本公開涉及布局設(shè)計系統(tǒng)、使用該布局設(shè)計系統(tǒng)的半導(dǎo)體器件及其制造方法。

背景技術(shù)：

用于增加半導(dǎo)體器件的密度的按比例縮放技術(shù)之一使用多柵晶體管，其中鰭形狀或者納米線形狀的硅主體形成在基板上，然后柵極形成在硅主體的表面上。

多柵晶體管的使用允許容易的按比例縮放，因為它們包括三維溝道。此外，對于多柵晶體管，電流控制能力可以提高而不需要增加?xùn)艠O長度。另外，有效地抑制短溝道效應(yīng)(sce)是可能的，其中短溝道效應(yīng)是溝道區(qū)的電勢受漏極電壓影響的現(xiàn)象。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本公開的一個技術(shù)目的是提供一種具有改善的操作特性的半導(dǎo)體器件的制造方法。

本公開的另一技術(shù)目的是提供一種用于制造具有改善的操作特性的半導(dǎo)體器件的布局設(shè)計系統(tǒng)。

本公開的再一技術(shù)目的是提供一種用于制造具有改善的操作特性的半導(dǎo)體器件的計算機程序。

本公開的再一技術(shù)目的是提供一種具有改善的操作特性的半導(dǎo)體器件。

根據(jù)本公開的目的不限于上面闡述的那些，并且對于本領(lǐng)域技術(shù)人員而言，除了上面闡述的那些之外的目的將從以下描述被清楚地理解。

根據(jù)這里公開的主題的以下描述的示范性實施例的一方面，提供一種半導(dǎo)體器件的制造方法，包括：加載第一布局，其中第一布局包括第一有源區(qū)和第一虛設(shè)區(qū)，并且第一有源區(qū)包括具有第一寬度的鰭型圖案設(shè)計；通過用納米線結(jié)構(gòu)設(shè)計替代鰭型圖案設(shè)計而產(chǎn)生第二布局；以及通過使用第二布局而形成納米線結(jié)構(gòu)，其中第二布局包括與第一有源區(qū)尺寸相同的第二有源區(qū)以及與第一虛設(shè)區(qū)尺寸相同的第二虛設(shè)區(qū)，納米線結(jié)構(gòu)設(shè)計具有大于第一寬度的第二寬度，納米線結(jié)構(gòu)包括：在第一方向上延伸的第一納米線；第二納米線，在第一方向上延伸并且形成在第一納米線上且與第一納米線間隔開；柵電極，圍繞第一納米線的周邊并且在與第一方向交叉的第二方向上延伸；柵間隔物，形成在柵電極的側(cè)壁上并且包括彼此面對的內(nèi)側(cè)壁和外側(cè)壁，柵間隔物的內(nèi)側(cè)壁面對柵電極的側(cè)表面；以及源極/漏極外延層，在柵電極的至少一側(cè)上并且連接到第一納米線。

根據(jù)另一示范性實施例，提供一種半導(dǎo)體器件的制造方法，包括：加載第一布局，其中第一布局包括平行地延伸的第一至第三鰭型圖案設(shè)計；從第一布局去除第一至第三鰭型圖案設(shè)計；通過將在第一方向上平行地延伸的第一納米線結(jié)構(gòu)設(shè)計和第二納米線結(jié)構(gòu)設(shè)計增加到第一布局而產(chǎn)生第二布局；以及通過使用第二布局在基板上形成第一納米線結(jié)構(gòu)和第二納米線結(jié)構(gòu)，其中第一納米線結(jié)構(gòu)包括在相同方向上延伸的至少兩個納米線。

根據(jù)另一示范性實施例，提供一種半導(dǎo)體器件的制造方法，包括：加載第一布局以及檢測在第一布局中的第一有源區(qū)，其中在第一有源區(qū)中第一寬度的鰭型圖案設(shè)計以第一節(jié)距間隔開；去除在第一有源區(qū)中的鰭型圖案設(shè)計；通過用第二有源區(qū)替代第一有源區(qū)而產(chǎn)生包括第二有源區(qū)的第二布局，其中納米線結(jié)構(gòu)設(shè)計間隔開不同于第一節(jié)距的第二節(jié)距；通過使用第二布局而形成納米線結(jié)構(gòu)；以及通過使用上部結(jié)構(gòu)布局在納米線結(jié)構(gòu)上形成接觸，其中上部結(jié)構(gòu)布局對應(yīng)于第一布局。

根據(jù)又一個示范性實施例，提供一種半導(dǎo)體器件布局設(shè)計系統(tǒng)，包括：處理器；存儲器，配置為存儲第一布局和上部結(jié)構(gòu)布局，該第一布局包括第一寬度的鰭型圖案設(shè)計和虛設(shè)鰭型圖案設(shè)計，該上部結(jié)構(gòu)布局交疊鰭型圖案設(shè)計，其中鰭型圖案設(shè)計彼此間隔開第一節(jié)距；以及再設(shè)計模塊，配置為使得處理器從第一布局去除鰭型圖案設(shè)計和虛設(shè)鰭型圖案設(shè)計并且增加大于第一寬度的第二寬度的納米線結(jié)構(gòu)設(shè)計和虛設(shè)納米線結(jié)構(gòu)設(shè)計以便產(chǎn)生第二布局，其中納米線結(jié)構(gòu)設(shè)計彼此間隔開第二節(jié)距，并且作為第一寬度的三倍與第一節(jié)距的兩倍之和的距離等于作為第二寬度的兩倍與第二節(jié)距之和的距離。

根據(jù)另一示范性實施例，提供一種記錄在記錄介質(zhì)上的計算機程序，其在與計算裝置結(jié)合時執(zhí)行：加載包括第一寬度的鰭型圖案設(shè)計和虛設(shè)鰭型圖案設(shè)計的第一布局；從第一布局去除鰭型圖案設(shè)計和虛設(shè)鰭型圖案設(shè)計；以及通過增加大于第一寬度的第二寬度的納米線結(jié)構(gòu)設(shè)計和虛設(shè)納米線結(jié)構(gòu)設(shè)計而產(chǎn)生第二布局，其中納米線結(jié)構(gòu)設(shè)計彼此間隔開第二節(jié)距，并且作為第一寬度的三倍與第一節(jié)距的兩倍之和的距離等于作為第二寬度的兩倍與第二節(jié)距之和的距離。

根據(jù)又一示范性實施例，提供一種半導(dǎo)體器件，包括：基板，包括第一區(qū)和第二區(qū)，其中第一區(qū)包括第一有源區(qū)，第二區(qū)包括第二有源區(qū)，第一至第三鰭型圖案在第一有源區(qū)中與基板相比進一步突出，第一和第二納米線結(jié)構(gòu)形成在第二有源區(qū)中的基板上，其中作為第一至第三鰭型圖案的每個的寬度、第一和第二鰭型圖案之間的節(jié)距、以及第二和第三鰭型圖案之間的節(jié)距之和的距離等于作為第一和第二納米線結(jié)構(gòu)的寬度與第一和第二納米線結(jié)構(gòu)之間的節(jié)距之和的距離。

附圖說明

通過參照附圖詳細描述本公開的示范性實施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員而言，本公開的以上及其它目的、特征和優(yōu)點將變得更明顯，在附圖中：

圖1是提供來說明根據(jù)一些示范性實施例的布局設(shè)計系統(tǒng)的框圖；

圖2是提供來說明根據(jù)一些示范性實施例的半導(dǎo)體器件的制造方法的流程圖；

圖3是提供來比較兩個布局以說明圖2的再設(shè)計模塊的操作的示范性視圖；

圖4是提供來比較圖3的第一pmos區(qū)和第二pmos區(qū)的示范性視圖；

圖5是提供來詳細說明圖3的第一布局的布局圖；

圖6是提供來詳細說明圖3的第二布局的布局圖；

圖7是提供來詳細說明與圖5的第一布局交疊的上部結(jié)構(gòu)布局的布局圖；

圖8是提供來詳細說明與圖6的第二布局交疊的上部結(jié)構(gòu)布局的布局圖；

圖9是提供來說明根據(jù)一些示范性實施例的形成在圖8的圈出部分k處的半導(dǎo)體器件的透視圖；

圖10是關(guān)于圖9的線a-a'截取的截面圖；

圖11是關(guān)于圖9的線b-b'截取的截面圖；

圖12是關(guān)于圖9的線c-c'截取的截面圖；

圖13至25是示出制造的中間階段的視圖，提供來說明根據(jù)一些示范性實施例的半導(dǎo)體器件的制造方法；

圖26是提供來說明根據(jù)一些示范性實施例的半導(dǎo)體器件的布局圖；

圖27是提供來說明根據(jù)一些示范性實施例的半導(dǎo)體器件的布局圖；

圖28是提供來說明根據(jù)一些示范性實施例的半導(dǎo)體器件的布局圖；

圖29是提供來說明根據(jù)一些示范性實施例的半導(dǎo)體器件的布局圖；

圖30是關(guān)于圖29的線f-f'和g-g'截取的截面圖；

圖31是包括根據(jù)一些示范性實施例的半導(dǎo)體器件的電子系統(tǒng)的框圖；以及

圖32和33示出可以在其中應(yīng)用根據(jù)一些示范性實施例的半導(dǎo)體器件的示范性半導(dǎo)體系統(tǒng)。

具體實施方式

現(xiàn)在將在下文參考附圖更充分地說明本公開，在附圖中示出了各種示范性實施例。然而，本發(fā)明可以以許多不同的形式實施，而不應(yīng)被理解為限于在此闡述的示例示范性實施例。這些示例示范性實施例僅是示例，在這里不需要提供細節(jié)的許多實施例和變形是可能的。還應(yīng)該強調(diào)，本公開提供替代示例的細節(jié)，但是這樣的替代物的列舉不是窮舉的。此外，各種示例之間的細節(jié)的任何一致性不應(yīng)該被解釋為要求這樣的細節(jié)—對于這里描述的每個特征列舉每個可能的變形是不現(xiàn)實的。在確定本發(fā)明的要求時應(yīng)該參考權(quán)利要求的語言。

在附圖中，為了清晰，可以夸大層和區(qū)域的尺寸和相對尺寸。相同的附圖標(biāo)記始終指代相同的元件。雖然不同的圖顯示示范性實施例的變化，但是這些圖不必旨在彼此互相排斥。而是，如將從以下詳細說明的上下文看出的，當(dāng)總體上考慮圖和它們的描述時，在不同圖中繪示和描述的某些特征可以與來自其它圖的其它特征結(jié)合以導(dǎo)致不同的示范性實施例。

雖然這里描述的圖可以使用諸如“一個示范性實施例”或者“某些示范性實施例”的語言被提及，但是這些圖和它們的相應(yīng)描述并非旨在與其它圖或者描述互相排斥，除非上下文如此表示。因此，某些圖的某些方面可以與其它圖中的某些特征相同，和/或某些圖可以是特定示范性實施例的不同表示或者不同部分。

將理解，當(dāng)一元件被稱為“連接到”或“聯(lián)接到”另一元件時，它可以直接連接到或聯(lián)接到另一元件，或者在另一元件上，或者可以存在居間元件。相反，當(dāng)一元件被稱為“直接連接到”或者“直接聯(lián)接到”另一元件時，或者被稱為“接觸”另一元件或者“與”另一元件“接觸”時，沒有居間元件存在。用于描述元件之間的關(guān)系的其它詞應(yīng)該以相似的方式解釋(例如，“在……之間”和“直接在……之間”、“相鄰”和“直接相鄰”等)。

將理解，盡管術(shù)語第一、第二、第三等在這里可以用于描述各種元件、部件、區(qū)域、層和/或部分，但是這些元件、部件、區(qū)域、層和/或部分不應(yīng)被這些術(shù)語限制。除非上下文另外地表示，否則這些術(shù)語僅用于區(qū)分一個元件、部件、區(qū)域、層或者部分與另一元件、部件、區(qū)域、層或者部分，例如作為命名規(guī)則。因此，以下在說明書的一個部分中論述的第一元件、部件、區(qū)域、層或者部分可以在說明書的另一部分中或者權(quán)利要求中被稱為第二元件、部件、區(qū)域、層或者部分而不脫離本發(fā)明的教導(dǎo)。此外，在某些情況下，即使一術(shù)語在本說明書中沒有使用“第一”、“第二”等被描述，它仍然可以在權(quán)利要求中被稱為“第一”或者“第二”以便將被不同地要求保護的元件彼此區(qū)分開。在此使用的術(shù)語僅僅是為了描述特定示范性實施例的目的，而非旨在限制本發(fā)明。如在此所用的，單數(shù)形式“一”和“該”旨在也包括復(fù)數(shù)形式，除非上下文清楚地另外指示。如這里使用的，術(shù)語“和/或”包括一個或更多個相關(guān)所列項目的任何及所有組合并且可以縮寫為“/”。

除非另外限定，否則在此使用的所有術(shù)語(包括技術(shù)術(shù)語和科學(xué)術(shù)語)具有與本公開所屬領(lǐng)域的普通技術(shù)人員通常理解的相同含義。將進一步理解，術(shù)語，諸如那些在通用詞典中限定的術(shù)語，應(yīng)該被理解為具有與它們在相關(guān)技術(shù)和/或本申請的語境中的含義一致的含義，而不應(yīng)被理解為理想化或過度形式化的含義，除非在此明確地如此限定。

這里描述的示范性實施例將參照平面圖和/或截面圖通過理想示意圖被描述。因此，示范性視圖可以根據(jù)制造技術(shù)和/或公差修改。因此，所公開的實施例不限于視圖中所示的那些，而是包括基于制造工藝形成的構(gòu)造中的變型。因此，圖中例示的區(qū)域可以具有示意性的性質(zhì)，并且圖中所示的區(qū)域的形狀可以例示本發(fā)明的方面對其沒有限制的元件的區(qū)域的具體形狀。

為了描述的容易，可以在這里使用空間關(guān)系術(shù)語，諸如“在……之下”、“在……下面”、“下”、“上方”、“上”等等，來描述一個元件或特征與其它(諸)元件或特征如圖中所示的關(guān)系。將理解，空間關(guān)系術(shù)語旨在包括除圖中所描繪的取向之外裝置在使用或操作中的不同取向。例如，如果在圖中的裝置被翻轉(zhuǎn)，則被描述為“在”其它元件或特征“下面”或“之下”的元件將取向為在其它元件或特征“上方”。因此，術(shù)語“在……下面”能夠涵蓋之上和之下兩種取向。裝置可以被另外地取向(旋轉(zhuǎn)90度或在其它取向)，并且這里使用的空間關(guān)系描述符被相應(yīng)地解釋。此外，如這里使用的這些空間關(guān)系術(shù)語諸如“在……上面”和“在……下面”具有它們的一般寬泛含義—例如，元件a可以在元件b上方，即使當(dāng)俯瞰該兩個元件時，在它們之間也沒有交疊(正如空中的某物通常在地上的某物上方，即使它不在正上方)。

如在此使用的諸如“相同”、“相等”、“平坦”或者“共面”的術(shù)語，當(dāng)指的是取向、布局、位置、形狀、尺寸、量或者其它計量時，不一定意指精確相同的取向、布局、位置、形狀、尺寸、量或者其它計量，而是旨在涵蓋在例如由制造工藝導(dǎo)致的可能發(fā)生的允許誤差內(nèi)的接近相同的取向、布局、位置、形狀、尺寸、量或者其它計量。術(shù)語“基本上”可以在此使用以強調(diào)該含義，除非上下文或者其它陳述另外地表示。例如，被描述為“基本上相同”、“基本上相等”或者“基本上平坦”的項目可以是精確地相同、相等或者平坦，或者可以在由例如制造工藝導(dǎo)致的可能發(fā)生的允許誤差內(nèi)相同、相等或者平坦。

雖然一些截面圖的相應(yīng)的平面圖和/或透視圖可以不被示出，但是這里示出的器件結(jié)構(gòu)的截面圖對于如將在平面圖中示出的沿兩個不同方向延伸和/或如將在透視圖中示出的在三個不同方向延伸的多個器件結(jié)構(gòu)提供支持。該兩個不同方向可以彼此正交或者可以不彼此正交。該三個不同方向可以包括第三方向，該第三方向可以正交于該兩個不同方向。多個器件結(jié)構(gòu)可以集成在相同的電子器件中。例如，當(dāng)器件結(jié)構(gòu)(例如，存儲單元結(jié)構(gòu)或者晶體管結(jié)構(gòu))在截面圖中被示出時，電子器件可以包括多個器件結(jié)構(gòu)(例如，存儲單元結(jié)構(gòu)或者晶體管結(jié)構(gòu))，這將通過電子器件的平面圖示出。多個器件結(jié)構(gòu)可以布置為陣列和/或布置為二維圖案。

在下文，將描述根據(jù)一些示范性實施例的布局設(shè)計系統(tǒng)、使用該布局設(shè)計系統(tǒng)的半導(dǎo)體器件及其制造方法。

圖1是提供來說明根據(jù)一些示范性實施例的布局設(shè)計系統(tǒng)的框圖，圖2是提供來說明根據(jù)一些示范性實施例的半導(dǎo)體器件的制造方法的流程圖。圖3是提供來比較兩個布局的示范性視圖，以說明圖2的再設(shè)計模塊的操作，圖4是提供來比較圖3的第一pmos區(qū)和第二pmos區(qū)的示范性視圖。圖5是提供來詳細描述圖3的第一布局的布局圖，圖6是提供來詳細描述圖3的第二布局的布局圖。圖7是提供來詳細描述與圖5的第一布局交疊的上部結(jié)構(gòu)布局的布局圖，圖8是提供來詳細描述與圖6的第二布局交疊的上部結(jié)構(gòu)布局的布局圖。圖9是提供來說明根據(jù)一些示范性實施例的形成在圖8的圈出部分k處的半導(dǎo)體器件的透視圖，圖10是關(guān)于圖9的線a-a'截取的截面圖。圖11是關(guān)于圖9的線b-b'截取的截面圖，圖12是關(guān)于圖9的線c-c'截取的截面圖。

如圖1中所示，根據(jù)一些示范性實施例的布局設(shè)計系統(tǒng)包括存儲器100、處理器200和再設(shè)計模塊300。

存儲器100可以存儲布局。這里使用的“布局”可以指的是確定半導(dǎo)體器件的組成元件的尺寸、布置以及之間的連接的設(shè)計圖。然而，示范性實施例不限于任何具體示例。因此，各個布局設(shè)計可以存儲在除了存儲器100之外的位置。

布局可以包括形成半導(dǎo)體元件的圖案的形狀和布置。布局可以將各個圖案的形狀存儲為俯視圖的形式。然而，示范性實施例不限于以上給出的示例。

布局可以通過先前設(shè)定的設(shè)計規(guī)則來設(shè)計。設(shè)計規(guī)則可以限定多個圖案的形狀、布置和節(jié)距。具體地，設(shè)計規(guī)則可以包括相鄰圖案之間的節(jié)距，該節(jié)距是預(yù)定距離或者更大。

根據(jù)一些示范性實施例，例如，這樣的存儲器100可以配置為非易失性存儲器件。這樣的非易失性存儲器件的示例可以包括nand閃存、nor閃存、mram、pram、ram等等，但不限于此。根據(jù)一些示范性實施例，存儲器100可以包括硬盤驅(qū)動器、磁存儲器器件等等。

當(dāng)某些算術(shù)運算在再設(shè)計模塊300內(nèi)是必要的時，處理器200可以用于執(zhí)行該算術(shù)運算。雖然在附圖中沒有具體地示出，但處理器200可以另外包括高速緩沖存儲器以提高計算能力。

此外，雖然圖1將處理器200示出為一個單框，但示范性實施例不限于此。也就是，在一些示范性實施例中，處理器200可以配置為多核芯或者多集群(cluster)的形式。當(dāng)處理器200被配置為多核芯或者多集群形式時，再設(shè)計模塊300的計算速度可以提高。

雖然在附圖中沒有具體地示出，但處理器200可以另外包括高速緩沖存儲器諸如l1、l2等等以提高計算能力。

如圖1至8中所示，再設(shè)計模塊300可以通過使用存儲在存儲器100處的第一布局l1來產(chǎn)生第二布局l2。這將在下面被詳細地描述。

如圖2的流程圖中所示，在s100，再設(shè)計模塊300加載第一布局l1。

第一布局l1可以被存儲在存儲器100處。第一布局l1可以是制造半導(dǎo)體器件的布局圖。第一布局l1中可以包括鰭型圖案設(shè)計。

具體地，如圖3中所示，第一布局l1可以包括十一個鰭型圖案設(shè)計。十一個鰭型圖案設(shè)計可以包括六個有源鰭型圖案設(shè)計af1、af2、af3、af4、af5和af6以及五個虛設(shè)鰭型圖案設(shè)計df1、df2、df3、df4和df5。

第一布局l1可以表示一個單元。第一布局l1的單元高度hc可以是預(yù)定值。

第一布局l1可以包括第一有源區(qū)act1和第一虛設(shè)區(qū)dr1。第一有源區(qū)act1可以包括第一pmos區(qū)p-act1和第一nmos區(qū)n-act1。第一pmos區(qū)p-act1可以是在該處形成p型mosfet器件的區(qū)域。第一nmos區(qū)n-act1可以是在該處形成n型mosfet器件的區(qū)域。第一pmos區(qū)p-act1和第一nmos區(qū)n-act1可以彼此間隔開。

第一虛設(shè)區(qū)dr1可以包括電源軌區(qū)pr_1和第一中間線(middle-of-line,mol)區(qū)mol1。電源軌區(qū)pr_1可以包括第一電源軌區(qū)pr1和第二電源軌區(qū)pr2。第一電源軌區(qū)pr1可以與第一pmos區(qū)p-act1接觸而不與第一nmos區(qū)n-act1接觸。即，第一pmos區(qū)p-act1可以位于第一電源軌區(qū)pr1和第一mol區(qū)mol1之間。

第二電源軌區(qū)pr2可以與第一nmos區(qū)n-act1接觸而不與第一pmos區(qū)p-act1接觸。即，第一nmos區(qū)n-act1可以位于第二電源軌區(qū)pr2和第一mol區(qū)mol1之間。

第一mol區(qū)mol1可以位于第一pmos區(qū)p-act1與第一nmos區(qū)n-act1之間。第一mol區(qū)mol1可以不接觸第一電源軌區(qū)pr1和第二電源軌區(qū)pr2。

第一虛設(shè)鰭型圖案設(shè)計df1可以形成在第一電源軌區(qū)pr1中。虛設(shè)鰭型圖案設(shè)計df1-df5可以是不被用作有源的鰭型圖案設(shè)計。第五虛設(shè)鰭型圖案設(shè)計df5可以形成在第二電源軌區(qū)pr2中。

第一電源軌區(qū)pr1和第二電源軌區(qū)pr2可以起到為整個單元供電的作用。例如，第一電源軌區(qū)pr1可以供給正電，第二電源軌區(qū)pr2可以供給負電。然而，示范性實施例不限于以上給出的示例。

第一mol區(qū)mol1可以包括第二至第四虛設(shè)鰭型圖案設(shè)計df2-df4。第二至第四虛設(shè)鰭型圖案設(shè)計df2-df4可以被形成用于第一至第六有源鰭型圖案設(shè)計af1-af6的均勻排列。也就是，因為使用雙圖案化技術(shù)(dpt)或者四圖案化技術(shù)(qpt)等等會涉及形成沒有被實際上使用的虛設(shè)鰭型圖案，所以對于這個的設(shè)計可以包括在第一布局l1中。

第一pmos區(qū)p-act1可以包括第一至第三有源鰭型圖案設(shè)計af1-af3。第一nmos區(qū)n-act1可以包括第四至第六有源鰭型圖案設(shè)計af4-af6。

第一pmos區(qū)p-act1的寬度可以對應(yīng)于預(yù)定的有源高度ha。第一nmos區(qū)n-act1的寬度也可以對應(yīng)于相同的有源高度ha。

第二布局l2可以包括第二有源區(qū)act2和第二虛設(shè)區(qū)dr2。第二有源區(qū)act2可以包括第二pmos區(qū)p-act2和第二nmos區(qū)n-act2。第二pmos區(qū)p-act2可以是在該處形成p型mosfet器件的區(qū)域。第二nmos區(qū)n-act2可以是在該處形成n型mosfet器件的區(qū)域。第二pmos區(qū)p-act2和第二nmos區(qū)n-act2可以彼此間隔開。

第二布局l2可以表示一個單元。第二布局l2的單元高度hc可以是預(yù)定值。第二布局l2的單元高度hc可以與第一布局的單元高度hc相同。

第二虛設(shè)區(qū)dr2可以包括電源軌區(qū)pr_2和第二mol區(qū)mol2。電源軌區(qū)pr_2可以包括第三電源軌區(qū)pr3和第四電源軌區(qū)pr4。第三電源軌區(qū)pr3可以與第二pmos區(qū)p-act2接觸，而不與第二nmos區(qū)n-act2接觸。也就是，第二pmos區(qū)p-act2可以位于第三電源軌區(qū)pr3與第二mol區(qū)mol2之間。

第四電源軌區(qū)pr4可以與第二nmos區(qū)n-act2接觸，而不與第二pmos區(qū)p-act2接觸。也就是，第二nmos區(qū)n-act2可以位于第四電源軌區(qū)pr4與第二mol區(qū)mol2之間。

第二mol區(qū)mol2可以位于第二pmos區(qū)p-act2與第二nmos區(qū)n-act2之間。第二mol區(qū)mol2可以不接觸第三電源軌區(qū)pr3和第四電源軌區(qū)pr4。

第一虛設(shè)納米線結(jié)構(gòu)設(shè)計dmbc1可以形成在第三電源軌區(qū)pr3中。虛設(shè)納米線結(jié)構(gòu)設(shè)計dmbc1-dmbc4可以是未被用作有源的納米線結(jié)構(gòu)設(shè)計。第四虛設(shè)納米線結(jié)構(gòu)設(shè)計dmbc4可以形成在第四電源軌區(qū)pr4中。

第三電源軌區(qū)pr3和第四電源軌區(qū)pr4可以起到為整個單元供電的作用。例如，第三電源軌區(qū)pr3可以供給正電，第四電源軌區(qū)pr4可以供給負電。然而，示范實施方式不限于以上給出的示例。

第二mol區(qū)mol2可以包括第二虛設(shè)納米線結(jié)構(gòu)設(shè)計dmbc2和第三虛設(shè)納米線結(jié)構(gòu)設(shè)計dmbc3。第二虛設(shè)納米線結(jié)構(gòu)設(shè)計dmbc2和第三虛設(shè)納米線結(jié)構(gòu)設(shè)計dmbc3可以被形成用于第一至第四有源鰭型圖案設(shè)計ambc1-ambc4的均勻排列。也就是，因為使用雙圖案化技術(shù)(dpt)或者四圖案化技術(shù)(qpt)等等會涉及形成沒有被實際上使用的虛設(shè)鰭型圖案，所以對于其的設(shè)計可以包括在第二布局l2中。

第二pmos區(qū)p-act2可以包括第一有源納米線結(jié)構(gòu)設(shè)計ambc1和第二有源納米線結(jié)構(gòu)設(shè)計ambc2。第二nmos區(qū)n-act2可以包括第三有源納米線結(jié)構(gòu)設(shè)計ambc3和第四有源納米線結(jié)構(gòu)設(shè)計ambc4。

第二pmos區(qū)p-act2的寬度可以對應(yīng)于預(yù)定的有源高度ha。第二nmos區(qū)n-act2的寬度也可以對應(yīng)于相同的有源高度ha。也就是，單元高度hc和有源高度ha二者可以在第一布局l1和第二布局l2中是相同的。

如圖2的流程圖所示，在s200，再設(shè)計模塊300再設(shè)計第一布局l1，從而形成第二布局l2。

不同于第一布局l1，第二布局l2中可以不包括鰭型圖案設(shè)計。在第二布局l2中，可以去除第一布局l1的鰭型圖案設(shè)計并且可以增加納米線結(jié)構(gòu)。納米線結(jié)構(gòu)可以是多橋溝道(multi-bridgechannel,mbc)fet元件。

具體地，如圖3和4所示，第一pmos區(qū)p-act1可以用第二pmos區(qū)p-act2替換。第一pmos區(qū)p-act1的第一至第三有源鰭型圖案af1-af3可以用第二pmos區(qū)p-act2的第一和第二有源納米線結(jié)構(gòu)ambc1和ambc2替代。

因為第一pmos區(qū)p-act1的有源高度ha和第二pmos區(qū)p-act2的有源高度ha相同，所以在用第一和第二有源納米線結(jié)構(gòu)設(shè)計ambc1和ambc2替代第一至第三有源鰭型圖案設(shè)計af1-af3方面可能存在某種限制。

也就是，作為第一至第三有源鰭型圖案設(shè)計af1-af3的寬度與第一至第三有源鰭型圖案設(shè)計af1-af3之間的節(jié)距之和的距離可以等于作為第一和第二有源納米線結(jié)構(gòu)設(shè)計ambc1和ambc2的寬度與第一和第二有源納米線結(jié)構(gòu)設(shè)計ambc1和ambc2之間的節(jié)距之和的距離。即，這些距離必須等于有源高度ha。

第一nmos區(qū)n-act1可以用第二nmos區(qū)n-act2替代。第一nmos區(qū)n-act1的第四至第六有源鰭型圖案設(shè)計af4-af6可以用第二nmos區(qū)n-act2的第三和第四有源納米線結(jié)構(gòu)設(shè)計ambc3和ambc4替代。

因為第一nmos區(qū)n-act1的有源高度ha與第二nmos區(qū)n-act2的有源高度ha相等，所以在用第三和第四有源納米線結(jié)構(gòu)設(shè)計ambc3和ambc4替代第四至第六有源鰭型圖案設(shè)計af4-af6方面可能存在某種限制。

也就是，作為第四至第六有源鰭型圖案設(shè)計af4-af6的寬度與第四至第六有源鰭型圖案設(shè)計af4-af6之間的節(jié)距之和的距離可以等于第三和第四有源納米線結(jié)構(gòu)設(shè)計ambc3和ambc4的寬度與第三和第四有源納米線結(jié)構(gòu)設(shè)計ambc3和ambc4之間的節(jié)距之和的距離。也就是，這些距離必須等于有源高度ha。

為了增加半導(dǎo)體器件的集成密度，鰭型圖案的寬度將必須逐漸變窄。然而，可能存在由于與工藝相關(guān)的問題所引起的限制。代替地，當(dāng)鰭型圖案被替代為與納米線堆疊的多橋溝道的形式時，若干溝道被垂直地形成。在這種情況下，比鰭型圖案設(shè)計少的數(shù)目的納米線結(jié)構(gòu)可以被替代。因此，每個納米線結(jié)構(gòu)的寬度可以形成得比每個鰭型圖案的寬度相對更寬。結(jié)果，能夠克服與工藝相關(guān)的限制。

此外，納米線結(jié)構(gòu)可以具有比鰭型圖案更大的寬度，使得根據(jù)一些示范性實施例的半導(dǎo)體器件可以具有減小的邊緣電容。也就是，與制造有第一布局l1的半導(dǎo)體器件相比，制造有根據(jù)一些示范性實施例的布局設(shè)計系統(tǒng)產(chǎn)生的第二布局l2的半導(dǎo)體器件可以具有提高的交流電(ac)性能。

如圖5中所示，第一布局l1可以包括均勻的排列。也就是，第一虛設(shè)鰭型圖案設(shè)計df1、第一至第三有源鰭型圖案設(shè)計af1-af3、第二至第四虛設(shè)鰭型圖案設(shè)計df2-df4、第四至第六有源鰭型圖案設(shè)計af4-af6以及第五虛設(shè)鰭型圖案設(shè)計df5可以順序地平行設(shè)置。

第一虛設(shè)鰭型圖案設(shè)計df1、第一至第三有源鰭型圖案設(shè)計af1-af3、第二至第四虛設(shè)鰭型圖案設(shè)計df2-df4、第四至第六有源鰭型圖案設(shè)計af4-af6以及第五虛設(shè)鰭型圖案設(shè)計df5可以全部具有相同的第一寬度w1。第一虛設(shè)鰭型圖案設(shè)計df1、第一至第三有源鰭型圖案設(shè)計af1-af3、第二至第四虛設(shè)鰭型圖案設(shè)計df2-df4、第四至第六有源鰭型圖案設(shè)計af4-af6以及第五虛設(shè)鰭型圖案設(shè)計df5可以全部彼此間隔開相同的第一節(jié)距p1。

如圖6所示，第二布局l2可以包括均勻的排列。也就是，第一虛設(shè)納米線結(jié)構(gòu)設(shè)計dmbc1、第一和第二有源納米線結(jié)構(gòu)設(shè)計ambc1和ambc2、第二和第三虛設(shè)納米線結(jié)構(gòu)設(shè)計dmbc2和dmbc3、第三和第四有源納米線結(jié)構(gòu)設(shè)計ambc3和ambc4、以及第四虛設(shè)納米線結(jié)構(gòu)設(shè)計dmbc4可以順序地平行設(shè)置。

也就是，第一和第二有源納米線結(jié)構(gòu)設(shè)計ambc1和ambc2、第二和第三虛設(shè)納米線結(jié)構(gòu)設(shè)計dmbc2和dmbc3、以及第三和第四有源納米線結(jié)構(gòu)設(shè)計ambc3和ambc4可以全部具有相同的第二寬度w2。第二寬度w2可以等于或者大于第一寬度w1的兩倍，并且等于或小于第一寬度w1的四倍。

第一和第二有源納米線結(jié)構(gòu)設(shè)計ambc1和ambc2、第二和第三虛設(shè)納米線結(jié)構(gòu)設(shè)計dmbc2和dmbc3、以及第三和第四有源納米線結(jié)構(gòu)設(shè)計ambc3和ambc4可以彼此間隔開第二節(jié)距p2。第二節(jié)距p2可以是在從有源高度ha減去第二寬度w2的兩倍之后剩下的余數(shù)。

第三電源軌區(qū)pr3的第一虛設(shè)納米線結(jié)構(gòu)設(shè)計dmbc1和第四電源軌區(qū)pr4的第四虛設(shè)納米線結(jié)構(gòu)設(shè)計dmbc4可以具有不同于第二寬度w2的第三寬度w3。

此外，第一虛設(shè)納米線結(jié)構(gòu)設(shè)計dmbc1和第一有源納米線結(jié)構(gòu)設(shè)計ambc1之間的第三節(jié)距p3可以不同于第二節(jié)距p2。此外，第四虛設(shè)納米線結(jié)構(gòu)設(shè)計dmbc4和第四有源納米線結(jié)構(gòu)設(shè)計ambc4之間的第三節(jié)距p3可以不同于第二節(jié)距p2。

如圖7中所示，具有多個第一柵電極設(shè)計g1'-g3'和第一接觸設(shè)計c1'、c2'的上部結(jié)構(gòu)布局可以在第一布局l1上交疊。上部結(jié)構(gòu)布局可以表示包括形成在鰭型圖案上的柵電極、接觸等等的設(shè)計的位置和布置。

具體地，第一柵電極設(shè)計g1'-g3'可以在與鰭型圖案設(shè)計延伸的方向交叉的方向上延伸。第一接觸設(shè)計c1'、c2'可以形成在第一有源區(qū)act1和第一虛設(shè)區(qū)dr1中。然而，這里示出的第一接觸設(shè)計c1'和c2'的位置和數(shù)目僅被提供為一示例，示范性實施例不限于此。

如圖8中所示，具有多個第二柵電極設(shè)計g1-g3和第二接觸設(shè)計c1和c2的上部結(jié)構(gòu)布局可以在第二布局l2上交疊。上部結(jié)構(gòu)布局可以表示包括形成在鰭型圖案上的柵電極、接觸等等的設(shè)計的位置和布置。

具體地，第二柵電極設(shè)計g1-g3可以在與鰭型圖案設(shè)計延伸的方向交叉的方向上延伸。第二接觸設(shè)計c1和c2可以形成在第二有源區(qū)act2和第二虛設(shè)區(qū)dr2中。然而，這里示出的第二接觸設(shè)計c1和c2的位置和數(shù)目僅被提供為一示例，示范性實施例不限于此。

如圖7和8中所示，上部結(jié)構(gòu)布局可以根本不修改并且被應(yīng)用到第二布局。也就是，半導(dǎo)體器件可以通過使用作為第一布局l1的再設(shè)計布局的第二布局l2以及上部結(jié)構(gòu)布局而制造。也就是，第二布局l2可以完全替代第一布局l1。結(jié)果，根據(jù)一些示范性實施例的半導(dǎo)體器件的制造方法可以最小化設(shè)計規(guī)劃過程中的浪費并且有效地制造半導(dǎo)體器件。

如圖2中所示，在s300，納米線結(jié)構(gòu)通過使用第二布局l2形成。

圖9至12是提供來說明在圖8的圈出部分k中形成的納米線結(jié)構(gòu)的視圖。也就是，圖9是提供來說明根據(jù)一些示范性實施例的形成在圖8的圈出部分k處的半導(dǎo)體器件的透視圖，圖10是關(guān)于圖9的線a-a'截取的截面圖。圖11是關(guān)于圖9的線b-b'截取的截面圖，圖12是關(guān)于圖9的線c-c'截取的截面圖。

如圖9至12中所示，根據(jù)一些示范性實施例的半導(dǎo)體器件的納米線結(jié)構(gòu)可以包括基板100、鰭型圖案110、第一納米線nw1、柵電極130、柵間隔物140、源極/漏極150等等。

基板100例如可以是體硅或者絕緣體上硅(soi)。作為選擇，基板100可以是硅基板，或者可以包括其它材料，諸如硅鍺、銦銻化物、鉛碲化物化合物、銦砷化物、銦磷化物、鎵砷化物或者鎵銻化物。作為選擇，基板100可以是其上形成有外延層的基底基板。

鰭型圖案110可以從基板100突出。場絕緣膜105可以至少部分地覆蓋鰭型圖案110的側(cè)壁。鰭型圖案110可以由場絕緣膜105限定。場絕緣膜105可以包括例如氧化物膜、氮化物膜、氮氧化物膜和其組合中的一個。

如圖9中所示，鰭型圖案110的側(cè)壁可以被場絕緣膜105完全地圍繞，但是注意，這僅是為了示例性的目的，并且示范性實施例不限于此。

鰭型圖案110可以在第一方向x上伸長。也就是，鰭型圖案110可以包括沿著第一方向x延伸的長邊以及在第二方向y上延伸的短邊。

鰭型圖案110可以通過部分地蝕刻基板100而形成，并且可以包括從基板100生長的外延層。例如，鰭型圖案110可以包括元素半導(dǎo)體材料，諸如硅或者鍺。此外，例如，鰭型圖案110可以包括化合物半導(dǎo)體，諸如iv-iv族化合物半導(dǎo)體或者iii-v族化合物半導(dǎo)體。

例如，在iv-iv族化合物半導(dǎo)體的情況中，鰭型圖案110可以是包括碳(c)、硅(si)、鍺(ge)和錫(sn)中的至少兩種或更多種的二元化合物或者三元化合物，或者是摻雜有iv族元素的這些化合物。

在iii-v族化合物半導(dǎo)體的情況中，例如，鰭型圖案110可以是通過從鋁(al)、鎵(ga)和銦(in)選擇的至少一種iii族元素與從磷(p)、砷(as)和銻(sb)選擇的一種v族元素的組合而形成的二元化合物、三元化合物或者四元化合物。

在下面的描述中，假設(shè)根據(jù)示范性實施例的半導(dǎo)體器件的鰭型圖案110包括硅。

第一納米線nw1可以形成在基板100上，同時與基板100間隔開。第一納米線nw1可以在第一方向x上延伸。

具體地，第一納米線nw1可以形成在鰭型圖案110上，同時與鰭型圖案110間隔開。第一納米線nw1可以交疊鰭型圖案110。第一納米線nw1可以形成在鰭型圖案110上，而不是形成在場絕緣膜105上。

如圖11中所示，第一納米線nw1在第二方向y上的寬度可以等于鰭型圖案110在第二方向y上的寬度，但是注意，這僅是為了說明的方便而示出，示范性實施例不限于此。此外，雖然示出了第一納米線nw1具有方形截面，但示范性實施例不限于此。當(dāng)然，第一納米線nw1的拐角可以通過修整等等而被倒圓。

第一納米線nw1可以用作晶體管的溝道區(qū)。用于第一納米線nw1的材料可以根據(jù)半導(dǎo)體器件是pmos還是nmos而改變，但是示范性實施例不限于此。

此外，第一納米線nw1可以包括與鰭型圖案110的材料相同的材料，或者包括與鰭型圖案110的材料不同的材料。然而，為了說明的方便，這里將假設(shè)根據(jù)示范性實施例的半導(dǎo)體器件的第一納米線nw1均包括硅。

第二納米線nw2可以形成在基板100上，同時與基板100間隔開。第二納米線nw2可以在第一方向x上延伸。

與第一納米線nw1可以與基板100間隔開的距離相比，第二納米線nw2可以與基板100間隔得更遠。也就是，從鰭型圖案110的上表面到第二納米線nw2的高度大于從鰭型圖案110的上表面到第一納米線nw1的高度。

第二納米線nw2可以交疊鰭型圖案110。第二納米線nw2可以形成在鰭型圖案110上，而不是形成在場絕緣膜105上。

第二納米線nw2可以用作晶體管的溝道區(qū)。因此，第二納米線nw2可以包括與第一納米線nw1相同的材料。

柵電極130可以形成在場絕緣膜105和鰭型圖案110上。柵電極130可以在第二方向y上延伸。

柵電極130可以形成為圍繞與鰭型圖案110的上表面間隔開的第一納米線nw1的周邊。柵電極130也可以形成于在第一納米線nw1和鰭型圖案110之間限定的空間中。

柵電極130可以形成為圍繞第二納米線nw2的周邊。柵電極130可以形成于在第一納米線nw1和第二納米線nw2之間限定的空間中。

柵電極130可以包括導(dǎo)電材料。如所示出的，柵電極130可以是單層，但不限于此。也就是，柵電極130可以包括填充導(dǎo)電層以及調(diào)節(jié)功函數(shù)的功函數(shù)導(dǎo)電層，該填充導(dǎo)電層填充由用于功函數(shù)調(diào)節(jié)的功函數(shù)導(dǎo)電層形成的空間。

例如，柵電極130可以包括tin、wn、tan、ru、tic、tac、ti、ag、al、tial、tialn、tialc、tacn、tasin、mn、zr、w和al中的至少之一。作為選擇，柵電極130可以均由非金屬元素諸如si、sige等等形成。例如，以上描述的柵電極130可以通過置換工藝形成，但不限于此。

如圖12中所示，柵間隔物140可以形成在柵電極130的在第二方向y上延伸的相對側(cè)壁上。柵間隔物140可以形成在第一納米線nw1的相對側(cè)上，同時彼此面對。柵間隔物140可以均包括通孔140h1、140h2。

柵間隔物140可以設(shè)置在第一納米線nw1的相對端部上以及第二納米線nw2的相對端部上。柵間隔物140可以均包括多個通孔140h1、140h2。

第一納米線nw1可以穿過柵間隔物140。第一納米線nw1可以穿過通孔140h1。柵間隔物140可以與第一納米線nw1的側(cè)表面的一部分的周邊完全接觸。

第二納米線nw2可以穿過柵間隔物140。第二納米線nw2可以穿過多個通孔140h1、140h2中的一個通孔140h2。第二納米線nw2的端部的周邊可以與柵間隔物140接觸。

當(dāng)?shù)谝患{米線nw1的被柵電極130圍繞的拐角通過例如修整工藝被倒圓時，第一納米線nw1的側(cè)表面與柵間隔物140接觸的部分可以具有與被柵電極130圍繞的第一納米線nw1的截面不同的截面。

像第一納米線nw1一樣，當(dāng)?shù)诙{米線nw2的被柵電極130圍繞的拐角通過例如修整工藝被倒圓時，第二納米線nw2的與柵間隔物140接觸的端部可以具有與被柵電極130圍繞的第二納米線nw2的截面不同的截面。

柵間隔物140可以關(guān)于柵電極130形成在柵電極130的兩側(cè)，并且第一納米線nw1和第二納米線nw2可以具有與在兩側(cè)的柵間隔物140的全部外側(cè)壁相同的平面。也就是，第一納米線nw1和第二納米線nw2的端部以及柵間隔物140的外側(cè)壁可以不突出。

第二納米線nw2可以與第一納米線nw1對準(zhǔn)。第二納米線nw2可以在第三方向z上與第一納米線nw1交疊。第一納米線nw1和第二納米線nw2可以具有彼此相等的長度。然而，示范性實施例不限于以上給出的示例。此外，第一納米線nw1和第二納米線nw2可以在第三方向z上對準(zhǔn)。

柵間隔物140可以包括外部間隔物141和內(nèi)部間隔物142。外部間隔物141可以與內(nèi)部間隔物142直接接觸。內(nèi)部間隔物142可以設(shè)置在鰭型圖案110的上表面與第一納米線nw1之間以及在第一納米線nw1與第二納米線nw2之間。如圖12的y-z截面中所示，內(nèi)部間隔物142可以被第一納米線nw1、第二納米線nw2、鰭型圖案110和外部間隔物141圍繞。

內(nèi)部間隔物142可以設(shè)置在鰭型圖案110的上表面與第一納米線nw1之間以及在第一納米線nw1與第二納米線nw2之間。也就是，內(nèi)部間隔物142可以包括在第三方向z上彼此間隔開的多個絕緣圖案。

如圖12中所示，第二納米線nw2的最高表面可以與外部間隔物141接觸并且第二納米線nw2的最低表面可以與內(nèi)部間隔物142接觸，雖然示范性實施例不限于此。因此，第二納米線nw2的最高表面和第二納米線nw2的最低表面當(dāng)然可以與內(nèi)部間隔物142接觸。

外部間隔物141和內(nèi)部間隔物142可以包括彼此不同的材料。當(dāng)包括在外部間隔物141中的材料具有第一介電常數(shù)并且包括在內(nèi)部間隔物142中的材料具有第二介電常數(shù)時，第一介電常數(shù)和第二介電常數(shù)可以彼此不同。

在根據(jù)一示范性實施例的半導(dǎo)體器件中，包括在外部間隔物141中的材料可以具有比包括在內(nèi)部間隔物142中的材料的介電常數(shù)大的介電常數(shù)?？梢酝ㄟ^使第二介電常數(shù)低于第一介電常數(shù)而減小柵電極130與源極/漏極150之間的邊緣電容。

例如，外部間隔物141可以包括硅氮化物(sin)、硅氮氧化物(sion)、硅氧化物(sio2)、硅碳氮氧化物(sicon)和其組合中的至少之一。例如，內(nèi)部間隔物142可以包括低k電介質(zhì)材料、硅氮化物(sin)、硅氮氧化物(sion)、硅氧化物(sio2)、硅碳氮氧化物(sicon)和其組合中的至少之一。低k電介質(zhì)材料可以是具有比硅氧化物低的介電常數(shù)的材料。

柵絕緣膜147可以形成在第一納米線nw1和柵電極130之間以及在第二納米線nw2和柵電極130之間。柵絕緣膜147可以沿著第二納米線nw2的周邊形成。此外，柵絕緣膜147也可以形成在場絕緣膜105和柵電極130之間、鰭型圖案110和柵電極130之間、以及柵間隔物140和柵電極130之間。

例如，柵絕緣膜147可以包括界面膜146和高k絕緣膜145，但是不限于此。也就是，根據(jù)用于第一納米線nw1的材料等等，柵絕緣膜147的界面膜146可以被省略。

因為界面膜146可以形成在第一納米線nw1的周邊上，所以界面膜146可以形成在第一納米線nw1和柵電極130之間以及在鰭型圖案110和柵電極130之間。同時，高k絕緣膜145可以形成在第一納米線nw1和柵電極130之間、鰭型圖案110和柵電極130之間、場絕緣膜105和柵電極130之間、以及柵間隔物140和柵電極130之間。

柵絕緣膜147可以沿著第一納米線nw1和第二納米線nw2的周邊形成。柵絕緣膜147可以沿著場絕緣膜105的上表面以及鰭型圖案110的上表面形成。另外，柵絕緣膜147可以沿著柵間隔物140的側(cè)壁形成。柵絕緣膜147可以沿著外部間隔物141和內(nèi)部間隔物142的側(cè)壁形成。

當(dāng)?shù)谝患{米線nw1和第二納米線nw2包括硅時，界面膜146可以包括硅氧化物膜。在這時，界面膜146可以形成在第一納米線nw1和第二納米線nw2的周邊上以及在鰭型圖案110的上表面上，但是可以不沿著柵間隔物140的側(cè)壁形成。

高k絕緣膜145可以包括具有比硅氧化物膜高的介電常數(shù)的高k電介質(zhì)材料。例如，高k電介質(zhì)材料可以包括鉿氧化物、鉿硅氧化物、鑭氧化物、鑭鋁氧化物、鋯氧化物、鋯硅氧化物、鉭氧化物、鈦氧化物、鋇鍶鈦氧化物、鋇鈦氧化物、鍶鈦氧化物、釔氧化物、鋁氧化物、鉛鈧鉭氧化物和鈮鋅酸鉛中的一種或更多種，但不限于此。

如上所述，當(dāng)界面膜146被省略時，高k絕緣膜145可以不僅包括高k電介質(zhì)材料，而且還包括硅氧化物膜、硅氮氧化物膜、硅氮化物膜等等。

源極/漏極150可以形成在柵電極130的兩側(cè)。源極/漏極150可以形成在鰭型圖案110上。源極/漏極150可以包括形成在鰭型圖案110的上表面上的外延層。

源極/漏極150的外周邊可以呈現(xiàn)各種形狀。例如，源極/漏極150的外周邊可以成形為菱形、圓形、矩形和八邊形中的至少之一。圖9示出例如菱形形狀(或者五邊形或者六邊形形狀)。

源極/漏極150可以與被用作溝道區(qū)的第一納米線nw1和第二納米線nw2直接連接。即，源極/漏極150可以與穿過柵間隔物140的通孔140h1、140h2的第一納米線nw1和第二納米線nw2直接連接。

然而，源極/漏極150可以不與柵絕緣膜147直接接觸。柵間隔物140可以位于源極/漏極150和柵絕緣膜147之間。更具體而言，因為內(nèi)部間隔物142的一個側(cè)壁可以與柵絕緣膜147接觸，而內(nèi)部間隔物142的另一側(cè)壁可以與源極/漏極150接觸，所以源極/漏極150與柵絕緣膜147可以在第一納米線nw1、第二納米線nw2和基板100之間彼此不接觸。此外，因為外部間隔物141與第一納米線nw1的最高部分接觸，所以源極/漏極150和柵絕緣膜147可以在第一納米線nw1上方彼此不接觸。

在下文，將參照圖10和圖13至27說明根據(jù)一示范實施方式的半導(dǎo)體器件的制造方法。在下面的描述中，為了簡潔起見，與以上已經(jīng)提供的示范性實施例重疊的描述將不被描述或者將盡可能簡要地描述。

基于圖13至27制造的半導(dǎo)體器件對應(yīng)于以上參照圖9至12描述的半導(dǎo)體器件。

圖13至25是示出制造的中間階段的視圖，提供來說明根據(jù)一些示范性實施例的半導(dǎo)體器件的制造方法。為了參考，圖24是關(guān)于圖23的線d-d截取的截面圖，圖25是關(guān)于圖23的線e-e截取的截面圖。

如圖13中所示，第一犧牲膜2001、第一有源膜2002、第二犧牲膜2003、第二有源膜2004和第三犧牲膜2005順序地形成在基板100上。

第一犧牲膜2001、第二犧牲膜2003和第三犧牲膜2005可以包括相同的材料，并且第一犧牲膜2001和第一有源膜2002可以包括不同的材料。對于根據(jù)一示范性實施例的半導(dǎo)體器件的制造方法的以下說明，假設(shè)第一至第三犧牲膜2001至2005包括相同的材料。還假設(shè)第一有源膜2002和第二有源膜2004可以包括相對于第一犧牲膜2001具有蝕刻選擇性的材料。

例如，基板100以及第一有源膜2002和第二有源膜2004可以包括可用作晶體管的溝道區(qū)的材料。也就是，在pmos的情況下，第一有源膜2002和第二有源膜2004可以包括高空穴遷移率的材料，而在nmos的情況下，第一有源膜2002和第二有源膜2004可以包括具有高電子遷移率的材料。

第一至第三犧牲膜2001至2005可以包括具有與第一有源膜2002和第二有源膜2004相似的晶格常數(shù)和晶格結(jié)構(gòu)的材料。也就是，第一至第三犧牲膜2001至2005可以是半導(dǎo)體材料，或者是結(jié)晶金屬材料。

在以下的說明中，還假設(shè)第一有源膜2002和第二有源膜2004包括硅并且第一至第三犧牲膜2001至2005均包括硅鍺。

雖然圖13將第一有源膜2002和第二有源膜2004示為兩個膜，但這樣示出僅為了說明的方便并且示范性實施例不限于此。

此外，雖然圖13示出第三犧牲膜2005位于層疊膜結(jié)構(gòu)的最高部分，但示范性實施例不限于此。因此，第二有源膜2004當(dāng)然可以位于層疊膜結(jié)構(gòu)的最高部分。

接著，第一掩模圖案2103形成在第三犧牲膜2005上。第一掩模圖案2103可以在第一方向x上伸長。

例如，第一掩模圖案2103可以由包括硅氧化物膜、硅氮化物膜和硅氮氧化物膜中的至少之一的材料形成。

如圖14中所示，以第一掩模圖案2103作為掩模進行蝕刻工藝，因此形成鰭型結(jié)構(gòu)110p。

鰭型結(jié)構(gòu)110p可以通過圖案化第三犧牲膜2005、第二有源膜2004、第二犧牲膜2003、第一有源膜2002、第一犧牲膜2001和基板100的一部分而形成。

鰭型結(jié)構(gòu)110p可以形成在基板100上并且從基板100突出。類似于第一掩模圖案2103，鰭型結(jié)構(gòu)110p可以在第一方向x上延伸。

在鰭型結(jié)構(gòu)110p中，鰭型圖案110、第一犧牲圖案121、第一預(yù)布線圖案122、第二犧牲圖案123、第二預(yù)布線圖案124以及第三犧牲圖案125可以順序地堆疊在基板100上。

如圖15中所示，覆蓋鰭型結(jié)構(gòu)110p的側(cè)壁的至少一部分的場絕緣膜105可以形成在基板100上。

具體地，覆蓋鰭型結(jié)構(gòu)110p的場絕緣膜105形成在基板100上。通過場絕緣膜105的平坦化工藝，鰭型結(jié)構(gòu)110p的上表面和場絕緣膜105的上表面可以在相同的平面中。

第一掩模圖案2103可以在平坦化的工藝中被去除，但不限于此。

然后場絕緣膜105的上部分被凹進，因此暴露鰭型結(jié)構(gòu)110p的一部分。凹進工藝可以包括蝕刻工藝。也就是，鰭型結(jié)構(gòu)110p可以形成為在場絕緣膜105上突出。

如圖15中所示，第三犧牲圖案125、第二預(yù)布線圖案124、第二犧牲圖案123、第一預(yù)布線圖案122和第一犧牲圖案121可以在場絕緣膜105的上表面上突出，并且鰭型圖案110的側(cè)壁可以被場絕緣膜105完全地圍繞，但是示范性實施例不限于此。也就是，鰭型圖案110的側(cè)壁的一部分可以通過場絕緣膜105的上部分凹進工藝而在場絕緣膜105的上表面上突出。

在導(dǎo)致鰭型結(jié)構(gòu)110p的該部分向上突出得高于場絕緣膜105的上表面的凹進工藝之前和/或之后，為了閾值電壓調(diào)節(jié)的目的，第一預(yù)布線圖案122和第二預(yù)布線圖案124可以被摻雜。當(dāng)半導(dǎo)體器件是nmos晶體管時，雜質(zhì)可以是硼(b)。當(dāng)半導(dǎo)體器件是pmos晶體管時，雜質(zhì)可以是磷(p)或者砷(as)，但不限于此。

如圖16中所示，與鰭型結(jié)構(gòu)110p交叉并且在第二方向y上延伸的虛設(shè)柵圖案135可以通過用第二掩模圖案2104執(zhí)行蝕刻工藝而形成。虛設(shè)柵圖案135可以形成在鰭型結(jié)構(gòu)110p上。

虛設(shè)柵圖案135可以包括虛設(shè)柵絕緣膜136和虛設(shè)柵電極137。例如，虛設(shè)柵絕緣膜136可以包括硅氧化物膜，并且虛設(shè)柵電極137可以包括多晶硅或者非晶硅。

如圖17中所示，外部間隔物141可以形成在虛設(shè)柵圖案135的側(cè)壁上。即，外部間隔物141可以形成在虛設(shè)柵絕緣膜136的側(cè)壁以及虛設(shè)柵電極137的側(cè)壁上。

具體地，覆蓋虛設(shè)柵圖案135和鰭型結(jié)構(gòu)110p的第一間隔物膜形成在場絕緣膜105上。然后，第一間隔物膜可以被回蝕刻，于是在虛設(shè)柵圖案135的側(cè)壁上留下外部間隔物141。

如圖18中所示，與虛設(shè)柵電極137和外部間隔物141不交疊的鰭型結(jié)構(gòu)110p通過使用包括虛設(shè)柵電極137的虛設(shè)柵圖案135和外部間隔物141作為掩模被去除。通過這樣做，凹陷150r可以形成在鰭型結(jié)構(gòu)110p內(nèi)。凹陷150r的底表面可以是鰭型圖案110。

形成外部間隔物141和形成凹陷150r可以被同時執(zhí)行，雖然示范性實施例不限于此。即，在外部間隔物141被形成之后，凹陷150r可以通過去除鰭型結(jié)構(gòu)110p的一部分而形成。

當(dāng)凹陷150r正被形成于鰭型結(jié)構(gòu)110p中時，不交疊虛設(shè)柵電極137和外部間隔物141的第一至第三犧牲圖案121至125可以被去除。此外，當(dāng)凹陷150r正被形成于鰭型結(jié)構(gòu)110p中時，可以通過去除不交疊虛設(shè)柵電極137和外部間隔物141的第一預(yù)布線圖案122和第二預(yù)布線圖案124而形成第一納米線nw1和第二納米線nw2。

借助凹陷150r的存在，第一犧牲圖案121的截面、第二犧牲圖案123的截面以及第三犧牲圖案125的截面、第一納米線nw1的截面和第二納米線nw2的截面可以暴露。

如圖19中所示，通過凹陷150r暴露并且與外部間隔物141交疊的至少一部分第一犧牲圖案121、至少一部分第二犧牲圖案123以及至少一部分第三犧牲圖案125可以被去除。結(jié)果，凹陷(dimple)142r可以形成在外部間隔物141與第一納米線nw1和第二納米線nw2之間。

凹陷142r可以是在第一方向x上降下得遠于通過凹陷150r暴露的第一納米線nw1和第二納米線nw2的截面的形狀。

例如，凹陷142r可以通過使用選擇蝕刻工藝形成。具體地，凹陷142r可以通過使用對于第一至第三犧牲圖案121至125具有比對于第一納米線nw1和第二納米線nw2的蝕刻速率更高的蝕刻速率的蝕刻劑的蝕刻工藝而形成。

如圖20中所示，內(nèi)部間隔物142可以通過用絕緣材料填充凹陷142r而形成。

例如，可以形成填充凹陷142r的第二間隔物膜。第二間隔物膜可以是具有良好的間隙填充能力的材料。第二間隔物膜還可以形成在場絕緣膜105、外部間隔物141的側(cè)壁上，并且還在虛設(shè)柵圖案135上。

然后，可以通過蝕刻第二間隔物膜直到暴露與虛設(shè)柵圖案135和外部間隔物141不交疊的鰭型圖案110的上表面而執(zhí)行蝕刻工藝。結(jié)果，可以形成內(nèi)部間隔物142。

在這時，內(nèi)部間隔物142的厚度可以被確定。內(nèi)部間隔物142的厚度可以等于外部間隔物141的厚度。然而，示范性實施例不限于以上給出的任何示例。內(nèi)部間隔物142的厚度可以不同于外部間隔物141的厚度。

因此，可以形成包括外部間隔物141和內(nèi)部間隔物142的柵間隔物140。

此外，由外部間隔物141和內(nèi)部間隔物142限定的通孔140h1、140h2可以形成在柵間隔物140中。第一納米線nw1和第二納米線nw2可以通過通孔140h1、140h2暴露。也就是，第一納米線nw1和第二納米線nw2可以分別穿過通孔140h1、140h2。

如圖21中所示，可以形成填充凹陷150r的源極/漏極150。源極/漏極150可以形成在虛設(shè)柵圖案135的兩側(cè)。

源極/漏極150可以用暴露的鰭型圖案110以及第一納米線nw1和第二納米線nw2作為籽晶層而形成，雖然示范性實施例不限于此。籽晶層當(dāng)然可能被另外形成在通過凹陷150r暴露的第一納米線nw1和鰭型圖案110的突出截面上。

源極/漏極150可以形成為覆蓋內(nèi)部間隔物142。源極/漏極150可以接觸內(nèi)部間隔物142。

源極/漏極150可以通過外延工藝形成。依據(jù)根據(jù)示范性實施例的半導(dǎo)體器件是n型晶體管還是p型晶體管，用于包括在源極/漏極150中的外延層的材料可以改變。此外，根據(jù)需要，雜質(zhì)可以在外延工藝期間被原位摻雜。

如圖22中所示，覆蓋源極/漏極150、柵間隔物140、虛設(shè)柵圖案135等等的層間絕緣膜180可以形成在場絕緣膜105上。

層間絕緣膜180可以包括低k材料、氧化物膜、氮化物膜和氮氧化物膜中的至少之一。例如，低k材料可以是可流動氧化物(fox)、聚硅氮烷、未摻雜的石英玻璃(usg)、硼硅酸鹽玻璃(bsg)、磷硅酸鹽玻璃(psg)、硼磷硅酸鹽玻璃(bpsg)、等離子體增強正硅酸乙酯(peteos)、氟化物硅酸鹽玻璃(fsg)、高密度等離子體(hdp)氧化物、等離子體增強氧化物(peox)、可流動cvd(fcvd)氧化物或者其組合。

然后，層間絕緣膜180被平坦化直到暴露虛設(shè)柵電極137的上表面。結(jié)果，第二掩模圖案2104被去除，因此暴露虛設(shè)柵電極137的上表面。

如圖23至25中所示，可以去除虛設(shè)柵圖案135，即，虛設(shè)柵絕緣膜136和虛設(shè)柵電極137。

通過去除虛設(shè)柵絕緣膜136和虛設(shè)柵電極137，與虛設(shè)柵圖案135交疊的場絕緣膜105和鰭型結(jié)構(gòu)110p可以暴露。也就是，與虛設(shè)柵圖案135交疊的第一犧牲圖案121、第二犧牲圖案123、第三犧牲圖案125以及第一納米線圖案nw1和第二納米線圖案nw2可以暴露。

如圖24和25中所示，鰭型結(jié)構(gòu)110p的第一犧牲圖案121、第二犧牲圖案123和第三犧牲圖案125可以被去除。

結(jié)果，空間可以分別被限定在第一納米線nw1、第二納米線nw2和鰭型圖案110之間。此外，第一納米線nw1和第二納米線nw2可以形成在鰭型圖案110上。

去除第一納米線nw1和第二納米線nw2上方和下方的第一至第三犧牲圖案121至125可以涉及使用例如蝕刻工藝。也就是，可以利用第一至第三犧牲圖案121至125與第一和第二納米線nw1和nw2之間的蝕刻選擇性。

另外，去除第一至第三犧牲圖案121至125可以允許柵間隔物140的內(nèi)部間隔物142暴露。

如圖10中所示，界面膜146可以形成在第一納米線nw1和第二納米線nw2的周邊上以及鰭型圖案110的上表面上。

然后，高k絕緣膜145可以沿著柵間隔物140的側(cè)壁(即，沿著外部間隔物141和內(nèi)部間隔物142的側(cè)壁)以及沿著第一納米線nw1和第二納米線nw2的周邊形成。高k絕緣膜145可以與內(nèi)部間隔物142接觸。因此，可以形成柵絕緣膜147。

接著，可以形成圍繞第一納米線nw1和第二納米線nw2并在第二方向y上延伸的柵電極130。柵電極130可以是置換金屬柵電極。

在下文，將參照圖26描述根據(jù)一些示范性實施例的布局設(shè)計系統(tǒng)、使用該布局設(shè)計系統(tǒng)的半導(dǎo)體器件及其制造方法。在下面的描述中，為了簡潔起見，與上面已經(jīng)提供的示范性實施例重疊的描述將不被描述或者將盡可能簡要地描述。

圖26是提供來說明根據(jù)一些示范性實施例的半導(dǎo)體器件的布局圖。

參照圖26，第二布局l2可以包括不均勻的排列。第一虛設(shè)納米線結(jié)構(gòu)設(shè)計dmbc1、第一和第二有源納米線結(jié)構(gòu)設(shè)計ambc1和ambc2、第二和第三虛設(shè)納米線結(jié)構(gòu)設(shè)計dmbc2和dmbc3、第三和第四有源納米線結(jié)構(gòu)設(shè)計ambc3和ambc4、以及第四虛設(shè)納米線結(jié)構(gòu)設(shè)計dmbc4可以順序地平行設(shè)置。

第一虛設(shè)納米線結(jié)構(gòu)設(shè)計dmbc1和第四虛設(shè)納米線結(jié)構(gòu)設(shè)計dmbc4可以具有相同的第三寬度w3、第一有源納米線結(jié)構(gòu)設(shè)計ambc1和第二有源納米線結(jié)構(gòu)設(shè)計ambc2、第二虛設(shè)納米線結(jié)構(gòu)設(shè)計dmbc2和第三虛設(shè)納米線結(jié)構(gòu)設(shè)計dmbc3以及第三有源納米線結(jié)構(gòu)設(shè)計ambc3和第四有源納米線結(jié)構(gòu)設(shè)計ambc4可以全部具有相同的第二寬度w2。第二寬度w2可以等于或者大于圖5的第一寬度w1的兩倍，或者等于或小于第一寬度w1的四倍，并且第二寬度w2可以大于寬度w3。

第一有源納米線結(jié)構(gòu)設(shè)計ambc1和第二有源納米線結(jié)構(gòu)設(shè)計ambc2之間的節(jié)距以及第三有源納米線結(jié)構(gòu)設(shè)計ambc3和第四有源納米線結(jié)構(gòu)設(shè)計ambc4之間的節(jié)距可以對應(yīng)于第二節(jié)距p2。此外，ambc2通過第二mol區(qū)mol2而與ambc3間隔開。

也就是，在第二有源區(qū)act2中，可以提供對應(yīng)于第一布局l1的均勻排列。然而，設(shè)計可以在第二虛設(shè)區(qū)dr2中非均勻地排列。這是因為對于第二虛設(shè)區(qū)dr2的設(shè)計不是實際上被使用的有源元件。因此，第一虛設(shè)納米線結(jié)構(gòu)設(shè)計dmbc1和第一有源納米線結(jié)構(gòu)設(shè)計ambc1可以間隔開第三節(jié)距p3，第二有源納米線結(jié)構(gòu)設(shè)計ambc2和第二虛設(shè)納米線結(jié)構(gòu)設(shè)計dmbc2可以間隔開第四節(jié)距p4，第二虛設(shè)納米線結(jié)構(gòu)設(shè)計dmbc2和第三虛設(shè)納米線結(jié)構(gòu)設(shè)計dmbc3可以間隔開第五節(jié)距p5，第三虛設(shè)納米線結(jié)構(gòu)設(shè)計dmbc3和第三有源納米線結(jié)構(gòu)設(shè)計ambc3可以間隔開第六節(jié)距p6，第四有源納米線結(jié)構(gòu)設(shè)計ambc4和第四虛設(shè)納米線結(jié)構(gòu)設(shè)計dmbc4可以間隔開第七節(jié)距p7。第二至第七節(jié)距p2-p7可以都不同。

在下文，將描述根據(jù)一些示范性實施例的布局設(shè)計系統(tǒng)。更具體地，將參照圖27描述使用布局設(shè)計系統(tǒng)的半導(dǎo)體器件及其制造方法。在下面的描述中，為了簡潔起見，與上面已經(jīng)提供的示范實施方式重疊的描述將不被描述或者將盡可能簡要地描述。

圖27是提供來說明根據(jù)一些示范性實施例的半導(dǎo)體器件的布局圖。

如圖27中所示，第二布局l2的每個設(shè)計可以具有不均勻的寬度。第一虛設(shè)納米線結(jié)構(gòu)設(shè)計dmbc1、第一和第二有源納米線結(jié)構(gòu)設(shè)計ambc1和ambc2、第二和第三虛設(shè)納米線結(jié)構(gòu)設(shè)計dmbc2和dmbc3、第三和第四有源納米線結(jié)構(gòu)設(shè)計ambc3和ambc4、以及第四虛設(shè)納米線結(jié)構(gòu)設(shè)計dmbc4可以順序地平行設(shè)置。

第一和第二有源納米線結(jié)構(gòu)設(shè)計ambc1和ambc2以及第三和第四有源納米線結(jié)構(gòu)設(shè)計ambc3和ambc4可以全部具有相同的第二寬度w2。第二寬度w2可以等于或者大于圖5的第一寬度w1的兩倍，或者等于或小于第一寬度w1的四倍。

第一有源納米線結(jié)構(gòu)設(shè)計ambc1和第二有源納米線結(jié)構(gòu)設(shè)計ambc2之間的節(jié)距以及第三有源納米線結(jié)構(gòu)設(shè)計ambc3和第四有源納米線結(jié)構(gòu)設(shè)計ambc4之間的節(jié)距可以對應(yīng)于第二節(jié)距p2。

也就是，在第二有源區(qū)act2中，設(shè)計可以具有對應(yīng)于第一布局l1的均勻?qū)挾取Ｈ欢?，設(shè)計可以在第二虛設(shè)區(qū)dr2中具有不均勻的寬度。這是因為對于第二虛設(shè)區(qū)dr2的設(shè)計不是實際上被使用的有源元件。因此，第二虛設(shè)納米線結(jié)構(gòu)設(shè)計dmbc2的寬度可以是第四寬度w4，第三虛設(shè)納米線結(jié)構(gòu)設(shè)計dmbc3的寬度可以是第五寬度w5。第二至第五寬度w2-w5可以是彼此不同的寬度。

在下文，將描述根據(jù)一些示范性實施例的布局設(shè)計系統(tǒng)。更具體地，將參照圖28描述使用布局設(shè)計系統(tǒng)的半導(dǎo)體器件及其制造方法。在下面的描述中，為了簡潔起見，與上面已經(jīng)提供的示范實施方式重疊的描述將不被描述或者將盡可能簡要地描述。

圖28是提供來說明根據(jù)一些示范性實施例的半導(dǎo)體器件的布局圖。

如圖28中所示，第二布局l2可以包括對于第二有源區(qū)act2的設(shè)計，但是可以不包括對于第二虛設(shè)區(qū)dr2的設(shè)計。也就是，因為對于第二虛設(shè)區(qū)dr2的設(shè)計可以是未實際上被使用的有源元件的結(jié)構(gòu)，而是基于有源元件的制造被制造的結(jié)構(gòu)，因而它們可以不必形成。此外，因為納米線結(jié)構(gòu)的寬度與鰭型圖案相比可以稍微增加，因此dpt或者qpt的使用可以不是必需的，即使當(dāng)使用dpt或者qpt時，通過調(diào)節(jié)心軸寬度(mandrelwidth)，仍然可以不形成虛設(shè)設(shè)計。結(jié)果，用于制造虛設(shè)結(jié)構(gòu)的成本可以最小化，同時可以限制由不期望的結(jié)構(gòu)導(dǎo)致的不期望影響。

在下文，將參照圖3、29和30描述根據(jù)一些示范性實施例的半導(dǎo)體器件。在下面，為了簡潔起見，與上面已經(jīng)提供的示范性實施例重疊的描述將不被描述或者將盡可能簡要地描述。

圖29是提供來說明根據(jù)一些示范性實施例的半導(dǎo)體器件的布局圖，圖30是關(guān)于圖29的線f-f'和g-g'截取的截面圖。

如圖3、29和30中所示，根據(jù)一些示范性實施例的半導(dǎo)體器件可以包括第一區(qū)i和第二區(qū)ii。在第一區(qū)i中，可以形成使用根據(jù)圖3的第一布局l1的鰭型圖案的半導(dǎo)體器件，在第二區(qū)ii中，可以形成使用根據(jù)圖3的第二布局l2的納米線結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體器件。

也就是，鰭型圖案和納米線兩者可以同時形成在一個器件中。例如，具有納米線的第二區(qū)ii可以是在該處高集成度和高性能是必要的區(qū)域，因為這是邊緣電容能夠被減小的區(qū)域，而具有鰭型圖案的第一區(qū)i可以是用于相對高的靈敏度的納米線工藝的區(qū)域。

第一有源鰭af1可以在基板100上突出，鰭型圖案柵電極130'可以在與第一有源鰭af1交叉的方向上延伸。鰭型圖案柵絕緣膜147'可以包括鰭型圖案界面膜146'和鰭型圖案高k絕緣膜145'。鰭型圖案柵間隔物141'可以形成在鰭型圖案柵電極130'的兩個側(cè)壁上。鰭型圖案源極/漏極151'可以通過在第一有源鰭af1中凹進f1r而形成在鰭型圖案柵電極130'的兩側(cè)。

在其中形成第一至第三有源鰭af1-af3的第一pmos區(qū)p-act1以及在其中形成第一和第二有源納米線結(jié)構(gòu)ambc1和ambc2的第二pmos區(qū)p-act2可以具有相同的寬度。該寬度可以對應(yīng)于有源高度ha。

在其中形成第四至第六有源鰭af4-af6的第一nmos區(qū)n-act1以及在其中形成第三和第四有源納米線結(jié)構(gòu)ambc3和ambc4的第二nmos區(qū)n-act2可以具有相同的寬度。該寬度可以對應(yīng)于有源高度ha。

圖31是示出包括根據(jù)一些示范性實施例的半導(dǎo)體器件的電子系統(tǒng)的框圖。

如圖31中所示，根據(jù)一示范性實施例的電子系統(tǒng)1100可以包括控制器1110、輸入/輸出(i/o)裝置1120、存儲裝置1130、接口1140和總線1150?？刂破?110、i/o裝置1120、存儲裝置1130和/或接口1140可以經(jīng)由總線1150彼此連接?？偩€1150對應(yīng)于數(shù)據(jù)通過其傳輸?shù)穆窂健?/p>

控制器1110可以包括以下至少之一：微處理器、數(shù)字信號處理器、微控制器、或者能夠執(zhí)行與以上提及的那些的功能類似的功能的邏輯器件。i/o裝置1120可以包括鍵區(qū)、鍵盤、顯示裝置等等。存儲裝置1130可以存儲數(shù)據(jù)和/或指令等等。接口1140可以執(zhí)行發(fā)送數(shù)據(jù)到通信網(wǎng)絡(luò)或者從通信網(wǎng)絡(luò)接收數(shù)據(jù)的功能。接口1140可以是有線形式或者無線形式。例如，接口單元1140可以包括天線或者有線/無線收發(fā)器。雖然未示出，但電子系統(tǒng)1100可以另外包括配置為提高控制器1110的操作的操作存儲器，諸如高速動態(tài)隨機存取存儲器(dram)和/或靜態(tài)隨機存取存儲器(sram)。根據(jù)一些示范實施方式，半導(dǎo)體器件可以提供在存儲裝置1130內(nèi)，或者提供為控制器1110或者i/o裝置1120的一部分。

電子系統(tǒng)1100可適用于個人數(shù)字助理(pda)、便攜式計算機、網(wǎng)絡(luò)平板、無線電話、移動式電話、數(shù)字音樂播放器、存儲卡或者能夠在無線或者有線環(huán)境中發(fā)送和/或接收數(shù)據(jù)的幾乎所有的電子產(chǎn)品。

圖32和33示出可以應(yīng)用根據(jù)一些示范性實施例的半導(dǎo)體器件的示范性半導(dǎo)體系統(tǒng)。圖32示出平板pc1200并且圖33示出膝上型計算機1300。根據(jù)一些示范性實施例的半導(dǎo)體器件中的至少之一可以用于平板pc1200、膝上型計算機1300等等中。對于本領(lǐng)域技術(shù)人員而言，將明顯的是，根據(jù)一些示范性實施例的半導(dǎo)體器件可適用于這里未示出的其它集成電路裝置。

雖然已經(jīng)參照本發(fā)明構(gòu)思的示范性實施例具體地示出和描述了本發(fā)明構(gòu)思，但本領(lǐng)域普通技術(shù)人員將理解，可以在其中進行形式和細節(jié)方面的各種改變而不背離由權(quán)利要求所限定的本發(fā)明構(gòu)思的精神和范圍。因此，期望在所有方面將本示范性實施例理解為示例性而非限制性的，參考所附的權(quán)利要求而不是上述描述來說明本發(fā)明的范圍。

本申請要求于2016年3月2日向韓國知識產(chǎn)權(quán)局提交的韓國專利申請第10-2016-0025040號的優(yōu)先權(quán)及由此產(chǎn)生的所有權(quán)益，其全部內(nèi)容通過引用合并在此。