本發(fā)明涉及在基板處理中對基板的氣氛進行排氣的技術(shù)。

背景技術(shù)：

在作為半導(dǎo)體制造工序之一的蝕刻工序中，進行在半導(dǎo)體晶片(以下稱為“晶片”)的表面涂敷抗蝕劑等的各涂敷液的涂敷處理。例如抗蝕劑涂敷裝置使用以包圍作為基板的保持部的旋轉(zhuǎn)卡盤的周圍的方式設(shè)置有杯體的杯體組件，對旋轉(zhuǎn)卡盤上的晶片滴下抗蝕劑液等的涂敷液，使晶片旋轉(zhuǎn)，從而在其整個面形成涂敷膜。這時，從晶片甩落的抗蝕劑液與杯體的壁面碰撞時，抗蝕劑液變成細小的顆粒(霧)，霧附著于晶片而造成污染。因此，在杯體連接有排氣管，進行對晶片的周圍的氣氛的排氣，抑制由霧造成的污染。并且，例如將分別與多個杯體連接的獨立排氣管連接到成為匯聚管的共用排氣通路，通過工廠能力對共用排氣通路進行排氣，由此進行各杯體的排氣。

但是，當(dāng)杯體的排氣流量減少時，霧沒有被充分地排氣而有可能附著在晶片。因此優(yōu)選對與杯體連接的獨立排氣管的排氣流量進行監(jiān)視，在獨立排氣管設(shè)置流量計是比較困難的，在獨立排氣管設(shè)置壓力測定部來測定排氣壓力，由此間接地監(jiān)視排氣流量。例如，當(dāng)排氣壓力的測定值上升時，利用設(shè)置在獨立排氣管的排氣調(diào)節(jié)風(fēng)門減小排氣通路的阻抗，使排氣流量穩(wěn)定。

但是，獨立排氣管的排氣壓力不僅因工廠能力的增減而變動，而且因霧附著于每個杯體組件的獨立排氣通路(杯內(nèi)或者獨立排氣管)導(dǎo)致的堵塞等而發(fā)生變動。因此，當(dāng)在杯體內(nèi)發(fā)生了堵塞時，排氣壓力的測定值與工廠能力增加的情況同樣地變高，而排氣調(diào)節(jié)風(fēng)門向減小排氣通路的阻抗的方向作用，導(dǎo)致排氣流量的不足，擔(dān)心不能充分地實現(xiàn)防止基板的污染。

專利文獻1中記載有，測定分別設(shè)置在多個加熱裝置的獨立排氣管的壓力，并且在獨立排氣管匯合的主排氣管設(shè)置壓力計的構(gòu)成，檢測加熱裝置的排氣系統(tǒng)的異常的技術(shù)。但是，關(guān)于區(qū)別加熱裝置中的排氣的異常的要因的方法沒有記載。

現(xiàn)有技術(shù)文獻

專利文獻

專利文獻1：日本特開2000-260680號公報

技術(shù)實現(xiàn)要素：

發(fā)明想要解決的技術(shù)問題

本發(fā)明鑒于上述的情況而完成，其目的在于提供在通過共用的排氣通路對產(chǎn)生包含附著成分的氣氛的多個基板處理部的氣氛進行排氣時，能夠可靠地檢測每個基板處理部的獨立排氣通路的異常的技術(shù)。

本發(fā)明的基板處理裝置的特征在于，包括：多個基板處理部，其進行產(chǎn)生包含附著成分的氣氛的基板處理；分別設(shè)置在上述多個基板處理部的、用于對該基板處理部中的基板的氣氛進行排氣的獨立排氣通路；匯合各個上述獨立排氣通路，并且通過排氣能力設(shè)備排氣的共用排氣通路；設(shè)置在各個上述獨立排氣通路的、用于測定上述獨立排氣通路的排氣壓力的第一壓力測定部；設(shè)置在上述共用排氣通路的、用于測定該共用排氣通路的排氣壓力的第二壓力測定部；和基于上述第一壓力測定部的測定值與第一容許壓力范圍的比較結(jié)果和上述第二壓力測定部的測定值與第二容許壓力范圍的比較結(jié)果，檢測獨立排氣通路中的異常的異常檢測部。

本發(fā)明的基板處理方法，其特征在于，包括：由基板處理部進行產(chǎn)生包含附著成分的氣氛的基板處理的步驟；由獨立排氣通路和共用排氣通路對基板處理部的氣氛進行排氣的步驟，其中，上述獨立排氣通路分別設(shè)置在上述多個基板處理部，用于對該基板處理部中的基板的氣氛進行排氣，上述共用排氣通路匯合各個上述獨立排氣通路，并且通過排氣能力設(shè)備進行排氣；由分別設(shè)置在上述獨立排氣通路的第一壓力測定部測定上述獨立排氣通路的排氣壓力的步驟；由設(shè)置在所述共用排氣通路的第二壓力測定部測定在共用排氣通路流通的排氣的排氣壓力的步驟；和基于各個第一壓力測定部的測定值與第一容許壓力范圍的比較結(jié)果和第二壓力測定部的測定值與第二容許壓力范圍的比較結(jié)果，檢測獨立排氣通路中的異常的步驟。

本發(fā)明的存儲介質(zhì)，其存儲有在基板處理裝置中使用的計算機程序，上述基板處理裝置包括：分別設(shè)置在多個基板處理部的、用于對該基板處理部中的基板的氣氛進行排氣的獨立排氣通路，其中，上述多個基板處理部進行產(chǎn)生包含附著成分的氣氛的基板處理；和匯合各個上述獨立排氣通路，并且通過排氣能力設(shè)備排氣的共用排氣通路特征在于：上述計算機程序以執(zhí)行上述基板處理方法的方式組合有步驟組。

發(fā)明效果

本發(fā)明在通過利用排氣能力設(shè)備排氣的排氣通路，對進行產(chǎn)生包含附著成分的氣氛的基板處理的多個基板處理部排氣時，測定每個基板處理部的獨立排氣通路的排氣壓力與共用排氣通路的排氣壓力，并且比較各測定值與對應(yīng)的容許壓力范圍。因此，能夠可靠地檢測出獨立排氣通路中的附著物的堵塞等的異常。此外，作為獨立排氣通路，是形成對基板處理部的氣氛進行排氣的流路的部位，例如在進行液處理的杯體組件的情況下，包括杯體內(nèi)的流路和與該杯體連接的獨立排氣管。

附圖說明

圖1是表示抗蝕劑涂敷裝置的構(gòu)成的圖。

圖2是表示抗蝕劑涂敷單元的縱截面圖。

圖3是表示本發(fā)明的實施方式的設(shè)置在抗蝕劑涂敷裝置的控制部的構(gòu)成圖。

圖4是表示存儲在存儲部的異常模式的檢測圖案的說明圖。

圖5是表示處理液的噴出、排氣調(diào)節(jié)風(fēng)門的狀態(tài)、第一壓力測定部和第二壓力測定部的壓力測定值的時序圖的說明圖。

圖6是表示本發(fā)明的實施方式的排氣裝置的作用的說明圖。

圖7是表示本發(fā)明的實施方式的排氣裝置的作用的說明圖。

圖8是表示處理液的噴出、排氣調(diào)節(jié)風(fēng)門的狀態(tài)、第一壓力測定部和第二壓力測定部的壓力測定值的時序圖的說明圖。

圖9是表示本發(fā)明的實施方式的排氣裝置的作用的說明圖。

圖10是表示處理液的噴出、排氣調(diào)節(jié)風(fēng)門的狀態(tài)、第一壓力測定部和第二壓力測定部的壓力測定值的時序圖的說明圖。

圖11是表示根據(jù)第一和第二壓力測定部的壓力測定值區(qū)別壓力變動要因的說明圖。

附圖標(biāo)記說明

5a～5d第一壓力測定部

6第二壓力測定部

9控制部

10a～10d抗蝕劑涂敷單元

11旋轉(zhuǎn)卡盤

20杯體

28排氣管

50a～50d獨立排氣管

52a～52d排氣調(diào)節(jié)風(fēng)門

60共用排氣管

w晶片。

具體實施方式

說明將本發(fā)明的實施方式的基板處理裝置應(yīng)用于具有抗蝕劑涂敷單元10a～10d的抗蝕劑涂敷裝置的實施方式，其中，上述抗蝕劑涂敷單元10a～10d為通過旋轉(zhuǎn)涂敷對晶片w涂敷作為涂敷液的抗蝕劑液的基板處理部。本實施方式的抗蝕劑涂敷裝置，如圖1所示，對多個抗蝕劑涂敷單元10a～10d的各個連接共用的排氣部1而構(gòu)成，這里，為了方便，構(gòu)成為具有4臺抗蝕劑涂敷單元10a～10d。各個抗蝕劑涂敷單元10a～10d分別形成為同樣的構(gòu)成，在此，以抗蝕劑涂敷單元10a為例進行說明。

如圖2所示，抗蝕劑涂敷單元10a具有作為基板保持部的旋轉(zhuǎn)卡盤11，該旋轉(zhuǎn)卡盤11通過對晶片w的背面中央部真空吸附，來將該晶片w保持為水平。該旋轉(zhuǎn)卡盤11從下方經(jīng)由軸部12與旋轉(zhuǎn)機構(gòu)13連接，通過該旋轉(zhuǎn)機構(gòu)13繞鉛垂軸旋轉(zhuǎn)。

在旋轉(zhuǎn)卡盤11的下方側(cè)，以隔著間隙包圍軸部12的方式設(shè)置有圓形板14。另外，在圓形板14的周向上形成3個貫通孔17，在各個貫通孔17中設(shè)置有升降銷15。在這些升降銷15的下方，設(shè)置共用的升降板18，升降銷15構(gòu)成為利用設(shè)置在升降板18的下方的升降機構(gòu)16能夠自由地升降。

另外，以包圍旋轉(zhuǎn)卡盤11的方式設(shè)置有杯體20。旋轉(zhuǎn)卡盤11、軸部12以及旋轉(zhuǎn)機構(gòu)13和杯體20構(gòu)成杯組件。杯體20以擋住從旋轉(zhuǎn)的晶片w飛散、灑落的排液、并將該排液排除到抗蝕劑涂敷裝置外的方式構(gòu)成。杯體20在上述圓形板14的周圍具有設(shè)置為截面形狀為山型的環(huán)狀的山型引導(dǎo)部21，以從山型引導(dǎo)部21的外周端向下方延伸的方式設(shè)置有環(huán)狀的垂直壁23。山型引導(dǎo)部21將從晶片w灑落的液向晶片w的外側(cè)下方引導(dǎo)。

另外，以包圍山型引導(dǎo)部21的外側(cè)的方式設(shè)置有垂直的筒狀部22、和從該筒狀部22的上緣向內(nèi)側(cè)上方傾斜地延伸的上側(cè)引導(dǎo)部24。在上側(cè)引導(dǎo)部24在周向上設(shè)置有多個開口部25。另外，以從上側(cè)引導(dǎo)部24的基端側(cè)周緣向上方延伸的方式設(shè)置有筒狀部31，以從該筒狀部31的上緣向內(nèi)側(cè)上方伸出的方式設(shè)置有傾斜壁32。另外，筒狀部22的下方側(cè)，在山型引導(dǎo)部21和垂直壁23的下方形成截面成為凹部型的環(huán)狀的液接收部26。該液接收部26中，在外周側(cè)連接有排液通路27。另外，在比液接收部26中的排液通路27靠內(nèi)周側(cè)，在從旋轉(zhuǎn)卡盤11看呈相互對稱的位置以從下方突入的形狀設(shè)置有2個排氣管28。

另外，如圖2所示，抗蝕劑涂敷單元10a具有用于對晶片w供給抗蝕劑液的抗蝕劑液噴嘴41。抗蝕劑液噴嘴41經(jīng)由抗蝕劑液供給管42與抗蝕劑液供給源43連接。

另外，抗蝕劑涂敷單元10a具有對晶片w供給用于稀釋抗蝕劑液的稀釋劑的稀釋劑噴嘴44。稀釋劑噴嘴44經(jīng)由稀釋劑供給管45與稀釋劑供給源46連接。另外，抗蝕劑涂敷單元10a具有溶劑噴嘴47，其噴出用于除去形成在晶片w的周緣的抗蝕劑膜的溶劑。溶劑噴嘴47經(jīng)由溶劑供給管48與溶劑供給源49連接。另外抗蝕劑涂敷單元10a具有背面?zhèn)葲_洗噴嘴40，其向被保持在旋轉(zhuǎn)卡盤11的晶片w的背面供給例如純水等的沖洗液。背面?zhèn)葲_洗噴嘴40與未圖示的沖洗液供給部連接，以向晶片w的背面供給沖洗液的方式構(gòu)成。

接著，關(guān)于與已述的抗蝕劑涂敷單元10a～10d連接的排氣部1進行說明。如圖1所示，排氣部1包括例如分別與抗蝕劑涂敷單元10a～10d獨立地連接的獨立排氣管50a～50d；和匯合從獨立排氣管50a～50d排出的排氣的共用排氣管60。

獨立排氣管50a～50d分別同樣地構(gòu)成，這里以與抗蝕劑涂敷單元10a連接的獨立排氣管50a為例進行說明。此外，在圖1中的各獨立排氣管50a～50d中，對于與獨立排氣管50a中的各部對應(yīng)的部分，使用與在獨立排氣管50a的說明中所使用的數(shù)字相同的數(shù)字，并且代替a而分別標(biāo)注b、c、d來表示。

獨立排氣管50a在水平方向上延伸，構(gòu)成為一端側(cè)分支為2支的分支路51a。各分支路51a分別彎曲為圓弧狀，在各分支路51a的端部，從上方側(cè)分別連接抗蝕劑涂敷單元10a中的2個排氣管28之中的對應(yīng)的排氣管28。

以抗蝕劑涂敷單元10a側(cè)為上游側(cè)時，在比獨立排氣管50a的分支路51a的分支位置靠下游側(cè)設(shè)置有第一壓力測定部5a，用于測定在獨立排氣管50a內(nèi)流通的排氣的壓力。另外，在獨立排氣管50a的第一壓力測定部5a的下游側(cè)，設(shè)置有成為排氣量調(diào)整部的排氣調(diào)節(jié)風(fēng)門52a。此外，杯體20中的從晶片w的周圍流通到排氣管28的流路、排氣管28和獨立排氣管50a相當(dāng)于獨立排氣通路。

排氣調(diào)節(jié)風(fēng)門52a具有引入獨立排氣管50a的外部的氣氛的開口部53，例如通過調(diào)整設(shè)置在開口部53的蓋部54相對開口部53的角度，來調(diào)整開口部53的開度，并且調(diào)整流入到獨立排氣管50a的外部氣氛的流量。并且，從開口部53引入外部氣氛時的壓力損失比經(jīng)由分支路51a從杯體20內(nèi)引入排氣時的壓力損失小。因此，通過增大開口部53的開口度，增加從開口部53引入的外部氣氛的流量，減少從杯體20內(nèi)引入的排氣的流量。另外，通過增大開口部53的開口度，減少獨立排氣管50a中的整體的壓力損失，因此獨立排氣管50a中的排氣的壓力下降。

并且，為了按各排氣調(diào)節(jié)風(fēng)門52a～52d的每一個調(diào)整開口部53的開度而設(shè)置有控制器，其取得對應(yīng)的第一壓力測定部(5a～5d)的測定值，對各排氣調(diào)節(jié)風(fēng)門52a～52d的執(zhí)行器輸出控制信號。通過該控制器，第一壓力測定部5a中的壓力測定值，例如在比抗蝕劑處理工藝中的壓力設(shè)定值高的情況下，或者比壓力設(shè)定值低的情況下，調(diào)整排氣調(diào)節(jié)風(fēng)門52a的開度，將排氣壓力調(diào)整為一定。具體而言，在第一壓力測定部5a中的壓力測定值比壓力設(shè)定值高時，提高排氣調(diào)節(jié)風(fēng)門52a的開口部53的開度。由此，從杯體20a流入到獨立排氣管50a中的排氣減少，在獨立排氣管50a中流通的排氣的壓力損失變小，壓力下降。另外，在第一壓力測定部5a中的壓力測定值低于壓力設(shè)定值的情況下，降低排氣調(diào)節(jié)風(fēng)門52a的開口部53的開度。由此，增加從杯體20a流入獨立排氣管50a中的排氣，在獨立排氣管50a中流通的排氣的壓力損失變大，壓力上升。像這樣，以從抗蝕劑涂敷單元10a的杯體20側(cè)引入的排氣的壓力成為一定的方式進行調(diào)整，并且以從抗蝕劑涂敷單元10a側(cè)引入的排氣的流量成為一定的方式進行控制。

作為排氣模式，在該例中，設(shè)定對基板進行規(guī)定的處理時的強排氣模式和由比該強排氣模式時的排氣量少的排氣量進行排氣的弱排氣模式。強排氣模式設(shè)定在晶片w上的涂敷液由于晶片w的旋轉(zhuǎn)而飛散到周圍從而產(chǎn)生霧的時間段中，弱排氣模式設(shè)定在除此以外的時間段(也包括晶片w沒有被載置在旋轉(zhuǎn)卡盤上的時間段)中。排氣模式的切換通過從后述的控制部9對已述的控制器輸出與各模式對應(yīng)的壓力設(shè)定值來進行。即，在設(shè)定了與強排氣模式對應(yīng)的壓力設(shè)定值時，以排氣調(diào)節(jié)風(fēng)門52a～52d的開度變大的方式設(shè)定調(diào)節(jié)風(fēng)門位置，當(dāng)設(shè)定了與弱排氣模式對應(yīng)的壓力設(shè)定值時，以使排氣調(diào)節(jié)風(fēng)門52a～52d的開度比上述開度小的方式設(shè)定調(diào)節(jié)風(fēng)門位置。以下，將強排氣模式稱為“處理排氣”，將弱排氣模式稱為“空閑排氣”來進行說明。

并且，在各排氣調(diào)節(jié)風(fēng)門52a～52d設(shè)置有未圖示的開閉傳感器，其用于判斷排氣調(diào)節(jié)風(fēng)門52a～52d的開口部53的開度為強排氣模式(處理排氣)的開度還是弱排氣模式(空閑排氣)的開度，對后述的控制部9發(fā)送其開度為處理排氣時的開度、空閑排氣時的開度中的哪一個的信息信號。

各獨立排氣管50a～50d在排氣調(diào)節(jié)風(fēng)門52a～52d的下游匯合到一個共用的共用排氣管60，共用排氣管60的下游與整個工廠的排氣能力設(shè)備(以下稱為“工廠能力”)連接。在共用排氣管60設(shè)置有第二壓力測定部6，其測定在共用排氣管60中流通的排氣的排氣壓力。此外，圖1中的61為用于開閉公共排氣管60的閘閥。

另外，基板處理裝置具有控制部9。如圖3所示，控制部9具有cpu91、程序92和存儲器93。此外，圖中90為母線。另外控制部9與第一壓力測定部5a～5d、第二壓力測定部6、各排氣調(diào)節(jié)風(fēng)門52a～52d連接。另外，在控制部9連接有報警器94和顯示部95。

存儲器93中存儲有決定處理排氣時的第一壓力測定部5a～5d的壓力測定值的第一容許壓力范圍的上限閾值和下限閾值、決定空閑排氣時的第一壓力測定部5a～5d的壓力測定值的第一容許壓力范圍的上限閾值和下限閾值。并且，存儲有決定第二壓力測定部6中的壓力測定值的第二壓力容許范圍上限閾值和下限閾值。此外，上限閾值和下限閾值例如可以設(shè)定為處理排氣時和空閑排氣時的壓力設(shè)定值分別成為在處理排氣時以及空閑排氣時的、上限閾值與下限閾值的平均值。

另外，在存儲部93中存儲有：變更排氣調(diào)節(jié)風(fēng)門52a～52d的開口部53的開度，從空閑排氣至切換為處理排氣時獨立排氣管50a～50d內(nèi)的排氣壓力穩(wěn)定的時間δtr；和從處理排氣至切換為空閑排氣時獨立排氣管50a～50d內(nèi)的排氣壓力穩(wěn)定時的時間δtf。

當(dāng)變更排氣調(diào)節(jié)風(fēng)門52a～52d的開度在空閑排氣與處理排氣之間進行切換時，在空閑排氣中的壓力與處理排氣中的壓力之間變化。因此，也包含了成為從空閑排氣中的壓力的上限閾值和下限閾值的范圍的壓力、處理排氣中的壓力的上限閾值和下限閾值的范圍的壓力的任意者偏離了的壓力的時間。因此，在空閑排氣與處理排氣之間切換時為了不進行不必要的警報器94的報警等，在空閑排氣與處理排氣之間切換之后，設(shè)定有停止一定時間監(jiān)視器的時間δtr和時間δtf。

程序92接收各排氣調(diào)節(jié)風(fēng)門52a～52d是在處理排氣時的狀態(tài)還是在空閑排氣時的狀態(tài)的信號，并且分別測定設(shè)置在各獨立排氣管50a～50d的第一壓力測定部5a的壓力測定值和第二壓力測定部的壓力測定值。然后，根據(jù)排氣調(diào)節(jié)風(fēng)門52a～52d是在處理排氣時的狀態(tài)還是在空閑排氣時的狀態(tài)，選擇讀取處理排氣時的第一壓力測定部5a～5d的壓力測定值的上限閾值和下限閾值、與空閑排氣時的第一壓力測定部5a～5d的壓力測定值的上限閾值和下限閾值。然后，監(jiān)視第一壓力測定部5a～5d的壓力測定值，并與該上限閾值和該下限閾值進行比較。因此，控制部9相當(dāng)于異常檢測部。并且，在第一壓力測定部5a～5d的壓力測定值超過上限閾值的情況下或者低于下限閾值的情況下，警報器94鳴響，在顯示部95中顯示測定到偏離了閾值的值的第一壓力測定部5a～5d是第一壓力測定部5a～5d的哪一個的信息、和超過上限閾值的主旨或者低于下限閾值的主旨。

另外，在處理排氣時與空閑排氣時的各自中，根據(jù)第一壓力測定部5a～5d的壓力測定值是正常排氣壓、超過上限閾值的排氣壓和低于下限閾值的排氣壓的哪一個，與第二壓力測定值6的壓力測定值是正常排氣壓、超過上限閾值的排氣壓和低于下限閾值的排氣壓的哪一個的組合，在顯示部95顯示推定的異常模式(或者是正常模式)的主旨。在該情況下，例如在存儲器93中存儲有如圖4所示的表，基于第一壓力測定部5a～5d的壓力測定值的傾向、與第二壓力測定部6的壓力測定值的傾向的組合，在顯示部95顯示對應(yīng)的異常模式的推測要因。

另外，比較第二壓力測定部6的壓力測定值與上限閾值和下限閾值，在第二壓力測定部6的壓力測定值超過上限閾值的情況下或者低于下限閾值的情況下，使警報器94鳴響，在顯示部95顯示在第二壓力測定部6中超過了上限閾值的主旨或者低于下限閾值的主旨。

接著，對本發(fā)明的試試方式的抗蝕劑涂敷裝置的作用進行說明，首先關(guān)于第一壓力測定部5a～5d和第二壓力測定部6中的壓力測定值的監(jiān)視方法，按照正常的排氣壓力的一系列的抗蝕劑涂敷處理進行說明。這里，以使用抗蝕劑涂敷單元10a，進行抗蝕劑涂敷處理的例子進行說明。

圖5是表示從上級在抗蝕劑涂敷裝置中的抗蝕劑涂敷處理，各種藥液的噴出的開關(guān)、排氣調(diào)節(jié)風(fēng)門52a是在處理排氣時的排氣與空閑排氣時的排氣的哪一個排氣狀態(tài)、第一壓力測定部5a的壓力測定值和第二壓力測定部6的壓力測定值的時間變化的時序圖。圖5中的第一壓力測定部5a的壓力測定值的曲線圖中，以實線表示的曲線圖表示正常的排氣壓力的第一壓力測定部5a的壓力測定值。

抗蝕劑涂敷裝置，在搬入晶片w前的時刻t0，打開排氣調(diào)節(jié)風(fēng)門52a，成為空閑排氣時的狀態(tài)。因此，在第一壓力測定部5a中，壓力測定值顯示較低的值。另外，從設(shè)置在排氣調(diào)節(jié)風(fēng)門52a的開閉傳感器向控制部9發(fā)送表示空閑排氣的狀態(tài)的開度的信號。由此，從存儲器93讀取與空閑排氣中的第一壓力測定部5a的壓力設(shè)定值的第一容許壓力范圍對應(yīng)的上限閾值p1h’和下限閾值p1l’，監(jiān)視第一壓力測定部5a中的壓力測定值是否成為上限閾值p1h’和下限閾值p1l’之間的排氣壓力、即正常的排氣壓力。并且，讀取第二壓力測定部6的壓力設(shè)定值的上限閾值p2h與下限閾值p2l，開始監(jiān)視第二壓力測定部6中的壓力測定值是否成為上限閾值p2h與下限閾值p2l之間的壓力即正常壓力。

接下來，利用例如外部的搬送裝置和升降銷15的協(xié)同作用，將晶片w交接到抗蝕劑涂敷單元10a的旋轉(zhuǎn)卡盤11。之后，例如在時刻t1減小排氣調(diào)節(jié)風(fēng)門52a的開度，增加來自杯體20側(cè)的排氣量，切換為處理排氣。這時由于獨立排氣管50a中的壓力損失上升，第一壓力測定部5a中的壓力測定值上升。另外，如上所述，在控制部9中，在從時刻t1起的時間δtr期間，停止第一壓力測定部5a的壓力測定值的監(jiān)視。

并且，排氣調(diào)節(jié)風(fēng)門52a切換為處理排氣時，讀取與處理排氣對應(yīng)的第一壓力測定部5a的壓力測定值的上限閾值p1h和下限閾值p1l。之后，在時刻t1+δtr，開始在第一壓力測定部5a中的排氣壓力的測定，監(jiān)視壓力測定值是否在第一容許范圍內(nèi)、即上限閾值p1h和下限閾值p1l的范圍內(nèi)。

接著，在壓力穩(wěn)定了的時刻t1+δtr以后的時刻t2，使旋轉(zhuǎn)卡盤11繞鉛垂軸旋轉(zhuǎn)的同時使稀釋劑噴嘴44位于晶片w的中心部的上方。之后，在進行了處理排氣時的排氣的狀態(tài)下，向晶片w供給稀釋劑。由此，晶片w的表面成為潤濕了的狀態(tài)。然后在晶片w的表面擴散了的稀釋劑通過離心力而甩落。

這里對從晶片w甩落了的稀釋劑的排氣進行說明。從晶片w甩落的稀釋劑被杯體20擋住，沿著杯體20的內(nèi)表面流入液接收部26。排氣管28設(shè)置成從液接收部26的下方突出，因此流入到液接收部26的液體的稀釋劑不流入排氣管28，而是從排液通路27被排液。然后，晶片w的氣氛以被除去了液體的稀釋劑后的狀態(tài)流入到排氣管28。但是，將稀釋劑供給到旋轉(zhuǎn)的晶片w，當(dāng)甩落了稀釋劑時，稀釋劑與杯體20碰撞，則稀釋劑變成霧。霧漂浮在氣氛中，與從排氣管28排氣的氣氛一起被排氣。

之后，停止稀釋劑的供給，使稀釋劑噴嘴44從晶片w的上方退避，接著使抗蝕劑液噴嘴41位于晶片w的中心部的上方。之后在繼續(xù)進行處理排氣的排氣的狀態(tài)下并且在維持晶片w的轉(zhuǎn)速的狀態(tài)下，開始抗蝕劑液的供給。由此，使抗蝕劑液在晶片w的表面擴散。另外，從晶片w甩落的抗蝕劑液與杯體20碰撞而成為霧，包含霧的氣氛從排氣管28被排氣。

之后，停止抗蝕劑液的供給，使抗蝕劑液噴嘴41從晶片w的上方退避，并且在維持晶片w的轉(zhuǎn)速的狀態(tài)下使溶劑噴嘴47位于晶片w的周緣。接著在時刻t3，增大排氣調(diào)節(jié)風(fēng)門52a的開口部53的開度，切換為空閑排氣時的排氣。這時，外部的氣氛經(jīng)由排氣調(diào)節(jié)風(fēng)門52a的開口部53流入，因此獨立排氣管50a中的壓力損失降低，第一壓力測定部5a中的壓力測定值降低。

另外，排氣調(diào)節(jié)風(fēng)門52a的開口部53的開度變大，從處理排氣的排氣切換為空閑排氣的排氣，因此在從時刻t3起的時間δtf的期間，排氣壓力過渡，所以不進行排氣壓力的監(jiān)視。然后切換排氣調(diào)節(jié)風(fēng)門52a的開口部53的開度，當(dāng)切換為空閑排氣的排氣時，讀取空閑排氣時的第一壓力測定部5a的壓力測定值的上限閾值p1h’和下限閾值p1l’。在之后的時刻t3+δtf，開始基于第一壓力測定部5a的排氣壓力的測定，監(jiān)視壓力測定值是否在空閑排氣時的第一壓力測定部5a的壓力測定值的上限閾值p1h’和下限閾值p1l’的范圍內(nèi)。

接著，在排氣壓力穩(wěn)定了的時刻t3+δtf以后的時刻t4，在維持晶片w的轉(zhuǎn)速的情況下，從溶劑噴嘴47向晶片w的周緣供給溶劑。另外，從背面?zhèn)葲_洗噴嘴40向晶片w的背面供給例如純水等的沖洗液。通過從溶劑噴嘴47向晶片w的周緣供給溶劑，溶解晶片w的周緣部的抗蝕劑膜而將其除去，通過從背面?zhèn)葲_洗噴嘴40供給沖洗液來清洗晶片w的背面。因為溶劑和沖洗液在被沖晶片w甩落而與杯體20碰撞時不會變成附著性的霧，因此從排液通路27被排液。之后，晶片w被交接給外部的搬送裝置而被搬出。

像這樣，監(jiān)視第一壓力測定部5a中的壓力測定值在從時刻t0到時刻t1的期間、以及在時刻t3+δtf以后，是否為空閑排氣時的從上限閾值p1h’至下限閾值p1l’之間的壓力，在從時刻t1+δtr值t3期間，是否為空閑排氣時的從上限閾值p1h至下限閾值p1l之間的排氣壓力。

另外，第二壓力測定部6的壓力測定值，無論是空閑排氣時還是處理排氣時，在涂敷處理期間，與上述同樣地是否為從上限閾值p2h至下限閾值p2l之間的排氣壓力。

接著，關(guān)于在上述的抗蝕劑涂敷處理中，第一壓力測定部5a的測定值發(fā)生變化的例子進行說明。例如在實施方式所示的抗蝕劑涂敷裝置中，例如有時發(fā)生抗蝕劑液的霧附著而堵塞獨立排氣管50a的情況。

這里，對在進行抗蝕劑液的供給之后，例如獨立排氣管50a的一個分支路51a的入口部分發(fā)生了堵塞的例子進行說明。圖5中的第一壓力測定部5a的壓力測定值的曲線圖中的虛線的曲線，表示獨立排氣管50a發(fā)生了堵塞的例子中的第一壓力測定部5a的壓力測定值的變化圖案。

在進行了抗蝕劑液的涂敷之后，如果在獨立排氣管50a的一個分支路51a發(fā)生了堵塞，則如圖6所示獨立排氣管50a的壓力損失上升，因此獨立排氣管50a內(nèi)的排氣壓力上升，因此，如圖5所示，例如在時刻ta，在第一壓力測定部5a中，所測定的壓力測定值超過處理時的上限閾值p1h。由此，在控制部9中，由于壓力測定值超過上限閾值p1h，報警器94報警，并且在顯示部95中顯示在該第一壓力測定部5a超過了上限閾值p1h的主旨。

另一方面，在共用排氣管60中，在一個獨立排氣管50a中發(fā)生堵塞壓力損失上升時，增加其它的正常地進行排氣的獨立排氣管50b～50d中的排氣流量，由此補償與壓力損失的上升相應(yīng)量的排氣流量。因此，在共用排氣管60中，作為整體，壓力損失沒有上升，在第二壓力測定部6中的壓力測定值也在第二容許壓力范圍內(nèi)(p2l～p2h)。

另外，在其它的正常地進行排氣的獨立排氣管50b～50d中，排氣流量變多，通過多個獨立排氣管50b～50d，補償一個獨立排氣管50a的壓力損失，因此，在其它的獨立排氣管50b～50d的各自中，排氣流量和排氣壓力不發(fā)生大的變化。

因此，在顯示部95中顯示第二壓力測定部6的壓力測定值為正常的主旨。另外，由于第一壓力測定部5a的測定結(jié)果為“上限閾值p1h以上”，第二壓力測定部6的測定結(jié)果為“正常”，控制部9根據(jù)圖4所示的表判斷為“獨立排氣通路的堵塞”并顯示該要因。另外，顯示設(shè)置在其它的獨立排氣管50b～50d中的第一壓力測定部5a的測定值為正常的主旨。

之后繼續(xù)進行處理時，在時刻t3以后，由于第一壓力測定部5a的測定結(jié)果是“上限閾值p1h’以上”，第二壓力測定部6的測定結(jié)果是“正?！?，所以控制部9判斷為“獨立排氣管50a”的堵塞。像這樣在獨立排氣管50a中的壓力損失上升的情況下，無論處理排氣時的排氣和空閑排氣時的排氣，第一壓力測定部5a中的壓力測定值表示為“上限閾值以上”，第二壓力測定部6中的壓力測定值表示為正常。另外，其它的第一壓力測定部5b～5c的壓力測定值表示為正常。

另外，例如在獨立排氣管50a～50d中發(fā)生漏泄，或者排氣調(diào)節(jié)風(fēng)門52a～52d發(fā)生堵塞、從開口部53發(fā)生排氣泄露(漏泄)的情況下，例如，如圖7中示意性地表示，該獨立排氣管50a中的壓力損失減少，且排氣壓力降低。因此在圖8中例如在時刻ta，如果發(fā)生這樣的情況，如虛線所示，第一壓力測定部5a的壓力測定值在處理排氣時比下限閾值p1l低，在空閑排氣時也比下限閾值p1l’低。此外，實線表示正常時的壓力測定值。

即使在一個獨立排氣管50a的壓力損失減少的情況下，通過其他的進行正常排氣的獨立排氣管50b～50d補償排氣流量。因此關(guān)于共用排氣管60中的排氣壓力和排氣流量，不發(fā)生變化，第二壓力測定部6的測定值收斂在上限閾值p2h與下限閾值p2l之間。另外，設(shè)置在其它正常的獨立排氣管50b～50d的第一壓力測定部5b～5d的壓力測定值也收斂在容許壓力范圍中。因此，在該情況下，第一壓力測定部5a的測定結(jié)果為“比容許壓力范圍低”，第二壓力測定部6的測定結(jié)果為“正?！保袛酁榘l(fā)生漏泄，例如各壓力測定結(jié)果表示“發(fā)生漏泄”以及發(fā)生了漏泄的獨立排氣通路(杯組件)，并且警報器94報警。

接著，對工廠能力發(fā)生了變動的情況進行敘述。不論在處理排氣時還是空閑排氣時，工廠能力的排氣壓力發(fā)生了變動的情況下，如圖9所示，例如工廠能力的排氣壓力上升了的情況下，共用排氣管60的排氣壓力上升。并且，工廠能力的排氣壓力的上升程度較大的情況下(比容許范圍大的情況)，第二壓力測定部6的測定結(jié)果為“超過上限閾值p2h”。此外，由于共用排氣管60中的排氣壓力上升，在處理排氣時，各獨立排氣管50a～50d中的排氣壓力分別上升，超過上限閾值p1h。另一方面，在空閑排氣時，在各獨立排氣管50a～50d中，從開放了的排氣調(diào)節(jié)風(fēng)門52a～52d流入的氣體的流量的變化量變大，因此壓力的變化量變小，例如收斂在容許壓力范圍中。

在圖10中，在時刻ta工廠能力大幅增加了的情況下，由虛線表示壓力測定值。在工廠能力大幅增加了的情況下，僅能夠以第二壓力測定部6的測定結(jié)果為“超過上限閾值p2h”這一信息進行判斷，例如顯示各壓力測定結(jié)果和“工廠能力增加”，并且警報器報警。

另外，在工廠能力的排氣壓力大幅減少的情況下，由于第二壓力測定部6的測定值低于下限閾值p2l，所以僅以該信息能夠檢測該現(xiàn)象，例如顯示各壓力測定結(jié)果和“工廠能力減少”，并且警報器報警。

圖11中，橫軸表示第一壓力測定部5a～5d中的壓力測定值，橫軸表示第二壓力測定部6的壓力測定值。圖11中的a表示處理排氣時的第一壓力測定值的第一容許壓力范圍和第二壓力測定值的第二容許壓力范圍，圖11中的b表示空閑排氣時的第一壓力測定值的第一容許壓力范圍和第二壓力測定值的第二容許壓力范圍。

以這樣的特性圖表示時，在獨立排氣管50a～50d中發(fā)生了堵塞的情況下，發(fā)生了堵塞的獨立排氣管50a～50d的第一壓力測定部5a～5d的測定值上升，第二壓力測定部中的壓力測定值幾乎不上升。因此在處理排氣時，第一壓力測定部5a～5d的壓力測定值和第二壓力測定部6的壓力測定值位于圖6的(1)的區(qū)域內(nèi)。另外，在空閑排氣時，第一壓力測定部5a～5d的壓力測定值和第二壓力測定部6的壓力測定值位于圖6的(5)的區(qū)域內(nèi)。另外，獨立排氣管50a～50d中的漏泄的發(fā)生，或者排氣調(diào)節(jié)風(fēng)門52a～52d中發(fā)生堵塞、并且從開口部53發(fā)生了排氣漏泄的情況下，在處理排氣中，第一壓力測定部5a～5d的測定值和第二壓力測定部6的測定值位于圖11中的(4)的區(qū)域內(nèi)。另外，在空閑排氣時，第一壓力測定部5a～5d的測定值和第二壓力測定部6的測定值位于圖11中的(8)的區(qū)域內(nèi)。

另外，在處理排氣時，工廠能力的排氣壓力發(fā)生了變動的情況下，例如工廠能力的排氣壓力上升了的情況系下，全部的第一壓力測定部5a～5d中的壓力測定值和第二壓力測定部6的壓力測定值分別上升。因此在處理排氣時，第一壓力測定部5a～5d的測定值和第二壓力測定部6的測定值位于圖11中的(2)的區(qū)域內(nèi)。另外，空閑時，成為圖11中的(6)的區(qū)域表示的值。并且，在工廠能力的排氣壓力下降的情況下，位于圖11中的(3)的區(qū)域內(nèi)，而空閑排氣時，位于圖11中的(7)的區(qū)域內(nèi)。

依據(jù)上述的實施方式，測定與抗蝕劑涂敷單元10a～10d分別連的獨立排氣管50a～50d的排氣壓力，并且各個獨立排氣管50a～5d匯合，測定通過排氣能力設(shè)備排氣的共用排氣管60的排氣壓力，比較各測定值與對應(yīng)的容許壓力范圍。因此，能夠可靠地檢測出包括獨立排氣管50a～50d的各獨立排氣通路中的附著物的堵塞等的異常。

另外，因為能夠可靠地檢測出獨立排氣通路的堵塞，所以根據(jù)排氣壓力調(diào)整了杯體20的排氣量時，不會發(fā)生流量變得過少。另外，也能夠進行獨立排氣通路中的漏泄的檢測，也能夠一并檢測出工廠排氣的增加、減少。

另外，也可以是進行抗蝕劑的涂敷、顯影處理中的基板的加熱處理的加熱裝置。在該情況下，例如有可能發(fā)生作為附著物質(zhì)產(chǎn)生了升華物，并附著在排氣管的情況，能夠可靠地檢測獨立排氣管50a～50d的排氣壓力的異常。

在上述的實施方式中，在顯示部95中顯示“獨立排氣通路的堵塞”等的不良狀況的要因，但也可以不進行要因的顯示，而顯示第一壓力測定部5a～5d和第二壓力測定部6的測定結(jié)果(容許范圍內(nèi)，偏離到容許范圍的上側(cè)或者下側(cè)的信息)。在該情況下，操作者能夠掌握不良情況的發(fā)生及其要因。另外，排氣調(diào)節(jié)風(fēng)門52a～52d為處理排氣的開度還是空閑排氣的開度的信息，例如可以根據(jù)用于實施抗蝕劑涂敷處理的一系列的步驟的處理方案進行判斷。

【實施例】

為了調(diào)查利用本發(fā)明，根據(jù)獨立排氣管50a～50d的堵塞發(fā)生了時的第一壓力測定部5a～5d的壓力測定值的變化與第二壓力測定部6中的壓力測定值的變化能不能區(qū)別，進行了以下的實驗。

使用實施方式所示的抗蝕劑涂敷裝置，將與4個抗蝕劑涂敷單元10a～10d連接的共計8個排氣管28之中的0個～8個密封，求取各個第一壓力測定部5a～5d和第二壓力測定部6的壓力測定值。

另外，將抗蝕劑涂敷單元10a中的2個排氣管28分別表示為排氣管a、b，將抗蝕劑涂敷單元10b中的2個排氣管28分別表示為c、b，將抗蝕劑涂敷單元10c中的2個排氣管28分別表示為排氣管e、f，將抗蝕劑涂敷單元10d中的2個排氣管28分別表示為排氣管g、h，求取將表1中表示的排氣管28分別密封進行了排氣時的、各第一壓力測定部5a和第二壓力測定部6中的壓力測定值。另外，降低獨立排氣管50a的排氣調(diào)節(jié)風(fēng)門52a的開度，設(shè)定為處理排氣時的排氣流量，在其它的獨立排氣管50b～50c中，在排氣調(diào)節(jié)風(fēng)門52b～52d中，增大開度設(shè)定為空閑排氣的排氣流量進行試驗。

表1中表示該結(jié)果，并且表示將表1所示的排氣管28分別密封了時的、各第一壓力測定部5a～5d和第二壓力測定部6中的壓力測定值。此外，表1中的f表示超過第一壓力測定部5a～5d中的最大測定值，不能測定。另外，標(biāo)注了一個*的數(shù)據(jù)表示密封了2個排氣管28中的一個的獨立排氣管50a～50d中的壓力測定值，標(biāo)注了兩個*的數(shù)據(jù)表示密封了2個排氣管28的兩者的獨立排氣管50a～50d中的壓力測定值。此外，關(guān)于超過了第一壓力測定部5a～5d中的最大測定值的情況不標(biāo)注*。

表1

如表1中的僅將排氣管h密封了的例子中的第一壓力測定部5d的壓力測定值、將排氣管f～h密封了的例子中的第一壓力測定部5c的壓力測定值、和將排氣管d～h密封了的例子中的第一壓力測定部5b的壓力測定值所示那樣，排氣管28中的一個密封時，與該排氣管28連接的獨立排氣管50b～50d的壓力測定值急劇上升，但其它的獨立排氣管50a～50d中的第一壓力測定部5a～5c和第二壓力測定部6的壓力測定值，與密封了的獨立排氣管50b～50d的排氣壓力比較，可知幾乎沒有變化。

另外，密封了排氣管g、h例子中的第一壓力測定部5d的壓力測定值、密封了排氣管e～h的例子中的第一壓力測定部5c的壓力測定值、和密封了排氣管c～h的例子中的第一壓力測定部5b的壓力測定值所示，當(dāng)2個排氣管28的兩者被密封時，設(shè)置在連接了該排氣管28的獨立排氣管50a～50d的第一壓力測定部5a～5d中的壓力測定值急劇上升。

因此，在排氣管28堵塞的情況下，與該排氣管28連接的獨立排氣管50a～50d中的第一壓力測定部5a～5d的壓力測定值上升，但第二壓力測定部6的測定值可以說幾乎不發(fā)生變化。這里認為是由于沒有發(fā)生堵塞的獨立排氣管50a～50d的排氣壓力上升，所以在共用排氣管60中的壓力損失幾乎沒有發(fā)生。