本發(fā)明涉及一種利用電致發(fā)光（el）的發(fā)光元件（還稱為el元件）、發(fā)光裝置、電子設(shè)備以及照明裝置。
背景技術(shù)：
：：近年來，廣泛地對有機(jī)el元件進(jìn)行研究開發(fā)。在el元件的基本結(jié)構(gòu)中，包含發(fā)光物質(zhì)的層配置于一對電極之間。通過對該元件施加電壓，可以獲得來自發(fā)光物質(zhì)的發(fā)光。因?yàn)檫@種el元件為自發(fā)光型，所以被認(rèn)為該el元件與液晶顯示器相比具有像素的能見度高、不需要背光等優(yōu)勢，因此適合用作平板顯示器元件。另外，還具有可將該el元件制造成薄且輕的元件的較大優(yōu)勢。再者，響應(yīng)速度極快也是這種元件的特征之一。因?yàn)閑l元件可以形成為膜狀，所以能夠提供面發(fā)光。因此，可以較容易地形成大面積的元件。這是難以通過利用以白熾燈和led為代表的點(diǎn)光源或以熒光燈為代表的線光源而得到的特征。因此，el元件作為可應(yīng)用于照明裝置等的面光源還具有巨大潛力。根據(jù)發(fā)光物質(zhì)是有機(jī)化合物還是無機(jī)化合物，可以對el元件進(jìn)行大致的分類。在采用將作為發(fā)光物質(zhì)包含有機(jī)化合物的層設(shè)置于一對電極之間的有機(jī)el元件的情況下，通過對該發(fā)光元件施加電壓，來自陰極的電子和來自陽極的空穴注入到該包含有機(jī)化合物的層中，而電流流動。然后，所注入的電子和空穴使該有機(jī)化合物成為激發(fā)態(tài)，由此從被激發(fā)的有機(jī)化合物得到發(fā)光。作為有機(jī)化合物的激發(fā)態(tài)可以舉出單重激發(fā)態(tài)和三重激發(fā)態(tài)，由單重激發(fā)態(tài)（s*）的發(fā)光被稱為熒光，而由三重激發(fā)態(tài)（t*）的發(fā)光被稱為磷光。在改進(jìn)這種發(fā)光元件的元件特性中，物質(zhì)所引起的問題很多，為了解決這些問題，已經(jīng)進(jìn)行了元件結(jié)構(gòu)的改進(jìn)、物質(zhì)的開發(fā)等。例如，專利文獻(xiàn)1公開了包括含有有機(jī)低分子空穴傳輸物質(zhì)、有機(jī)低分子電子傳輸物質(zhì)及磷光摻雜劑的混合層的有機(jī)發(fā)光元件。[參考文獻(xiàn)][專利文獻(xiàn)1]pct國際申請日語翻譯no.2004-515895。技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：有機(jī)el元件的開發(fā)在發(fā)光效率、可靠性、成本等方面還有改善的余地。為了實(shí)現(xiàn)使用有機(jī)el元件的顯示器或照明的實(shí)用化，有機(jī)el元件例如被要求具有長使用壽命及在高亮度區(qū)域中呈現(xiàn)高發(fā)光效率。于是，本發(fā)明的一個(gè)方式的目的是提供一種具有長使用壽命的發(fā)光元件。本發(fā)明的一個(gè)方式的其他目的是提供一種在高亮度區(qū)域中呈現(xiàn)高發(fā)光效率的發(fā)光元件。本發(fā)明的一個(gè)方式的其他目的是提供一種通過使用上述發(fā)光元件而具有高可靠性的發(fā)光裝置、電子設(shè)備以及照明裝置。本發(fā)明的一個(gè)方式的發(fā)光元件在一對電極之間包括發(fā)光層，該發(fā)光層包含第一有機(jī)化合物、第二有機(jī)化合物以及磷光化合物。該第一有機(jī)化合物是叔胺并具有包括芴骨架、螺芴骨架或聯(lián)苯骨架的兩個(gè)取代基及包括咔唑骨架的一個(gè)取代基都直接鍵合于氮原子的結(jié)構(gòu)。該第一有機(jī)化合物的分子量為大于或等于500且小于或等于2000。該第二有機(jī)化合物是具有電子傳輸性的化合物。通過使發(fā)光層具有這種結(jié)構(gòu)，發(fā)光元件可以具有長使用壽命。此外，發(fā)光元件能夠在高亮度區(qū)域中呈現(xiàn)高發(fā)光效率。具體而言，本發(fā)明一個(gè)方式是一種在一對電極之間包括發(fā)光層的發(fā)光元件。該發(fā)光層包含第一有機(jī)化合物、第二有機(jī)化合物以及磷光化合物。該第一有機(jī)化合物由通式（g0）表示。該第一有機(jī)化合物的分子量為大于或等于500且小于或等于2000。該第二有機(jī)化合物是具有電子傳輸性的化合物。[化學(xué)式1]在通式（g0）中，ar1及ar2分別獨(dú)立地表示取代或未取代的芴基、取代或未取代的螺芴基或者取代或未取代的聯(lián)苯基，并且ar3表示包括咔唑骨架的取代基。本發(fā)明的其他方式是一種在一對電極之間包括發(fā)光層的發(fā)光元件。該發(fā)光層包含第一有機(jī)化合物、第二有機(jī)化合物以及磷光化合物。該第一有機(jī)化合物由通式（g1）表示。該第一有機(jī)化合物的分子量為大于或等于500且小于或等于2000。該第二有機(jī)化合物是具有電子傳輸性的化合物。[化學(xué)式2]在通式（g1）中，ar1及ar2分別獨(dú)立地表示取代或未取代的芴基、取代或未取代的螺芴基或者取代或未取代的聯(lián)苯基；α表示取代或未取代的亞苯基或者取代或未取代的聯(lián)苯二基；n表示0或1；并且a表示取代或未取代的3-咔唑基。本發(fā)明的其他方式是一種在一對電極之間包括發(fā)光層的發(fā)光元件。該發(fā)光層包含第一有機(jī)化合物、第二有機(jī)化合物以及磷光化合物。該第一有機(jī)化合物由通式（g2）表示。該第一有機(jī)化合物的分子量為大于或等于500且小于或等于2000。該第二有機(jī)化合物是具有電子傳輸性的化合物。[化學(xué)式3]在通式（g2）中，ar1及ar2分別獨(dú)立地表示取代或未取代的芴基、取代或未取代的螺芴基、或者取代或未取代的聯(lián)苯基；r1至r4和r11至r17分別獨(dú)立地表示氫、碳原子數(shù)為1至10的烷基、未取代的苯基或至少具有一個(gè)碳原子數(shù)為1至10的烷基作為取代基的苯基、或者未取代的聯(lián)苯基或至少具有一個(gè)碳原子數(shù)為1至10的烷基作為取代基的聯(lián)苯基；ar4表示碳原子數(shù)為1至10的烷基、未取代的苯基或至少具有一個(gè)碳原子數(shù)為1至10的烷基作為取代基的苯基、未取代的聯(lián)苯基或至少具有一個(gè)碳原子數(shù)為1至10的烷基作為取代基的聯(lián)苯基、或者未取代的三聯(lián)苯基或至少具有一個(gè)碳原子數(shù)為1至10的烷基作為取代基的三聯(lián)苯基。本發(fā)明的其他方式是一種在一對電極之間包括發(fā)光層的發(fā)光元件。該發(fā)光層包含第一有機(jī)化合物、第二有機(jī)化合物以及磷光化合物。該第一有機(jī)化合物由通式（g3）表示。該第一有機(jī)化合物的分子量為大于或等于500且小于或等于2000。該第二有機(jī)化合物是具有電子傳輸性的化合物。[化學(xué)式4]在通式（g3）中，ar1及ar2分別獨(dú)立地表示取代或未取代的芴基、取代或未取代的螺芴基、或者取代或未取代的聯(lián)苯基；r1至r4、r11至r17以及r21至r25分別獨(dú)立地表示氫、碳原子數(shù)為1至10的烷基、未取代的苯基或至少具有一個(gè)碳原子數(shù)為1至10的烷基作為取代基的苯基、或者未取代的聯(lián)苯基或至少具有一個(gè)碳原子數(shù)為1至10的烷基作為取代基的聯(lián)苯基。在上述本發(fā)明的一個(gè)方式中，優(yōu)選的是，ar1及ar2在通式（g0）至（g3）的每一個(gè)中分別獨(dú)立地表示取代或未取代的2-芴基、取代或未取代的螺環(huán)-9,9＇-二芴-2-基、或者聯(lián)苯-4-基。在上述本發(fā)明的一個(gè)方式中，優(yōu)選的是，以與發(fā)光層接觸的方式設(shè)置空穴傳輸層，該空穴傳輸層包含第三有機(jī)化合物，該第三有機(jī)化合物由通式（g0）表示，并且該第三有機(jī)化合物的分子量為大于或等于500且小于或等于2000。[化學(xué)式5]在通式（g0）中，ar1及ar2分別獨(dú)立地表示取代或未取代的芴基、取代或未取代的螺芴基、或者取代或未取代的聯(lián)苯基，并且ar3表示包括咔唑骨架的取代基。在上述本發(fā)明的一個(gè)方式中，優(yōu)選的是，以與發(fā)光層接觸的方式設(shè)置空穴傳輸層，該空穴傳輸層包含第三有機(jī)化合物，該第三有機(jī)化合物由通式（g1）表示，并且該第三有機(jī)化合物的分子量為大于或等于500且小于或等于2000。[化學(xué)式6]在通式（g1）中，ar1及ar2分別獨(dú)立地表示取代或未取代的芴基、取代或未取代的螺芴基、或者取代或未取代的聯(lián)苯基；α表示取代或未取代的亞苯基或者取代或未取代的聯(lián)苯二基；n表示0或1；并且a表示取代或未取代的3-咔唑基。在上述本發(fā)明的一個(gè)方式中，優(yōu)選的是，以與發(fā)光層接觸的方式設(shè)置空穴傳輸層，該空穴傳輸層包含第三有機(jī)化合物，該第三有機(jī)化合物由通式（g2）表示，并且該第三有機(jī)化合物的分子量為大于或等于500且小于或等于2000。[化學(xué)式7]在通式（g2）中，ar1及ar2分別獨(dú)立地表示取代或未取代的芴基、取代或未取代的螺芴基、或者取代或未取代的聯(lián)苯基；r1至r4和r11至r17分別獨(dú)立地表示氫、碳原子數(shù)為1至10的烷基、未取代的苯基或至少具有一個(gè)碳原子數(shù)為1至10的烷基作為取代基的苯基、或者未取代的聯(lián)苯基或至少具有一個(gè)碳原子數(shù)為1至10的烷基作為取代基的聯(lián)苯基；ar4表示碳原子數(shù)為1至10的烷基、未取代的苯基或至少具有一個(gè)碳原子數(shù)為1至10的烷基作為取代基的苯基、未取代的聯(lián)苯基或至少具有一個(gè)碳原子數(shù)為1至10的烷基作為取代基的聯(lián)苯基、或者未取代的三聯(lián)苯基或至少具有一個(gè)碳原子數(shù)為1至10的烷基作為取代基的三聯(lián)苯基。在上述本發(fā)明的一個(gè)方式中，優(yōu)選的是，以與發(fā)光層接觸的方式設(shè)置空穴傳輸層，該空穴傳輸層包含第三有機(jī)化合物，該第三有機(jī)化合物由通式（g3）表示，并且該第三有機(jī)化合物的分子量為大于或等于500且小于或等于2000。[化學(xué)式8]在通式（g3）中，ar1及ar2分別獨(dú)立地表示取代或未取代的芴基、取代或未取代的螺芴基、或者取代或未取代的聯(lián)苯基；r1至r4、r11至r17以及r21至r25分別獨(dú)立地表示氫、碳原子數(shù)為1至10的烷基、未取代的苯基或至少具有一個(gè)碳原子數(shù)為1至10的烷基作為取代基的苯基、或者未取代的聯(lián)苯基或至少具有一個(gè)碳原子數(shù)為1至10的烷基作為取代基的聯(lián)苯基。在上述本發(fā)明的一個(gè)方式中，優(yōu)選的是，第三有機(jī)化合物與第一有機(jī)化合物相同。在上述本發(fā)明的一個(gè)方式中，優(yōu)選的是，第一有機(jī)化合物和第二有機(jī)化合物的組合形成激基復(fù)合物（exciplex）。在上述本發(fā)明的一個(gè)方式中，優(yōu)選的是，具有電子傳輸性的化合物為缺π電子芳香雜環(huán)化合物。作為缺π電子芳香雜環(huán)化合物的例子有包含喹喔啉骨架、二苯并喹喔啉骨架、喹啉骨架、嘧啶骨架、吡嗪骨架、吡啶骨架、二唑骨架或三唑骨架的化合物。本發(fā)明的其他方式是一種在發(fā)光部中包括上述發(fā)光元件的發(fā)光裝置。本發(fā)明的其他方式是一種在顯示部中包括該發(fā)光裝置的電子設(shè)備。本發(fā)明的其他方式是一種在發(fā)光部中包括該發(fā)光裝置的照明裝置。因?yàn)楸景l(fā)明的一個(gè)方式的發(fā)光元件具有長使用壽命，所以可以得到具有高可靠性的發(fā)光裝置。同樣地，通過采用本發(fā)明的一個(gè)方式，可以得到具有高可靠性的電子設(shè)備及照明裝置。此外，由于本發(fā)明的一個(gè)方式的發(fā)光元件在高亮度區(qū)域中呈現(xiàn)高發(fā)光效率，因此可以得到具有高發(fā)光效率的發(fā)光裝置。同樣地，通過采用本發(fā)明的一個(gè)方式，可以得到具有高發(fā)光效率的電子設(shè)備及照明裝置。注意，本說明書中的發(fā)光裝置在其范疇中包括使用發(fā)光元件的圖像顯示裝置。此外，該發(fā)光裝置包括所有如下模塊：連接器諸如各向異性導(dǎo)電薄膜或帶載封裝（tcp）被安裝于發(fā)光裝置的模塊；在tcp的端部設(shè)置有印刷線路板的模塊；以及通過玻璃覆晶封裝（cog）方式在發(fā)光裝置上直接安裝有集成電路（ic）的模塊。再者，還可以包括被用于照明設(shè)備等的發(fā)光裝置。本發(fā)明的一個(gè)方式可以提供一種具有長使用壽命的發(fā)光元件。通過使用該發(fā)光元件，可以提供一種具有高可靠性的發(fā)光裝置、電子設(shè)備以及照明裝置。本發(fā)明的一個(gè)方式還可以提供一種在高亮度區(qū)域中呈現(xiàn)高發(fā)光效率的發(fā)光元件。通過使用該發(fā)光元件，可以提供一種具有高發(fā)光效率的發(fā)光裝置、電子設(shè)備以及照明裝置。附圖說明圖1a至圖1f分別示出本發(fā)明的一個(gè)方式的發(fā)光元件的一個(gè)例子。圖2a示出本發(fā)明的一個(gè)方式的發(fā)光元件的一個(gè)例子，圖2b和圖2c示出本發(fā)明的一個(gè)方式的激基復(fù)合物的概念。圖3a和圖3b示出本發(fā)明的一個(gè)方式的發(fā)光裝置的一個(gè)例子。圖4a和圖4b示出本發(fā)明的一個(gè)方式的發(fā)光裝置的一個(gè)例子。圖5a至圖5e分別示出電子設(shè)備的一個(gè)例子。圖6a和圖6b示出照明裝置的一個(gè)例子。圖7示出實(shí)施例的發(fā)光元件。圖8表示實(shí)施例1的發(fā)光元件的亮度-電流效率特性。圖9表示實(shí)施例1的發(fā)光元件的電壓-亮度特性。圖10表示實(shí)施例1的發(fā)光元件的亮度-外部量子效率特性。圖11a和圖11b表示實(shí)施例1的發(fā)光元件的可靠性測試結(jié)果。圖12表示實(shí)施例2的發(fā)光元件的亮度-電流效率特性。圖13表示實(shí)施例2的發(fā)光元件的電壓-亮度特性。圖14表示實(shí)施例2的發(fā)光元件的亮度-功率效率特性。圖15表示實(shí)施例2的發(fā)光元件的亮度-外部量子效率特性。圖16表示實(shí)施例2的發(fā)光元件的可靠性測試結(jié)果。圖17表示實(shí)施例3的發(fā)光元件的亮度-電流效率特性。圖18表示實(shí)施例3的發(fā)光元件的電壓-亮度特性。圖19表示實(shí)施例3的發(fā)光元件的亮度-功率效率特性。圖20表示實(shí)施例3的發(fā)光元件的亮度-外部量子效率特性。圖21a和圖21b表示n-（1,1＇-聯(lián)苯-4-基）-n-[4-（9-苯基-9h-咔唑-3-基）苯基]-9,9-二甲基-9h-芴-2-胺（簡稱：pcbbif）的1hnmr圖。圖22a和圖22b表示pcbbif的甲苯溶液中的pcbbif的吸收光譜及發(fā)射光譜。圖23a和圖23b表示pcbbif的薄膜的吸收光譜及發(fā)射光譜。圖24a和圖24b表示n-（1,1＇-聯(lián)苯-4-基）-n-[4-（9-苯基-9h-咔唑-3-基）苯基]-9,9＇-螺二（spirobi）[9h-芴]-2-胺（簡稱：pcbbisf）的1hnmr圖。圖25a和圖25b表示pcbbisf的甲苯溶液中的pcbbisf的吸收光譜及發(fā)射光譜。圖26a和圖26b表示pcbbisf的薄膜的吸收光譜及發(fā)射光譜。圖27表示實(shí)施例4的發(fā)光元件的電壓-電流特性。圖28表示實(shí)施例4的發(fā)光元件的亮度-外部量子效率特性。圖29表示實(shí)施例4的發(fā)光元件的發(fā)射光譜。圖30表示實(shí)施例4的發(fā)光元件的可靠性測試結(jié)果。圖31表示實(shí)施例5的發(fā)光元件的亮度-電流效率特性。圖32表示實(shí)施例5的發(fā)光元件的電壓-亮度特性。圖33表示實(shí)施例5的發(fā)光元件的亮度-外部量子效率特性。圖34表示實(shí)施例5的發(fā)光元件的可靠性測試結(jié)果。圖35表示實(shí)施例6的發(fā)光元件的亮度-電流效率特性。圖36表示實(shí)施例6的發(fā)光元件的電壓-亮度特性。圖37表示實(shí)施例6的發(fā)光元件的亮度-外部量子效率特性。圖38表示實(shí)施例6的發(fā)光元件的可靠性測試結(jié)果。圖39表示實(shí)施例7的發(fā)光元件的亮度-電流效率特性。圖40表示實(shí)施例7的發(fā)光元件的電壓-亮度特性。圖41表示實(shí)施例7的發(fā)光元件的亮度-外部量子效率特性。圖42表示實(shí)施例7發(fā)光元件的可靠性測試結(jié)果。具體實(shí)施方式將參照附圖對實(shí)施方式進(jìn)行詳細(xì)說明。注意，本發(fā)明不局限于下面的描述，并且本領(lǐng)域的技術(shù)人員將會容易地理解一個(gè)事實(shí)，就是可以在不脫離本發(fā)明的宗旨及其范圍的情況下對本發(fā)明的方式和詳細(xì)內(nèi)容進(jìn)行各種變化和改進(jìn)。因此，本發(fā)明不應(yīng)該被看作僅限定于下面實(shí)施方式中的描述。注意，在后面說明的發(fā)明結(jié)構(gòu)中，在不同的附圖之間共同使用同一附圖標(biāo)記來表示同一部分或具有同樣功能的部分，而省略其重復(fù)說明。實(shí)施方式1在本實(shí)施方式中，使用圖1a至圖1f說明本發(fā)明的一個(gè)方式的發(fā)光元件。在本實(shí)施方式中作為例子舉出的發(fā)光元件都包括一對電極以及在該一對電極之間的包含發(fā)光有機(jī)化合物的層（el層）。圖1a所示的發(fā)光元件在第一電極201與第二電極205之間包括el層203。在本實(shí)施方式中，第一電極201用作陽極，第二電極205用作陰極。當(dāng)比發(fā)光元件的閾值電壓高的電壓被施加到第一電極201與第二電極205之間時(shí)，空穴從第一電極201一側(cè)注入到el層203，并且電子從第二電極205一側(cè)注入到el層203。被注入的電子和空穴在el層203中復(fù)合，而包含在el層203中的發(fā)光物質(zhì)發(fā)光。el層203至少包括發(fā)光層303。在本實(shí)施方式的發(fā)光元件中，發(fā)光層303包含第一有機(jī)化合物、第二有機(jī)化合物以及磷光化合物。在本實(shí)施方式中，作為客體材料的發(fā)光物質(zhì)，使用磷光化合物。第一有機(jī)化合物和第二有機(jī)化合物中的一個(gè)有機(jī)化合物被稱為分散有該客體材料的主體材料，該有機(jī)化合物的含量在發(fā)光層中高于另一個(gè)有機(jī)化合物。在本實(shí)施方式的發(fā)光元件的發(fā)光層中，主體材料的含量高于客體材料。當(dāng)將客體材料分散在主體材料中時(shí)，可以抑制發(fā)光層的晶化。此外，能夠抑制因客體材料的濃度高而導(dǎo)致的濃度猝滅，由此發(fā)光元件能夠具有更高的發(fā)光效率。第一有機(jī)化合物是叔胺并具有包括芴骨架、螺芴骨架或聯(lián)苯骨架的兩個(gè)取代基以及包括咔唑骨架的一個(gè)取代基都直接鍵合于氮原子的結(jié)構(gòu)。該第一有機(jī)化合物的分子量為大于或等于500且小于或等于2000。該第二有機(jī)化合物是具有電子傳輸性的化合物。在該叔胺中，作為直接鍵合于氮原子的取代基導(dǎo)入聯(lián)苯基、芴基或螺芴基來代替具有簡單的結(jié)構(gòu)的苯基或烷基苯基。因此，該叔胺在化學(xué)上穩(wěn)定，由此具有長使用壽命的穩(wěn)定的發(fā)光元件容易得到高再現(xiàn)性。該叔胺還包括咔唑骨架，所以具有較高的熱穩(wěn)定性且使可靠性得到提高。該叔胺還包括芴胺骨架、螺芴胺骨架或聯(lián)苯胺骨架，因此具有高空穴傳輸性和高電子阻擋性。另外，與包括萘骨架的胺等相比，該叔胺具有高三重激發(fā)態(tài)能，所以具有良好的激子阻擋性。于是，即使在高亮度區(qū)域中也能夠防止電子的泄漏或激子的擴(kuò)散，因此，發(fā)光元件可以實(shí)現(xiàn)高發(fā)光效率。下面，將對可用作包含在發(fā)光層303中的第一有機(jī)化合物、第二有機(jī)化合物和磷光化合物的材料進(jìn)行詳細(xì)的說明。<第一有機(jī)化合物>第一有機(jī)化合物由通式（g0）表示，第一有機(jī)化合物的分子量為大于或等于500且小于或等于2000。[化學(xué)式9]在通式（g0）中，ar1及ar2分別獨(dú)立地表示取代或未取代的芴基、取代或未取代的螺芴基、或者取代或未取代的聯(lián)苯基，并且ar3表示包括咔唑骨架的取代基。在通式（g0）中芴基、螺芴基或聯(lián)苯基具有取代基的情況下，作為該取代基的例子有碳原子數(shù)為1至10的烷基、未取代的苯基或至少具有一個(gè)碳原子數(shù)為1至10的烷基作為取代基的苯基、未取代的聯(lián)苯基或至少具有一個(gè)碳原子數(shù)為1至10的烷基作為取代基的聯(lián)苯基以及未取代的三聯(lián)苯基或至少具有一個(gè)碳原子數(shù)為1至10的烷基作為取代基的三聯(lián)苯基。由通式（g0）表示且具有這些取代基中的任一的化合物不容易具有比不具有該取代基的化合物低的空穴傳輸性、電子阻擋性和激子阻擋性（或可以具有與不具有該取代基的化合物一樣高的空穴傳輸性、電子阻擋性和激子阻擋性）。作為ar3的例子有取代或未取代的（9h-咔唑-9-基）苯基、取代或未取代的（9h-咔唑-9-基）聯(lián)苯基、取代或未取代的（9h-咔唑-9-基）三聯(lián)苯基、取代或未取代的（9-芳基-9h-咔唑-3-基）苯基、取代或未取代的（9-芳基-9h-咔唑-3-基）聯(lián)苯基、取代或未取代的（9-芳基-9h-咔唑-3-基）三聯(lián)苯基、取代或未取代的9-芳基-9h-咔唑-3-基等。作為芳基的具體例子有未取代的苯基或至少具有一個(gè)碳原子數(shù)為1至10的烷基作為取代基的苯基、未取代的聯(lián)苯基或至少具有一個(gè)碳原子數(shù)為1至10的烷基作為取代基的聯(lián)苯基、未取代的三聯(lián)苯基或至少具有一個(gè)碳原子數(shù)為1至10的烷基作為取代基的三聯(lián)苯基等。注意，在ar3具有取代基的情況下，作為該取代基的例子有碳原子數(shù)為1至10的烷基、未取代的苯基或至少具有一個(gè)碳原子數(shù)為1至10的烷基作為取代基的苯基、未取代的聯(lián)苯基或至少具有一個(gè)碳原子數(shù)為1至10的烷基作為取代基的聯(lián)苯基、未取代的三聯(lián)苯基或至少具有一個(gè)碳原子數(shù)為1至10的烷基作為取代基的三聯(lián)苯基等。這些取代基都可以抑制由通式（g0）表示的化合物的高空穴傳輸性、電子阻擋性和激子阻擋性的損失。優(yōu)選的是，包含在發(fā)光層303中的第一有機(jī)化合物由下述通式（g1）表示。[化學(xué)式10]在通式（g1）中，ar1及ar2分別獨(dú)立地表示取代或未取代的芴基、取代或未取代的螺芴基、或者取代或未取代的聯(lián)苯基；α表示取代或未取代的亞苯基或者取代或未取代的聯(lián)苯二基；n表示0或1；并且a表示取代或未取代的3-咔唑基。通式（g1）中的α的具體結(jié)構(gòu)的例子由結(jié)構(gòu)式（1-1）至（1-9）表示。[化學(xué)式11]更優(yōu)選的是，包含在發(fā)光層303中的第一有機(jī)化合物由下述通式（g2）表示。[化學(xué)式12]在通式（g2）中，ar1及ar2分別獨(dú)立地表示取代或未取代的芴基、取代或未取代的螺芴基、或者取代或未取代的聯(lián)苯基；r1至r4和r11至r17分別獨(dú)立地表示氫、碳原子數(shù)為1至10的烷基、未取代的苯基或至少具有一個(gè)碳原子數(shù)為1至10的烷基作為取代基的苯基、或者未取代的聯(lián)苯基或至少具有一個(gè)碳原子數(shù)為1至10的烷基作為取代基的聯(lián)苯基；ar4表示碳原子數(shù)為1至10的烷基、未取代的苯基或至少具有一個(gè)碳原子數(shù)為1至10的烷基作為取代基的苯基、未取代的聯(lián)苯基或至少具有一個(gè)碳原子數(shù)為1至10的烷基作為取代基的聯(lián)苯基、或者未取代的三聯(lián)苯基或至少具有一個(gè)碳原子數(shù)為1至10的烷基作為取代基的三聯(lián)苯基。特別優(yōu)選的是，包含在發(fā)光層303中的第一有機(jī)化合物由下述通式（g3）表示。[化學(xué)式13]在通式（g3）中，ar1及ar2分別獨(dú)立地表示取代或未取代的芴基、取代或未取代的螺芴基、或者取代或未取代的聯(lián)苯基；r1至r4、r11至r17以及r21至r25分別獨(dú)立地表示氫、碳原子數(shù)為1至10的烷基、未取代的苯基或至少具有一個(gè)碳原子數(shù)為1至10的烷基作為取代基的苯基、或者未取代的聯(lián)苯基或至少具有一個(gè)碳原子數(shù)為1至10的烷基作為取代基的聯(lián)苯基。優(yōu)選的是，ar1及ar2分別獨(dú)立地表示取代或未取代的2-芴基、取代或未取代的螺環(huán)-9,9＇-二芴-2-基、或者聯(lián)苯-4-基。由于包括這些骨架中的任一個(gè)的叔胺具有高空穴傳輸性和高電子阻擋性，并且因?yàn)槠淙丶ぐl(fā)態(tài)能高于包括萘骨架的胺等而具有良好的激子阻擋性，所以是優(yōu)選的。在聯(lián)苯基、芴基和螺芴基中，具有這些取代位置的取代基因?yàn)槿菀缀铣汕伊畠r(jià)，所以是優(yōu)選的。通式（g2）及（g3）中的r1至r4、r11至r17以及r21至r25的具體結(jié)構(gòu)的例子由結(jié)構(gòu)式（2-1）至（2-17）表示。在上述各通式中芴基、螺芴基或聯(lián)苯基具有取代基的情況下，作為該取代基的例子有碳原子數(shù)為1至10的烷基、未取代的苯基或至少具有一個(gè)碳原子數(shù)為1至10的烷基作為取代基的苯基以及未取代的聯(lián)苯基或至少具有一個(gè)碳原子數(shù)為1至10的烷基作為取代基的聯(lián)苯基。作為這些取代基的具體結(jié)構(gòu)的例子，可以舉出結(jié)構(gòu)式（2-2）至（2-17）所示的取代基。作為通式（g2）中的ar4的具體結(jié)構(gòu)的例子有結(jié)構(gòu)式（2-2）至（2-17）所示的取代基。[化學(xué)式14]作為由通式（g0）表示的有機(jī)化合物的具體例子有由結(jié)構(gòu)式（101）至（142）表示的有機(jī)化合物。注意，本發(fā)明不局限于這些例子。[化學(xué)式15][化學(xué)式16][化學(xué)式17][化學(xué)式18][化學(xué)式19][化學(xué)式20][化學(xué)式21][化學(xué)式22][化學(xué)式23]<第二有機(jī)化合物>第二有機(jī)化合物是具有電子傳輸性的化合物。作為具有電子傳輸性的化合物，可以使用缺π電子芳香雜環(huán)化合物諸如含氮芳香雜環(huán)化合物、具有喹啉骨架或苯并喹啉骨架的金屬配合物、具有噁唑基或噻唑基配體的金屬配合物等。具體而言，有如下例子：金屬配合物，諸如雙（10-羥基苯并[h]喹啉）鈹（ⅱ）（簡稱：bebq2）、雙（2-甲基-8-羥基喹啉）（4-苯基苯酚）鋁（ⅲ）（簡稱：balq）、雙（8-羥基喹啉）鋅（ⅱ）（簡稱：znq）、雙[2-（2-苯并噻唑基）苯酚]鋅（ⅱ）（簡稱：zn（box）2）以及雙[2-（2-苯并噻唑基）苯酚]（ⅱ）鋅（簡稱：zn（btz）2）；具有多唑骨架（polyazoleskeleton）的雜環(huán)化合物，諸如2-（4-聯(lián)苯基）-5-（4-叔丁基苯基）-1,3,4-噁二唑（簡稱：pbd）、3-（4-聯(lián)苯基）-4-苯基-5-（4-叔丁基苯基）-1,2,4-三唑（簡稱：taz）、1,3-雙[5-（對叔丁基苯基）-1,3,4-噁二唑-2-基]苯（簡稱：oxd-7）、9-[4-（5-苯基-1,3,4-噁二唑-2-基）苯基]-9h-咔唑（簡稱：co11）、2,2＇,2＇＇-（1,3,5-苯三基）三（1-苯基-1h-苯并咪唑）（簡稱：tpbi）以及2-[3-（二苯并噻吩-4-基）苯基]-1-苯基-1h-苯并咪唑（簡稱：mdbtbim-ii）；具有喹喔啉骨架或二苯并喹喔啉骨架的雜環(huán)化合物，諸如2-[3-（二苯并噻吩-4-基）苯基]二苯并[f,h]喹喔啉（簡稱：2mdbtpdbq-ii）、7-[3-（二苯并噻吩-4-基）苯基]二苯并[f,h]喹喔啉（簡稱：7mdbtpdbq-ii）、6-[3-（二苯并噻吩-4-基）苯基]二苯并[f,h]喹喔啉（簡稱：6mdbtpdbq-ii）、2-[3＇-（二苯并噻吩-4-基）聯(lián)苯-3-基]二苯并[f,h]喹喔啉（簡稱：2mdbtbpdbq-ii）、2-[3＇-（9h-咔唑-9-基）聯(lián)苯-3-基]二苯并[f，h]喹喔啉（簡稱：2mczbpdbq）；具有二嗪骨架（嘧啶骨架或吡嗪骨架）的雜環(huán)化合物，諸如4,6-雙[3-（菲-9-基）苯基]嘧啶（簡稱：4,6mpnp2pm）、4，6-雙[3-（9h-咔唑-9-基）苯基]嘧啶（簡稱：4,6mczp2pm）、4,6-雙[3-（4-二苯并噻吩基）苯基]嘧啶（簡稱：4,6mdbtp2pm-ii）；以及具有吡啶骨架的雜環(huán)化合物，諸如3,5-雙[3-（9h-咔唑-9-基）苯基]吡啶（簡稱：35dczppy）、1,3,5-三[3-（3-吡啶）苯基]苯（簡稱：tmpypb）以及3,3＇,5,5＇-四[（間吡啶）-苯-3-基]聯(lián)苯（簡稱：bp4mpy）。在上述物質(zhì)中，具有喹喔啉骨架或二苯并喹喔啉骨架的雜環(huán)化合物、具有二嗪骨架的雜環(huán)化合物及具有吡啶骨架的雜環(huán)化合物因?yàn)榫哂懈呖煽啃?，所以是?yōu)選的。<磷光化合物>在此舉出可用于發(fā)光層303的磷光化合物的例子。作為在440nm至520nm具有發(fā)光峰值的磷光化合物有如下例子：具有4h-三唑骨架的有機(jī)金屬銥配合物，諸如三{2-[5-（2-甲基苯基）-4-（2,6-二甲基苯基）-4h-1,2,4-三唑-3-基-κn2]苯基-κc}銥（ⅲ）（簡稱：[ir（mpptz-dmp）3]）、三（5-甲基-3,4-二苯基-4h-1,2,4-三唑（triazolato））銥（iii）（簡稱：[ir（mptz）3]）以及三[4-（3-聯(lián)苯）-5-異丙基-3-苯基-4h-1,2,4-三唑（triazolato）]銥（ⅲ）（簡稱：[ir（iprptz-3b）3]）；具有1h-三唑骨架的有機(jī)金屬銥配合物，諸如三[3-甲基-1-（2-甲基苯基）-5-苯基-1h-1,2,4-三唑（triazolato）]銥（ⅲ）（簡稱：[ir（mptz1-mp）3]）以及三（1-甲基-5-苯基-3-丙基-1h-1,2,4-三唑）銥（ⅲ）（簡稱：[ir（prptz1-me）3]）；具有咪唑骨架的有機(jī)金屬銥配合物，諸如fac-三[1-（2,6-二異丙基苯基）-2-苯基-1h-咪唑]銥（ⅲ）（簡稱：[ir（iprpmi）3]）以及三[3-（2,6-二甲基苯基）-7-甲基咪唑并[1,2-f]菲啶根（phenanthridinato）]銥（ⅲ）（簡稱：[ir（dmpimpt-me）3]）；以及具有吸電子基的苯基吡啶衍生物為配體的有機(jī)金屬銥配合物，諸如雙[2-（4＇,6＇-二氟苯基）吡啶根-n,c2]銥（ⅲ）四（1-吡唑基）硼酸鹽（簡稱：fir6）、雙[2-（4＇,6＇-二氟苯基）吡啶根-n,c2]銥（ⅲ）吡啶甲酸酯（簡稱：firpic）、雙{2-[3＇,5＇-雙（三氟甲基）苯基]吡啶根-n,c2}銥（ⅲ）吡啶甲酸酯（簡稱：[ir（cf3ppy）2（pic）]）、雙[2-（4＇,6＇-二氟苯基）吡啶根-n,c2]銥（ⅲ）乙酰丙酮（簡稱：fir(acac)）。在上述物質(zhì)中，具有4h-三唑骨架的有機(jī)金屬銥配合物因?yàn)榫哂懈呖煽啃约案甙l(fā)光效率，所以是特別優(yōu)選的。作為在520nm至600nm具有發(fā)光峰值的磷光化合物有如下例子：具有嘧啶骨架的有機(jī)金屬銥配合物，諸如三（4-甲基-6-苯基嘧啶根）銥（ⅲ）（簡稱：[ir（mppm）3]）、三（4-叔丁基-6-苯基嘧啶根）銥（ⅲ）（簡稱：[ir（tbuppm）3]）、（乙酰丙酮根）雙（6-甲基-4-苯基嘧啶根）銥（ⅲ）（簡稱：[ir（mppm）2（acac）]）、（乙酰丙酮根）雙（6-叔丁基-4-苯基嘧啶根）銥（ⅲ）（簡稱：[ir（tbuppm）2（acac）]）、（乙酰丙酮根）雙[4-（2-降冰片基）-6-苯基嘧啶基]銥（ⅲ）（內(nèi)型、外型混合物）（簡稱：[ir（nbppm）2（acac）]）、（乙酰丙酮根）雙[5-甲基-6-（2-甲基苯基）-4-苯基嘧啶根]銥（ⅲ）（簡稱：[ir（mpmppm）2（acac）]）以及（乙酰丙酮根）雙（4,6-二苯基嘧啶根）銥（ⅲ）（簡稱：[ir（dppm）2（acac）]）；具有吡嗪骨架的有機(jī)金屬銥配合物，諸如（乙酰丙酮根）雙（3,5-二甲基-2-苯基吡嗪根）銥（ⅲ）（簡稱：[ir（mppr-me）2（acac）]）以及（乙酰丙酮根）雙（5-異丙基-3-甲基-2-苯基吡嗪根）銥（ⅲ）（簡稱：[ir（mppr-ipr）2（acac）]）；具有吡啶骨架的有機(jī)金屬銥配合物，諸如三（2-苯基吡啶根-n,c2）銥（ⅲ）（簡稱：[ir（ppy）3]）、雙（2-苯基吡啶根-n,c2）銥（ⅲ）乙酰丙酮（簡稱：[ir（ppy）2（acac）]）、雙（苯并[h]喹啉）銥（ⅲ）乙酰丙酮（簡稱：[ir（bzq）2（acac）]）、三（苯并[h]喹啉）銥（ⅲ）（簡稱：[ir（bzq）3]）、三（2-苯基喹啉-n,c2]銥（ⅲ）（簡稱：[ir（pq）3]）以及雙（2-苯基喹啉-n,c2＇）銥（ⅲ）乙酰丙酮（簡稱：[ir（pq）2（acac）]）；以及稀土金屬配合物，諸如三（乙酰丙酮根）（單菲咯啉）鋱（ⅲ）（簡稱：[tb（acac）3（phen）]）。在上述物質(zhì)中，具有嘧啶骨架的有機(jī)金屬銥配合物因?yàn)榫哂酗@著高的可靠性及發(fā)光效率，所以是特別優(yōu)選的。作為在600nm至700nm具有發(fā)光峰值的磷光化合物有如下例子：具有嘧啶骨架的有機(jī)金屬銥配合物，諸如（二異丁酰甲橋）雙[4,6-雙（3-甲基苯基）嘧啶根]銥（ⅲ）（簡稱：[ir（5mdppm）2（dibm）]）、雙[4,6-雙（3-甲基苯基）嘧啶根]（二新戊?；淄楦┿灒á＃ê喎Q：[ir（5mdppm）2（dpm）]）以及雙[4,6-二（萘-1-基）嘧啶根]（二新戊酰基甲烷根）銥（ⅲ）（簡稱：[ir（d1npm）2（dpm）]）；具有吡嗪骨架的有機(jī)金屬銥配合物，諸如（乙酰丙酮根）雙（2,3,5-三苯基吡嗪根）銥（ⅲ）（簡稱：[ir（tppr）2（acac）]）、雙（2,3,5-三苯基吡嗪根）（二新戊?；淄楦┿灒á＃ê喎Q：[ir（tppr）2（dpm）]）以及（乙酰丙酮根）雙[2,3-雙（4-氟苯基）喹喔啉合]銥（ⅲ）（簡稱：[ir（fdpq）2（acac）]）；具有吡啶骨架的有機(jī)金屬銥配合物，諸如三（1-苯基異喹啉-n,c2）銥（ⅲ）（簡稱：[ir（piq）3]）以及雙（1-苯基異喹啉-n,c2）銥（ⅲ）乙酰丙酮（簡稱：[ir（piq）2（acac）]）；鉑配合物，諸如2,3,7,8,12,13,17,18-八乙基-21h,23h-卟啉鉑（ⅱ）（簡稱：ptoep）；以及稀土金屬配合物，諸如三（1,3-二苯基-1,3-丙二酮（propanedionato））（單菲咯啉）銪（ⅲ）（簡稱：[eu（dbm）3（phen）]）以及三[1-（2-噻吩甲酰基）-3,3,3-三氟丙酮]（單菲咯啉）銪（ⅲ）（簡稱：[eu（tta）3（phen）]）。在物質(zhì)中，具有嘧啶骨架的有機(jī)金屬銥配合物因?yàn)榫哂酗@著高的可靠性及發(fā)光效率，所以是特別優(yōu)選的。此外，具有吡嗪骨架的有機(jī)金屬銥配合物可以提供色度良好的紅色發(fā)光。通過使用上述包含第一有機(jī)化合物、第二有機(jī)化合物和磷光化合物的發(fā)光層，可以制造具有長使用壽命的發(fā)光元件。此外，通過使用該發(fā)光層，可以制造在高亮度區(qū)域中呈現(xiàn)高發(fā)光效率的發(fā)光元件。另外，通過設(shè)置多個(gè)發(fā)光層并使該各發(fā)光層的發(fā)光顏色互不相同，可以從發(fā)光元件整體得到所希望的顏色的發(fā)光。例如，在具有兩個(gè)發(fā)光層的發(fā)光元件中，第一和第二發(fā)光層的發(fā)光顏色是互補(bǔ)的，因此可以使發(fā)光元件作為整體發(fā)射白色光。注意，“互補(bǔ)”這用語是指在顏色混合時(shí)得到無彩色的顏色關(guān)系。即，通過將從發(fā)光顏色為補(bǔ)色的物質(zhì)發(fā)射的光混合，可以得到白色發(fā)光。此外，這同樣適用于具有三個(gè)以上的發(fā)光層的發(fā)光元件。注意，在本發(fā)明的一個(gè)方式的包括多個(gè)發(fā)光層的發(fā)光元件中，至少一個(gè)發(fā)光層具有上述結(jié)構(gòu)（包含第一有機(jī)化合物、第二有機(jī)化合物和磷光化合物），并且所有發(fā)光層可以具有上述結(jié)構(gòu)。除了發(fā)光層以外，el層203還可以包括一個(gè)以上的包含空穴注入性高的物質(zhì)、空穴傳輸性高的物質(zhì)、空穴阻擋材料、電子傳輸性高的物質(zhì)、電子注入性高的物質(zhì)和雙極性的物質(zhì)（電子傳輸性及空穴傳輸性高的物質(zhì)）等中的任一個(gè)的層。已知的物質(zhì)可以用于el層203。可以使用低分子化合物和高分子化合物中的任一種，還可以使用無機(jī)化合物。圖1b所示的發(fā)光元件在第一電極201和第二電極205之間包括el層203，并且在該el層203中，從第一電極201一側(cè)依次層疊有空穴注入層301、空穴傳輸層302、發(fā)光層303、電子傳輸層304及電子注入層305。圖1c所示的發(fā)光元件在第一電極201和第二電極205之間包括el層203，并在el層203和第二電極205之間還包括中間層207。圖1d示出中間層207的結(jié)構(gòu)的具體例子。中間層207至少包括電荷產(chǎn)生區(qū)域308。除了電荷產(chǎn)生區(qū)域308之外，中間層207還可以包括電子中繼層307和電子注入緩沖層306。在圖1d中，該發(fā)光元件包括第一電極201上的el層203、el層203上的中間層207以及中間層207上的第二電極205。此外，作為圖1d中的中間層207，從el層203一側(cè)依次設(shè)置有電子注入緩沖層306、電子中繼層307及電荷產(chǎn)生區(qū)域308。當(dāng)高于發(fā)光元件的閾值電壓的電壓被施加到第一電極201和第二電極205之間時(shí)，在電荷產(chǎn)生區(qū)域308中產(chǎn)生空穴和電子，并且空穴移動到第二電極205中，而電子移動到電子中繼層307中。電子中繼層307具有高電子傳輸性，并立即將在電荷產(chǎn)生區(qū)域308中產(chǎn)生的電子傳送到電子注入緩沖層306。電子注入緩沖層306降低電子注入到el層203的勢壘，并提高電子注入到el層203的效率。如此，在電荷產(chǎn)生區(qū)域308中產(chǎn)生的電子經(jīng)過電子中繼層307和電子注入緩沖層306注入到el層203的lumo（lowestunoccupiedmolecularorbital：最低未占有分子軌道）能級。此外，電子中繼層307可以防止包含在電荷產(chǎn)生區(qū)域308的物質(zhì)和包含在電子注入緩沖層306的物質(zhì)在界面處起反應(yīng)。因此，能夠防止損壞電荷產(chǎn)生區(qū)域308與電子注入緩沖層306的功能等的相互作用。如圖1e和圖1f中的發(fā)光元件所示，可以在第一電極201與第二電極205之間層疊有多個(gè)el層。在此情況下，中間層207優(yōu)選設(shè)置在所層疊的el層之間。例如，圖1e所示的發(fā)光元件在第一el層203a和第二el層203b之間包括中間層207。圖1f所示的發(fā)光元件包括n個(gè)el層（n是2以上的自然數(shù)）以及中間層207，該中間層207位于第mel層203（m）與第（m＋1）el層203（m＋1）之間。注意，在包括多個(gè)el層的本發(fā)明的一個(gè)方式的發(fā)光元件中，上述結(jié)構(gòu)（包含第一有機(jī)化合物、第二有機(jī)化合物和磷光化合物）應(yīng)用于至少一個(gè)el層，而可以應(yīng)用于所有el層。對設(shè)置在el層203（m）和el層203（m＋1）之間的中間層207中的電子和空穴的舉動進(jìn)行說明。當(dāng)高于發(fā)光元件的閾值電壓的電壓被施加到第一電極201和第二電極205之間時(shí)，在中間層207中產(chǎn)生空穴和電子，并且空穴移動到設(shè)置在第二電極205一側(cè)的el層203（m＋1），而電子移動到設(shè)置在第一電極201一側(cè)的el層203（m）。注入到el層203（m＋1）中的空穴與從第二電極205一側(cè)注入的電子復(fù)合，由此包含在該el層203（m＋1）中的發(fā)光物質(zhì)發(fā)光。另外，注入到el層203（m）中的電子與從第一電極201一側(cè)注入的空穴復(fù)合，由此包含在該el層203（m）中的發(fā)光物質(zhì)發(fā)光。因此，在中間層207中產(chǎn)生的空穴和電子造成不同的el層中的發(fā)光。注意，當(dāng)可以在其間形成有與中間層相同的結(jié)構(gòu)時(shí)，el層可以相互接觸地設(shè)置。例如，當(dāng)電荷產(chǎn)生區(qū)域形成于el層的一個(gè)表面上時(shí)，另一個(gè)el層可以與該表面接觸地設(shè)置。另外，通過使el層的發(fā)光顏色互不相同，可以從發(fā)光元件整體得到所希望的顏色的發(fā)光。例如，在具有兩個(gè)el層的發(fā)光元件中，第一和第二el層的發(fā)光顏色是互補(bǔ)的，因此可以使發(fā)光元件作為整體發(fā)射白色光。這同樣適用于具有三個(gè)以上的el層的發(fā)光元件?？梢赃m當(dāng)?shù)亟M合圖1b至圖1e。例如，在圖1f中，中間層207可以設(shè)置在第二電極205與el層203（n）之間。下面舉出可以用于各層的材料的例子。注意，各層不局限于單層，而可以為兩層以上的疊層。<陽極>用作陽極的電極（本實(shí)施方式中的第一電極201）可以使用導(dǎo)電性金屬、導(dǎo)電性合金、導(dǎo)電性化合物等中的一種或多種形成。尤其是，優(yōu)選使用功函數(shù)大（4.0ev以上）的材料。其例子包括：銦錫氧化物（ito）、含有硅或氧化硅的銦錫氧化物、銦鋅氧化物、含有氧化鎢及氧化鋅的氧化銦、石墨烯、金、鉑、鎳、鎢、鉻、鉬、鐵、鈷、銅、鈀、以及金屬材料的氮化物（例如，氮化鈦）。當(dāng)陽極與電荷產(chǎn)生區(qū)域接觸時(shí)，與其功函數(shù)的大小無關(guān)地可以使用各種導(dǎo)電材料中的任一個(gè)；例如，可以使用鋁、銀或包含鋁的合金等。<陰極>用作陰極的電極（本實(shí)施方式中的第二電極205）可以使用導(dǎo)電性金屬、導(dǎo)電性合金、導(dǎo)電性化合物等中的一種或多種形成。尤其是，優(yōu)選使用功函數(shù)?。?.8ev以下）的材料。其例子包括：鋁、銀、屬于元素周期表的第1族或第2族的元素（例如，堿金屬諸如鋰或銫、堿土金屬諸如鈣或鍶、或者鎂）、包含這些元素的合金（例如，mg-ag或al-li）、稀土金屬諸如銪或鐿、以及包含這些稀土金屬的合金。注意，在陰極與電荷產(chǎn)生區(qū)域接觸的情況下，與其功函數(shù)的大小無關(guān)地可以使用各種導(dǎo)電材料中的任一個(gè)。例如，可以使用ito、硅或包含氧化硅的銦錫氧化物。發(fā)光元件可以具有陽極和陰極中的一個(gè)通過使用使可見光透過的導(dǎo)電膜形成而另一個(gè)通過使用反射可見光的導(dǎo)電膜形成的結(jié)構(gòu)、或陽極和陰極的雙方都通過使可見光透過的導(dǎo)電膜形成的結(jié)構(gòu)。使可見光透過的導(dǎo)電膜例如可以使用氧化銦、ito、銦鋅氧化物、氧化鋅或添加有鎵的氧化鋅而形成。另外，可以通過將金屬材料諸如金、鉑、鎳、鎢、鉻、鉬、鐵、鈷、銅、鈀或鈦、或者這些金屬材料中的任一個(gè)的氮化物（例如,氮化鈦）的膜形成得薄以使其具有透光性。再者，可以使用石墨稀等。反射可見光的導(dǎo)電膜例如可以使用金屬材料諸如鋁、金、鉑、銀、鎳、鎢、鉻、鉬、鐵、鈷、銅或鈀；含有鋁的合金（鋁合金）諸如鋁和鈦的合金、鋁和鎳的合金或鋁和釹的合金；或者含有銀的合金諸如銀和銅的合金來形成。銀和銅的合金因?yàn)榫哂懈吣蜔嵝裕允莾?yōu)選的。此外，鑭、釹或鍺可以添加到上述金屬材料或合金中。各個(gè)電極可以分別通過真空蒸鍍法或?yàn)R射法形成。另外，當(dāng)使用銀膏等時(shí)，可以使用涂敷法或噴墨法。<空穴注入層301>空穴注入層301包含具有高空穴注入性的物質(zhì)。作為具有高空穴注入性的物質(zhì)的例子有金屬氧化物諸如鉬氧化物、鈦氧化物、釩氧化物、錸氧化物、釕氧化物、鉻氧化物、鋯氧化物、鉿氧化物、鉭氧化物、銀氧化物、鎢氧化物以及錳氧化物。還可以使用酞菁類化合物諸如酞菁（簡稱：h2pc）或酞菁銅（ⅱ）（簡稱：cupc）。此外，可以使用作為低分子有機(jī)化合物的芳香胺化合物，諸如4,4＇,4＇＇-三（n,n-二苯基氨基）三苯胺（簡稱：tdata）、4,4＇,4＇＇-三[n-（3-甲基苯基）-n-苯基氨基]三苯胺（簡稱：mtdata）、4,4＇-雙[n-（4-二苯基氨基苯基）-n-苯基氨基]聯(lián)苯（簡稱：dpab）、4,4＇-雙（n-{4-[n＇-（3-甲基苯基）-n＇-苯基氨基]苯基}-n-苯基氨基）聯(lián)苯（簡稱：dntpd）、1,3,5-三[n-（4-二苯基氨基苯基）-n-苯基氨基]苯（簡稱：dpa3b）、3-[n-（9-苯基咔唑-3-基）-n-苯基氨基]-9-苯基咔唑（簡稱：pczpca1）、3,6-雙[n-（9-苯基咔唑-3-基）-n-苯基氨基]-9-苯基咔唑（簡稱：pczpca2）或3-[n-（1-萘基）-n-（9-苯基咔唑-3-基）氨基]-9-苯基咔唑（簡稱：pczpcn1）。另外，可以使用高分子化合物，諸如聚（n-乙烯基咔唑）（簡稱：pvk）、聚（4-乙烯基三苯胺）（簡稱：pvtpa）、聚[n-（4-{n＇-[4-（4-二苯基氨基）苯基]苯基-n＇-苯基氨基}苯基）甲基丙烯酰胺]（簡稱：ptpdma）或聚[n,n＇-雙（4-丁基苯基）-n,n＇-雙（苯基）聯(lián)苯胺]（簡稱：poly-tpd）、或者添加有酸的高分子化合物，諸如聚（3,4-乙烯二氧噻吩）/聚（苯乙烯磺酸）（pedot/pss）或聚苯胺/聚（苯乙烯磺酸）（pani/pss）?？昭ㄗ⑷雽?01可以用作電荷產(chǎn)生區(qū)域。當(dāng)接觸于陽極的空穴注入層301用作電荷產(chǎn)生區(qū)域時(shí)，與其功函數(shù)無關(guān)地可以將各種導(dǎo)電材料中的任一用于該陽極。下面，將說明包含在電荷產(chǎn)生區(qū)域中的材料。<空穴傳輸層302>空穴傳輸層302具有高包含空穴傳輸性的物質(zhì)。具有高空穴傳輸性的物質(zhì)是具有傳輸空穴比傳輸電子更多的特性的物質(zhì)，并特別優(yōu)選是具有10-6cm2/vs以上的空穴遷移率的物質(zhì)?？梢詫⒂缮鲜鐾ㄊ剑╣0）至（g3）表示的有機(jī)化合物的任一個(gè)用于空穴傳輸層302。當(dāng)將由上述通式（g0）至（g3）表示的有機(jī)化合物的任一個(gè)用于空穴傳輸層302和發(fā)光層303的雙方時(shí)，可以降低空穴注入勢壘，因此不但可以提高發(fā)光效率，還可以降低驅(qū)動電壓。換言之，通過采用這種結(jié)構(gòu)，不僅如上所述那樣能夠在高亮度區(qū)域中保持高發(fā)光效率，并且還可以使驅(qū)動電壓保持為低。其結(jié)果，可以得到即便在亮度高的情況下也電壓的損失所導(dǎo)致的功率效率的降低少的發(fā)光元件，即具有高功率效率（低功耗）的發(fā)光元件。從空穴注入勢壘的觀點(diǎn)來看，特別優(yōu)選的是，空穴傳輸層302和發(fā)光層303包含相同的有機(jī)化合物。具有高空穴傳輸性的物質(zhì)的其他例子是芳香胺化合物諸如4,4＇-雙[n-（1-萘基）-n-苯基氨基]聯(lián)苯（簡稱：npb或a-npd）、n,n＇-雙（3-甲基苯基）-n,n＇-二苯基-[1,1＇-聯(lián)苯]-4,4＇-二胺（簡稱：tpd）、4-苯基-4＇-（9-苯基芴-9-基）三苯胺（簡稱：bpaflp）、4,4＇-雙[n-（9，9-二甲基芴-2-基）-n-苯基胺基]聯(lián)苯（簡稱：dfldpbi）以及4,4＇-雙[n-（螺-9,9＇-二芴-2-基）-n-苯基氨基]聯(lián)苯（簡稱：bspb）。此外，可以使用咔唑衍生物諸如4,4＇-二（n-咔唑基）聯(lián)苯（簡稱：cbp）、9-[4-（10-苯基-9-蒽基）苯基]-9h-咔唑（簡稱：czpa）或9-苯基-3-[4-（10-苯基-9-蒽基）苯基]-9h-咔唑（簡稱：pczpa）。此外，可以使用芳香烴化合物諸如2-叔丁基-9,10-二（2-萘基）蒽（簡稱：t-budna）、9,10-二（2-萘基）蒽（簡稱：dna）或9,10-二苯基蒽（簡稱：dpanth）。還可以使用高分子化合物諸如pvk、pvtpa、ptpdma或poly-tpd。<電子傳輸層304>電子傳輸層304包含具有高電子傳輸性的物質(zhì)。具有高電子傳輸性的物質(zhì)是具有傳輸電子比傳輸空穴更多的特性的有機(jī)化合物，并特別優(yōu)選是具有10-6cm2/vs以上的電子遷移率的物質(zhì)。可以將包含在發(fā)光層303中的第二有機(jī)化合物（具有電子傳輸性的化合物）用于電子傳輸層304?？梢詫⒔饘倥浜衔镏T如三（8-羥基喹啉根合）鋁（ⅲ）（簡稱：alq）或三（4-甲基-8-羥基喹啉根合）鋁（ⅲ）（簡稱：almq3）用于電子傳輸層304。此外，可以使用芳香雜環(huán)化合物諸如紅菲繞啉（簡稱：bphen）、浴銅靈（簡稱：bcp）、3-（4-叔丁基苯基）-4-（4-乙基苯基）-5-（4-聯(lián)苯基）-1,2,4-三唑（簡稱：p-ettaz）或4,4＇-雙（5-甲基苯并噁唑-2-基）二苯乙烯（簡稱：bzos）。另外，可以使用高分子化合物諸如聚（2,5-吡啶二基）（簡稱：ppy）、聚[（9,9-二己基芴-2,7-二基）-共-（吡啶-3,5-二基）]（簡稱：pf-py）或聚[（9,9-二辛基芴-2,7-二基）-共-（2,2＇-聯(lián)吡啶-6,6＇-二基）]（簡稱：pf-bpy）。<電子注入層305>電子注入層305包含具有高電子注入性的物質(zhì)。作為具有高電子注入性的物質(zhì)的例子有堿金屬、堿土金屬、稀土金屬以及其化合物（例如，其氧化物、其碳酸鹽及其鹵化物），諸如鋰、銫、鈣、氧化鋰、碳酸鋰、碳酸銫、氟化鋰、氟化銫、氟化鈣及氟化鉺。電子注入層305可以包含上述具有高電子傳輸性的物質(zhì)和施主物質(zhì)。例如，電子注入層305可以通過使用包含鎂（mg）的alq層形成。當(dāng)包含電子傳輸性高的物質(zhì)和施主物質(zhì)時(shí)，施主物質(zhì)相對于電子傳輸性高的物質(zhì)的質(zhì)量比優(yōu)選為0.001:1至0.1:1。作為施主物質(zhì)的例子有堿金屬、堿土金屬、稀土金屬及其化合物（例如，其氧化物），諸如鋰、銫、鎂、鈣、鉺、鐿、氧化鋰、鈣氧化物、鋇氧化物及氧化鎂；路易斯堿；以及有機(jī)化合物諸如四硫富瓦烯（簡稱：ttf）、四硫萘并萘（tetrathianaphthacene）（簡稱：ttn）、二茂鎳或十甲基二茂鎳。<電荷產(chǎn)生區(qū)域>包括在空穴注入層的電荷產(chǎn)生區(qū)域和電荷產(chǎn)生區(qū)域308都包含具有高空穴傳輸性的物質(zhì)和受主物質(zhì)（電子受主）。優(yōu)選以受主物質(zhì)相對于空穴傳輸性高的物質(zhì)的質(zhì)量比為0.1:1至4.0:1的方式添加受主物質(zhì)。電荷產(chǎn)生區(qū)域不局限于具有高空穴傳輸性的物質(zhì)和受主物質(zhì)包含在同一個(gè)膜中的結(jié)構(gòu)，而可以具有層疊有包含具有高空穴傳輸性的物質(zhì)的層和包含受主物質(zhì)的的層的結(jié)構(gòu)。注意，在采用在陰極一側(cè)設(shè)置有電荷產(chǎn)生區(qū)域的疊層結(jié)構(gòu)的情況下，包含具有高空穴傳輸性的物質(zhì)的層與陰極接觸，而在采用在陽極一側(cè)設(shè)置有電荷產(chǎn)生區(qū)域的疊層結(jié)構(gòu)的情況下，包含受主物質(zhì)的層與陽極接觸。具有高空穴傳輸性的物質(zhì)是具有傳輸空穴比傳輸電子更多的特性的有機(jī)化合物，并特別優(yōu)選為具有10-6cm2/vs以上的空穴遷移率的有機(jī)化合物。具體而言，可以使用由上述通式（g0）表示的化合物或者作為可用于空穴傳輸層302的物質(zhì)的例子舉出的具有高空穴傳輸性的物質(zhì)中的任一個(gè)，例如，可以使用芳香胺化合物諸如npb及bpaflp、咔唑衍生物諸如cbp、czpa及pczpa、芳烴化合物諸如t-budna、dna及dpanth和高分子化合物諸如pvk及pvtpa。作為受主物質(zhì)的例子有鹵化合物諸如7,7,8,8-四氰基-2,3,5,6-四氟醌二甲烷（簡稱：f4-tcnq）及氯醌、氰化合物諸如吡嗪并[2，3-f][1,10]菲咯啉-2,3-二甲腈（簡稱：ppdn）及二吡嗪并（dipyrazino）[2,3-f:2＇,3＇-h]喹喔啉-2,3,6,7,10,11-六甲腈（簡稱：hat-cn）、過渡金屬氧化物、以及屬于元素周期表的第4至8族的金屬的氧化物。具體而言，氧化釩、氧化鈮、氧化鉭、氧化鉻、氧化鉬、氧化鎢、氧化錳和氧化錸因?yàn)榫哂懈唠娮咏邮苄裕允莾?yōu)選的。尤其氧化鉬是優(yōu)選的，因?yàn)槠湓诖髿庵休^穩(wěn)定，具有低吸濕性，并容易處理。<電子注入緩沖層306>電子注入緩沖層306包含具有高電子注入性的物質(zhì)。電子注入緩沖層306有助于使電子更易于從電荷產(chǎn)生區(qū)域308注入到el層203。作為具有高電子注入性的物質(zhì),可以使用上述材料的任一個(gè)。此外，電子注入緩沖層306可以包含上述具有高電子傳輸性的物質(zhì)中的任一個(gè)和施主物質(zhì)。<電子中繼層307>電子中繼層307立即接收在電荷產(chǎn)生區(qū)域308中受主物質(zhì)所抽出的電子。電子中繼層307包含具有高電子傳輸性的物質(zhì)。作為該具有高電子傳輸性的物質(zhì)，優(yōu)選使用酞菁類材料或具有金屬-氧鍵合和芳香配體的金屬配合物。作為該酞菁類材料，具體而言，可以使用cupc、酞菁錫（ⅱ）配合物（snpc）、酞菁鋅配合物（znpc）、酞菁鈷（ⅱ），β-型（copc）、酞菁鐵（fepc）或2,9,16,23-四苯氧基-29h,31h-酞菁氧釩（pho-vopc）。作為具有金屬-氧鍵合和芳香配體的金屬配合物，優(yōu)選使用具有金屬-氧的雙鍵的金屬配合物。金屬-氧的雙鍵具有受主性；因此，可以使電子的移動（施受）變得更容易。作為具有金屬-氧鍵合和芳香配體的金屬配合物，更優(yōu)選使用酞菁類材料。尤其是，釩氧酞菁（vopc）、酞菁氧化錫（ⅳ）配合物（snopc）或酞菁氧化鈦配合物（tiopc）因?yàn)樵诜肿咏Y(jié)構(gòu)方面金屬-氧的雙鍵更容易對其他分子起作用，并且其受主性高，所以是優(yōu)選的。作為酞菁類材料，優(yōu)選使用具有苯氧基的酞菁類材料。具體而言，優(yōu)選使用具有苯氧基的酞菁衍生物諸如pho-vopc。具有苯氧基的酞菁衍生物是在溶劑中可溶的；因此，該酞菁衍生物具有在發(fā)光元件的形成過程中容易處理的優(yōu)勢以及便于維護(hù)用于成膜的裝置的優(yōu)勢。作為具有高電子傳輸性的物質(zhì)的其他例子有苝衍生物諸如3,4,9,10-苝四羧酸二酐（簡稱：ptcda）、3,4,9,10-苝四羧酸雙苯并咪唑（簡稱：ptcbi）、n,n＇-二辛基-3,4,9,10-苝四羧酸二酰亞胺（簡稱：ptcdi-c8h）、n,n＇-二己基-3,4,9,10-苝四羧酸二酰亞胺（簡稱：hexptc）等。此外，可以使用含氮稠環(huán)芳香化合物諸如吡嗪并[2，3-f][1,10]菲咯啉-2,3-二甲腈（簡稱：ppdn）、2,3,6,7,10,11-六氰-1,4,5,8,9,12-六氮雜苯并菲（簡稱：hat（cn）6）、2,3-二苯基吡啶并[2,3-b]吡嗪（簡稱：2pypr）或2,3-雙（4-氟苯基）吡啶并[2,3-b]吡嗪（簡稱：f2pypr）。因?yàn)楹憝h(huán)芳香化合物較穩(wěn)定，所以優(yōu)選用于電子中繼層307。并且，可以使用7,7,8,8,-四氰基對醌二甲烷（簡稱：tcnq）、1,4,5,8-萘四羧酸二酐（簡稱：ntcda）、全氟并五苯（perfluoropentacene）、十六氟酞菁銅（簡稱：f16cupc）、n,n＇-雙（2,2,3,3,4,4,5,5,6,6,7,7,8,8,8-十五氟辛基）-1,4,5,8-萘四羧酸二酰亞胺（簡稱：ntcdi-c8f）、3＇,4＇-二丁基-5,5＇＇-雙（二氰基亞甲基）-5,5＇＇-二氫-2,2＇:5＇,2＇＇-三噻吩（簡稱：dcmt）或亞甲基富勒烯（例如，[6,6]-苯基c61酪酸甲酯）。電子中繼層307還可以包含上述施主物質(zhì)。當(dāng)該施主物質(zhì)包含在電子中繼層307中時(shí)，可以更容易地使電子移動，并且發(fā)光元件能夠以更低的電壓驅(qū)動。具有高電子傳輸性的物質(zhì)和施主物質(zhì)的lumo能級優(yōu)選為-5.0ev至-3.0ev，即，位于包含在電荷產(chǎn)生區(qū)域308中的受主物質(zhì)的lumo能級與包含在電子傳輸層304中的具有高電子傳輸性的物質(zhì)的lumo能級（或與電子中繼層307或其間的電子注入緩沖層306接觸的el層203的lumo能級）之間。當(dāng)施主物質(zhì)包含在電子中繼層307中時(shí)，作為具有高電子傳輸性的物質(zhì)，可以使用具有比包含在電荷產(chǎn)生區(qū)域308中的受主物質(zhì)的受主能級高的lumo能級的物質(zhì)。包含在el層203及中間層207中的上述層可以分別通過如下方法中的任一個(gè)來形成：蒸鍍法（包括真空蒸鍍法）、轉(zhuǎn)印法、印刷法、噴墨法和涂敷法等。通過使用本實(shí)施方式所示的發(fā)光元件，可以制造無源矩陣型發(fā)光裝置或由晶體管控制發(fā)光元件的驅(qū)動的有源矩陣型發(fā)光裝置。再者，該發(fā)光裝置可以應(yīng)用于電子設(shè)備或照明裝置等。本實(shí)施方式可以與其他實(shí)施方式適當(dāng)?shù)亟M合。實(shí)施方式2在本實(shí)施方式中，使用圖2a至圖2c對本發(fā)明的一個(gè)方式的發(fā)光元件進(jìn)行說明。圖2a所示的發(fā)光元件在第一電極201和第二電極205之間包括el層203。el層203包括發(fā)光層213。在圖2a所示的發(fā)光元件中，發(fā)光層213包含第一有機(jī)化合物221、第二有機(jī)化合物222及磷光化合物223。第一有機(jī)化合物221由實(shí)施方式1所示的通式（g0）表示，并具有大于或等于500且小于或等于2000的分子量。第二有機(jī)化合物222是具有電子傳輸性的化合物。磷光化合物223是發(fā)光層213中的客體材料。在本實(shí)施方式中，第一有機(jī)化合物221和第二有機(jī)化合物222中的一個(gè)有機(jī)化合物是發(fā)光層213中的主體材料，該有機(jī)化合物的含量在發(fā)光層213中高于另一個(gè)有機(jī)化合物。注意，優(yōu)選的是，第一有機(jī)化合物221和第二有機(jī)化合物222的各三重態(tài)激發(fā)能級（t1能級）都高于磷光化合物223。這是因?yàn)?，在第一有機(jī)化合物221（或第二有機(jī)化合物222）的t1能級低于磷光化合物223時(shí)，有助于發(fā)光的磷光化合物223的三重態(tài)激發(fā)能被第一有機(jī)化合物221（或第二有機(jī)化合物222）猝滅（quench），而導(dǎo)致發(fā)光效率下降。在此，為了提高從主體材料到客體材料的能量轉(zhuǎn)移效率，考慮到福斯特（f?rster）機(jī)理（偶極-偶極相互作用）及德克斯特（dexter）機(jī)理（電子交換相互作用），這些是作為分子之間的能量轉(zhuǎn)移的機(jī)理眾所周知的。根據(jù)該機(jī)理，優(yōu)選的是，主體分子的發(fā)射光譜（由單重激發(fā)態(tài)的能量轉(zhuǎn)移中的熒光光譜以及由三重激發(fā)態(tài)的能量轉(zhuǎn)移中的磷光光譜）與客體分子的吸收光譜（具體而言，最長波長（最低能量）一側(cè)的吸收帶中的光譜）在很大程度上重疊。然而，在作為客體材料使用磷光化合物的情況下，難以得到主體材料的熒光光譜與客體材料的最長波長（最低能量）一側(cè)的吸收帶中的吸收光譜之間的重疊。這是因?yàn)槿缦戮壒剩喝糁黧w材料的熒光光譜與客體材料的最長波長（最低能量）一側(cè)的吸收帶中的吸收光譜重疊，因?yàn)橹黧w材料的磷光光譜位于比熒光光譜長的波長（比熒光光譜低的能量）一側(cè)，所以主體材料的t1能級則比磷光化合物的t1能級變低，而導(dǎo)致上述猝滅的問題；但，在為了避免猝滅的問題而將主體材料的t1能級設(shè)定為高于磷光化合物的t1能級時(shí)，主體材料的熒光光譜轉(zhuǎn)移到更短的波長（更高的能量）一側(cè)，因此該熒光光譜不具有與客體材料的最長波長（最低能量）一側(cè)的吸收帶中的吸收光譜的任何重疊。因此，一般而言，難以使主體材料的熒光光譜與客體材料的最長波長（最低能量）一側(cè)的吸收帶中的吸收光譜重疊以使主體材料的由單重激發(fā)態(tài)的能量的轉(zhuǎn)移增至最大限度。于是，在本實(shí)施方式中，第一有機(jī)化合物221和第二有機(jī)化合物222的組合形成激基復(fù)合物。使用圖2b和圖2c對激基復(fù)合物進(jìn)行說明。圖2b是示出激基復(fù)合物的概念的模式圖；示出第一有機(jī)化合物221（或第二有機(jī)化合物222）的熒光光譜、第一有機(jī)化合物221（或第二有機(jī)化合物222）的磷光光譜、磷光化合物223的吸收光譜以及激基復(fù)合物的發(fā)射光譜。例如，在發(fā)光層213中，第一有機(jī)化合物221的熒光光譜及第二有機(jī)化合物222的熒光光譜被轉(zhuǎn)換成位于更長的波長一側(cè)的激基復(fù)合物的發(fā)射光譜。并且，當(dāng)以使激基復(fù)合物的發(fā)射光譜與磷光化合物223（客體材料）的吸收光譜在很大程度上重疊的方式選擇第一有機(jī)化合物221和第二有機(jī)化合物222時(shí)，可以最大限度地提高由單重激發(fā)態(tài)的能量轉(zhuǎn)移（參照圖2b）。注意，至于三重激發(fā)態(tài)，也被認(rèn)為，發(fā)生由激基復(fù)合物的能量轉(zhuǎn)移，而不發(fā)生由主體材料的能量轉(zhuǎn)移。因此，由于所形成的激基復(fù)合物的發(fā)射波長比第一有機(jī)化合物221和第二有機(jī)化合物222的各自的發(fā)射波長（熒光波長）長，所以第一有機(jī)化合物221的熒光光譜或第二有機(jī)化合物222的熒光光譜可以成為位于更長的波長一側(cè)的發(fā)射光譜。此外，被認(rèn)為，在激基復(fù)合物的單重態(tài)激發(fā)能與三重態(tài)激發(fā)能之間具有極小的差異。換言之，由單重態(tài)的激基復(fù)合物的發(fā)射光譜與由三重態(tài)的其發(fā)射光譜相互極為接近。因此，在如上所述那樣將激基復(fù)合物的發(fā)射光譜（一般是指由單重態(tài)的激基復(fù)合物的發(fā)射光譜）設(shè)定為與位于最長波長一側(cè)的磷光化合物223（客體材料）的吸收帶重疊的情況下，由三重態(tài)的激基復(fù)合物的發(fā)射光譜（在很多情況下在常溫下觀察不到并即便在低溫下也觀察不到的）也與位于最長波長一側(cè)的磷光化合物223（客體材料）的吸收帶重疊。換言之，除了由單重激發(fā)態(tài)的能量轉(zhuǎn)移效率之外，由三重激發(fā)態(tài)的能量轉(zhuǎn)移效率也能夠得到提高，其結(jié)果，由單重態(tài)和三重態(tài)的雙方能夠高效地得到發(fā)光。如此，本發(fā)明的一個(gè)方式的發(fā)光元件通過利用形成在發(fā)光層213中的激基復(fù)合物的發(fā)射光譜與磷光化合物223（客體材料）的吸收光譜之間的重疊而將能量轉(zhuǎn)移，所以具有高能量轉(zhuǎn)移效率。此外，激基復(fù)合物只在激發(fā)態(tài)下存在，所以沒有能夠吸收能量的基態(tài)。因此，被認(rèn)為在原理上不會發(fā)生：由于能量從單重激發(fā)態(tài)和三重激發(fā)態(tài)下的磷光化合物223（客體材料）轉(zhuǎn)移到激基復(fù)合物，在發(fā)光之前磷光化合物223（客體材料）失活（即，發(fā)光效率降低）的現(xiàn)象。注意，上述激基復(fù)合物通過激發(fā)態(tài)下的異種分子間的相互作用形成。一般已知激基復(fù)合物在具有相對深的lumo能級的材料與具有相對淺的最高占據(jù)分子軌道（homo）能級的材料之間容易形成。在此，使用圖2c說明第一有機(jī)化合物221、第二有機(jī)化合物222和激基復(fù)合物的能級的概念。注意，圖2c示意性地示出第一有機(jī)化合物221、第二有機(jī)化合物222和激基復(fù)合物的能級。第一有機(jī)化合物221和第二有機(jī)化合物222的homo能級與lumo能級互不相同。具體而言，能級按如下順序不同：第二有機(jī)化合物222的homo能級＜第一有機(jī)化合物221的homo能級＜第二有機(jī)化合物222的lumo能級＜第一有機(jī)化合物221的lumo能級。在激基復(fù)合物由這些兩個(gè)有機(jī)化合物形成時(shí)，激基復(fù)合物的lumo能級以及homo能級分別來源于第二有機(jī)化合物222以及第一有機(jī)化合物221（參照圖2c）。激基復(fù)合物的發(fā)射波長取決于homo能級與lumo能級之間的能量之差。作為一般趨勢，在該能量之差較大時(shí)發(fā)射波長較短，而在該能量之差較小時(shí)發(fā)射波長較長。因此，激基復(fù)合物的能量差比第一有機(jī)化合物221的能量差及第二有機(jī)化合物222的能量差小。換言之，激基復(fù)合物的發(fā)射波長比第一有機(jī)化合物221和第二有機(jī)化合物222的各發(fā)射波長長。作為本發(fā)明的一個(gè)方式的激基復(fù)合物的形成過程可以考慮到如下兩個(gè)過程。激基復(fù)合物的形成過程的一個(gè)是由具有載流子（陽離子或陰離子）的第一有機(jī)化合物221和第二有機(jī)化合物222形成激基復(fù)合物的過程。一般而言，當(dāng)在主體材料中電子和空穴復(fù)合時(shí)，激發(fā)能從激發(fā)態(tài)下的主體材料轉(zhuǎn)移到客體材料，從而客體材料成為激發(fā)態(tài)而發(fā)光。在激發(fā)能從主體材料轉(zhuǎn)移到客體材料之前，主體材料本身發(fā)光或激發(fā)能變成為熱能，這導(dǎo)致激發(fā)能的部分失活。然而，在本發(fā)明的一個(gè)方式中，激基復(fù)合物由具有載流子（陽離子或陰離子）的第一有機(jī)化合物221和第二有機(jī)化合物222形成；因此，可以抑制第一有機(jī)化合物221和第二有機(jī)化合物222的單重態(tài)激子的形成。換言之，可以存在有在不形成單重態(tài)激子的狀態(tài)下直接形成激基復(fù)合物的過程。由此，可以防止單重態(tài)激發(fā)能的失活。因此，可以得到具有長使用壽命的發(fā)光元件。例如，在第一有機(jī)化合物221是空穴傳輸性材料中的具有容易俘獲空穴（載流子）的性質(zhì)（具有較淺的homo能級）的空穴俘獲性化合物，而第二有機(jī)化合物222是電子傳輸性材料中的具有容易俘獲電子（載流子）的性質(zhì)（具有較深的lumo能級）的電子俘獲性化合物的情況下，激基復(fù)合物由第一有機(jī)化合物221的陽離子和第二有機(jī)化合物222的陰離子直接形成。尤其將通過這種過程形成的激基復(fù)合物稱為電致激基復(fù)合物（electroplex）。如上所述，通過抑制第一有機(jī)化合物221和第二有機(jī)化合物222的單重激發(fā)態(tài)的產(chǎn)生并將能量從電致激基復(fù)合物轉(zhuǎn)移到磷光化合物223（客體材料），可以得到具有高發(fā)光效率的發(fā)光元件。注意，在此情況下，同樣抑制第一有機(jī)化合物221和第二有機(jī)化合物222的三重激發(fā)態(tài)的產(chǎn)生而直接形成激基復(fù)合物；因此，被認(rèn)為發(fā)生從激基復(fù)合物至磷光化合物223（客體材料）的能量轉(zhuǎn)移。激基復(fù)合物的形成過程的另一個(gè)是在第一有機(jī)化合物221和第二有機(jī)化合物222中的一個(gè)形成單重態(tài)激子，然后與基態(tài)的另一個(gè)相互作用而形成激基復(fù)合物的基本過程。不同于電致激基復(fù)合物，在此情況下暫時(shí)產(chǎn)生第一有機(jī)化合物221或第二有機(jī)化合物222的單重激發(fā)態(tài)，但是這迅速地變換成激基復(fù)合物，所以能夠抑制單重激發(fā)態(tài)能的失活及由單重激發(fā)態(tài)的反應(yīng)等。這可以抑制第一有機(jī)化合物221或第二有機(jī)化合物222的激發(fā)能的失活；從而，能夠得到具有長使用壽命的發(fā)光元件。注意，在此情況下，被認(rèn)為第一有機(jī)化合物221或第二有機(jī)化合物222的三重激發(fā)態(tài)也同樣迅速地變換成激基復(fù)合物而能量從激基復(fù)合物轉(zhuǎn)移到磷光化合物223（客體材料）。注意，在第一有機(jī)化合物221為空穴俘獲性化合物而第二有機(jī)化合物222為電子俘獲性化合物，并且這些化合物的homo能級之間的差異及l(fā)umo能級之間的差異較大（具體而言，0.3ev以上）的情況下，空穴選擇性地注入到第一有機(jī)化合物221，而電子選擇性地注入到第二有機(jī)化合物222。在此情況下，被認(rèn)為形成電致激基復(fù)合物的過程優(yōu)先于經(jīng)過單態(tài)激子形成激基復(fù)合物的過程。一般而言，考慮到由主體材料的單重激發(fā)態(tài)或三重激發(fā)態(tài)到磷光化合物的能量轉(zhuǎn)移。另一方面，本發(fā)明的一個(gè)方式與現(xiàn)有技術(shù)的很大不同之處在于：首先形成由主體材料和其他材料而成的激基復(fù)合物，然后使用由該激基復(fù)合物的能量轉(zhuǎn)移。并且，這種上述不同之處提供以往沒有的高發(fā)光效率。注意，一般而言，在將激基復(fù)合物用于發(fā)光元件的發(fā)光層時(shí)具有能夠控制發(fā)光顏色等的利用價(jià)值，但通常導(dǎo)致發(fā)光效率的大幅度下降。因此，激基復(fù)合物的使用在以前一直被認(rèn)為不適合用來得到高效率的發(fā)光元件。然而，如本發(fā)明的一個(gè)方式所示，通過作為用于能量轉(zhuǎn)移的介質(zhì)使用激基復(fù)合物，卻可以將發(fā)光效率提高到極限。這技術(shù)觀念是與現(xiàn)有的固定觀念相反的。為了使激基復(fù)合物的發(fā)射光譜與磷光化合物223（客體材料）的吸收光譜充分地重疊，發(fā)射光譜的峰值的能量與吸收光譜中的最低能量一側(cè)的吸收帶的峰值的能量之差優(yōu)選為0.3ev或更少。該差異更優(yōu)選為0.2ev或更少，最優(yōu)選為0.1ev或更少。在本發(fā)明的一個(gè)方式的發(fā)光元件中，更優(yōu)選的是，激基復(fù)合物的激發(fā)能充分地轉(zhuǎn)移到磷光化合物223（客體材料），并且實(shí)質(zhì)上觀察不到來自激基復(fù)合物的發(fā)光。因此，能量優(yōu)選經(jīng)過激基復(fù)合物轉(zhuǎn)移到磷光化合物223（客體材料）以使磷光化合物223發(fā)射磷光。在本發(fā)明的一個(gè)方式的發(fā)光元件中作為主體材料使用磷光化合物的情況下，該主體材料本身容易發(fā)光而能量不容易轉(zhuǎn)移到客體材料。在此情況下，若作為該主體材料使用的磷光化合物能夠高效地發(fā)光即可，但由于主體材料引起濃度猝滅的問題，所以難以實(shí)現(xiàn)高發(fā)光效率。因此，第一有機(jī)化合物221和第二有機(jī)化合物222中的至少一個(gè)為熒光化合物（即，容易遭受由單重激發(fā)態(tài)的發(fā)光或熱失活的化合物）的情況是有效的。所以，第一有機(jī)化合物221和第二有機(jī)化合物222中的至少一個(gè)優(yōu)選為熒光化合物。在本實(shí)施方式的發(fā)光元件中，由于利用激基復(fù)合物的發(fā)射光譜與磷光化合物（客體材料）的吸收光譜之間的重疊的能量轉(zhuǎn)移而能夠提高能量轉(zhuǎn)移效率；因此，發(fā)光元件可以實(shí)現(xiàn)高發(fā)光效率。注意，本實(shí)施方式所示的結(jié)構(gòu)可以與其他實(shí)施方式所示的結(jié)構(gòu)適當(dāng)?shù)亟M合。實(shí)施方式3在本實(shí)施方式中，參照圖3a和圖3b對本發(fā)明的一個(gè)方式的發(fā)光裝置進(jìn)行說明。圖3a是本發(fā)明的一個(gè)方式的發(fā)光裝置的平面圖，圖3b是沿著圖3a中的點(diǎn)劃線a-b的截面圖。在本實(shí)施方式的發(fā)光裝置中，發(fā)光元件403（第一電極421、el層423以及第二電極425）設(shè)置在由支撐襯底401、密封襯底405以及密封材料407包圍的空間415中。發(fā)光元件403具有底部發(fā)射結(jié)構(gòu)；具體而言，使可見光透過的第一電極421設(shè)置在支撐襯底401上，el層423設(shè)置在第一電極421上，并且反射可見光的第二電極425設(shè)置在el層423上。作為本實(shí)施方式的發(fā)光元件403，使用本發(fā)明的一個(gè)方式的發(fā)光元件。因?yàn)楸景l(fā)明的一個(gè)方式的發(fā)光元件具有長使用壽命，所以可以得到具有高可靠性的發(fā)光裝置。此外，由于本發(fā)明的一個(gè)方式的發(fā)光元件在高亮度區(qū)域中呈現(xiàn)高發(fā)光效率，因此可以得到發(fā)光效率高的發(fā)光裝置。第一端子409a與輔助布線417及第一電極421電連接。在與輔助布線417重疊的區(qū)域中，將絕緣層419設(shè)置在第一電極421上。第一端子409a由絕緣層419與第二電極425電絕緣。第二端子409b電連接于第二電極425。注意，雖然在本實(shí)施方式中第一電極421形成在輔助布線417上，但是輔助布線417可以形成在第一電極421上。因?yàn)橛袡C(jī)el元件在具有大于大氣的折射率的區(qū)域中發(fā)光，所以在光被提取到大氣中時(shí)在一定條件下在有機(jī)el元件內(nèi)或在有機(jī)el元件與大氣之間的界面處可能會發(fā)生全反射，這導(dǎo)致有機(jī)el元件的光提取效率低于100%。因此，光提取結(jié)構(gòu)411a優(yōu)選設(shè)置在支撐襯底401與大氣之間的界面。支撐襯底401的折射率高于大氣。因此，在支撐襯底401與大氣之間的界面處被設(shè)置時(shí)，光提取結(jié)構(gòu)411a可以減少因全反射而不能提取到大氣中的光，由此可以提高發(fā)光裝置的光提取效率。另外，光提取結(jié)構(gòu)411b優(yōu)選設(shè)置在發(fā)光元件403與支撐襯底401之間的界面。然而，第一電極421的凹凸會引起形成于第一電極421上的el層423中產(chǎn)生泄漏電流。因此，在本實(shí)施方式中，將具有高于或等于el層423的折射率的平坦化層413設(shè)置為與光提取結(jié)構(gòu)411b接觸。因此，第一電極421可以成為平坦的膜，并且可以抑制因第一電極421的凹凸而在el層423中產(chǎn)生泄漏電流。此外，由于在平坦化層413與支撐襯底401之間的界面處的光提取結(jié)構(gòu)411b，可以減少因全反射而不能提取到大氣中的光，由此能夠使發(fā)光裝置的光提取效率得到提高。本發(fā)明不局限于如圖3b所示那樣的支撐襯底401、光提取結(jié)構(gòu)411a及光提取結(jié)構(gòu)411b為不同的構(gòu)成要素的結(jié)構(gòu)。這些構(gòu)成要素中的兩個(gè)或全部可以被形成為一個(gè)構(gòu)成要素。此外，例如，在光提取結(jié)構(gòu)411b中第一電極421不具有表面凹凸的情況下（例如在光提取結(jié)構(gòu)411b不具有表面凹凸的情況下），不需要設(shè)置平坦化層413。本發(fā)明不局限于如圖3a所示那樣的發(fā)光裝置為八角形的結(jié)構(gòu)。發(fā)光裝置可以具有其他的多角形或具有曲線部的形狀。尤其是，發(fā)光裝置優(yōu)選具有三角形、四角形或正六角形等，以便能夠在有限的面積內(nèi)無間隙地設(shè)置多個(gè)發(fā)光裝置或有效地利用有限的襯底面積來形成發(fā)光裝置。另外，包括在發(fā)光裝置的發(fā)光元件的數(shù)量不局限于一個(gè)，而可以為一個(gè)以上。光提取結(jié)構(gòu)411a以及光提取結(jié)構(gòu)411b的凹凸形狀不需要具有規(guī)律性。當(dāng)凹凸形狀具有周期性時(shí)，凹凸根據(jù)凹凸的大小而起到衍射光柵的作用，以使干涉效應(yīng)增加而具有特定波長的光容易被提取到大氣中。因此，凹凸形狀優(yōu)選不具有周期性。對凹凸的底面形狀沒有特別的限制；例如，作為該形狀可以為多角形諸如三角形或四角形、圓形等。當(dāng)凹凸的底面形狀具有周期性時(shí)，該凹凸優(yōu)選以其相鄰的部分之間沒有形成間隙的方式設(shè)置。作為優(yōu)選的底面形狀的例子可以舉出正六角形。對凹凸形狀沒有特別的限制；例如，可以使用半球狀或者具有頂點(diǎn)的形狀諸如圓錐、角錐（例如，三角錐或四角錐）或傘狀。特別優(yōu)選的是，凹凸的大小或高度為大于或等于1μm，此時(shí)可以減少光干涉的影響。光提取結(jié)構(gòu)411a及光提取結(jié)構(gòu)411b可以直接形成于支撐襯底401上。例如，光提取結(jié)構(gòu)411a及光提取結(jié)構(gòu)411b可以適當(dāng)?shù)厥褂萌缦路椒ㄖ械娜我粋€(gè)來形成：蝕刻法、噴砂法、微粒子噴射法（microblastprocessingmethod）、消光加工法（frostprocessingmethod）、液滴噴射法、印刷法（圖案被形成的絲網(wǎng)印刷或膠版印刷）、涂敷法諸如旋涂法、浸漬法、分配器法、壓印法和納米壓印法等。作為光提取結(jié)構(gòu)411a及光提取結(jié)構(gòu)411b的材料，例如，可以使用樹脂。另外，可以將半球透鏡、微透鏡陣列、具有凹凸的表面結(jié)構(gòu)的膜或光擴(kuò)散膜等用于光提取結(jié)構(gòu)411a及光提取結(jié)構(gòu)411b。例如，通過使用具有與支撐襯底401、該透鏡或該膜大致相同的折射率的粘合劑等將該透鏡或該膜粘合到支撐襯底401上，可以形成光提取結(jié)構(gòu)411a及光提取結(jié)構(gòu)411b。平坦化層413的與第一電極421接觸的面比平坦化層413的與光提取結(jié)構(gòu)411b接觸的面平坦。因此，第一電極421可以成為平坦的膜。其結(jié)果，可以抑制因第一電極421的凹凸而在el層423中產(chǎn)生泄漏電流。作為平坦化層413的材料，可以使用具有高折射率的玻璃或樹脂等。平坦化層413具有透光性。本實(shí)施方式可以與其他實(shí)施方式適當(dāng)?shù)亟M合。實(shí)施方式4在本實(shí)施方式中，參照圖4a和圖4b對本發(fā)明的一個(gè)方式的發(fā)光裝置進(jìn)行說明。圖4a是本發(fā)明的一個(gè)方式的發(fā)光裝置的平面圖，圖4b是沿著圖4a中的點(diǎn)劃線c-d的截面圖。本實(shí)施方式的有源矩陣型發(fā)光裝置在支撐襯底501上包括發(fā)光部551、驅(qū)動電路部552（柵極一側(cè)驅(qū)動電路部）、驅(qū)動電路部553（源極一側(cè)驅(qū)動電路部）以及密封材料507。發(fā)光部551、驅(qū)動電路部552及553密封在由支撐襯底501、密封襯底505以及密封材料507包圍的空間515中。圖4b所示的發(fā)光部551包括多個(gè)發(fā)光單元，該多個(gè)發(fā)光單元都包括開關(guān)晶體管541a、電流控制晶體管541b以及電連接于晶體管541b的布線（源電極或漏電極）的第二電極525。發(fā)光元件503具有頂部發(fā)射結(jié)構(gòu)并包括使可見光透過的第一電極521、el層523以及反射可見光的第二電極525。另外，以覆蓋第二電極525的端部的方式形成分隔壁519。作為本實(shí)施方式的發(fā)光元件503，使用本發(fā)明的一個(gè)方式的發(fā)光元件。因?yàn)楸景l(fā)明的一個(gè)方式的發(fā)光元件具有長使用壽命，所以可以得到具有高可靠性的發(fā)光裝置。此外，由于本發(fā)明的一個(gè)方式的發(fā)光元件在高亮度區(qū)域中呈現(xiàn)高發(fā)光效率，因此可以得到發(fā)光效率高的發(fā)光裝置。在支撐襯底501上設(shè)置有用來連接外部輸入端子的引線517，通過該外部輸入端子將來自外部的信號（例如，視頻信號、時(shí)鐘信號、啟動信號或復(fù)位信號）或電位傳送到驅(qū)動電路部552或553。在此，示出作為外部輸入端子設(shè)置柔性印刷電路（fpc）509的例子。注意，印刷線路板（pwb）可以貼到fpc509上。在本說明書中，發(fā)光裝置在其范疇中包括發(fā)光裝置本身以及裝備fpc或pwb的發(fā)光裝置。驅(qū)動電路部552和553包含多個(gè)晶體管。圖4b示出驅(qū)動電路部552具有組合n溝道晶體管542與p溝道晶體管543而成的cmos電路的例子。包括在驅(qū)動電路部的電路可以利用多種電路諸如cmos電路、pmos電路或nmos電路來形成。本發(fā)明不局限于在本實(shí)施方式中所示的驅(qū)動電路形成于形成有發(fā)光部的襯底上的驅(qū)動器一體型。驅(qū)動電路可以形成在與形成有發(fā)光部的襯底不同的襯底上。為了防止形成工序數(shù)量的增加，引線517優(yōu)選使用與發(fā)光部或驅(qū)動電路部中的電極或布線相同的材料及相同的工序來形成。在本實(shí)施方式中示出的是使用包括在發(fā)光部551及驅(qū)動電路部552中的晶體管的源電極和漏電極相同的材料及相同的工序來形成引線517的例子。在圖4b中，密封材料507與引線517上的第一絕緣層511接觸。有時(shí)密封材料507相對于金屬的粘合性低。因此，密封材料507優(yōu)選與引線517上的無機(jī)絕緣膜接觸。通過采用這種結(jié)構(gòu)，發(fā)光裝置可以具有高密封性、高粘合性及高可靠性。作為無機(jī)絕緣膜的例子有金屬及半導(dǎo)體的氧化物膜、金屬及半導(dǎo)體的氮化物膜、金屬及半導(dǎo)體的氧氮化物膜，具體而言，有氧化硅膜、氮化硅膜、氧氮化硅膜、氮氧化硅膜、氧化鋁膜、氧化鈦膜等。第一絕緣層511具有抑制雜質(zhì)擴(kuò)散到包括在晶體管中的半導(dǎo)體的效果。為了減小起因于晶體管的表面凹凸，作為第二絕緣層513優(yōu)選選擇具有平坦化功能的絕緣膜。對在本發(fā)明的一個(gè)方式的發(fā)光裝置中使用的晶體管的結(jié)構(gòu)沒有特別的限制?？梢允褂庙敄判途w管，或者可以使用底柵型晶體管諸如反交錯(cuò)型晶體管。該晶體管可以為溝道蝕刻型晶體管或溝道保護(hù)型晶體管。此外，對用于晶體管的材料也沒有特別的限制。半導(dǎo)體層可以使用硅或氧化物半導(dǎo)體形成。作為硅，可以適當(dāng)?shù)厥褂脝尉Ч杌蚨嗑Ч璧?。作為氧化物半?dǎo)體，可以適當(dāng)?shù)厥褂胕n-ga-zn類金屬氧化物等。注意，該晶體管優(yōu)選使用將in-ga-zn類金屬氧化物用于半導(dǎo)體層的氧化物半導(dǎo)體形成以具有較低的關(guān)態(tài)電流（off-statecurrent），此時(shí)發(fā)光元件的關(guān)閉狀態(tài)的泄漏電流能夠得到減少。密封襯底505設(shè)置有與發(fā)光元件503（其發(fā)光區(qū)域）重疊的著色層的濾色片533。濾色片533被設(shè)置為控制從發(fā)光元件503發(fā)射的光的顏色。例如，在使用白色發(fā)光元件的全彩色顯示裝置中，使用多個(gè)設(shè)置有不同顏色的濾色片的發(fā)光單元。在這種情況下，可以使用紅色（r）、綠色（g）及藍(lán)色（b）的三種顏色，或者可以使用紅色（r）、綠色（g）、藍(lán)色（b）及黃色（y）的四種顏色。另外，在相鄰的濾色片533之間（以與分隔壁519重疊的方式）設(shè)置黑矩陣531。黑矩陣531保護(hù)發(fā)光單元免受從相鄰的發(fā)光單元中的發(fā)光元件503發(fā)射的光的影響，并抑制相鄰的發(fā)光單元之間的混色。當(dāng)以其端部與黑矩陣531重疊的方式設(shè)置濾色片533時(shí)，能夠減少光的泄漏。黑矩陣531可以使用阻擋從發(fā)光元件503發(fā)射的光的材料形成，例如可以使用金屬或樹脂等材料。注意，黑矩陣531除了發(fā)光部551以外還可以設(shè)置在與驅(qū)動電路部552重疊的區(qū)域等中。另外，以覆蓋濾色片533及黑矩陣531的方式形成保護(hù)層535。例如，將使從發(fā)光元件503發(fā)射的光透過的材料用于保護(hù)層535，并可以使用無機(jī)絕緣膜或有機(jī)絕緣膜。不需要時(shí)不用設(shè)置保護(hù)層535。本發(fā)明的結(jié)構(gòu)不局限于在本實(shí)施方式中作為例子示出的使用濾色片方式的發(fā)光裝置。例如，可以使用分別涂敷方式或顏色轉(zhuǎn)換方法。本實(shí)施方式可以與其他實(shí)施方式適當(dāng)?shù)亟M合。實(shí)施方式5在本實(shí)施方式中，將參照圖5a至圖5e和圖6a及圖6b說明應(yīng)用本發(fā)明的一個(gè)方式中的發(fā)光裝置的電子設(shè)備及照明裝置的例子。本實(shí)施方式中的電子設(shè)備各在顯示部中包括本發(fā)明的一個(gè)方式的發(fā)光裝置。本實(shí)施方式中的照明裝置各在發(fā)光部（照明部）中包括本發(fā)明的一個(gè)方式的發(fā)光裝置。通過采用本發(fā)明的一個(gè)方式的發(fā)光裝置，可以提供高可靠性的電子設(shè)備及高可靠性的照明裝置。另外，通過采用本發(fā)明的一個(gè)方式的發(fā)光裝置，可以提供具有高發(fā)光效率的電子設(shè)備及照明裝置。作為應(yīng)用發(fā)光裝置的電子設(shè)備的例子，有電視裝置（也稱為電視或電視接收機(jī)）、用于計(jì)算機(jī)等的顯示器、相機(jī)如數(shù)碼相機(jī)及數(shù)碼攝像機(jī)、數(shù)碼相框、移動電話機(jī)（也稱為移動電話裝置）、便攜式游戲機(jī)、便攜式信息終端、聲音再現(xiàn)裝置、彈珠機(jī)等大型游戲機(jī)等。圖5a至圖5e和圖6a及圖6b示出這些電子設(shè)備及照明裝置的具體例子。圖5a示出電視裝置的一個(gè)例子。在電視裝置7100中，顯示部7102組裝在框體7101中。顯示部7102能夠顯示圖像?？梢詫⒈景l(fā)明的一個(gè)方式的發(fā)光裝置用于顯示部7102。另外，在此，利用支架7103支撐框體7101?？梢岳迷O(shè)置在框體7101中的操作開關(guān)或另外提供的遙控器7111操作電視裝置7100。利用遙控器7111的操作鍵，可以控制頻道及音量，并可以控制顯示在顯示部7102上的圖像。遙控器7111可以具備用來顯示從該遙控器7111輸出的數(shù)據(jù)的顯示部。注意，電視裝置7100具備接收機(jī)、調(diào)制解調(diào)器等。通過利用接收機(jī)，可以接收一般的電視廣播。再者，當(dāng)電視裝置經(jīng)由調(diào)制解調(diào)器連接于有線或無線的通信網(wǎng)絡(luò)時(shí)，可以進(jìn)行單向（從發(fā)送者到接收者）或雙向（發(fā)送者和接收者之間或接收者之間等）的信息通信。圖5b示出計(jì)算機(jī)的一個(gè)例子。該計(jì)算機(jī)7200包括主體7201、框體7202、顯示部7203、鍵盤7204、外部連接端口7205、指向裝置7206等。注意，該計(jì)算機(jī)是通過將本發(fā)明的一個(gè)方式的發(fā)光裝置用于其顯示部7203來制造的。圖5c示出便攜式游戲機(jī)的一個(gè)例子。便攜式游戲機(jī)7300具有框體7301a和框體7301b的兩個(gè)框體，其通過連接部7302連接以使便攜式游戲機(jī)可以打開或合上?？蝮w7301a組裝有顯示部7303a，而框體7301b組裝有顯示部7303b。另外，圖5c所示的便攜式游戲機(jī)包括揚(yáng)聲器部7304、記錄介質(zhì)插入部7305、操作鍵7306、連接端子7307、傳感器7308（具有測量或感應(yīng)力量、位移、位置、速度、加速度、角速度、轉(zhuǎn)動頻率、距離、光、液、磁、溫度、化學(xué)物質(zhì)、聲音、時(shí)間、硬度、電場、電流、電壓、電力、輻射線、流量、濕度、斜率、振動、氣味或紅外線的功能）、led燈、麥克風(fēng)等。很顯然，只要將本發(fā)明的一個(gè)方式的發(fā)光裝置用于顯示部7303a和顯示部7303b中的至少一方或雙方，便攜式游戲機(jī)的結(jié)構(gòu)就不局限于上述結(jié)構(gòu)，并可以適當(dāng)?shù)匕ㄆ渌綄僭O(shè)備。圖5c所示的便攜式游戲機(jī)具有讀出儲存在記錄介質(zhì)中的程序或數(shù)據(jù)以將其顯示在顯示部上的功能及通過無線通信而與其他便攜式游戲機(jī)共享信息的功能。注意，圖5c所示的便攜式游戲機(jī)的功能不局限于此，而該便攜式游戲機(jī)可以具有各種功能。圖5d示出移動電話機(jī)的一個(gè)例子。移動電話機(jī)7400具備組裝在框體7401中的顯示部7402、操作按鈕7403、外部連接端口7404、揚(yáng)聲器7405、麥克風(fēng)7406等。注意，將本發(fā)明的一個(gè)方式的發(fā)光裝置用于顯示部7402來制造移動電話機(jī)7400。當(dāng)圖5d所示的移動電話機(jī)7400的顯示部7402被用手指等觸摸時(shí)，信息被輸入到移動電話機(jī)。另外，可以用手指等觸摸顯示部7402進(jìn)行打電話或編寫電子郵件等操作。顯示部7402主要有三種屏面模式。第一模式是主要用于顯示圖像的顯示模式。第二模式是主要用于輸入文字等信息的輸入模式。第三模式是混合顯示模式和輸入模式這兩種模式的顯示和輸入模式。例如，在打電話或編寫電子郵件的情況下，為顯示部7402選擇主要用于輸入文字的文字輸入模式，以在屏面上顯示文字。當(dāng)移動電話機(jī)7400內(nèi)部設(shè)置有包括用來檢測傾斜度的陀螺儀傳感器或加速度傳感器等傳感器的檢測裝置時(shí)，可以通過判斷移動電話機(jī)7400的方向（移動電話機(jī)7400在處于橫向方式或縱向方式時(shí)是否位于橫向或縱向）自動切換顯示部7402的屏面上的顯示。通過觸摸顯示部7402或以框體7401的操作按鈕7403進(jìn)行操作來改變屏面模式。屏面模式可以根據(jù)顯示在顯示部7402上的圖像的種類而切換。例如，當(dāng)顯示在顯示部上的圖像的信號為動態(tài)圖像的信號時(shí)，將屏面模式切換成顯示模式。當(dāng)信號為文字?jǐn)?shù)據(jù)時(shí)，將屏面模式切換成輸入模式。再者，在輸入模式下，若檢測出通過顯示部7402中的光傳感器所檢測的信號并且在一定期間內(nèi)沒有進(jìn)行觸摸顯示部7402的輸入，屏面模式則可以被控制為從輸入模式轉(zhuǎn)換成顯示模式?？梢詫@示部7402用作圖像傳感器。例如，顯示部7402在被用手掌或手指觸摸的期間拍攝掌紋、指紋等，從而可以進(jìn)行身份識別。另外，當(dāng)在顯示部中設(shè)置發(fā)射近紅外光的背光或傳感用光源時(shí)，可以拍攝手指靜脈、手掌靜脈等。圖5e示出能夠折疊的平板終端（處于打開狀態(tài)）的一個(gè)例子。平板終端7500包括框體7501a、框體7501b、顯示部7502a以及顯示部7502b?？蝮w7501a和框體7501b由軸部（hinge）7503彼此連接并可以以該軸部7503為軸地打開或合上。此外，框體7501a包括電源開關(guān)7504、操作鍵7505、揚(yáng)聲器7506等。注意，通過將本發(fā)明的一個(gè)方式的發(fā)光裝置用于顯示部7502a和顯示部7502b中的一方或雙方來制造該平板終端7500。顯示部7502a或顯示部7502b的一部分可以被用作觸摸屏區(qū)域，該觸摸屏區(qū)域可以通過按觸所顯示的操作鍵來輸入數(shù)據(jù)。例如，可以使顯示部7502a的整個(gè)區(qū)域顯示鍵盤以將顯示部7502a用作觸摸屏，并且將顯示部7502b用作顯示屏面。圖6a示出臺式燈，其包括照明部7601、燈罩7602、可調(diào)支架（adjustablearm）7603、支柱7604、底座7605以及電源開關(guān)7606。臺式燈是通過將本發(fā)明的一個(gè)方式的發(fā)光裝置用于照明部7601來制造的。注意，該燈在其范疇內(nèi)還包括吊燈、壁燈等。圖6b示出將本發(fā)明的一個(gè)方式的發(fā)光裝置用于室內(nèi)燈7701的一個(gè)例子。本發(fā)明的一個(gè)方式的發(fā)光裝置可以具有大面積，所以可以被用作大面積的照明裝置。另外，還可以將本發(fā)明的一個(gè)方式的發(fā)光裝置用作卷式（roll-type）燈7702。如圖6b所示，可以將參照圖6a說明的臺式燈7703用在具備室內(nèi)燈7701的房間內(nèi)。實(shí)施例1在本實(shí)施例中，將參照圖7說明本發(fā)明的一個(gè)方式的發(fā)光元件。下面示出在本實(shí)施例中使用的材料的化學(xué)式。[化學(xué)式24]下面將說明制造本實(shí)施例的發(fā)光元件1、比較發(fā)光元件2以及比較發(fā)光元件3的方法。（發(fā)光元件1）首先，在玻璃襯底1100上通過濺射法形成包含氧化硅的銦錫氧化物（itso）的膜，由此形成第一電極1101。其厚度為110nm且電極面積為2mm′2mm。在此，第一電極1101被用作發(fā)光元件的陽極。接著，作為用來在玻璃襯底1100上形成發(fā)光元件的預(yù)處理，在用水清洗襯底1100表面并在200℃下焙燒1小時(shí)之后，進(jìn)行uv臭氧處理370秒。然后，將玻璃襯底1100移動到真空蒸鍍裝置中，該真空蒸鍍裝置被減壓到10-4pa左右，并且在真空蒸鍍裝置內(nèi)的加熱室中在170℃下進(jìn)行30分鐘的真空焙燒，然后使該襯底冷卻大約30分鐘。接著，將形成有第一電極1101的玻璃襯底1100固定在設(shè)置在真空蒸鍍裝置內(nèi)的襯底支架上以使形成有第一電極1101的面朝下。將真空蒸鍍裝置內(nèi)的壓力降低到大約10-4pa。然后，在第一電極1101上，通過使用電阻加熱的蒸鍍法的共蒸鍍，4,4＇,4＇＇-（1,3,5-苯三基）三（二苯并噻吩）（簡稱：dbt3p-ii）和氧化鉬（ⅵ）沉積，從而形成空穴注入層1111。將空穴注入層1111的厚度設(shè)定為40nm，并將dbt3p-ii相對于氧化鉬的重量比被調(diào)節(jié)為4:2（=dbt3p-ii:氧化鉬）。注意，共蒸鍍法是指在一個(gè)處理室中從多個(gè)蒸發(fā)源同時(shí)執(zhí)行蒸鍍的蒸鍍法。接著，在空穴注入層1111上形成厚度為20nm的4-苯基-4＇-（9-苯基芴-9-基）三苯胺（簡稱：bpaflp）的膜以形成空穴傳輸層1112。而且，通過2-[3＇-（二苯并噻吩-4-基）聯(lián)苯-3-基]二苯并[f，h]喹喔啉（簡稱：2mdbtbpdbq-ii）、n-（1,1＇-聯(lián)苯-4-基）-n-[4-（9-苯基-9h-咔唑-3-基）苯基]-9,9-二甲基-9h-芴-2-胺（簡稱：pcbbif）以及（乙酰丙酮根）雙（4,6-二苯基嘧啶根）銥（ⅲ）（簡稱：[ir（dppm）2（acac）]）的共蒸鍍，在空穴傳輸層1112上形成發(fā)光層1113。在此，將2mdbtbpdbq-ii、pcbbif和[ir（dppm）2（acac）]的重量比調(diào)節(jié)為0.8:0.2:0.05（=2mdbtbpdbq-ii:pcbbif:[ir（dppm）2（acac）]）。將發(fā)光層1113的厚度設(shè)定為40nm。接著，通過形成厚度為15nm的2mdbtbpdbq-ii的膜并形成厚度為15nm的紅菲繞啉（簡稱：bphen）的膜，在發(fā)光層1113上形成電子傳輸層1114。然后，在電子傳輸層1114上，通過蒸鍍形成1nm的厚度的氟化鋰（lif）的膜,以形成電子注入層1115。最后，通過蒸鍍使鋁沉積成200nm的厚度以形成用作陰極的第二電極1103。由此，制造本實(shí)施例的發(fā)光元件1。注意，在所有上述蒸鍍步驟中，通過電阻加熱法進(jìn)行蒸鍍。（比較發(fā)光元件2）通過2mdbtbpdbq-ii、4,4＇-二（1-萘基）-4＇＇-（9-苯基-9h-咔唑-3-基）三苯胺（簡稱：pcbnbb）和[ir（dppm）2（acac）]的共蒸鍍形成比較發(fā)光元件2的發(fā)光層1113。在此，將2mdbtbpdbq-ii、pcbnbb和[ir（dppm）2（acac）]的重量比調(diào)節(jié)為0.8:0.2:0.05（=2mdbtbpdbq-ii:pcbnbb:[ir（dppm）2（acac）]）。將發(fā)光層1113的厚度設(shè)定為40nm。以與發(fā)光元件1相似的方法制造發(fā)光層1113之外的構(gòu)成要素。（比較發(fā)光元件3）通過2mdbtbpdbq-ii、n-[4-（9-苯基-9h-咔唑-3-基）苯基]-9,9-二甲基-n-[4-（1-萘基）苯基]-9h-芴-2-胺（簡稱：pcbnbf）和[ir（dppm）2（acac）]的共蒸鍍形成比較發(fā)光元件3的發(fā)光層1113。在此，將2mdbtbpdbq-ii、pcbnbf和[ir（dppm）2（acac）]的重量比調(diào)節(jié)為0.8:0.2:0.05（=2mdbtbpdbq-ii:pcbnbf:[ir（dppm）2（acac）]）。將發(fā)光層1113的厚度設(shè)定為40nm。以與發(fā)光元件1同樣的方法制造發(fā)光層1113之外的構(gòu)成要素。表1示出在本實(shí)施例中如上所述那樣地得到的發(fā)光元件的元件結(jié)構(gòu)。[表1]在包含氮?dú)夥盏氖痔紫渲惺褂貌Ａбr底分別密封發(fā)光元件1、比較發(fā)光元件2以及比較發(fā)光元件3以不使各發(fā)光元件暴露于大氣，然后，測量這些發(fā)光元件的工作特性。注意，該測量在室溫（在保持為25℃的氣氛中）下進(jìn)行。圖8示出本實(shí)施例中的發(fā)光元件的亮度-電流效率特性。在圖8中，橫軸表示亮度（cd/m2）且縱軸表示電流效率（cd/a）。圖9示出電壓-亮度特性。在圖9中，橫軸表示電壓（v）且縱軸表示亮度（cd/m2）。圖10示出亮度-外部量子效率特性。在圖10中，橫軸表示亮度（cd/m2）且縱軸表示外部量子效率（%）。表2表示亮度在1000cd/m2附近時(shí)的各發(fā)光元件中的電壓（v）、電流密度（ma/cm2）、cie色度坐標(biāo)（x，y）、電流效率（cd/a）、功率效率（lm/w）、外部量子效率（%）。[表2]如表2所示，亮度為1200cd/m2時(shí)的發(fā)光元件1的cie色度坐標(biāo)為（x，y）=（0.55，0.45）。亮度為900cd/m2時(shí)的比較發(fā)光元件2的cie色度坐標(biāo)為（x，y）=（0.55，0.44）。亮度為1000cd/m2時(shí)的比較發(fā)光元件3的cie色度坐標(biāo)為（x，y）=（0.55，0.45）?？芍獜谋緦?shí)施例的發(fā)光元件得到了來源于[ir（dppm）2（acac）]的橙色發(fā)光。圖8至圖10以及表2示出發(fā)光元件1、比較發(fā)光元件2和比較發(fā)光元件3可以各以低電壓驅(qū)動并具有高電流效率、高功率效率、高外部量子效率。還可知與在比較發(fā)光元件2和比較發(fā)光元件3中相比，發(fā)光元件1中的高亮度區(qū)域中的電流效率及外部量子效率高（參照圖8或圖10中的亮度為1000至10000cd/m2時(shí)的電流效率或外部量子效率）。在發(fā)光元件1中，發(fā)光層包含pcbbif，pcbbif具有芴基、聯(lián)苯基以及包括咔唑骨架的取代基。在比較發(fā)光元件2中，發(fā)光層包含pcbnbb，pcbnbb具有兩個(gè)萘基以及包括咔唑骨架的取代基。在比較發(fā)光元件3中，發(fā)光層包含pcbnbf，pcbnbf具有芴基、萘基以及包括咔唑骨架的取代基。就是說，發(fā)光元件1與比較發(fā)光元件2或比較發(fā)光元件3之間的主要差異是包含在發(fā)光層中的叔胺是否具有萘基。因?yàn)樵诒景l(fā)明的一個(gè)方式的發(fā)光元件1中使用的叔胺具有聯(lián)苯胺骨架及芴胺骨架，所以具有高空穴傳輸性及高電子阻擋性。另外，因?yàn)槭灏肪哂斜劝ㄝ凉羌艿陌返雀叩娜丶ぐl(fā)態(tài)能，所以具有良好的激子阻擋性。由此，即使在高亮度區(qū)域中也可以防止電子的泄漏或激子的擴(kuò)散，而可以得到顯示高發(fā)光效率的發(fā)光元件。接著，對發(fā)光元件1、發(fā)光元件2以及比較發(fā)光元件3進(jìn)行可靠性測試。圖11a和圖11b示出可靠性測試的結(jié)果。在圖11a和圖11b中，縱軸表示100%的初始亮度下的歸一化亮度（%）且橫軸表示元件的驅(qū)動時(shí)間（h）。在可靠性測試中，本實(shí)施例的發(fā)光元件在將初始亮度設(shè)定為5000cd/m2且在電流密度為恒定的條件下在室溫下被驅(qū)動。圖11a和圖11b示出發(fā)光元件1在經(jīng)過460小時(shí)后保持初始亮度的95%，比較發(fā)光元件2在經(jīng)過460小時(shí)后保持初始亮度的92%，并且比較發(fā)光元件3在經(jīng)過370小時(shí)后保持初始亮度的94%。該可靠性測試的結(jié)果示出與比較發(fā)光元件2及比較發(fā)光元件3相比發(fā)光元件1具有更長的壽命。如上所述，在本發(fā)明的一個(gè)方式的發(fā)光元件1中，也可以在高亮度區(qū)域中防止電子的泄漏或激子的擴(kuò)散；因此，發(fā)光物質(zhì)發(fā)光的遷移（輻射失活）以外的失活途徑（無輻射失活）少。因此，可以減輕元件的亮度劣化。此外，可以以高再現(xiàn)性容易地且穩(wěn)定地得到這樣的劣化少的發(fā)光元件。如上所述，可知根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方式可以得到在高亮度區(qū)域中顯示高發(fā)光效率的發(fā)光元件。還可知根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方式可以得到具有長壽命的發(fā)光元件。實(shí)施例2在本實(shí)施例中，將參照圖7說明本發(fā)明的一個(gè)方式的發(fā)光元件。下面示出在本實(shí)施例中使用的材料的化學(xué)式。注意，省略上面已示出的材料的化學(xué)式。[化學(xué)式25]下面將說明制造本實(shí)施例的發(fā)光元件4以及比較發(fā)光元件5的方法。（發(fā)光元件4）首先，以與發(fā)光元件1同樣的方法在玻璃襯底1100上形成第一電極1101及空穴注入層1111。接著，在空穴注入層1111上，形成20nm厚的pcbbif的膜，以形成空穴傳輸層1112。而且，通過2mdbtbpdbq-ii、pcbbif和（乙酰丙酮根）雙（6-叔丁基-4-苯基嘧啶根）銥（ⅲ）（簡稱：[ir（tbuppm）2（acac）]）的共蒸鍍，在空穴傳輸層1112上形成發(fā)光層1113。在此，層疊將2mdbtbpdbq-ii、pcbbif和[ir（tbuppm）2（acac）]的重量比調(diào)節(jié)為0.7:0.3:0.05（=2mdbtbpdbq-ii:pcbbif:[ir（tbuppm）2（acac）]）而形成的20nm厚的層與將重量比調(diào)節(jié)為0.8:0.2:0.05（=2mdbtbpdbq-ii:pcbbif:[ir（tbuppm）2（acac）]）而形成的20nm厚的層。接著，在發(fā)光層1113上以形成5nm厚的2mdbtbpdbq-ii的膜并形成15nm厚的bphen的膜的方式形成電子傳輸層1114。而且，在電子傳輸層1114上，通過蒸鍍形成1nm的厚度的lif的膜,由此形成電子注入層1115。最后，通過蒸鍍使鋁沉積成200nm的厚度以形成用作陰極的第二電極1103。由此制造本實(shí)施例的發(fā)光元件4。注意，在所有上述蒸鍍步驟中，通過電阻加熱法進(jìn)行蒸鍍。（比較發(fā)光元件5）通過形成厚度為20nm的pcbnbb的膜，形成比較發(fā)光元件5的空穴傳輸層1112。通過2mdbtbpdbq-ii、pcbnbb和[ir（tbuppm）2（acac）]的共蒸鍍，形成發(fā)光層1113。在此，層疊將2mdbtbpdbq-ii、pcbnbb和[ir（tbuppm）2（acac）]的重量比調(diào)節(jié)為0.7:0.3:0.05（=2mdbtbpdbq-ii:pcbnbb:[ir（tbuppm）2（acac）]）而形成的20nm厚的層與將重量比調(diào)節(jié)為0.8:0.2:0.05（=2mdbtbpdbq-ii:pcbnbb:[ir（tbuppm）2（acac）]）而形成的20nm厚的層。以與發(fā)光元件4同樣的方法制造空穴傳輸層1112和發(fā)光層1113以外的構(gòu)成要素。表3示出在本實(shí)施例中如上所述那樣地得到的發(fā)光元件的元件結(jié)構(gòu)。[表3]在包含氮?dú)夥盏氖痔紫渲惺褂貌Ａбr底密封發(fā)光元件4以及比較發(fā)光元件5以不使發(fā)光元件暴露于大氣。然后，測量這些發(fā)光元件的工作特性。注意，該測量在室溫（在保持為25℃的氣氛中）下進(jìn)行。圖12示出本實(shí)施例中的發(fā)光元件的亮度-電流效率特性。在圖12中，橫軸表示亮度（cd/m2）且縱軸表示電流效率（cd/a）。圖13示出電壓-亮度特性。在圖13中，橫軸表示電壓（v）且縱軸表示亮度（cd/m2）。圖14示出亮度-功率效率特性。在圖14中，橫軸表示亮度（cd/m2），縱軸表示功率效率（lm/w）。圖15示出亮度-外部量子效率特性。在圖15中，橫軸表示亮度（cd/m2）且縱軸表示外部量子效率（%）。表4表示亮度在900cd/m2時(shí)的發(fā)光元件4及比較發(fā)光元件5中的電壓（v）、電流密度（ma/cm2）、cie色度坐標(biāo)（x，y）、電流效率（cd/a）、功率效率（lm/w）、外部量子效率（%）。[表4]如表4所示，在亮度為900cd/m2時(shí)，發(fā)光元件4的cie色度坐標(biāo)為（x，y）=（0.41，0.59），比較發(fā)光元件5的cie色度坐標(biāo)為（x，y）=（0.40，0.59）?？芍獜陌l(fā)光元件4及比較發(fā)光元件5得到了來源于[ir（tbuppm）2（acac）]的綠色發(fā)光。圖12至圖15以及表4示出發(fā)光元件4和比較發(fā)光元件5可以各以極低的電壓驅(qū)動。還可知與比較發(fā)光元件5相比，發(fā)光元件4具有更高的電流效率、更高的功率效率及更高的外部量子效率（參照圖12、圖14或圖15中的亮度為1000cd/m2至10000cd/m2時(shí)的電流效率、功率效率或外部量子效率）。在發(fā)光元件4中，發(fā)光層及空穴傳輸層包含pcbbif，pcbbif具有芴基、聯(lián)苯基以及包括咔唑骨架的取代基。在比較發(fā)光元件5中，發(fā)光層及空穴傳輸層包含pcbnbb，pcbnbb具有兩個(gè)萘基以及包括咔唑骨架的取代基。就是說，發(fā)光元件4與比較發(fā)光元件5之間的主要差異是包含在發(fā)光層中的叔胺是否具有萘基。因?yàn)樵诒景l(fā)明的一個(gè)方式的發(fā)光元件4中使用的叔胺具有聯(lián)苯胺骨架及芴胺骨架，所以具有高空穴傳輸性及高電子阻擋性。另外，因?yàn)槭灏肪哂斜劝ㄝ凉羌艿陌返雀叩娜丶ぐl(fā)態(tài)能，所以具有良好的激子阻擋性。由此，即使在高亮度區(qū)域中也可以防止電子的泄漏或激子的擴(kuò)散，而可以得到顯示高發(fā)光效率的發(fā)光元件。當(dāng)將與包含在發(fā)光層中的叔胺相同的化合物用于空穴傳輸層時(shí)，發(fā)光效率更大。就是說，雖然如在發(fā)光元件4或比較發(fā)光元件5中那樣地通過將與包含在發(fā)光層中的叔胺相同的化合物用于空穴傳輸層可以降低驅(qū)動電壓，但是如果不應(yīng)用本發(fā)明的一個(gè)方式（如果不使用由上述通式（g0）表示的叔胺），則如在比較發(fā)光元件5中那樣發(fā)光效率降低。如上所述，可知根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方式可以得到在高亮度區(qū)域中顯示高發(fā)光效率的發(fā)光元件。還可知根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方式可以得到能夠以低電壓驅(qū)動的發(fā)光元件?？芍ㄟ^與發(fā)光層同樣地將第一有機(jī)化合物（在實(shí)施方式1中示出的由通式（g0）表示的化合物）用于空穴傳輸層，可以得到具有高發(fā)光效率的發(fā)光元件。接著，對發(fā)光元件4以及比較發(fā)光元件5執(zhí)行可靠性測試。圖16示出可靠性測試的結(jié)果。在圖16中，縱軸表示100%的初始亮度下的歸一化亮度（%），橫軸表示元件的驅(qū)動時(shí)間（h）。在該可靠性測試中，在將初始亮度設(shè)定為5000cd/m2并且電流密度為恒定的條件下在室溫下驅(qū)動本實(shí)施例的發(fā)光元件。圖16示出發(fā)光元件4在經(jīng)過160小時(shí)后保持初始亮度的93%，并且比較發(fā)光元件5在經(jīng)過360小時(shí)后保持初始亮度的89%。實(shí)施例3在本實(shí)施例中，將參照圖7說明本發(fā)明的一個(gè)方式的發(fā)光元件。下面示出在本實(shí)施例中使用的材料的化學(xué)式。注意，省略上面已示出的材料的化學(xué)式。[化學(xué)式26]下面將說明制造本實(shí)施例的發(fā)光元件6以及發(fā)光元件7的方法。（發(fā)光元件6）首先，以與發(fā)光元件1同樣的方法在玻璃襯底1100上形成第一電極1101及空穴注入層1111。接著，在空穴注入層1111上，形成20nm厚的n-（1,1＇-聯(lián)苯-4-基）-n-[4-（9-苯基-9h-咔唑-3-基）苯基]-9,9＇-螺二[9h-芴]-2-胺（簡稱：pcbbisf）的膜，以形成空穴傳輸層1112。而且，通過2mdbtbpdbq-ii、pcbbisf和[ir（dppm）2（acac）]的共蒸鍍，在空穴傳輸層1112上形成發(fā)光層1113。在此，層疊將2mdbtbpdbq-ii、pcbbisf和[ir（dppm）2（acac）]的重量比調(diào)節(jié)為0.7:0.3:0.05（=2mdbtbpdbq-ii:pcbbisf:[ir（dppm）2（acac）]）而形成的20nm厚的層與將該重量比調(diào)節(jié)為0.8:0.2:0.05（=2mdbtbpdbq-ii:pcbbisf:[ir（dppm）2（acac）]）而形成的20nm厚的層。接著，在發(fā)光層1113上以形成20nm厚的2mdbtbpdbq-ii的膜并形成20nm厚的bphen的膜的方式形成電子傳輸層1114。而且，在電子傳輸層1114上，通過蒸鍍形成1nm的厚度的lif的膜,由此形成電子注入層1115。最后，通過蒸鍍使鋁沉積成200nm的厚度以形成用作陰極的第二電極1103。由此制造本實(shí)施例的發(fā)光元件6。注意，在所有上述蒸鍍步驟中，通過電阻加熱法進(jìn)行蒸鍍。（發(fā)光元件7）通過形成厚度為20nm的bpaflp的膜，形成發(fā)光元件7的空穴傳輸層1112。以與發(fā)光元件6同樣的方法制造空穴傳輸層1112以外的構(gòu)成要素。表5示出在本實(shí)施例中如上所述那樣地得到的發(fā)光元件的元件結(jié)構(gòu)。[表5]在包含氮?dú)夥盏氖痔紫渲惺褂貌Ａбr底密封發(fā)光元件6以及發(fā)光元件7以不使發(fā)光元件暴露于大氣。然后，測量這些發(fā)光元件的工作特性。注意，該測量在室溫（在保持為25℃的氣氛中）下進(jìn)行。圖17示出本實(shí)施例中的發(fā)光元件的亮度-電流效率特性。在圖17中，橫軸表示亮度（cd/m2）且縱軸表示電流效率（cd/a）。圖18示出電壓-亮度特性。在圖18中，橫軸表示電壓（v）且縱軸表示亮度（cd/m2）。圖19示出亮度-功率效率特性。在圖19中，橫軸表示亮度（cd/m2）且縱軸表示功率效率（lm/w）。圖20示出亮度-外部量子效率特性。在圖20中，橫軸表示亮度（cd/m2）且縱軸表示外部量子效率（%）。表6表示亮度在1000cd/m2附近時(shí)的發(fā)光元件6及發(fā)光元件7中的電壓（v）、電流密度（ma/cm2）、cie色度坐標(biāo)（x，y）、電流效率（cd/a）、功率效率（lm/w）、外部量子效率（%）。[表6]如表6所示，亮度為900cd/m2時(shí)的發(fā)光元件6的cie色度坐標(biāo)為（x，y）=（0.56，0.44），亮度為1000cd/m2時(shí)的發(fā)光元件7的cie色度坐標(biāo)為（x，y）=（0.55，0.44）。可知從發(fā)光元件6及發(fā)光元件7得到了來源于[ir（dppm）2（acac）]的橙色發(fā)光。圖17至圖20以及表6示出發(fā)光元件6和發(fā)光元件7可以各以低電壓驅(qū)動并具有高電流效率、高功率效率、高外部量子效率。因?yàn)榉謩e用于本發(fā)明的一個(gè)方式的發(fā)光元件6及發(fā)光元件7的發(fā)光層的叔胺具有聯(lián)苯胺骨架及螺芴胺骨架，所以其具有高空穴傳輸性、高電子阻擋性以及良好的激子阻擋性。由此，即使在高亮度區(qū)域中也可以防止電子的泄漏或激子的擴(kuò)散，而可以實(shí)現(xiàn)顯示高發(fā)光效率的發(fā)光元件。而且，根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方式，如在發(fā)光元件6中那樣，通過將與包含在發(fā)光層中的叔胺相同的化合物用于空穴傳輸層，可以以保持高發(fā)光效率（不降低發(fā)光效率）的方式降低驅(qū)動電壓。實(shí)施例4在本實(shí)施例中，將參照圖7說明本發(fā)明的一個(gè)方式的發(fā)光元件。注意，在本實(shí)施例中使用的材料的化學(xué)式是已示出的。下面將說明制造本實(shí)施例的發(fā)光元件8以及比較發(fā)光元件9的方法。（發(fā)光元件8）首先，以與發(fā)光元件1同樣的方法在玻璃襯底1100上形成第一電極1101、空穴注入層1111以及空穴傳輸層1112。將空穴注入層1111的厚度設(shè)定為20nm。并且，通過2mdbtbpdbq-ii、pcbbif和[ir（dppm）2（acac）]的共蒸鍍，在空穴傳輸層1112上形成發(fā)光層1113。在此，層疊將2mdbtbpdbq-ii、pcbbif和[ir（dppm）2（acac）]的重量比調(diào)節(jié)為0.7:0.3:0.05（=2mdbtbpdbq-ii:pcbbif:[ir（dppm）2（acac）]）而形成的20nm厚的層與將該重量比調(diào)節(jié)為0.8:0.2:0.05（=2mdbtbpdbq-ii:pcbbif:[ir（dppm）2（acac）]）而形成的20nm厚的層。接著，在發(fā)光層1113上以形成20nm厚的2mdbtbpdbq-ii的膜并形成20nm厚的bphen的膜的方式形成電子傳輸層1114。然后，在電子傳輸層1114上，通過蒸鍍形成1nm的厚度的lif的膜,由此形成電子注入層1115。最后，通過蒸鍍使鋁沉積成200nm的厚度以形成用作陰極的第二電極1103。由此制造本實(shí)施例的發(fā)光元件8。注意，在所有上述蒸鍍步驟中，通過電阻加熱法進(jìn)行蒸鍍。（比較發(fā)光元件9）通過2mdbtbpdbq-ii和[ir（dppm）2（acac）]的共蒸鍍形成比較發(fā)光元件9的發(fā)光層1113。在此，將2mdbtbpdbq-ii和[ir（dppm）2（acac）]的重量比調(diào)節(jié)為1:0.05（=2mdbtbpdbq-ii:[ir（dppm）2（acac）]）。將發(fā)光層1113的厚度設(shè)定為40nm。以形成10nm厚的2mdbtbpdbq-ii的膜并形成15nm厚的bphen的膜的方式形成比較發(fā)光元件9的電子傳輸層1114。以與發(fā)光元件8同樣的方法制造發(fā)光層1113和電子傳輸層1114以外的構(gòu)成要素。表7示出在本實(shí)施例中如上所述那樣地得到的發(fā)光元件的元件結(jié)構(gòu)。[表7]在包含氮?dú)夥盏氖痔紫渲惺褂貌Ａбr底分別密封發(fā)光元件8以及比較發(fā)光元件9以不使各發(fā)光元件暴露于大氣，然后，測量這些發(fā)光元件的工作特性。注意，該測量在室溫（在保持為25℃的氣氛中）下進(jìn)行。圖27示出本實(shí)施例中的發(fā)光元件的電壓-電流特性。在圖27中，橫軸表示電壓（v）且縱軸表示電流（ma）。圖28示出亮度-外部量子效率特性。在圖28中，橫軸表示亮度（cd/m2）且縱軸表示外部量子效率（%）。圖29示出本實(shí)施例的發(fā)光元件的發(fā)射光譜。表8表示亮度在1000cd/m2附近時(shí)的各發(fā)光元件中的電壓（v）、電流密度（ma/cm2）、cie色度坐標(biāo)（x，y）、電流效率（cd/a）、功率效率（lm/w）、外部量子效率（%）。[表8]如表8所示，亮度為960cd/m2時(shí)的發(fā)光元件8的cie色度坐標(biāo)為（x，y）=（0.56，0.44）。亮度為1100cd/m2時(shí)的比較發(fā)光元件9的cie色度坐標(biāo)為（x，y）=（0.56，0.44）?？芍獜谋緦?shí)施例的發(fā)光元件得到了來源于[ir（dppm）2（acac）]的橙色發(fā)光。發(fā)光元件8在1000cd/m2附近時(shí)示出31%的極高的外部量子效率（相當(dāng)于85cd/a的電流效率），該外部量子效率比沒有從激基復(fù)合物轉(zhuǎn)移能量的比較發(fā)光元件9高。此外，發(fā)光元件8在1000cd/m2附近時(shí)示出2.8v的極低的電壓，該電壓低于比較發(fā)光元件9。接著，對發(fā)光元件8以及比較發(fā)光元件9執(zhí)行可靠性測試。圖30示出可靠性測試的結(jié)果。在圖30中，縱軸表示100%的初始亮度下的歸一化亮度（%），橫軸表示元件的驅(qū)動時(shí)間（h）。在該可靠性測試中，在將初始亮度設(shè)定為5000cd/m2并且電流密度為恒定的條件下在室溫下驅(qū)動本實(shí)施例的發(fā)光元件。圖30示出發(fā)光元件8在經(jīng)過3400小時(shí)后保持初始亮度的89%，并且比較發(fā)光元件9在經(jīng)過230小時(shí)后的亮度低于初始亮度的89%。該可靠性測試的結(jié)果示出發(fā)光元件8具有比比較發(fā)光元件9更長的使用壽命。如上所述，可知根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方式可以得到顯示高發(fā)光效率的發(fā)光元件。還可知根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方式可以得到具有長使用壽命的發(fā)光元件。實(shí)施例5在本實(shí)施例中，將參照圖7說明本發(fā)明的一個(gè)方式的發(fā)光元件。下面示出在本實(shí)施例中使用的材料的化學(xué)式。注意，省略上面已示出的材料的化學(xué)式。[化學(xué)式27]下面將說明制造本實(shí)施例的發(fā)光元件10、發(fā)光元件11以及比較發(fā)光元件12的方法。注意，本實(shí)施例的各發(fā)光元件中的發(fā)光層以外的構(gòu)成要素及制造方法與發(fā)光元件8相似，因此在此省略其說明。下面說明本實(shí)施例的各發(fā)光元件中的發(fā)光層及制造方法。（發(fā)光元件10）在發(fā)光元件10中，通過2mdbtbpdbq-ii、n-（4-聯(lián)苯）-n-（9,9-二甲基-9h-芴-2-基）-9-苯基-9h-咔唑-3-胺（簡稱：pcbif）和[ir（dppm）2（acac）]的共蒸鍍，在空穴傳輸層1112上形成發(fā)光層1113。在此，層疊將2mdbtbpdbq-ii、pcbif和[ir（dppm）2（acac）]的重量比調(diào)節(jié)為0.7:0.3:0.05（=2mdbtbpdbq-ii:pcbif:[ir（dppm）2（acac）]）而形成的20nm厚的層與將該重量比調(diào)節(jié)為0.8:0.2:0.05（=2mdbtbpdbq-ii:pcbif:[ir（dppm）2（acac）]）而形成的20nm厚的層。（發(fā)光元件11）在發(fā)光元件11中，通過2mdbtbpdbq-ii、n-（4-聯(lián)苯）-n-（9,9＇-螺二[9h-芴]-2-基）-9-苯基-9h-咔唑-3-胺（簡稱：pcbisf）和[ir（dppm）2（acac）]的共蒸鍍，在空穴傳輸層1112上形成發(fā)光層1113。在此，層疊將2mdbtbpdbq-ii、pcbisf和[ir（dppm）2（acac）]的重量比調(diào)節(jié)為0.7:0.3:0.05（=2mdbtbpdbq-ii:pcbisf:[ir（dppm）2（acac）]）而形成的20nm厚的層與將該重量比調(diào)節(jié)為0.8:0.2:0.05（=2mdbtbpdbq-ii:pcbisf:[ir（dppm）2（acac）]）而形成的20nm厚的層。（比較發(fā)光元件12）在比較發(fā)光元件12中，通過2mdbtbpdbq-ii、2-[n-（9-苯基咔唑-3-基）-n-苯基氨基]螺環(huán)-9,9＇-二芴（簡稱：pcasf）和[ir（dppm）2（acac）]的共蒸鍍，在空穴傳輸層1112上形成發(fā)光層1113。在此，層疊將2mdbtbpdbq-ii、pcasf和[ir（dppm）2（acac）]的重量比調(diào)節(jié)為0.7:0.3:0.05（=2mdbtbpdbq-ii:pcasf:[ir（dppm）2（acac）]）而形成的20nm厚的層與將該重量比調(diào)節(jié)為0.8:0.2:0.05（=2mdbtbpdbq-ii:pcasf:[ir（dppm）2（acac）]）而形成的20nm厚的層。表9示出在本實(shí)施例中如上所述那樣地得到的發(fā)光元件的元件結(jié)構(gòu)。[表9]在包含氮?dú)夥盏氖痔紫渲惺褂貌Ａбr底分別密封發(fā)光元件10、發(fā)光元件11以及比較發(fā)光元件12以不使各發(fā)光元件暴露于大氣，然后，測量這些發(fā)光元件的工作特性。注意，該測量在室溫（在保持為25℃的氣氛中）下進(jìn)行。圖31示出本實(shí)施例中的發(fā)光元件的亮度-電流效率特性。在圖31中，橫軸表示亮度（cd/m2）且縱軸表示電流效率（cd/a）。圖32示出電壓-亮度特性。在圖32中，橫軸表示電壓（v）且縱軸表示亮度（cd/m2）。圖33示出亮度-外部量子效率特性。在圖33中，橫軸表示亮度（cd/m2）且縱軸表示外部量子效率（%）。表10表示亮度在1000cd/m2附近時(shí)的各發(fā)光元件中的電壓（v）、電流密度（ma/cm2）、cie色度坐標(biāo)（x，y）、電流效率（cd/a）、功率效率（lm/w）、外部量子效率（%）。[表10]如表10所示，亮度在1000cd/m2附近時(shí)的各發(fā)光元件的cie色度坐標(biāo)為（x，y）=（0.57，0.43）?？芍獜谋緦?shí)施例的發(fā)光元件得到了來源于[ir（dppm）2（acac）]的橙色發(fā)光。圖32以及表10示出發(fā)光元件10、發(fā)光元件11以及比較發(fā)光元件12以相等的電壓驅(qū)動。此外，從圖31、圖33及表10可知：與比較發(fā)光元件12相比，發(fā)光元件10和發(fā)光元件11的電流效率、功率效率及外部量子效率高。接著，對發(fā)光元件10、發(fā)光元件11以及比較發(fā)光元件12執(zhí)行可靠性測試。圖34示出可靠性測試的結(jié)果。在圖34中，縱軸表示100%的初始亮度下的歸一化亮度（%），橫軸表示元件的驅(qū)動時(shí)間（h）。在該可靠性測試中，在將初始亮度設(shè)定為5000cd/m2并且電流密度為恒定的條件下在室溫下驅(qū)動本實(shí)施例的發(fā)光元件。圖34示出發(fā)光元件10在經(jīng)過660小時(shí)后保持初始亮度的94%，發(fā)光元件11在經(jīng)過660小時(shí)后保持初始亮度的93%，并且比較發(fā)光元件12在經(jīng)過660小時(shí)后的亮度低于初始亮度的87%。該可靠性測試的結(jié)果示出發(fā)光元件10及發(fā)光元件11具有比比較發(fā)光元件12更長的使用壽命。在發(fā)光元件11中，發(fā)光層包含pcbisf，pcbbif具有螺芴基、聯(lián)苯基以及包括咔唑骨架的取代基。在比較發(fā)光元件12中，發(fā)光層包含pcasf，pcasf具有螺芴基、苯基以及包括咔唑骨架的取代基。就是說，發(fā)光元件11與比較發(fā)光元件12之間的唯一的差異是包含在發(fā)光層中的叔胺的取代基是聯(lián)苯基還是苯基。在本發(fā)明的一個(gè)方式的發(fā)光元件11中使用的叔胺形成由苯基覆蓋反應(yīng)性高的苯胺骨架的苯基的4位的對聯(lián)苯胺骨架。因此可以實(shí)現(xiàn)可靠性高的發(fā)光元件。如上所述，可知根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方式可以得到顯示高發(fā)光效率的發(fā)光元件。還可知根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方式可以得到具有長使用壽命的發(fā)光元件。實(shí)施例6在本實(shí)施例中，將參照圖7說明本發(fā)明的一個(gè)方式的發(fā)光元件。注意，在本實(shí)施例中使用的材料的化學(xué)式是已示出的。下面將說明制造本實(shí)施例的發(fā)光元件13、發(fā)光元件14、發(fā)光元件15以及比較發(fā)光元件16的方法。注意，本實(shí)施例的各發(fā)光元件中的發(fā)光層及電子傳輸層以外的構(gòu)成要素及制造方法與發(fā)光元件8相似，因此在此省略其說明。下面說明本實(shí)施例的各發(fā)光元件中的發(fā)光層及電子傳輸層及制造方法。（發(fā)光元件13）在發(fā)光元件13中，通過2mdbtbpdbq-ii、pcbbif和[ir（tbuppm）2（acac）]的共蒸鍍，在空穴傳輸層1112上形成發(fā)光層1113。在此，層疊將2mdbtbpdbq-ii、pcbbif和[ir（tbuppm）2（acac）]的重量比調(diào)節(jié)為0.7:0.3:0.05（=2mdbtbpdbq-ii:pcbbif:[ir（tbuppm）2（acac）]）而形成的20nm厚的層與將該重量比調(diào)節(jié)為0.8:0.2:0.05（=2mdbtbpdbq-ii:pcbbif:[ir（tbuppm）2（acac）]）而形成的20nm厚的層。（發(fā)光元件14）在發(fā)光元件14中，通過2mdbtbpdbq-ii、pcbif和[ir（tbuppm）2（acac）]的共蒸鍍，在空穴傳輸層1112上形成發(fā)光層1113。在此，層疊將2mdbtbpdbq-ii、pcbif和[ir（tbuppm）2（acac）]的重量比調(diào)節(jié)為0.7:0.3:0.05（=2mdbtbpdbq-ii:pcbif:[ir（tbuppm）2（acac）]）而形成的20nm厚的層與將該重量比調(diào)節(jié)為0.8:0.2:0.05（=2mdbtbpdbq-ii:pcbif:[ir（tbuppm）2（acac）]）而形成的20nm厚的層。（發(fā)光元件15）在發(fā)光元件15中，通過2mdbtbpdbq-ii、pcbisf和[ir（tbuppm）2（acac）]的共蒸鍍，在空穴傳輸層1112上形成發(fā)光層1113。在此，層疊將2mdbtbpdbq-ii、pcbisf和[ir（tbuppm）2（acac）]的重量比調(diào)節(jié)為0.7:0.3:0.05（=2mdbtbpdbq-ii:pcbisf:[ir（tbuppm）2（acac）]）而形成的20nm厚的層與將該重量比調(diào)節(jié)為0.8:0.2:0.05（=2mdbtbpdbq-ii:pcbisf:[ir（tbuppm）2（acac）]）而形成的20nm厚的層。（比較發(fā)光元件16）在比較發(fā)光元件16中，通過2mdbtbpdbq-ii、pcasf和[ir（tbuppm）2（acac）]的共蒸鍍，在空穴傳輸層1112上形成發(fā)光層1113。在此，層疊將2mdbtbpdbq-ii、pcasf和[ir（tbuppm）2（acac）]的重量比調(diào)節(jié)為0.7:0.3:0.05（=2mdbtbpdbq-ii:pcasf:[ir（tbuppm）2（acac）]）而形成的20nm厚的層與將該重量比調(diào)節(jié)為0.8:0.2:0.05（=2mdbtbpdbq-ii:pcasf:[ir（tbuppm）2（acac）]）而形成的20nm厚的層。而且，在本實(shí)施例的發(fā)光元件13、發(fā)光元件14、發(fā)光元件15及比較發(fā)光元件16的每一個(gè)中，在發(fā)光層1113上以形成10nm厚的2mdbtbpdbq-ii的膜并形成15nm厚的bphen的膜的方式形成電子傳輸層1114。表11示出在本實(shí)施例中如上所述那樣地得到的發(fā)光元件的元件結(jié)構(gòu)。[表11]在包含氮?dú)夥盏氖痔紫渲惺褂貌Ａбr底分別密封發(fā)光元件13、發(fā)光元件14、發(fā)光元件15以及比較發(fā)光元件16以不使各發(fā)光元件暴露于大氣，然后，測量這些發(fā)光元件的工作特性。注意，該測量在室溫（在保持為25℃的氣氛中）下進(jìn)行。圖35示出本實(shí)施例中的發(fā)光元件的亮度-電流效率特性。在圖35中，橫軸表示亮度（cd/m2）且縱軸表示電流效率（cd/a）。圖36示出電壓-亮度特性。在圖36中，橫軸表示電壓（v）且縱軸表示亮度（cd/m2）。圖37示出亮度-外部量子效率特性。在圖37中，橫軸表示亮度（cd/m2）且縱軸表示外部量子效率（%）。表12表示亮度在1000cd/m2附近時(shí)的各發(fā)光元件中的電壓（v）、電流密度（ma/cm2）、cie色度坐標(biāo)（x，y）、電流效率（cd/a）、功率效率（lm/w）、外部量子效率（%）。[表12]如表12所示，亮度為860cd/m2時(shí)的發(fā)光元件13的cie色度坐標(biāo)為（x，y）=（0.41，0.58）。亮度為970cd/m2時(shí)的發(fā)光元件14的cie色度坐標(biāo)為（x，y）=（0.41，0.58）。亮度為1000cd/m2時(shí)的發(fā)光元件15的cie色度坐標(biāo)為（x，y）=（0.42，0.57）。亮度為1100cd/m2時(shí)的比較發(fā)光元件16的cie色度坐標(biāo)為（x，y）=（0.42，0.57）。可知從本實(shí)施例的發(fā)光元件得到了來源于[ir（tbuppm）2（acac）]的黃綠色發(fā)光。圖35至圖37以及表12示出發(fā)光元件13、發(fā)光元件14、發(fā)光元件15以及比較發(fā)光元件16可以各以低電壓驅(qū)動，并具有高電流效率、高功率效率及高外部量子效率的發(fā)光元件。接著，對發(fā)光元件13、發(fā)光元件14、發(fā)光元件15以及比較發(fā)光元件16執(zhí)行可靠性測試。圖38示出可靠性測試的結(jié)果。在圖38中，縱軸表示100%的初始亮度下的歸一化亮度（%），橫軸表示元件的驅(qū)動時(shí)間（h）。在該可靠性測試中，在將初始亮度設(shè)定為5000cd/m2并且電流密度為恒定的條件下在室溫下驅(qū)動本實(shí)施例的發(fā)光元件。圖38示出發(fā)光元件13在經(jīng)過520小時(shí)后保持初始亮度的90%，發(fā)光元件14在經(jīng)過600小時(shí)后保持初始亮度的84%，發(fā)光元件15在經(jīng)過520小時(shí)后保持初始亮度的85%，并且比較發(fā)光元件16在經(jīng)過600小時(shí)后的亮度低于初始亮度的75%。該可靠性測試的結(jié)果示出發(fā)光元件13、發(fā)光元件14及發(fā)光元件15具有比比較發(fā)光元件16更長的使用壽命。如上所述，雖然發(fā)光元件15在經(jīng)過520小時(shí)后保持初始亮度的85%，但是比較發(fā)光元件16在經(jīng)過520小時(shí)后的亮度低于初始亮度的77%。在發(fā)光元件15中，發(fā)光層包含pcbisf，pcbisf具有螺芴基、聯(lián)苯基以及包括咔唑骨架的取代基。在比較發(fā)光元件16中，發(fā)光層包含pcasf，pcasf具有螺芴基、苯基以及包括咔唑骨架的取代基。就是說，發(fā)光元件15與比較發(fā)光元件16之間的唯一差異是包含在發(fā)光層中的叔胺的取代基是聯(lián)苯基還是苯基。在本發(fā)明的一個(gè)方式的發(fā)光元件15中使用的叔胺形成由苯基覆蓋反應(yīng)性高的苯胺骨架的苯基的4位的對聯(lián)苯胺骨架。因此可以實(shí)現(xiàn)可靠性高的發(fā)光元件。如上所述，可知根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方式可以得到顯示高發(fā)光效率的發(fā)光元件。還可知根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方式可以得到具有長使用壽命的發(fā)光元件。實(shí)施例7在本實(shí)施例中，將參照圖7說明本發(fā)明的一個(gè)方式的發(fā)光元件。下面示出在本實(shí)施例中使用的材料的化學(xué)式。注意，省略上面已示出的材料的化學(xué)式。[化學(xué)式28]下面將說明制造示出本實(shí)施例的發(fā)光元件17的方法。（發(fā)光元件17）首先，以與發(fā)光元件8同樣的方法在玻璃襯底1100上形成第一電極1101、空穴注入層1111以及空穴傳輸層1112。接著，通過4，6-雙[3-（9h-咔唑-9-基）苯基]嘧啶（簡稱：4，6mczp2pm）、pcbbif和[ir（tbuppm）2（acac）]的共蒸鍍，在空穴傳輸層1112上形成發(fā)光層1113。在此，層疊將4，6mczp2pm、pcbbif和[ir（tbuppm）2（acac）]的重量比調(diào)節(jié)為0.7:0.3:0.05（=4，6mczp2pm:pcbbif:[ir（tbuppm）2（acac）]）而形成的20nm厚的層與將該重量比調(diào)節(jié)為0.8:0.2:0.05（=4，6mczp2pm:pcbbif:[ir（tbuppm）2（acac）]而形成的20nm厚的層。接著，通過在發(fā)光層1113上以形成15nm厚的4，6mczp2pm的膜并形成10nm厚的bphen的膜的方式形成電子傳輸層1114。然后，在電子傳輸層1114上，通過蒸鍍形成1nm的厚度的蒸鍍lif的膜,由此形成電子注入層1115。最后，通過蒸鍍使鋁沉積成200nm的厚度以形成用作陰極的第二電極1103。由此制造本實(shí)施例的發(fā)光元件17。注意，在所有上述蒸鍍步驟中，通過電阻加熱法進(jìn)行蒸鍍。表13示出在本實(shí)施例中如上所述那樣地得到的發(fā)光元件的元件結(jié)構(gòu)。[表13]在包含氮?dú)夥盏氖痔紫渲惺褂貌Ａбr底密封發(fā)光元件17以不使發(fā)光元件暴露于大氣，然后，測量這些發(fā)光元件的工作特性。注意，在室溫（在保持為25℃的氣氛中）下進(jìn)行。圖39示出本實(shí)施例中的發(fā)光元件的亮度-電流效率特性。在圖39中，橫軸表示亮度（cd/m2）且縱軸表示電流效率（cd/a）。圖40示出電壓-亮度特性。在圖40中，橫軸表示電壓（v）且縱軸表示亮度（cd/m2）。圖41示出亮度-外部量子效率特性。在圖41中，橫軸表示亮度（cd/m2）且縱軸表示外部量子效率（%）。表14表示亮度為760cd/m2時(shí)的發(fā)光元件17中的電壓（v）、電流密度（ma/cm2）、cie色度坐標(biāo)（x，y）、電流效率（cd/a）、功率效率（lm/w）、外部量子效率（%）。[表14]如表14所示，亮度為760cd/m2時(shí)的發(fā)光元件17的cie色度坐標(biāo)為（x，y）=（0.41，0.58）。可知從本實(shí)施例的發(fā)光元件得到了來源于[ir（tbuppm）2（acac）]的橙色發(fā)光。圖39至圖41以及表14示出發(fā)光元件17可以以低電壓驅(qū)動并具有高電流效率、高功率效率和高外部量子效率。接著，對發(fā)光元件17執(zhí)行可靠性測試。圖42示出可靠性測試的結(jié)果。在圖42中，縱軸表示100%的初始亮度下的歸一化亮度（%），橫軸表示元件的驅(qū)動時(shí)間（h）。在該可靠性測試中，在將初始亮度設(shè)定為5000cd/m2并且電流密度為恒定的條件下在室溫下驅(qū)動本實(shí)施例的發(fā)光元件。圖42示出發(fā)光元件17在經(jīng)過180小時(shí)后保持初始亮度的90%。如上所述，可知根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方式可以得到顯示高發(fā)光效率的發(fā)光元件。還可知根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方式可以得到具有長使用壽命的發(fā)光元件。參考例1將說明在實(shí)施例1、實(shí)施例2及實(shí)施例4中使用且由下述結(jié)構(gòu)式（128）表示的n-（1,1＇-聯(lián)苯-4-基）-n-[4-（9-苯基-9h-咔唑-3-基）苯基]-9,9-二甲基-9h-芴-2-胺（簡稱：pcbbif）的合成方法。[化學(xué)式29]<步驟1：n-（1,1＇-聯(lián)苯-4-基）-9,9-二甲基-n-苯基-9h-芴-2-胺的合成>（x-1）示出步驟1的合成方案。[化學(xué)式30]將45g（0.13mol）的n-（1,1＇-聯(lián)苯-4-基）-9,9-二甲基-9h-芴-2-胺、36g（0.38mol）的叔丁醇鈉、21g（0.13mol）的溴苯、500ml的甲苯放入1l三口燒瓶中。通過在進(jìn)行減壓的同時(shí)進(jìn)行攪拌，使該混合物脫氣，并且在脫氣之后，該燒瓶內(nèi)的氣氛換為氮。然后，添加0.8g（1.4mmol）的雙（二亞芐基丙酮）鈀（0）及12ml（5.9mmol）的三（叔丁基）膦（10wt%的己烷溶液）。在90℃的氮?dú)饬飨聰嚢柙摶旌衔?小時(shí)。然后，將該混合物冷卻到室溫，并通過抽濾分離固體。濃縮所得到的濾液以得到200ml左右的褐色液體。將該褐色液體與甲苯混合，并使用硅藻土（日本和光純藥工業(yè)株式會社制造，目錄號碼：531-16855（下面記載中的硅藻土也同樣，并重復(fù)記載））、氧化鋁、硅酸鎂（日本和光純藥工業(yè)株式會社制造，目錄號碼：540-00135。下面說明中的硅酸鎂也同樣，并重復(fù)記載）精制所得到的溶液。濃縮所得到的濾液以得到淡黃色液體。由己烷使該淡黃色液體再結(jié)晶，以95%的收率得到52g的目的物的淡黃色粉末。<步驟2：n-（1,1＇-聯(lián)苯-4-基）-n-（4-溴苯基）-9,9-二甲基-9h-芴-2-胺的合成>（x-2）示出步驟2的合成方案。[化學(xué)式31]將45g（0.10mol）的n-（1,1＇-聯(lián)苯-4-基）-9,9-二甲基-n-苯基-9h-芴-2-胺放入1l的錐形燒瓶中，通過在進(jìn)行加熱的同時(shí)進(jìn)行攪拌，溶解于225ml的甲苯中。在將該溶液冷卻到室溫之后，添加225ml的乙酸乙酯及18g（0.10mol）的n-溴代丁二酰亞胺（簡稱：nbs），并在室溫下攪拌混合物2.5小時(shí)。在攪拌之后，使用碳酸氫鈉的飽和水溶液對該混合物進(jìn)行洗滌三次，并使用食鹽的飽和水溶液對該混合物進(jìn)行洗滌一次。對所得到的有機(jī)層添加硫酸鎂，并將其放置2小時(shí)以使其干燥。對所得到的混合物進(jìn)行重力過濾以去除硫酸鎂，濃縮所得到的濾液以得到黃色液體?；旌显擖S色液體與甲苯，并使用硅藻土、氧化鋁及硅酸鎂精制該溶液。濃縮所得到的溶液以得到淡黃色固體。由甲苯/乙醇使該淡黃色固體再結(jié)晶，以89%的收率得到47g的目的物的白色粉末。<步驟3：pcbbif的合成>（x-3）示出步驟3的合成方案。[化學(xué)式32]將41g（80mmol）的n-（1,1＇-聯(lián)苯-4-基）-n-（4-溴苯基）-9,9-二甲基-9h-芴-2-胺以及25g（88mmol）的9-苯基-9h-咔唑-3-硼酸放入1l三口燒瓶中，添加240ml的甲苯、80ml的乙醇、120ml的碳酸鉀水溶液（2.0mol/l），通過在進(jìn)行減壓的同時(shí)進(jìn)行攪拌，使該混合物脫氣，并且在脫氣之后，該燒瓶內(nèi)的氣氛換為氮。而且，添加27mg（0.12mmol）的醋酸鈀（ⅱ）、154mg（0.5mmol）的三（鄰甲苯基）膦。通過在進(jìn)行減壓的同時(shí)進(jìn)行攪拌，再次使該混合物脫氣，在脫氣之后，該燒瓶內(nèi)的氣氛換為氮。在110℃的氮?dú)饬飨聰嚢柙摶旌衔?.5小時(shí)。在攪拌該混合物的同時(shí)將其冷卻到室溫之后，使用甲苯萃取該混合物的水層兩次。組合所得到的萃取液和有機(jī)層，使用水洗滌兩次并使用食鹽的飽和溶液洗滌兩次。對該溶液添加硫酸鎂，并將其放置以使其干燥。對該混合物進(jìn)行重力過濾以去除硫酸鎂，并濃縮所得到的濾液以得到褐色溶液。混合該褐色溶液和甲苯，并使用硅藻土、氧化鋁及硅酸鎂精制所得到的溶液。濃縮所得到的濾液以得到淡黃色固體。由乙酸乙酯/乙醇使該淡黃色固體再結(jié)晶，以88%的收集率得到46g的目的物的淡黃色粉末。通過梯度升華方法升華精制所獲得的38g的淡黃色粉末。在升華精制中，在氬氣流量為15ml/min的3.7pa的壓力下，以345℃的溫度加熱淡黃色粉末。在升華精制之后，以83%的收率得到31g的目的物的淡黃色固體。通過核磁共振（nmr）法確認(rèn)到該化合物為合成的目的物的n-（1,1＇-聯(lián)苯-4-基）-n-[4-（9-苯基-9h-咔唑-3-基）苯基]-9,9-二甲基-9h-芴-2-胺（簡稱：pcbbif）。下面示出所得到的淡黃色固體的1hnmr數(shù)據(jù)。1hnmr（cdcl3，500mhz）：δ=1.45（s，6h）、7.18（d，j=8.0hz，1h）、7.27-7.32（m，8h）、7.40-7.50（m，7h）、7.52-7.53（m，2h）、7.59-7.68（m，12h）、8.19（d，j=8.0hz，1h）、8.36（d，j=1.1hz，1h）。圖21a和圖21b示出1hnmr圖。注意，圖21b是放大圖21a中的6.00ppm至10.0ppm的范圍的圖。并且，圖22a示出pcbbif的甲苯溶液中的pcbbif的吸收光譜，圖22b示出其發(fā)射光譜。另外，圖23a示出pcbbif的薄膜的吸收光譜，圖23b示出其發(fā)射光譜。使用紫外可見分光光度計(jì)（v550型，由日本分光株式會社制造）測量。以將溶液放在石英皿中并通過蒸鍍將薄膜形成在石英襯底上的方式準(zhǔn)備樣品。這里示出溶液的吸收光譜通過從石英及溶液的吸收光譜減去石英和甲苯的吸收光譜獲得，并且薄膜的吸收光譜通過從石英襯底及薄膜的吸收光譜減去石英襯底的吸收光譜獲得。在圖22a和圖22b以及圖23a和圖23b中，橫軸表示波長（nm）且縱軸表示強(qiáng)度（任意單位）。在測量甲苯溶液的情況下，在350nm附近觀察到吸收峰值，且發(fā)光波長的峰值為401nm及420nm（在激發(fā)波長為360nm時(shí)）。在測量薄膜的情況下，在356nm附近觀察到吸收峰值，且發(fā)光波長的峰值為415nm及436nm（在激發(fā)波長為370nm時(shí)）。參考例2將說明在實(shí)施例1中使用的9,9-二甲基-n-[4-（1-萘基）苯基]-n-[4-（9-苯基-9h-咔唑-3-基）苯基]-9h-芴-2-胺（簡稱：pcbnbf）的合成方法。[化學(xué)式33]<步驟1：1-（4-溴苯基）萘的合成>（y-1）示出步驟1的合成方案。[化學(xué)式34]對3l三口燒瓶中添加47g（0.28mol）的1-萘硼酸及82g（0.29mol）的4-溴碘苯并添加750ml的甲苯及250ml的乙醇。通過在進(jìn)行減壓的同時(shí)進(jìn)行攪拌，使該混合物脫氣，在脫氣之后，該燒瓶內(nèi)的氣氛換為氮。對該溶液添加415ml的碳酸鉀水溶液（2.0mol/l）。通過在進(jìn)行減壓的同時(shí)進(jìn)行攪拌，再次使該混合物脫氣，在脫氣之后，該燒瓶內(nèi)的氣氛換為氮。并且，添加4.2g（14mmol）的三(鄰甲苯基)膦及0.7g（2.8mmol）的醋酸鈀（ⅱ）。在90℃的氮?dú)饬飨聰嚢柙摶旌衔?小時(shí)。在攪拌之后，將該混合物冷卻到室溫，利用甲苯萃取該混合物的水層三次。組合所得到的萃取液和有機(jī)層，使用水進(jìn)行洗滌兩次并使用食鹽的飽和水溶液進(jìn)行洗滌兩次。然后，添加硫酸鎂，并將該混合物放置18小時(shí)以使其干燥。對該混合物進(jìn)行重力過濾以去除硫酸鎂，并濃縮所得到的濾液以得到橙色液體。對該橙色液體添加500ml的己烷，并通過硅藻土及硅酸鎂精制所得到的溶液。濃縮所得到的濾液以得到無色液體。對該無色液體添加己烷，將該混合物放置在-10℃下，通過過濾分離析出的雜質(zhì)。濃縮所得到的濾液以得到無色液體。利用減壓下的蒸餾精制該無色液體，并利用硅膠柱層析法（展開溶劑：己烷）精制所得到的黃色液體，由此以72%的收率得到56g的目的物的無色液體。<步驟2：9,9-二甲基-n-（4-萘基）苯基-n-苯基-9h-芴-2-胺的合成>（y-2）示出步驟2的合成方案。[化學(xué)式35]將40g（0.14mol）的9,9-二甲基-n-苯基-9h-芴-2-胺、40g（0.42mol）的叔丁醇鈉以及2.8g（1.4mmol）的雙（二亞芐基丙酮）鈀（0）放入1l三口燒瓶中，并添加560ml含有44g的1-（4-溴苯基）萘（0.15mol）的甲苯溶液。通過在進(jìn)行減壓的同時(shí)進(jìn)行攪拌，使該混合物脫氣，并且在脫氣之后，該燒瓶內(nèi)的氣氛換為氮。然后，添加14ml（7.0mmol）的三（叔丁基）膦（10wt%己烷溶液），在110℃的氮?dú)饬飨聰嚢柙摶旌衔?小時(shí)。然后，將該混合物冷卻到室溫，利用抽濾分離固體。濃縮所得到的濾液來得到濃褐色液體?；旌显摑夂稚后w與甲苯，通過硅藻土、氧化鋁及硅酸鎂精制所得到的溶液。濃縮所得到的濾液以得到淡黃色液體。使用乙腈使該淡黃色液體再結(jié)晶，以78%的收率得到53g的目的物的淡黃色粉末。<步驟3：n-（4-溴苯基）-9,9-二甲基-n-[4-（1-萘基）苯基]-9h-芴-2-胺的合成>（y-3）示出步驟3的合成方案。[化學(xué)式36]對2l錐形燒瓶中添加59g（0.12mol）的9,9-二甲基-n-（4-萘基）苯基-n-苯基-9h-芴-2-胺及300ml的甲苯，在加熱的同時(shí)攪拌該混合物。在將所得到的溶液冷卻到室溫之后，添加300ml的乙酸乙酯，添加21g（0.12mol）的n-溴代琥珀酰亞胺（簡稱：nbs），并在室溫下攪拌2.5小時(shí)左右。對該混合物添加400ml的碳酸氫鈉的飽和水溶液，并在室溫下攪拌該混合物。對該混合物的有機(jī)層使用碳酸氫鈉飽和的水溶液洗滌兩次，使用食鹽飽和的水溶液洗滌兩次。然后，添加硫酸鎂并將該混合物放置2小時(shí)以使其干燥。在對該混合物進(jìn)行重力過濾以去除硫酸鎂之后，濃縮所得到的濾液以得到黃色液體。在將該液體溶解于甲苯中之后，通過硅藻土、氧化鋁及硅酸鎂精制該溶液以得到淡黃色固體。使用甲苯/乙腈將所得到的淡黃色固體再沉淀，以85%的收率得到56g的目的物的白色粉末。<步驟4：pcbnbf的合成>（y-4）示出步驟4的合成方案。[化學(xué)式37]將51g（90mmol）的n-（4-溴苯基）-9,9-二甲基-n-[4-（1-萘基）苯基]-9h-芴-2-胺、28g（95mmol）的9-苯基-9h-咔唑-3-硼酸、0.4mg（1.8mmol）的醋酸鈀（ⅱ）、1.4g（4.5mmol）的三（鄰甲苯基）膦、300ml的甲苯、100ml的乙醇以及135ml（2.0mol/l）的碳酸鉀水溶液放入1l三口燒瓶中。通過在進(jìn)行減壓的同時(shí)進(jìn)行攪拌，使該混合物脫氣，在脫氣之后，該燒瓶內(nèi)的氣氛換為氮。在90℃的氮?dú)饬飨聰嚢柙摶旌衔?.5小時(shí)。在攪拌之后，將該混合物冷卻到室溫，并利用抽濾回收固體。從所得到的水層與有機(jī)層的混合物萃取有機(jī)層并濃縮該有機(jī)層以得到褐色固體。使用甲苯/乙酸乙酯/乙醇使該褐色固體再結(jié)晶以得到目的物的白色粉末。將在攪拌之后回收的固體與通過再結(jié)晶得到的白色粉末溶解于甲苯，通過硅藻土、氧化鋁、硅酸鎂精制該溶液。濃縮所得到的溶液，利用甲苯/乙醇再結(jié)晶，以82%的收率得到54g的目的物的白色粉末。利用梯度升華方法升華精制所得到的51g的白色粉末。在升華精制中，在氬氣流量為15ml/min的3.7pa壓力下，以360℃加熱白色粉末。在升華精制之后，以38%的收集率得到19g的目的物的淡黃色固體。通過核磁共振（nmr）法確認(rèn)到該化合物是合成的目的物的9,9-二甲基-n-[4-（1-萘基）苯基]-n-[4-（9-苯基-9h-咔唑-3-基）苯基]-9h-芴-2-胺（簡稱：pcbnbf）。下面示出所得到的物質(zhì)的1hnmr數(shù)據(jù)。1hnmr（cdcl3,500mhz）：δ=1.50（s，6h），7.21（dd，j=8.0hz，1.6hz，1h），7.26-7.38（m，8h），7.41-7.44（m，5h），7.46-7.55（m，6h），7.59-7.69（m，9h），7.85（d，j=8.0hz，1h），7.91（dd，j=7.5hz，1.7hz，1h），8.07-8.09（m，1h），8.19（d，j=8.0hz，1h），8.37（d，j=1.7hz，1h）。參考例3將說明在實(shí)施例3中使用且由下述結(jié)構(gòu)式（119）表示的n-（1,1＇-聯(lián)苯-4-基）-n-[4-（9-苯基-9h-咔唑-3-基）苯基]-9,9＇-螺二[9h-芴]-2-胺（簡稱：pcbbisf）的合成方法。[化學(xué)式38]<步驟1：n-（1,1＇-聯(lián)苯-4-基）-n-苯基-9,9＇-螺二[9h-芴]-2-胺的合成>（z-1）示出步驟1的合成方案。[化學(xué)式39]將4.8g（12mmol）的2-溴-9,9-螺二[9h-芴]、3.0g（12mmol）的4-苯基-二苯基胺以及3.5g（37mmol）的叔丁醇鈉放入200ml三口燒瓶中，該燒瓶內(nèi)的氣氛換為氮。對該混合物添加60ml的脫水甲苯和0.2ml的三（叔丁基）膦（10%己烷溶液），通過在進(jìn)行減壓的同時(shí)進(jìn)行攪拌，使該混合物脫氣。對該混合物添加70mg（0.12mmol）的雙（二亞芐基丙酮）鈀（0），并在110℃的氮?dú)饬飨聰嚢杌旌衔?小時(shí)。在攪拌之后，對該混合物添加水，使用甲苯萃取水層。組合萃取液與有機(jī)層，并且使用食鹽的飽和溶液洗滌。使用硫酸鎂使有機(jī)層干燥。通過重力過濾分離該混合物，并濃縮濾液以得到固體。利用硅膠柱層析法精制該固體。在柱層析法中，使用甲苯:己烷=1:5，然后使用甲苯:己烷=1:3作為展開劑。濃縮所得到的餾分以得到固體。使用甲苯/乙酸乙酯使所得到的固體再結(jié)晶，以83%的收率得到5.7g的白色固體。<步驟2：n-（1,1＇-聯(lián)苯-4-基）-n-（4-溴苯基）-9,9＇-螺二[9h-芴]-2-胺的合成>（z-2）示出步驟2的合成方案。[化學(xué)式40]對100ml三口燒瓶中添加3.0g（5.4mmol）的n-（1,1＇-聯(lián)苯-4-基）-n-苯基-9,9＇-螺二[9h-芴]-2-胺、20ml的甲苯以及40ml的乙酸乙酯。對該溶液添加0.93g（5.2mmol）的n-溴代丁二酰亞胺（簡稱：nbs），并將該混合物攪拌25小時(shí)。在攪拌之后，使用水、碳酸氫鈉的飽和水溶液洗滌該混合物，然后使用硫酸鎂使有機(jī)層干燥。通過自然過濾分離該混合物，并濃縮濾液以得到固體。利用硅膠柱層析法精制該固體。在柱層析法中，使用己烷，然后使用甲苯:己烷=1:5作為展開劑，濃縮所得到的餾分以得到固體。使用乙酸乙酯/己烷使所得到的固體再結(jié)晶，以83%的收集率得到2.8g的白色固體。<步驟3：pcbbisf的合成>（z-3）示出步驟3的合成方案。[化學(xué)式41]將2.4g（3.8mmol）的n-（1,1＇-聯(lián)苯-4-基）-n-（4-溴苯基）-9,9＇-螺二[9h-芴]-2-胺、1.3g（4.5mmol）的9-苯基咔唑-3-硼酸、57mg（0.19mmol）的三(鄰甲苯基)膦以及1.2g（9.0mmol）的碳酸鉀放入200ml三口燒瓶中。對該混合物添加5ml的水、14ml的甲苯、7ml的乙醇，并在減壓下進(jìn)行攪拌，使該混合物脫氣。對該混合物添加8mg（0.038mmol）的醋酸鈀，并在90℃的氮?dú)饬飨聰嚢?.5小時(shí)。在攪拌之后，使用甲苯萃取所得到的混合物。組合所得到的萃取溶液與有機(jī)層并使用食鹽的飽和水溶液進(jìn)行洗滌，然后使用硫酸鎂進(jìn)行干燥。通過重力過濾分離該混合物，并濃縮濾液以得到固體。利用硅膠柱層析法精制該固體。在柱層析法中，使用甲苯:己烷=1:2，然后使用甲苯:己烷=2:3作為展開劑。濃縮所得到的餾分以得到固體。使用乙酸乙酯/己烷使所得到的固體再結(jié)晶，以94%的收率得到2.8g的目的物的白色固體。通過利用梯度升華方法升華精制所獲得的2.8g的固體。在升華精制中，在氬氣流量為5ml/min的2.9pa的壓力下，以336℃加熱淡黃色固體。在進(jìn)行升華精制之后，以35%的收率得到0.99g的目的物的淡黃色固體。通過核磁共振（nmr）法確認(rèn)到該化合物為合成的目的物的n-（1,1＇-聯(lián)苯-4-基）-n-[4-（9-苯基-9h-咔唑-3-基）苯基]-9,9＇-螺二[9h-芴]-2-胺（簡稱：pcbbisf）。下面示出所得淡黃色固體的1hnmr數(shù)據(jù)。1hnmr（cdcl3，500mhz）：δ=6.67-6.69（m，2h）、6.84（d，j1=7.5hz，2h）、7.04-7.11（m，5h）、7.13-7.17（m，3h）、7.28-7.45（m，12h）、7.46-7.53（m，5h）、7.57-7.64（m，5h）、7.74-7.77（m，4h）、8.17（d，j1=7.5hz，1h）、8.27（d，j1=1.5hz，1h）。圖24a和圖24b示出1hnmr圖。注意，圖24b是放大圖24a中的6.50ppm至8.50ppm的范圍的圖。并且，圖25a示出pcbbisf的甲苯溶液中的pcbbisf的吸收光譜，圖25b示出其發(fā)射光譜。另外，圖26a示出pcbbisf的薄膜的吸收光譜，圖26b示出其發(fā)射光譜。以與參考例1同樣的方法得到吸收光譜。在圖25a和圖25b以及圖26a和圖26b中，橫軸表示波長（nm）且縱軸表示強(qiáng)度（任意單位）。在測量甲苯溶液的情況下，在352nm附近觀察到吸收峰值，且發(fā)光波長的峰值為403nm（在激發(fā)波長為351nm時(shí)）。在測量薄膜的情況下，在357nm附近觀察到吸收峰值，且發(fā)光波長的峰值為424nm（在激發(fā)波長為378nm時(shí)）。附圖標(biāo)記說明201：第一電極；203：el層；203a：第一el層；203b：第二el層；205：第二電極；207：中間層；213：發(fā)光層；221：第一有機(jī)化合物；222：第二有機(jī)化合物；223：磷光化合物；301：空穴注入層；302：空穴傳輸層；303：發(fā)光層；304：電子傳輸層；305：電子注入層；306：電子注入緩沖層；307：電子中繼層；308：電荷產(chǎn)生區(qū)域；401：支撐襯底；403：發(fā)光元件；405：密封襯底；407：密封材料；409a：第一端子；409b：第二端子；411a：光提取結(jié)構(gòu)；411b：光提取結(jié)構(gòu)；413：平坦化層；415：空間；417：輔助布線；419：絕緣層；421：第一電極；423：el層；425：第二電極；501：支撐襯底；503：發(fā)光元件；505：密封襯底；507：密封材料；509：fpc；511：絕緣層；513：絕緣層；515：空間；517：布線；519：分隔壁；521：第一電極；523：el層；525：第二電極；531：黑矩陣；533：濾色片；535：保護(hù)層；541a：晶體管；541b：晶體管；542：晶體管；543：晶體管；551：發(fā)光部；552：驅(qū)動電路部；553：驅(qū)動電路部；1100：玻璃襯底；1101：第一電極；1103：第二電極；1111：空穴注入層；1112：空穴傳輸層；1113：發(fā)光層；1114：電子傳輸層；1115：電子注入層；7100：電視裝置；7101：框體；7102：顯示部；7103：支架；7111：遙控器；7200：計(jì)算機(jī)；7201：主體；7202：框體；7203：顯示部；7204：鍵盤；7205：外部連接端口；7206：指向裝置；7300：便攜式游戲機(jī)；7301a：框體；7301b：框體；7302：連接部；7303a：顯示部；7303b：顯示部；7304：揚(yáng)聲器部；7305：記錄媒體插入部；7306：操作鍵；7307：連接端子；7308：傳感器；7400：移動電話機(jī)；7401：框體；7402：顯示部；7403：操作按鈕；7404：外部連接端口；7405：揚(yáng)聲器；7406：麥克風(fēng)；7500：平板終端；7501a：框體；7501b：框體；7502a：顯示部；7502b：顯示部；7503：軸部；7504：電源開關(guān)；7505：操作鍵；7506：揚(yáng)聲器；7601：照明部；7602：燈罩；7603：可調(diào)支架；7604：支柱；7605：底座；7606：電源開關(guān)；7701：燈；7702：燈；以及7703：臺式燈。本申請基于2012年8月3日提交到日本專利局的日本專利申請no.2012-172944以及2013年3月7日提交到日本專利局的日本專利申請no.2013-045127，通過引用將其完整內(nèi)容并入在此。當(dāng)前第1頁12當(dāng)前第1頁12