本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，特別是涉及一種功率晶體管，還涉及一種功率晶體管的制造方法。

背景技術(shù)：

現(xiàn)代電子電路由于使用環(huán)境和使用條件的特殊性，對(duì)功率半導(dǎo)體器件的可靠性要求越來(lái)越高。功率半導(dǎo)體器件(功率vdmos、功率igbt等)由于使用的需要，常常接在感性負(fù)載電路中。在器件關(guān)斷時(shí)，感性負(fù)載上的電感能夠產(chǎn)生負(fù)載電路所加電源電壓兩倍大小的電壓，加在器件的漏源極之間，使器件的漏源極之間承受很大的電流沖擊。當(dāng)漏極電壓增加且無(wú)法被夾斷時(shí)器件就進(jìn)入雪崩區(qū)，此時(shí)的漏-體二極管將產(chǎn)生電流載流子，所有的漏極電流(雪崩電流)將通過(guò)漏-體二極管并且受控于電感負(fù)載。如果流向體區(qū)的電流足夠大，它將導(dǎo)通寄生晶體管，使器件產(chǎn)生雪崩擊穿，器件可能被燒毀而永久失效。

因此，迫切需要增大器件的雪崩耐量(eas)，以使器件能工作在感性負(fù)載電路中。傳統(tǒng)的增大器件雪崩耐量的方法有：1.增大p阱注入劑量；2.n+注入后再一次進(jìn)行p+注入；3.增加元胞個(gè)數(shù)；4.接觸孔刻蝕后進(jìn)行p+注入。前兩種方法是通過(guò)減小體區(qū)電阻，使寄生npn晶體管的pn結(jié)兩端的電壓低于pn結(jié)的開(kāi)啟電壓而使寄生晶體管難以導(dǎo)通，從而消除雪崩擊穿。第三種方法是通過(guò)增大器件的工作電流，從而增大雪崩耐量。第四種方法是改善接觸電阻以增大雪崩耐量。但以上方法存在以下缺點(diǎn)：

1、增大p阱注入劑量雖然能增大雪崩耐量，但會(huì)增大開(kāi)啟電壓vth，更嚴(yán)重的是會(huì)增大導(dǎo)通電阻rdon，使器件的溫升增大，從而使器件的可靠性降低。

2、n+注入后再一次進(jìn)行p+注入也會(huì)增大開(kāi)啟電壓vth，并且增大導(dǎo)通電阻rdon，使器件的溫升增大，從而使器件的可靠性降低。原因是該次p+注入時(shí)注入的雜質(zhì)硼離子緊挨著器件的溝道，在后續(xù)的擴(kuò)散工藝中硼離子會(huì)擴(kuò)散到溝道中，從而增大開(kāi)啟電壓vth，并且增大導(dǎo)通電阻rdon。

3、增加元胞個(gè)數(shù)會(huì)使芯片的面積增大，從而增大制造成本。

4、接觸孔刻蝕后進(jìn)行p+注入雖然會(huì)改善器件中個(gè)別元胞接觸不良所引起的器件燒毀的情況，但由于一般而言接觸孔大小的有限性，通過(guò)接觸孔注入的p型雜質(zhì)的區(qū)域不夠大，對(duì)器件體區(qū)電阻rb的減小是有限的，使雪崩耐量的提高幅度不夠大，故這種方法提高器件雪崩耐量的效率不高。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

基于此，有必要提供一種能夠提高雪崩耐量的功率晶體管。

一種功率晶體管，所述功率晶體管的元胞結(jié)構(gòu)包括第一導(dǎo)電類型的襯底、所述襯底上的第二導(dǎo)電類型的阱區(qū)、所述阱區(qū)內(nèi)的第一導(dǎo)電類型的源極區(qū)、以及所述阱區(qū)上方的柵極，所述第一導(dǎo)電類型和第二導(dǎo)電類型為相反的導(dǎo)電類型；所述元胞結(jié)構(gòu)還包括將所述阱區(qū)至少部分包裹的空穴電流阻礙區(qū)，所述空穴電流阻礙區(qū)為第二導(dǎo)電類型、且摻雜濃度小于所述阱區(qū)的摻雜濃度，所述空穴電流阻礙區(qū)從一所述柵極的下方延伸至所述柵極的相鄰柵極的下方。

在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述空穴電流阻礙區(qū)將所述阱區(qū)完全包裹。

在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述空穴電流阻礙區(qū)的結(jié)深比所述阱區(qū)的結(jié)深大0.5微米～1微米。

在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述第一導(dǎo)電類型為n型，所述第二導(dǎo)電類型為p型。

在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述功率晶體管是垂直雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管或絕緣柵雙極型晶體管。

還有必要提高一種功率晶體管的制造方法。

一種功率晶體管的制造方法，包括：涂覆光刻膠，對(duì)所述光刻膠進(jìn)行空穴電流阻礙區(qū)光刻，進(jìn)行空穴電流阻礙區(qū)離子注入，以及對(duì)注入的離子進(jìn)行熱擴(kuò)散的步驟；所述熱擴(kuò)散的步驟之后所述注入的離子形成空穴電流阻礙區(qū)，所述空穴電流阻礙區(qū)將功率晶體管的阱區(qū)至少部分包裹，所述空穴電流阻礙區(qū)的導(dǎo)電類型與所述阱區(qū)的導(dǎo)電類型相同，所述空穴電流阻礙區(qū)的摻雜濃度小于所述阱區(qū)的摻雜濃度。

在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述進(jìn)行空穴電流阻礙區(qū)離子注入的步驟之后還包括形成終端場(chǎng)限環(huán)的步驟和形成有源區(qū)的步驟，所述終端場(chǎng)限環(huán)與所述空穴電流阻礙區(qū)和阱區(qū)的導(dǎo)電類型相同，空穴電流阻礙區(qū)的摻雜濃度小于所述終端場(chǎng)限環(huán)的摻雜濃度。

在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述涂覆光刻膠的步驟之前還包括在晶圓的表面形成預(yù)氧化層的步驟，所述進(jìn)行空穴電流阻礙區(qū)離子注入的步驟之后、所述形成終端場(chǎng)限環(huán)的步驟之前還包括去除所述光刻膠的步驟和腐蝕所述預(yù)氧化層的步驟。

在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述功率晶體管為結(jié)終端擴(kuò)展結(jié)構(gòu)或橫向變摻雜結(jié)構(gòu)，所述對(duì)光刻膠進(jìn)行空穴電流阻礙區(qū)光刻的步驟與終端光刻采用同一塊光刻版、在同一步驟中進(jìn)行，所述功率晶體管的終端場(chǎng)限環(huán)與所述空穴電流阻礙區(qū)的導(dǎo)電類型相同，空穴電流阻礙區(qū)的摻雜濃度等于所述終端場(chǎng)限環(huán)的摻雜濃度。

在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述空穴電流阻礙區(qū)將所述阱區(qū)完全包裹，所述空穴電流阻礙區(qū)的結(jié)深比所述阱區(qū)的結(jié)深大0.5微米～1微米。

上述功率晶體管及功率晶體管的制造方法，通過(guò)在阱區(qū)的外面增加一個(gè)與阱區(qū)導(dǎo)電類型相同但摻雜濃度小于阱區(qū)的空穴電流阻礙區(qū)，能較好地阻擋進(jìn)入阱區(qū)的雪崩電流(主要是空穴電流)，從而大大提高功率器件的雪崩耐量。同時(shí)因?yàn)橼鍏^(qū)外面增加的空穴電流阻礙區(qū)摻雜濃度較低，不會(huì)對(duì)器件的開(kāi)啟電壓vth和導(dǎo)通電阻rdon產(chǎn)生明顯的影響，在不影響器件常規(guī)參數(shù)的同時(shí)提高了器件在感性負(fù)載環(huán)境下工作的可靠性。

附圖說(shuō)明

為了更清楚地說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見(jiàn)地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他實(shí)施例的附圖。

圖1是一實(shí)施例中功率晶體管的制造方法的部分步驟的流程圖；

圖2是一實(shí)施例中空穴電流阻礙區(qū)離子注入的示意圖；

圖3是一實(shí)施例中功率晶體管的制造方法中形成終端場(chǎng)限環(huán)的步驟的流程圖；

圖4是一實(shí)施例中功率晶體管的制造方法中終端擴(kuò)散完成后的流程圖；

圖5是一實(shí)施例中功率晶體管的元胞結(jié)構(gòu)的剖面示意圖；

圖6是圖5所示的功率晶體管在柵極上加?xùn)艠O電壓使器件導(dǎo)電溝道形成后的剖面示意圖；

圖7為功率晶體管有源區(qū)和終端區(qū)的位置關(guān)系示意圖。

具體實(shí)施方式

為了便于理解本發(fā)明，下面將參照相關(guān)附圖對(duì)本發(fā)明進(jìn)行更全面的描述。附圖中給出了本發(fā)明的首選實(shí)施例。但是，本發(fā)明可以以許多不同的形式來(lái)實(shí)現(xiàn)，并不限于本文所描述的實(shí)施例。相反地，提供這些實(shí)施例的目的是使對(duì)本發(fā)明的公開(kāi)內(nèi)容更加透徹全面。

除非另有定義，本文所使用的所有的技術(shù)和科學(xué)術(shù)語(yǔ)與屬于本發(fā)明的技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員通常理解的含義相同。本文中在本發(fā)明的說(shuō)明書(shū)中所使用的術(shù)語(yǔ)只是為了描述具體的實(shí)施例的目的，不是旨在于限制本發(fā)明。本文所使用的術(shù)語(yǔ)“及/或”包括一個(gè)或多個(gè)相關(guān)的所列項(xiàng)目的任意的和所有的組合。

本文所使用的半導(dǎo)體領(lǐng)域詞匯為本領(lǐng)域技術(shù)人員常用的技術(shù)詞匯，例如對(duì)于p型和n型雜質(zhì)，為區(qū)分摻雜濃度，簡(jiǎn)易地將p+型代表重?fù)诫s濃度的p型，p型代表中摻雜濃度的p型，p-型代表輕摻雜濃度的p型，n+型代表重?fù)诫s濃度的n型，n型代表中摻雜濃度的n型，n-型代表輕摻雜濃度的n型。

以一個(gè)n型的功率晶體管為實(shí)施例介紹發(fā)明思路：在功率晶體管制造過(guò)程中，在源區(qū)進(jìn)行p-注入。p-注入的離子經(jīng)擴(kuò)散過(guò)程后形成較深的p-區(qū)，其結(jié)深大于p阱注入后所形成的p+阱區(qū)的結(jié)深，這樣外層的p-區(qū)與內(nèi)層的p+阱區(qū)之間就形成了p-p+結(jié)。由于p-p+結(jié)對(duì)進(jìn)入p基區(qū)的空穴電流的阻礙作用，能較大地減小進(jìn)入p基區(qū)的電流，從而有效地增大雪崩耐量。

以下通過(guò)具體的實(shí)施例來(lái)說(shuō)明功率晶體管的制造方法。參見(jiàn)圖1，該方法在傳統(tǒng)的功率晶體管制造中增加了以下步驟：

s110，涂覆光刻膠。

在晶圓正面涂覆光刻膠。在本實(shí)施例中，晶圓包括第一導(dǎo)電類型的襯底和在襯底上外延形成的第一導(dǎo)電類型的外延層，襯底和外延層的導(dǎo)電類型相同且襯底的摻雜濃度大于外延層的摻雜濃度，外延層后續(xù)作為器件的漂移區(qū)。在n型的功率晶體管的實(shí)施例中，晶圓包括n+襯底和n-外延層。

s120，對(duì)光刻膠進(jìn)行空穴電流阻礙區(qū)光刻。

參見(jiàn)圖2，光刻膠30經(jīng)光刻后在有源區(qū)中每相鄰的兩條柵極之間形成極窄的空穴電流阻礙區(qū)注入窗口。在一個(gè)實(shí)施例中，空穴電流阻礙區(qū)注入窗口的寬度以1微米左右為宜，可以兼顧光刻工藝難度與器件性能。在本實(shí)施例中，步驟s110和s120安排在形成終端場(chǎng)限環(huán)和形成有源區(qū)的步驟之前，因此圖2中尚未形成多晶硅柵和柵氧化層，圖2中用虛線表示柵氧化層11和多晶硅柵21預(yù)計(jì)形成的位置。圖7為功率晶體管有源區(qū)和終端區(qū)的位置關(guān)系示意圖，包括有源區(qū)100和有源區(qū)100外圍的終端區(qū)200。

s130，進(jìn)行空穴電流阻礙區(qū)離子注入。

注入第二導(dǎo)電類型的離子。本實(shí)施例中是注入p型離子(進(jìn)行p-注入)，在外延層90中形成p-區(qū)40。注入后應(yīng)去除光刻膠。

s140，對(duì)注入的離子進(jìn)行熱擴(kuò)散。本實(shí)施例中，空穴電流阻礙區(qū)離子注入安排在形成終端場(chǎng)限環(huán)和形成有源區(qū)的步驟之前，因此注入的離子后續(xù)會(huì)經(jīng)歷多個(gè)擴(kuò)散步驟(例如終端擴(kuò)散、jfet擴(kuò)散、p阱擴(kuò)散等)，形成結(jié)深較深的空穴電流阻礙區(qū)。由于經(jīng)歷的擴(kuò)散步驟比后續(xù)阱區(qū)(本實(shí)施例中為p阱)注入的離子所經(jīng)歷的擴(kuò)散步驟更多，因此擴(kuò)散后的結(jié)深也比p阱要深。注入的離子在擴(kuò)散后形成空穴電流阻礙區(qū)，空穴電流阻礙區(qū)將后續(xù)步驟形成的p阱至少部分包裹，且空穴電流阻礙區(qū)的摻雜濃度小于p阱的摻雜濃度。

在其他實(shí)施例中，上述步驟s110～s140也可以安排在功率晶體管制造流程中更靠后的位置，也可以與傳統(tǒng)的制造工藝中的一些步驟同時(shí)進(jìn)行。但安排在越前面，空穴電流阻礙區(qū)注入的離子經(jīng)歷的擴(kuò)散次數(shù)會(huì)越多，也就可以采用更低的注入能量和注入劑量。

上述功率晶體管的制造方法，通過(guò)在p阱的外面增加p-區(qū)作為空穴電流阻礙區(qū)，與p阱形成p-p+結(jié)，通過(guò)p-p+結(jié)的阻擋作用，能較好地阻擋進(jìn)入p阱體區(qū)的雪崩電流(主要是空穴電流)，從而大大提高功率器件的雪崩耐量。同時(shí)因?yàn)閜阱外面增加的p-區(qū)摻雜濃度較低，不會(huì)對(duì)器件的開(kāi)啟電壓vth和導(dǎo)通電阻rdon產(chǎn)生明顯的影響，在不影響器件常規(guī)參數(shù)的同時(shí)提高了器件在感性負(fù)載環(huán)境下工作的可靠性。

在一個(gè)實(shí)施例中，步驟s110之前還包括在晶圓的表面形成預(yù)氧化層的步驟。步驟s130之后、形成終端場(chǎng)限環(huán)的步驟之前還包括去除步驟s110涂覆的光刻膠的步驟和腐蝕預(yù)氧化層的步驟。預(yù)氧化形成的薄層氧化層作為離子注入的緩沖層，能減小由于直接在晶圓表面進(jìn)行離子注入所帶來(lái)的注入損傷。

在一個(gè)實(shí)施例中，步驟s130的注入劑量為1e12cm^-2—5e12cm^-2，注入能量為60kev—100kev。

參見(jiàn)圖3，在一個(gè)實(shí)施例中，形成終端場(chǎng)限環(huán)的步驟具體包括如下步驟：

s210，生長(zhǎng)場(chǎng)氧化層。

在晶圓正面(即外延層正面)生長(zhǎng)場(chǎng)氧化層。

s220，終端光刻與刻蝕。

在場(chǎng)氧化層上涂覆光刻膠，光刻后刻蝕場(chǎng)氧化層，露出需要注入形成終端場(chǎng)限環(huán)的區(qū)域。

s230，進(jìn)行終端注入。

注入第二導(dǎo)電類型的離子。在一些實(shí)施例中，終端場(chǎng)限環(huán)為p+摻雜，終端注入是進(jìn)行劑量較大的p+注入。在其他一些實(shí)施例中，例如采用結(jié)終端擴(kuò)展(jte)或橫向變摻雜(vld)的功率晶體管，終端場(chǎng)限環(huán)為p-摻雜，終端注入是進(jìn)行劑量較小的p-注入。注入后應(yīng)去除光刻膠。

s240，進(jìn)行終端擴(kuò)散。

在功率晶體管為結(jié)終端擴(kuò)展結(jié)構(gòu)或橫向變摻雜結(jié)構(gòu)的實(shí)施例中，步驟s120可以與步驟s220采用同一塊光刻版、在同一步驟中進(jìn)行，步驟s130與步驟s230在同一步驟中進(jìn)行，即在終端p-注入的同時(shí)進(jìn)行空穴電流阻礙區(qū)離子注入，這樣就可以節(jié)省一道光刻工序，省去一塊光刻版以降低成本。這樣得到的功率晶體管的終端場(chǎng)限環(huán)的摻雜濃度與空穴電流阻礙區(qū)的摻雜濃度相同。

在一個(gè)實(shí)施例中，空穴電流阻礙區(qū)將阱區(qū)完全包裹。功率晶體管在實(shí)際制造時(shí)，如果由于工藝波動(dòng)等原因，空穴電流阻礙區(qū)會(huì)出現(xiàn)不能將阱區(qū)完全包裹的情況。但即使這樣，功率晶體管的雪崩耐量也是增大的。原因是步驟s130的注入使阱區(qū)的離子濃度增大，使體電阻減小，從而使雪崩耐量增大。只不過(guò)這時(shí)的雪崩耐量沒(méi)有空穴電流阻礙區(qū)將阱區(qū)完全包裹住時(shí)大而已。在一個(gè)實(shí)施例中，空穴電流阻礙區(qū)的結(jié)深比阱區(qū)的結(jié)深大0.5微米～1微米。

參見(jiàn)圖4，在一個(gè)實(shí)施例中，終端擴(kuò)散完成后還包括下列步驟：

s310，有源區(qū)光刻和刻蝕。

再次涂覆光刻膠進(jìn)行光刻，從而將多余的場(chǎng)氧化層刻蝕掉，露出有源區(qū)的注入窗口。

s320，jfet注入。

jfet注入完成后可以進(jìn)行熱擴(kuò)散。

s330，生長(zhǎng)柵氧化層。

在晶圓正面(即外延層正面)生長(zhǎng)柵氧化層。

s340，形成多晶硅柵。

在柵氧化層上淀積多晶硅后，進(jìn)行n型離子摻雜(例如磷擴(kuò)散或磷離子注入)，然后進(jìn)行多晶光刻與刻蝕，形成多晶硅柵。

s350，阱區(qū)注入。

注入第二導(dǎo)電類型離子(本實(shí)施例中為p型離子)形成阱區(qū)，注入完成后可以進(jìn)行阱區(qū)熱擴(kuò)散。

在一個(gè)實(shí)施例中，步驟s350的注入劑量為3e13cm^-2—1e14cm^-2，注入能量為60kev—100kev。

s360，第一、第二導(dǎo)電類型離子注入。

注入完成后可以進(jìn)行熱擴(kuò)散。

之后進(jìn)行介質(zhì)層淀積，接觸孔光刻和刻蝕，金屬濺射，金屬層光刻與刻蝕，背面減薄，背面注入，背銀等工序。

本發(fā)明還提供一種功率晶體管。參見(jiàn)圖5，該功率晶體管的元胞結(jié)構(gòu)包括：第一導(dǎo)電類型的襯底(圖5中未示)，襯底上第一導(dǎo)電類型的外延層90，襯底上、外延層90內(nèi)的第二導(dǎo)電類型的阱區(qū)70，阱區(qū)70內(nèi)的第一導(dǎo)電類型的源極區(qū)60，阱區(qū)70斜上方的柵極(柵極包括柵氧化層12和柵氧化層12上的多晶硅柵22)，將阱區(qū)70至少部分包裹的空穴電流阻礙區(qū)80。空穴電流阻礙區(qū)80為第二導(dǎo)電類型、且摻雜濃度小于阱區(qū)70的摻雜濃度?？昭娏髯璧K區(qū)80從一柵極的下方沿弧形軌跡延伸至相鄰柵極的下方。外延層90作為器件的漂移區(qū)。在圖5所示實(shí)施例中，第一導(dǎo)電類型為n型，第二導(dǎo)電類型為p型。圖5中省略了柵極上方的介質(zhì)層(例如磷硅玻璃層、未摻雜硅玻璃層)等結(jié)構(gòu)。

上述功率晶體管，通過(guò)在p阱的外面增加p-區(qū)作為空穴電流阻礙區(qū)80，與p阱形成p-p+結(jié)，通過(guò)p-p+結(jié)的阻擋作用，能較好地阻擋進(jìn)入p阱體區(qū)的雪崩電流(主要是空穴電流)，從而大大提高功率器件的雪崩耐量。同時(shí)因?yàn)閜阱區(qū)外面增加的p-區(qū)摻雜濃度較低，不會(huì)對(duì)器件的開(kāi)啟電壓vth和導(dǎo)通電阻rdon產(chǎn)生明顯的影響，在不影響器件常規(guī)參數(shù)的同時(shí)提高了器件在感性負(fù)載環(huán)境下工作的可靠性。

在圖5所示實(shí)施例中，空穴電流阻礙區(qū)80將阱區(qū)70完全包裹。功率晶體管在實(shí)際制造時(shí)，如果由于工藝波動(dòng)等原因，空穴電流阻礙區(qū)80可能會(huì)出現(xiàn)不能將阱區(qū)70完全包裹的情況。但即使這樣，功率晶體管的雪崩耐量也是增大的。

在一個(gè)實(shí)施例中，空穴電流阻礙區(qū)80的結(jié)深比阱區(qū)70的結(jié)深大0.5微米～1微米。也就是說(shuō)空穴電流阻礙區(qū)80的“寬度”(空穴電流阻礙區(qū)80的外邊緣到阱區(qū)70的外邊緣的距離)優(yōu)選為0.5微米～1微米。這是因?yàn)槿绻昭娏髯璧K區(qū)80太寬，則總的溝道長(zhǎng)度就會(huì)很大，這會(huì)較大地增大溝道電阻，從而使器件總電阻增大?？昭娏髯璧K區(qū)80太寬甚至?xí)雇粬艠O兩側(cè)下方的兩個(gè)阱區(qū)70連到一起而使jfet區(qū)消失，從而使器件應(yīng)導(dǎo)通電阻無(wú)窮大(over)而失效。

圖6是圖5所示的功率晶體管在柵極上加?xùn)艠O電壓使器件導(dǎo)電溝道形成后的剖面示意圖。導(dǎo)電溝道由溝道a和溝道b組成，溝道a表示空穴電流阻礙區(qū)80上方的溝道，溝道b表示阱區(qū)70上方的溝道。由于空穴電流阻礙區(qū)80的摻雜濃度遠(yuǎn)小于阱區(qū)70的摻雜濃度，故反型層溝道中溝道a中的電子濃度遠(yuǎn)大于溝道b中的電子濃度，從而使得a的溝道電阻遠(yuǎn)小于b的溝道電阻，所以p-區(qū)對(duì)導(dǎo)通電阻的影響很小甚至可以忽略不計(jì)。

以上所述實(shí)施例僅表達(dá)了本發(fā)明的幾種實(shí)施方式，其描述較為具體和詳細(xì)，但并不能因此而理解為對(duì)發(fā)明專利范圍的限制。應(yīng)當(dāng)指出的是，對(duì)于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，在不脫離本發(fā)明構(gòu)思的前提下，還可以做出若干變形和改進(jìn)，這些都屬于本發(fā)明的保護(hù)范圍。因此，本發(fā)明專利的保護(hù)范圍應(yīng)以所附權(quán)利要求為準(zhǔn)。