本公開涉及包含激光劃片工序的元件芯片的制造方法以及元件芯片。

背景技術(shù)：

如圖5a～c所示，元件芯片通過(guò)切割包含作為半導(dǎo)體層的第1層31和包含絕緣膜的第2層32的基板30來(lái)制造?；?0具備對(duì)基板30進(jìn)行區(qū)劃的分割區(qū)域r11和由分割區(qū)域r11劃定的多個(gè)元件區(qū)域r12(圖5a)。通過(guò)除去基板30的分割區(qū)域r11，從而基板30被切割，形成多個(gè)元件芯片130。專利文獻(xiàn)1教導(dǎo)了利用激光l劃刻了分割區(qū)域r11之后(圖5b)，利用等離子體p進(jìn)行蝕刻(圖5c)，從而切割基板30。

現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)

專利文獻(xiàn)

專利文獻(xiàn)1：jp特表2013-535114號(hào)公報(bào)

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

在激光劃片工序(圖5b)中，通常通過(guò)熱效應(yīng)在基板30形成損傷區(qū)域dr。損傷區(qū)域dr由于熱傳播而形成得比照射激光的分割區(qū)域r11寬。因此，之后，即使通過(guò)等離子體蝕刻除去分割區(qū)域r11，在元件區(qū)域r12，即，在被切割的元件芯片130的端面也殘留損傷區(qū)域dr(圖5c)。在損傷區(qū)域dr中，在結(jié)晶紊亂或多結(jié)晶的情況下，會(huì)發(fā)生晶粒的粗大化。因此，尤其是殘留在第1層31的損傷區(qū)域dr，易成為第1層31解理的起點(diǎn)，會(huì)成為元件芯片130損傷的原因。也就是說(shuō)，在該方法中，元件芯片130的抗彎強(qiáng)度容易降低。

本公開所涉及的發(fā)明的一方面涉及一種元件芯片的制造方法，包括：準(zhǔn)備基板的工序、激光劃片工序、該激光劃片工序之后的各向同性蝕刻工序和各向同性蝕刻工序之后進(jìn)行的等離子體切割工序。準(zhǔn)備基板的工序，是準(zhǔn)備具備第1主面以及第2主面、并且具備作為半導(dǎo)體層的第1層和包含形成在第1層的第1主面?zhèn)鹊慕^緣膜的第2層、并且具備多個(gè)元件區(qū)域和劃定所述元件區(qū)域的分割區(qū)域的基板的工序。激光劃片工序，是對(duì)分割區(qū)域從所述第1主面?zhèn)日丈浼す?，從而在分割區(qū)域形成具備露出第1層的露出部的開口，并且在包含露出部的所述第1層的表層部形成第1損傷區(qū)域，在第1損傷區(qū)域的附近且被第2層覆蓋的所述第1層的表層部形成第2損傷區(qū)域的工序。各向同性蝕刻工序，是在激光劃片工序之后，通過(guò)使基板暴露于第1等離子體從而各向同性地蝕刻第1層，從而除去第1損傷區(qū)域和第2損傷區(qū)域的工序。等離子體切割工序，是在各向同性蝕刻工序之后，在用支承構(gòu)件支承了第2主面的狀態(tài)下將基板暴露于第2等離子體，從而各向異性地蝕刻第1層，從而將基板分割為具備元件區(qū)域的多個(gè)元件芯片的工序。

本公開的另一方面涉及一種元件芯片，具備第1層和第2層，所述第1層是半導(dǎo)體層并且具備層疊面和層疊面的相反側(cè)的面，所述第2層包含層疊在所述層疊面上的絕緣膜，所述元件芯片具備形成在所述第1層的所述層疊面?zhèn)鹊闹芫壊康陌枷荨?/p>

發(fā)明效果

根據(jù)本公開所涉及的發(fā)明，因?yàn)闇p少解理的起點(diǎn)，所以元件芯片的抗彎強(qiáng)度提高。

附圖說(shuō)明

圖1a是表示本公開的實(shí)施方式所涉及的制造方法的一個(gè)工序的剖視圖。

圖1b是表示本公開的實(shí)施方式所涉及的制造方法的一個(gè)工序的剖視圖。

圖1c是表示本公開的實(shí)施方式所涉及的制造方法的一個(gè)工序的剖視圖。

圖1d是表示本公開的實(shí)施方式所涉及的制造方法的一個(gè)工序的剖視圖。

圖2a是表示本公開的實(shí)施方式所涉及的運(yùn)輸載體的俯視圖。

圖2b是本公開的實(shí)施方式所涉及的運(yùn)輸載體的、圖2a中的2b-2b剖視圖。

圖3是用剖面表示本公開的實(shí)施方式所涉及的等離子體處理裝置的概略構(gòu)造的概念圖。

圖4是表示本公開的實(shí)施方式所涉及的元件芯片的剖視圖。

圖5a是表示現(xiàn)有元件芯片的制造方法的一個(gè)工序的剖視圖。

圖5b是表示現(xiàn)有元件芯片的制造方法的一個(gè)工序的剖視圖。

圖5c是表示現(xiàn)有元件芯片的制造方法的一個(gè)工序的剖視圖。

符號(hào)說(shuō)明

10：基板

10a：開口

10x：第1主面

10y：第2主面

11：第1層

111：第1分割區(qū)域

111a：露出部

112：第1元件區(qū)域

112x：層疊面

112y：層疊面相反側(cè)的面

112g：凹陷

12：第2層

121：第2分割區(qū)域

122：第2元件區(qū)域

110：元件芯片

20：運(yùn)輸載體

21：框架

21a：凹口

21b：切角

22：支承構(gòu)件

22a：粘合面

22b：非粘合面

200：等離子體處理裝置

203：真空腔

203a：氣體導(dǎo)入口

203b：排氣口

208：電介質(zhì)構(gòu)件

209：天線

210a：第1高頻電源

210b：第2高頻電源

211：載置臺(tái)

212：工藝氣體源

213：灰化氣體源

214：減壓機(jī)構(gòu)

215：電極層

216：金屬層

217：基臺(tái)

218：外周部

219：esc電極

220：高頻電極部

221：升降桿

222：支承部

223a、223b：升降機(jī)構(gòu)

224：蓋

224w：窗部

225：冷媒循環(huán)裝置

226：直流電源

227：冷媒流路

228：控制裝置

229：外周環(huán)

30：基板

31：第1層

32：第2層

130：元件芯片

具體實(shí)施方式

在本實(shí)施方式中，通過(guò)在被切割的元件芯片不殘留由激光導(dǎo)致的損傷區(qū)域的方法，來(lái)切割基板。即，包括準(zhǔn)備基板的工序，基板具備第1主面以及第2主面，并且具備作為半導(dǎo)體層的第1層和包含形成在第1層的第1主面?zhèn)鹊慕^緣膜的第2層，并且基板具備多個(gè)元件區(qū)域和劃定元件區(qū)域的分割區(qū)域。而且，包括激光劃片工序，對(duì)分割區(qū)域從第1主面?zhèn)日丈浼す猓瑥亩诜指顓^(qū)域形成具備露出第1層的露出部的開口，并且在包含露出部的第1層的表層部形成第1損傷區(qū)域，在第1損傷區(qū)域的附近且被第2層覆蓋的第1層的表層部形成第2損傷區(qū)域。而且，包括各向同性蝕刻工序，在激光劃片工序之后，通過(guò)使基板暴露于第1等離子體從而各向同性地蝕刻第1層，從而除去第1損傷區(qū)域和第2損傷區(qū)域。而且，包括等離子體切割工序，在各向同性蝕刻工序之后，在用支承構(gòu)件支承了第2主面的狀態(tài)下，將基板暴露于第2等離子體，從而各向異性地蝕刻第1層，從而將基板分割為具備元件區(qū)域的多個(gè)元件芯片。通過(guò)這些方法來(lái)制造元件芯片。

參照?qǐng)D1a～d來(lái)說(shuō)明本實(shí)施方式所涉及的制造方法。圖1a～d是表示本實(shí)施方式所涉及的制造方法的各工序的剖視圖(a～d)。

(1)準(zhǔn)備工序

首先，準(zhǔn)備成為切割對(duì)象的基板10(圖1a)?；?0具備第1主面10x以及第2主面10y，并且具備作為半導(dǎo)體層的第1層11和包含形成在第1層11的第1主面10x側(cè)的絕緣膜的第2層12。此外，基板10被區(qū)劃為分割區(qū)域r1和由分割區(qū)域r1劃定的多個(gè)元件區(qū)域r2。因此，第1層11具備與分割區(qū)域r1對(duì)應(yīng)的第1分割區(qū)域111和與元件區(qū)域r2對(duì)應(yīng)的多個(gè)第1元件區(qū)域112。第2層12具備與分割區(qū)域r1對(duì)應(yīng)的第2分割區(qū)域121和與元件區(qū)域r2對(duì)應(yīng)的多個(gè)第2元件區(qū)域122。在基板10的元件區(qū)域r2(第1元件區(qū)域112和第2元件區(qū)域122)中，可以形成半導(dǎo)體電路、電子部件元件、mems等電路層(均未圖示)。

第1層11是例如由硅(si)、砷化鎵(gaas)、氮化鎵(gan)、碳化硅(sic)等構(gòu)成的半導(dǎo)體層。第2層12至少包含絕緣膜。絕緣膜例如包括二氧化硅(sio2)、氮化硅(si3n4)、鉭酸鋰(litao3)、鈮酸鋰(linbo3)等。第2層12除了包含絕緣膜之外，還可以包含多層布線層(例如，low-k(低介電常數(shù))材料和銅(cu)布線層的層疊體)、金屬材料、樹脂保護(hù)層(例如，聚酰亞胺)、抗蝕劑等。

(2)激光劃片工序

在激光劃片工序中，從第1主面10x側(cè)向第2分割區(qū)域121照射激光l，從而除去第2分割區(qū)域121的一部分，形成露出了一部分第1分割區(qū)域111的開口10a(圖1b)。換言之，在激光劃片工序中，使第1分割區(qū)域111的一部分露出而形成露出部111a。激光l的中心波長(zhǎng)沒有特別限定，例如是350～600nm。

由于激光l的照射，在開口10a的周圍形成受到激光l的熱效應(yīng)的損傷區(qū)域dr。因此，在露出部111a的下方形成第1損傷區(qū)域dr1，并且在第1損傷區(qū)域dr1的附近且被第2層12覆蓋的第1層11的表層部也形成第2損傷區(qū)域dr2。第2損傷區(qū)域dr2例如形成為夾著或者包圍第1損傷區(qū)域dr1。此外，在第2元件區(qū)域122的端面還形成第3損傷區(qū)域dr3。在圖1b～d中，用虛線表示損傷區(qū)域dr與其以外的區(qū)域的邊界面s。損傷區(qū)域dr1、dr2、dr3的厚度根據(jù)激光l的照射條件、照射激光l的部分的材質(zhì)而變化，例如是0.1～10μm左右。

根據(jù)操作性的觀點(diǎn)，優(yōu)選在用支承構(gòu)件22(參照?qǐng)D1d)支承了第2主面10y的狀態(tài)下進(jìn)行激光劃片工序以后的工序。支承構(gòu)件22的材質(zhì)沒有特別限定。其中尤其是，若考慮在用支承構(gòu)件22支承了基板10的狀態(tài)下進(jìn)行切割，則基于所得到的元件芯片110容易拾取的觀點(diǎn)，優(yōu)選支承構(gòu)件22是具有柔韌性的樹脂膜。在該情況下，根據(jù)操作性的觀點(diǎn)，支承構(gòu)件22固定于框架21。以下，將框架21和固定于框架21的支承構(gòu)件22一起稱為運(yùn)輸載體20。在圖2a示出運(yùn)輸載體20的俯視圖，在圖2b示出圖2a所涉及的運(yùn)輸載體20的2b-2b線處的剖視圖。

樹脂膜的材質(zhì)沒有特別限定，例如可以列舉，聚乙烯以及聚丙烯等聚烯烴、聚對(duì)苯二甲酸乙酯等聚酯等的熱可塑性樹脂。在樹脂膜中，可以混合用于附加伸縮性的橡膠成分(例如，乙烯-丙烯橡膠(epm)、乙烯-丙烯-二烯橡膠(epdm)等)、增塑劑、軟化劑、抗氧化劑、導(dǎo)電性材料等的各種添加劑。此外，上述熱可塑性樹脂也可以具有丙烯酸基等表示光聚合反應(yīng)的官能基。

支承構(gòu)件22具備例如具有粘合劑的面(粘合面22a)和沒有粘合劑的面(非粘合面22b)。粘合面22a的外周緣粘接在框架21的一個(gè)面上，覆蓋框架21的開口。在粘合面22a的從框架21的開口露出的部分粘接并支承基板10。等離子體處理時(shí)，支承構(gòu)件22載置在等離子體處理載置臺(tái)(以下僅稱為載置臺(tái))上，使得載置臺(tái)和非粘合面22b相接。

優(yōu)選粘合面22a由通過(guò)紫外線(uv)的照射而粘合力減小的粘合成分構(gòu)成。據(jù)此，在等離子體切割后拾取元件芯片110時(shí)，通過(guò)進(jìn)行uv照射，從而元件芯片110容易從粘合面22a剝離，從而變得易于拾取。例如，支承構(gòu)件22通過(guò)在樹脂膜的單面涂敷5～20μm厚度的uv固化型丙烯酸粘合劑而得到。

框架21是具有與基板10的整體相同或其以上的面積的開口的框體，具有規(guī)定寬度以及基本恒定的薄的厚度?？蚣?1具有能夠在保持了支承構(gòu)件22以及基板10的狀態(tài)下運(yùn)輸?shù)某潭鹊膭傂浴？蚣?1的開口的形狀沒有特別限定，例如，可以是圓形、矩形、六邊形等多邊形。在框架21上可以設(shè)置用于定位的凹口21a、切角21b。作為框架21的材質(zhì)，例如可以列舉鋁、不銹鋼等金屬、樹脂等。

(3)各向同性蝕刻工序

在激光劃片工序之后、等離子體切割工序之前，將開口10a暴露于第1等離子體p1(圖1c)。此時(shí)，第2元件區(qū)域122作為掩模發(fā)揮功能。但是，通過(guò)以各向同性地進(jìn)展的蝕刻條件進(jìn)行蝕刻，從而除了從開口10a露出的第1損傷區(qū)域dr1之外，還蝕刻被第2層12覆蓋的第2損傷區(qū)域dr2。此時(shí)，在開口10a附近的第2元件區(qū)域122的下方，形成圓形的凹陷112g。

參照?qǐng)D3來(lái)具體說(shuō)明各向同性蝕刻(等離子體蝕刻)以及等離子體切割中所使用的等離子體處理裝置200，但是等離子體處理裝置不限定于此。圖3概略地示出本實(shí)施方式中使用的等離子體處理裝置200的構(gòu)造的剖面。

等離子體處理裝置200具備載置臺(tái)211。運(yùn)輸載體20搭載在載置臺(tái)211上，使得支承構(gòu)件22的保持了基板10的面朝向上方。在載置臺(tái)211的上方，配置了覆蓋框架21以及支承構(gòu)件22的至少一部分并且具有用于使基板10的至少一部分露出的窗部224w的蓋224。

載置臺(tái)211以及蓋224配置在反應(yīng)室(真空腔203)內(nèi)。真空腔203呈上部開口了的大概圓筒狀，上部開口由作為蓋體的電介質(zhì)構(gòu)件208封閉。作為構(gòu)成真空腔203的材料，可以例示鋁、不銹鋼(sus)、對(duì)表面進(jìn)行了防蝕鋁處理的鋁等。作為構(gòu)成電介質(zhì)構(gòu)件208的材料，可以例示氧化釔(y2o3)、氮化鋁(aln)、氧化鋁(al2o3)、石英(sio2)等電介質(zhì)材料。在電介質(zhì)構(gòu)件208的上方，配置了作為上部電極的天線209。天線209與第1高頻電源210a電連接。載置臺(tái)211配置在真空腔203內(nèi)的底部側(cè)。

在真空腔203連接了氣體導(dǎo)入口203a。在氣體導(dǎo)入口203a分別通過(guò)配管連接了作為工藝氣體的供給源的工藝氣體源212以及灰化氣體源213。此外，在真空腔203沒置了排氣口203b，在排氣口203b連接了包含用于排放真空腔203內(nèi)的氣體從而減壓的真空泵的減壓機(jī)構(gòu)214。

載置臺(tái)211具備分別呈大致圓形的電極層215、金屬層216、支承電極層215以及金屬層216的基臺(tái)217和包圍電極層215、金屬層216以及基臺(tái)217的外周部218。外周部218由具有導(dǎo)電性以及耐蝕刻性的金屬構(gòu)成，從等離子體保護(hù)電極層215、金屬層216以及基臺(tái)217。在外周部218的上表面配置了圓環(huán)狀的外周環(huán)229。外周環(huán)229具有從等離子體保護(hù)外周部218的上表面的作用。電極層215以及外周環(huán)229例如由上述電介質(zhì)材料構(gòu)成。

在電極層215的內(nèi)部配置了構(gòu)成靜電吸附機(jī)構(gòu)的電極部(以下稱為esc電極219)和電連接于第2高頻電源210b的高頻電極部220。在esc電極219電連接了直流電源226。靜電吸附機(jī)構(gòu)由esc電極219以及直流電源226構(gòu)成。

金屬層216例如由在表面形成了防蝕鋁被覆的鋁等構(gòu)成。在金屬層216內(nèi)形成了冷媒流路227。冷媒流路227對(duì)載置臺(tái)211進(jìn)行冷卻。通過(guò)冷卻載置臺(tái)211，從而冷卻搭載在載置臺(tái)211上的支承構(gòu)件22，并且還冷卻其一部分與載置臺(tái)211接觸的蓋224。據(jù)此，抑制基板10、支承構(gòu)件22由于在等離子體處理中被加熱而被損傷。冷媒流路227內(nèi)的冷媒通過(guò)冷媒循環(huán)裝置225而循環(huán)。

在載置臺(tái)211的外周附近配置了貫通載置臺(tái)211的多個(gè)支承部222。支承部222由升降機(jī)構(gòu)223a進(jìn)行升降驅(qū)動(dòng)。若運(yùn)輸載體20被運(yùn)輸?shù)秸婵涨?03內(nèi)，則交接給上升到規(guī)定位置的支承部222。支承部222支承運(yùn)輸載體20的框架21。通過(guò)支承部22的上端面下降到與載置臺(tái)211相同的水平以下，從而運(yùn)輸載體20搭載到載置臺(tái)211的規(guī)定位置。

在蓋224的端部聯(lián)結(jié)了多個(gè)升降桿221，使蓋224能夠升降。升降桿221通過(guò)升降機(jī)構(gòu)223b進(jìn)行升降驅(qū)動(dòng)?；谏禉C(jī)構(gòu)223b的蓋224的升降動(dòng)作，能夠與升降機(jī)構(gòu)223a獨(dú)立地進(jìn)行。

控制裝置228控制構(gòu)成包括第1高頻電源210a、第2高頻電源210b、工藝氣體源212、灰化氣體源213、減壓機(jī)構(gòu)214、冷媒循環(huán)裝置225、升降機(jī)構(gòu)223a、升降機(jī)構(gòu)223b以及靜電吸附機(jī)構(gòu)的等離子體處理裝置200的要素的動(dòng)作。

各向同性蝕刻工序的條件沒有特別限定，根據(jù)第1分割區(qū)域111被蝕刻，并且蝕刻易于各向同性地進(jìn)展的觀點(diǎn)，優(yōu)選使用六氟化硫(sf6)等包含氟的工藝氣體。各向同性蝕刻工序例如可以以如下條件進(jìn)行，即：作為原料氣體以200～400sccm供給sf6，并且將處理室內(nèi)的壓力調(diào)整為5～30pa，并且將第1高頻電源210a對(duì)天線209的投入功率設(shè)為1500～3600w，將第2高頻電源210b對(duì)高頻電極部220的投入功率設(shè)為0～200w。原料氣體優(yōu)選與sf6一起使用作為稀釋氣體的氦氣(he)。在并用he的情況下，作為原料氣體的流量，例如，能夠設(shè)為sf6/he＝200～300sccm/400～600sccm。通過(guò)并用he作為稀釋氣體，從而能夠抑制各向同性蝕刻時(shí)的蝕刻面(第1分割區(qū)域111的表面)的粗糙。進(jìn)而，通過(guò)并用he，從而能夠?qū)⒌?元件區(qū)域122的端面各向同性蝕刻為直線性(ストレ一ト)高的正錐形。另外，sccm是流量的單位，1sccm是指一分鐘流過(guò)1cm³的標(biāo)準(zhǔn)狀態(tài)(0℃、一個(gè)大氣壓)的氣體的量。

這里，若在開口10a的表面存在氧化膜，則存在阻礙各向同性蝕刻的情況。因此，在進(jìn)行上述蝕刻條件下的各向同性蝕刻(主蝕刻)之前，可以進(jìn)行用于除去開口10a的表面可能存在的氧化膜的初步蝕刻(穿透(breakthrough))。與主蝕刻的條件相比較，初步蝕刻能夠通過(guò)從第2高頻電源210b對(duì)高頻電極部220投入更大的功率的條件來(lái)進(jìn)行。

(4)等離子體切割工序

接下來(lái)，在用支承構(gòu)件22支承了第2主面10y的狀態(tài)下將基板10暴露于等離子體p2(圖1d)。根據(jù)第1分割區(qū)域111被各向異性地蝕刻的條件來(lái)產(chǎn)生等離子體p2。例如，使用六氟化硫(sf6)等包含氟的工藝氣體，并且對(duì)高頻電極部220施加高頻電力，從而施加偏置電壓。據(jù)此，在與基材10的厚度平行的方向上各向異性地進(jìn)行蝕刻。上述蝕刻條件，能夠根據(jù)第1層11的材質(zhì)來(lái)適當(dāng)?shù)剡M(jìn)行選擇。在第1層11為si的情況下，第1分割區(qū)域111的蝕刻能夠使用所謂的波希法(boschprocess)。在波希法中，依次重復(fù)沉積膜沉積步驟、沉積膜蝕刻步驟和si蝕刻步驟，從而對(duì)第1分割區(qū)域111在深度方向上進(jìn)行挖入。

沉積膜沉積步驟例如可以以如下條件進(jìn)行，即：作為原料氣體以150～250sccm供給c4f8，并且將真空腔203內(nèi)的壓力調(diào)整為15～25pa，并且將第1高頻電源210a對(duì)天線209的投入功率設(shè)為1500～2500w，將第2高頻電源210b對(duì)高頻電極部220的投入功率設(shè)為0w，處理5～15秒。

沉積膜蝕刻步驟例如可以以如下條件進(jìn)行，即：作為原料氣體以200～400sccm供給sf6，并且將真空腔203內(nèi)的壓力調(diào)整為5～15pa，并且將第1高頻電源210a對(duì)天線209的投入功率設(shè)為1500～2500w，將第2高頻電源210b對(duì)高頻電極部220的投入功率設(shè)為100～300w，處理2～10秒。

si蝕刻步驟例如可以以如下條件進(jìn)行，即：作為原料氣體以200～400sccm供給sf6，并且將真空腔203內(nèi)的壓力調(diào)整為5～15pa，并且將第1高頻電源210a對(duì)天線209的投入功率設(shè)為1500～2500w，將第2高頻電源210b對(duì)高頻電極部220的投入功率設(shè)為50～200w，處理10～20秒。

通過(guò)以上述那樣的條件重復(fù)沉積膜沉積步驟、沉積膜蝕刻步驟以及si蝕刻步驟，從而能夠?qū)Φ?分割區(qū)域111以10m/分鐘的速度在深度方向上垂直地進(jìn)行蝕刻。

此時(shí)，第2元件區(qū)域122也作為掩模發(fā)揮功能。因此，在等離子體切割工序中，以通過(guò)由各向同性蝕刻工序除去第1損傷區(qū)域dr1而露出的面為起點(diǎn)，蝕刻形成在其下方的第1分割區(qū)域111。據(jù)此，基板10被切割為具備元件區(qū)域r2的多個(gè)元件芯片110。也就是說(shuō)，在所得到的元件芯片110的第1元件區(qū)域112的端面，不殘留成為解理的起點(diǎn)的損傷區(qū)域dr。因此，在使用元件芯片110時(shí)，即使在施加外力(彎曲、沖擊等)的情況下，也可以抑制元件芯片110的損傷。另外，等離子體切割工序中的蝕刻，如上所述，是將第2元件區(qū)域122作為掩模的各向異性蝕刻。因此，在各向同性蝕刻工序中形成在第2元件區(qū)域122的下方的圓形凹陷112g，在等離子體切割工序后也殘留。

圖4中示出利用這種方法得到的元件芯片110的剖面。元件芯片110具備第1層(第1元件區(qū)域112)和第2層(第2元件區(qū)域122)，第1層是半導(dǎo)體層并且具備層疊面112x和層疊面112x的相反側(cè)的面112y，第2層包含層疊在層疊面112x上的絕緣膜。而且，元件芯片110具備形成在第1層的層疊面112x側(cè)的周緣部的凹陷112g。

在元件芯片110中，尤其在易于解理的第1元件區(qū)域112的端面，不殘留損傷區(qū)域dr。因此，在使用元件芯片110時(shí)，即使在施加外力(彎曲、沖擊等)的情況下，也可以抑制元件芯片110的破裂、碎裂等損傷。此外，在本實(shí)施方式中，基板10在由支承構(gòu)件22進(jìn)行了支承的狀態(tài)下被切割。因此，在切割后，所得到的元件芯片110被從支承構(gòu)件22剝離的同時(shí)被拾取。在該情況下，在第1元件區(qū)域112的端面也不殘留損傷區(qū)域dr，所以能夠不使其損傷地拾取元件芯片110。

另一方面，在第2元件區(qū)域122的端面殘留了損傷區(qū)域dr3。由于激光l的熱效應(yīng)而形成的損傷區(qū)域dr3，相較于通常而反應(yīng)性高，易于吸收雜質(zhì)。即，從外部進(jìn)入的雜質(zhì)(例如，水分、附著在第2元件區(qū)域122的表面的焊料成分等)，擴(kuò)散到損傷區(qū)域dr3內(nèi)，被損傷區(qū)域dr3捕獲(吸收或者吸附)。據(jù)此，抑制雜質(zhì)向元件芯片110的內(nèi)部的擴(kuò)散。因此，抑制元件芯片110的性能劣化。

產(chǎn)業(yè)上可用性

根據(jù)本公開的發(fā)明所涉及的方法，能夠得到抗彎強(qiáng)度優(yōu)異的元件芯片，所以作為由各種基板制造元件芯片的方法是有用的。