技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開(kāi)了一種發(fā)光二極管外延片的制備方法，屬于半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域。包括：提供一設(shè)有氮化鋁緩沖層的襯底并放置在反應(yīng)腔中，反應(yīng)腔內(nèi)通入有氮?dú)夂蜌錃庵械闹辽僖环N作為載氣；將反應(yīng)腔內(nèi)的溫度進(jìn)行梯度升溫，同時(shí)增大載氣中氮?dú)夂蜌錃獾捏w積比，梯度升溫包括n+1個(gè)溫度恒定階段和n個(gè)溫度提升階段，n+1個(gè)溫度恒定階段和n個(gè)溫度提升階段隨時(shí)間的增長(zhǎng)交替出現(xiàn)，n為正整數(shù)；在氮化鋁緩沖層上生長(zhǎng)過(guò)渡層，過(guò)渡層為依次經(jīng)過(guò)第一次二維生長(zhǎng)、三維生長(zhǎng)和第二次二維生長(zhǎng)的鋁鎵氮層；在過(guò)渡層上依次生長(zhǎng)非摻雜氮化鎵層、N型氮化鎵層、多量子阱層、P型電子阻擋層、P型氮化鎵層和P型接觸層。本發(fā)明適應(yīng)大尺寸外延片的生產(chǎn)。

技術(shù)研發(fā)人員：楊蘭;萬(wàn)林;胡加輝
受保護(hù)的技術(shù)使用者：華燦光電（浙江）有限公司
文檔號(hào)碼：201710082015
技術(shù)研發(fā)日：2017.02.15
技術(shù)公布日：2017.06.09