本發(fā)明涉及半導體制造領域，具體涉及分柵快閃存儲器制造領域；而且，更具體地說，本發(fā)明涉及一種解決分柵快閃存儲器編程串擾失效的工藝制造方法。

背景技術：

閃存以其便捷，存儲密度高，可靠性好等優(yōu)點成為非揮發(fā)性存儲器中研究的熱點。從二十世紀八十年代第一個閃存產品問世以來，隨著技術的發(fā)展和各類電子產品對存儲的需求，閃存被廣泛用于手機，筆記本，掌上電腦和U盤等移動和通訊設備中。

閃存為一種非易變性存儲器，其運作原理是通過改變晶體管或存儲單元的臨界電壓來控制門極通道的開關以達到存儲數(shù)據(jù)的目的，使存儲在存儲器中的數(shù)據(jù)不會因電源中斷而消失，而閃存為電可擦除且可編程的只讀存儲器的一種特殊結構。如今閃存已經占據(jù)了非揮發(fā)性半導體存儲器的大部分市場份額，成為發(fā)展最快的非揮發(fā)性半導體存儲器。

一般而言，閃存為分柵結構或堆疊柵結構或兩種結構的組合。分柵式閃存由于其特殊的結構，相比堆疊柵閃存在編程和擦除的時候都體現(xiàn)出其獨特的性能優(yōu)勢，因此分柵式結構由于具有高的編程效率，字線的結構可以避免“過擦除”等優(yōu)點，應用尤為廣泛。

分柵快閃存儲器編程串擾失效(punch through disturb by column，PTC)常見于晶圓邊緣，失效位處于閃存陣列邊緣。這種失效常常是因為字線(word line poly)高度過低，導致后續(xù)的離子注入穿透字線進入溝道，使得字線晶體管產生穿通(punch through)失效。

由此，希望能夠提供一種能夠解決分柵快閃存儲器編程串擾失效的工藝制造方法。

技術實現(xiàn)要素：

本發(fā)明所要解決的技術問題是針對現(xiàn)有技術中存在上述缺陷，提供一種能夠解決分柵快閃存儲器編程串擾失效的工藝制造方法。

為了實現(xiàn)上述技術目的，根據(jù)本發(fā)明，提供了一種解決分柵快閃存儲器編程串擾失效的工藝制造方法，包括：

第一步驟：執(zhí)行分柵快閃存儲器的制造工藝，直到利用邏輯柵極光阻刻蝕邏輯柵極的步驟；

第二步驟：對邏輯柵極光阻進行灰化及濕法剝離處理；

第三步驟：繼續(xù)執(zhí)行分柵快閃存儲器的制造工藝，直到字線刻蝕完成；

第四步驟：濕法去除邏輯柵極硬掩膜。

優(yōu)選地，在所述解決分柵快閃存儲器編程串擾失效的工藝制造方法中，在第二步驟中，保留邏輯柵極硬掩膜，避免濕法去除邏輯柵極硬掩膜對閃存區(qū)字線刻蝕的影響。

優(yōu)選地，在所述解決分柵快閃存儲器編程串擾失效的工藝制造方法中，在第四步驟中，使用稀氟氫酸來去除邏輯柵極硬掩膜。

優(yōu)選地，在所述解決分柵快閃存儲器編程串擾失效的工藝制造方法中，在第四步驟中，使用磷酸來去除邏輯柵極硬掩膜。

優(yōu)選地，在所述解決分柵快閃存儲器編程串擾失效的工藝制造方法中，在第四步驟中，使用熱磷酸來去除邏輯柵極硬掩膜。

優(yōu)選地，在所述解決分柵快閃存儲器編程串擾失效的工藝制造方法中，邏輯柵極硬掩膜的成分為SiN。

優(yōu)選地，在所述解決分柵快閃存儲器編程串擾失效的工藝制造方法中，邏輯柵極硬掩膜的成分為SiON。

優(yōu)選地，在所述解決分柵快閃存儲器編程串擾失效的工藝制造方法中，邏輯柵極硬掩膜的成分為二氧化硅SiO₂。

優(yōu)選地，在所述解決分柵快閃存儲器編程串擾失效的工藝制造方法中，在第三步驟中，字線刻蝕包括保護氧化層刻蝕。

優(yōu)選地，在所述解決分柵快閃存儲器編程串擾失效的工藝制造方法中，所述分柵快閃存儲器包括閃存區(qū)和邏輯區(qū)。

本發(fā)明將原來位于邏輯柵刻蝕之后的“濕法去除邏輯硬掩膜”工藝移動到字線刻蝕之后，避免了該濕法刻蝕對字線保護氧化層的影響，改善了字線形貌，減少了編程串擾失效。同時，邏輯柵極光阻濕法去除可以使用例如稀氟氫酸，避免了光阻殘留等缺陷問題。

附圖說明

結合附圖，并通過參考下面的詳細描述，將會更容易地對本發(fā)明有更完整的理解并且更容易地理解其伴隨的優(yōu)點和特征，其中：

圖1示意性地示出了邏輯刪刻蝕后的分柵快閃存儲器單元的結構。

圖2示意性地示出了閃存字線刻蝕后的分柵快閃存儲器單元的結構。

圖3示意性地示出了根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選實施例的解決分柵快閃存儲器編程串擾失效的工藝制造方法的流程圖。

需要說明的是，附圖用于說明本發(fā)明，而非限制本發(fā)明。注意，表示結構的附圖可能并非按比例繪制。并且，附圖中，相同或者類似的元件標有相同或者類似的標號。

具體實施方式

為了使本發(fā)明的內容更加清楚和易懂，下面結合具體實施例和附圖對本發(fā)明的內容進行詳細描述。

圖1示意性地示出了邏輯刪刻蝕后的分柵快閃存儲器單元的結構，圖2示意性地示出了閃存字線刻蝕后的分柵快閃存儲器單元的結構。如圖1和圖2所示，所述分柵快閃存儲器包括閃存區(qū)和邏輯區(qū)。其中，字線保護氧化層(word line protection oxide)對字線刻蝕后形貌的重要性，一般該氧化層越厚，字線會比較高，后續(xù)的位線(bit line)重摻雜注入就不會影響字線下的溝道，因此編程串擾失效得以改善。更具體地，字線保護氧化層的厚度將影響字線多晶硅輪廓以及字線凹進高度。更厚的字線保護氧化層具有針對字線隔離側壁刻蝕的更大的工藝裕度。

在分柵快閃存儲器的制造工藝中，邏輯柵極光阻的濕法剝離工藝步驟以及邏輯柵極硬掩膜去除工藝步驟將影響字線多晶硅上保護氧化層厚度，由此本發(fā)明可以針對邏輯柵極光阻的濕法剝離工藝步驟以及邏輯柵極硬掩膜去除工藝步驟來改善分柵快閃存儲器編程串擾失效問題。

基于上述分析，提出本發(fā)明。在方法中，將原來位于邏輯柵刻蝕之后的“濕法去除邏輯硬掩膜”工藝移動到字線刻蝕之后，避免了該濕法刻蝕對字線保護氧化層的影響，改善了字線形貌，減少了編程串擾失效。同時，邏輯柵極光阻濕法去除可以使用稀氟氫酸，避免了光阻殘留等缺陷問題。

下面將描述本發(fā)明的具體優(yōu)選實施例。

圖3示意性地示出了根據(jù)本發(fā)明第一優(yōu)選實施例的解決分柵快閃存儲器編程串擾失效的工藝制造方法的流程圖。

具體地，如圖3所示，根據(jù)本發(fā)明第一優(yōu)選實施例的解決分柵快閃存儲器編程串擾失效的工藝制造方法包括：

第一步驟S1：執(zhí)行分柵快閃存儲器的制造工藝，直到利用邏輯柵極光阻刻蝕邏輯柵極的步驟；其中，第一步驟S1中的分柵快閃存儲器的制造工藝是常規(guī)流程工藝。例如，在襯底100中形成相關阱區(qū)、隔離區(qū)和有源區(qū)結構，并且執(zhí)行襯底100上形成柵極結構的相應處理。

第二步驟S2：對邏輯區(qū)300中的邏輯柵極光阻進行灰化及濕法剝離處理；其中，在第二步驟S2暫時保留邏輯柵極硬掩膜10，避免濕法去除邏輯柵極硬掩膜10對閃存區(qū)字線刻蝕的影響。

第三步驟S3：繼續(xù)執(zhí)行分柵快閃存儲器的制造工藝，直到閃存區(qū)200的字線多晶硅30刻蝕完成；具體地，在第三步驟中，字線刻蝕包括保護氧化層20的刻蝕。

第四步驟S4：濕法去除邏輯柵極硬掩膜。

具體地，在具體示例中，在第四步驟中，可以使用稀氟氫酸(DHF)來去除邏輯柵極硬掩膜?？商鎿Q地，在另一具體示例中，在第四步驟中，可以使用磷酸(尤其是熱磷酸，熱H₃PO₄)來去除邏輯柵極硬掩膜。當然，可替換地，在另一具體示例中，在第四步驟中，可以使用稀氟氫酸(DHF)和磷酸(尤其是熱磷酸，熱H₃PO₄)的組合來去除邏輯柵極硬掩膜。

其中，邏輯柵極硬掩膜的成分可以為SiN、SiON和二氧化硅SiO₂中的一種。例如，在具體示例中，邏輯柵極硬掩膜的成分為SiN。例如，可替換地，在另一具體示例中，邏輯柵極硬掩膜的成分為SiON。例如，可替換地，在另一具體示例中，邏輯柵極硬掩膜的成分為二氧化硅SiO₂。

如上所述，字線保護氧化層對字線刻蝕后形貌的重要性，一般該氧化層越厚，字線會比較高，后續(xù)的位線重摻雜注入就不會影響字線下的溝道，因此編程串擾失效得以改善。

在根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選實施例的解決分柵快閃存儲器編程串擾失效的工藝制造方法中，將原來位于邏輯柵刻蝕之后的“濕法去除邏輯硬掩膜”工藝移動到字線刻蝕之后，避免了該濕法刻蝕對字線保護氧化層的影響，改善了字線形貌，減少了編程串擾失效。同時，邏輯柵極光阻濕法去除可以使用稀氟氫酸，避免了光阻殘留等缺陷問題。

此外，需要說明的是，除非特別說明或者指出，否則說明書中的術語“第一”、“第二”、“第三”等描述僅僅用于區(qū)分說明書中的各個組件、元素、步驟等，而不是用于表示各個組件、元素、步驟之間的邏輯關系或者順序關系等。而且，本發(fā)明實施例的方法和/或系統(tǒng)的實現(xiàn)可包括手動、自動或組合地執(zhí)行所選任務。而且，根據(jù)本發(fā)明的方法和/或系統(tǒng)的實施例的實際器械和設備，可利用操作系統(tǒng)通過硬件、軟件或其組合實現(xiàn)幾個所選任務。本發(fā)明可以以硬件、軟件、或者硬件與軟件的組合的方式實現(xiàn)。任何類型的計算系統(tǒng)、或適于執(zhí)行本文描述的方法的設備可適合于執(zhí)行本文描述的功能。

可以理解的是，雖然本發(fā)明已以較佳實施例披露如上，然而上述實施例并非用以限定本發(fā)明。對于任何熟悉本領域的技術人員而言，在不脫離本發(fā)明技術方案范圍情況下，都可利用上述揭示的技術內容對本發(fā)明技術方案作出許多可能的變動和修飾，或修改為等同變化的等效實施例。因此，凡是未脫離本發(fā)明技術方案的內容，依據(jù)本發(fā)明的技術實質對以上實施例所做的任何簡單修改、等同變化及修飾，均仍屬于本發(fā)明技術方案保護的范圍內。除非相反地定義，此處使用的所有技術和科技的術語具有與本發(fā)明所屬領域的普通技術人員所普遍理解的含義相同的含義。描述了優(yōu)選方法、技術、裝置和材料，但是與此處描述的這些類似或等價的任意方法、技術、裝置或材料可用于本發(fā)明的實踐和測試。此處描述的結構將被理解為還引述該結構的功能等效物。

而且還應該理解的是，本發(fā)明并不限于此處描述的特定的方法、化合物、材料、制造技術、用法和應用，它們可以變化。還應該理解的是，此處描述的術語僅僅用來描述特定實施例，而不是用來限制本發(fā)明的范圍。必須注意的是，此處的以及所附權利要求中使用的單數(shù)形式“一個”、“一種”以及“該”包括復數(shù)基準，除非上下文明確表示相反意思。因此，例如，對“一個元素”的引述意味著對一個或多個元素的引述，并且包括本領域技術人員已知的它的等價物。類似地，作為另一示例，對“一個步驟”或“一個裝置”的引述意味著對一個或多個步驟或裝置的引述，并且可能包括次級步驟以及次級裝置。應該以最廣義的含義來理解使用的所有連詞。因此，詞語“或”應該被理解為具有邏輯“或”的定義，而不是邏輯“異或”的定義，除非上下文明確表示相反意思。此處描述的結構將被理解為還引述該結構的功能等效物?？杀唤忉尀榻频恼Z言應該被那樣理解，除非上下文明確表示相反意思。