本發(fā)明涉及一種半導體封裝件的制造方法。尤其是，涉及具有金屬基板的半導體封裝件的制造方法。

背景技術：

以往，已知在移動電話或智能電話等的電子設備中，在支承基板上裝載ic芯片等的半導體裝置的半導體封裝件結構(例如專利文獻1)。通常，這種半導體封裝件采用如下的結構：在支承基板上經(jīng)由粘結層來接合ic芯片或存儲器等的半導體裝置，并利用密封體(密封用樹脂材料)覆蓋所述半導體裝置，來保護半導體裝置。

作為半導體封裝件所用的支承基板，使用印刷基板、陶瓷基板等的各種基板。尤其是近年來，對利用金屬基板的半導體封裝件的開發(fā)持續(xù)推進。在金屬基板上裝載半導體裝置并利用再布線而扇出(fan-out)的半導體封裝件具有優(yōu)異的電磁屏蔽性或熱特性的優(yōu)點，作為具有高可靠性的半導體封裝件備受矚目。另外，這種半導體封裝件還具有在封裝設計方面自由度高的優(yōu)點。

另外，在作為在支承基板上裝載半導體裝置的結構的情況下，通過在大型的支承基板上裝載多個半導體裝置，能夠利用同一工序制造多個半導體封裝件。在這種情況下，在支承基板上形成的多個半導體封裝件在制造工序結束之后被單片化，而完成各個半導體封裝件。像這樣在支承基板上裝載半導體裝置的半導體封裝件的結構還具有高生產率的優(yōu)點。

(現(xiàn)有技術文獻)

(專利文獻)

專利文獻：日本特開2010-278334號公報

技術實現(xiàn)要素：

(技術問題)

然而，利用以往所使用的激光劃片(dicing)裝置的單片化存在加工尺寸的限制，不適合于小型的半導體封裝件的加工。另一方面，使用以往所使用的刀片劃片裝置的單片化是沿著切削線同時裁切絕緣樹脂部及金屬支承板，但是加工速度顯著緩慢，在質量方面也存在會在切斷面上產生金屬毛刺的問題。

鑒于上述問題，本發(fā)明的一個實施方式的一個目的在于，提供一種能夠提高生產率并制造高質量的半導體封裝件的半導體封裝件的制造方法。

根據(jù)本發(fā)明的一個實施方式，提供一種半導體封裝件的制造方法，包括如下步驟：在支承基板的第一面一側隔開間隔地配置多個半導體裝置；形成與所述多個半導體裝置的各個相連接的布線，并形成將所述多個半導體裝置埋設的第一絕緣樹脂層；以及在所述多個半導體裝置之間的區(qū)域中，從所述第一面一側實施切削加工，形成貫通所述第一絕緣樹脂層并使所述支承基板露出的第一槽部，以及在與所述第一面相反一側的第二面上形成在與所述第一槽部相對應的位置具有開口部的阻擋劑圖案，從所述第二面一側對所述開口部實施蝕刻加工，而在所述第二面一側形成第二槽部，由此針對各個所述半導體封裝件進行單片化。

根據(jù)本發(fā)明的一個實施方式，提供一種半導體封裝件的制造方法，包括如下步驟：在支承基板的第一面一側隔開間隔地配置的多個半導體裝置之間的區(qū)域中，在與所述第一面相反一側的第二面上形成有底的槽部；在所述支承基板的第一面一側隔開間隔地配置多個半導體裝置；形成與所述多個半導體裝置的各個相連接的布線，并形成將所述多個半導體裝置掩埋的絕緣樹脂層；以及從所述第一面一側沿著邊界，利用基于機械處理的切削，來進行單片化。

根據(jù)本發(fā)明的一個實施方式，能夠提供一種生產率提高，可制造高質量的半導體封裝件的半導體封裝件的制造方法。

附圖說明

圖1為用于說明本發(fā)明的一個實施方式的半導體封裝件的結構的剖視圖。

圖2a為用于說明本發(fā)明的一個實施方式的半導體封裝件的制造方法的剖視圖。

圖2b為用于說明本發(fā)明的一個實施方式的半導體封裝件的制造方法的剖視圖。

圖2c為用于說明本發(fā)明的一個實施方式的半導體封裝件的制造方法的剖視圖。

圖2d為用于說明本發(fā)明的一個實施方式的半導體封裝件的制造方法的剖視圖。

圖2e為用于說明本發(fā)明的一個實施方式的半導體封裝件的制造方法的剖視圖。

圖2f為用于說明本發(fā)明的一個實施方式的半導體封裝件的制造方法的剖視圖。

圖2g為用于說明本發(fā)明的一個實施方式的半導體封裝件的制造方法的剖視圖。

圖2h為用于說明本發(fā)明的一個實施方式的變形例的半導體封裝件的制造方法的剖視圖。

圖3a為用于說明本發(fā)明的一個實施方式的半導體封裝件的制造方法的剖視圖。

圖3b為用于說明本發(fā)明的一個實施方式的半導體封裝件的制造方法的剖視圖。

圖3c為用于說明本發(fā)明的一個實施方式的半導體封裝件的制造方法的剖視圖。

圖3d為用于說明本發(fā)明的一個實施方式的半導體封裝件的制造方法的剖視圖。

圖4a為用于說明本發(fā)明的一個實施方式的半導體封裝件的制造方法的剖視圖。

圖4b為用于說明本發(fā)明的一個實施方式的半導體封裝件的制造方法的剖視圖。

圖4c為用于說明本發(fā)明的一個實施方式的半導體封裝件的制造方法的剖視圖。

圖4d為用于說明本發(fā)明的一個實施方式的半導體封裝件的制造方法的剖視圖。

圖4e為用于說明本發(fā)明的一個實施方式的半導體封裝件的制造方法的剖視圖。

圖4f為用于說明本發(fā)明的一個實施方式的變形例的半導體封裝件的制造方法的剖視圖。

(附圖標記的說明)

100、200、300：半導體封裝件；102：支承基板；102a：第一面；102b：第二面；

102c：第一槽部；102d：第二槽部；104：半導體裝置；106：布線；

108：第一絕緣樹脂層；110：第二絕緣樹脂層；112：焊料球；114：保護膜；

116：阻擋劑圖案；118：劃片帶；120：劃片夾具；120c：吸附孔

具體實施方式

以下，參照附圖等，對本發(fā)明的實施方式進行說明。但是，本發(fā)明能夠以多種不同的實施方式來實施，而不應局限于以下所示的實施方式的記載內容來解釋。另外，為了更加明確地說明，附圖與實際的實施方式相比，存在示意性地示出各部分的寬度、厚度、形狀等的情況，歸根究底附圖只是一個示例，不用于限定本發(fā)明的解釋。另外，在本說明書以及各附圖中，存在對于各附圖與前述的附圖相同的要素標注相同的附圖標記，并適當省略詳細的說明的情況。

在本說明書中，在某個部件或區(qū)域處于其他部件或區(qū)域的“之上(或之下)”的情況下，除非另有限定，則不僅包括其他部件或區(qū)域的正上方(或正下方)的情況，還可以包括位于其他部件或區(qū)域的上方(或下方)的情況，即，還可以包括在其他部件或區(qū)域的上方(或下方)且在其間包含其他結構要素的情況。

<第一實施方式>

[半導體封裝件100的結構]

參照附圖，對本實施方式的半導體封裝件100的結構進行說明。

圖1為用于說明本發(fā)明的實施方式的半導體封裝件100的結構的剖視圖。本實施方式的半導體封裝件100包括支承基板102、半導體裝置104、布線106、第一絕緣樹脂層108、第二絕緣樹脂層110及多個焊料球112。

優(yōu)選地，支承基板102的厚度為200μm以上且500μm以下。在本實施方式中，作為支承基板102的厚度假設為300μm。

在本實施方式中，支承基板102的第二面102b的端部配置為比第一面102a的端部更靠內側。

作為支承基板102，可以使用金屬基板。作為金屬基板的材料，可以使用不銹鋼(sus)基板、銅(cu)基板、鋁(al)基板、鈦(ti)基板等金屬材料。

另外，作為支承基板102，除了金屬基板之外，可以使用硅基板、碳化硅基板、化合物半導體基板等的半導體基板，或者可以使用玻璃基板、石英基板、藍寶石基板、樹脂基板等絕緣基板。

半導體裝置104配置于支承基板102的第一面102a一側。半導體裝置104經(jīng)由粘結劑(未圖示)固定在第一面102a一側。作為粘結劑，可以使用例如環(huán)氧類樹脂、聚酰亞胺類樹脂等。在半導體裝置104的上部設置有連接到半導體裝置104所包括的電子電路的外部端子(未圖示)。另外，在本實施方式中，示出了半導體封裝件100包括一個半導體裝置104的實施方式，但不限于此，只要包括至少一個半導體裝置104即可。

作為半導體裝置104，可以使用例如中央處理器(centralprocessingunit，cpu)、存儲器及微機電系統(tǒng)(microelectromechanicalsystems，mems)等。

第一絕緣樹脂層108以掩埋半導體裝置104的方式配置于支承基板102上。在第一絕緣樹脂層108中設置有到達半導體裝置104所具有的外部端子的開口部。

作為第一絕緣樹脂層108的材料，可以使用有機樹脂。作為有機樹脂，例如可以使用聚酰亞胺、環(huán)氧樹脂、聚酰亞胺樹脂、苯并環(huán)丁烯樹脂、聚酰胺、酚樹脂、硅樹脂、氟樹脂、液晶聚合物、聚酰胺酰亞胺、聚苯并噁唑、氰酸酯樹脂、芳族聚酰胺、聚烯烴、聚酯、bt樹脂、fr-4、fr-5、聚縮醛、聚對苯二甲酸丁二酯、間規(guī)聚苯乙烯(syndiotacticpolystyrene)、聚苯硫醚、聚醚醚酮、聚醚腈、聚碳酸酯、聚苯醚聚砜、聚醚砜、聚芳酯及聚醚酰亞胺等。

布線106經(jīng)由設置于所述第一絕緣樹脂層108的開口部而連接于在半導體裝置104的上部設置的外部連接端子。布線106借助于第一絕緣樹脂層108而從支承基板102電隔離或物理隔離。

作為布線106的材料，可以從銅(cu)、金(au)、銀(ag)、鉑(pt)、銠(rh)、錫(sn)、鋁(al)、鎳(ni)、鈀(pd)、鉻(cr)等金屬或使用這些金屬的合金等中選擇。另外，布線106可以是包括多種材料的壓層結構，可以從上述材料中選擇各個層的材料。

第二絕緣樹脂層110配置為覆蓋第一絕緣樹脂層108。另外，在第二絕緣樹脂層110中設置有多個開口部110a。多個開口部110a各自到達布線106。換言之，多個開口部110a設置為將布線106露出。由于第二絕緣樹脂層110只需能夠防止布線106與焊料球112之間的導通即可，因此只要充分地確保布線106與焊料球112之間的間隙即可。

作為第二絕緣樹脂層110的材料，可以使用與所述第一絕緣樹脂層108的材料相同的材料。

焊料球112配置于第二絕緣樹脂層110的開口部110a的內部及上部面，并連接到布線106。焊料球112的上部面從第二絕緣樹脂層110的上部面向上方突出。焊料球112的突出部在上部具有呈凸形的彎曲形狀。

此外，在以下的說明中，存在將第一絕緣樹脂層108及第二絕緣樹脂層110并稱為絕緣樹脂層的情況。

作為焊料球112的材料，例如可以使用由在sn中添加少量的ag、cu、ni、鉍(bi)或鋅(zn)而成的錫合金所形成的球狀物體。另外，除了焊料球112以外，也可以使用通常的導電顆粒。作為導電顆粒，例如可以使用在顆粒狀的樹脂周邊形成導電膜而成的導電顆粒。

[半導體封裝件100的制造方法]

參照附圖，對本實施方式的半導體封裝件100的制造方法進行說明。

圖2a至圖2g為用于說明本實施方式的半導體封裝件100的制造方法的剖視圖。

圖2a為在半導體封裝件100的制造方法中，進行到直至形成第二絕緣樹脂層110的狀態(tài)的剖視圖。

對至此的制造工序進行簡單的說明。在支承基板102的第一面102a一側隔開間隔地配置多個半導體裝置104。半導體裝置104配置為借助于粘結劑(未圖示)而固定于支承基板102的第一面102a一側。作為粘結劑，可以使用前述材料。

接下來，在支承基板102的第一面102a一側形成與所述多個半導體裝置104的各個相連接的布線，并形成將所述多個半導體裝置掩埋的第一絕緣樹脂層108。

接下來，對從圖2a的狀態(tài)開始對各個半導體封裝件100進行單片化的工序進行詳細的說明。對各個半導體封裝件100進行單片化的工序包括下述的工序a及工序b。

工序a：在多個半導體裝置之間的區(qū)域中，從第一面實施切削加工，形成第一槽部102c。再此，第一槽部102c貫通絕緣樹脂層，使支承基板102露出。

工序b：在與第一面相反一側的第二面上形成在與第一槽部102c相對應的位置處具有開口部的阻擋劑圖案，從第二面的一側向所述開口部實施蝕刻加工，在第二面一側形成第二槽部102d。

作為切削加工，可以采用例如利用劃片機的切削加工。關于利用劃片機的切削加工，可使作為鉆石制圓形刀片的劃片刀高速旋轉，在利用純凈水進行冷卻/切屑沖洗的同時進行切削。作為其他方法，也可以采用利用模具的沖壓加工。不論是哪一種，都優(yōu)選在工序a中進行機械加工。由此，可以將作為不同的部件的絕緣樹脂層和支承基板102一并進行切削加工。

作為蝕刻加工，可以實施使用了能夠蝕刻支承基板的部件的藥液的濕法蝕刻處理，或使用了蝕刻氣體的干法蝕刻處理。從蝕刻速度的角度來看，優(yōu)選濕法蝕刻。通過利用蝕刻加工，能夠將支承基板的一面一并處理。

如上所述，根據(jù)本實施方式，當將由不同的部件構成的半導體封裝件進行單片化時，可以將機械加工和化學加工組合來進行單片化，從而提高生產率，降低制造成本。即，通過機械加工來對絕緣樹脂層及支承基板的一部分進行切削加工，能夠降低在進行化學加工時的切削量。進一步通過化學加工，來蝕刻支承基板的一部分，能夠降低在進行機械加工時施加于裝置的負荷。

通過將這兩個工序組合，來對各個半導體封裝件100進行單片化。工序a及工序b可采用任意順序。在本實施方式中，對進行工序b之后進行工序a的實施方式進行說明。

首先，在進行所述工序b之前，可以從圖2a的狀態(tài)出發(fā)，在支承基板102的第一面102a一側粘貼保護膜114(圖2b)。由此，能夠在工序b的處理期間，保護形成于支承基板102上的布線106。

保護膜114只要是對在后述的工序b所包括的蝕刻處理中所使用的藥品具有耐受性的材料即可。作為這種材料，可以使用例如亞克力類干膜阻擋劑等。

接下來，進行所述工序b。即，在與第一面相反一側的第二面上形成在多個半導體裝置之間的區(qū)域具有開口部的阻擋劑圖案，從第二面一側對所述開口部實施蝕刻加工，在第二面一側形成第二槽部102d。

在本實施方式中，在支承基板102的第二面102b一側利用光刻法形成阻擋劑圖案116(圖2c)。

以該阻擋劑圖案116作為掩模，對支承基板102進行濕法蝕刻。在此，蝕刻并不是進行至到達支承基板102的第一面102a，而是形成有底的第二槽部102d(圖2d)。作為第二槽部102d的深度，優(yōu)選為從支承基板102的第二面102b開始到支承基板102的厚度的2/3程度的深度。在本實施方式中，支承基板102的厚度為300μm，因此，優(yōu)選地，蝕刻200μm程度的厚度，而殘留距第一面102a為100μm程度的厚度的支承基板102。

若有底的第二槽部102d比此更深，則蝕刻時間過長，生產率惡化。另外，在操作性方面會產生問題。若有底的第二槽部102d比此更淺，則在之后的工序a中劃片刀的磨耗加速，制造成本增加。

在此，如圖2d所示，在蝕刻第二面的工序中，第二槽部102d擴展至比由阻擋劑圖案116露出的區(qū)域更廣闊區(qū)域中。這是由于在進行蝕刻的工序中隨著側蝕(sideetching)的進行而造成的。

在蝕刻支承基板102的第二面102b一側的工序之后，去除保護膜114及阻擋劑圖案116(圖2e)。

接下來，對第二絕緣樹脂層110的開口部110a配置焊料球112。此外，在本實施方式中，示出了對一個開口部110a配置一個焊料球112的示例，但不限于此，也可以對一個開口部110a配置多個焊料球112。

接下來，進行上述工序a。即，在多個半導體裝置之間的區(qū)域中，從第一面一側進行切削加工，形成貫通絕緣樹脂層并使支承基板露出的第一槽部102c。

在本實施方式中，在通過濕法蝕刻切削支承基板102的第二面102b的工序(工序b)之后，且在所述工序a之前，在支承基板102的第二面102b一側設置支承部件。在本實施方式中，作為支承部件，使用劃片帶118并粘貼在第二面102b一側(圖2f)。

借助于所述工序b，在支承基板102上形成有底的第二槽部102d，因此在圖2e的狀態(tài)下機械強度下降。于是，如本實施方式所示，通過設置支承部件，在切削處理期間穩(wěn)定地固定支承基板102。

在這種狀態(tài)下，利用劃片機同時切削絕緣樹脂層及支承基板102的一部分。在此，使劃片刀高速旋轉，在利用純凈水進行冷卻/切屑沖洗的同時進行切削。由此，針對各個半導體封裝件100進行單片化(圖2g)。通過以上工序，能夠獲得如圖1所示的半導體封裝件100。

以上，對本實施方式的半導體封裝件100的制造方法進行了說明。根據(jù)本實施方式的半導體封裝件100的制造方法，不使用以往所使用的基于激光劃片的加工，而是通過將基于濕法蝕刻的處理和基于劃片機的處理組合，來進行單片化。由此，尤其在小型的半導體封裝件的制造中，有望獲得提高加工速度、并降低成本的效果。另外，尤其在支承基板102為金屬基板的情況下，能夠抑制作為現(xiàn)有問題的切削面的金屬毛刺的發(fā)生，可提供高質量的半導體封裝件。

在此，若考慮例如僅利用濕法蝕刻來進行單片化的情況，則需要與絕緣樹脂層及支承基板102各自對應的蝕刻處理。由此，需要將支承基板102一并進行蝕刻加工，因此存在處理速度下降的擔憂。尤其是，由于需要用于各個蝕刻處理的藥液，因此制造成本增加。

另一方面，在例如通過使用劃片機將絕緣樹脂層及支承基板102一并裁切從而進行單片化的情況下，由于作為現(xiàn)有問題的金屬毛刺等的發(fā)生，因此存在半導體封裝件的成品率下降的擔憂。尤其由于將支承基板一并裁切的處理，劃片刀的磨耗加速，因此制造成本增加。

根據(jù)本實施方式，通過將利用濕法蝕刻的處理和利用劃片機的處理組合來進行單片化，因此，不會產生上述的問題，能夠降低制造成本，并能夠提高加工速度。

<變形例1>

如圖2h所示，作為本實施方式的半導體封裝件100的制造方法的變形例，代替在圖2f中示出的劃片帶118地，可以使用劃片夾具120。在劃片夾具中，在與要被單片化的半導體封裝件100各個相對應的位置，設置有吸附孔120c。也可以經(jīng)由該吸附孔120c通過抽真空來固定支承基板102，而進行工序(a)。

<第二實施方式>

[半導體封裝件200的制造方法]

參照附圖，對本實施方式的半導體封裝件200的制造方法進行說明。此外，本實施方式的半導體封裝件200的結構與第一實施方式的半導體封裝件100的結構相同，因此省略其說明。

圖3a至圖3d為用于說明本實施方式的半導體封裝件200的制造方法的剖視圖。

本實施方式的半導體封裝件200的制造方法與第一實施方式的半導體封裝件100的制造方法相比，其不同點僅在于單片化的工序中所述工序a和工序b的順序。即，在本實施方式中，在進行工序a之后，進行工序b。

圖3a為在半導體封裝件200的制造方法中，進行了直至焊料球112的形成為止的狀態(tài)的剖視圖。在到此為止的工序中，針對圖2a的狀態(tài)，根據(jù)所述工序在第二絕緣樹脂層110上形成焊料球112即可。

接下來，進行上述工序a。即，在多個半導體裝置之間的區(qū)域中，從第一面一側進行切削加工，形成貫通絕緣樹脂層并使支承基板露出的第一槽部102c。在此，同時切削絕緣樹脂層及支承基板102的一部分。

在此，切削并不是進行直到支承基板102的第二面102b，而是形成有底的第一槽部102c。作為第一槽部102c的深度，優(yōu)選為從支承基板102的第一面102a至支承基板102的厚度的1/3程度的深度。在本實施方式中，支承基板102的厚度為300μm，因此，優(yōu)選地，切削100μm程度的厚度，而殘留距第二面102b為200μm程度的厚度的支承基板102。

若有底的第一槽部102c比此更淺，則在之后的工序b中蝕刻時間延長，生產率惡化。另外，在操作性方面會產生問題。若有底的第一槽部102c比此更深，則劃片刀的磨耗加速，制造成本增加。

接下來，可進行上述工序b，但是在此之前也可以在支承基板102的第一面102a一側粘貼保護膜114(圖3b)。由此，能夠在進行工序b的期間，保護形成于支承基板102上的布線106。

接下來，進行上述工序b。即，在與第一面相反一側的第二面上形成在與第一槽部102c相對應的位置具有開口部的阻擋劑圖案，并從第二面一側對開口部實施蝕刻加工，在第二面一側形成第二槽部102d。

在本實施方式中，與第一實施方式同樣地，也在支承基板102的第二面102b一側利用光刻法形成阻擋劑圖案116(圖3c)。

將所述阻擋劑圖案116作為掩模，對支承基板102進行蝕刻。在此，到達支承基板102的第一面102a的一側的、通過工序a形成的第一槽部102c為止進行蝕刻，由此針對各個半導體封裝件200進行單片化(圖3d)。通過以上工序，能夠獲得具有與在圖1中示出的半導體封裝件100同樣結構的半導體封裝件200。

以上，對本實施方式的半導體封裝件200的制造方法進行了說明。根據(jù)本實施方式的半導體封裝件200的制造方法，不是使用以往所使用的基于激光劃片的加工，而是將使用濕法蝕刻的處理和使用劃片機的處理結合來進行單片化。由此，尤其在小型的半導體封裝件的制造中，有望獲得提高加工速度、降低成本的效果。另外，尤其在支承基板102為金屬基板的情況下，能夠抑制作為現(xiàn)有問題的切削面的金屬毛刺的產生，可提供高質量的半導體封裝件。

在此，若考慮例如僅利用濕法蝕刻來進行單片化的情況，則需要與絕緣樹脂層及支承基板102各個對應的蝕刻處理。由此，需要將支承基板102一并蝕刻，因此存在處理速度下降的擔憂。尤其是，需要用于各個蝕刻處理的藥液，因此制造成本增加。

另一方面，在例如通過使用劃片機將絕緣樹脂層和支承基板102一并裁切而進行單片化的情況下，由于作為現(xiàn)有問題的金屬毛刺等的產生，存在半導體封裝件的成品率下降的擔憂。尤其是，由于將支承基板一并裁切的處理，劃片刀的磨耗加速，因此制造成本增加。

根據(jù)本實施方式，將使用濕法蝕刻的處理和使用劃片機的處理組合來進行單片化，因此不會產生上述的問題，能夠降低制造成本，并提高加工速度。

<第三實施方式>

[半導體封裝件300的制造方法]

參照附圖，對本實施方式的半導體封裝件300的制造方法進行說明。此外，本實施方式的半導體封裝件300的結構與第一實施方式的半導體封裝件100相同，因此省略其說明。

圖4a至圖4e為用于說明本實施方式的半導體封裝件300的制造方法的剖視圖。

在本實施方式中，首先，在隔開間隔而配置于支承基板的第一面一側的多個半導體裝置之間的區(qū)域中，在與第一面相反一側的第二面上形成有底的第二槽部。

在本實施方式中，在支承基板102的第二面102b一側，利用光刻法形成阻擋劑圖案116，并將所述阻擋劑圖案116作為掩模對支承基板102進行濕法蝕刻。在此，蝕刻并不是進行直到支承基板102的第一面102a，而是形成有底的第二槽部102d(圖4a)。作為第二槽部102d的深度，優(yōu)選為從支承基板102的第二面102b至支承基板102的厚度的2/3程度的深度。在本實施方式中，支承基板102的厚度為300μm，因此優(yōu)選地，蝕刻200μm程度的厚度，而殘留距第一面102a為100μm程度的厚度的支承基板102。

若有底的第二槽部102d比此更深，則蝕刻時間延長，生產率惡化。另外，在操作性方面會產生問題。若有底的第二槽部102d比此更淺，則在之后的工序a中，劃片刀的磨耗加速，制造成本增加。

在此，當形成第二槽部102d時，不限于蝕刻處理，也可以利用劃片刀來進行切削。

在蝕刻支承基板102的第二面102b一側的工序之后，去除阻擋劑圖案116(圖4b)。

接下來，進行如下的工序：從圖4b的狀態(tài)開始，直至在支承基板102的第二面102b一側形成半導體裝置104、布線106、絕緣樹脂層及焊料球112(圖4c)。這些工序使用前述的工序即可。

接下來，進行上述工序a。即，從第一面一側進行切削加工，形成貫通絕緣樹脂層，使支承基板露出的第一槽部102c。

在本實施方式中，在蝕刻支承基板102的第二面102b的工序(工序b)之后，且在上述工序a之前，在支承基板102的第二面102b一側設置支承部件。在本實施方式中，作為支承部件，使用劃片帶118并粘貼在第二面102b一側(圖4d)。

根據(jù)前述工序，在支承基板102上形成有有底的第二槽部102d，因此在圖4c的狀態(tài)下機械強度下降。于是，如本實施方式，通過設置支承部件，能夠在切削處理期間穩(wěn)定地固定支承基板102。

在這種狀態(tài)下，利用劃片刀同時切削絕緣樹脂層及支承基板102的殘留部。在此，通過如下的工序來進行：使劃片刀高速旋轉，在利用純凈水進行冷卻/切屑沖洗的同時進行裁切。由此，針對各個半導體封裝件300進行單片化(圖4e)。根據(jù)以上工序，能夠獲得具有與在圖1中示出的半導體封裝件100同樣結構的半導體封裝件300。

以上，對本實施方式的半導體封裝件300的制造方法進行了說明。根據(jù)本實施方式的半導體封裝件300的制造方法，不是使用以往所使用的基于激光劃片的加工來進行單片化，而是將使用濕法蝕刻的處理和使用劃片機的處理組合來進行單片化。由此，尤其在小型的半導體封裝件的制造中，有望獲得加工速度提高、成本下降的效果。另外，尤其在支承基板102為金屬基板的情況下，能夠抑制作為現(xiàn)有問題的切削面的金屬毛刺的產生，可提供高質量的半導體封裝件。

在此，若考慮例如僅利用濕法蝕刻來進行單片化的情況，則需要與絕緣樹脂層及支承基板102各個相對應的蝕刻處理。由此，需要將支承基板102一并蝕刻的處理，因此存在處理速度下降的擔憂。此外，需要用于各個蝕刻處理的藥液，因此制造成本增加。

另一方面，在例如通過使用劃片機來將絕緣樹脂層及支承基板102一并裁切從而進行單片化的情況下，由于作為現(xiàn)有問題的金屬毛刺等的發(fā)生，因此存在半導體封裝件的成品率下降的擔憂。尤其是，由于將支承基板一并裁切的處理，劃片刀的磨耗加速，因此制造成本增加。

根據(jù)本實施方式，通過將使用濕法蝕刻的處理和使用劃片機的處理組合來進行單片化，因此不會產生所述多種問題，能夠降低制造成本，并提高加工速度。

<變形例2>

如圖4f所示，作為本實施方式的半導體封裝件300的制造方法的變形例，代替在圖4d中示出的劃片帶118地，也可以使用劃片夾具120。在劃片夾具中，在與要被單片化的半導體封裝件300的各個相對應的位置設置有吸附孔120c。也可以通過所述吸附孔120c抽真空來固定支承基板102，來進行工序a。

以上，對根據(jù)本發(fā)明的優(yōu)選實施方式的半導體封裝件及半導體封裝件的制造方法進行了說明。但是，這些只是示例，本發(fā)明的技術范圍不限于此。實際上，只要是本發(fā)明所屬領域的普通技術人員，就能夠在本發(fā)明的權利要求的范圍中不脫離本發(fā)明的要旨，進行多種變更。由此，應理解為這些變更也應該屬于本發(fā)明的技術范圍內。