚度及尺寸只要可以使用于制造裝置，就沒有特別的限制。另外，也可以采用單層結構或層疊兩層以上的層的結構。

第一襯底201及第二襯底202優(yōu)選具有氣體阻隔性。另外，也可以在與發(fā)光元件之間形成具有氣體阻隔性的膜。具體來說，當使用氣體阻隔性的水蒸氣透過率為10^-5g/m²×天以下，優(yōu)選為10^-6g/m²×天以下的襯底時，可以提高發(fā)光模塊的可靠性，所以是優(yōu)選的。

另外，第一襯底201及第二襯底202也可以具有可撓性。作為具有可撓性的襯底，除了塑料襯底之外還可以使用厚度為50μm以上且500μm以下的薄玻璃或金屬箔。

至少第二襯底202在與發(fā)光元件210重疊的位置具備使發(fā)光元件210所發(fā)射的光透射的區(qū)域。

作為使發(fā)光元件210所發(fā)射的可見光透射的襯底的例子，可以舉出如無堿玻璃襯底、硼硅酸鋇玻璃襯底、硼硅酸鋁玻璃襯底、石英襯底、藍寶石襯底、以及包含frp（fiberglass-reinforcedplastics：玻璃纖維增強塑料）、聚酯、丙烯酸樹脂或聚酰亞胺等的襯底。

可以使第一襯底201的形成有發(fā)光元件的面具有絕緣性，并且形成多個發(fā)光元件。也可以在一個襯底上形成多個發(fā)光元件，并且在該襯底上形成多個發(fā)光模塊。另外，也可以通過在第一襯底201上層疊絕緣性的膜來得到絕緣性。

另外，第一襯底201的形成有發(fā)光元件一側的面優(yōu)選為平坦的。另外，也可以層疊設置用于平坦化的膜。

另外，也可以將難以使發(fā)光元件210所發(fā)射的光透射的材料用于第一襯底201。例如，可以舉出陶瓷襯底及包含不銹鋼等的金屬襯底等。

另外，也可以在第一襯底201上設置晶體管，連接到發(fā)光模塊的發(fā)光元件所具備的第一電極。

在本實施方式所說明的發(fā)光模塊200中，作為第一襯底201及第二襯底202分別使用無堿玻璃襯底。

<變形例>

參照圖4說明本實施方式的發(fā)光模塊的變形例。在圖4中，作為發(fā)光模塊的一個方式例示具備多個發(fā)光模塊的結構。此外，這種結構也可以稱為發(fā)光面板。圖4所例示的發(fā)光面板具有：第一襯底201；形成在第一襯底201的一個面?zhèn)鹊亩鄠€發(fā)光元件（例如，發(fā)光元件210r、發(fā)光元件210g及發(fā)光元件210b）；設置在第一襯底201的一個面?zhèn)鹊牡诙r底202；保持第一襯底201和第二襯底202之間的間隔的導電性的間隔物235；以及在第一襯底201和第二襯底202之間密封發(fā)光元件的空間230。

另外，上述第一襯底201具備多個第一電極和在多個第一電極上分別具有開口部的隔壁214。上述發(fā)光元件在與上述隔壁214的開口部重疊的位置具備：第一電極；第二電極212；以及由第一電極和第二電極212夾住的包含發(fā)光性有機化合物的層213。變形例所例示的發(fā)光模塊具備多個第一電極（例如，第一電極211r、第一電極211g及第一電極211b），它們分別成為獨立的發(fā)光元件的第一電極。上述第二電極212是通過蒸鍍法形成的金屬薄膜，并且薄到使包含發(fā)光性有機化合物的層213所發(fā)射的光透射的程度。

另外，第二襯底202在與發(fā)光元件210重疊的位置具備設置有使發(fā)光元件210所發(fā)射的光的一部分透射的彩色濾光片（例如彩色濾光片137r、彩色濾光片137g及彩色濾光片137b）的區(qū)域。另外，也可以設置覆蓋上述彩色濾光片的保護層138。

另外，空間230的壓力為大氣壓力以下。導電性的間隔物235在與隔壁214重疊的位置電連接到第二電極212，并且以緩和在第二電極212中發(fā)生的電壓下降的方式設置在第一襯底201上。

另外，彩色濾光片在至第二襯底202和導電性的間隔物235之間延伸。另外，也可以將遮光層139設置在第二襯底202和導電性的間隔物235之間。

上述本發(fā)明的一個方式的發(fā)光面板具備可以獨立地驅動的多個發(fā)光模塊，在每個發(fā)光模塊的發(fā)光元件中分別層疊而設置彩色濾光片。該彩色濾光片在第二襯底和導電性的間隔物之間延伸。該彩色濾光片除了從發(fā)光元件選擇性地取出呈現一個顏色的光之外，還吸收從第二襯底一側行進到導電性的間隔物的外光及在導電性的間隔物所反射的外光的一部分。其結果，可以提供外光的反射被抑制且以均勻的亮度取出光的發(fā)光面板?；蛘?，可以提供外光的反射被抑制且觀察不到牛頓環(huán)的美觀優(yōu)異的發(fā)光面板。

《發(fā)光元件的變形例》

在本實施方式的變形例中例示的發(fā)光面板具備多個模塊，多個發(fā)光模塊彼此電獨立。多個發(fā)光元件具備：一個包含發(fā)光性有機化合物的層213；一個第二電極212；以及電獨立的第一電極。例如，發(fā)光元件210r具備第一電極211r，發(fā)光元件210g具備第一電極211g，并且發(fā)光元件210b具備第一電極211b。

第一電極可以通過光蝕刻法來形成，因此，與在每個發(fā)光元件中將其他層（具體而言，包含發(fā)光性的有機化合物的層及第二電極）分離地形成的結構相比，更容易地實現分離且高精細化。

在變形例中例示的發(fā)光面板所具備的發(fā)光模塊都設置有發(fā)射呈現白色的光（具體而言，包括呈現紅色、綠色及藍色的光的光）的多個發(fā)光元件。

《第二襯底的變形例》

在本實施方式的變形例中例示的發(fā)光面板所具備的發(fā)光模塊中，第二襯底設置有使發(fā)光元件所發(fā)射的光的一部分透射的彩色濾光片。

在呈現白色的光的發(fā)光元件上重疊而設置使紅色的光透射的彩色濾光片137r的發(fā)光模塊發(fā)射呈現紅色的光，設置使綠色的光透射的彩色濾光片137g的發(fā)光元件發(fā)射呈現綠色的光，設置使藍色的光透射的彩色濾光片137b的發(fā)光模塊發(fā)射呈現藍色的光。此外，也可以與這些發(fā)光模塊一起設置發(fā)射呈現白色的光的發(fā)光模塊（例如，在第二襯底上沒有設置彩色濾光片的結構）。

與一個發(fā)光元件重疊而設置的彩色濾光片，沿與鄰接的發(fā)光元件重疊的方向延伸。例如，與發(fā)光元件210g重疊而設置的彩色濾光片137g延伸至與鄰接的發(fā)光元件210r的重疊一側和與鄰接的發(fā)光元件210b重疊的一側。另一方面，與發(fā)光元件210r重疊的彩色濾光片137r延伸至彩色濾光片137g一側，并且與發(fā)光元件210b重疊的彩色濾光片137b延伸至彩色濾光片137g一側。

另外，優(yōu)選采用以不重疊于一個發(fā)光元件的方式設置鄰接的兩個彩色濾光片的結構。這是因為若在一個發(fā)光元件上重疊多個彩色濾光片，就不能取得呈現鮮明的顏色的光的緣故。

另外，也可以覆蓋彩色濾光片地設置保護層138。

在變形例所例示的發(fā)光面板所具備的發(fā)光模塊中，導電性的間隔物235重疊于彩色濾光片。該彩色濾光片吸收從第二襯底202一側行進到導電性的間隔物235的外光及在導電性的間隔物235所反射的外光的一部分。其結果，可以提供外光的反射被抑制且以均勻的亮度取出光的發(fā)光面板?；蛘?，可以提供外光的反射被抑制且觀察不到牛頓環(huán)的美觀優(yōu)異的發(fā)光面板。

尤其是，優(yōu)選采用在隔壁214上重疊一部分地設置鄰接的兩個彩色濾光片，并且將導電性的間隔物235設置為重疊于隔壁及兩個彩色濾光片的結構。這是因為在重疊而設置兩個彩色濾光片的情況下，能夠高效地吸收從第二襯底202一側行進到導電性的間隔物235的外光及在導電性的間隔物235所反射的外光的一部分的緣故。

另外，也可以在第二襯底202和導電性的間隔物235之間設置遮光層139。這是因為遮光層139吸收從第二襯底202一側行進到導電性的間隔物235的外光及在導電性的間隔物235所反射的外光的一部分的緣故。

注意，本實施方式可以與本說明書所示的其他實施方式適當地組合。

實施方式3

在本實施方式中，參照圖5a和5b說明利用本發(fā)明的一個方式的發(fā)光模塊的發(fā)光面板的結構。圖5a是設置有本發(fā)明的一個方式的發(fā)光模塊的發(fā)光面板的俯視圖，圖5b是沿著圖5a的切斷線j-k的截面圖。圖5b所例示的發(fā)光面板沿著圖中所示的箭頭方向發(fā)射光。另外，可以將本實施方式所例示的發(fā)光面板用于顯示裝置。

在本實施方式中例示的發(fā)光面板具備晶體管（例如，晶體管305r及晶體管305g）、與不同的晶體管的源電極或漏電極分別連接的發(fā)光模塊（例如，發(fā)光模塊350r及發(fā)光模塊350g），并且每個發(fā)光模塊能夠獨立地驅動。該發(fā)光面板具有：第一襯底301；形成在第一襯底301的一個面?zhèn)鹊陌l(fā)光元件（例如，發(fā)光元件310r及發(fā)光元件310g）；設置在第一襯底301的一個面?zhèn)鹊牡诙r底302；保持第一襯底301和第二襯底302之間的間隔的導電性的間隔物335；以及在第一襯底301和第二襯底302之間密封發(fā)光元件的空間330。

另外，第一襯底301具有：多個第一電極（例如，第一電極311r、第一電極311g）；以及在多個第一電極上分別具有開口部的隔壁314。多個第一電極的每一個成為獨立的發(fā)光元件的第一電極，每個發(fā)光元件在與隔壁314的開口部重疊的位置具備如下：第一電極；第二電極312；以及由第一電極和第二電極312夾住的包含發(fā)光性有機化合物的層313。第二電極312是通過蒸鍍法形成的金屬薄膜，并且薄到使包含發(fā)光性有機化合物的層313所發(fā)射的光透射的程度。

另外，第一襯底301在其一面和設置在該一面的發(fā)光元件之間具備：絕緣層307；導電層（例如，連接到晶體管的源電極或漏電極的導電層306r、導電層306g）；以及晶體管（例如，晶體管305r及晶體管305g）。

另外，第二襯底302在與發(fā)光元件重疊的位置具備設置有如下彩色濾光片的區(qū)域，即使發(fā)光元件所發(fā)射的光的一部分透射的彩色濾光片（例如彩色濾光片337r及彩色濾光片337g）。另外，也可以設置覆蓋該彩色濾光片的保護層338。

另外，空間330的壓力為大氣壓力以下。導電性的間隔物335在與隔壁314重疊的位置電連接到第二電極312，并且以緩和在第二電極312中發(fā)生的電壓下降的方式設置在第一襯底301上。

另外，彩色濾光片在第二襯底302和導電性的間隔物335之間延伸。另外，也可以將遮光層339設置在第二襯底302和導電性的間隔物335之間。

上述本發(fā)明的一個方式的發(fā)光面板具備可以獨立地驅動的多個發(fā)光模塊，在每個發(fā)光模塊的發(fā)光元件中分別層疊而設置彩色濾光片。該彩色濾光片在第二襯底和導電性的間隔物之間延伸。該彩色濾光片除了從發(fā)光元件選擇性地取出呈現一個顏色的光之外，還吸收從第二襯底一側行進到導電性的間隔物的外光及在導電性的間隔物所反射的外光的一部分。其結果，可以提供外光的反射被抑制且以均勻的亮度取出光的發(fā)光面板。或者，可以提供外光的反射被抑制且觀察不到牛頓環(huán)的美觀優(yōu)異的發(fā)光面板。

在本實施方式中例示的發(fā)光面板可以適用實施方式1的變形例3所說明的結構。具體而言，對如下結構可以適用與實施方式1的變形例3所說明的結構對應的結構，即；第一襯底301；發(fā)光元件（例如，發(fā)光元件310r及發(fā)光元件310g）；第二襯底302；導電性的間隔物335；空間330；第一電極（例如，第一電極311r及第一電極311g）；隔壁314；包含發(fā)光性有機化合物的層313；第二電極312；彩色濾光片（例如，彩色濾光片337r及彩色濾光片337g）；以及保護層338。因此，在本實施方式中，援用實施方式1中的變形例3的說明，而省略其詳細說明。

<導電層>

導電層306r、導電層306g具有導電性。另外，導電層306r、導電層306g既可以為包含導電材料的層的單層結構，又可以為包含導電材料的層的兩層以上的疊層結構。另外，其厚度沒有特別的限制。

導電材料可以使用具有導電性且能夠耐受制造步驟的材料，例如可以使用選自鉬、鈦、鉭、鎢、鋁、銅、鉻、釹、鈧等中的一種金屬或包含選自它們中的一種金屬的合金。

導電材料可以使用金屬氮化物。具體地說，可以舉出氮化鈦、氮化鉬、氮化鎢等作為其例子。

導電材料也可以使用導電性的金屬氧化物。具體地說，可以使用氧化銦、氧化錫、銦-錫氧化物（也稱為ito）、銦-鋅氧化物、氧化鋅、添加有鎵或鋁的氧化鋅或包使上述金屬氧化物材料包含氧化硅的材料。

此外，導電材料可以使用石墨烯等。

在本實施方式中，對導電層306r、導電層306g使用在鋁合金上層疊鈦而成的疊層體的結構進行說明。

<絕緣層>

絕緣層307具有絕緣性。另外，既可以為單層結構，又可以為兩層以上的疊層結構。另外，其厚度沒有特別的限制。

絕緣層307的表面優(yōu)選為平坦的。這是因為如下緣故：如果在重疊于絕緣層307的表面而設置的發(fā)光模塊的第一電極的表面反映絕緣層307的表面凹凸，則這成為引發(fā)第一電極和第二電極的短路的原因。

作為絕緣性的材料只要是具有絕緣性且能夠耐受制造工序的材料即可，例如可以使用選自氧化硅層、氧氮化硅層、氧化鋁層、丙烯酸樹脂層、聚酰亞胺樹脂層、苯并環(huán)丁烯樹脂層、聚酰胺樹脂、環(huán)氧樹脂、硅氧烷基樹脂層、sog層、聚硅氮烷類sog層等的一種絕緣層，或包含選自它們的一種絕緣層的層。

在本實施方式中，對作為絕緣層307使用聚酰亞胺層的結構進行說明。

另外，也可以采用如下結構：在第一襯底310上形成晶體管，并通過導電層306r使該晶體管的源電極或漏電極電連接到第一電極311r，或者通過導電層306g使該晶體管的源電極或漏電極電連接到第一電極311g。通過采用上述結構，可以提供能夠獨立使各個發(fā)光模塊點亮的發(fā)光面板，例如可以將該發(fā)光面板用于顯示裝置。

<包含發(fā)光性有機化合物的層>

包含發(fā)光性有機化合物的層313至少包含發(fā)光性有機化合物。另外，該包含發(fā)光性有機化合物的層313既可以采用單層結構又可以采用兩層以上的疊層結構。關于包含發(fā)光性有機化合物的層的結構，在實施方式5中進行詳細的說明。

在本實施方式中，對作為包含發(fā)光性有機化合物的層313使用發(fā)射呈現白色的光的層的結構進行說明。

在本實施方式所例示的發(fā)光面板所具備的發(fā)光模塊中，導電性的間隔物335重疊于彩色濾光片。該彩色濾光片吸收從第二襯底302一側行進到導電性的間隔物335的外光及在導電性的間隔物335所反射的外光的一部分。其結果，可以提供外光的反射被抑制且以均勻的亮度取出光的發(fā)光面板?；蛘?，可以提供外光的反射被抑制且觀察不到牛頓環(huán)的美觀優(yōu)異的發(fā)光面板。

尤其是，優(yōu)選采用在隔壁314上重疊一部分地設置鄰接的兩個彩色濾光片，并且將導電性的間隔物335設置為重疊于隔壁314及兩個彩色濾光片的結構。這是因為在重疊而設置兩個彩色濾光片的情況下，能夠高效地吸收從第二襯底302一側行進到導電性的間隔物335的外光及在導電性的間隔物335所反射的外光的一部分的緣故。

另外，也可以在第二襯底302和導電性的間隔物335之間設置遮光層339。這是因為遮光層339吸收從第二襯底302一側行進到導電性的間隔物335的外光及在導電性的間隔物335所反射的外光的一部分的緣故。

另外，在作為在第二襯底302和隔壁314之間接觸而設置的導電性的間隔物335使用遮光性的材料的情況下，能夠抑制發(fā)生如下現象，即設置在一個發(fā)光模塊的發(fā)光元件所發(fā)射的光進入到設置在另一個發(fā)光模塊中的彩色濾光片的現象（所謂的串擾的現象）。

具體地說，由導電性的間隔物335能夠抑制發(fā)生如下現象，即設置在發(fā)光模塊350r的發(fā)光元件310r所發(fā)射的光進入到設置在發(fā)光模塊350g中的彩色濾光片337g。通過使用遮光性的導電性的間隔物335，串擾的現象得到抑制，而可以提供顏色再現性優(yōu)異的發(fā)光面板。

注意，本實施方式可以與本說明書所示的其他實施方式適當地組合。

實施方式4

在本實施方式中，參照圖6a和6b說明利用本發(fā)明的一個方式的發(fā)光模塊的發(fā)光裝置的結構。

具體地說，本實施方式所例示的一種發(fā)光裝置，包括：第一襯底；形成在第一襯底的一個面?zhèn)鹊陌l(fā)光元件；第二襯底；保持第一襯底和第二襯底之間的間隔的導電性的間隔物；以及在第一襯底和第二襯底之間密封發(fā)光元件的空間。上述第一襯底具備第一電極和在第一電極上具有開口部的隔壁。上述發(fā)光元件在與上述隔壁的開口部重疊的位置具備：第一電極；第二電極；以及由第一電極和第二電極夾住的包含發(fā)光性有機化合物的層。另外，上述第二電極是通過蒸鍍法形成的金屬薄膜，并且薄到使包含發(fā)光性有機化合物的層所發(fā)射的光透射的程度。上述第二襯底在與發(fā)光元件重疊的位置具備使該發(fā)光元件所發(fā)射的光透射的區(qū)域。上述空間的壓力為大氣壓力以下。上述導電性的間隔物在與隔壁重疊的位置電連接到第二電極，并且以緩和在第二電極中發(fā)生的電壓下降的方式設置在第二襯底上。另外，通過由厚度薄的金屬薄膜形成的第二電極，從第二襯底一側射出包含發(fā)光性有機化合物的層所發(fā)射的層的光。

在上述本發(fā)明的一個方式的發(fā)光裝置中，設置在第二襯底上的導電性的間隔物和設置在第一襯底上的發(fā)光元件的第二電極電連接，而緩和在第二電極中發(fā)生的電壓下降。其結果，可以提供能夠以均勻的亮度取出光的發(fā)光裝置。或者，可以提供觀察不到牛頓環(huán)的美觀優(yōu)異的發(fā)光裝置。

在本實施方式中，以與晶體管連接使用的有源矩陣型發(fā)光裝置為例子說明本發(fā)明的一個方式的發(fā)光模塊。但是，本發(fā)明的一個方式不局限于有源矩陣型發(fā)光裝置，也可以應用于無源矩陣型發(fā)光裝置、顯示裝置及照明裝置中。

<有源矩陣型發(fā)光裝置>

圖6a和6b示出將本發(fā)明的一個方式的發(fā)光模塊應用于有源矩陣型發(fā)光裝置時的結構。注意，圖6a是發(fā)光裝置的俯視圖，圖6b是沿著a-b及c-d切斷圖6a而得到的截面圖。

有源矩陣型發(fā)光裝置1400包括驅動電路部（源極側驅動電路）1401、像素部1402、驅動電路部（柵極側驅動電路）1403、第二襯底1404、密封材料1405（參照圖6a）。這里，被密封材料1405包圍的內側是空間。

發(fā)光裝置1400通過外部輸入端子的fpc（柔性印刷電路）1409接收視頻信號、時鐘信號、起始信號、復位信號等。此外，盡管這里只顯示了fpc，但是也可以將印刷線路板（pwb）附加到fpc。本說明書中的發(fā)光裝置不僅包括發(fā)光裝置自身而且還包括配備有fpc或pwb的狀態(tài)的發(fā)光裝置。

接著，使用圖6b所示的截面圖說明發(fā)光裝置1400的結構。發(fā)光裝置1400包括驅動電路部及像素部1402，該驅動電路部包括在第一襯底1410上的圖中所示的源極側驅動電路1401，像素部1402包括圖中所示的像素。另外，發(fā)光裝置1400設有布線1408，該布線1408用來傳送輸入源極側驅動電路1401及柵極側驅動電路1403的信號。

雖然在本實施方式中例示出源極側驅動電路1401包含組合n溝道型晶體管1423與p溝道型晶體管1424而成的cmos電路的結構，但是驅動電路的結構不局限于此，也可以采用由各種cmos電路、pmos電路或nmos電路構成的結構。此外，雖然在本實施方式中示出了將驅動電路形成在襯底上的驅動器一體型結構，但是這不一定是必須的，而也可以將驅動電路形成在襯底外部而不是形成在襯底上。

<晶體管的結構>

此外，在形成溝道的區(qū)域中，可以利用各種半導體。具體來說，可以使用非晶硅、多晶硅、單晶硅及氧化物半導體等。

通過在形成溝道的區(qū)域中使用單晶半導體，可以實現晶體管尺寸的微型化，因此在顯示部中進一步可以實現像素的高精細化。

作為構成半導體層的單晶半導體，典型地，可以使用由第14族元素構成的單晶半導體襯底諸如單晶硅襯底、單晶鍺襯底、單晶硅鍺襯底等及化合物半導體襯底(sic襯底、藍寶石襯底、gan襯底等)等的半導體襯底。優(yōu)選地可以使用在絕緣表面上設置有單晶半導體層的soi（silicononinsulator：絕緣體上硅）襯底。

作為soi襯底的制造方法，可以使用以下方法：通過在向鏡面拋光晶片注入氧離子之后進行高溫加熱，從而在距離表面一定的深度中形成氧化層，同時消除產生在表面層中的缺陷而制造的方法；利用通過氫離子的照射而形成的微孔的熱處理而生長來劈開半導體襯底的方法；或通過結晶生長在絕緣表面上形成單晶半導體層的方法等。

在本實施方式中，從單晶半導體襯底的一個表面添加離子，以在距離單晶半導體襯底的一個表面一定的深度處形成脆化層，在單晶半導體襯底的一個表面上或第一襯底1410上的任一方形成絕緣層。在單晶半導體襯底和第一襯底1410夾著絕緣層疊合的狀態(tài)下進行熱處理，以使脆化層中產生裂縫，在脆化層中分離單晶半導體襯底，將用作半導體層的單晶半導體層從單晶半導體襯底形成在第一襯底1410上。另外，作為第一襯底1410可以使用玻璃襯底。

另外，也可以在半導體襯底中形成絕緣隔離區(qū)域，利用該絕緣隔離的半導體區(qū)域形成晶體管1411、晶體管1412。

因為通過將單晶半導體用作溝道形成區(qū)而可以減少因晶界中的結合缺陷所產生的晶體管的電特性如閾值電壓等的不均勻性，所以在本發(fā)明的一個方式的發(fā)光裝置中，即使在各像素中不配置用來補償閾值電壓的電路，也可以使發(fā)光元件正常地工作。因此，可以減少在一個像素中的電路要素，所以提高布局的自由度。因此，可以實現發(fā)光裝置的高精細化。例如，可以采用每英寸包括350以上（水平分辨率為350ppi（pixelsperinch）以上），更優(yōu)選包括400以上（水平分辨率為400ppi以上）的配置為矩陣狀的多個像素的結構。

再者，將單晶半導體用作溝道形成區(qū)域的晶體管可以在保持高電流驅動能力的狀態(tài)下實現微細化。因為通過利用這樣的微細晶體管可以縮小沒有助于顯示的電路部的面積，所以在顯示部中顯示面積擴大且可以實現顯示裝置的窄邊框化。

<像素部的結構>

另外，像素部1402包括多個像素。像素包括發(fā)光元件1418、其漏電極與發(fā)光元件1418的第一電極1413連接的電流控制用晶體管1412、開關用晶體管1411。

設置在發(fā)光面板中的發(fā)光元件1418包括第一電極1413、第二電極1417及包含發(fā)光性有機化合物的層1416。另外，以覆蓋第一電極1413的端部的方式形成有隔壁1414。

作為發(fā)光元件1418的結構，例如，可以適用實施方式5所示的發(fā)光元件的結構。

具體地說，可以對包含發(fā)光性有機化合物的層1416應用呈現白色的光的結構。

另外，通過利用發(fā)光元件1418的第一電極1413及第二電極1417，可以構成微諧振器（也稱為微腔）。例如，作為第一電極1413使用使包含發(fā)光性有機化合物的層1416發(fā)射的光反射的導電膜，作為第二電極1417使用反射該光的一部分且使該光的一部分透射的半透射/半反射性導電膜，來可以構成微諧振器。

另外，可以在第一電極和第二電極之間設置光學調整層。該光學調整層是用來調整反射型的第一電極1413和半透射/半反射性的第二電極1417之間的光學距離的層。通過調節(jié)光學調整層的厚度，可以調節(jié)從第二電極1417優(yōu)先取出的光的波長。

作為用于光學調整層的材料，可以使用包含發(fā)光性有機化合物的層。例如，可以利用電荷產生區(qū)域調節(jié)其厚度。尤其是，通過將包含高空穴傳輸性物質和受主性物質的區(qū)域用于光學調整層，即使采用光學調整層較厚的結構，也可以抑制驅動電壓的上升，因此是優(yōu)選的。

作為用于光學調整層的其他材料，可以應用使包含發(fā)光性有機化合物的層1416發(fā)射的光透射的具有透光性的導電膜。例如，可以在反射型導電膜的表面上層疊該具有透光性的導電膜，來構成第一電極1413。通過該結構，容易改變相鄰的第一電極的光學調整層的厚度，因此是優(yōu)選的。

在隔壁1414的上端部或下端部形成有具有曲率的曲面。作為隔壁1414，可以使用負型光敏樹脂及正型光敏樹脂中的任一種。例如，在使用正型的光敏丙烯酸樹脂作為隔壁1414的材料的情況下，優(yōu)選只使隔壁1414的上端部具有有曲率半徑（0.2mm～3mm）的曲面。在此，使用正型的光敏聚酰亞胺膜形成隔壁1414。

在此，通過采用遮光性隔壁，可以抑制由設置在發(fā)光面板的反射性薄膜導致的外光反射。當處于發(fā)光元件1418外側的反射膜反射外光時，發(fā)光裝置的對比度降低，因此不能獲得鮮明的發(fā)光。在利用遮光性隔壁的情況下，可以使用著色為黑色的樹脂層形成隔壁。

另外，可以在重疊于發(fā)光元件1418的位置上設置彩色濾光片1434。此外，可以以與相鄰的發(fā)光元件之間的隔壁重疊的方式設置遮光性薄膜1435（也稱為黑矩陣）。這里，彩色濾光片1434及遮光性薄膜1435都可以設置在第二襯底1404上。

<密封結構>

在本實施方式中例示的發(fā)光裝置1400具有在由第一襯底1410、第二襯底1404及密封材料1405包圍的空間中密封發(fā)光元件1418的結構。

密封材料1405及第二襯底1404優(yōu)選盡可能不透過大氣中的雜質（典型為水和/或氧）的材料。密封材料1405可以使用環(huán)氧類樹脂或玻璃粉（glassfrit）等。

作為可用于第二襯底1404的材料的例子，可以舉出玻璃襯底、石英襯底、由pvf（聚氟乙烯）、聚酯或丙烯酸樹脂等構成的塑料襯底或frp（fiberglass-reinforcedplastics；纖維增強塑料）等。

圖6b所例示的發(fā)光裝置，具有圍繞發(fā)光元件1418的密封材料1405將第一襯底和第二襯底貼合的結構。密封材料1405阻止降低發(fā)光元件1418的可靠性的雜質進入發(fā)光模塊內部的現象。其結果，可以提供可靠性高的發(fā)光模塊。

另外，密封材料1405不包括保持第一襯底1410和第二襯底1404之間的間隔的間隔物。導電性的間隔物1445將第一襯底1410和第二襯底1404之間的間隔保持為一定。在作為密封材料1405分散地使用填充物或球狀的間隔物的情況下，當貼合第一襯底1410和第二襯底1404時，對填充物或球狀的間隔物集中應力，而有時破壞形成在其下面的第一襯底上的晶體管或布線。在本實施方式中例示的發(fā)光裝置因為導電性的間隔物1445在隔壁上將第一襯底1410和第二襯底1404之間的間隔保持為一定，所以不容易破壞布線或晶體管。尤其是，隔壁成為緩沖材料而發(fā)揮分散應力的效果。

本發(fā)明的一個方式的發(fā)光模塊可以提供能夠以均勻的亮度取出光的發(fā)光面板。或者，可以提供觀察不到牛頓環(huán)的美觀優(yōu)異的發(fā)光模塊。

注意，本實施方式可以與本說明書所示的其他實施方式適當地組合。

實施方式5

在本實施方式中，對可用于本發(fā)明的一個方式的發(fā)光模塊的發(fā)光元件的結構進行說明。具體來說，參照圖7a至7e說明在一對電極之間夾有包含發(fā)光性有機化合物的層的發(fā)光元件的一例。

本實施方式例示的發(fā)光元件具備第一電極、第二電極及在第一電極和第二電極之間包含發(fā)光性有機化合物的層（以下稱為el層）。第一電極或第二電極的任一個用作陽極，而另一個用作陰極。el層設置在第一電極和第二電極之間，該el層的結構可以根據第一電極和第二電極的材質適當地選擇。以下示出發(fā)光元件的結構的一例，但是發(fā)光元件的結構當然不限于此。

<發(fā)光元件的結構例1>

圖7a示出發(fā)光元件的結構的一例。圖7a所示的發(fā)光元件在陽極1101和陰極1102之間夾有el層。

對陽極1101和陰極1102之間施加高于發(fā)光元件的閾值電壓的電壓，使來自陽極1101一側的空穴以及來自陰極1102一側的電子注入到el層中。被注入的電子和空穴在el層中復合，于是，包含在el層的發(fā)光物質發(fā)光。

在本說明書中具有從兩端注入的電子和空穴復合的一個區(qū)域的層或層疊體稱為發(fā)光單元。由此，可以記為該發(fā)光元件的結構例1具備一個發(fā)光單元。

發(fā)光單元1103只要具有至少一個以上的包含發(fā)光物質的發(fā)光層，即可。其也可以為發(fā)光層與發(fā)光層以外的層的疊層結構。作為發(fā)光層以外的層，例如可以舉出包含高空穴注入性物質、高空穴傳輸性物質、空穴傳輸性低（阻擋）的物質、高電子傳輸性物質、高電子注入性物質以及雙極性（電子及空穴的傳輸性高）的物質等的層。

圖7b示出發(fā)光單元1103的具體結構的一例。圖7b所示的發(fā)光單元1103從陽極1101一側順序層疊空穴注入層1113、空穴傳輸層1114、發(fā)光層1115、電子傳輸層1116以及電子注入層1117。

<發(fā)光元件的結構例2>

圖7c示出發(fā)光元件的結構的另一例子。圖7c例示的發(fā)光元件在陽極1101和陰極1102之間夾有包含發(fā)光單元1103的el層。而且，陰極1102和發(fā)光單元1103之間設置有中間層1104。注意，與上述發(fā)光元件的結構例1所具備的發(fā)光單元同樣的結構可以適用于該發(fā)光元件的結構例2的發(fā)光單元1103，因此，詳細內容可以參照發(fā)光元件的結構例1。

中間層1104只要至少包括電荷產生區(qū)域而形成，即可。也可以是層疊電荷產生區(qū)域與電荷產生區(qū)域以外的層的結構。例如，可以采用如下結構：從陰極1102一側順序層疊第一電荷產生區(qū)域1104c、電子中繼層1104b及電子注入緩沖體1104a。

對中間層1104中的電子和空穴的舉動進行說明。當對陽極1101和陰極1102之間施加高于發(fā)光元件的閾值電壓的電壓時，在第一電荷產生區(qū)域1104c中產生空穴和電子，空穴移動到陰極1102，電子移動到電子中繼層1104b。電子中繼層1104b的高電子傳輸性，因此可將在第一電荷產生區(qū)域1104c中產生的電子及時送達到電子注入緩沖體1104a。電子注入緩沖體1104a緩和將電子注入到發(fā)光單元1103的勢壘，而提高對發(fā)光單元1103的電子注入效率。從而，在第一電荷產生區(qū)域1104c中產生的電子經過電子中繼層1104b和電子注入緩沖體1104a注入到發(fā)光單元1103的lumo能級。

另外，電子中繼層1104b可以防止構成第一電荷產生區(qū)域1104c的物質和構成電子注入緩沖體1104a的物質在界面起反應而破壞彼此的功能等的相互作用。

可用于上述發(fā)光元件的結構例2的陰極的材料的選擇范圍比可用于結構例1的陰極的材料的選擇范圍大。這是因為結構例2的陰極只要接受中間層所產生的空穴即可，而可以采用功函數較大的材料的緣故。

<發(fā)光元件的結構例3>

圖7d示出發(fā)光元件的結構的另一例子。圖7d例示的發(fā)光元件具備在陽極1101和陰極1102之間設有兩個發(fā)光單元的el層。而且，第一發(fā)光單元1103a和第二發(fā)光單元1103b之間設置有中間層1104。

注意，設置在陽極和陰極之間的發(fā)光單元的個數不限于兩個。圖7e例示的發(fā)光元件具有層疊多個發(fā)光單元1103的結構，就是串聯型發(fā)光元件的結構。但是，例如當在陽極和陰極之間設置n（n是2以上的自然數）層的發(fā)光單元1103時，采用第m（m是自然數，1以上（n-1）以下）個的發(fā)光單元和第（m+1）個的發(fā)光單元之間分別設置有中間層1104的結構。

另外，可以將與上述發(fā)光元件的結構例1同樣的結構適用于該發(fā)光元件的結構例3的發(fā)光單元1103，此外，可以將與上述發(fā)光元件的結構例2同樣的結構適用于該發(fā)光元件的結構例3的中間層1104。由此，其詳細內容可以參照發(fā)光元件的結構例1或發(fā)光元件的結構例2的記載。

對設置在發(fā)光單元之間的中間層1104中的電子和空穴的舉動進行說明。當對陽極1101和陰極1102之間施加高于發(fā)光元件的閾值電壓的電壓時，在中間層1104中產生空穴和電子，空穴移動到設置在陰極1102一側的發(fā)光單元，電子移動到設置在陽極一側發(fā)光單元。注入到設置在陰極一側的發(fā)光單元的空穴與來自陰極一側注入的電子復合，由此包含在該發(fā)光單元中的發(fā)光物質發(fā)光。注入到設置在陽極一側的發(fā)光單元的電子與來自陽極一側注入的空穴復合，由此包含在該發(fā)光單元中的發(fā)光物質發(fā)光。因此，在中間層1104中產生的空穴和電子分別在不同的發(fā)光單元中發(fā)光。

另外，當通過將發(fā)光單元設置為彼此接觸，在兩者之間形成與中間層同樣的結構時，可以將發(fā)光單元設置為彼此接觸。具體而言，當在發(fā)光單元的一個面形成有電荷產生區(qū)域時，因為該電荷產生區(qū)域用作中間層的第一電荷產生區(qū)域，所以可以將發(fā)光單元設置為彼此接觸。

發(fā)光元件的結構例1至結構例3可以彼此組合而使用。例如，在發(fā)光元件的結構例3的陰極和發(fā)光單元之間可以設置中間層。

<可用于發(fā)光元件的材料>

接著，關于可用于具備上述結構的發(fā)光元件的具體材料，依次對陽極、陰極及el層進行說明。

<可用于陽極的材料>

陽極1101由具有導電性的金屬、合金、導電化合物等以及它們的混合物的單層或疊層體而構成。優(yōu)選采用將具有高功函數（具體地說，4.0ev以上）的材料接觸于el層的結構。

作為金屬或合金材料，可以舉出金(au)、鉑(pt)、鎳(ni)、鎢(w)、鉻(cr)、鉬(mo)、鐵(fe)、鈷(co)、銅(cu)、鈀(pd)、鈦(ti)等的金屬材料或包含它們的合金材料。

作為導電化合物，可以舉出如金屬材料的氧化物、金屬材料的氮化物及導電性高分子。

作為金屬材料的氧化物的具體例子，可以舉出如銦錫氧化物（ito：indiumtinoxide）、包含硅或氧化硅的銦錫氧化物、包含鈦的銦錫氧化物、銦鈦氧化物、銦鎢氧化物、銦鋅氧化物、包含鎢的銦鋅氧化物等。另外，也可以舉出鉬氧化物、釩氧化物、釕氧化物、鎢氧化物、錳氧化物、鈦氧化物等。

包含金屬材料的氧化物的膜通常通過濺射法來形成,但是也可以通過應用溶膠-凝膠法等來制造。例如，可以通過濺射法使用相對于氧化銦添加有1wt%以上20wt%以下的氧化鋅的靶材，來形成銦鋅氧化物膜。此外，可以使用在氧化銦中含有0.5wt%以上且5wt%以下的氧化鎢及0.1wt%以上且1wt%以下的氧化鋅的靶材通過濺射法形成含有氧化鎢及氧化鋅的氧化銦膜。

作為金屬材料的氮化物的具體例子可以舉出氮化鈦、氮化鉭等。

作為導電性高分子的具體例子，可以舉出使用聚(3,4-乙烯二氧噻吩)/聚(苯乙烯磺酸)（pedot/pss）、聚苯胺/聚(苯乙烯磺酸)（pani/pss）等。

注意，當以與陽極1101接觸的方式設置第二電荷產生區(qū)域時，可以與功函數的大小無關，將各種導電材料用于陽極1101。具體而言，不僅可以使用功函數高的材料，還可以使用功函數低的材料。對于構成第二電荷產生區(qū)域的材料，在后面與構成第一電荷產生區(qū)域的材料一起進行說明。

<可用于陰極的材料>

當在發(fā)光單元1103之間以接觸陰極1102的方式設置第一電荷產生區(qū)域1104c時，作為陰極1102可以使用各種導電性材料，而與功函數的大小無關。

另外，使用透射可見光的導電膜形成陰極1102和陽極1101中的至少一個。例如，通過使用透射可見光的導電膜形成陰極1102及陽極1101中的一個，并且通過使用反射可見光的導電膜形成陰極1102及陽極1101中的另一個，可以構成使光射出到一個面的發(fā)光元件。另外，通過使用透射可見光的導電膜形成陰極1102及陽極1101的兩者，可以構成使光射出到兩個面的發(fā)光元件。

作為透射可見光的導電膜，可以舉出如銦錫氧化物、包含硅或氧化硅的銦錫氧化物、包含鈦的銦錫氧化物、銦鈦氧化物、銦鎢氧化物、銦鋅氧化物、包含鎢的銦鋅氧化物等。另外，也可以使用透射光程度（優(yōu)選為5nm以上且30nm以下左右）的金屬薄膜。

作為反射可見光的導電膜，使用如金屬即可，具體地說，可以舉出銀、鋁、鉑、金、銅等的金屬材料或包含它們的合金材料。作為包含銀的合金，可以舉出銀-釹合金、鎂-銀合金等。作為包含鋁的合金，可以舉出鋁-鎳-鑭合金、鋁-鈦合金、鋁-釹合金等。

<可用于el層的材料>

以下示出可用于構成上述發(fā)光單元1103的各層的材料的具體例子。

空穴注入層是包含高空穴注入性物質的層。作為高空穴注入性物質，例如可以使用鉬氧化物、釩氧化物、釕氧化物、鎢氧化物、錳氧化物等。除了上述以外，還可以使用諸如酞菁（簡稱：h2pc）和銅酞菁（簡稱：cupc）等的酞菁類化合物或諸如聚(3，4-乙烯二氧噻吩)/聚(苯乙烯磺酸)(pedot/pss)等的高分子等來形成空穴注入層。

另外，可以使用第二電荷產生區(qū)域而形成空穴注入層。當對空穴注入層使用第二電荷產生區(qū)域時，如上所述，可以使用各種導電性材料作為陽極1101，而不用考慮功函數。對于構成第二電荷產生區(qū)域的材料，在后面與構成第一電荷產生區(qū)域的材料一起進行說明。

<空穴傳輸層>

空穴傳輸層是包含高空穴傳輸性物質的層。空穴傳輸層不限于單層，可以層疊兩層以上的包含高空穴傳輸性物質的層。空穴傳輸層只要使用空穴傳輸性高于電子傳輸性的物質即可。因為可以降低發(fā)光元件的驅動電壓，尤其是具有10^-6cm²/vs以上的空穴遷移率的物質是優(yōu)選的。

作為高空穴傳輸性的物質，可以舉出芳香胺化合物（例如，4,4'-雙[n-(1-萘基)-n-苯基氨基]聯苯基（簡稱：npb或a-npd））、咔唑衍生物（例如，9-[4-（10-苯基-9-蒽基）苯基]-9h-咔唑（簡稱：czpa））等。此外，也可以使用高分子化合物（例如，聚(n-乙烯基咔唑)(簡稱：pvk)）等。

<發(fā)光層>

發(fā)光層是包含發(fā)光物質的層。發(fā)光層不限于單層也可以為層疊有兩層以上的包含發(fā)光物質的層。作為發(fā)光物質，可以使用熒光化合物或磷光化合物。當將磷光化合物用于發(fā)光物質時，可以提高發(fā)光元件的發(fā)光效率，因此是優(yōu)選的。

作為可用作發(fā)光物質的熒光化合物（例如，香豆素545t）、磷光化合物（例如，三（2-苯基吡啶醇）銥（ⅲ）（簡稱：ir（ppy）3））等。

優(yōu)選將發(fā)光物質分散在主體材料中而使用。作為主體材料，優(yōu)選使用其激發(fā)能級大于發(fā)光物質的激發(fā)能級的材料。

作為主體材料可以使用的材料，可以舉出上述高空穴傳輸性的物質（例如，芳香胺化合物、咔唑衍生物、高分子化合物等）、后面說明的高電子傳輸性的物質（例如，具有喹啉骨架或苯并喹啉骨架的金屬絡合物、具有噁唑類或噻唑類配體的金屬絡合物）等。

<電子傳輸層>

電子傳輸層是包含高電子傳輸性物質的層。電子傳輸層不限于單層，可以是層疊兩層以上的包含高電子傳輸性物質的層。電子傳輸層只要使用電子傳輸性高于空穴傳輸性的物質即可。因為可以降低發(fā)光元件的驅動電壓，尤其是具有10^-6cm²/vs以上的電子遷移率的物質是優(yōu)選的。

作為高電子傳輸性物質，例如可以使用具有喹啉骨架或苯并喹啉骨架的金屬絡合物（例如，三(8-羥基喹啉(quinolinolato))鋁(簡稱：alq)、具有噁唑類或噻唑類配體的金屬絡合物（例如，雙[2-（2-羥基苯基）苯并噁唑]鋅（簡稱：zn（box）2））以及其他化合物（例如，紅菲繞啉（簡稱：bphen））等。另外，也可以使用高分子化合物（例如，聚[(9,9-二己基芴-2,7-二基)-co-(吡啶-3,5-二基)]（簡稱：pf-py））等。

<電子注入層>

電子注入層是包含高電子注入性物質的層。電子注入層不限于單層，可以是層疊兩層以上的包含高電子注入性物質的層。因為電子注入層通過采用設有電子注入層的結構，提高來自陰極1102的電子的注入效率，可以降低發(fā)光元件的驅動電壓，所以是優(yōu)選的。

作為高電子注入性的物質，可以舉出堿金屬（例如，鋰(li)、銫（cs））、或它們的化合物（例如，氧化物（具體地說，氧化鋰等）、碳酸鹽（具體地說，碳酸鋰或碳酸銫等）、鹵化物（具體地說，氟化鋰(lif)、氟化銫(csf)及氟化鈣（caf2）））等。

此外，使用包含高電子傳輸性的物質及施主物質的層（具體地說，在alq中包含鎂（mg）的層）形成包含高電子注入性的物質的層。另外，對于高電子傳輸性的物質的施主物質的添加量的質量比優(yōu)選為0.001以上且0.1以下。

作為施主物質的材料，除了堿金屬、堿土金屬、稀土金屬或它們的化合物之外，還可以使用四硫萘并萘（tetrathianaphthacene，簡稱：ttn）、二茂鎳、十甲基二茂鎳等有機化合物。

<可用于電荷產生區(qū)域的材料>

第一電荷產生區(qū)域1104c及第二電荷產生區(qū)域是包含高空穴傳輸性物質和受主物質的區(qū)域。另外，電荷產生區(qū)域可以在同一個膜中含有高空穴傳輸性物質和受主物質，并還可以層疊有包含高空穴傳輸性物質的層和包含受主物質的層。但是，在采用陰極一側設置第一電荷產生區(qū)域的疊層結構的情況下，含有高空穴傳輸性物質的層與陰極1102接觸，并且在采用陽極一側設置有第二電荷產生區(qū)域的疊層結構的情況下，含有受主物質的層與陽極1101接觸。

另外，優(yōu)選的是，在電荷產生區(qū)域中，添加相對于高空穴傳輸性物質的質量比為0.1以上且4.0以下的受主物質。

作為用于電荷產生區(qū)域的受主物質，可以舉出過渡金屬氧化物、屬于元素周期表中的第四族至第八族的金屬的氧化物。具體地說，氧化鉬是特別優(yōu)選的。另外，氧化鉬具有吸濕性低的特征。

此外，作為用于電荷產生區(qū)域的高空穴傳輸性物質，可以使用各種有機化合物諸如芳香胺化合物、咔唑衍生物、芳香烴、高分子化合物（包括低聚物、樹狀聚合物、聚合體等）等。具體地說，優(yōu)選使用具有10^-6cm²/vs以上的空穴遷移率的物質。但是，只要是空穴傳輸性高于電子傳輸性的物質，就可以使用上述以外的物質。

<可用于電子中繼層的材料>

電子中繼層1104b是能夠及時接收由受主物質在第一電荷產生區(qū)域1104c中抽出的電子的層。因此，電子中繼層1104b是包含高電子傳輸性物質的層，并且其lumo能級位于第一電荷產生區(qū)域1104c中的受主物質的受主能級與發(fā)光單元1103的lumo能級之間，該電子中繼層接觸于該發(fā)光單元1103。具體地說，優(yōu)選設定為-5.0ev以上且-3.0ev以下左右。

作為用于電子中繼層1104b的物質，可以舉出二萘嵌苯衍生物（例如，3,4,9,10-苝四羧酸二酐（簡稱：ptcda））、含氮稠合芳香化合物（例如，吡嗪并[2,3-f][1,10]鄰二氮雜菲-2,3-二腈(簡稱：ppdn)）等。

另外，因為含氮稠環(huán)芳香化合物是穩(wěn)定的化合物，所以作為用于電子中繼層1104b的物質是優(yōu)選的。再者，通過使用含氮稠環(huán)芳香化合物中的具有氰基或氟基等電子吸引基的化合物，能夠使電子中繼層1104b中的電子接收變得更容易，所以是優(yōu)選的。

<可用于電子注入緩沖體的材料>

電子注入緩沖體是包含高電子注入性物質的層。電子注入緩沖體1104a是使電子更容易從第一電荷產生區(qū)域1104c注入發(fā)光單元1103的層。通過在第一電荷產生區(qū)域1104c和發(fā)光單元1103之間設置電子注入緩沖體1104a，可以緩和兩者的注入勢壘。

作為高電子注入性的物質，可以舉出堿金屬、堿土金屬、稀土金屬或它們的化合物等。

另外，也可以使用包含高電子傳輸性的物質和主體物質的層形成包含高電子注入性物質的層。

<發(fā)光元件的制造方法>

對發(fā)光元件的制造方法的一個方式進行說明。通過在第一電極上適當地組合上述層而形成el。根據用于el層的材料可以采用各種方法（例如干式法或濕式法等）。例如，可以采用真空蒸鍍法、轉印法、印刷法、噴墨法、旋涂法等?；蛘撸部梢苑謩e采用不同的方法而形成每個層。在el層上形成第二電極，來制造發(fā)光元件。

通過組合上述材料，能夠制造本實施方式所示的發(fā)光元件。從該發(fā)光元件能夠獲得來自上述發(fā)光物質的發(fā)光，并且通過改變發(fā)光物質的種類，可以得到各種發(fā)光顏色。

另外，可以通過使用發(fā)光顏色不相同的多個發(fā)光物質，擴大發(fā)光光譜的幅寬，例如，能夠得到白色發(fā)光。在要得到白色發(fā)光的情況下，例如采用具備至少兩個包含發(fā)光物質的層的結構，并構成為使每個層分別發(fā)射呈現互補色的關系的顏色的光。作為具體的互補色的關系，例如可以舉出藍色與黃色、藍綠色與紅色等。

再者，在要得到演色性良好的白色發(fā)光的情況下，優(yōu)選使用發(fā)光光譜擴大到所有可見光區(qū)域的結構，例如，可以采用一個發(fā)光元件具備發(fā)射呈現藍色的光的層、發(fā)射呈現綠色的光的層及發(fā)射呈現紅色的光的層的結構。

注意，本實施方式可以與本說明書所示的其他實施方式適當地組合。

實施方式6

在本實施方式中，說明本發(fā)明的一個方式的電子裝置。具體地說，參照圖8a至8f對安裝有本發(fā)明的發(fā)光面板的電子器件進行說明。

作為采用發(fā)光裝置的電子裝置，例如可以舉出電視裝置（也稱為電視機或電視接收機）、用于計算機等的顯示器、數碼相機、數碼攝像機、數碼相框、移動電話機（也稱為移動電話、移動電話裝置）、便攜式游戲機、便攜式信息終端、聲音再現裝置、彈子機等大型游戲機等。圖8a至8f示出這些電子裝置的具體例子。

圖8a示出電視裝置的一個例子。在電視裝置7100中，框體7101組裝有顯示部7103。利用顯示部7103顯示圖像，將發(fā)光裝置可用于顯示部7103。此外，在此示出利用支架7105支撐框體7101的結構。

可以通過利用框體7101所具備的操作開關、另外提供的遙控操作機7110進行電視裝置7100的操作。通過利用遙控操作機7110所具備的操作鍵7109，可以進行頻道及音量的操作，并且可以對在顯示部7103上顯示的圖像進行操作。此外，也可以采用在遙控操作機7110中設置顯示從該遙控操作機7110輸出的信息的顯示部7107的結構。

另外，電視裝置7100采用具備接收機、調制解調器等的結構?？梢酝ㄟ^接收機接收一般的電視廣播。再者，通過調制解調器連接到有線或無線方式的通信網絡，能夠進行單向（從發(fā)送者到接收者）或雙向（在發(fā)送者和接收者之間或在接收者之間等）的信息通信。

圖8b示出計算機，該計算機包括主體7201、框體7202、顯示部7203、鍵盤7204、外部連接端口7205、定點裝置7206等。此外，該計算機是通過將發(fā)光裝置用于其顯示部7203來制造的。

圖8c示出便攜式游戲機的一例。該便攜式游戲機由框體7301和框體7302的兩個框體構成，并且通過連接部7303可以開閉地連接?？蝮w7301組裝有顯示部7304，而框體7302組裝有顯示部7305。另外，圖8c所示的便攜式游戲機還具備揚聲器部7306、記錄介質插入部7307、led燈7308、輸入單元（操作鍵7309、連接端子7310、傳感器7311（包括測量如下因素的功能：力量、位移、位置、速度、加速度、角速度、轉動數、距離、光、液、磁、溫度、化學物質、聲音、時間、硬度、電場、電流、電壓、電力、輻射線、流量、濕度、斜率、振動、氣味或紅外線）、麥克風7312）等。當然，便攜式游戲機的結構不局限于上述結構，只要在顯示部7304和顯示部7305中的兩者或一個中使用發(fā)光裝置即可，而可以采用適當地設置有其他附屬設備的結構。圖8c所示的便攜式游戲機具有如下功能：讀出存儲在記錄介質中的程序或數據并將其顯示在顯示部上；以及通過與其他便攜式游戲機進行無線通信而實現信息共享。另外，圖8c所示的便攜式游戲機所具有的功能不局限于此，而可以具有各種各樣的功能。

圖8d示出移動電話機的一例。移動電話機7400除了組裝在框體7401的顯示部7402之外還具備操作按鈕7403、外部連接端口7404、揚聲器7405、麥克風7406等。另外，將發(fā)光裝置用于顯示部7402來制造移動電話機7400。

圖8d所示的移動電話機7400可以用手指等觸摸顯示部7402來輸入信息。另外，可以用手指等觸摸顯示部7402來進行打電話或制作電子郵件等的操作。

顯示部7402主要有三種屏幕模式。第一模式是主要用于顯示圖像的顯示模式。第二模式是主要用于輸入諸如文本的信息的輸入模式。第三模式是混合顯示模式和輸入模式這兩種模式的顯示和輸入模式。

例如，在打電話或制作電子郵件的情況下，將顯示部7402設定為以文字輸入為主的文字輸入模式，并進行在屏幕上顯示的文字的輸入操作。在此情況下，優(yōu)選的是，在顯示部7402的屏幕的大多部分中顯示鍵盤或號碼按鈕。

另外，通過在移動電話機7400內部設置具有陀螺儀和加速度傳感器等檢測傾斜度的傳感器的檢測裝置，判斷移動電話機7400的方向（縱向或橫向），而可以對顯示部7402的屏幕顯示進行自動切換。

另外，通過觸摸顯示部7402或對框體7401的操作按鈕7403進行操作，切換屏幕模式。或者，也可以根據顯示在顯示部7402上的圖像的種類而切換屏幕模式。例如，當顯示在顯示部上的圖像信號為動態(tài)圖像的數據時，將屏幕模式切換成顯示模式，而當顯示在顯示部上的圖像信號為文字數據時，將屏幕模式切換成輸入模式。

另外，當在輸入模式下通過檢測出顯示部7402的光傳感器所檢測的信號得知在一定期間內沒有顯示部7402的觸摸操作輸入時，也可以進行控制以將屏幕模式從輸入模式切換成顯示模式。

還可以將顯示部7402用作圖像傳感器。例如，通過用手掌或手指觸摸顯示部7402，來拍攝掌紋、指紋等，而可以進行身份識別。另外，通過將發(fā)射近紅外光的背光燈或發(fā)射近紅外光的傳感用光源用于顯示部，還可以拍攝手指靜脈、手掌靜脈等。

圖8e示出折疊式計算機的一例。折疊式計算機7450具備由鉸鏈7454連接的框體7451l和框體7451r。另外，除了操作按鈕7453、左側揚聲器7455l及右側揚聲器7455r之外，在計算機7450的側面還具備未圖示的外部連接端口7456。此外，通過以設置在框體7451l上的顯示部7452l和設置在框體7451r上的顯示部7452r彼此相對的方式折疊鉸鏈7454，可以由框體保護顯示部。

顯示部7452l和顯示部7452r不但可以顯示圖像，而且可以通過用手指等觸摸它們來輸入信息。例如，可以通過用手指觸摸而選擇表示安裝結束的程序的圖標來啟動程序?；蛘?，可以通過改變接觸于所顯示的圖像的兩個部分的手指的間隔來放大或縮小圖像?；蛘?，可以通過移動接觸于所顯示的圖像的一個部分的手指來移動圖像。另外，也可以通過使它們顯示鍵盤的圖像且用手指觸摸而選擇所顯示的文字或記號，來輸入信息。

另外，也可以將陀螺儀、加速度傳感器、gps（globalpositioningsystem：全球定位系統）接收器、指紋傳感器、攝像機安裝在計算機7450中。例如，通過設置具有陀螺儀、加速度傳感器等檢測傾斜度的傳感器的檢測裝置，判斷計算機7450的方向（縱向或橫向），而可以自動切換所顯示的圖像的方向。

另外，計算機7450可以與網絡連接。計算機7450不但可以顯示因特網上的信息，而且可以用作遙控與網絡連接的其他電子器件的終端。

圖8f示出照明裝置的一例。在照明裝置7500中，本發(fā)明的一個方式的發(fā)光裝置7503a至7503d組裝在框體7501中而作為光源。照明裝置7500可以安裝在天花板上或墻上等。

另外，因為本發(fā)明的一個方式的發(fā)光裝置包括薄膜狀的發(fā)光面板，所以通過將其貼在具有曲面的基體上，可以實現具有曲面的發(fā)光裝置。此外，通過將該發(fā)光裝置配置在具有曲面的框體中，可以實現具有曲面的電子器件或照明裝置。

另外，本實施方式可以與本說明書所示的其他實施方式所記載的結構適當地組合。

附圖標記說明

100發(fā)光模塊；101襯底；102襯底；103端子；104端子；110發(fā)光元件；110b發(fā)光元件；110g發(fā)光元件；110r發(fā)光元件；111電極；111b電極；111g電極；111r電極；112電極；113包含發(fā)光性的有機化合物的層；113a包含發(fā)光性的有機化合物的層；113b包含發(fā)光性的有機化合物的層；113c中間層；114隔壁；130空間；131密封材料；134b彩色濾光片；134g彩色濾光片；134r彩色濾光片；135間隔物；135a端部；135b反射率低的層；137b彩色濾光片；137g彩色濾光片；137r彩色濾光片；138保護層；139遮光層；200發(fā)光模塊；201襯底；202襯底；203端子；204端子；210發(fā)光元件；210b發(fā)光元件；210g發(fā)光元件；210r發(fā)光元件；211電極；211b電極；211g電極；211r電極；212電極；213包含發(fā)光性的有機化合物的層；214隔壁；230空間；231密封材料；235間隔物；301襯底；302襯底；305g晶體管；305r晶體管；306a導電層；306b導電層；306g導電層；306r導電層；307絕緣層；310襯底；310g發(fā)光元件；310r發(fā)光元件；311g電極；311r電極；312電極；313包含發(fā)光性的有機化合物的層；314隔壁；330空間；335間隔物；337g彩色濾光片；337r彩色濾光片；338保護層；339遮光層；350g發(fā)光模塊；350r發(fā)光模塊；545t香豆素；1101陽極；1102陰極；1103發(fā)光單元；1103a發(fā)光單元；1103b發(fā)光單元；1104中間層；1104a電子注入緩沖體；1104b電子中繼層；1104c電荷產生區(qū)域；1113空穴注入層；1114空穴傳輸層；1115發(fā)光層；1116電子傳輸層；1117電子注入層；1400發(fā)光裝置；1401源極側驅動電路；1402像素部；1403柵極側驅動電路；1404襯底；1405密封材料；1408布線；1410襯底；1411晶體管；1412晶體管；1413電極；1414隔壁；1416包含發(fā)光性的有機化合物的層；1417電極；1418發(fā)光元件；1423n溝道型晶體管；1424p溝道型晶體管；1434彩色濾光片；1435薄膜；1445間隔物；7100電視裝置；7101框體；7103顯示部；7105支架；7107顯示部；7109操作鍵；7110遙控操作機；7201主體；7202框體；7203顯示部；7204鍵盤；7205外部連接端口；7206定點裝置；7301框體；7302框體；7303連接部；7304顯示部；7305顯示部；7306揚聲器部；7307錄介質插入部；7308led燈；7309操作鍵；7310連接端子；7311傳感器；7312麥克風；7400移動電話機；7401框體；7402顯示部；7403操作按鈕；7404外部連接端口；7405揚聲器；7406麥克風；7450計算機；7451l框體；7451r框體；7452l顯示部；7452r顯示部；7453操作按鈕；7454鉸鏈；7455l左側揚聲器；7455r右側揚聲器；7456外部連接端口；7500照明裝置；7501框體；7503a至7503d發(fā)光裝置。