本發(fā)明涉及半導(dǎo)體封裝件及半導(dǎo)體封裝件的制造方法。尤其涉及四方扁平無(wú)引線封裝(qfn)型的半導(dǎo)體封裝件(quadflatnon-leadpackage)及半導(dǎo)體封裝件的制造方法。
背景技術(shù):
以往,在移動(dòng)電話或智能電話等的電子設(shè)備中,已知在引線框架上搭載ic(集成電路)芯片等的半導(dǎo)體裝置的半導(dǎo)體封裝件。通常,這種半導(dǎo)體封裝件采用的結(jié)構(gòu)如下:在引線框架上經(jīng)由粘接層接合ic芯片等的半導(dǎo)體裝置,并利用密封體(密封用樹(shù)脂材料)覆蓋該半導(dǎo)體裝置,來(lái)保護(hù)半導(dǎo)體裝置。
近年來(lái),已開(kāi)發(fā)了在半導(dǎo)體封裝件的四邊及下部面上設(shè)置有連接端子的qfn型的半導(dǎo)體封裝件(例如專利文獻(xiàn)1)。
(現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn))
(專利文獻(xiàn))
專利文獻(xiàn)1:日本特開(kāi)2001-189410號(hào)公報(bào)
技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素:
(技術(shù)問(wèn)題)
關(guān)于以往的qfn型的半導(dǎo)體封裝件,對(duì)連接端子的下部面實(shí)施了鍍敷。另一方面,連接端子的側(cè)面則未實(shí)施鍍敷,而是露出了銅(cu)。由此,當(dāng)利用焊料將半導(dǎo)體封裝件搭載至印刷電路板等時(shí),連接端子的側(cè)面與下部面相比焊料潤(rùn)濕性低。因此,在以往的半導(dǎo)體封裝件中難以形成良好的填角(fillet,焊料填角)。
鑒于這種問(wèn)題,本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的目的在于提供一種連接端子的側(cè)面的焊料潤(rùn)濕性得到改善的半導(dǎo)體封裝件及其制造方法。
根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式,提供一種半導(dǎo)體封裝件,其特征在于包括:管芯焊盤(pán)(diepad);多個(gè)外部連接端子,配置于所述管芯焊盤(pán)的周邊;半導(dǎo)體芯片,配置于所述管芯焊盤(pán)的上部面,并與所述多個(gè)外部連接端子電連接;以及密封部件,用于掩埋所述管芯焊盤(pán)、所述多個(gè)外部連接端子及所述半導(dǎo)體芯片,并使所述多個(gè)外部連接端子各個(gè)的外側(cè)端部露出,所述多個(gè)外部連接端子的各個(gè)在所述外側(cè)端部的側(cè)面包括第一區(qū)域,在所述第一區(qū)域中施有鍍層。
根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式,提供一種半導(dǎo)體封裝件的制造方法,包括如下步驟:準(zhǔn)備引線框架,所述引線框架的特征在于,具備要單片化為多個(gè)半導(dǎo)體封裝件的多個(gè)區(qū)域,所述多個(gè)區(qū)域各個(gè)包括管芯焊盤(pán)、配置于所述管芯焊盤(pán)的周邊的多個(gè)外部連接端子、連接于所述管芯焊盤(pán)并連接所述多個(gè)外部連接端子的外側(cè)端部第一連結(jié)部、以及連接所述多個(gè)外部連接端子的內(nèi)側(cè)端部的第二連結(jié)部,所述第二連結(jié)部從上部面被減薄;在所述引線框架的上部面的所述管芯焊盤(pán)上配置與所述多個(gè)外部端子電連接的半導(dǎo)體芯片;形成用于掩埋所述管芯焊盤(pán)、所述多個(gè)外部連接端子及所述半導(dǎo)體芯片,并使所述多個(gè)外部連接端子各個(gè)的外側(cè)端部露出的密封部件;利用模具加工,形成用于將所述多個(gè)外部連接端子及所述第一連結(jié)部的連結(jié)部去除的第一開(kāi)口部;利用向所述引線框架供給電流的電解鍍敷處理,在露出了所述引線框架的區(qū)域中形成鍍層;形成從所述引線框架的下部面將所述多個(gè)外部連接端子及所述第二連結(jié)部分離的槽部;以及利用模具加工,單片化為所述多個(gè)半導(dǎo)體封裝件。
根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式,提供一種半導(dǎo)體封裝件的制造方法,包括如下步驟:準(zhǔn)備引線框架,所述引線框架的特征在于,具備要單片化為多個(gè)半導(dǎo)體封裝件的多個(gè)區(qū)域,所述多個(gè)區(qū)域的各個(gè)包括管芯焊盤(pán)、配置于所述管芯焊盤(pán)的周邊的多個(gè)外部連接端子、以及連接于所述管芯焊盤(pán)并連接所述多個(gè)外部連接端子的外側(cè)端部的第一連結(jié)部,所述第一連結(jié)部具有沿著所述多個(gè)外部連接端子的外側(cè)端部配置的第一開(kāi)口部;在所述引線框架的上部面的所述管芯焊盤(pán)之上配置與所述多個(gè)外部端子電連接的半導(dǎo)體芯片;形成用于掩埋所述管芯焊盤(pán)、所述多個(gè)外部連接端子及所述半導(dǎo)體芯片,并使所述多個(gè)外部連接端子各個(gè)的外側(cè)端部露出的密封部件;利用向所述引線框架供給電流的電解鍍敷處理,在露出了所述多個(gè)外部連接端子的區(qū)域中形成鍍層;以及利用模具加工,單片化為所述多個(gè)半導(dǎo)體封裝件,同時(shí)形成在側(cè)面上具有所述第一開(kāi)口部的側(cè)壁的一部分的所述多個(gè)外部連接端子的各個(gè)。
根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式,提供一種半導(dǎo)體封裝件的制造方法,包括如下步驟:準(zhǔn)備引線框架,所述引線框架的特征在于,具備由劃片劃分且要單片化為多個(gè)半導(dǎo)體封裝件的多個(gè)區(qū)域,所述多個(gè)區(qū)域各個(gè)包括管芯焊盤(pán)、配置于所述管芯焊盤(pán)的周邊的多個(gè)外部連接端子、以及連接于所述管芯焊盤(pán)相連接并連接所述多個(gè)外部連接端子的外側(cè)端部的第一連結(jié)部;在所述引線框架的上部面的所述管芯焊盤(pán)之上配置與所述多個(gè)外部端子電連接的半導(dǎo)體芯片;形成用于掩埋所述管芯焊盤(pán)、所述多個(gè)外部連接端子及所述半導(dǎo)體芯片,并使所述多個(gè)外部連接端子各個(gè)的外側(cè)端部露出的密封部件;利用切削加工,將所述多個(gè)外部連接端子各個(gè)的外側(cè)端部的下部面的至少一部分減??;利用向所述引線框架供給電流的電解鍍敷處理,在露出了所述多個(gè)外部連接端子的區(qū)域中形成鍍層;以及利用切削加工,單片化為所述多個(gè)半導(dǎo)體封裝件。
根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式,能夠提供一種外部連接端子的側(cè)面的焊料潤(rùn)濕性得到改善的半導(dǎo)體封裝件及其制造方法。
附圖說(shuō)明
圖1為用于說(shuō)明本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的半導(dǎo)體封裝件的結(jié)構(gòu)的立體圖。
圖2為用于說(shuō)明本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的半導(dǎo)體封裝件的結(jié)構(gòu)的俯視圖及側(cè)視圖。
圖3為用于說(shuō)明本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的半導(dǎo)體封裝件的結(jié)構(gòu)的俯視圖及剖視圖。
圖4為用于說(shuō)明本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的半導(dǎo)體封裝件的結(jié)構(gòu)的下部面及截面的放大圖。
圖5a為用于說(shuō)明本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的半導(dǎo)體封裝件的制造方法的俯視圖及剖視圖。
圖5b為用于說(shuō)明本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的半導(dǎo)體封裝件的制造方法的俯視圖及剖視圖。
圖5c為用于說(shuō)明本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的半導(dǎo)體封裝件的制造方法的俯視圖及剖視圖。
圖5d為用于說(shuō)明本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的半導(dǎo)體封裝件的制造方法的俯視圖及剖視圖。
圖5e為用于說(shuō)明本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的半導(dǎo)體封裝件的制造方法的仰視圖及截面的放大圖。
圖5f為用于說(shuō)明本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的半導(dǎo)體封裝件的制造方法的俯視圖及剖視圖。
圖5g為用于說(shuō)明本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的半導(dǎo)體封裝件的制造方法的仰視圖及截面的放大圖。
圖5h為用于說(shuō)明本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的半導(dǎo)體封裝件的制造方法的俯視圖及剖視圖。
圖5i為用于說(shuō)明本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的半導(dǎo)體封裝件的制造方法的仰視圖及截面的放大圖。
圖6為用于說(shuō)明本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的半導(dǎo)體封裝件的結(jié)構(gòu)的俯視圖及側(cè)視圖。
圖7為用于說(shuō)明本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的半導(dǎo)體封裝件的結(jié)構(gòu)的俯視圖及剖視圖。
圖8為用于說(shuō)明本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的半導(dǎo)體封裝件的結(jié)構(gòu)的下部面及剖視圖。
圖9a為用于說(shuō)明本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的半導(dǎo)體封裝件的制造方法的俯視圖及剖視圖。
圖9b為用于說(shuō)明本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的半導(dǎo)體封裝件的制造方法的俯視圖及剖視圖。
圖9c為用于說(shuō)明本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的半導(dǎo)體封裝件的制造方法的俯視圖及剖視圖。
圖9d為用于說(shuō)明本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的半導(dǎo)體封裝件的制造方法的俯視圖及剖視圖。
圖9e為用于說(shuō)明本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的半導(dǎo)體封裝件的制造方法的仰視圖及截面的放大圖。
圖10為用于說(shuō)明本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的半導(dǎo)體封裝件的結(jié)構(gòu)的俯視圖及剖視圖。
圖11為用于說(shuō)明本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的半導(dǎo)體封裝件的結(jié)構(gòu)的下部面及剖視圖。
圖12a為用于說(shuō)明本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的半導(dǎo)體封裝件的制造方法的俯視圖及剖視圖。
圖12b為用于說(shuō)明本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的半導(dǎo)體封裝件的制造方法的俯視圖及剖視圖。
圖12c為用于說(shuō)明本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的半導(dǎo)體封裝件的制造方法的俯視圖及剖視圖。
圖12d為用于說(shuō)明本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的半導(dǎo)體封裝件的制造方法的俯視圖及剖視圖。
圖12e為用于說(shuō)明本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的半導(dǎo)體封裝件的制造方法的俯視圖及剖視圖。
圖13為用于說(shuō)明本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的半導(dǎo)體封裝件的結(jié)構(gòu)的放大立體圖。
圖14為用于說(shuō)明本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的半導(dǎo)體封裝件的結(jié)構(gòu)的放大立體圖。
圖15為用于說(shuō)明本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的半導(dǎo)體封裝件的結(jié)構(gòu)的放大立體圖。
(附圖標(biāo)記說(shuō)明)
100、200、300:半導(dǎo)體封裝件;100a:槽部;100b:第一開(kāi)口部;
102、202、302:引線框架;102a:上部面;102b:下部面;102c:側(cè)面;
104:管芯焊盤(pán);104a:上部面;104b:下部面;104c:側(cè)面;106:第一連結(jié)部;
108:第二連結(jié)部;110:第三連結(jié)部;114:外部連接端子;114a:上部面;
114b:下部面;114c:側(cè)面;114d:內(nèi)側(cè)端部;114e:外側(cè)端部;114f:第一區(qū)域;
114g:凸部;114h:頂部;114i:錐形部;116:半導(dǎo)體芯片;118:引線;
120:密封部件;120a:模制線;122:鍍層;
具體實(shí)施方式
以下,參照附圖等對(duì)本發(fā)明的實(shí)施方式進(jìn)行說(shuō)明。但是,本發(fā)明能夠以多種不同的實(shí)施方式來(lái)實(shí)施,不應(yīng)解釋為局限于以下示例的實(shí)施方式的記載內(nèi)容。另外,為了更加明確地說(shuō)明,存在附圖與實(shí)際的實(shí)施方式相比,示意性地示出各部分的寬度、厚度、形狀等的情況,但這僅是一個(gè)示例,不用于限定本發(fā)明的解釋。另外,在本說(shuō)明書(shū)和各附圖中,對(duì)于各附圖與前述的附圖相同的要素標(biāo)注相同的附圖標(biāo)記,并存在適當(dāng)省略詳細(xì)的說(shuō)明的情況。
在本說(shuō)明書(shū)中,在某個(gè)部件或區(qū)域在其他部件或區(qū)域之“上(或下)”的情況下,除非另有限定,這些不僅包括其他部件或區(qū)域的正上方(或正下方)的情況,還可以包括其他部件或區(qū)域的上方(或下方)的情況,即,也可以包括在其他部件或區(qū)域的上方(或下方)且在其間包括其他結(jié)構(gòu)要素的情況。
<第一實(shí)施方式>
[半導(dǎo)體封裝件100的結(jié)構(gòu)]
參照附圖,對(duì)本實(shí)施方式的半導(dǎo)體封裝件100的結(jié)構(gòu)進(jìn)行詳細(xì)的說(shuō)明。
圖1為用于說(shuō)明本實(shí)施方式的半導(dǎo)體封裝件100的結(jié)構(gòu)的立體圖。圖13為用于說(shuō)明本實(shí)施方式的半導(dǎo)體封裝件100的結(jié)構(gòu)的放大立體圖。這些附圖示出了分別從半導(dǎo)體封裝件100的上部面及下部面?zhèn)扔^察的立體圖。在圖13中,將外部連接端子114附近放大示出。本實(shí)施方式的半導(dǎo)體封裝件100為qfn型的半導(dǎo)體封裝件。半導(dǎo)體封裝件100的下部面呈矩形,沿著其四邊配置有多個(gè)外部連接端子114,并且多個(gè)外部連接端子114的各個(gè)的側(cè)面114c及下部面114b露出。外部連接端子114所露出的側(cè)面114c及下部面114b實(shí)施了鍍層122。另外,在半導(dǎo)體封裝件100的下部面上,沿著四邊配置有四個(gè)槽部100a。四個(gè)槽部100a的各個(gè)與七個(gè)外部連接端子114相鄰地配置。
圖2為用于說(shuō)明本實(shí)施方式的半導(dǎo)體封裝件100的結(jié)構(gòu)的仰視圖及側(cè)視圖。圖3為用于說(shuō)明本實(shí)施方式的半導(dǎo)體封裝件100的結(jié)構(gòu)的俯視圖及剖視圖。圖4為用于說(shuō)明本實(shí)施方式的半導(dǎo)體封裝件100的結(jié)構(gòu)的下部面及截面的放大圖。在此,在圖3的俯視圖中,為了說(shuō)明密封了的半導(dǎo)體芯片116等,以將密封部件120的一部分切除的方式示出。
本實(shí)施方式的半導(dǎo)體封裝件100包括管芯焊盤(pán)(diepad)104、多個(gè)外部連接端子114、半導(dǎo)體芯片116、多個(gè)引線118以及密封部件120。
管芯焊盤(pán)104具有上部面、下部面及側(cè)面。上部面及下部面配置于實(shí)質(zhì)上相互平行的平面上。在本實(shí)施方式中,例如從圖3或圖4可知,管芯焊盤(pán)104的上部面及側(cè)面因密封部件120的緣故而從外部無(wú)法看到,而下部面是露出的。在露出的管芯焊盤(pán)104的下部面施有鍍層122。作為鍍層122的材料,稍后進(jìn)行詳細(xì)地說(shuō)明,但使用也可鍍敷在外部連接端子114的側(cè)面114c上的鍍層122即可。
作為管芯焊盤(pán)104的材料,優(yōu)選地使用具有優(yōu)異的機(jī)械強(qiáng)度、導(dǎo)電性、導(dǎo)熱性及耐腐蝕性等的金屬材料。作為管芯焊盤(pán)104的具體的材料,可以使用例如銅(cu)類材料。作為cu類材料,可以使用例如在銅中添加了鐵(fe)、磷(p)等的合金。另外,也可以使用fe類材料。作為fe類材料,可以使用例如在fe中添加了鎳(ni)等的金屬。
例如,如圖3可知,多個(gè)外部連接端子114配置于管芯焊盤(pán)104的周邊。在本實(shí)施方式中,如圖4所示,多個(gè)外部連接端子114的各個(gè)呈矩形,所述矩形具有配置于管芯焊盤(pán)104的一側(cè)的內(nèi)側(cè)端部114d及比內(nèi)側(cè)端部114d更遠(yuǎn)離于管芯焊盤(pán)104的外側(cè)端部114e。此外,外部連接端子114的平面形狀不限于矩形。作為另外的示例,外側(cè)端部114e可以呈凸形。進(jìn)而,可以呈包括曲線的形狀。
如圖4的剖視圖所示,多個(gè)外部連接端子114的各個(gè)具有上部面114a、下部面114b及側(cè)面114c。上部面114a及下部面114b配置為實(shí)質(zhì)上相互平行的平面狀。另外,在此,側(cè)面114c是指多個(gè)外部連接端子114的各個(gè)的表面中的除了上部面114a及下部面114b之外的表面。
關(guān)于多個(gè)外部連接端子114的各個(gè),下部面114b及外側(cè)端部114e的側(cè)面114c露出。在露出的下部面114b上施有鍍層122。露出的外側(cè)端部114e的側(cè)面114c包括第一區(qū)域114f。在本實(shí)施方式中,第一區(qū)域114f等同于外側(cè)端部114e的側(cè)面114c。在第一區(qū)域114f上施有鍍層122。作為鍍層122的材料,優(yōu)選使用改善焊料潤(rùn)濕性、降低要搭載半導(dǎo)體封裝件100的印刷電路板的布線等的外部布線與外部連接端子114之間的電阻的金屬。作為具體的鍍層122的材料,可以使用例如錫(sn),或在sn中添加了銀(ag)、銅(cu)、鉍(bi)等金屬的材料等。
對(duì)于多個(gè)外部連接端子114,將在后述的制造方法說(shuō)明中進(jìn)行詳細(xì)的說(shuō)明,但由于是從與管芯焊盤(pán)104相同的引線框架102中切出的,因此由與管芯焊盤(pán)104相同的材料構(gòu)成。
半導(dǎo)體芯片116配置于管芯焊盤(pán)104的上部面,并與多個(gè)外部連接端子114電連接。半導(dǎo)體芯片116經(jīng)由粘接劑(未圖示)而固定于上部面來(lái)配置。在半導(dǎo)體芯片116的上部設(shè)置有與半導(dǎo)體芯片116所包括的電子電路相連接的外部端子(未圖示)。另外,在本實(shí)施方式中,示出了半導(dǎo)體封裝件100包括一個(gè)半導(dǎo)體芯片116的實(shí)施方式,但不限于此,只要包括至少一個(gè)半導(dǎo)體芯片116即可。
作為半導(dǎo)體芯片116,例如,可以使用中央運(yùn)算處理裝置(centralprocessingunit,cpu)、存儲(chǔ)器以及微機(jī)電系統(tǒng)(microelectromechanicalsystem,mems)等。
多個(gè)引線118用于將各半導(dǎo)體芯片116和多個(gè)外部連接端子114連線。作為引線118的材料,優(yōu)選使用具有必要的導(dǎo)電性及連接性的材料。例如,優(yōu)選地,使用金線或銅線。
密封部件120用于掩埋管芯焊盤(pán)104、多個(gè)外部連接端子114及半導(dǎo)體芯片116。進(jìn)而,密封部件120可將多個(gè)外部連接端子114的各個(gè)的外側(cè)端部114e露出。
關(guān)于本實(shí)施方式的半導(dǎo)體封裝件100,在露出了多個(gè)外部連接端子114的表面上,不僅在下部面114b上,而且在外側(cè)端部114e的側(cè)面114c上也施敷有鍍層122。通過(guò)具有如此的結(jié)構(gòu),多個(gè)外部連接端子114的各個(gè)的外側(cè)端部114e的側(cè)面114c的焊料潤(rùn)濕性得到提高。由此,當(dāng)將半導(dǎo)體封裝件100利用焊料搭載到印刷電路板等時(shí),能夠形成良好的填角。
[半導(dǎo)體封裝件100的制造方法]
參照附圖,對(duì)本實(shí)施方式的半導(dǎo)體封裝件100的制造方法進(jìn)行詳細(xì)的說(shuō)明。圖5a至圖5i為用于說(shuō)明本實(shí)施方式的半導(dǎo)體封裝件100的制造方法的圖。在這些附圖中,圖5a~圖5d、圖5f、圖5h為用于說(shuō)明本實(shí)施方式的半導(dǎo)體封裝件100的制造方法的俯視圖及剖視圖。圖5g及圖5i分別為將圖5f及圖5h的狀態(tài)中的下部面及截面放大的圖。
首先,對(duì)在本實(shí)施方式的半導(dǎo)體封裝件100的制造方法中使用的引線框架102的結(jié)構(gòu)進(jìn)行詳細(xì)的說(shuō)明。
圖5a為在本實(shí)施方式的半導(dǎo)體封裝件100的制造方法中使用的引線框架102的俯視圖及剖視圖。引線框架102由金屬板構(gòu)成,包括要單片化為多個(gè)半導(dǎo)體封裝件100的多個(gè)區(qū)域a。
引線框架102具有上部面102a、下部面102b及側(cè)面102c。上部面102a及下部面102b配置于實(shí)質(zhì)上相互平行的平面上。側(cè)面102c為金屬板的表面當(dāng)中除上部面102a及下部面102b之外的表面。引線框架102的厚度相應(yīng)于金屬板的厚度,為100μm以上且600μm以下。在本實(shí)施方式中,作為引線框架102的厚度假定為200μm。
作為構(gòu)成引線框架102的金屬板的材料,優(yōu)選使用具有優(yōu)異的機(jī)械強(qiáng)度、導(dǎo)電性、導(dǎo)熱性及耐腐蝕性等的金屬材料。作為金屬板的具體的材料,可以使用例如銅(cu)類材料。作為cu類材料,可以使用例如在cu中添加了鐵(fe)、磷(p)等的合金。另外,也可以使用fe類材料。作為fe類材料,可以使用例如在fe中添加了鎳(ni)等的金屬。
金屬板可以通過(guò)包括蝕刻加工或使用模具的沖壓加工的處理,來(lái)加工成以下說(shuō)明的引線框架102。
多個(gè)區(qū)域a的各個(gè)包括管芯焊盤(pán)104、多個(gè)外部連接端子114、第一連結(jié)部106及第二連結(jié)部108。
管芯焊盤(pán)104具有矩形的平面形狀,并且配置于多個(gè)區(qū)域a的各個(gè)的大致中央部。從矩形的管芯焊盤(pán)104的四角的各個(gè)延伸出第三連結(jié)部110,并與第一連結(jié)部106連接。
多個(gè)外部連接端子114配置于管芯焊盤(pán)104的周邊。多個(gè)外部連接端子114的各個(gè)具有:內(nèi)側(cè)端部114d,配置于管芯焊盤(pán)104一側(cè);以及外側(cè)端部114e,與內(nèi)側(cè)端部114d相比更遠(yuǎn)離管芯焊盤(pán)104。此外,在準(zhǔn)備引線框架102的階段中,該內(nèi)側(cè)端部114d連接于后述的第二連結(jié)部108,該外側(cè)端部114e連接于后述的第一連結(jié)部106,因此兩個(gè)端部的側(cè)面并不露出。在本實(shí)施方式中,配置有28個(gè)外部連接端子114。
第一連結(jié)部106沿著多個(gè)區(qū)域a的邊界配置。總之,第一連結(jié)部106在引線框架102中排列成柵格狀。因此,在多個(gè)區(qū)域a的各個(gè)中,沿著矩形的該區(qū)域a的四邊配置。
第一連結(jié)部106連接于管芯焊盤(pán)104。如上所述,第三連結(jié)部110從矩形的管芯焊盤(pán)104的四角呈輻射狀地延伸,并連接于第一連結(jié)部106。
第一連結(jié)部106連接多個(gè)外部連接端子114的外側(cè)端部114e。換言之,多個(gè)外部連接端子114的外側(cè)端部114e連接于第一連結(jié)部106。在本實(shí)施方式中,配置于區(qū)域a的四邊的各第一連結(jié)部106連接于七個(gè)外部連接端子114。由此,在區(qū)域a的周邊連接了28個(gè)外部連接端子114。
第二連結(jié)部108連接多個(gè)外部連接端子114的內(nèi)側(cè)端部114d。換言之,多個(gè)外部連接端子114的內(nèi)側(cè)端部114d連接于第二連結(jié)部108。第二連結(jié)部108配置于管芯焊盤(pán)104的周圍,并連接于第三連結(jié)部110。
在本實(shí)施方式中,第二連結(jié)部108沿著矩形的管芯焊盤(pán)104的周邊配置,并連接相鄰的第三連結(jié)部110彼此。在連接相鄰的第三連結(jié)部110的第二連結(jié)部108的各個(gè)上,連接著七個(gè)外部連接端子114的內(nèi)側(cè)端部114d。
相對(duì)于構(gòu)成引線框架102的金屬板的厚度,第二連結(jié)部108被減薄。在本實(shí)施方式中,第二連結(jié)部108從上部面102a和下部面102b中的任意一面(在本實(shí)施方式中為上部面102a)被減薄。第二連結(jié)部108減薄為例如100μm。
本實(shí)施方式的引線框架102所具有的各結(jié)構(gòu)相互物理連接且電連接。
以上,對(duì)在本實(shí)施方式的半導(dǎo)體封裝件100的制造方法中所使用的引線框架102的結(jié)構(gòu)進(jìn)行了說(shuō)明。接下來(lái),對(duì)本實(shí)施方式的半導(dǎo)體封裝件100的制造方法進(jìn)行詳細(xì)的說(shuō)明。
首先,準(zhǔn)備上述引線框架102(圖5a)。
接下來(lái),在引線框架102的上部面102a的管芯焊盤(pán)104上配置半導(dǎo)體芯片116。半導(dǎo)體芯片116與多個(gè)外部連接端子114電連接。在本實(shí)施方式中,利用引線118來(lái)接線半導(dǎo)體芯片116及多個(gè)外部連接端子114的各個(gè)(圖5b)。
接下來(lái),形成掩埋管芯焊盤(pán)104、多個(gè)外部連接端子114及半導(dǎo)體芯片116的密封部件120(圖5c)。密封部件120將多個(gè)外部連接端子114各個(gè)的外側(cè)端部114e露出。
關(guān)于本實(shí)施方式中的密封部件120的形成,將引線框架102的上部面102a的一側(cè)的一部分掩埋,而露出下部面102b??傊?,在多個(gè)區(qū)域a的各個(gè)中,露出多個(gè)外部連接端子114的上部面114a的一部分、第一連結(jié)部106的上部面、管芯焊盤(pán)104的下部面、多個(gè)外部連接端子114的下部面114b、第一連結(jié)部106的下部面及第二連結(jié)部108的下部面。
利用模具來(lái)進(jìn)行密封部件120的形成。以圖5b的狀態(tài)設(shè)置于模具的內(nèi)部,并在模具內(nèi)部中利用高壓壓入密封部件,來(lái)填充模具內(nèi)部的空間。作為密封部件120,可以使用熱固性樹(shù)脂。作為熱固性樹(shù)脂,可以使用例如環(huán)氧樹(shù)脂。
接下來(lái),形成第一開(kāi)口部100b(圖5d及圖5e)。第一開(kāi)口部100b至少貫通引線框架102,并去除多個(gè)外部連接端子114和第一連結(jié)部106的連結(jié)部。由此,露出多個(gè)外部連接端子114的外側(cè)端部114e的側(cè)面114c。在此,第一開(kāi)口部100b的側(cè)壁形狀與多個(gè)外部連接端子114的外側(cè)端部114e的側(cè)面114c的形狀相對(duì)應(yīng)。第一開(kāi)口部100b可以通過(guò)模具加工來(lái)形成。作為模具加工可以使用基于具有規(guī)定圖案的模具的沖壓加工。
在本實(shí)施方式中,在多個(gè)區(qū)域a的各個(gè)的四個(gè)位置處形成槽狀的第一開(kāi)口部100b??傊?,沿著區(qū)域a的四邊的各個(gè)而形成槽狀的第一開(kāi)口部100b。
此外,在本實(shí)施方式中,作為第一開(kāi)口部100b的形狀,示出了矩形的示例,但不限于此。如上所述,第一開(kāi)口部100b的側(cè)壁的形狀也可以與多個(gè)外部連接端子114的外側(cè)端部114e的側(cè)面的形狀相對(duì)應(yīng),由此可根據(jù)期望的多個(gè)外部連接端子114的外側(cè)端部114e的側(cè)面114c的形狀,來(lái)選擇第一開(kāi)口部100b的形狀。例如,多個(gè)外部連接端子114的外側(cè)端部114e的側(cè)面114c可以呈凸形。進(jìn)而,可以呈包括曲線的形狀。
接下來(lái),可以實(shí)施向引線框架102供給電流的電解鍍敷處理(圖5f及圖5g)。由此,在露出了引線框架102的區(qū)域形成鍍層122。
優(yōu)選地,作為鍍層122的材料,可以使用改善焊料潤(rùn)濕性、降低搭載半導(dǎo)體封裝件100的印刷電路板的布線等的外部布線與外部連接端子114之間的電阻下降的金屬。作為具體的鍍層122的材料,可以使用例如錫(sn),或在sn中添加了銀(ag)、銅(cu)及鉍(bi)等金屬的材料等。
在上述工序中,通過(guò)形成第一開(kāi)口部100b,來(lái)去除多個(gè)外部連接端子114及第一連結(jié)部106的連結(jié)部。但是,多個(gè)外部連接端子114的各個(gè)經(jīng)由第二連結(jié)部108連接于引線框架102。由此,在該電解鍍敷處理中,也向多個(gè)外部連接端子114供給電流,而能夠?qū)β冻龅膮^(qū)域?qū)嵤╇娊忮兎筇幚怼?/p>
在此,露出了多個(gè)外部連接端子114的上部面114a的一部分、第一連結(jié)部106的上部面、管芯焊盤(pán)104的下部面、多個(gè)外部連接端子114的外側(cè)端部114e的側(cè)面114c、多個(gè)外部連接端子114的下部面114b、第一連結(jié)部106的下部面及第二連結(jié)部108的下部面,因此,可在這些區(qū)域上形成鍍層122。在此,通過(guò)形成第一開(kāi)口部100b,而在多個(gè)外部連接端子114的外側(cè)端部114e的側(cè)面114c形成鍍層122。
在以往的半導(dǎo)體封裝件100的制造方法中,不包括本實(shí)施方式這樣的形成第一開(kāi)口部100b的工序,因此在外部連接端子114的外側(cè)端部114e的側(cè)面114c不形成鍍層122。
接下來(lái),形成將多個(gè)外部連接端子114及第二連結(jié)部108從引線框架102的下部面102b分離的槽部100a(圖5h及圖5i)。槽部100a是有底的,并不貫通引線框架102。槽部100a只要具有貫通減薄了的第二連結(jié)部108的厚度即可。由此,多個(gè)外部連接端子114的各個(gè)被分離。
槽部100a可以通過(guò)切削加工來(lái)形成。作為切削加工,可以采用例如使用劃片刀(dicingsaw)的切削加工。關(guān)于使用劃片刀的切削加工,通過(guò)將作為鉆石制的圓形刀片的劃片刀高速旋轉(zhuǎn),在使用純水進(jìn)行冷卻/切屑沖洗的同時(shí)進(jìn)行切削。
在本實(shí)施方式中,沿著半導(dǎo)體封裝件100的下部面的四邊,在四個(gè)位置處形成槽部100a。進(jìn)而,在本實(shí)施方式中,利用切削加工完全去除第二連結(jié)部108。但是,在所述切削加工中,只需將多個(gè)外部連接端子114的各個(gè)分離即可,并非一定要完全去除第二連結(jié)部108。
接下來(lái),利用模具加工而單片化為多個(gè)半導(dǎo)體封裝件100。利用以上的工序,能夠獲得在圖1至圖4中示出的本實(shí)施方式的半導(dǎo)體封裝件100。
以上對(duì)本實(shí)施方式的半導(dǎo)體封裝件100的制造方法進(jìn)行了說(shuō)明。根據(jù)本實(shí)施方式的半導(dǎo)體封裝件100的制造方法,也可以在露出了外部連接端子114的外側(cè)端部114e的側(cè)面114c上形成鍍層122。由此,能夠提供外部連接端子114的外側(cè)端部114e的側(cè)面114c的焊料潤(rùn)濕性得到改善的半導(dǎo)體封裝件100。
<第二實(shí)施方式>
[半導(dǎo)體封裝件200的結(jié)構(gòu)]
參照附圖,對(duì)本實(shí)施方式的半導(dǎo)體封裝件200的結(jié)構(gòu)進(jìn)行說(shuō)明。
圖14為用于說(shuō)明本實(shí)施方式的半導(dǎo)體封裝件200的結(jié)構(gòu)的放大立體圖。該圖為分別從半導(dǎo)體封裝件200的上部面及下部面一側(cè)觀察的立體圖,將外部連接端子114附近放大示出。圖6為用于說(shuō)明本實(shí)施方式的半導(dǎo)體封裝件200的結(jié)構(gòu)的仰視圖及側(cè)視圖。圖7為用于說(shuō)明本實(shí)施方式的半導(dǎo)體封裝件200的結(jié)構(gòu)的俯視圖及剖視圖。圖8為用于說(shuō)明本實(shí)施方式的半導(dǎo)體封裝件200的結(jié)構(gòu)的下部面及截面的放大圖。在此,在圖7的俯視圖中,為了說(shuō)明密封了的半導(dǎo)體芯片116等,切除了密封部件120的一部分而示出。
在如下的說(shuō)明中,省略對(duì)于與第一實(shí)施方式的半導(dǎo)體封裝件100相通用的結(jié)構(gòu)要素的說(shuō)明,而以不同點(diǎn)為中心進(jìn)行說(shuō)明。
本實(shí)施方式的半導(dǎo)體封裝件200與第一實(shí)施方式的半導(dǎo)體封裝件100相比,其不同點(diǎn)在于外部連接端子114的結(jié)構(gòu)。具體而言,例如,如圖6及圖7所示,關(guān)于本實(shí)施方式的半導(dǎo)體封裝件200,多個(gè)外部連接端子114的各個(gè)在外側(cè)端部114e的側(cè)面上具有凸部114g。凸部114g突出于作為密封部件120所占的區(qū)域的模制線120a的外側(cè)。凸部114g的上部面及下部面分別配置于實(shí)質(zhì)上與外部連接端子114的上部面114a及下部面114b相同的平面上。施有鍍層122的第一區(qū)域114f包括凸部114g的頂部114h。在本實(shí)施方式中,第一區(qū)域114f等同于凸部114g的頂部114h。
在本實(shí)施方式的半導(dǎo)體封裝件200中,在露出了多個(gè)外部連接端子114的表面,不僅在下部面114b,而且在外側(cè)端部114e的側(cè)面114c的一部分也施有鍍層122。通過(guò)具有這樣的結(jié)構(gòu),多個(gè)外部連接端子114的各個(gè)的外側(cè)端部114e的側(cè)面114c的焊料潤(rùn)濕性得到提高。由此,當(dāng)將半導(dǎo)體封裝件200利用焊料搭載到印刷電路板等時(shí),能夠形成良好的填角。
[半導(dǎo)體封裝件200的制造方法]
參照附圖,對(duì)本實(shí)施方式的半導(dǎo)體封裝件200的制造方法進(jìn)行詳細(xì)的說(shuō)明。圖9a至圖9e為用于說(shuō)明本實(shí)施方式的半導(dǎo)體封裝件200的制造方法的圖。在這些圖中,圖9a~圖9d為用于說(shuō)明本實(shí)施方式的半導(dǎo)體封裝件200的制造方法的俯視圖及剖視圖。圖9e為將圖9d的狀態(tài)中的下部面及截面放大的圖。
首先,對(duì)在本實(shí)施方式的半導(dǎo)體封裝件200的制造方法中使用的引線框架202的結(jié)構(gòu)進(jìn)行詳細(xì)的說(shuō)明。
圖9a為在本實(shí)施方式的半導(dǎo)體封裝件200的制造方法中使用的引線框架202的俯視圖及剖視圖。引線框架202由金屬板構(gòu)成,并包括要單片化為多個(gè)半導(dǎo)體封裝件200的多個(gè)區(qū)域a。
關(guān)于構(gòu)成引線框架202的金屬板的厚度、材料等,與第一實(shí)施方式中說(shuō)明的厚度、材料等相同。
金屬板可通過(guò)利用蝕刻加工或使用模具的沖壓加工的處理,而加工為以下說(shuō)明的線框架202。
多個(gè)區(qū)域a的各個(gè)包括管芯焊盤(pán)104、多個(gè)外部連接端子114及第一連結(jié)部106。
在此,關(guān)于管芯焊盤(pán)104及多個(gè)外部連接端子114的結(jié)構(gòu),與第一實(shí)施方式中說(shuō)明的結(jié)構(gòu)相同。以下,對(duì)第一連結(jié)部106的結(jié)構(gòu)的不同點(diǎn)進(jìn)行說(shuō)明。
在本實(shí)施方式的引線框架202中,第一連結(jié)部106具有沿著多個(gè)外部連接端子114的外側(cè)端部114e配置的第一開(kāi)口部106a。進(jìn)而,在本實(shí)施方式中,在多個(gè)區(qū)域a的各個(gè)的四個(gè)位置處配置有槽狀的第一開(kāi)口部106a。簡(jiǎn)言之,沿著區(qū)域a的四邊的各個(gè)配置有槽狀的第一開(kāi)口部106a。
作為第一開(kāi)口部106a各個(gè)的配置,優(yōu)選配置為,在第一連結(jié)部106中,第一開(kāi)口部106a的側(cè)壁與多個(gè)外部連接端子114盡可能地接近。另一方面,為此,從確保第一連結(jié)部106及多個(gè)外部連接端子114的連結(jié)部的強(qiáng)度的觀點(diǎn)來(lái)看,優(yōu)選要設(shè)置充分的距離。
本實(shí)施方式的引線框架202所具有的各結(jié)構(gòu)相互物理連接且電連接。
以上,對(duì)在本實(shí)施方式的半導(dǎo)體封裝件200的制造方法中所使用的引線框架202的結(jié)構(gòu)進(jìn)行了說(shuō)明。接下來(lái),對(duì)本實(shí)施方式的半導(dǎo)體封裝件200的制造方法進(jìn)行詳細(xì)的說(shuō)明。
首先,準(zhǔn)備上述引線框架202(圖9a)。
接下來(lái),在引線框架202的上部面202a的管芯焊盤(pán)104之上配置半導(dǎo)體芯片116。半導(dǎo)體芯片116與多個(gè)外部連接端子114電連接。在本實(shí)施方式中,利用引線118將各半導(dǎo)體芯片116及所述多個(gè)外部連接端子114接線(圖9b)。
接下來(lái),形成掩埋管芯焊盤(pán)104、多個(gè)外部連接端子114及半導(dǎo)體芯片116的密封部件120(圖9c)。密封部件120露出多個(gè)外部連接端子114各自的外側(cè)端部114e。密封部件120的形成可利用模具加工來(lái)進(jìn)行。
接下來(lái),實(shí)施向引線框架202供給電流的電解鍍敷處理(圖9d及圖9e)。由此,在露出有引線框架202的區(qū)域中形成鍍層122。
接下來(lái),通過(guò)模具加工單片化為多個(gè)半導(dǎo)體封裝件200。與此同時(shí),形成在側(cè)面具有第一開(kāi)口部106a的側(cè)壁的一部分的多個(gè)外部連接端子114的各個(gè)。在基于模具加工的單片化中,可以使用基于具有規(guī)定圖案的模具的沖壓加工,沿著圖9e所示的圖案200a進(jìn)行切斷。在此,第一開(kāi)口部106a的側(cè)壁的形狀與多個(gè)外部連接端子114的外側(cè)端部114e的側(cè)面114c的形狀相對(duì)應(yīng)。通過(guò)以上的工序,能夠獲得在圖6至圖8中示出的本實(shí)施方式的半導(dǎo)體封裝件200。
此外,在本實(shí)施方式中,作為第一開(kāi)口部106a的形狀,示出了矩形的示例,但不限于此。如上所述,第一開(kāi)口部106a的側(cè)壁的形狀與多個(gè)外部連接端子114的外側(cè)端部114e的側(cè)面的形狀相對(duì)應(yīng),因此可以根據(jù)期望的多個(gè)外部連接端子114的外側(cè)端部114e的側(cè)面114c的形狀來(lái)選擇第一開(kāi)口部106a的形狀。例如,多個(gè)外部連接端子114的外側(cè)端部114e的側(cè)面114c可以呈半橢圓形、三角形的凸形。
以上,對(duì)本實(shí)施方式的半導(dǎo)體封裝件200的制造方法進(jìn)行了說(shuō)明。根據(jù)本實(shí)施方式的半導(dǎo)體封裝件200的制造方法,也可以在露出了外部連接端子114的外側(cè)端部114e的側(cè)面114c上形成鍍層122。由此,能夠提供外部連接端子114的外側(cè)端部114e的側(cè)面114c的焊料潤(rùn)濕性得到改善的半導(dǎo)體封裝件200。
<第三實(shí)施方式>
[半導(dǎo)體封裝件300的結(jié)構(gòu)]
參照附圖,對(duì)本實(shí)施方式的半導(dǎo)體封裝件300的結(jié)構(gòu)進(jìn)行說(shuō)明。
圖15為用于說(shuō)明本實(shí)施方式的半導(dǎo)體封裝件300的結(jié)構(gòu)的放大立體圖。該圖為分別從半導(dǎo)體封裝件300的上部面及下部面一側(cè)觀察的立體圖,將外部連接端子114附近放大示出。圖10為用于說(shuō)明本實(shí)施方式的半導(dǎo)體封裝件300的結(jié)構(gòu)的仰視圖及側(cè)視圖。圖11為用于說(shuō)明本實(shí)施方式的半導(dǎo)體封裝件300的結(jié)構(gòu)的俯視圖及剖視圖。在此,在圖11的俯視圖中,為了說(shuō)明密封了的半導(dǎo)體芯片116等,切除密封部件120的一部分而示出。此外,在本實(shí)施方式中,例示并說(shuō)明了基于一并模制方式的半導(dǎo)體封裝件300的結(jié)構(gòu)及制造方法的方式,但也可采用第一實(shí)施方式及第二實(shí)施方式所例示的單片模制方式。
在以下的說(shuō)明中,省略對(duì)于與第一實(shí)施方式的半導(dǎo)體封裝件100通用的結(jié)構(gòu)要素的說(shuō)明,而以不同點(diǎn)為中心進(jìn)行說(shuō)明。
本實(shí)施方式的半導(dǎo)體封裝件300與第一實(shí)施方式的半導(dǎo)體封裝件100相比,其不同點(diǎn)在于,在多個(gè)外部連接端子114各個(gè)的外側(cè)端部114e的側(cè)面114c具有錐形部114i,要實(shí)施鍍層122的第一區(qū)域114f包括所述錐形部114i。在本實(shí)施方式中,第一區(qū)域114f等同于錐形部114i。
[半導(dǎo)體封裝件300的制造方法]
參照附圖,對(duì)本實(shí)施方式的半導(dǎo)體封裝件300的制造方法進(jìn)行說(shuō)明。圖12a至圖12e為用于說(shuō)明本實(shí)施方式的半導(dǎo)體封裝件300的制造方法的俯視圖及剖視圖。
首先,對(duì)在本實(shí)施方式的半導(dǎo)體封裝件300的制造方法中使用的引線框架302的結(jié)構(gòu)進(jìn)行詳細(xì)的說(shuō)明。
圖12a為用于說(shuō)明在本實(shí)施方式的半導(dǎo)體封裝件300的制造方法中使用的引線框架302的俯視圖及剖視圖。引線框架302由金屬板構(gòu)成,由劃片線302d劃分,且包括要被單片化為多個(gè)半導(dǎo)體封裝件300的多個(gè)區(qū)域a。
對(duì)于構(gòu)成引線框架302的金屬板的厚度、材料等,與在第一實(shí)施方式中說(shuō)明的部分相同。
金屬板可以利用包括蝕刻加工或使用模具的沖壓加工的處理,而加工成以下說(shuō)明的引線框架302。
多個(gè)區(qū)域a各個(gè)包括管芯焊盤(pán)104、多個(gè)外部連接端子114及第一連結(jié)部106。
在此,關(guān)于管芯焊盤(pán)104、多個(gè)外部連接端子114及第一連結(jié)部106的結(jié)構(gòu),與在第一實(shí)施方式中說(shuō)明的部分相同,因此省略詳細(xì)的說(shuō)明。
本實(shí)施方式的引線框架302具有的各結(jié)構(gòu)相互物理連接且電連接。
以上,對(duì)在本實(shí)施方式的半導(dǎo)體封裝件300的制造方法中所使用的引線框架302的結(jié)構(gòu)進(jìn)行了說(shuō)明。接下來(lái),對(duì)本實(shí)施方式的半導(dǎo)體封裝件300的制造方法進(jìn)行詳細(xì)的說(shuō)明。
首先,準(zhǔn)備上述引線框架302(圖12a)。
接下來(lái),在引線框架302的上部面302a的管芯焊盤(pán)104之上配置半導(dǎo)體芯片116。半導(dǎo)體芯片116與多個(gè)外部連接端子114電連接。在本實(shí)施方式中,利用引線118將半導(dǎo)體芯片116及多個(gè)外部連接端子114的各個(gè)接線(圖12b)。
接下來(lái),形成掩埋管芯焊盤(pán)104、多個(gè)外部連接端子114及半導(dǎo)體芯片116的密封部件120(圖12c)。密封部件120露出多個(gè)外部連接端子114的各個(gè)的下部面114b。密封部件120的形成可利用模具加工來(lái)進(jìn)行。
接下來(lái),通過(guò)切削加工,將多個(gè)外部連接端子114各個(gè)的外側(cè)端部114e的下部面114b的至少一部分減薄(圖12d)。
在本實(shí)施方式中,底部的區(qū)域形成包括劃片線302d的槽部302e,由此形成減薄了的區(qū)域。槽部302e的側(cè)壁具有傾斜。利用該傾斜,在俯視圖上,槽部302e的開(kāi)口邊緣配置于底部的外側(cè)。
接下來(lái),實(shí)施向引線框架302供給電流的電解鍍敷處理。由此,在露出引線框架302的區(qū)域中形成鍍層122(圖12e)。
接下來(lái),通過(guò)切削加工來(lái)單片化為多個(gè)半導(dǎo)體封裝件300。通過(guò)以上的工序,能夠獲得在圖10及圖11中示出的本實(shí)施方式的半導(dǎo)體封裝件300。
此時(shí),劃片線302d配置于槽部302e的底部?jī)?nèi),因此,具有傾斜的槽部302e的側(cè)壁保留而不被切削。由此,可在外側(cè)端部114e形成具有錐形部114i的外部連接端子114。
以上,對(duì)本實(shí)施方式的半導(dǎo)體封裝件300的制造方法進(jìn)行了說(shuō)明。根據(jù)本實(shí)施方式的半導(dǎo)體封裝件300的制造方法,也可以在露出了外部連接端子114的外側(cè)端部114e的側(cè)面114c上形成鍍層122。由此,能夠提供外部連接端子114的外側(cè)端部114e的側(cè)面114c的焊料潤(rùn)濕性得到改善的半導(dǎo)體封裝件300。
以上,對(duì)基于本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式的半導(dǎo)體封裝件及半導(dǎo)體封裝件的制造方法進(jìn)行了說(shuō)明。但是,這些只是示例,本發(fā)明的技術(shù)范圍不限于此。實(shí)際上,只要是本發(fā)明所屬領(lǐng)域的普通技術(shù)人員,就能夠不脫離權(quán)利要求書(shū)所要求的本發(fā)明的要旨,而進(jìn)行各種變更。由此,應(yīng)理解為這些變更當(dāng)然也屬于本發(fā)明的技術(shù)范圍內(nèi)。