本申請要求于2016年3月11日提交的第62/307,360號美國專利申請的優(yōu)先權(quán)權(quán)益和2016年10月10日提交的第15/289,951號美國專利申請的優(yōu)先權(quán)權(quán)益，所述美國專利申請通過引用包含于此。

本公開總體上涉及半導(dǎo)體裝置，更具體地，涉及形成具有不同的溝道應(yīng)變的納米級場效應(yīng)晶體管(fet)裝置的方法。

背景技術(shù)：

半導(dǎo)體裝置的一個基本組件是通常被稱為fet的晶體管。存在各種類型的fet裝置，并且fet裝置的功能、組成和用途不同。通常用于半導(dǎo)體裝置中的一種類型的fet裝置是金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(mosfet)。mosfet裝置通常具有兩種不同類型：p溝道m(xù)osfet(pmos)裝置和n溝道m(xù)osfet(nmos)裝置。數(shù)字數(shù)據(jù)處理裝置可以包括以互補的金屬氧化物半導(dǎo)體(cmos)布置而設(shè)置的pmos和nmos裝置的組合。先進的半導(dǎo)體裝置中的晶體管尺寸約束已需要更緊湊的晶體管設(shè)計和拓撲結(jié)構(gòu)。一種這樣的設(shè)計包括具有被組合以提供用于數(shù)字應(yīng)用的可縮放的cmos電路的多柵極結(jié)構(gòu)的晶體管裝置。

一些半導(dǎo)體裝置使用用于晶體管裝置的水平納米片(hns)或水平納米線(hnw)形狀的溝道，這里將分別稱其為hns裝置或hnw裝置。在hns裝置中，裝置的溝道中的至少一些成形為被環(huán)柵結(jié)構(gòu)(gate-allaroundstructure)圍繞的納米片。納米片是具有通常在約2nm至約10nm范圍內(nèi)的一個縮放尺寸的結(jié)構(gòu)，然而其它尺寸可以更大(例如，在大約10nm至大約100nm的范圍內(nèi))。當(dāng)在由環(huán)柵結(jié)構(gòu)圍繞的mos裝置的溝道中使用時，hns可以具有通常具有較小尺寸(例如，約2nm至約10nm)和更大的尺寸(例如，約10nm至約100nm)的橫截面(垂直于溝道中的電流流動的方向)。當(dāng)hns的橫截面的兩個尺寸相似(例如，都在約2nm至約10nm的范圍內(nèi))時，它被稱為nw。盡管主要關(guān)于hns裝置描述了本實施例，但是應(yīng)當(dāng)理解的是，這里公開的實施例可以等同地應(yīng)用于hnw裝置。在制造hns或hnw結(jié)構(gòu)的工藝期間，可以在裝置的溝道中引入應(yīng)變。應(yīng)變可以是在制造結(jié)構(gòu)中使用的材料和工藝順序的物理或機械結(jié)果。另外，由hns或hnw結(jié)構(gòu)的物理尺寸的變化會引起不同的應(yīng)變。應(yīng)變參數(shù)的變化可能影響裝置的性能。根據(jù)裝置構(gòu)造和應(yīng)變參數(shù)的值，效果可能是不利的，或者可以增強裝置的性能。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

提出了在納米級hns或hnw半導(dǎo)體裝置上形成不同的應(yīng)變的方法。在實施例中，半導(dǎo)體裝置包括：n溝道組件，可以包括第一水平納米片(hns)堆疊件和第一源極/漏極結(jié)構(gòu)，其中，第一hns堆疊件可以包括在下層上的具有多個第一犧牲層的第一柵極結(jié)構(gòu)和至少一個第一溝道層，第一犧牲層可以與下層接觸，每個第一溝道層可以與至少一個第一犧牲層接觸，第一源極/漏極結(jié)構(gòu)可以設(shè)置在由第一hns堆疊件形成的溝道長度的一端處，第一內(nèi)部間隔件可以設(shè)置在至少一個第一犧牲層與第一源極/漏極結(jié)構(gòu)之間，其中，第一內(nèi)部間隔件具有第一長度；以及p溝道組件，可以包括第二hns堆疊件和第二源極/漏極結(jié)構(gòu)，其中，第二hns堆疊件可以包括位于下層上的具有多個第二犧牲層的第二柵極結(jié)構(gòu)和至少一個第二溝道層，第二犧牲層可以與下層接觸，每個第二溝道層可以與至少一個第二犧牲層接觸，第二源極/漏極結(jié)構(gòu)可以設(shè)置在由第二hns堆疊件形成的溝道長度的一端處，第二內(nèi)部間隔件可以設(shè)置在至少一個第二犧牲層和第二源極/漏極結(jié)構(gòu)之間，其中，第二內(nèi)部間隔件具有比第一長度大的第二長度。在一個實施例中，第一長度可以比第二長度小約2nm至約5nm(包括端值)。在另一實施例中，每個第一溝道層中的應(yīng)變可以包括拉伸應(yīng)變，每個第二溝道層中的應(yīng)變可以包括中性應(yīng)變或壓縮應(yīng)變。

在實施例中，形成半導(dǎo)體裝置的方法可以包括：形成用于n溝道組件的第一水平納米片(hns)堆疊件，其中，第一hns堆疊件可以包括位于下層上的多個第一犧牲層和至少一個第一溝道層，其中，第一犧牲層可以與下層接觸，每個第一溝道層可以與至少一個第一犧牲層接觸，第一犧牲層可以由sige形成，至少一個第一溝道層可以由si形成；形成用于p溝道組件的第二hns堆疊件，其中，第二hns堆疊件可以包括位于下層上的多個第二犧牲層和至少一個第二溝道層，第二犧牲層可以與下層接觸，其中，每個第二溝道層可以與至少一個第二犧牲層接觸，第二犧牲層可以由sige形成，至少一個第二溝道層可以由si形成；形成第一源極/漏極凹部和第二源極/漏極凹部，其中，可以在由第一hns堆疊件形成的溝道的端部處設(shè)置第一源極/漏極凹部，可以在由第二hns堆疊件形成的溝道的端部處設(shè)置第二源極/漏極凹部；在第一犧牲層與第一溝道層之間的第一源極/漏極凹部中的至少一個內(nèi)形成第一內(nèi)部間隔件凹部，其中，第一內(nèi)部間隔件凹部具有第一長度；在第二犧牲層與第二溝道層之間的第二源極/漏極凹部中的至少一個內(nèi)形成第二內(nèi)部間隔件凹部，其中，第二內(nèi)部間隔件凹部具有比第一長度大的第二長度。

在實施例中，形成半導(dǎo)體裝置的方法可以包括：形成用于n溝道組件的第一水平納米片(hns)堆疊件，其中，第一hns堆疊件可以包括位于下層上的多個第一犧牲層和至少一個第一溝道層，第一犧牲層可以與下層接觸，每個第一溝道層可以與至少一個第一犧牲層接觸，第一犧牲層可以由sige形成，至少一個第一溝道層可以由si形成，其中，每個第一犧牲層可以包括第一ge百分比含量；形成用于p溝道組件的第二hns堆疊件，其中，第二hns堆疊件可以包括位于下層上的多個第二犧牲層和至少一個第二溝道層，第二犧牲層可以與下層接觸，每個第二溝道層可以與至少一個第二犧牲層接觸，第二犧牲層可以由sige形成，至少一個第二溝道層可以由si形成，其中，每個第二犧牲層具有第二ge百分比含量，其中，第二ge百分比含量可以小于或等于第一ge百分比含量；形成第一源極/漏極凹部和第二源極/漏極凹部，其中，可以在由第一hns堆疊件形成的溝道的端部處設(shè)置第一源極/漏極凹部，可以在由第二hns堆疊件形成的溝道的端部處設(shè)置第二源極/漏極凹部；在第一犧牲層與第一溝道層之間的第一源極/漏極凹部中的至少一個內(nèi)形成至少一個第一內(nèi)部間隔件凹部；在第二犧牲層與第二溝道層之間的第二源極/漏極凹部中的至少一個內(nèi)形成第二內(nèi)部間隔件凹部。

附圖說明

通過示例的方式示出本發(fā)明，并且本發(fā)明不受附圖的限制，在附圖中，同樣的標記表示相似的元件。附圖中的元件是為了簡單和清楚而示出的，并且不一定按比例繪制。

圖1描繪了根據(jù)這里公開的主題的形成具有變化的溝道應(yīng)變的納米級半導(dǎo)體裝置的方法的一個實施例的流程圖。

圖2a和圖2b分別描繪了根據(jù)這里公開的主題的在制造的一個階段中的用于nmos組件和用于pmos組件的hns堆疊件的實施例的剖視圖。

圖3a和圖3b分別描繪了根據(jù)這里公開的主題的在制造的另一階段中的用于nmos組件和用于pmos組件的hns堆疊件的實施例的剖視圖。

圖4a和圖4b分別描述了根據(jù)這里公開的主題的在制造的又一階段中的用于nmos組件和用于pmos組件的hns堆疊件的實施例的剖視圖。

圖5a和圖5b分別描述了根據(jù)這里公開的主題的在制造的又一階段中的用于nmos組件和用于pmos組件的hns堆疊件的實施例的剖視圖。

圖6a和圖6b分別描述了根據(jù)這里公開的主題的在制造的又一階段中的用于nmos組件和用于pmos組件的hns堆疊件的實施例的剖視圖。

圖7描述了根據(jù)這里公開的主題的包括hns堆疊件的實施例的電子系統(tǒng)的框圖。

具體實施方式

這里描述了用于制造具有hns或hnw溝道的半導(dǎo)體裝置的方法和系統(tǒng)的實施例。公開的實施例可以適用于許多不同的溝道材料系統(tǒng)，但是尤其適用于硅(si)溝道hns或hnw裝置。有利地，公開的實施例可以考慮到cmos裝置的pmos組件和nmos組件中的不同應(yīng)變。在一個具體的實施例中，pmos組件中的應(yīng)變可以接近中性或可以為壓縮的，而nmos組件中的應(yīng)變可以為拉伸的。在一個實施例中，基本上相同的溝道材料可以用于nmos和pmos組件兩者，但是由于用于形成內(nèi)部間隔件的犧牲層的凹部的變化的厚度，兩個組件中的應(yīng)變可以不同。例如，nmos組件中的拉伸應(yīng)變可以比pmos組件中的拉伸應(yīng)變大。類似地，pmos組件中的壓縮應(yīng)變可以比nmos組件中的壓縮應(yīng)變大。在又一個實施例中，nmos組件可以具有拉伸溝道應(yīng)變，pmos組件可以具有中性或壓縮溝道應(yīng)變。

圖1描繪了根據(jù)這里公開的主題的形成具有變化的溝道應(yīng)變的納米級半導(dǎo)體裝置的方法100的一個實施例的流程圖。在實施例中，方法100可以包括形成用于半導(dǎo)體裝置的hns堆疊件，其中，hns堆疊件包括至少一個溝道層和至少一個犧牲層，如在框101所指示的。在框102，hns堆疊件可以被圖案化并且被蝕刻以限定hns裝置的寬度(即，如沿著存在于附圖中的圖2a-6b描繪的j軸所測量的)。在框103，可以在圖案化的hns堆疊件上形成虛設(shè)柵極結(jié)構(gòu)。另外，在框104，可以在與柵極結(jié)構(gòu)相鄰的一個或更多個區(qū)域中去除hns堆疊件的一部分以形成一個或更多個源極腔和/或漏極腔。在框105，可以選擇性地蝕刻hns堆疊件的犧牲層的一部分以在犧牲層中形成凹部，其中，在該犧牲層中，凹部的深度可以限定hns結(jié)構(gòu)的應(yīng)變參數(shù)。另外，在框106，可以在凹部中沉積間隔件材料，從而在犧牲層凹陷的區(qū)域中形成間隔件(這里被稱為“內(nèi)部間隔件”)。方法100可以被包括在hns或hnw裝置的制造流程中，如此，可以在額外的操作和/或工藝之前和/或之后。例如，可以用于完成hns裝置的制造的操作和/或工藝可以包括源-漏區(qū)的再生長和替換柵極工藝。在替換柵極工藝期間，可以從溝道層選擇性地去除犧牲層的留在結(jié)構(gòu)中的部分。盡管在方法中描述了與這里公開的主題相關(guān)的關(guān)鍵操作，但是可以在公開的操作之間使用額外的操作和/或工藝，以適于hns裝置的制造。

應(yīng)該理解的是，圖1中描繪的方法的詳細的實施方式可以根據(jù)方法是否用于形成pmos組件或nmos組件和根據(jù)是否形成hnw或hns而變化。具體設(shè)計工藝參數(shù)和材料可以根據(jù)將要形成的半導(dǎo)體裝置的具體的應(yīng)用和特性而變化。結(jié)合針對nmos裝置的圖2a至圖6a以及針對pmos裝置的圖2b至圖6b來分別描述方法100的另一實施例。應(yīng)該理解的是，對于nmos組件和pmos組件兩者而言可以同時執(zhí)行導(dǎo)致圖2a至圖6b中描繪的結(jié)構(gòu)的某些操作，而可以單獨執(zhí)行對于nmos組件和pmos組件的其它操作。實際上，因為用于制造nmos組件的材料和工藝參數(shù)可以不同于用于制造pmos組件的材料和工藝參數(shù)，所以與用于pmos組件的工藝流程分開地執(zhí)行用于nmos組件的工藝流程的一些操作是常見的。

圖2a和圖2b分別描繪了根據(jù)這里公開的主題的在制造的一個階段中的用于nmos組件和用于pmos組件的hns堆疊件的實施例的剖視圖。更具體地，圖2a中描繪的hns堆疊件的實施例表示可以用于制造半導(dǎo)體裝置的nmos組件的hns堆疊件。在實施例中，可以在基底或下層201上形成圖2a的hns堆疊件。在實施例中，圖2a的hns堆疊件可以包括多個犧牲層202、206和210以及置于多個犧牲層202、206和210之間的多個溝道層204和208?？梢砸越惶娴捻樞蛐纬蔂奚鼘?02、206和210以及溝道層204和208，其中，在基底或下層201上直接形成犧牲層。如圖2a中所描繪的，犧牲層202、206和210以及溝道層204和208均基本上平行于由i軸和j軸形成的平面。犧牲層202、206和210以及溝道層204和208中的每個具有在基本上平行于k軸的方向上測量的厚度。在一個實施例中，犧牲層202、206和210可以由硅鍺(si1-xgex)材料形成。在這樣的實施例中，溝道層204和208可以由si材料形成。應(yīng)該理解的是，盡管圖2a中僅描繪了三個犧牲層和兩個溝道層作為形成用于nmos組件的hns堆疊件，但是根據(jù)這里公開的主題的hns堆疊件可以包括比圖2a中描繪的多或少的犧牲層和溝道層。

圖2b中描繪的hns堆疊件的實施例表示可以用于制造半導(dǎo)體裝置的pmos組件的hns堆疊件。在實施例中，在基底或下層201上形成堆疊件。在實施例中，圖2b的hns堆疊件可以包括多個犧牲層212、216和220以及置于多個犧牲層212、216和220之間的多個溝道層214和218。犧牲層212、216和220以及溝道層214和218可以以交替的順序形成，其中，在基底或下層201上直接形成犧牲層。如圖2b中所描繪的，犧牲層212、216和220以及溝道層214和218均基本上平行于由i軸和j軸形成的平面。犧牲層212、216和220以及溝道層214和218中的每個具有在基本上平行于k軸的方向上測量的厚度。在一個實施例中，犧牲層212、216和220可以由硅鍺(si1-ygey)材料形成。在這樣的實施例中，溝道層214和218可以由si材料形成。應(yīng)該理解的是，盡管圖2b中僅描繪了三個犧牲層和兩個溝道層作為形成用于pmos組件的hns堆疊件，但是根據(jù)這里公開的主題的hns堆疊件可以包括比圖2b中描繪的多或少的犧牲層和溝道層。

在一些實施例中，可以具有僅一個堆疊件沉積，即，可以針對nfet裝置和pfet裝置沉積相同的堆疊件。在nmoshns堆疊件和pmoshns堆疊件二者使用硅鍺犧牲層的一些實施例中，可以存在多于一個的堆疊件沉積，使得至少一些nfet裝置在犧牲層中具有與pfet裝置不同(即，更大)的ge含量。在這樣的實施例中，在制造流程中的不同步驟執(zhí)行堆疊件沉積并且使堆疊件沉積掩模化。在一些實施例中，形成圖2a的nfet堆疊件和圖2b的pfet堆疊件的材料可以包括上面描述的材料成分，其中，x可以與y不同以及x可以大于y。x和y的選擇可以導(dǎo)致在nfet裝置的溝道中的拉伸應(yīng)變比在pfet裝置的溝道中的拉伸應(yīng)變大。

在圖3a和圖3b中描繪的制造的階段，柵極結(jié)構(gòu)314a至314c和334a至334c分別形成在用于nmos組件的hns堆疊件和用于pmos組件的hns堆疊件上方。在這樣的實施例中，柵極結(jié)構(gòu)314a至314c和334a至334c可以是虛設(shè)柵極。圖3a中描繪的第一組柵極結(jié)構(gòu)314a至314c可以包括諸如氧化物材料的絕緣體層302、多晶硅層308和諸如氮化硅材料的覆蓋層312。柵極結(jié)構(gòu)314a至314c還可以包括間隔件304。類似地，圖3b中描繪的柵極結(jié)構(gòu)334a至334c可以包括絕緣體層322、多晶硅層328、覆蓋層332和間隔件324。

在一些實施例中，相同的工藝適用于nfet裝置和pfet裝置。在其它實施例中，用于nfet和pfet的工藝可以不同，并可以適用于制造期間的不同的操作點處(即，使用其它類型的掩模化的裝置)。在一些實施例中，如果期望(例如，為了匹配hns堆疊件中的內(nèi)部間隔件厚度)，則間隔件304和324的厚度可以在nfet或pfet中不同。

在圖4a和圖4b中描繪的制造的階段，分別在與柵極結(jié)構(gòu)314a至314c和334a至334c相鄰的區(qū)域中蝕刻腔或凹部402。即，分別在k軸方向上蝕刻hns堆疊件以形成凹部402。凹部402可以用于制造的后面的操作中以形成源/漏區(qū)。在一些實施例中，凹部402可以達到基底201。如可以在圖4a和圖4b中可見，在i軸方向上測量hns堆疊件的溝道長度。

在使用具有si溝道層和硅鍺犧牲層的hns堆疊件的實施例中，在形成源極腔和漏極腔或凹部402期間在溝道層中可以由犧牲層引入拉伸應(yīng)變。源極凹部和漏極凹部402的形成可以導(dǎo)致堆疊件的彈性弛豫，這導(dǎo)致溝道層中的拉伸應(yīng)變。

在實施例中，如圖5a和圖5b中所描繪的，可以在i軸方向上選擇性地回蝕nmos組件的犧牲層202、206和210以及pmos組件的犧牲層212、216和220，以在溝道層之間的犧牲層中形成凹部502。如在i軸方向上測量的凹部502的長度或深度可以與溝道層204、208、214和218在i軸方向上的長度與對應(yīng)的蝕刻的犧牲層202、206、210、212、216和220的在i軸方向上的長度的差有關(guān)。在實施例中，圖5a的nmos組件中的凹部502沿i軸方向的長度或深度504可以小于圖5b的pmos組件中的凹部502沿i軸方向的長度或深度506。

用于內(nèi)部間隔件形成的犧牲層凹部502可以在用于nfet裝置和pfet裝置的流程的不同操作中執(zhí)行。用于pmos組件的犧牲層凹部502的較長長度或深度506可以有助于部分地釋放pfet組件的溝道中的不期望的拉伸應(yīng)變。用于nmos組件的犧牲層凹部502的減小的長度或深度504可以導(dǎo)致nfet組件的溝道中的拉伸應(yīng)變的相對較小的釋放，導(dǎo)致nfet組件具有比pfet組件高的拉伸應(yīng)變。

圖6a和圖6b分別描繪了根據(jù)這里公開的主題的在凹部502中已經(jīng)形成內(nèi)部間隔件之后的用于nmos組件和用于pmos組件的hns堆疊件的實施例的剖視圖。在圖6a中，可以形成在凹部502中具有如在i軸方向上測量的第一厚度(或“長度”)604的nmos間隔件602。類似地，在圖6b中示出了pmos間隔件612，其具有如在i軸方向上測量的比nmos間隔件602的第一厚度604大的第二厚度(或“長度”)606。在一個實施例中，通過回蝕nmos間隔件602，間隔件的厚度604可以小于凹陷的厚度504。類似地，pmos間隔件612可以比凹部502薄。在沒有執(zhí)行間隔件凹陷的實施例中，nmos間隔件的厚度604可以基本上等于nmos犧牲層凹部504的厚度，pmos間隔件的厚度606可以基本上等于pmos犧牲層凹部506的厚度。

在描述的實施例中，可以通過犧牲層的ge含量以及nmos和pmos凹部的厚度504、506的組合來分別調(diào)整或預(yù)先確定裝置的拉伸或壓縮應(yīng)變。在一個實施例中，犧牲層中的ge含量在nfet裝置中可以比在pfet裝置中高至少5％。在一個實施例中，長度504和506的差可以在約1nm至約5nm的范圍中。

在描述的操作之后，制造hns裝置的制造流程如已知的繼續(xù)進行。隨后的操作包括在源極腔和漏極腔內(nèi)形成源極結(jié)構(gòu)和漏極結(jié)構(gòu)。這可以通過源極腔和漏極腔內(nèi)的源極和漏極的外延再生長而在一些實施例中實現(xiàn)，并且可以在一些實施例中實現(xiàn)源極結(jié)構(gòu)和漏極結(jié)構(gòu)超出這些腔的的過度生長。在一些實施例中，源極結(jié)構(gòu)和漏極結(jié)構(gòu)可以生長為松弛的，使得溝道中的應(yīng)變可以在源極和漏極生長期間不改變。在其它實施例中，源極和漏極再生長可以被設(shè)計為當(dāng)其有利于特定裝置時增加溝道中的應(yīng)變。

制造流程可以包括在隨后的操作中的替換柵極工藝，在此期間可以從溝道層選擇性地去除犧牲層(所謂的“納米片釋放”工藝)。在納米片釋放工藝期間，溝道中的小部分的應(yīng)變可以通過源極結(jié)構(gòu)和漏極結(jié)構(gòu)的重新分布而損失，但是大部分的溝道應(yīng)變被保持。圍繞溝道層的柵極堆疊件的形成可以在納米片釋放之后。可以包括額外的制造步驟以完成hns裝置和電路的制造。

圖7描繪了包括根據(jù)這里公開的主題的hns堆疊件的實施例的電子系統(tǒng)700的框圖。參照圖7，電子系統(tǒng)700可以包括控制器710、輸入/輸出(i/o)裝置704、存儲器裝置706、接口708和總線702。控制器710、i/o裝置704、存儲器裝置706和/或接口708可以通過總線702彼此連接?？偩€702可以用作用于發(fā)送數(shù)據(jù)的路徑。

控制器710可以包括微處理器、數(shù)字信號處理器、微控制器和能夠執(zhí)行與微處理器、數(shù)字信號處理器和微控制器類似的功能的邏輯裝置中的至少一種。i/o裝置704可以包括小鍵盤、鍵盤和顯示裝置。存儲器裝置706可以存儲數(shù)據(jù)和/或命令。接口708可以用于向通信網(wǎng)絡(luò)發(fā)送數(shù)據(jù)或從通信網(wǎng)絡(luò)接收數(shù)據(jù)。接口708可以是有線或無線接口。在示例中，接口708可以包括天線或有線或無線收發(fā)器。

雖然在圖中未示出，但是電子系統(tǒng)700可以是用于改善控制器710的操作的操作存儲器，并且還可以包括高速dram或sram。這里，根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的上述實施例的半導(dǎo)體裝置中的任意一個可以用作操作存儲器。另外，根據(jù)上述實施例的半導(dǎo)體裝置中的任意一個可以設(shè)置在存儲器裝置706中、接口708中、控制器710中或i/o裝置704中。

電子系統(tǒng)700可以應(yīng)用于能夠在無線環(huán)境中發(fā)送或接收信息的幾乎所有類型的電子產(chǎn)品，諸如個人數(shù)字助理(pda)、便攜式計算機、網(wǎng)絡(luò)平板電腦、無線電話、移動電話、數(shù)字音樂播放器、存儲卡等。

盡管這里參照具體的實施例描述了這里公開的主題，但是在不脫離權(quán)利要求的范圍的情況下，可以進行各種修改和改變。因此，說明書和附圖將被認為是說明性的而不是限制性的，并且所有這樣的修改意圖被包括在所要求保護的主題的范圍內(nèi)。這里關(guān)于具體實施例所描述的問題的任何益處、優(yōu)點或解決方案不意圖被解釋為任何或所有權(quán)利要求的關(guān)鍵的、必需的或必要的特征或元素。

除非另有說明，否則使用諸如“第一”和“第二”的術(shù)語以任意地區(qū)分這樣的術(shù)語描述的元件。因此，這些術(shù)語不一定意圖指示這些元件的時間或其他優(yōu)先級。術(shù)語“結(jié)合”或“可操作結(jié)合”被定義為連接，盡管不一定是直接連接，并且不一定是機械連接。除非另有說明，否則術(shù)語“一個/種”被定義為一個或更多個。術(shù)語“包含”(和任何形式的包含，諸如“包含”的變型)、“具有”(和任何形式的具有，諸如“具有”的變型)、“包括”(和任何形式的包括，諸如“包括”的變型)以及“含有”(和任何形式的含有，諸如“含有”的變型)是開放式連接動詞。因此，“包含”、“具有”、“包括”或“含有”一個或更多個元件的系統(tǒng)、裝置或設(shè)備擁有那些一個或更多個元件，但不限于僅擁有那些一個或更多個元件。類似地，“包含”、“具有”、“包括”或“含有”一個或更多個操作的方法或工藝擁有那些一個或更多個操作，但不限于僅擁有那些一個或更多個操作。