1.一種探測(cè)范圍可調(diào)的IV族紅外光電探測(cè)器的制備方法，其特征在于，所述紅外光電探測(cè)器包括Ge/GeSiSn量子阱結(jié)構(gòu)。所述制備方法包括步驟：
(a)選取N型Ge襯底；
(b)在280℃～300℃，利用UHV-CVD工藝，在所述N型Ge襯底上形成N型GeSiSn緩沖層；
(c)在280℃～300℃，利用UHV-CVD工藝，在所述N型GeSiSn緩沖層上形成所述Ge/GeSiSn量子阱結(jié)構(gòu)；
(d)在280℃～300℃，利用UHV-CVD工藝，在所述Ge/GeSiSn量子阱結(jié)構(gòu)上形成P型Ge接觸層；
(e)在280℃～300℃，利用UHV-CVD工藝，在所述P型Ge接觸層上形成氧化層；
(f)金屬化并光刻引線形成所述紅外光電探測(cè)器。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述N型GeSiSn緩沖層包括組分為0～0.15的Ge，組分為0～0.20的Sn，所述Ge和所述Sn的組分從下到上組分依次增加。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述Ge/GeSiSn量子阱結(jié)構(gòu)層包括組分為0.05～0.15的Si，組分為0.10～0.20的Sn，所述Si、所述Sn的組分可調(diào)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述Ge/GeSiSn量子阱結(jié)構(gòu)層數(shù)為10～25層，厚度為200～750nm。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述P型Ge接觸層厚度為50～100nm。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，步驟(c)包括：
(c1)在280℃～300℃，利用UHV-CVD生長(zhǎng)工藝，在所述N型GeSiSn緩沖層上形成Ge層；
(c2)在280℃～300℃，利用UHV-CVD生長(zhǎng)工藝，在所述Ge層上形成GeSiSn層；
(c3)重復(fù)生長(zhǎng)所述Ge層和所述GeSiSn層，最終在所述N型GeSiSn緩沖層上形成所述Ge層、所述GeSiSn層周期排列的所述Ge/GeSiSn量子阱結(jié)構(gòu)。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的制備方法，其特征在于，所述Ge層的厚度為10～12nm。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的制備方法，其特征在于，所述GeSiSn層的厚度為12～15nm。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，步驟(f)包括:
(f1)在所述氧化層上光刻形成金屬接觸窗口；
(f2)在所述金屬接觸窗口內(nèi)沉積金屬材料；
(f3)在所述金屬材料上光刻引線以形成所述紅外光電探測(cè)器。
10.一種探測(cè)范圍可調(diào)的IV族紅外光電探測(cè)器，其特征在于，所述紅外光電探測(cè)器采用如權(quán)利要求1-9中任一項(xiàng)所述的方法制得。