1.具有表面反型固定界面電荷的功率器件，該功率器件包括場氧層(4)和有源層(3)，場氧層(4)位于有源層(3)之上；其特征在于：場氧層(4)內(nèi)還設(shè)有變摻雜的固定界面電荷區(qū)(12)；固定電荷區(qū)的電荷極性與有源層(3)離子所屬的極性相反；固定界面電荷區(qū)(12)位于場氧層(4)的下部，并與場氧層(4)的下表面即場氧層(4)和有源層(3)的交界面相接觸。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述具有表面反型固定界面電荷的功率器件，其特征在于：固定界面電荷區(qū)(12)在橫向延伸方向上呈連續(xù)設(shè)置或呈間斷設(shè)置。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述具有表面反型固定界面電荷的功率器件，其特征在于：固定界面電荷區(qū)(12)為橫向變摻雜的固定界面電荷區(qū)(12)。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述具有表面反型固定界面電荷的功率器件，其特征在于：固定界面電荷區(qū)(12)的面電荷密度在橫向方向上逐漸變化。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述具有表面反型固定界面電荷的功率器件，其特征在于：有源層(3)的材質(zhì)為Si、SiC、GaAs、SiGe或GaN。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述具有表面反型固定界面電荷的功率器件，其特征在于：功率器件為橫向功率器件。