關(guān)聯(lián)申請(qǐng)

本申請(qǐng)享有以美國(guó)臨時(shí)專利申請(qǐng)62/319,450號(hào)(申請(qǐng)日：2016年4月7日)、美國(guó)臨時(shí)專利申請(qǐng)62/324,686號(hào)(申請(qǐng)日：2016年4月19日)及美國(guó)臨時(shí)專利申請(qǐng)62/382,048號(hào)(申請(qǐng)日：2016年8月31日)作為基礎(chǔ)申請(qǐng)的優(yōu)先權(quán)。本申請(qǐng)通過(guò)參照這些基礎(chǔ)申請(qǐng)而包含基礎(chǔ)申請(qǐng)的全部?jī)?nèi)容。

本發(fā)明的實(shí)施方式涉及半導(dǎo)體裝置及其制造方法。

背景技術(shù)：

已知有具備導(dǎo)電部、絕緣層和金屬鍍層的半導(dǎo)體裝置。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明的實(shí)施方式提供能夠提高金屬鍍層與絕緣層的密合性的半導(dǎo)體裝置及其制造方法。

實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置具備導(dǎo)電部、絕緣層、分子接合層和金屬鍍層。上述絕緣層具有使上述導(dǎo)電部的至少一部分露出的露出部。上述分子接合層至少設(shè)置于上述絕緣層的表面上。上述金屬鍍層通過(guò)上述分子接合層與上述絕緣層的表面接合。上述分子接合層的至少一部分與上述絕緣層中包含的絕緣原材料發(fā)生了化學(xué)鍵合。上述分子接合層的至少一部分與上述金屬鍍層中包含的金屬發(fā)生了化學(xué)鍵合。上述金屬鍍層通過(guò)上述露出部與上述導(dǎo)電部電連接。

附圖說(shuō)明

圖1是表示第1實(shí)施方式的電子設(shè)備的一個(gè)例子的立體圖。

圖2是表示第1實(shí)施方式的半導(dǎo)體封裝的截面圖。

圖3是示意性表示第1實(shí)施方式的分子接合層的組成的一個(gè)例子的圖。

圖4a是表示第1實(shí)施方式的半導(dǎo)體封裝的制造方法的流程的一個(gè)例子的截面圖。

圖4b是表示繼圖4a之后的半導(dǎo)體封裝的制造方法的流程的一個(gè)例子的截面圖。

圖5是表示第1實(shí)施方式的變形例的半導(dǎo)體封裝的一部分的截面圖。

圖6是表示第2實(shí)施方式的半導(dǎo)體封裝的截面圖。

圖7是將第2實(shí)施方式的第3分子接合層的周圍放大顯示的截面圖。

圖8a是表示第2實(shí)施方式的半導(dǎo)體封裝的制造方法的一個(gè)工序的截面圖。

圖8b是表示繼圖8a之后的半導(dǎo)體封裝的制造方法的一個(gè)工序的截面圖。

圖8c是表示繼圖8b之后的半導(dǎo)體封裝的制造方法的一個(gè)工序的截面圖。

圖8d是表示繼圖8c之后的半導(dǎo)體封裝的制造方法的一個(gè)工序的截面圖。

圖8e是表示繼圖8d之后的半導(dǎo)體封裝的制造方法的一個(gè)工序的截面圖。

圖8f是表示繼圖8e之后的半導(dǎo)體封裝的制造方法的一個(gè)工序的截面圖。

圖8g是表示繼圖8f之后的半導(dǎo)體封裝的制造方法的一個(gè)工序的截面圖。

圖8h是表示繼圖8g之后的半導(dǎo)體封裝的制造方法的一個(gè)工序的截面圖。

圖8i是表示繼圖8h之后的半導(dǎo)體封裝的制造方法的一個(gè)工序的截面圖。

圖8j是表示繼圖8i之后的半導(dǎo)體封裝的制造方法的一個(gè)工序的截面圖。

圖9是表示第4實(shí)施方式的半導(dǎo)體封裝的截面圖。

圖10a是表示第4實(shí)施方式的半導(dǎo)體封裝的制造方法的一個(gè)工序的截面圖。

圖10b是表示繼圖10a之后的半導(dǎo)體封裝的制造方法的一個(gè)工序的截面圖。

圖10c表示繼圖10b之后的半導(dǎo)體封裝的制造方法的一個(gè)工序的截面圖。

圖10d是表示繼圖10c之后的半導(dǎo)體封裝的制造方法的一個(gè)工序的截面圖。

圖10e是表示繼圖10d之后的半導(dǎo)體封裝的制造方法的一個(gè)工序的截面圖。

圖10f是表示繼圖10e之后的半導(dǎo)體封裝的制造方法的一個(gè)工序截面圖。

圖10g是表示繼圖10f之后的半導(dǎo)體封裝的制造方法的一個(gè)工序截面圖。

具體實(shí)施方式

以下，參照附圖說(shuō)明實(shí)施方式的半導(dǎo)體封裝及半導(dǎo)體封裝的制造方法。另外在以下的說(shuō)明中，對(duì)具有相同或類似的功能的構(gòu)成標(biāo)注相同的符號(hào)。并且，有時(shí)省略它們的重復(fù)的說(shuō)明。另外，附圖為示意性的圖，各構(gòu)成要素的數(shù)目、厚度、寬度、比率等有時(shí)與現(xiàn)實(shí)不同。

(第1實(shí)施方式)

首先，參照?qǐng)D1到圖4b，對(duì)第1實(shí)施方式進(jìn)行說(shuō)明。

圖1是表示第1實(shí)施方式的電子設(shè)備1的一個(gè)例子的立體圖。電子設(shè)備1中搭載有第1實(shí)施方式的半導(dǎo)體封裝10。電子設(shè)備1為例如可穿戴設(shè)備，但并不限定于此。電子設(shè)備1為例如與iot(internetofthings：物聯(lián)網(wǎng))對(duì)應(yīng)的電子設(shè)備，能夠通過(guò)無(wú)線或有線與互聯(lián)網(wǎng)連接。該情況下，半導(dǎo)體封裝10的一個(gè)例子具有處理器(例如，centralprocessingunit：中央處理單元)、傳感器和無(wú)線模塊。另外，電子設(shè)備1及半導(dǎo)體封裝10并不限定于上述例子。電子設(shè)備1可以是車載用的電子設(shè)備，也可以是其他用途的電子設(shè)備。半導(dǎo)體封裝10可以是作為車載用部件或功率半導(dǎo)體使用的半導(dǎo)體部件，也可以是其他用途中使用的半導(dǎo)體部件。此外，以下所示的第2到第4實(shí)施方式所述的半導(dǎo)體封裝10也可以搭載于上述那樣的電子設(shè)備1中。

圖2是表示第1實(shí)施方式的半導(dǎo)體封裝10的截面圖。

本實(shí)施方式的半導(dǎo)體封裝10為例如fanoutwaferlevelpackage(fowlp：扇出型晶圓級(jí)封裝)。詳細(xì)情況會(huì)在后面敘述，半導(dǎo)體封裝10具有半導(dǎo)體芯片20和大于該半導(dǎo)體芯片20的再布線層50。另外本申請(qǐng)中所謂的“再布線層”為包含與半導(dǎo)體芯片的端子(例如導(dǎo)電襯墊)電連接并且延伸到比半導(dǎo)體芯片更靠外周側(cè)的導(dǎo)線(例如再布線)的層。另外，半導(dǎo)體封裝10并不限定于fowlp，也可以是waferlevelchipsizepackage(wlcsp：晶圓級(jí)晶片尺寸封裝)、或其他種類的半導(dǎo)體封裝。半導(dǎo)體封裝10為“半導(dǎo)體裝置”的一個(gè)例子。

如圖2中所示的那樣，半導(dǎo)體封裝10例如具備第1半導(dǎo)體芯片20a、第2半導(dǎo)體芯片20b、第3半導(dǎo)體芯片20c、模制樹(shù)脂部30、下絕緣層40、第1再布線層50、分子接合層60、上絕緣層70、第2再布線層80、及焊錫連接部90。另外，本申請(qǐng)中將“上”及“下”以半導(dǎo)體封裝10的制造工序作為基準(zhǔn)。但是，這些“上”及“下”等修飾語(yǔ)是為了說(shuō)明的方便而標(biāo)注的，并不限定絕緣層40、70的位置和功能、構(gòu)成。

第1半導(dǎo)體芯片20a、第2半導(dǎo)體芯片20b、及第3半導(dǎo)體芯片20c為例如以包含硅的半導(dǎo)體作為構(gòu)成原材料的構(gòu)件，為例如裸芯片。第1到第3半導(dǎo)體芯片20a、20b、20c各自的一個(gè)例子也可以稱為“硅芯片”。第1到第3半導(dǎo)體芯片20a、20b、20c為例如以gan或sic等作為材料的hfet(heterojunctionfieldeffecttransistor：異質(zhì)結(jié)場(chǎng)效應(yīng)晶體管)、或以si作為材料的ldmos(lateraldoublediffusemostransistor：橫向雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管)等。此外，作為半導(dǎo)體芯片20a、20b、20c的其他例子，可列舉出光半導(dǎo)體元件、壓電元件、存儲(chǔ)元件、微電腦元件、傳感器元件、或無(wú)線通信用元件等。另外本申請(qǐng)中所謂的“半導(dǎo)體芯片”只要是包含電路的部件即可，并不限定于特定的用途的半導(dǎo)體芯片。

例如，第1半導(dǎo)體芯片20a為處理器(例如centralprocessingunit)。例如，第2半導(dǎo)體芯片20b為檢測(cè)加速度、斜率、地磁、溫度、振動(dòng)或其他物理量中的至少1種的傳感器。例如，第3半導(dǎo)體芯片20c為無(wú)線通信模塊。第1半導(dǎo)體芯片20a通過(guò)控制第2半導(dǎo)體芯片20b及第3半導(dǎo)體芯片20c，將第2半導(dǎo)體芯片20b所檢測(cè)到的檢測(cè)結(jié)果通過(guò)第3半導(dǎo)體芯片20c無(wú)線發(fā)送至半導(dǎo)體芯片20的外部。另外，第1到第3半導(dǎo)體芯片20a、20b、20c的功能并不限定于上述例子。此外，半導(dǎo)體封裝10并不限定于具有多個(gè)半導(dǎo)體芯片的半導(dǎo)體封裝，只要具有至少1個(gè)半導(dǎo)體芯片即可。另外，在以下的說(shuō)明中，在沒(méi)有將第1到第3半導(dǎo)體芯片20a、20b、20c特別區(qū)別的情況下，稱為半導(dǎo)體芯片20。

如圖2中所示的那樣，半導(dǎo)體芯片20具有多個(gè)導(dǎo)電襯墊(連接部、電連接部)21。導(dǎo)電襯墊21為“端子”的一個(gè)例子。多個(gè)導(dǎo)電襯墊21在半導(dǎo)體芯片20的表面露出。另外，雖然圖2中沒(méi)有圖示，但第2及第3半導(dǎo)體芯片20b、20c也與第1半導(dǎo)體芯片20a同樣地具有多個(gè)導(dǎo)電襯墊21。導(dǎo)電襯墊21通過(guò)金屬(即金屬原材料)21m而形成。金屬21m為例如銅、銅合金、鋁或鋁合金(例如鋁-硅系合金等)等，但并不限定于它們。

模制樹(shù)脂部(即絕緣部)30將第1到第3半導(dǎo)體芯片20a、20b、20c覆蓋。模制樹(shù)脂部30將第1到第3半導(dǎo)體芯片20a、20b、20c一體密封。模制樹(shù)脂部30具有面向半導(dǎo)體芯片20的第1部分(即第1區(qū)域)31和設(shè)置于半導(dǎo)體芯片20的外周側(cè)(例如，第1到第3半導(dǎo)體芯片20a、20b、20c的外周側(cè))的第2部分(即第2區(qū)域)32。

下絕緣層40層疊于半導(dǎo)體芯片20及模制樹(shù)脂部30。下絕緣層40具有第1部分(即第1區(qū)域)41和第2部分(即第2區(qū)域)42。第1部分41設(shè)置于半導(dǎo)體芯片20與第1再布線層50之間。第1部分41在下絕緣層40的厚度方向(即下絕緣層40相對(duì)于半導(dǎo)體芯片20的層疊方向)上與半導(dǎo)體芯片20重疊。另一方面，第2部分42設(shè)置于模制樹(shù)脂部30的第2部分32與第1再布線層50之間。第2部分42在下絕緣層40的厚度方向上與模制樹(shù)脂部30的第2部分32重疊。下絕緣層40通過(guò)絕緣原材料40m而形成。絕緣原材料40m為例如丙烯酸樹(shù)脂、氧雜環(huán)丁烷樹(shù)脂、環(huán)氧樹(shù)脂、聚酰亞胺樹(shù)脂或聚苯并噁唑樹(shù)脂等，但并不限定于它們。下絕緣層40也可以被稱為“基底絕緣層”。但是，該名稱并不限定下絕緣層40的位置和功能、構(gòu)成。

第1再布線層50設(shè)置于下絕緣層40的表面上。第1再布線層50設(shè)置于下絕緣層40與上絕緣層70之間。第1再布線層50是包含與半導(dǎo)體芯片20的導(dǎo)電襯墊21電連接的多條導(dǎo)線51的層。多條導(dǎo)線51中半導(dǎo)體芯片20的電信號(hào)流過(guò)。另外本申請(qǐng)中所謂的“半導(dǎo)體芯片的電信號(hào)”包含來(lái)自半導(dǎo)體芯片20的電信號(hào)(例如由半導(dǎo)體芯片20發(fā)送的電信號(hào))及向半導(dǎo)體芯片20的電信號(hào)(例如半導(dǎo)體芯片20接收的電信號(hào))中的至少一者。導(dǎo)線51為“第1導(dǎo)線(例如第1再布線)”的一個(gè)例子。例如，多條導(dǎo)線51遍及下絕緣層40的第1部分41和第2部分42而延伸。

第1再布線層50除了導(dǎo)線51以外，還包含第1導(dǎo)電孔52和導(dǎo)電孔接受部(即導(dǎo)電孔連接部)53。第1導(dǎo)電孔52為例如有底的導(dǎo)電孔。第1導(dǎo)電孔52與至少1條導(dǎo)線51物理連接及電連接。第1導(dǎo)電孔52具有向下絕緣層40中凹陷的凹坑52a。第1導(dǎo)電孔52由導(dǎo)線51向著半導(dǎo)體芯片20延伸(即向著模制樹(shù)脂部30延伸)，將下絕緣層40貫通。第1導(dǎo)電孔52與半導(dǎo)體芯片20的導(dǎo)電襯墊21物理連接及電連接。由此，導(dǎo)線51介由第1導(dǎo)電孔52與半導(dǎo)體芯片20的導(dǎo)電襯墊21電連接。在第1導(dǎo)電孔52的凹坑52a的內(nèi)側(cè)，收納有后述的上絕緣層70的一部分。

導(dǎo)電孔接受部53為在第1再布線層50中后述的第2再布線層80的第2導(dǎo)電孔82所連接的部分。導(dǎo)電孔接受部53在上絕緣層70的厚度方向(即上絕緣層70相對(duì)于第1再布線層50的層疊方向)上面向第2導(dǎo)電孔82而與第2導(dǎo)電孔82物理連接及電連接。導(dǎo)電孔接受部53為“導(dǎo)體部”的一個(gè)例子。導(dǎo)電孔接受部53與至少1條導(dǎo)線51物理連接及電連接。

若以別的觀點(diǎn)來(lái)看，則第1再布線層50為相對(duì)于半導(dǎo)體芯片20作為半導(dǎo)體芯片20的電信號(hào)的導(dǎo)線而設(shè)置的層。第1再布線層50通過(guò)導(dǎo)電原材料(例如導(dǎo)電性金屬)50m而形成。導(dǎo)電原材料50m為例如au、ni、cu、pt、sn、或pd等，但并不限定于它們。本實(shí)施方式中，導(dǎo)電原材料50m為cu。導(dǎo)電原材料50m為“第1導(dǎo)電原材料”的一個(gè)例子。第1再布線層50例如通過(guò)鍍覆而形成。導(dǎo)電原材料50m與形成導(dǎo)電襯墊21的導(dǎo)電原材料21m可以相同，也可以不同。

分子接合層60設(shè)置于第1再布線層50的至少一部分的表面上。本實(shí)施方式中，分子接合層60設(shè)置于第1再布線層50的大致全部的表面上。分子接合層60為“第1分子接合層”的一個(gè)例子。另外，對(duì)于分子接合層60，在后面詳細(xì)敘述。

上絕緣層70相對(duì)于第1再布線層50設(shè)置于與下絕緣層40相反的一側(cè)。上絕緣層70為“第1絕緣層”的一個(gè)例子。上絕緣層70將分子接合層60的至少一部分覆蓋。本實(shí)施方式中，上絕緣層70將分子接合層60的大致全部覆蓋。上絕緣層70具有與下絕緣層40的第1部分41重疊的第1部分(即第1區(qū)域)71和與下絕緣層40的第2部分42重疊的第2部分(即第2區(qū)域)72。上絕緣層70通過(guò)絕緣原材料70m而形成。絕緣原材料70m為例如丙烯酸樹(shù)脂、氧雜環(huán)丁烷樹(shù)脂、環(huán)氧樹(shù)脂、聚酰亞胺樹(shù)脂或聚苯并噁唑樹(shù)脂等，但并不限定于它們。絕緣原材料70m為“第1絕緣原材料”的一個(gè)例子。絕緣原材料70m與形成下絕緣層40的絕緣原材料40m可以相同，也可以不同。

第2再布線層80設(shè)置于上絕緣層70的表面上。第2再布線層80相對(duì)于上絕緣層70設(shè)置于與第1再布線層50相反的一側(cè)。第2再布線層80與第1再布線層50的導(dǎo)線51電連接。此外，本實(shí)施方式中，第2再布線層80具有設(shè)置于半導(dǎo)體封裝10的外表面的端子部81。端子部81包含第2導(dǎo)電孔82。第2導(dǎo)電孔82為例如有底的導(dǎo)電孔。第2導(dǎo)電孔82具有向上絕緣層70中凹陷的凹坑82a。第2導(dǎo)電孔82向著第1再布線層50延伸，將上絕緣層70貫通。第2導(dǎo)電孔82與第1再布線層50的導(dǎo)電孔接受部53物理連接及電連接。由此，第2再布線層80與第1再布線層50的導(dǎo)線51電連接。此外，第2再布線層80介由第1再布線層50與半導(dǎo)體芯片20的導(dǎo)電襯墊21電連接。第2再布線層80利用導(dǎo)電原材料(例如導(dǎo)電性金屬)80m而設(shè)置。導(dǎo)電原材料80m為例如au、ni、cu、pt、sn、或pd等，但并不限定于它們。本實(shí)施方式中，導(dǎo)電原材料80m為cu。導(dǎo)電原材料80m為“第2導(dǎo)電原材料”的一個(gè)例子。第2再布線層80例如通過(guò)鍍覆而形成。導(dǎo)電原材料80m與形成第1再布線層50的導(dǎo)電原材料50m及形成導(dǎo)電襯墊21的導(dǎo)電原材料21m可以相同，也可以不同。

焊錫連接部90為“連接部”、“外部連接端子”各自的一個(gè)例子。焊錫連接部90為將外部模塊(例如電路基板)與半導(dǎo)體封裝10物理連接及電連接的連接部。焊錫連接部90設(shè)置于第2再布線層80的端子部81上。焊錫連接部90的一部分被收納于端子部81的第2導(dǎo)電孔82的內(nèi)側(cè)。焊錫連接部90為例如焊錫球或焊錫凸塊。另外，“連接部”并不限定于焊錫連接部，也可以是以導(dǎo)電性糊劑等形成的導(dǎo)電部、或其他種類的導(dǎo)電部。

接著，對(duì)分子接合層60進(jìn)行說(shuō)明。

如圖2中所示的那樣，分子接合層60設(shè)置于第1再布線層50與上絕緣層70之間。分子接合層60與第1再布線層50和上絕緣層70這兩者發(fā)生了化學(xué)鍵合。由此，分子接合層60將第1再布線層50與上絕緣層70接合。另外，分子接合層60實(shí)際上非常薄，但為了說(shuō)明的方便，在各圖中以一定程度的厚度表示。

分子接合層60包含通過(guò)分子接合劑而形成的分子接合體60r(參照?qǐng)D3)。分子接合劑為例如可與樹(shù)脂及金屬形成化學(xué)鍵(例如共價(jià)鍵)的化合物。另外本申請(qǐng)中的“共價(jià)鍵”廣泛指具有共價(jià)鍵性的鍵，也包含配位鍵及準(zhǔn)共價(jià)鍵等。此外本申請(qǐng)中的“分子接合體”是指分子接合劑在化學(xué)鍵合(即化學(xué)反應(yīng))后殘留在接合部的物質(zhì)。

作為分子接合劑，可列舉出例如三嗪衍生物等化合物。作為三嗪衍生物，可列舉出以下的通式(c1)所表示的化合物。

(c1)

(式中，r表示烴基或可以?shī)A有異種原子或者官能團(tuán)的烴基，x表示氫原子或烴基，y表示烷氧基，z表示可以形成鹽的硫醇基、可以形成鹽的氨基或疊氮基、或者可以形成鹽的且可以?shī)A有異種原子或官能團(tuán)的烴基，n1為1～3的整數(shù)，n2為1～2的整數(shù)。)

在上述通式(c1)中，r優(yōu)選表示碳原子數(shù)為1～7的烴基、或在它們的主鏈上夾有氮原子的基團(tuán)。x表示碳原子數(shù)為1～3的烴基。y表示碳原子數(shù)為1～3的烷氧基。n1優(yōu)選為3。n2優(yōu)選為2。z優(yōu)選表示可以形成鹽的硫醇基、氨基或疊氮基、或者烷基。作為形成鹽的陽(yáng)離子的元素，優(yōu)選堿金屬，其中進(jìn)一步優(yōu)選li、na、k或cs。另外，n2為2時(shí)，至少1個(gè)z優(yōu)選表示形成了鹽的硫醇基、氨基或疊氮基。

分子接合層60的至少一部分(即形成分子接合層60的分子接合劑的至少一部分)與第1再布線層50的導(dǎo)線51中包含的導(dǎo)電原材料50m發(fā)生了化學(xué)鍵合(例如共價(jià)鍵合)。同樣地，分子接合層60的至少一部分(即形成分子接合層60的分子接合劑的至少一部分)與上絕緣層70中包含的絕緣原材料70m發(fā)生了化學(xué)鍵合(例如共價(jià)鍵合)。由此，分子接合層60將第1再布線層50的導(dǎo)線51與上絕緣層70接合。

通過(guò)分子接合劑與第1再布線層50的導(dǎo)線51的導(dǎo)電原材料50m和上絕緣層70的絕緣原材料70m化學(xué)鍵合(例如共價(jià)鍵合)，能夠?qū)⒌?再布線層50的導(dǎo)線51與上絕緣層70以高密合力接合。由此，在例如用于相對(duì)于外部模塊連接焊錫連接部90的回流工序等中，可以抑制上絕緣層70從第1再布線層50剝離。

圖3是示意性表示分子接合層60的組成的一個(gè)例子的圖。

如圖3中所示的那樣，分子接合層60例如包含多個(gè)分子接合體60r。分子接合體60r包含通過(guò)上述的分子接合劑與接合對(duì)象物(firstmemberandsecondmember：第一構(gòu)件和第二構(gòu)件)進(jìn)行化學(xué)反應(yīng)而形成的分子接合劑殘基。例如，分子接合體60r包含通過(guò)上述的分子接合劑與第1再布線層50及上絕緣層70進(jìn)行化學(xué)反應(yīng)而形成的分子接合劑殘基。分子接合劑殘基為例如圖3中所示那樣的三嗪二硫醇?xì)埢?。另外，分子接合體60r也可以包含圖3中的“s”或“z”。圖3中的“z”的一個(gè)例子為氨基烴基甲硅烷氧基。例如，分子接合層60中包含的至少1個(gè)分子接合體60r與第1再布線層50的導(dǎo)線51中包含的導(dǎo)電原材料50m和上絕緣層70中包含的絕緣原材料70m這兩者發(fā)生了化學(xué)鍵合(例如共價(jià)鍵合)。換而言之，分子接合層60中包含的分子接合劑的1分子(例如分子接合體60r)與第1再布線層50的導(dǎo)線51中包含的導(dǎo)電原材料50m和上絕緣層70中包含的絕緣原材料70m這兩者發(fā)生了化學(xué)鍵合(例如共價(jià)鍵合)。

如圖2中所示的那樣，本實(shí)施方式中，分子接合層60具有第1部分61、第2部分62和第3部分63。第1部分61如上述那樣，設(shè)置于第1再布線層50的導(dǎo)線51與上絕緣層70之間，與第1再布線層50的導(dǎo)線51和上絕緣層70這兩者發(fā)生了化學(xué)鍵合(例如共價(jià)鍵合)。由此，第1部分61將第1再布線層50的導(dǎo)線51與上絕緣層70接合。

第2部分62設(shè)置于第1導(dǎo)電孔52的凹坑52a的內(nèi)側(cè)。第2部分62沿著第1導(dǎo)電孔52的凹坑52a的內(nèi)表面(即第1導(dǎo)電孔52的內(nèi)表面)設(shè)置，向與第1部分61不同的方向延伸。第2部分62例如沿相對(duì)于半導(dǎo)體芯片20與下絕緣層40的邊界面交叉的方向延伸。第2部分62設(shè)置于第1導(dǎo)電孔52的內(nèi)表面與上絕緣部70之間，與第1導(dǎo)電孔52和上絕緣層70這兩者化學(xué)鍵合(例如共價(jià)鍵合)。若詳細(xì)敘述，則第2部分62的至少一部分(即形成分子接合層60的分子接合劑的至少一部分)與第1導(dǎo)電孔52中包含的導(dǎo)電原材料50m化學(xué)鍵合(例如共價(jià)鍵合)。同樣地，第2部分62的至少一部分(即形成分子接合層60的分子接合劑的至少一部分)在第1導(dǎo)電孔52的凹坑52a的內(nèi)側(cè)與上絕緣層70中包含的絕緣原材料70m化學(xué)鍵合(例如共價(jià)鍵合)。由此，第2部分62在第1導(dǎo)電孔52的凹坑52a的內(nèi)側(cè)，將第1導(dǎo)電孔52與上絕緣層70接合。

第3部分63設(shè)置于第1再布線層50的導(dǎo)電孔接受部53與第2再布線層80的第2導(dǎo)電孔82之間，與第1再布線層50的導(dǎo)電孔接受部53和第2再布線層80的第2導(dǎo)電孔82這兩者化學(xué)鍵合(例如共價(jià)鍵合)。若詳細(xì)敘述，則第3部分63的至少一部分(即形成分子接合層60的分子接合劑的至少一部分)與第1再布線層50的導(dǎo)電孔接受部53中包含的導(dǎo)電原材料50m化學(xué)鍵合(例如共價(jià)鍵合)。同樣地，第3部分63的至少一部分(即形成分子接合層60的分子接合劑的至少一部分)與第2導(dǎo)電孔82中包含的導(dǎo)電原材料80m化學(xué)鍵合(例如共價(jià)鍵合)。由此，分子接合層60將第1再布線層50的導(dǎo)電孔接受部53與第2再布線層80的第2導(dǎo)電孔82接合。

其中，分子接合層60的分子接合體60r例如沒(méi)有完全均勻地分散。第2再布線層80的第2導(dǎo)電孔82在多個(gè)分子接合體60r之間的位置(即分子接合體60r不存在的區(qū)域)處，與第1再布線層50的導(dǎo)電孔接受部53相接。由此，第2再布線層80的第2導(dǎo)電孔82與第1再布線層50的導(dǎo)電孔接受部53電連接。

例如，第1再布線層50與上絕緣層70之間的密合強(qiáng)度優(yōu)選為2mpa以上，更優(yōu)選為5mpa以上，進(jìn)一步優(yōu)選為6mpa以上，特別優(yōu)選為10mpa以上。此外，該測(cè)定時(shí)的破壞模式優(yōu)選成為不是接合界面被破壞、而是上絕緣層70被破壞的模式。密合強(qiáng)度例如可以通過(guò)沖模剪切實(shí)驗(yàn)來(lái)測(cè)定。作為拉伸試驗(yàn)的具體例子，可列舉出mil-std883g、iec-60749-19、或eiajed-4703等中規(guī)定的方法。此外從別的觀點(diǎn)考慮，第1再布線層50與上絕緣層70的密合強(qiáng)度優(yōu)選為0.5n/mm以上，更優(yōu)選為1n/mm以上。密合強(qiáng)度例如可以通過(guò)剝離強(qiáng)度試驗(yàn)來(lái)測(cè)定。作為試驗(yàn)的具體例子，可列舉出jisc5012中規(guī)定的方法。

分子接合層60也可以具有0.5nm以上、優(yōu)選1nm以上、且20nm以下的厚度。分子接合層60的厚度例如更優(yōu)選為1nm以上且10nm以下。

分子接合劑相對(duì)于第1再布線層50的導(dǎo)線51的面積的被覆密度(ie.，分子接合層60的被膜密度)為20％以上，優(yōu)選為30％以上，更優(yōu)選為50％以上。例如，分子接合劑相對(duì)于第1再布線層50的導(dǎo)線51的面積的被覆密度為80％以下。即，分子接合劑相對(duì)于第1再布線層50的導(dǎo)線51的面積的被覆密度例如為20～80％，優(yōu)選為30～80％，更優(yōu)選為50～80％。另外，分子接合劑的被覆密度為100面積％時(shí)，定義為分子接合劑相對(duì)于要被覆的對(duì)象物的表面在理論上被最密地填充。分子接合劑的被覆密度可以由利用x射線衍射法的測(cè)定結(jié)果求出。

若分子接合劑相對(duì)于第1再布線層50的導(dǎo)線51的面積的被覆密度為上述下限值以上，則能夠進(jìn)一步提高第1再布線層50與上絕緣層70的密合性。此外，若分子接合劑相對(duì)于第1再布線層50的導(dǎo)線51的面積的被覆密度為上述上限值以下，則能夠容易地確保第1再布線層50的導(dǎo)電孔接受部53與第2再布線層80的第2導(dǎo)電孔82的電連接。

例如，分子接合層60的至少一部分為單分子膜狀。本實(shí)施方式中，分子接合層60的大致全部形成為單分子膜狀。分子接合層60中的形成為單分子膜狀的部分中，1分子的分子接合劑(即分子接合體60r)與第1再布線層50的導(dǎo)電原材料50m和上絕緣層70的絕緣原材料70m這兩者化學(xué)鍵合(例如共價(jià)鍵合)。因而，能夠進(jìn)一步提高第1再布線層50與上絕緣層70的密合性。進(jìn)而，由分子接合層60引起的半導(dǎo)體封裝10的厚度增加被抑制在最小限度。優(yōu)選占分子接合層60的較多面積的部分為單分子膜狀。例如，更優(yōu)選第1再布線層50的表面中的與被分子接合層60覆蓋的面積的30～100％相當(dāng)?shù)牟课粸閱畏肿幽睢?/p>

其中，在再布線層上形成絕緣層的情況下，考慮例如將再布線層的導(dǎo)線的表面通過(guò)蝕刻而粗糙化。由此，可以通過(guò)錨定效應(yīng)來(lái)確保再布線層的導(dǎo)線與絕緣層的密合性。然而，在越來(lái)越小型化的半導(dǎo)體封裝(例如fowlp或wlcsp)中，要求微細(xì)的布線圖案(即精細(xì)圖案)的形成。該情況下，若將再布線層的導(dǎo)線的表面進(jìn)行蝕刻，則導(dǎo)線變細(xì)，微細(xì)的布線圖案的形成變得困難。

然而，本實(shí)施方式中，通過(guò)設(shè)置分子接合層60，再布線層50的導(dǎo)線51與絕緣層70之間的密合性得到確保。即根據(jù)本實(shí)施方式，也可以將再布線層50的導(dǎo)線51的表面通過(guò)蝕刻而變得粗糙。因此，導(dǎo)線51難以變細(xì)，能夠?qū)⒃俨季€層50的導(dǎo)線51制成微細(xì)的布線圖案。

接著，對(duì)本實(shí)施方式的半導(dǎo)體封裝10的制造方法進(jìn)行說(shuō)明。

圖4a及圖4b是表示本實(shí)施方式的半導(dǎo)體封裝10的制造方法的流程的一個(gè)例子的截面圖。

首先，將半導(dǎo)體芯片20載置于薄膜f上(圖4a中的(a))。接著，在半導(dǎo)體芯片20(例如第1到第3半導(dǎo)體芯片20a、20b、20c)上供給成為模制樹(shù)脂部30的絕緣原材料。由此，形成模制樹(shù)脂部30(圖4a中的(b))。接著，通過(guò)上述工序而制造的中間制造物被上下顛倒，同時(shí)薄膜f被除去(圖4中a的(c))。

接著，在半導(dǎo)體芯片20(例如，第1到第3半導(dǎo)體芯片20a、20b、20c)及模制樹(shù)脂部30上供給絕緣原材料40m。由此，形成下絕緣層40(圖4a中的(d))。接著，在下絕緣層40中形成開(kāi)口部45(即貫通孔)(圖4a中的(e))。開(kāi)口部45設(shè)置于與半導(dǎo)體芯片20的導(dǎo)電襯墊21對(duì)應(yīng)的區(qū)域，將下絕緣層40貫通。開(kāi)口部45通過(guò)例如下絕緣層40被蝕刻而形成。接著，在下絕緣層40上形成第1再布線層50(圖4a中的(f))。第1再布線層50包含導(dǎo)線51、第1導(dǎo)電孔52、及導(dǎo)電孔接受部53。例如，第1再布線層50通過(guò)金屬鍍覆處理而形成。金屬鍍覆處理包含例如通過(guò)濺射而形成鈀等種子層和在種子層上進(jìn)行電解鍍覆或非電解鍍覆。另外，形成第1再布線層50的方法并不限定于上述例子。形成第1再布線層50的方法的幾個(gè)例子在第2到第4實(shí)施方式中進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。

接著，在第1再布線層50的表面上形成分子接合層60(圖4b中的(a))。例如，通過(guò)將第1再布線層50的表面用分子接合劑覆蓋(即通過(guò)在第1再布線層50的表面涂布分子接合劑)，形成分子接合層60。例如，分子接合劑涂布于第1再布線層50的導(dǎo)線51、第1導(dǎo)電孔52、及導(dǎo)電孔接受部53的表面上。分子接合層60的形成例如通過(guò)將含有上述的分子接合劑的分子接合劑溶液涂布于第1再布線層50上來(lái)進(jìn)行。作為涂布分子接合劑溶液的方法的例子，可列舉出將通過(guò)上述工序制造的中間制造物浸漬于分子接合劑溶液中、或?qū)Φ?再布線層50噴霧分子接合劑溶液的方法等。

在將第1再布線層50的表面用分子接合劑覆蓋時(shí)，優(yōu)選使用分子接合劑溶液。分子接合劑溶液能夠通過(guò)使上述的分子接合劑溶解于溶劑中來(lái)調(diào)制。

作為溶劑，可列舉出例如甲醇、乙醇、異丙醇、乙二醇、丙二醇、溶纖劑及卡必醇等醇類；丙酮、甲乙酮及環(huán)己酮等酮類；苯、甲苯及二甲苯等芳香族烴；己烷、辛烷、癸烷、十二烷及十八烷等脂肪族烴；乙酸乙酯、丙酸甲酯及鄰苯二甲酸甲酯等酯類；以及四氫呋喃、乙基丁基醚及茴香醚等醚類。此外，還可以使用將這些溶劑混合而得到的混合溶劑。

關(guān)于分子接合劑溶液的濃度，相對(duì)于分子接合劑溶液的整體質(zhì)量?jī)?yōu)選分子接合劑為0.001質(zhì)量％以上且1質(zhì)量％以下，更優(yōu)選為0.01質(zhì)量％以上且0.1質(zhì)量％以下。若分子接合劑溶液的濃度為上述下限值以上，則能夠進(jìn)一步提高分子接合劑的被覆密度及構(gòu)件間的密合性。若分子接合劑溶液的濃度為上述上限值以下，則由于沒(méi)有化學(xué)鍵合(例如共價(jià)鍵合)的分子接合劑難以被含有，所以能夠容易地確保第1再布線層50與上絕緣層70的密合。此外，能夠抑制由分子接合層60引起的半導(dǎo)體封裝10的厚度增加。

所調(diào)制的分子接合劑溶液涂布于第1再布線層50的表面上。通過(guò)將涂布有分子接合劑溶液的中間制造物靜置，第1再布線層50的導(dǎo)線51的導(dǎo)電原材料50m與分子接合劑之間的化學(xué)鍵合(例如共價(jià)鍵合)被促進(jìn)。進(jìn)而，也可以進(jìn)行對(duì)分子接合層60施加能量(例如熱或光(例如紫外線))的操作。例如，也可以將涂布有分子接合劑溶液的中間制造物以任意的溫度及時(shí)間進(jìn)行加熱而使其干燥。通過(guò)施加能量的操作，第1再布線層50中包含的導(dǎo)電原材料50m與分子接合劑之間的化學(xué)鍵合(例如共價(jià)鍵合)被進(jìn)一步促進(jìn)。之后，通過(guò)使用洗滌液將中間制造物洗滌并使其干燥，得到第1再布線層50的表面用分子接合劑覆蓋的中間制造物。另外，洗滌液也可以與分子接合劑溶液中使用的溶劑相同。

用分子接合劑覆蓋的第1再布線層50的導(dǎo)電原材料50m與分子接合劑之間形成了化學(xué)鍵(例如共價(jià)鍵)。即，包含與第1再布線層50中包含的導(dǎo)電原材料50m發(fā)生了化學(xué)鍵合(例如共價(jià)鍵合)的分子接合劑(例如分子接合體60r)的分子接合層60形成于第1再布線層50的表面上。另外關(guān)于本申請(qǐng)的制造方法的記述中的“分子接合層”有時(shí)除了是指化學(xué)反應(yīng)后的(例如化學(xué)鍵合后的)分子接合層以外，還指至少一部分為化學(xué)反應(yīng)前的(例如沒(méi)有化學(xué)鍵合的)分子接合層。另外，至少一部分為化學(xué)反應(yīng)前的分子接合層也可以換讀成“分子接合劑”。

分子接合劑溶液不僅可以涂布于第1再布線層50的表面的部位，也可以涂布于沒(méi)有設(shè)置第1再布線層50的部位。通過(guò)將下絕緣層40用分子接合劑覆蓋，包含與下絕緣層40中所含的絕緣原材料40m發(fā)生了化學(xué)鍵合(例如共價(jià)鍵合)的分子接合劑(例如分子接合體60r)的分子接合層60也可以形成于下絕緣層40的表面上。

分子接合層60的厚度能夠通過(guò)分子接合劑溶液的濃度及涂布量、以及洗滌的時(shí)間及次數(shù)等條件來(lái)調(diào)節(jié)。

接著，在分子接合層60上供給絕緣原材料70m。由此，分子接合層60的表面被絕緣原材料70m覆蓋，形成上絕緣層70(圖4b中的(b))。由此，上絕緣層70的絕緣原材料70m與分子接合層60的至少一部分接觸。分子接合劑也與上絕緣層70的絕緣原材料70m化學(xué)鍵合(例如共價(jià)鍵合)。由此，使分子接合劑與第1再布線層50的導(dǎo)電原材料50m及上絕緣層70的絕緣原材料70m這兩者化學(xué)鍵合(例如共價(jià)鍵合)。這里，也可以進(jìn)行對(duì)分子接合層60施加能量的操作。能量可以使用例如熱或光(例如紫外線)等。由此，能夠促進(jìn)分子接合劑與上絕緣層70的絕緣原材料70m的化學(xué)鍵合(例如共價(jià)鍵合)。加熱的溫度及時(shí)間根據(jù)分子接合劑溶液的涂布量適當(dāng)決定。在使用熱的情況下，可以將150～200℃左右的加熱進(jìn)行5分鐘以上、優(yōu)選60分鐘以上、進(jìn)一步優(yōu)選80分鐘以上、且120分鐘以下、優(yōu)選240分鐘以下。例如，根據(jù)分子接合層60的構(gòu)成原材料，也可以經(jīng)過(guò)5分鐘～120分鐘、優(yōu)選60分鐘～240分鐘、進(jìn)一步優(yōu)選80分鐘～240分鐘等來(lái)施加熱。在使用光的情況下，可以照射紫外線等。此外，照射的紫外線的波長(zhǎng)優(yōu)選為250nm以下，照射時(shí)間根據(jù)分子接合劑溶液的涂布量來(lái)適當(dāng)決定。

接著，在上絕緣層70中形成開(kāi)口部75(即貫通孔)(圖4b中的(c))。開(kāi)口部75設(shè)置于與第1再布線層50的導(dǎo)電孔接受部53對(duì)應(yīng)的區(qū)域，將上絕緣層70貫通。開(kāi)口部75通過(guò)例如上絕緣層70被蝕刻來(lái)形成。接著，在上絕緣層70上形成第2再布線層80(圖4b中的(d))。第2再布線層80包含端子部81。例如，第2再布線層80通過(guò)金屬鍍覆處理來(lái)形成。金屬鍍覆處理包含例如通過(guò)濺射而形成鈀等種子層和在種子層上進(jìn)行電解鍍覆或非電解鍍覆。另外，形成第2再布線層80的方法并不限定于上述例子。形成第2再布線層80的方法的幾個(gè)例子在第2到第4實(shí)施方式中進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。之后，在第2再布線層80的端子部81上設(shè)置焊錫連接部90(圖4b中的(e))。

另外，分子接合劑的化學(xué)鍵合(例如共價(jià)鍵合)也可以不施加熱或光等能量而進(jìn)行。也可以取而代之，分子接合劑的化學(xué)鍵合(例如共價(jià)鍵合)通過(guò)施加熱或光等能量而進(jìn)行。

接著，對(duì)本實(shí)施方式的變形例進(jìn)行說(shuō)明。

圖5是表示本實(shí)施方式的變形例的半導(dǎo)體封裝10的一部分的截面圖。本變形例的半導(dǎo)體封裝10在具有覆蓋多個(gè)再布線層的多個(gè)絕緣層這點(diǎn)與第1實(shí)施方式不同。另外，除以下所示的以外的構(gòu)成與第1實(shí)施方式相同。

如圖5中所示的那樣，本變形例的半導(dǎo)體封裝10具備半導(dǎo)體芯片20、第1再布線層50、第1分子接合層60、第1絕緣層70、第2再布線層80、第2分子接合層100、及第2絕緣層110。另外，第1再布線層50、第1分子接合層60、及第1絕緣層70與第1實(shí)施方式的第1再布線層50、分子接合層60、及上絕緣層70大致相同。另外，第1再布線層50的導(dǎo)線(即第1導(dǎo)線)51的至少一部分也可以設(shè)置于半導(dǎo)體芯片20的表面上來(lái)代替設(shè)置于下絕緣層40的表面上。這里所謂的“半導(dǎo)體芯片20的表面”也可以是設(shè)置于半導(dǎo)體芯片20上的鈍化膜的表面。

第2再布線層80相對(duì)于第1絕緣層70設(shè)置于與第1再布線層50相反的一側(cè)。例如，第2再布線層80設(shè)置于第1絕緣層70的表面上。第2再布線層80設(shè)置于第1絕緣層70與第2絕緣層110之間。第2再布線層80為包含多條第2導(dǎo)線(例如第2再布線)85的層。多條第2導(dǎo)線85介由第1再布線層50的多條第1導(dǎo)線51與半導(dǎo)體芯片20的導(dǎo)電襯墊21電連接。多條第2導(dǎo)線85中半導(dǎo)體芯片20的電信號(hào)流過(guò)。第2再布線層80利用第2導(dǎo)電原材料(例如導(dǎo)電性金屬)80m來(lái)形成。導(dǎo)電原材料80m與形成第1再布線層50的導(dǎo)電原材料50m可以相同，也可以不同。

第2再布線層80除了包含第2導(dǎo)線85以外，還包含第2導(dǎo)電孔82(參照?qǐng)D2)。第2導(dǎo)電孔82與第2導(dǎo)線85物理連接及電連接。例如，第2導(dǎo)電孔82與第1實(shí)施方式的第2導(dǎo)電孔82大致相同。例如，第2導(dǎo)線85介由第2導(dǎo)電孔82與第1再布線層50的第1導(dǎo)線51電連接。

第2分子接合層100相對(duì)于第2再布線層80設(shè)置于與第1絕緣層70相反的一側(cè)。第2分子接合層100設(shè)置于第2再布線層80的至少一部分的表面上。本實(shí)施方式中，第2分子接合層100設(shè)置于第2再布線層80的大致全部的表面上。另外，第2分子接合層100的詳細(xì)的說(shuō)明只要在關(guān)于第1實(shí)施方式的分子接合層60的說(shuō)明中、將“第1再布線層50”換讀成“第2再布線層80”、將“導(dǎo)線51(即第1導(dǎo)線)”換讀成“第2導(dǎo)線85”、將“導(dǎo)電原材料50m(即第1導(dǎo)電原材料)”換讀成“第2導(dǎo)電原材料80m”、將“上絕緣層70(即第1絕緣層)”換讀成“第2絕緣層110”、將“絕緣原材料70m(即第1絕緣原材料)”換讀成“第2絕緣原材料110m”即可。

第2絕緣層110相對(duì)于第2再布線層80設(shè)置于與第1絕緣層70相反的一側(cè)。第2絕緣層110將第2分子接合層100的至少一部分覆蓋。本實(shí)施方式中，第2絕緣層110將第2分子接合層100的大致全部覆蓋。第2絕緣層110利用第2絕緣原材料110m來(lái)形成。第2絕緣原材料110m為例如丙烯酸樹(shù)脂、氧雜環(huán)丁烷樹(shù)脂、或環(huán)氧樹(shù)脂等，但并不限定于這些。第2絕緣原材料110m可以與形成第1絕緣層70的絕緣原材料70m相同，也可以不同。

換而言之，本實(shí)施方式中，半導(dǎo)體封裝10具備設(shè)置于第1絕緣層70的表面且包含半導(dǎo)體芯片20的電信號(hào)流過(guò)的第2導(dǎo)線85的第2再布線層80、設(shè)置于第2再布線層80的至少一部分的表面上的第2分子接合層100和將第2再布線層80的至少一部分覆蓋的第2絕緣層110。第2分子接合層100的至少一部分與第2導(dǎo)線85中包含的導(dǎo)電原材料80m化學(xué)鍵合(例如共價(jià)鍵合)。第2分子接合層100的至少一部分與第2絕緣層110中包含的第2絕緣原材料110m化學(xué)鍵合(例如共價(jià)鍵合)。

另外，也可以在第2絕緣層110的表面上進(jìn)一步設(shè)置追加的再布線層及絕緣層。例如，也可以進(jìn)一步設(shè)置第3分子接合層、第3再布線層及第3絕緣層、……第n分子接合層、第n再布線層及第n絕緣層(n為2以上的整數(shù))。此時(shí)，第n分子接合層、第n再布線層及第n絕緣層的構(gòu)成與第1分子接合層60、第1再布線層50及第1絕緣層70的構(gòu)成相同即可。

此外，如圖中所示的例子那樣，也可以在半導(dǎo)體芯片20的表面中的沒(méi)有設(shè)置第1再布線層50的部位設(shè)置有分子接合層60。即，該部位與第1絕緣層70也可以通過(guò)分子接合層60而接合。同樣地，也可以在設(shè)置有第n布線層的第(n-1)絕緣層的表面中的沒(méi)有設(shè)置第n再布線層的部位設(shè)置有分子接合層。即，該部位與載置于第(n-1)絕緣層的第n絕緣層也可以通過(guò)第n分子接合層而接合。

此外，設(shè)置第n再布線層、第n分子接合層及第n絕緣層時(shí)(例如，設(shè)置第2再布線層80、第2分子接合層100、及第2絕緣層110時(shí))，也重復(fù)進(jìn)行與第1實(shí)施方式中說(shuō)明的設(shè)置第1再布線層50、分子接合層60、及上絕緣層70的工序同樣的工序。在圖中所示的例子中，通過(guò)與上述同樣的工序在第1絕緣層70的表面設(shè)置有第2再布線層80、在第1再布線層50的表面設(shè)置有第2分子接合層100、在第2分子接合層100的表面設(shè)置有第2絕緣層110。另外，形成第1分子接合層60的分子接合劑(即第1分子接合劑)與形成第2分子接合層100的分子接合劑(即第2分子接合劑)可以相同，也可以不同。

(第2實(shí)施方式)

接著，參照?qǐng)D6到圖8j，對(duì)第2實(shí)施方式進(jìn)行說(shuō)明。本實(shí)施方式在為了金屬鍍覆處理而設(shè)置分子接合層這點(diǎn)與第1實(shí)施方式不同。另外，除以下說(shuō)明的以外的構(gòu)成與第1實(shí)施方式相同。

圖6是表示本實(shí)施方式的半導(dǎo)體封裝10的截面圖。

如圖6中所示的那樣，本實(shí)施方式的半導(dǎo)體封裝10除了具有第1實(shí)施方式的半導(dǎo)體封裝10的構(gòu)成以外，還具有第3分子接合層210和第4分子接合層220。這里，圖6中為了說(shuō)明的方便，省略第1實(shí)施方式中說(shuō)明了的第1分子接合層60的圖示。第2到第4實(shí)施方式的半導(dǎo)體封裝10可以具有第1實(shí)施方式中說(shuō)明了的第1分子接合層60及第2分子接合層100，也可以不具有。從1個(gè)觀點(diǎn)考慮，第3分子接合層210也可以被稱為“第1分子接合層”。此外，第4分子接合層220也可以被稱為“第2分子接合層”。

如圖6中所示的那樣，第3分子接合層210設(shè)置于下絕緣層40與第1再布線層50之間，與下絕緣層40和第1再布線層50這兩者化學(xué)鍵合。由此，第3分子接合層210將下絕緣層40與第1再布線層50接合。換而言之，第3分子接合層210至少設(shè)置于下絕緣層40的表面上。第1再布線層50通過(guò)在第3分子接合層210上實(shí)施金屬鍍覆處理來(lái)形成，通過(guò)第3分子接合層210而與下絕緣層40的表面接合。

另一方面，第4分子接合層220設(shè)置于上絕緣層70與第2再布線層80之間，與上絕緣層70和第2再布線層80這兩者化學(xué)鍵合。由此，第4分子接合層220將上絕緣層70與第2再布線層80接合。換而言之，第4分子接合層210至少設(shè)置于上絕緣層70的表面上。第2再布線層80通過(guò)在第4分子接合層220上實(shí)施金屬鍍覆處理來(lái)形成，通過(guò)第4分子接合層220而與上絕緣層70的表面接合。

以下，對(duì)第3分子接合層210進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。另外，對(duì)于第4分子接合層220，由于與第3分子接合層210大致相同，所以省略詳細(xì)的說(shuō)明。此外在以下的說(shuō)明中，將“第3分子接合層210”簡(jiǎn)稱為“分子接合層210”。此外，將“下絕緣層40”簡(jiǎn)稱為“絕緣層40”。

圖7是將分子接合層210的周圍放大顯示的截面圖。

如圖7中所示的那樣，半導(dǎo)體封裝10具備半導(dǎo)體芯片(即半導(dǎo)體裝置部件)20、絕緣層40、分子接合層210和第1再布線層50。另外在以下的說(shuō)明中，為了說(shuō)明的方便，將第1再布線層50稱為金屬鍍層50。另外，本申請(qǐng)中所謂的“金屬鍍層”并不限定于再布線層，也可以是其他用途(例如，接地層、或制品的保護(hù)、裝飾)中使用的鍍層。

半導(dǎo)體芯片20例如具有半導(dǎo)體基板22、導(dǎo)電襯墊21和絕緣膜23。

半導(dǎo)體基板22為由半導(dǎo)體形成且在前工序中形成有電路的構(gòu)件。作為半導(dǎo)體基板22，可列舉出例如si單晶基板、si外延基板、gaas基板及gap基板等。其中，si單晶基板及si外延基板從獲得容易性的觀點(diǎn)出發(fā)優(yōu)選。

導(dǎo)電襯墊21為半導(dǎo)體基板22的電信號(hào)(即半導(dǎo)體芯片20的電信號(hào))流過(guò)的端子。導(dǎo)電襯墊21為“導(dǎo)電部”的一個(gè)例子。如上述那樣，導(dǎo)電襯墊21利用金屬(即金屬原材料)21m來(lái)形成。金屬21m例如為銅、銅合金、鋁或鋁合金(例如鋁-硅系合金等)等，但并不限定于這些。導(dǎo)電襯墊21的側(cè)面與絕緣膜23相接。此外，也可以在導(dǎo)電襯墊21的周緣部上設(shè)置有絕緣膜23。導(dǎo)電襯墊21的厚度沒(méi)有特別限定，但例如優(yōu)選為0.1μm以上且10μm以下。

絕緣膜23為樹(shù)脂膜或由半導(dǎo)體基板22的半導(dǎo)體材料形成的氧化膜或者氮化膜，也被稱為鈍化膜。樹(shù)脂膜由聚酰亞胺等樹(shù)脂材料形成。樹(shù)脂膜能夠通過(guò)使用了樹(shù)脂材料的光刻法來(lái)形成。此外，氧化膜由半導(dǎo)體的氧化物形成。氧化膜能夠通過(guò)將半導(dǎo)體基板22的表面利用水蒸汽等氧化氣體進(jìn)行氧化來(lái)生成。此外，氮化膜由半導(dǎo)體的氮化物形成。氮化膜能夠通過(guò)將半導(dǎo)體基板22的表面利用氨等含氮的氣體進(jìn)行氮化來(lái)生成。

絕緣膜23具有使導(dǎo)電襯墊21的至少一部分露出的開(kāi)口部25。另外本申請(qǐng)中所謂的“開(kāi)口部(或孔)”只要是在半導(dǎo)體封裝10的制造工序的至少一部分中開(kāi)口的開(kāi)口部即可，也包含在半導(dǎo)體封裝10的完成時(shí)被其他構(gòu)件填充了的開(kāi)口部。此外，開(kāi)口部25為“露出部”的一個(gè)例子。絕緣膜23的厚度沒(méi)有特別限定，但例如優(yōu)選為1μm以上且10μm以下。此外，絕緣膜23的厚度可以均勻，也可以不均勻。例如，絕緣膜23的厚度也可以從開(kāi)口的位置向著外側(cè)減少。即，絕緣膜23也可以具有傾斜形狀。

絕緣層(例如絕緣樹(shù)脂層)40為相對(duì)于半導(dǎo)體芯片20形成絕緣部的構(gòu)件。絕緣層40形成于絕緣膜23上及導(dǎo)電襯墊21的周緣部上。絕緣層40在與導(dǎo)電襯墊21對(duì)應(yīng)的位置具有開(kāi)口部45。開(kāi)口部45使導(dǎo)電襯墊21的至少一部分露出。開(kāi)口部45為“露出部”的一個(gè)例子。另外本申請(qǐng)中的“露出”是指露出到設(shè)置有開(kāi)口部的構(gòu)件的外部。即，“開(kāi)口部45使導(dǎo)電襯墊21的至少一部分露出”是指開(kāi)口部45使導(dǎo)電襯墊21的至少一部分露出到設(shè)置有該開(kāi)口部45的絕緣層40的外部。開(kāi)口部45通過(guò)利用蝕刻(例如光刻法)而除去導(dǎo)電襯墊21上的絕緣層40的一部分來(lái)形成。導(dǎo)電襯墊21與金屬鍍層50如后述那樣，通過(guò)開(kāi)口部45而物理連接及電連接。絕緣層40的厚度沒(méi)有特別限定，但例如優(yōu)選為1μm以上且10μm以下。

接著，說(shuō)明分子接合層210。

分子接合層210至少設(shè)置于絕緣層40的表面上。分子接合層210具有將絕緣層40與金屬鍍層50接合的功能。分子接合層210通過(guò)例如與第1實(shí)施方式中說(shuō)明了的分子接合層60大致相同的分子接合劑來(lái)形成。即，分子接合層210的一個(gè)例子通過(guò)三嗪衍生物那樣的化合物來(lái)形成，包含三嗪二硫醇?xì)埢?。分子接合?10的一個(gè)例子包含分子接合體60r(參照?qǐng)D3)。

如圖7中所示的那樣，分子接合層210具有第1部分210a、第2部分210b和第3部分210c。

第1部分210a設(shè)置于例如與開(kāi)口部45不同的絕緣層40的表面40a上。第1部分210a設(shè)置于絕緣層40的表面40a與金屬鍍層50(例如金屬鍍層50中包含的導(dǎo)線51)之間，將絕緣層40的表面40a與金屬鍍層50(例如金屬鍍層50中包含的導(dǎo)線51)接合。例如，分子接合層210的第1部分210a的至少一部分與絕緣層40中包含的絕緣原材料40m化學(xué)鍵合(例如共價(jià)鍵合)。此外，分子接合層210的第1部分210a的至少一部分與金屬鍍層50中包含的導(dǎo)電原材料(以下有時(shí)稱為“第1金屬”)50m化學(xué)鍵合(例如共價(jià)鍵合)。例如，第1部分210a包含與絕緣層40的絕緣原材料40m和金屬鍍層50的第1金屬50m這兩者化學(xué)鍵合(例如共價(jià)鍵合)的分子接合體60r。換而言之，第1部分210a中包含的分子接合劑的1分子(例如分子接合體60r)與絕緣層40的絕緣原材料40m和金屬鍍層50的第1金屬50m這兩者化學(xué)鍵合(例如共價(jià)鍵合)。即，絕緣層40與金屬鍍層50介由分子接合層210的化學(xué)鍵(例如共價(jià)鍵)而接合。因此，絕緣層40與金屬鍍層50牢固地密合。

第2部分210b設(shè)置于開(kāi)口部45的內(nèi)表面45a(例如內(nèi)周面)。第2部分210b設(shè)置于開(kāi)口部45的內(nèi)表面45a與金屬鍍層50(例如金屬鍍層50中包含的第1導(dǎo)電孔52)之間，將開(kāi)口部45的內(nèi)表面45a與金屬鍍層50(例如金屬鍍層50中包含的第1導(dǎo)電孔52)接合。例如，分子接合層210的第2部分210b的至少一部分與絕緣層40中包含的絕緣原材料40m化學(xué)鍵合(例如共價(jià)鍵合)。分子接合層210的第2部分210b的至少一部分與金屬鍍層50中包含的第1金屬50m化學(xué)鍵合(例如共價(jià)鍵合)。例如，第2部分210b包含與絕緣層40的絕緣原材料40m和金屬鍍層50的第1金屬50m這兩者化學(xué)鍵合(例如共價(jià)鍵合)的分子接合體60r。換而言之，第2部分210b中包含的分子接合劑的1分子(例如分子接合體60r)與絕緣層40的絕緣原材料40m和金屬鍍層50的第1金屬50m這兩者化學(xué)鍵合(例如共價(jià)鍵合)。

第3部分210c設(shè)置于露出到開(kāi)口部45的導(dǎo)電襯墊21的表面21a上。第3部分210c設(shè)置于導(dǎo)電襯墊21的表面21a與金屬鍍層50(例如金屬鍍層50中包含的第1導(dǎo)電孔52)之間，將導(dǎo)電襯墊21的表面21a與金屬鍍層50(例如金屬鍍層50中包含的第1導(dǎo)電孔52)接合。例如，分子接合層210的第3部分210c的至少一部分與導(dǎo)電襯墊21中包含的金屬21m(以下有時(shí)稱為“第2金屬”)化學(xué)鍵合(例如共價(jià)鍵合)。分子接合層210的第3部分210c的至少一部分與金屬鍍層50中包含的第1金屬50m化學(xué)鍵合(例如共價(jià)鍵合)。與第2金屬21m化學(xué)鍵合(例如共價(jià)鍵合)的分子接合體60r和與第1金屬50m化學(xué)鍵合(例如共價(jià)鍵合)的分子接合體60r可以相同，也可以不同。若1分子的分子接合體60r與第2金屬21m和第1金屬50m這兩者化學(xué)鍵合(例如共價(jià)鍵合)，則導(dǎo)電襯墊21與金屬鍍層50的密合性進(jìn)一步提高。若像本實(shí)施方式那樣在絕緣層40的表面40a和導(dǎo)電襯墊21的表面21a這兩者上設(shè)置分子接合層210，則半導(dǎo)體芯片20與金屬鍍層50進(jìn)一步牢固地密合。

例如，分子接合層210的分子接合體60r例如沒(méi)有完全均勻地分散。金屬鍍層50的第1導(dǎo)電孔52在多個(gè)分子接合體60r之間的位置(即分子接合體60r不存在的區(qū)域)與半導(dǎo)體芯片20的導(dǎo)電襯墊21相接。由此，金屬鍍層50的第1導(dǎo)電孔52與半導(dǎo)體芯片20的導(dǎo)電襯墊21物理連接及電連接。

例如，第1部分210a的至少一部分、第2部分210b、及第3部分210c一體地(即連續(xù)性地)形成。金屬鍍層50與分子接合層210的第1部分210a、第2部分210b、及第3部分210c化學(xué)接合。

分子接合層210的厚度優(yōu)選為0.5nm以上且20nm以下，更優(yōu)選為1nm以上且10nm以下。若分子接合層210的厚度為上述下限值以上，則能夠進(jìn)一步提高絕緣層40與金屬鍍層50的密合性。若分子接合層210的厚度為上述上限值以下，則能夠容易地確保導(dǎo)電襯墊21與金屬鍍層50的電連接。

設(shè)置于絕緣層40的表面上的分子接合層210的至少一部分優(yōu)選為單分子膜狀。例如，優(yōu)選分子接合層210的30面積％以上且100面積％以下為單分子膜狀，更優(yōu)選分子接合層210的全部為單分子膜狀。在分子接合層210中的形成為單分子膜狀的區(qū)域中，1分子的分子接合劑與第1金屬50m和絕緣原材料40m這兩者共價(jià)鍵合。因而，金屬鍍層50與絕緣層40的密合性進(jìn)一步提高。此外，由分子接合層210引起的半導(dǎo)體封裝10的厚度增加得到抑制。

設(shè)置于露出到開(kāi)口部45的導(dǎo)電襯墊21的表面21a上的分子接合層210的至少一部分優(yōu)選為單分子膜狀。例如，優(yōu)選分子接合層210的30面積％以上且100面積％以下為單分子膜狀，更優(yōu)選分子接合層210的全部為單分子膜狀。在分子接合層210中的形成為單分子膜狀的區(qū)域中，1分子的分子接合劑與第1金屬50m和第2金屬21m這兩者共價(jià)鍵合。因而，導(dǎo)電襯墊21與金屬鍍層50的密合性進(jìn)一步提高。此外，導(dǎo)電襯墊21與金屬鍍層50的電連接容易被確保。此外，由分子接合層210引起的半導(dǎo)體封裝10的厚度增加得到抑制。

分子接合層210相對(duì)于絕緣層40的面積的被覆密度與分子接合劑相對(duì)于導(dǎo)電襯墊21的表面21a的面積的被覆密度可以相同，也可以不同。但是，從絕緣層40的面積與金屬鍍層50的密合性的觀點(diǎn)出發(fā)，分子接合劑相對(duì)于絕緣層40的面積的被覆密度優(yōu)選高于分子接合劑相對(duì)于導(dǎo)電襯墊21的表面21a的面積的被覆密度。例如，分子接合劑相對(duì)于絕緣層40的面積的被覆密度優(yōu)選為20面積％以上，優(yōu)選為30面積％以上，更優(yōu)選為50面積％以上。若分子接合劑相對(duì)于絕緣層40的面積的被覆密度為上述下限值以上，則能夠進(jìn)一步提高絕緣層40與金屬鍍層50的密合性。由于分子接合層210相對(duì)于絕緣層40的面積的被覆密度優(yōu)選高，所以其上限值沒(méi)有特別限定。作為被覆密度的上限值，可例示出例如70面積％或80面積％。

分子接合劑相對(duì)于導(dǎo)電襯墊21的表面21a的面積的被覆密度優(yōu)選為20面積％以上且80面積％以下，更優(yōu)選為30面積％以上且70面積％以下，進(jìn)一步優(yōu)選為40面積％以上且60面積％以下。若分子接合劑相對(duì)于導(dǎo)電襯墊21的表面21a的面積的被覆密度為上述下限值以上，則能夠進(jìn)一步提高導(dǎo)電襯墊21與金屬鍍層50的密合性。此外，若分子接合劑相對(duì)于導(dǎo)電襯墊21的表面21a的面積的被覆密度為上述上限值以下，則能夠容易地確保導(dǎo)電襯墊21與金屬鍍層50的電連接。

另外，關(guān)于分子接合層210的其他構(gòu)成或功能與第1實(shí)施方式的分子接合層60的構(gòu)成或功能大致相同。即，關(guān)于分子接合層210的其他說(shuō)明只要在第1實(shí)施方式的分子接合層60的說(shuō)明中，將“分子接合層60”換讀成“分子接合層210”、將“上絕緣層70”換讀成“下絕緣層40”或“導(dǎo)電襯墊21”、將“絕緣原材料70m”換讀成“絕緣原材料40m”或“金屬21m”即可。例如，絕緣層40與金屬鍍層50之間的密合強(qiáng)度與第1實(shí)施方式中的再布線層50與上絕緣層70之間的密合強(qiáng)度可以大致相同，也可以不同。

接著，說(shuō)明金屬鍍層50。

金屬鍍層50為在半導(dǎo)體封裝10中具有流過(guò)電信號(hào)的導(dǎo)線的功能的構(gòu)件，為例如再布線層。金屬鍍層50通過(guò)分子接合層210而與絕緣層40的表面接合。金屬鍍層50通過(guò)絕緣層40的開(kāi)口部45而與導(dǎo)電襯墊21物理連接及電連接。另外，如上述那樣，也可以在金屬鍍層50與導(dǎo)電襯墊21之間設(shè)置分子接合層210的第3部分210c。由此，有時(shí)金屬鍍層50與導(dǎo)電襯墊21進(jìn)一步牢固地密合。

此外，若以某種觀點(diǎn)來(lái)看，則金屬鍍層50與分子接合層210的第1部分210a、第2部分210b、及第3部分210c接合。例如，金屬鍍層50具有導(dǎo)線51和第1導(dǎo)電孔52。導(dǎo)線51沿著與開(kāi)口部45不同的絕緣層40的表面40a設(shè)置而與分子接合層210的第1部分210a接合。第1導(dǎo)電孔52設(shè)置于開(kāi)口部45中而與分子接合層210的第2部分210b和第3部分210c接合。

如圖7中所示的那樣，本實(shí)施方式的金屬鍍層50包含第1金屬鍍層55和第2金屬鍍層56。第1金屬鍍層55和第2金屬鍍層56在金屬鍍層50的厚度方向上彼此層疊。

第1金屬鍍層55為具有成為包含第2金屬鍍層56的再布線層50的生長(zhǎng)起點(diǎn)的種子金屬55m的種子層。種子金屬55m為形成第1金屬鍍層55的金屬(即金屬原材料)。作為本實(shí)施方式的種子金屬55m，可列舉出例如鈀等金屬。第1金屬鍍層55的厚度沒(méi)有特別限定，例如從生長(zhǎng)起點(diǎn)的功能的觀點(diǎn)出發(fā)，優(yōu)選為0.05μm以上且2μm以下。第1金屬鍍層55能夠通過(guò)對(duì)分子接合層210的表面實(shí)施使用了種子金屬55m的金屬鍍覆處理來(lái)形成。本實(shí)施方式中，第1金屬鍍層55通過(guò)分子接合層210而與絕緣層40接合。因此本實(shí)施方式中，種子金屬55m為與分子接合層210化學(xué)鍵合(例如共價(jià)鍵合)的第1金屬50m的一個(gè)例子。

第2金屬鍍層56為再布線層50的主體部，包含再布線用金屬56m。再布線用金屬56m為形成第2金屬鍍層56的金屬(即金屬原材料)。再布線用金屬56m可列舉出例如銅及鎳以及它們的合金等金屬。再布線用金屬56m與第2金屬21m可以相同，也可以不同。第2金屬鍍層56的厚度沒(méi)有特別限定，但例如優(yōu)選為1μm以上且10μm以下。若第2金屬鍍層56的厚度為上述下限值以上，則能夠抑制因斷線等而電信號(hào)的導(dǎo)線的功能受損。若第2金屬鍍層56的厚度為上述上限值以下，則能夠抑制由分子接合層210引起的半導(dǎo)體封裝10的厚度增加。另外，第1金屬50m包含種子金屬55m和再布線用金屬56m這兩者。

接著，對(duì)本實(shí)施方式的半導(dǎo)體封裝10的制造方法的一個(gè)例子進(jìn)行說(shuō)明。另外，以下所示的工序?yàn)槔缗c圖4a中的(c)到(f)對(duì)應(yīng)的工序。

首先，準(zhǔn)備具有半導(dǎo)體基板22、導(dǎo)電襯墊21、及絕緣膜23的半導(dǎo)體芯片20(圖8a)。接著，通過(guò)對(duì)半導(dǎo)體芯片20的表面供給絕緣原材料40m，從而設(shè)置絕緣層40。接著，在絕緣層40上形成開(kāi)口部45(即貫通孔)(圖8b)。開(kāi)口部45設(shè)置于與半導(dǎo)體芯片20的導(dǎo)電襯墊21對(duì)應(yīng)的區(qū)域，將絕緣層40貫通。開(kāi)口部45例如通過(guò)絕緣層40被蝕刻來(lái)形成。

接著，通過(guò)與開(kāi)口部45不同的絕緣層40的表面40a、開(kāi)口部45的內(nèi)表面45a、及露出到開(kāi)口部45的導(dǎo)電襯墊21的表面21a用分子接合劑覆蓋(即涂布分子接合劑)，從而形成包含第1部分210a、第2部分210b、及第3部分210c的分子接合層210(圖8c)。例如，通過(guò)將涂布有分子接合劑溶液的絕緣層40靜置，絕緣層40的絕緣原材料40m與分子接合劑之間的化學(xué)鍵合(例如共價(jià)鍵合)被促進(jìn)。進(jìn)而，也可以進(jìn)行對(duì)分子接合層120施加能量(例如熱或光(例如紫外線))的操作。加熱的溫度及時(shí)間根據(jù)分子接合劑溶液的涂布量而適當(dāng)決定。此外，照射的紫外線的波長(zhǎng)優(yōu)選為250nm以下，照射時(shí)間根據(jù)分子接合劑溶液的涂布量而適當(dāng)決定。之后，使用洗滌液將絕緣層40洗滌并使其干燥。由此，形成與絕緣層40的絕緣原材料40m及導(dǎo)電襯墊21的第2金屬21m化學(xué)鍵合(例如共價(jià)鍵合)的分子接合層210。另外，分子接合層210的形成方法的詳細(xì)情況與第1實(shí)施方式中說(shuō)明的分子接合層60的形成方法的詳細(xì)情況大致相同。例如，分子接合劑以第1實(shí)施方式中上述那樣的分子接合劑溶液的形態(tài)被供給。

另外，分子接合劑的化學(xué)鍵合(例如共價(jià)鍵合)也可以不施加熱或光等能量而進(jìn)行。也可以取而代之，分子接合劑的化學(xué)鍵合(例如共價(jià)鍵合)通過(guò)施加熱或光等能量。

分子接合層210的厚度能夠通過(guò)分子接合劑溶液的濃度及涂布量、以及洗滌的時(shí)間及次數(shù)等條件來(lái)調(diào)節(jié)。此外，分子接合層210相對(duì)于導(dǎo)電襯墊21的表面21a的面積的被覆密度能夠通過(guò)分子接合劑溶液的濃度及涂布量、以及洗滌的時(shí)間及次數(shù)等條件來(lái)調(diào)節(jié)。

接著，對(duì)分子接合層210的第1部分210a、第2部分210b、及第3部分210c的表面實(shí)施金屬鍍覆處理。例如，對(duì)分子接合層210的表面(例如，第1部分210a、第2部分210b、及第3部分210c的表面)實(shí)施使用了上述的種子金屬55m的第1金屬鍍覆處理。由此，具有成為金屬鍍層(例如再布線層)50的生長(zhǎng)起點(diǎn)的種子金屬55m的第1金屬鍍層55(例如種子層)形成于分子接合層210上(圖8d)。

例如，通過(guò)將形成于分子接合層210上的第1金屬鍍層55靜置，第1金屬鍍層55中包含的第1金屬50m(例如種子金屬55m)與分子接合層210之間的化學(xué)鍵合(例如共價(jià)鍵合)被促進(jìn)。進(jìn)而，也可以進(jìn)行對(duì)分子接合層120施加能量(例如熱或光(例如紫外線))的操作，第1金屬鍍層55中包含的第1金屬50m(例如種子金屬55m)與分子接合層210之間的化學(xué)鍵合(例如共價(jià)鍵合)被促進(jìn)。

接著，用于在第1金屬鍍層55上的特定的部位形成布線圖案的抗蝕劑膜r通過(guò)例如光刻法而形成(圖8e)。之后，對(duì)第1金屬鍍層55的表面實(shí)施使用了上述的再布線用金屬56m的第2金屬鍍覆處理。由此，由再布線用金屬56m形成的膜以第1金屬鍍層55的種子金屬55m作為生長(zhǎng)起點(diǎn)生長(zhǎng)而形成第2金屬鍍層56(圖8f)。

用于形成上述種子層的第1金屬鍍覆處理可以是電解鍍覆處理及非電解鍍覆處理中的任一者。第1金屬鍍覆處理為例如非電解鍍覆處理。另外本申請(qǐng)中所謂的“非電解鍍覆處理”并不限定于噴霧鍍覆處理，此外也可以是其他已知的各種非電解鍍覆處理。通過(guò)使用非電解鍍覆，能夠形成具有微細(xì)且均勻的形狀的第1金屬鍍層55。此外，能夠抑制用于金屬鍍覆處理的設(shè)備費(fèi)用或維護(hù)費(fèi)用。

用于形成上述再布線層的主體部的第2金屬鍍覆處理可以是電解鍍覆及非電解鍍覆中的任一者。第2金屬鍍覆處理為例如電解鍍覆處理。通過(guò)使用電解鍍覆，能夠形成具有1μm以上、優(yōu)選2μm以上的厚度的第2金屬鍍層56。

通過(guò)進(jìn)行以上那樣的金屬鍍覆處理，能夠形成介由絕緣層40的開(kāi)口部45與導(dǎo)電襯墊21電連接的金屬鍍層50。

在金屬鍍層50的形成后，形成于開(kāi)口部45中的第2金屬鍍層56的一部分也可以通過(guò)光刻法被除去而形成第1導(dǎo)電孔52的凹坑52a。此外，形成于第1金屬鍍層55上的抗蝕劑膜r通過(guò)洗滌被除去(參照?qǐng)D8g)。之后，沒(méi)有形成第2金屬鍍層56的部位的第1金屬鍍層55通過(guò)蝕刻被除去(圖8h)。在該第1金屬鍍層55的除去中，有時(shí)分子接合層210被除去。

通過(guò)使用以上那樣的制造方法，形成本實(shí)施方式的半導(dǎo)體封裝10。

另外，本實(shí)施方式的半導(dǎo)體封裝10也可以絕緣層及金屬鍍層各具有2層以上。例如，在金屬鍍層50的表面及露出的絕緣層40的表面上新形成分子接合層60。之后，在金屬鍍層50的表面及露出的絕緣層40的表面上介由分子接合層60形成第2層的絕緣層70(圖8i)。通過(guò)形成于金屬鍍層50上的第2層的絕緣層70的任意的部位被蝕刻，形成開(kāi)口部75(圖8j)。之后，第2層的金屬鍍層(例如第2再布線層80)介由分子接合層220而形成于金屬鍍層50及第2層的絕緣層70上。

通過(guò)進(jìn)行以上的處理，在本實(shí)施方式的半導(dǎo)體封裝10中，能夠?qū)⒔^緣層及金屬鍍層介由分子接合層而進(jìn)行層疊。

另外，形成分子接合層210的分子接合劑與形成分子接合層60、220的分子接合劑可以相同，也可以不同。

以上說(shuō)明的實(shí)施方式的半導(dǎo)體封裝10具備半導(dǎo)體芯片20、分子接合層210和金屬鍍層50。分子接合層210通過(guò)與絕緣層40和金屬鍍層50分別化學(xué)鍵合(即共價(jià)鍵合)而接合。因此，能夠提高絕緣層40與金屬鍍層50的密合性。此外，通過(guò)在半導(dǎo)體芯片20的導(dǎo)電襯墊21與金屬鍍層50之間設(shè)置分子接合層210，能夠進(jìn)一步提高半導(dǎo)體芯片20與金屬鍍層50的密合性，同時(shí)適當(dāng)?shù)卮_保半導(dǎo)體芯片20的導(dǎo)電襯墊21與金屬鍍層50的電連接。

此外，在實(shí)施方式的半導(dǎo)體封裝10的制造方法中，可以不使用濺射等蒸鍍法而使用非電解鍍覆來(lái)形成第1金屬鍍層55(例如種子層)。由此，由于能夠?qū)⒒椎慕^緣層40的表面不粗化而金屬化，所以能夠形成具有微細(xì)的圖案的種子層。此外，能夠降低制造成本，同時(shí)提高生產(chǎn)效率。

(第3實(shí)施方式)

接著，對(duì)第3實(shí)施方式進(jìn)行說(shuō)明。本實(shí)施方式的半導(dǎo)體封裝10的構(gòu)成與第2實(shí)施方式的半導(dǎo)體封裝10的構(gòu)成大致相同。本實(shí)施方式在金屬鍍層50的至少一部分的形成通過(guò)噴霧鍍覆處理而進(jìn)行這點(diǎn)與第2實(shí)施方式不同。另外，除以下說(shuō)明的以外的構(gòu)成與第2實(shí)施方式相同。

例如，本實(shí)施方式中，第1金屬鍍層55通過(guò)噴霧鍍覆處理而形成。在噴霧鍍覆處理中，包含第1金屬50m(例如種子金屬55m)的金屬離子溶液及還原劑溶液分別被噴霧。噴霧鍍覆處理為例如自催化型非電解鍍覆。

例如，對(duì)分子接合層210的表面實(shí)施使用了第1金屬50m(例如種子金屬55m)的第1金屬鍍覆處理。由此，第1金屬鍍層55形成于分子接合層210上。第1金屬鍍層55為具有包含之后形成的第2金屬鍍層56的金屬鍍層50的生長(zhǎng)起點(diǎn)的種子層。本實(shí)施方式中，第1金屬鍍覆處理為噴霧鍍覆處理，通過(guò)對(duì)分子接合層210的表面分別噴霧金屬離子溶液及還原劑溶液來(lái)進(jìn)行。

金屬離子溶液為包含來(lái)自第1金屬50m(例如種子金屬55m)的金屬離子的溶液。本實(shí)施方式的第1金屬50m(例如種子金屬55m)為例如鈀、銅、銀、鎳、鉛等具有自催化作用的金屬。進(jìn)一步而言，第1金屬50m(例如種子金屬55m)為選自由銅、銀及鎳組成的組中的至少1種。作為這樣的金屬離子，可列舉出例如銅離子、銀離子及鎳離子等。作為溶解金屬離子的溶劑，可列舉出極性溶劑，其中，優(yōu)選水。金屬離子溶液的濃度沒(méi)有特別限定，可以采用公知的濃度。

金屬離子溶液的溫度只要為實(shí)用的范圍，則沒(méi)有特別限定，例如優(yōu)選為20℃以上且40℃以下。若金屬離子溶液的溫度為上述下限值以上，則能夠得到金屬離子良好地溶解于溶劑中的金屬離子溶液。若金屬離子溶液的濃度為上述上限值以下，則能夠有效地防止溶劑的蒸發(fā)。

還原劑溶液為包含將金屬離子還原而使金屬析出的還原劑的溶液。作為還原劑，能夠使用與所使用的金屬離子對(duì)應(yīng)的公知的化合物。在使用銅離子或銀離子作為金屬離子的情況下，使用甲醛作為還原劑可得到自催化作用，所以優(yōu)選。此外，在使用鎳離子作為金屬離子的情況下，使用膦酸鹽或四氫硼酸鹽作為還原劑可得到自催化作用，所以優(yōu)選。作為溶解還原劑的溶劑，可列舉出極性溶劑，其中，優(yōu)選水。

還原劑溶液的濃度沒(méi)有特別限定，可以采用公知的濃度。

還原劑溶液的溫度只要為實(shí)用的范圍，則沒(méi)有特別限定，例如優(yōu)選為20℃以上且40℃以下。若還原劑溶液的溫度為上述下限值以上，則能夠得到還原劑良好地溶解于溶劑中的還原劑溶液。若還原劑溶液的濃度為上述上限值以下，則能夠有效地防止溶劑的蒸發(fā)。

另外，自催化作用是指，通過(guò)金屬離子被還原劑還原而生成的金屬作為該還原劑的氧化中的催化劑起作用。本實(shí)施方式中，金屬鍍覆處理為自催化型非電解鍍覆時(shí)，由于生產(chǎn)效率進(jìn)一步提高，所以優(yōu)選。

在金屬離子溶液及還原劑溶液中的至少一者中，也可以添加乙酸等緩沖劑、酒石酸等絡(luò)合劑及氰基化合物等穩(wěn)定劑等作為添加劑。作為緩沖劑，可列舉出例如乙酸及乙酸鹽的混合物等。作為絡(luò)合劑，可列舉出例如酒石酸、檸檬酸、蘋(píng)果酸及焦磷酸等。作為穩(wěn)定劑，可列舉出例如氰基化合物及聯(lián)二吡啶化合物等。

通過(guò)添加這些添加劑，金屬離子溶液或還原劑溶液的長(zhǎng)期保存性提高。此外，能夠穩(wěn)定地形成金屬鍍層50。

金屬離子溶液及還原劑溶液的噴霧方法沒(méi)有特別限定。可列舉出例如使用2個(gè)噴霧裝置，將金屬離子溶液及還原劑溶液從2個(gè)方向向著分子接合層210的表面上的同一部位噴霧的方法。通過(guò)使用這樣的噴霧方法，將金屬離子溶液及還原劑溶液同時(shí)進(jìn)行噴霧，能夠?qū)Ψ肿咏雍蠈?10進(jìn)行金屬鍍覆處理。

本實(shí)施方式中的第2金屬鍍覆處理及之后的工序與第2實(shí)施方式相同。另外，本實(shí)施方式中，形成第2金屬鍍層56的再布線用金屬56m也可以與形成第1金屬鍍層56的種子金屬55m相同。第2金屬鍍層56通過(guò)例如與噴霧鍍覆處理不同的非電解鍍覆處理、或電解鍍覆處理來(lái)形成。例如，第2金屬鍍層56通過(guò)電解鍍覆處理來(lái)形成。

在以上說(shuō)明的實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的制造方法中，使用非電解鍍覆而形成第1金屬鍍層55。由此，能夠不將作為基底的分子接合層210或半導(dǎo)體芯片20的表面粗化而形成微細(xì)的布線圖案。

此外，在實(shí)施方式的半導(dǎo)體封裝10的制造方法中，由于金屬鍍覆處理通過(guò)將還原劑溶液及金屬離子溶液分別進(jìn)行噴霧來(lái)進(jìn)行，所以能夠不使用鈀等種子金屬而形成金屬鍍層50。由于鈀等種子金屬一般為高價(jià)，所以在實(shí)施方式的半導(dǎo)體封裝10的制造方法中，能夠降低制造成本。此外，作為優(yōu)選的金屬離子之一的銀離子與鈀相比除去性優(yōu)異。因而，若使用銀離子溶液，則能夠進(jìn)一步提高半導(dǎo)體封裝10的生產(chǎn)效率。

此外，在本實(shí)施方式的半導(dǎo)體封裝10的制造方法中，通過(guò)分子接合層210，絕緣層40與金屬鍍層50被接合。因此，半導(dǎo)體封裝10的內(nèi)部的密合性優(yōu)異。此外，對(duì)例如由鋁或鋁合金形成的導(dǎo)電襯墊21不需要實(shí)施以密合性的提高作為目的的鋅酸鹽處理。

(第4實(shí)施方式)

接著，參照?qǐng)D9到圖10g，對(duì)第4實(shí)施方式進(jìn)行說(shuō)明。本實(shí)施方式在金屬鍍層50的全部通過(guò)噴霧鍍覆處理而形成這點(diǎn)等與第3實(shí)施方式不同。另外，除以下說(shuō)明的以外的構(gòu)成與第3實(shí)施方式相同。

圖9是表示本實(shí)施方式的半導(dǎo)體封裝10的截面圖。

如圖9中所示的那樣，在本實(shí)施方式的半導(dǎo)體封裝10中，設(shè)置1個(gè)金屬鍍層50來(lái)代替第1金屬鍍層55及第2金屬鍍層56。換而言之，本實(shí)施方式的金屬鍍層50不具有種子層。

接著，對(duì)本實(shí)施方式的半導(dǎo)體封裝10的制造方法的一個(gè)例子進(jìn)行說(shuō)明。另外，以下所示的工序?yàn)槔缗c圖4a中的(c)到(f)對(duì)應(yīng)的工序。

首先，準(zhǔn)備具有半導(dǎo)體基板22、導(dǎo)電襯墊21、及絕緣膜23的半導(dǎo)體芯片20(圖10a)。接著，通過(guò)向半導(dǎo)體芯片20的表面供給絕緣原材料40m，設(shè)置絕緣層40。接著，在絕緣層40上形成開(kāi)口部45(即貫通孔)(圖10b)。開(kāi)口部45設(shè)置于與半導(dǎo)體芯片20的導(dǎo)電襯墊21對(duì)應(yīng)的區(qū)域，將絕緣層40貫通。開(kāi)口部45通過(guò)例如絕緣層40被蝕刻來(lái)形成。

接著，通過(guò)將與開(kāi)口部45不同的絕緣層40的表面40a、開(kāi)口部45的內(nèi)表面45a、及露出到開(kāi)口部45中的導(dǎo)電襯墊21的表面21a用分子接合劑覆蓋，從而形成分子接合層210(圖10c)。另外，到以上為止的工序與第2實(shí)施方式相同。

本實(shí)施方式中，對(duì)分子接合層210的表面實(shí)施金屬鍍覆處理。本實(shí)施方式的金屬鍍覆處理與第3實(shí)施方式的第1金屬鍍覆處理同樣地通過(guò)噴霧鍍覆處理來(lái)進(jìn)行。即，包含第1金屬50m的金屬離子溶液及還原劑溶液被分別噴霧。噴霧鍍覆處理與其他種類的非電解鍍覆相比，金屬鍍層的析出速度快。因此，可以將金屬鍍層50的全部通過(guò)噴霧鍍覆處理來(lái)進(jìn)行。此外，通過(guò)噴霧鍍覆處理而形成金屬鍍層50的情況下，由于在金屬鍍層50與絕緣層40之間也設(shè)置有分子接合層210，所以金屬鍍層50也穩(wěn)定地存在。此外，與電解鍍覆比較，能夠提高半導(dǎo)體封裝10的生產(chǎn)效率。

接著，如覆蓋金屬鍍層50那樣地形成抗蝕劑膜r(圖10e)。接著，金屬鍍層50的不需要的部分通過(guò)蝕刻被除去(圖10f)。由此，包含導(dǎo)線51及第1導(dǎo)電孔52的金屬鍍層50形成于絕緣層40上(圖10g)。

根據(jù)以上說(shuō)明的至少1個(gè)實(shí)施方式，能夠提供可以利用分子接合層來(lái)提高金屬鍍層與絕緣層的密合性的半導(dǎo)體封裝。

以下，附記幾個(gè)半導(dǎo)體裝置、及半導(dǎo)裝置的制造方法的例子。

[a1]一種半導(dǎo)體裝置，其具備：

半導(dǎo)體裝置部件，其具備導(dǎo)電層和具有使上述導(dǎo)電層的至少一部分露出的開(kāi)口部的絕緣樹(shù)脂層；

分子接合層，其設(shè)置于上述半導(dǎo)體裝置部件中的至少上述絕緣樹(shù)脂層的表面上；和

金屬鍍層，其通過(guò)上述分子接合層與上述半導(dǎo)體裝置部件的表面接合，

其中，上述分子接合層包含分子接合劑，

上述分子接合劑的至少一部分與上述半導(dǎo)體裝置部件的絕緣樹(shù)脂層中包含的樹(shù)脂共價(jià)鍵合，

上述分子接合劑的至少一部分與上述金屬鍍層中包含的第1金屬共價(jià)鍵合，

上述金屬鍍層介由上述開(kāi)口部而與上述導(dǎo)電層電連接。

[a2]、根據(jù)[a1]所述的半導(dǎo)體裝置，其中，

上述分子接合層進(jìn)一步設(shè)置于上述半導(dǎo)體裝置部件中的上述導(dǎo)電層的表面上，

上述分子接合劑的至少一部分與上述導(dǎo)電層中包含的第2金屬共價(jià)鍵合，

上述分子接合劑的至少一部分與上述第1金屬共價(jià)鍵合，

上述金屬鍍層介由上述開(kāi)口部中的上述分子接合層與而上述導(dǎo)電層電連接。

[a3]、根據(jù)[a1]所述的半導(dǎo)體裝置，其中，

上述分子接合劑相對(duì)于上述分子接合層中的上述導(dǎo)電層的被覆密度為20面積％以上且80面積％以下。

[a4]、根據(jù)[a2]所述的半導(dǎo)體裝置，其中，

設(shè)置于上述導(dǎo)電層的表面上的上述分子接合層的至少一部分為單分子膜狀，

上述分子接合劑的至少一部分與上述第1金屬和上述第2金屬這兩者發(fā)生了共價(jià)鍵合。

[a5]、根據(jù)[a1]所述的半導(dǎo)體裝置，其中，

設(shè)置于上述絕緣樹(shù)脂層的表面上的上述分子接合層的至少一部分為單分子膜狀，

上述分子接合劑的至少一部分與上述第1金屬和上述樹(shù)脂這兩者發(fā)生了共價(jià)鍵合。

[a6]、根據(jù)[a1]所述的半導(dǎo)體裝置，其中，

上述金屬鍍層是作為上述半導(dǎo)體裝置部件的電信號(hào)的導(dǎo)線的再布線層。

[a7]、根據(jù)[a1]所述的半導(dǎo)體裝置，其中，

上述絕緣樹(shù)脂層包含聚酰亞胺樹(shù)脂或聚苯并噁唑樹(shù)脂。

[a8]、根據(jù)[a1]所述的半導(dǎo)體裝置，其中，

上述導(dǎo)電層為設(shè)置于半導(dǎo)體基板上的導(dǎo)電襯墊。

[a9]、根據(jù)[a1]所述的半導(dǎo)體裝置，其中，

上述分子接合劑為三嗪衍生物。

[a10]、根據(jù)[a9]所述的半導(dǎo)體裝置，其中，

上述三嗪衍生物為通式(c1)所表示的化合物，

(式中，r表示烴基或可以?shī)A有異種原子或者官能團(tuán)的烴基，x表示氫原子或烴基，y表示烷氧基，z表示可以形成鹽的硫醇基、可以形成鹽的氨基或疊氮基、或者可以形成鹽的且可以?shī)A有異種原子或官能團(tuán)的烴基，n1為1～3的整數(shù)，n2為1～2的整數(shù))。

[a11]一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中，

通過(guò)將具備導(dǎo)電層和具有使上述導(dǎo)電層的至少一部分露出的開(kāi)口部的絕緣樹(shù)脂層的半導(dǎo)體裝置部件中的至少上述絕緣樹(shù)脂層的表面用分子接合劑覆蓋，形成包含與上述絕緣樹(shù)脂層中包含的樹(shù)脂發(fā)生了共價(jià)鍵合的上述分子接合劑的分子接合層，

通過(guò)對(duì)上述分子接合層及上述導(dǎo)電層的表面實(shí)施金屬鍍覆處理，形成包含與上述分子接合劑發(fā)生了共價(jià)鍵合的第1金屬、且介由上述開(kāi)口部與上述導(dǎo)電層電連接的金屬鍍層。

[a12]、根據(jù)[a11]所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中，

在形成上述分子接合層時(shí)，通過(guò)將上述導(dǎo)電層的表面與上述絕緣樹(shù)脂層的表面一起用上述分子接合劑覆蓋，從而使上述分子接合劑的至少一部分與上述導(dǎo)電層中包含的第2金屬共價(jià)鍵合，使上述分子接合劑的至少一部分與上述第1金屬共價(jià)鍵合，將上述金屬鍍層介由上述開(kāi)口部中的上述分子接合層與上述導(dǎo)電層電連接。

[a13]、根據(jù)[a12]所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中，

通過(guò)將上述導(dǎo)電層的表面中的上述分子接合層的至少一部分形成為單分子膜狀，使上述分子接合劑的至少一部分與上述第1金屬和上述第2金屬這兩者共價(jià)鍵合。

[a14]、根據(jù)[a11]所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中，

通過(guò)將上述絕緣樹(shù)脂層的表面中的上述分子接合層的至少一部分形成為單分子膜狀，使上述分子接合劑的至少一部分與上述第1金屬和上述絕緣樹(shù)脂層中包含的上述樹(shù)脂這兩者共價(jià)鍵合。

[a15]、根據(jù)[a11]所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中，

上述金屬鍍層是作為上述半導(dǎo)體裝置部件的電信號(hào)的導(dǎo)線的再布線層，

上述方法包含以下步驟：

形成上述金屬鍍層；

通過(guò)對(duì)上述分子接合層的表面、或上述分子接合層及上述導(dǎo)電層的表面實(shí)施使用了種子金屬的金屬鍍覆處理，形成具有成為上述再布線層的生長(zhǎng)起點(diǎn)的種子金屬的種子層；和

通過(guò)對(duì)上述種子層實(shí)施使用了再布線用金屬的金屬鍍覆處理，形成包含上述種子層的上述再布線層。

[a16]、根據(jù)[a15]所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中，

用于形成上述種子層的上述金屬鍍覆處理為非電解鍍覆。

[a17]、根據(jù)[a11]所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中，

上述絕緣樹(shù)脂層包含聚酰亞胺樹(shù)脂或聚苯并噁唑樹(shù)脂。

[a18]、根據(jù)[a11]所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中，

上述導(dǎo)電層為設(shè)置于半導(dǎo)體基板上的導(dǎo)電襯墊。

[a19]、根據(jù)[a11]所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中，

上述分子接合劑為三嗪衍生物。

[a20]、根據(jù)[a19]所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中，

上述三嗪衍生物為通式(c1)所表示的化合物，

(式中，r表示烴基或可以?shī)A有異種原子或者官能團(tuán)的烴基，x表示氫原子或烴基，y表示烷氧基，z表示可以形成鹽的硫醇基、可以形成鹽的氨基或疊氮基、或可以形成鹽的且可以?shī)A有異種原子或官能團(tuán)的烴基，n1為1～3的整數(shù)，n2為1～2的整數(shù))。

[b1]一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中，

通過(guò)將具備導(dǎo)電層和具有使上述導(dǎo)電層的至少一部分露出的開(kāi)口部的絕緣樹(shù)脂層的半導(dǎo)體裝置部件中的至少上述絕緣樹(shù)脂層的表面用分子接合劑覆蓋，形成包含與上述絕緣樹(shù)脂層中包含的樹(shù)脂發(fā)生了共價(jià)鍵合的上述分子接合劑的分子接合層，

通過(guò)對(duì)上述分子接合層及上述導(dǎo)電層的表面實(shí)施金屬鍍覆處理，形成包含與上述分子接合劑發(fā)生了共價(jià)鍵合的第1金屬、且介由上述開(kāi)口部與上述導(dǎo)電層電連接的金屬鍍層，

上述金屬鍍覆處理包括將包含上述第1金屬的金屬離子溶液及還原劑溶液分別進(jìn)行噴霧的噴霧鍍覆處理。

[b2]、根據(jù)[b1]所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中，

在形成上述分子接合層時(shí)，通過(guò)將上述導(dǎo)電層的表面與上述絕緣樹(shù)脂層的表面一起用上述分子接合劑覆蓋，從而使上述分子接合劑的至少一部分與上述導(dǎo)電層中包含的第2金屬共價(jià)鍵合，使上述分子接合劑的至少一部分與上述第1金屬共價(jià)鍵合，將上述金屬鍍層介由上述開(kāi)口部中的上述分子接合層與上述導(dǎo)電層電連接。

[b3]、根據(jù)[b2]所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中，

通過(guò)將上述導(dǎo)電層的表面中的上述分子接合層的至少一部分形成為單分子膜狀，使上述分子接合劑的至少一部分與上述第1金屬和上述第2金屬這兩者共價(jià)鍵合。

[b4]、根據(jù)[b1]所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中，

通過(guò)將上述絕緣樹(shù)脂層的表面中的上述分子接合層的至少一部分形成為單分子膜狀，使上述分子接合劑的至少一部分與上述第1金屬和上述絕緣樹(shù)脂層中包含的上述樹(shù)脂這兩者共價(jià)鍵合。

[b5]、根據(jù)[b1]所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中，

上述噴霧鍍覆處理為自催化型非電解鍍覆。

[b6]、根據(jù)[b5]所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中，

上述第1金屬為選自由銅、銀及鎳組成的組中的至少1種。

[b7]、根據(jù)[b1]所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中，

上述金屬鍍層是作為半導(dǎo)體芯片的電信號(hào)的導(dǎo)線的再布線層，

上述方法包括以下步驟：

形成上述金屬鍍層；

通過(guò)對(duì)上述分子接合層的表面、或上述分子接合層及上述導(dǎo)電層的表面實(shí)施分別噴霧包含上述第1金屬的金屬離子溶液及還原劑溶液的噴霧鍍覆處理，形成具有上述再布線層的生長(zhǎng)起點(diǎn)的種子層；和

通過(guò)對(duì)上述種子層實(shí)施使用了上述第1金屬的金屬鍍覆處理，形成包含上述種子層的上述再布線層。

[b8]、根據(jù)[b1]所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中，

上述絕緣樹(shù)脂層包含聚酰亞胺樹(shù)脂或聚苯并噁唑樹(shù)脂。

[b9]、根據(jù)[b1]所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中，

上述導(dǎo)電層為設(shè)置于半導(dǎo)體基板上的導(dǎo)電襯墊。

[b10]、根據(jù)[b1]所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中，

上述分子接合劑為三嗪衍生物。

[b11]、根據(jù)[b10]所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中，

上述三嗪衍生物為通式(c1)所表示的化合物，

(式中，r表示烴基或可以?shī)A有異種原子或者官能團(tuán)的烴基，x表示氫原子或烴基，y表示烷氧基，z表示可以形成鹽的硫醇基、可以形成鹽的氨基或疊氮基、或者可以形成鹽的且可以?shī)A有異種原子或官能團(tuán)的烴基，n1為1～3的整數(shù)，n2為1～2的整數(shù))。

對(duì)幾個(gè)實(shí)施方式進(jìn)行了說(shuō)明，但這些實(shí)施方式是作為例子而提出的，其意圖并非限定發(fā)明的范圍。這些實(shí)施方式能夠以其他各種方式實(shí)施，在不脫離發(fā)明的主旨的范圍內(nèi)可以進(jìn)行各種省略、置換、變更。這些實(shí)施方式和其變形包含于發(fā)明的范圍、主旨中，同時(shí)包含于權(quán)利要求書(shū)中記載的發(fā)明和其均等的范圍內(nèi)。