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      功率半導體封裝體及其應用的制作方法

      文檔序號:11235624閱讀:來源:國知局

      技術特征:

      技術總結
      一種功率半導體封裝體包括參考電壓端子、電源電壓端子、相端子、第一功率晶體管和第二功率晶體管。所述第一功率晶體管和所述第二功率晶體管串聯(lián)連接,并且形成半橋電路的低壓側開關和高壓側開關。

      技術研發(fā)人員:J·科西察;H·吉特爾;H·許貝爾;M·倫茨
      受保護的技術使用者:英飛凌科技股份有限公司
      技術研發(fā)日:2017.03.02
      技術公布日:2017.09.12
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