技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明涉及SRB彈性松弛的方法及結(jié)構(gòu)，其提供首先用垂直于后續(xù)鰭片方向的切口掩膜并接著用平行于該鰭片方向的切口掩膜來形成SRB?finFET鰭片的方法以及所得裝置。實(shí)施例包括：在襯底上形成SiGe?SRB；在該SRB上方形成Si層；在該Si層中形成NFET溝道及SiGe?PFET溝道；向下穿過各別該NFET及PFET溝道以及該SRB至該襯底形成切口，該些切口形成于該襯底的相對(duì)端部上并垂直于該NFET及PFET溝道；在該SRB及該NFET與PFET溝道中形成鰭片，該些鰭片垂直于該些切口形成；在該NFET與PFET溝道之間形成切口，該切口平行于該些鰭片形成；用氧化物填充該切口；以及向下凹入該氧化物至該SRB。

技術(shù)研發(fā)人員：謝瑞龍;M·K·阿卡爾瓦爾達(dá)爾;A·克內(nèi)爾
受保護(hù)的技術(shù)使用者：格羅方德半導(dǎo)體公司
技術(shù)研發(fā)日：2017.03.02
技術(shù)公布日：2017.09.12