本發(fā)明涉及太陽能電池領(lǐng)域，尤其涉及一種P型PERC雙面太陽能電池、以及上述P型PERC雙面太陽能電池的制備方法，采用上述P型PERC雙面太陽能電池的太陽能電池組件，采用上述P型PERC雙面太陽能電池的太陽能系統(tǒng)。

背景技術(shù)：

晶硅太陽能電池是一種有效吸收太陽輻射能，利用光生伏打效應(yīng)把光能轉(zhuǎn)換成電能的器件，當(dāng)太陽光照在半導(dǎo)體P-N結(jié)上，形成新的空穴-電子對(duì)，在P-N結(jié)電場(chǎng)的作用下，空穴由N區(qū)流向P區(qū)，電子由P區(qū)流向N區(qū)，接通電路后就形成電流。

傳統(tǒng)晶硅太陽能電池基本上只采用正面鈍化技術(shù)，在硅片正面用PECVD的方式沉積一層氮化硅，降低少子在前表面的復(fù)合速率，可以大幅度提升晶硅電池的開路電壓和短路電流，從而提升晶硅太陽電池的光電轉(zhuǎn)換效率。但是由于硅片的背面沒有鈍化，光電轉(zhuǎn)換效率的提升仍然受到限制。

現(xiàn)有技術(shù)的雙面太陽能電池結(jié)構(gòu)：基底采用N型硅片，當(dāng)太陽光子照射電池背面時(shí)，在N型硅片中產(chǎn)生的載流子穿過厚度約為200微米的硅片，由于N型硅片少子壽命高，載流子復(fù)合速率低，部分載流子可以到達(dá)正面的p-n結(jié)；太陽能電池的正面為主要受光面，其轉(zhuǎn)換效率占整個(gè)電池轉(zhuǎn)換效率的比例很高；正背面的綜合作用，從而大大提高電池的轉(zhuǎn)換效率。但是，N型硅片價(jià)格高，N型雙面電池工藝復(fù)雜；因此，如何開發(fā)高效低成本的雙面太陽能電池成為企業(yè)和研究者關(guān)注的熱點(diǎn)。

另一方面，隨著對(duì)晶硅電池的光電轉(zhuǎn)換效率的要求越來越高，業(yè)界一直在研究PERC背鈍化太陽電池技術(shù)。業(yè)界主流廠家主要在開發(fā)單面PERC太陽能電池， 本發(fā)明將PERC高效電池和雙面電池結(jié)合起來，旨在開發(fā)綜合光電轉(zhuǎn)換效率更高的PERC雙面太陽能電池。

對(duì)于PERC雙面太陽能電池，由于光電轉(zhuǎn)換效率高，同時(shí)雙面吸收太陽光，發(fā)電量更高，在實(shí)際應(yīng)用中具有更大的使用價(jià)值。因此，本發(fā)明旨在提出一種工藝簡(jiǎn)單、成本較低、易于推廣、光電轉(zhuǎn)換效率高的P型PERC雙面太陽能電池。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題在于，提供一種P型PERC雙面太陽能電池，結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，成本較低、易于推廣、光電轉(zhuǎn)換效率高。

本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題還在于，提供一種P型PERC雙面太陽能電池的制備方法，工藝簡(jiǎn)單，成本較低、易于推廣、光電轉(zhuǎn)換效率高。

本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題還在于，提供一種P型PERC雙面太陽能電池組件，結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，成本較低、易于推廣、光電轉(zhuǎn)換效率高。

本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題還在于，提供一種P型PERC雙面太陽能系統(tǒng)，結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，成本較低、易于推廣、光電轉(zhuǎn)換效率高。

為了解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明提供了一種P型PERC雙面太陽能電池，依次包括背銀電極、背鋁柵線、背面鈍化層、P型硅、N型發(fā)射極、正面氮化硅膜和正銀電極，所述背銀電極與背鋁柵線垂直連接，所述背鋁柵線上設(shè)有柵線脊骨，所述背鋁柵線的四周設(shè)有鋁柵外框，所述柵線脊骨與背鋁柵線連接，所述鋁柵外框與背鋁柵線、背銀電極相連接；

所述背鋁柵線也可以是曲線形、弧形、波浪形等。

對(duì)背面鈍化層通過激光開槽形成第一激光開槽區(qū)，所述背鋁柵線通過第一激光開槽區(qū)與P型硅相連；

所述第一激光開槽區(qū)包括多組水平方向設(shè)置的第一激光開槽單元，每一組第一激光開槽單元包括一個(gè)或多個(gè)水平方向設(shè)置的第一激光開槽體，所述背鋁柵線與第一激光開槽體垂直。

作為上述方案的優(yōu)選方式，所述鋁柵外框的下方設(shè)有第二激光開槽區(qū)，所述第二激光開槽區(qū)包括豎直或水平方向設(shè)置的第二激光開槽單元，每一組第二激光開槽單元包括一個(gè)或多個(gè)豎直或水平方向設(shè)置的第二激光開槽體，所述鋁柵外框與第二激光開槽體垂直。

作為上述方案的優(yōu)選方式，所述柵線脊骨與背鋁柵線垂直連接；

所述柵線脊骨下方設(shè)有第三激光開槽區(qū)，所述第三激光開槽區(qū)包括多組第三激光開槽單元，每一組第三激光開槽單元包括一個(gè)或多個(gè)豎直方向設(shè)置的第三激光開槽體，所述第三激光開槽體與柵線脊骨垂直，所述柵線脊骨通過第三激光開槽體與P型硅相連。

作為上述方案的優(yōu)選方式，所述第一激光開槽單元之間為平行設(shè)置；每一第一激光開槽單元中，所述第一激光開槽體為并列設(shè)置，所述第一激光開槽體處于同一水平面上或上下錯(cuò)開；

所述第一激光開槽單元之間的間距為0.5-50mm；

每一第一激光開槽單元中，所述第一激光開槽體之間的間距為0.5-50mm；

所述第一激光開槽體的長(zhǎng)度為50-5000微米，寬度為10-500微米。

作為上述方案的優(yōu)選方式，所述背鋁柵線的根數(shù)為30-500條，所述柵線脊骨的根數(shù)為30-500條；

所述背鋁柵線的寬度為30-500微米，所述背鋁柵線的寬度小于所述第一激光開槽體的長(zhǎng)度；

所述柵線脊骨的寬度為30-500微米，所述柵線脊骨的寬度小于所述第三激光開槽體的長(zhǎng)度。

作為上述方案的優(yōu)選方式，所述柵線脊骨的圖案為一條連續(xù)的直線或多個(gè)線段組成的虛線；

所述柵線脊骨由銀漿制成，其寬度為30-60微米；或，所述柵線脊骨由鋁漿制成，其寬度為50-500微米。

相應(yīng)的，本發(fā)明還公開一種P型PERC雙面太陽能電池的制備方法，包括：

（1）在硅片正面和背面形成絨面，所述硅片為P型硅；

（2）對(duì)硅片進(jìn)行擴(kuò)散，形成N型發(fā)射極；

（3）去除擴(kuò)散過程形成的正面磷硅玻璃和周邊PN結(jié)；

（4）在硅片背面沉積三氧化二鋁膜；

（5）在硅片背面沉積氮化硅膜；

（6）在硅片正面沉積氮化硅膜；

（7）對(duì)硅片背面激光開槽，形成第一激光開槽區(qū)，所述第一激光開槽區(qū)包括多組水平方向設(shè)置的第一激光開槽單元，每一組第一激光開槽單元包括一個(gè)或多個(gè)水平方向設(shè)置的第一激光開槽體；

（8）在所述硅片背面印刷背銀主柵電極；

（9）在所述硅片背面，沿著激光開槽的垂直方向印刷鋁漿，得到背鋁柵線，所述背鋁柵線與第一激光開槽體垂直，并沿著背鋁柵線的四周印刷鋁漿，得到鋁柵外框；

（10）在所述硅片背面印刷柵線脊骨；

（11）在所述硅片正面印刷正電極漿料；

（12）對(duì)硅片進(jìn)行高溫?zé)Y(jié)，形成背銀電極和正銀電極；

（13）對(duì)硅片進(jìn)行抗LID退火。

作為上述方案的優(yōu)選方式，步驟（3）和（4）之間，還包括：

對(duì)硅片背面進(jìn)行拋光。

作為上述方案的優(yōu)選方式，步驟（7）還包括：

對(duì)硅片背面激光開槽，形成第二激光開槽區(qū)和第三激光開槽區(qū)；

所述第二激光開槽區(qū)包括豎直或水平方向設(shè)置的第二激光開槽單元，每一組第二激光開槽單元包括一個(gè)或多個(gè)豎直或水平方向設(shè)置的第二激光開槽體；所述第二激光開槽體與鋁柵外框垂直；

所述第三激光開槽區(qū)包括多組第三激光開槽單元，每一組第三激光開槽單元包括一個(gè)或多個(gè)豎直方向設(shè)置的第三激光開槽體，所述第三激光開槽體與柵線脊骨垂直。

相應(yīng)的，本發(fā)明還公開一種PERC太陽能電池組件，包括PERC太陽能電池和封裝材料，所述PERC太陽能電池是上述任一的P型PERC雙面太陽能電池。

相應(yīng)的，本發(fā)明還公開一種PERC太陽能系統(tǒng)，包括PERC太陽能電池，所述PERC太陽能電池是上述任一的P型PERC雙面太陽能電池。

實(shí)施本發(fā)明，具有如下有益效果：

本發(fā)明通過在硅片背面形成背面鈍化層后，對(duì)背面鈍化層通過激光開槽形成第一激光開槽區(qū)，然后沿著激光劃線方向的垂直方向印刷鋁漿，使鋁漿通過開槽區(qū)與P型硅相連，得到背鋁柵線。該P(yáng)ERC雙面太陽能電池通過在硅片正面和背面制備電池柵線結(jié)構(gòu)，采用不同于常規(guī)印刷鋁漿的方式，由于鋁柵的寬度遠(yuǎn)小于第一激光開槽區(qū)的長(zhǎng)度，可以不需要對(duì)鋁漿和第一激光開槽區(qū)實(shí)施精確對(duì)準(zhǔn)，簡(jiǎn)化了激光工藝和印刷工藝，降低了印刷設(shè)備調(diào)試的難度，易于產(chǎn)業(yè)化大生產(chǎn)。另外，鋁漿覆蓋區(qū)以外的第一激光開槽區(qū)可以增加電池背表面對(duì)太陽光的吸收，提高電池的光電轉(zhuǎn)換效率。

此外，在印刷過程中，由于鋁漿的粘度較大，網(wǎng)版的線寬又比較窄，會(huì)偶爾出現(xiàn)鋁柵斷柵的情況。鋁柵斷柵會(huì)導(dǎo)致EL測(cè)試的圖像出現(xiàn)黑色斷柵。同時(shí)，鋁柵斷柵又會(huì)影響電池的光電轉(zhuǎn)換效率。因此，本發(fā)明在背鋁柵線處增設(shè)柵線脊骨以及在背鋁柵線的四周設(shè)有鋁柵外框，所述柵線脊骨與背鋁柵線連接，所述鋁柵外框與背鋁柵線、背銀電極相連接，為電子的流動(dòng)多提供了多條路徑，防止鋁柵斷柵對(duì)電池光電轉(zhuǎn)換效率造成的影響，同時(shí)避免電池的EL測(cè)試出現(xiàn)斷柵。

鋁柵外框的下方可以設(shè)有第二激光開槽區(qū)，柵線脊骨的下方設(shè)有第三激光開槽區(qū)，可以不需要對(duì)漿料和第二激光開槽區(qū)、第三激光開槽區(qū)實(shí)施精確對(duì)準(zhǔn)，簡(jiǎn)化了激光工藝和印刷工藝，降低了印刷設(shè)備調(diào)試的難度。另外，漿料覆蓋區(qū)以外的第二激光開槽區(qū)、第三激光開槽區(qū)可以增加電池背表面對(duì)太陽光的吸收，提高電池的光電轉(zhuǎn)換效率。

因此，本發(fā)明結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、工藝簡(jiǎn)單，成本較低、易于推廣、光電轉(zhuǎn)換效率高。

附圖說明

圖1是本發(fā)明一種P型PERC雙面太陽能電池的剖視圖；

圖2是本發(fā)明一種P型PERC雙面太陽能電池的背面結(jié)構(gòu)第一實(shí)施例的示意圖；

圖3是本發(fā)明一種P型PERC雙面太陽能電池的背面結(jié)構(gòu)第二實(shí)施例的示意圖；

圖4是本發(fā)明一種P型PERC雙面太陽能電池的背面結(jié)構(gòu)第三實(shí)施例的示意圖；

圖5是本發(fā)明一種P型PERC雙面太陽能電池的第一激光開槽區(qū)一實(shí)施例的示意圖；

圖6是本發(fā)明一種P型PERC雙面太陽能電池的第一激光開槽區(qū)另一實(shí)施例的示意圖。

圖7是本發(fā)明一種P型PERC雙面太陽能電池的第二激光開槽區(qū)的示意圖；

圖8是本發(fā)明一種P型PERC雙面太陽能電池的第三激光開槽區(qū)的示意圖。

具體實(shí)施方式

為使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面將結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步地詳細(xì)描述。

現(xiàn)有的單面太陽能電池在電池的背面設(shè)有全鋁背電場(chǎng)覆蓋在硅片的整個(gè)背面，全鋁背電場(chǎng)的作用是提高了開路電壓Voc和短路電流Jsc，迫使少數(shù)載流子遠(yuǎn)離表面，少數(shù)載流子復(fù)合率降低，從而整體上提高電池效率。然而，由于全鋁背電場(chǎng)不透光，因此，具有全鋁背電場(chǎng)的太陽能電池背面無法吸收光能，只能正面吸收光能，電池的綜合光電轉(zhuǎn)換效率難以大幅度的提高。

針對(duì)上述技術(shù)問題，結(jié)合圖1，本發(fā)明提供一種P型PERC雙面太陽能電池，依次包括背銀電極1、背鋁柵線2、背面鈍化層3、P型硅4、N型發(fā)射極5、正面氮化硅膜6、正銀電極7，所述背銀電極1與背鋁柵線2垂直連接，所述背鋁柵線2處設(shè)有柵線脊骨10，所述柵線脊骨10與背鋁柵線2連接。所述背鋁柵線的四周設(shè)有鋁柵外框9，所述鋁柵外框9與背鋁柵線2、背銀電極1相連接。

對(duì)背面鈍化層3通過激光開槽形成第一激光開槽區(qū)8，所述背鋁柵線2通過第一激光開槽區(qū)8與P型硅4相連。正銀電極7包括正銀電極主柵7A和正銀電極副柵7B。所述背面鈍化層3包括氧化鋁層31和氮化硅層32。

本發(fā)明對(duì)現(xiàn)有的單面PERC太陽能電池進(jìn)行改進(jìn)，不再設(shè)有全鋁背電場(chǎng)，而是將其變成許多的背鋁柵線2，采用激光開槽技術(shù)在背面鈍化層3上開設(shè)第一激光開槽區(qū)8，而背鋁柵線2印刷在這些平行設(shè)置的第一激光開槽區(qū)8上，從而能與P型硅4形成局部接觸，密集平行排布的背鋁柵線2不僅能起到提高開路電壓Voc和短路電流Jsc，降低少數(shù)載流子復(fù)合率，提高電池光電轉(zhuǎn)換效率的作用，可替代現(xiàn)有單面電池結(jié)構(gòu)的全鋁背電場(chǎng)，而且背鋁柵線2并未全面遮蓋硅片的背面，太陽光可從背鋁柵線2之間投射至硅片內(nèi)，從而實(shí)現(xiàn)硅片背面吸收光能，大幅提高電池的光電轉(zhuǎn)換效率。

如圖2、3、4所示，所述第一激光開槽區(qū)8包括多組水平方向設(shè)置的第一激光開槽單元81，每一組第一激光開槽單元81包括一個(gè)或多個(gè)水平方向設(shè)置的第一激光開槽體82，所述背鋁柵線2與第一激光開槽體82垂直。結(jié)合圖5、6，圖5、6所示的虛線框?yàn)榈谝患す忾_槽單元81，每一組第一激光開槽單元81包括一個(gè)或多個(gè)水平方向設(shè)置的第一激光開槽體82。

在印刷過程中，由于鋁漿的粘度較大，網(wǎng)版的線寬又比較窄，會(huì)偶爾出現(xiàn)鋁柵斷柵的情況。鋁柵斷柵會(huì)導(dǎo)致EL測(cè)試的圖像出現(xiàn)黑色斷柵。同時(shí)，鋁柵斷柵又會(huì)影響電池的光電轉(zhuǎn)換效率。因此，本發(fā)明在背鋁柵線2處增設(shè)柵線脊骨10，且在背鋁柵線2的四周設(shè)有鋁柵外框9，所述鋁柵外框9與背鋁柵線2、背銀電極1相連接，所述柵線脊骨10與背鋁柵線2連接，為電子的流動(dòng)多提供了多條路徑，防止鋁柵斷柵對(duì)電池光電轉(zhuǎn)換效率造成的影響，同時(shí)避免電池的EL測(cè)試出現(xiàn)斷柵。優(yōu)選的，所述柵線脊骨10與背鋁柵線2垂直連接。需要說明的是，所述柵線脊骨10與背鋁柵線2還可以以一定的傾斜角度連接，例如15°、30°、45°60°，但不限于此。

鋁柵外框9的下方可以設(shè)有第二激光開槽區(qū)90，柵線脊骨10的下方可以設(shè)有第三激光開槽區(qū)11，參見圖3所示的背面結(jié)構(gòu)的第一實(shí)施例。鋁柵外框9的下方也可以不設(shè)有第二激光開槽區(qū)90，柵線脊骨10的下方也可以不設(shè)有第三激光開槽區(qū)11，參見圖2所示的背面結(jié)構(gòu)的第二實(shí)施例。

所述柵線脊骨的圖案為一條連續(xù)的直線或多個(gè)線段組成的虛線，圖2、3所示的柵線脊骨10為一條連續(xù)的直線，圖4所示的柵線脊骨10為多個(gè)線段組成的虛線。

當(dāng)其設(shè)有第二激光開槽區(qū)90時(shí)，所述第二激光開槽區(qū)90包括豎直或水平方向設(shè)置的第二激光開槽單元91，每一組第二激光開槽單元91包括一個(gè)或多個(gè)豎直或水平方向設(shè)置的第二激光開槽體92，所述鋁柵外框9與第二激光開槽體92垂直。具體結(jié)合圖7，所述第二激光開槽區(qū)90包括兩個(gè)豎直方向設(shè)置的第二激光開槽單元91A以及兩個(gè)水平方向設(shè)置的第二激光開槽單元91B，豎直方向設(shè)置的第二激光開槽單元91A包括多個(gè)水平方向設(shè)置的第二激光開槽體92，水平方向設(shè)置的第二激光開槽單元91B包括多個(gè)豎直方向設(shè)置的第二激光開槽體92。

當(dāng)其設(shè)有第二激光開槽區(qū)90時(shí)，可以不需要對(duì)鋁漿和第二激光開槽區(qū)實(shí)施精確對(duì)準(zhǔn)，簡(jiǎn)化了激光工藝和印刷工藝，降低了印刷設(shè)備調(diào)試的難度。另外，鋁漿覆蓋區(qū)以外的第二激光開槽區(qū)可以增加電池背表面對(duì)太陽光的吸收，提高電池的光電轉(zhuǎn)換效率。

當(dāng)柵線脊骨10的下方可以設(shè)有第三激光開槽區(qū)11時(shí)，如圖8所示，所述第三激光開槽區(qū)11包括多組第三激光開槽單元12，每一組第三激光開槽單元12包括一個(gè)或多個(gè)豎直方向設(shè)置的第三激光開槽體13，所述第三激光開槽體13與柵線脊骨10垂直，所述柵線脊骨10通過第三激光開槽體13與P型硅相連。

柵線脊骨10的下方設(shè)有第三激光開槽區(qū)11，可以不需要對(duì)漿料和第三激光開槽區(qū)11實(shí)施精確對(duì)準(zhǔn)，簡(jiǎn)化了激光工藝和印刷工藝，降低了印刷設(shè)備調(diào)試的難度。另外，漿料覆蓋區(qū)以外的第三激光開槽區(qū)11可以增加電池背表面對(duì)太陽光的吸收，提高電池的光電轉(zhuǎn)換效率。

優(yōu)選的，所述柵線脊骨10的根數(shù)為30-500條，所述柵線脊骨10的寬度為30-500微米，所述柵線脊骨10的寬度小于所述第三激光開槽體13的長(zhǎng)度，在柵線脊骨10與第三激光開槽體13垂直的情況下，可以極大的方便柵線脊骨10的印刷問題。不需要精確對(duì)準(zhǔn)，柵線脊骨10都可以落在第三激光開槽區(qū)11內(nèi)，簡(jiǎn)化了激光工藝和印刷工藝，降低了印刷設(shè)備調(diào)試的難度，易于產(chǎn)業(yè)化大生產(chǎn)。

所述柵線脊骨10既可以由銀漿制成，又可以由鋁漿制成。當(dāng)所述柵線脊骨10由銀漿制成時(shí)，其寬度為30-60微米；當(dāng)所述柵線脊骨10由鋁漿制成時(shí)，其寬度為50-500微米。

需要說明的是，第一激光開槽單元81有多種實(shí)施方式，包括：

（1）每一組第一激光開槽單元81包括一個(gè)水平方向設(shè)置的第一激光開槽體82，此時(shí)，第一激光開槽單元81為連續(xù)的直線開槽區(qū)，具體如圖6所示。多個(gè)第一激光開槽單元81沿著豎直方向排列布置。

（2）每一組第一激光開槽單元81包括多個(gè)水平方向設(shè)置的第一激光開槽體82，此時(shí)，第一激光開槽單元81為線段式非連續(xù)的直線開槽區(qū)，具體如圖5所示。該多個(gè)第一激光開槽體82可以是兩個(gè)、三個(gè)、四個(gè)或以上，但不限于此。多個(gè)第一激光開槽單元81沿著豎直方向排列布置。

當(dāng)每一組第一激光開槽單元81包括多個(gè)水平方向設(shè)置的第一激光開槽體82時(shí)，其分為以下幾種情況：

A、多個(gè)水平方向設(shè)置的第一激光開槽體82的寬度、長(zhǎng)度和形狀都是一樣的，其尺寸單位為微米級(jí)別，長(zhǎng)度可以為50-5000微米，但不限于此；需要說明的是，所述第一激光開槽體可以處于同一水平面上，也可以上下錯(cuò)開（即不在同一水平面）上，其錯(cuò)開分布的形貌根據(jù)生產(chǎn)需要而定。

B、多個(gè)水平方向設(shè)置的第一激光開槽體82的寬度、長(zhǎng)度和形狀都是一樣的，其尺寸單位為毫米級(jí)別，長(zhǎng)度可以為5-600毫米，但不限于此；需要說明的是，所述第一激光開槽體可以處于同一水平面上，也可以上下錯(cuò)開（即不在同一水平面）上，其錯(cuò)開分布的形貌根據(jù)生產(chǎn)需要而定。

C、多個(gè)水平方向設(shè)置的第一激光開槽體82的寬度、長(zhǎng)度和/或形狀不一樣的，其可以根據(jù)生產(chǎn)需要進(jìn)行組合設(shè)計(jì)。需要說明的是，所述第一激光開槽體可以處于同一水平面上，也可以上下錯(cuò)開（即不在同一水平面）上，其錯(cuò)開分布的形貌根據(jù)生產(chǎn)需要而定。

作為本發(fā)明優(yōu)選的實(shí)施方式，所述第一激光開槽體為直線型，方便加工，簡(jiǎn)化工藝，降低生產(chǎn)成本。所述第一激光開槽體也可以設(shè)置為其他形狀，例如曲線形、弧形、波浪形等，其實(shí)施方式并不局限于本發(fā)明所舉實(shí)施例。

所述第一激光開槽單元之間為平行設(shè)置，每一第一激光開槽單元中，所述第一激光開槽體為并列設(shè)置，可以簡(jiǎn)化生產(chǎn)工藝，適合大規(guī)模推廣應(yīng)用。

所述第一激光開槽單元之間的間距為0.5-50mm。每一第一激光開槽單元中，所述第一激光開槽體之間的間距為0.5-50mm。

所述第一激光開槽體82的長(zhǎng)度為50-5000微米，寬度為10-500微米。優(yōu)選的，所述第一激光開槽體82的長(zhǎng)度為250-1200微米，寬度為30-80微米。

第一激光開槽單元的長(zhǎng)度、寬度和間距和鋁柵的根數(shù)和寬度是在綜合考慮鋁柵與P型硅的接觸面積、鋁柵的遮光面積和充分搜集電子的的基礎(chǔ)上優(yōu)化而來，目的是盡可能降低背面鋁柵的遮光面積，同時(shí)保證好的電流輸出，進(jìn)而提升電池的整體光電轉(zhuǎn)換效率。

所述背鋁柵線的根數(shù)為30-500條，所述背鋁柵線的寬度為30-500微米，所述背鋁柵線的寬度遠(yuǎn)小于所述第一激光開槽體的長(zhǎng)度。優(yōu)選的，所述背鋁柵線的根數(shù)為80-220條，所述背鋁柵線的寬度為50-300微米。

所述背鋁柵線的寬度遠(yuǎn)小于所述第一激光開槽體的長(zhǎng)度，在鋁柵與第一激光開槽體垂直的情況下，可以極大的方便背鋁柵線的印刷問題。不需要精確對(duì)準(zhǔn)，鋁柵都可以落在第一激光開槽區(qū)內(nèi)，簡(jiǎn)化了激光工藝和印刷工藝，降低了印刷設(shè)備調(diào)試的難度，易于產(chǎn)業(yè)化大生產(chǎn)。

本發(fā)明通過對(duì)背面鈍化層通過激光開槽形成第一激光開槽區(qū)，然后沿著激光劃線方向的垂直方向印刷鋁漿，使鋁漿通過開槽區(qū)與P型硅相連，得到背鋁柵線。該P(yáng)ERC雙面太陽能電池通過在硅片正面和背面制備電池柵線結(jié)構(gòu)，采用不同于常規(guī)印刷鋁漿的方式，可以不需要對(duì)鋁漿和第一激光開槽區(qū)實(shí)施精確對(duì)準(zhǔn)，工藝簡(jiǎn)單，易于產(chǎn)業(yè)化大生產(chǎn)。鋁柵與第一激光開槽體平行，鋁漿和第一激光開槽區(qū)需要實(shí)施精確對(duì)準(zhǔn)，對(duì)印刷設(shè)備的精度和重復(fù)性要求很高，成品率難以得到控制，次品較多，造成平均光電轉(zhuǎn)換效率的下降。采用本發(fā)明，可以將成品率提高至99.5%。

進(jìn)一步，所述背面鈍化層3包括氧化鋁層31和氮化硅層32，所述氧化鋁層31與P型硅4連接，所述氮化硅層32與氧化鋁層31連接；

所述氮化硅層32的厚度為20-500nm；

所述氧化鋁層31的厚度為2-50nm。

優(yōu)選的，所述氮化硅層32的厚度為100-200nm；

所述氧化鋁層31的厚度為5-30nm。

相應(yīng)的，本發(fā)明還公開一種P型PERC雙面太陽能電池的制備方法，包括：

S101、在硅片正面和背面形成絨面，所述硅片為P型硅；

S102、對(duì)硅片進(jìn)行擴(kuò)散，形成N型發(fā)射極；

S103、去除擴(kuò)散過程形成的正面磷硅玻璃和周邊PN結(jié)；

S104、在硅片背面沉積三氧化二鋁膜；

S105、在硅片背面沉積氮化硅膜；

S106、在硅片正面沉積氮化硅膜；

S107、對(duì)硅片背面激光開槽，形成第一激光開槽區(qū)，所述第一激光開槽區(qū)包括多組水平方向設(shè)置的第一激光開槽單元，每一組第一激光開槽單元包括一個(gè)或多個(gè)水平方向設(shè)置的第一激光開槽體；

S108、在所述硅片背面印刷背銀主柵電極；

S109、在所述硅片背面，沿著激光開槽的垂直方向印刷鋁漿，得到背鋁柵線，所述背鋁柵線與第一激光開槽體垂直，并沿著背鋁柵線的四周印刷鋁漿，得到鋁柵外框；

S110、在所述硅片背面印刷柵線脊骨；

S111、在所述硅片正面印刷正電極漿料；

S112、對(duì)硅片進(jìn)行高溫?zé)Y(jié)，形成背銀電極和正銀電極。

S113、對(duì)硅片進(jìn)行抗LID退火。

需要說明的是，S106與S104、S105的順序可以互換，S106可以在S104、S105之前。S109中，背鋁柵線和鋁柵外框可分開兩個(gè)步驟完成。

S103和S104之間，還包括：對(duì)硅片背面進(jìn)行拋光。本發(fā)明可以設(shè)有背面拋光步驟，也可以不設(shè)有背面拋光步驟。

所述柵線脊骨由銀漿或鋁漿制成，當(dāng)柵線脊骨由銀漿制成時(shí)，S109和S110分開兩個(gè)步驟；當(dāng)柵線脊骨由鋁漿制成時(shí)，S109和S110合并為一個(gè)步驟。

所述柵線脊骨下方可以設(shè)有第二激光開槽區(qū)和第三激光開槽區(qū)，也可以不設(shè)有第二激光開槽區(qū)和第三激光開槽區(qū)。當(dāng)所述柵線脊骨下方可以設(shè)有第二激光開槽區(qū)和第三激光開槽區(qū)時(shí)，步驟（7）還包括：

對(duì)硅片背面激光開槽，形成第二激光開槽區(qū)和第三激光開槽區(qū)；

所述第二激光開槽區(qū)包括豎直或水平方向設(shè)置的第二激光開槽單元，每一組第二激光開槽單元包括一個(gè)或多個(gè)豎直或水平方向設(shè)置的第二激光開槽體；所述第二激光開槽體與鋁柵外框垂直；

所述第三激光開槽區(qū)包括多組第三激光開槽單元，每一組第三激光開槽單元包括一個(gè)或多個(gè)豎直方向設(shè)置的第三激光開槽體，所述第三激光開槽體與柵線脊骨垂直。

還需要說明的是，制備方法中的第一激光開槽區(qū)、第三激光開槽區(qū)和背鋁柵線、柵線脊骨、鋁柵外框的具體參數(shù)設(shè)定，同上所述，在此不再贅述。

相應(yīng)的，本發(fā)明還公開一種PERC太陽能電池組件，包括PERC太陽能電池和封裝材料，所述PERC太陽能電池是上述任一的P型PERC雙面太陽能電池。具體的，作為PERC太陽能電池組件的一實(shí)施例，其由上至下依次連接的高透鋼化玻璃、乙烯-醋酸乙烯共聚物EVA、PERC太陽能電池、乙烯-醋酸乙烯共聚物EVA和高透鋼化玻璃組成。

相應(yīng)的，本發(fā)明還公開一種PERC太陽能系統(tǒng)，包括PERC太陽能電池，所述PERC太陽能電池是上述任一的P型PERC雙面太陽能電池。作為PERC太陽能系統(tǒng)的一優(yōu)選實(shí)施例，包括PERC太陽能電池、蓄電池組，充放電控制器逆變器，交流配電柜和太陽跟蹤控制系統(tǒng)。其中，PERC太陽能系統(tǒng)可以設(shè)有蓄電池組、充放電控制器逆變器，也可以不設(shè)蓄電池組、充放電控制器逆變器，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以根據(jù)實(shí)際需要進(jìn)行設(shè)置。

需要說明的是，PERC太陽能電池組件、PERC太陽能系統(tǒng)中，除了P型PERC雙面太陽能電池之外的部件，參照現(xiàn)有技術(shù)設(shè)計(jì)即可。

下面以具體實(shí)施例進(jìn)一步闡述本發(fā)明

實(shí)施例1

（1）在硅片正面和背面形成絨面，所述硅片為P型硅；

（2）對(duì)硅片進(jìn)行擴(kuò)散，形成N型發(fā)射極；

（3）去除擴(kuò)散過程形成的正面磷硅玻璃和周邊PN結(jié)；

（4）在硅片背面沉積三氧化二鋁膜；

（5）在硅片背面沉積氮化硅膜；

（6）在硅片正面沉積氮化硅膜；

（7）對(duì)硅片背面激光開槽，形成第一激光開槽區(qū)，所述第一激光開槽區(qū)包括多組水平方向設(shè)置的第一激光開槽單元，每一組第一激光開槽單元包括一個(gè)或多個(gè)水平方向設(shè)置的第一激光開槽體，所述第一激光開槽體的長(zhǎng)度為1000微米，寬度為40微米；

（8）在所述硅片背面印刷背銀主柵電極；

（9）在所述硅片背面，沿著激光開槽的垂直方向印刷鋁漿，得到背鋁柵線，所述背鋁柵線與第一激光開槽體垂直，背鋁柵線的根數(shù)為150條，所述背鋁柵線的寬度為150微米，并沿著背鋁柵線的四周印刷鋁漿，得到鋁柵外框，鋁柵外框的尺寸與背鋁柵線一致；

（10）在所述硅片背面印刷柵線脊骨，所述柵線脊骨選用銀漿，所述柵線脊骨的根數(shù)為140條，寬度為60微米；

（11）在所述硅片正面印刷正電極漿料；

（12）對(duì)硅片進(jìn)行高溫?zé)Y(jié)，形成背銀電極和正銀電極。

（13）對(duì)硅片進(jìn)行抗LID退火。

實(shí)施例2

（1）在硅片正面和背面形成絨面，所述硅片為P型硅；

（2）對(duì)硅片進(jìn)行擴(kuò)散，形成N型發(fā)射極；

（3）去除擴(kuò)散過程形成的正面磷硅玻璃和周邊PN結(jié)，并對(duì)硅片背面進(jìn)行拋光；

（4）在硅片背面沉積三氧化二鋁膜；

（5）在硅片背面沉積氮化硅膜；

（6）在硅片正面沉積氮化硅膜；

（7）對(duì)硅片背面激光開槽，形成第一激光開槽區(qū)、第二激光開槽區(qū)和第三激光開槽區(qū)，所述第一激光開槽區(qū)包括多組水平方向設(shè)置的第一激光開槽單元，每一組第一激光開槽單元包括一個(gè)或多個(gè)水平方向設(shè)置的第一激光開槽體，所述第一激光開槽體的長(zhǎng)度為500微米，寬度為50微米；

所述第二激光開槽區(qū)包括豎直或水平方向設(shè)置的第二激光開槽單元，每一組第二激光開槽單元包括一個(gè)或多個(gè)豎直或水平方向設(shè)置的第二激光開槽體；所述第二激光開槽體與鋁柵外框垂直，所述第二激光開槽體的長(zhǎng)度為500微米，寬度為50微米；

所述第三激光開槽區(qū)包括多組第三激光開槽單元，每一組第三激光開槽單元包括一個(gè)或多個(gè)豎直方向設(shè)置的第三激光開槽體，所述第三激光開槽體的長(zhǎng)度為500微米，寬度為50微米；

（8）在所述硅片背面印刷背銀主柵電極；

（9）在所述硅片背面，沿著激光開槽的垂直方向印刷鋁漿，得到背鋁柵線，所述背鋁柵線與第一激光開槽體垂直，背鋁柵線的根數(shù)為200條，所述背鋁柵線的寬度為200微米，并沿著背鋁柵線的四周印刷鋁漿，得到鋁柵外框，鋁柵外框的尺寸與背鋁柵線一致，鋁柵外框與第二激光開槽體垂直；

（10）在所述硅片背面印刷柵線脊骨，所述柵線脊骨選用銀漿，所述柵線脊骨的根數(shù)為190條，寬度為50微米，柵線脊骨與第三激光開槽體垂直；

（11）在所述硅片正面印刷正電極漿料；

（12）對(duì)硅片進(jìn)行高溫?zé)Y(jié)，形成背銀電極和正銀電極。

（13）對(duì)硅片進(jìn)行抗LID退火。

實(shí)施例3

（1）在硅片正面和背面形成絨面，所述硅片為P型硅；

（2）對(duì)硅片進(jìn)行擴(kuò)散，形成N型發(fā)射極；

（3）去除擴(kuò)散過程形成的正面磷硅玻璃和周邊PN結(jié)；

（4）在硅片背面沉積三氧化二鋁膜；

（5）在硅片背面沉積氮化硅膜；

（6）在硅片正面沉積氮化硅膜；

（7）對(duì)硅片背面激光開槽，形成第一激光開槽區(qū)，所述第一激光開槽區(qū)包括多組水平方向設(shè)置的第一激光開槽單元，每一組第一激光開槽單元包括一個(gè)或多個(gè)水平方向設(shè)置的第一激光開槽體，所述第一激光開槽體的長(zhǎng)度為300微米，寬度為30微米；

（8）在所述硅片背面印刷背銀主柵電極；

（9）在所述硅片背面，沿著激光開槽的垂直方向印刷鋁漿，得到背鋁柵線，并沿著背鋁柵線的垂直方向印刷柵線脊骨，所述柵線脊骨選用鋁漿，背鋁柵線與第一激光開槽體垂直，背鋁柵線的根數(shù)為250條，背鋁柵線的寬度為250微米，脊骨的根數(shù)為240條，寬度為100微米，并沿著背鋁柵線的四周印刷鋁漿，得到鋁柵外框，鋁柵外框的尺寸與背鋁柵線一致；

（10）在所述硅片正面印刷正電極漿料；

（11）對(duì)硅片進(jìn)行高溫?zé)Y(jié)，形成背銀電極和正銀電極。

（12）對(duì)硅片進(jìn)行抗LID退火。

實(shí)施例4

（1）在硅片正面和背面形成絨面，所述硅片為P型硅；

（2）對(duì)硅片進(jìn)行擴(kuò)散，形成N型發(fā)射極；

（3）去除擴(kuò)散過程形成的正面磷硅玻璃和周邊PN結(jié)，并對(duì)硅片背面進(jìn)行拋光；

（4）在硅片背面沉積三氧化二鋁膜；

（5）在硅片背面沉積氮化硅膜；

（6）在硅片正面沉積氮化硅膜；

（7）對(duì)硅片背面激光開槽，形成第一激光開槽區(qū)、第二激光開槽區(qū)和第三激光開槽區(qū)，所述第一激光開槽區(qū)包括多組水平方向設(shè)置的第一激光開槽單元，每一組第一激光開槽單元包括一個(gè)或多個(gè)水平方向設(shè)置的第一激光開槽體，所述第一激光開槽體的長(zhǎng)度為1200微米，寬度為200微米；

所述第二激光開槽區(qū)包括豎直或水平方向設(shè)置的第二激光開槽單元，每一組第二激光開槽單元包括一個(gè)或多個(gè)豎直或水平方向設(shè)置的第二激光開槽體；所述第二激光開槽體與鋁柵外框垂直，所述第二激光開槽體的長(zhǎng)度為1200微米，寬度為200微米；

所述第三激光開槽區(qū)包括多組第三激光開槽單元，每一組第三激光開槽單元包括一個(gè)或多個(gè)豎直方向設(shè)置的第三激光開槽體，所述第三激光開槽體的長(zhǎng)度為1200微米，寬度為200微米；

（8）在所述硅片背面印刷背銀主柵電極；

（9）在所述硅片背面，沿著激光開槽的垂直方向印刷鋁漿，得到背鋁柵線，并沿著背鋁柵線的垂直方向印刷柵線脊骨，沿著背鋁柵線的四周印刷鋁柵外框，所述柵線脊骨選用鋁漿，背鋁柵線與第一激光開槽體垂直，鋁柵外框的尺寸與背鋁柵線一致，鋁柵外框與第二激光開槽體垂直，柵線脊骨與第三激光開槽體垂直，背鋁柵線的根數(shù)為300條，背鋁柵線的寬度為300微米，脊骨的根數(shù)為280條，寬度為200微米；

（10）在所述硅片正面印刷正電極漿料；

（11）對(duì)硅片進(jìn)行高溫?zé)Y(jié)，形成背銀電極和正銀電極。

（12）對(duì)硅片進(jìn)行抗LID退火。

最后所應(yīng)當(dāng)說明的是，以上實(shí)施例僅用以說明本發(fā)明的技術(shù)方案而非對(duì)本發(fā)明保護(hù)范圍的限制，盡管參照較佳實(shí)施例對(duì)本發(fā)明作了詳細(xì)說明，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解，可以對(duì)本發(fā)明的技術(shù)方案進(jìn)行修改或者等同替換，而不脫離本發(fā)明技術(shù)方案的實(shí)質(zhì)和范圍。