1.一種提高氮化鎵基功率器件擊穿電壓的外延方法，其特征在于，包括：
提供襯底；
采用原子層沉積工藝，在所述襯底表面形成緩沖層；
在所述緩沖層表面形成氮化鎵層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的提高氮化鎵基功率器件擊穿電壓的外延方法，其特征在于，所述緩沖層的材料包括：三氧化二鋁、氧化鉿、氧化鈦、氮化鈦、氮化鋁、氮化鋁鎵或氮化鎵中的一種或多種。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的提高氮化鎵基功率器件擊穿電壓的外延方法，其特征在于，所述緩沖層為單層或多層結(jié)構(gòu)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的提高氮化鎵基功率器件擊穿電壓的外延方法，其特征在于，所述原子層沉積工藝的反應(yīng)腔內(nèi)真空度為1×10-4Pa～5×10-4Pa，加熱溫度為250℃～800℃，時(shí)間為1min～20min。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的提高氮化鎵基功率器件擊穿電壓的外延方法，其特征在于，所述緩沖層的厚度為1nm～100nm。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的提高氮化鎵基功率器件擊穿電壓的外延方法，其特征在于，所述氮化鎵層的形成方法包括：金屬有機(jī)物化學(xué)氣相沉積工藝、分子束外延工藝、氫化物氣相外延工藝或原子層外延工藝中的一種或多種。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的提高氮化鎵基功率器件擊穿電壓的外延方法，其特征在于，采用金屬有機(jī)物化學(xué)氣相沉積工藝形成所述氮化鎵層，生長(zhǎng)溫度為1100℃～1150℃，反應(yīng)物包括三甲基鎵和氨氣，所述三甲基鎵的流量為5slm～50slm、所述氨氣的流量為80μmol/min～220μmol/min，載氣為氫氣和氮?dú)?，流量?0slm～80slm。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的提高氮化鎵基功率器件擊穿電壓的外延方法，其特征在于，所述襯底材料包括藍(lán)寶石、碳化硅、硅、氧化鋅、氧化鋁、鋁酸鋰或氮化鎵中的一種或多種。