本發(fā)明屬于半導體封裝領域，特別是涉及一種納米孿晶銅布線層的制備方法。

背景技術：

半導體芯片制造過程中要用到各種布線層，其中主要是用于半導體后道工藝的互連層以及先進封裝工藝的重布線層。由于銅的導熱導電性僅次于銀，且銅的抗電遷移性能也優(yōu)于傳統(tǒng)的鋁、錫等互聯(lián)材料。因此，在半導體制造工藝中，銅已經(jīng)逐步取代鋁成為主要的互連材料。由于銅互聯(lián)層在工藝過程中要經(jīng)受多次熱處理過程，并且銅互聯(lián)層周圍都被介質所包圍，因此在工藝過程中要經(jīng)受較大的應力。這將對芯片和封裝體的可靠性、信號完整性提出很大挑戰(zhàn)。尋找一種具有高強度、高韌性的全新互聯(lián)材料成為業(yè)界關注的焦點。

納米孿晶銅是一種晶粒內(nèi)部具有高密度孿晶界，孿晶片層達到納米量級的一種銅材料。納米孿晶銅的特殊的組織結構使得其在具有跟標準退火銅相當?shù)碾妼屎晚g性的同時，其強度達到了標準退火銅的10倍左右(屈服強度可高達1GPa)。納米孿晶銅的優(yōu)良的熱穩(wěn)定性，良好的抗電遷移性能和抑制柯肯達爾孔洞的能力都使得納米孿晶銅作為半導體互聯(lián)材料具有良好的發(fā)展前景。

經(jīng)過對國內(nèi)外公開報道的相關文獻進行檢索發(fā)現(xiàn)，目前制備納米孿晶銅的主要方法有高速攪拌的直流電鍍法、高電流密度的脈沖電鍍法、磁控濺射法和大塑性變形等方法。例如陳智等在論文“Fabrication and Characterization of(111)-Oriented and Nanotwinned Cu by Dc Electrodeposition.Crystal Growth&Design,2012,12(10):5012-5016.”中采用直流電鍍輔助以快速攪拌的方法制備了納米孿晶銅，但由于其攪拌速率需要達到1000rpm/min左右才能達到良好的效果，因此需要特制的電鍍設備。又如盧柯等在專利公開文本CN 1498987A，名稱為“一種超高強度超高導電性納米孿晶銅材料及制備方法”中，通過脈沖電鍍方法制備了納米孿晶銅，但此方法需要采用的電流密度高達50A/cm²,顯著高于目前產(chǎn)業(yè)界采用的電流密度，因此與目前半導體工藝兼容性較差。美國德州農(nóng)工大學教授O.Anderoglu等人在論文“Thermal stability of sputtered Cu films with nanoscale growth twins.Journal of Applied Physics,2008,103(9):094322.”中采用磁控濺射方法制備了納米孿晶銅，但磁控濺射方法制備較厚的銅薄膜具有時間長、成本高的劣勢，因此并不適合在大規(guī)模生產(chǎn)中采用。昆明理工大學王軍利等在專利公開文本CN 102925832A，名稱為“一種制備超細孿晶銅的大塑性變形方法”中，通過大塑性變形方法制備納米孿晶銅不能應用于半導體材料制備領域。

基于以上所述，目前尚未有與半導體技術相兼容的采用快速退火方法大規(guī)模制備納米孿晶銅布線層的任何技術公開。

技術實現(xiàn)要素：

鑒于以上所述現(xiàn)有技術的缺點，本發(fā)明的目的在于提供一種納米孿晶銅布線層的制備方法，以實現(xiàn)將半導體芯片布線層的熱穩(wěn)定性、抗電遷移性能、導電性以及機械性能大幅提升以提高半導體芯片的可靠性的方法。

為實現(xiàn)上述目的及其他相關目的，本發(fā)明提供一種納米孿晶銅布線層的制備方法，所述制備方法包括步驟：

1)于基片上制備第一鈍化層，并于所述第一鈍化層內(nèi)形成用于與所述基片上器件結構互聯(lián)的互聯(lián)窗口；

2)于所述第一鈍化層表面及所述互聯(lián)窗口中形成種子層；

3)于所述種子層表面形成光刻膠層，將所述光刻膠層進行圖形化處理，以在所述光刻膠層內(nèi)形成定義出納米孿晶銅布線層形狀的圖形窗口，所述圖形窗口貫穿所述光刻膠層以暴露出部分所述種子層；

4)以圖形化處理后的所述光刻膠層為掩膜，于裸露的所述種子層表面形成布線銅層；

5)將得到的結構進行退火處理：將得到的結構所處環(huán)境的溫度自室溫升溫至預設溫度，升溫速率大于5℃/min；在預設溫度保溫預設時間；自預設溫度降溫至室溫，降溫速率大于5℃/min，以得到納米孿晶銅布線層。

作為本發(fā)明的納米孿晶銅布線層的制備方法的一種優(yōu)選方案，步驟1)中，所述第一鈍化層為無機鈍化層、有機鈍化層或無機鈍化層及有機鈍化層。

作為本發(fā)明的納米孿晶銅布線層的制備方法的一種優(yōu)選方案，所述無機鈍化層的材料包括氮化硅、氮化鉭及氧化硅的一種或一種以上的組合，所述有機鈍化層的材料包括苯并環(huán)丁烯及聚酰亞胺的一種或二者的組合。

作為本發(fā)明的納米孿晶銅布線層的制備方法的一種優(yōu)選方案，步驟2)中，所述種子層包括：粘附層、擴散阻擋層及電鍍種子層，步驟2)具體包括如下步驟：

2-1)于所述第一鈍化層表面及所述互聯(lián)窗口中形成粘附層；

2-2)于所述粘附層表面形成擴散阻擋層；

2-3)于所述擴散阻擋層表面形成電鍍種子層。

作為本發(fā)明的納米孿晶銅布線層的制備方法的一種優(yōu)選方案，所述種子層的材料包括TaN/Cu、Ti/Cu及TiW/Cu中的至少一種。

作為本發(fā)明的納米孿晶銅布線層的制備方法的一種優(yōu)選方案，步驟4)中，采用磁控濺射、直流電鍍、脈沖電鍍或電子束蒸發(fā)工藝于裸露的所述種子層表面形成所述布線銅層。

作為本發(fā)明的納米孿晶銅布線層的制備方法的一種優(yōu)選方案，步驟5)中，所述預設溫度為200℃～400℃；保溫的預設時間為1min～10min。

作為本發(fā)明的納米孿晶銅布線層的制備方法的一種優(yōu)選方案，步驟4)與步驟5)之間還包括去除所述光刻膠層，并去除多余的所述種子層的步驟。

作為本發(fā)明的納米孿晶銅布線層的制備方法的一種優(yōu)選方案，去除所述光刻膠層，并去除多余的所述種子層之后還包括于形成的所述布線銅層表面形成第二鈍化層的步驟。

作為本發(fā)明的納米孿晶銅布線層的制備方法的一種優(yōu)選方案，步驟5)之后還包括于形成的所述納米孿晶銅布線層表面形成第二鈍化層的步驟。

作為本發(fā)明的納米孿晶銅布線層的制備方法的一種優(yōu)選方案，步驟5)之后還包括如下步驟：

去除所述光刻膠層，并去除多余的所述種子層；

于形成的所述納米孿晶銅布線層表面形成第二鈍化層。

作為本發(fā)明的納米孿晶銅布線層的制備方法的一種優(yōu)選方案，步驟5)之后還包括步驟：重復進行步驟1)～5)，以形成多層所述納米孿晶銅布線層。

如上所述，本發(fā)明提供一種納米孿晶銅布線層的制備方法，所述制備方法具有如下有益效果。本發(fā)明的制備方法制備的納米孿晶銅布線層中，納米孿晶銅的孿晶片層厚度為5nm～500nm，使得布線層具有良好的導電性、抗電遷移性能、抑制柯肯達爾孔洞性能以及良好的力學性能，同時，本發(fā)明的制備方法制備的納米孿晶銅布線層具有良好的熱穩(wěn)定性，在100℃環(huán)境下保溫數(shù)天也不會發(fā)生明顯的去孿晶化；本發(fā)明的制備方法與目前主流半導體工藝相兼容，不會在制備過程中增加過多額外的制造成本，也不必引入額外的制造設備；本發(fā)明可以通過控制退火參數(shù)及鈍化層的厚度等調(diào)節(jié)納米孿晶銅布線層內(nèi)部的孿晶密度，實現(xiàn)孿晶密度的可控；本發(fā)明的制備方法可以輕易實現(xiàn)圓片級制備，在圓片級尺寸上，片內(nèi)均勻性好。

附圖說明

圖1顯示為本發(fā)明的納米孿晶銅布線層的制備方法步驟流程示意圖。

圖2顯示為本發(fā)明實施例一中的納米孿晶銅布線層的制備方法制備得到的納米孿晶銅布線層在FIB離子束下的微觀形貌圖。

圖3顯示為圖2中虛線方框區(qū)域的局部放大圖。

圖4顯示為本發(fā)明實施例一中的納米孿晶銅布線層的制備方法制備得到的納米孿晶銅布線層的TEM圖；其中，(a)和(b)為明場相圖；(c)為高分辨原子相圖，(d)為孿晶電子衍射花樣圖。

圖5顯示為本發(fā)明實施例一中的納米孿晶銅布線層的制備方法制備得到的納米孿晶銅布線層的厚度分布圖及曲線擬合。

圖6顯示為本發(fā)明實施例二中的納米孿晶銅布線層的制備方法制備得到的納米孿晶銅布線層在FIB離子束下的微觀形貌圖。

圖7顯示為圖5中虛線方框區(qū)域的局部放大圖。

圖8顯示為本發(fā)明實施例二中的納米孿晶銅布線層的制備方法制備得到的納米孿晶銅布線層的厚度分布圖及曲線擬合。

元件標號說明

GB 晶界

TB 孿晶界

SF 堆垛層錯

S1～S5 步驟1)～步驟5)

具體實施方式

以下通過特定的具體實例說明本發(fā)明的實施方式，本領域技術人員可由本說明書所揭露的內(nèi)容輕易地了解本發(fā)明的其他優(yōu)點與功效。本發(fā)明還可以通過另外不同的具體實施方式加以實施或應用，本說明書中的各項細節(jié)也可以基于不同觀點與應用，在沒有背離本發(fā)明的精神下進行各種修飾或改變。

請參閱圖1至圖8。需要說明的是，本實施例中所提供的圖示僅以示意方式說明本發(fā)明的基本構想，雖圖示中僅顯示與本發(fā)明中有關的組件而非按照實際實施時的組件數(shù)目、形狀及尺寸繪制，其實際實施時各組件的形態(tài)、數(shù)量及比例可為一種隨意的改變，且其組件布局型態(tài)也可能更為復雜。

如圖1所示，本實施例提供一種納米孿晶銅布線層的制備方法，所述制備方法包括步驟：

1)于基片上制備第一鈍化層，并于所述第一鈍化層內(nèi)形成用于與所述基片上器件結構互聯(lián)的互聯(lián)窗口；

2)于所述第一鈍化層表面及所述互聯(lián)窗口中形成種子層；

3)于所述種子層表面形成光刻膠層，將所述光刻膠層進行圖形化處理，以在所述光刻膠層內(nèi)形成定義出納米孿晶銅布線層形狀的圖形窗口，所述圖形窗口貫穿所述光刻膠層以暴露出部分所述種子層；

4)以圖形化處理后的所述光刻膠層為掩膜，于裸露的所述種子層表面形成布線銅層；

5)將得到的結構進行退火處理：將得到的結構所處環(huán)境的溫度自室溫升溫至預設溫度，升溫速率大于5℃/min；在預設溫度保溫預設時間；自預設溫度降溫至室溫，降溫速率大于5℃/min，以得到納米孿晶銅布線層。

在步驟1)中，請參閱圖1中的S1步驟，于基片上制備第一鈍化層，并于所述第一鈍化層內(nèi)形成用于與所述基片上器件結構互聯(lián)的互聯(lián)窗口。

作為示例，所述基片為晶圓級的晶圓片，所述晶圓片上制作有多個芯片；步驟1)中所述的基片上的器件結構即為所述芯片。所述基片的材料可以為硅、砷化鎵及鍺中的一種或一種以上的組合。

作為示例，在所述基片表面制備所述第一鈍化層之前，還包括將所述基片進行標準RAC清洗的步驟。

作為示例，所述第一鈍化層可以為無機鈍化層，也可以為有機鈍化層，還可以為包括無機鈍化層及有機鈍化層的復合層。

在一示例中，所述第一鈍化層為無機鈍化層，采用光刻、刻蝕工藝在所述第一鈍化層內(nèi)形成于與所述基片上器件結構互聯(lián)的互聯(lián)窗口。

在另一示例中，所述第一鈍化層為有及鈍化層，采用光刻、刻蝕工藝在所述第一鈍化層內(nèi)形成于與所述基片上器件結構互聯(lián)的互聯(lián)窗口。

在又一示例中，所述第一鈍化層為包括無機鈍化層及有機鈍化層的復合層；此時，步驟1)可以有以下幾種實現(xiàn)方式：

(1)步驟1)具體包括如下步驟：

1-1)于基片上制備有機鈍化層，并于所述有機鈍化層內(nèi)形成用于與所述基片上器件結構互聯(lián)的第一開口；

1-2)于所述有機鈍化層上制備無機鈍化層，所述無機鈍化層內(nèi)形成有與所述第一開口對應的第二開口，所述第一開口與所述第二開口共同構成所述互聯(lián)窗口。

(2)步驟1)具體包括如下步驟：

1-1)于基片上制備無機鈍化層，并于所述無機鈍化層內(nèi)形成用于與所述基片上器件結構互聯(lián)的第一開口；

1-2)于所述無機鈍化層上制備有機鈍化層，所述有機鈍化層內(nèi)形成有與所述第一開口對應的第二開口，所述第一開口與所述第二開口共同構成所述互聯(lián)窗口。

(3)步驟1)具體包括如下步驟：

1-1)于基片上制備無機鈍化層；

1-2)于所述無機鈍化層上制有機鈍化層；

1-3)于所述有機鈍化層及所述無機鈍化層內(nèi)形成所述互聯(lián)窗口。

(4)步驟1)具體包括如下步驟：

1-1)于基片上制備有機鈍化層；

1-2)于所述有機鈍化層上制備無機鈍化層；

1-3)于所述有機鈍化層及所述無機鈍化層內(nèi)形成所述互聯(lián)窗口。

作為示例，所述無機鈍化層的材料包括氮化硅、氮化鉭及氧化硅的一種或一種以上的組合，可以采用但不僅限于PECVD工藝形成所述無機鈍化層；所述有機鈍化層的材料包括苯并環(huán)丁烯及聚酰亞胺的一種或二者的組合，可以采用但不僅限于旋涂工藝形成所述有機鈍化層；在一示例中，所述有機鈍化層為厚度為5～15um的聚酰亞胺樹脂，旋涂的轉速為1500～2500rpm，旋涂的時間為20～40秒。

在步驟2)中，請參閱圖1中的S2步驟，于所述第一鈍化層表面及所述互聯(lián)窗口中形成種子層。

作為示例，所述種子層可以包括：粘附層、擴散阻擋層及電鍍種子層，步驟2)具體包括如下步驟：

2-1)于所述第一鈍化層表面及所述互聯(lián)窗口中形成粘附層；

2-2)于所述粘附層表面形成擴散阻擋層；

2-3)于所述擴散阻擋層表面形成電鍍種子層。

當然，在其他示例中，所述種子層也可以為單層材料結構。

作為示例，所述種子層的材料組合包括TaN/Cu、Ti/Cu及TiW/Cu中的至少一種。

在步驟3)中，請參閱圖1中的S3步驟，于所述種子層表面形成光刻膠層，將所述光刻膠層進行圖形化處理，以在所述光刻膠層內(nèi)形成定義出納米孿晶銅布線層形狀的圖形窗口，所述圖形窗口貫穿所述光刻膠層以暴露出部分所述種子層。

作為示例，采用旋涂法或噴涂法在所述種子層表面形成所述光刻膠層，經(jīng)曝光、顯影后在所述光刻膠層內(nèi)形成定義出所述納米孿晶銅布線層形狀的所述圖形窗口。

在步驟4)中，請參閱圖1中的S4步驟，以圖形化處理后的所述光刻膠層為掩膜，于裸露的所述種子層表面形成布線銅層。

作為示例，可以采用磁控濺射、直流電鍍、脈沖電鍍或電子束蒸發(fā)工藝于裸露的所述種子層表面形成所述布線銅層。

作為示例，所述布線銅層的尺寸可以根據(jù)實際需要進行設定，優(yōu)選地，本實施例中，所述布線銅層的厚度為1μm～10μm。

作為示例，步驟4)之后還可以包括去除所述光刻膠層，并去除多余的所述種子層的步驟。需要說明的是，去除所述光刻膠層，并去除多余的所述種子層的步驟也可以在完成后續(xù)步驟5)之后再執(zhí)行。去除所述光刻膠層，并去除多余的所述種子層之后還可以包括于形成的所述布線銅層表面形成第二鈍化層的步驟。需要說明的是，于形成的所述布線銅層表面形成第二鈍化層的步驟同樣可以在完成后續(xù)步驟5)之后再執(zhí)行，需要說明的是，步驟5)之后，布線銅層變成納米孿晶銅布線層，所述第二鈍化層形成于所述納米孿晶銅布線層表面。即步驟4)之后，可以依次執(zhí)行去除所述光刻膠層，并去除多余的所述種子層的步驟及于形成的所述布線銅層表面形成第二鈍化層的步驟之后再執(zhí)行步驟5)；也可以執(zhí)行去除所述光刻膠層，并去除多余的所述種子層的步驟之后執(zhí)行步驟5)，執(zhí)行步驟5)之后再執(zhí)行于形成的所述納米孿晶銅布線層表面形成第二鈍化層的步驟；還可以執(zhí)行步驟5)之后再依次執(zhí)行去除所述光刻膠層，并去除多余的所述種子層的步驟及于形成的所述納米孿晶銅布線層表面形成第二鈍化層的步驟。

作為示例，如所述第一鈍化層一樣，所述第二鈍化層可以為無機鈍化層，也可以為有機鈍化層，還可以為包括無機鈍化層及有機鈍化層的復合層。

在步驟5)中，請參閱圖1中的S5步驟，將得到的結構進行退火處理：將得到的結構所處環(huán)境的溫度自室溫升溫至預設溫度，升溫速率大于5℃/min；在預設溫度保溫預設時間；自預設溫度降溫至室溫，降溫速率大于5℃/min，以得到納米孿晶銅布線層。

作為示例，所述預設溫度為200℃～400℃；保溫的預設時間為1min～10min。

作為示例，在自預設溫度降溫至室溫的過程中，溫度低于或等于50℃之后的降溫速率小于溫度大于50℃過程中的降溫速率。即在降溫過程中，先以較大的降溫速率自預設溫度降溫至50℃，當達到50℃之后，再以較小的降溫速率將至室溫。需要說明的是，降溫過程中，任何時間段的降溫速率均大于5℃/min。

采用本發(fā)明的制備方法制備的納米孿晶銅布線層中的晶粒尺寸為0.5μm～10μm，晶粒內(nèi)部有大量孿晶界，孿晶片層厚度為5nm～500nm。

為了更清楚全面的闡述本發(fā)明的制備方法，下面以具體實施例將本發(fā)明的納米孿晶銅布線層的制備方法進行進一步說明。

實施例一

1)于基片上制備第一鈍化層，并于所述第一鈍化層中采用光刻等手段制備出用于與基片上器件結構進行互聯(lián)的窗口；

2)于所述第一鈍化層表面及所述互聯(lián)窗口中形成種子層，種子層為連續(xù)磁控濺射制備的TiW/Cu薄膜，薄膜厚度為200nm/500nm。

3)于所述種子層表面采用旋涂法或噴涂法等方法形成光刻膠層，經(jīng)曝光、顯影等步驟之后形成與布線層一致的圖形窗口。

4)在步驟3)所形成的窗口采用直流電鍍方法制備5微米厚的布線銅層。

5)將步驟4)得到的結構置于快速退火設備中，以20℃/min的速度升溫至300℃，保溫2min左右，然后迅速降至室溫，以得到納米孿晶銅布線層?；瑴囟仍诮禍刈铋_始的3min由300℃迅速降至100℃，當基片溫度低于50℃后，降溫速率變得相對緩慢。

6)去除步驟3)中所涂覆的光刻膠，并腐蝕掉多余的種子層。

7)于形成的納米孿晶銅布線層表面形成聚酰亞胺鈍化層。

本實施例中得到的納米孿晶銅布線層在FIB離子束下的微觀形貌圖如圖2及圖3所示，其中，圖2及圖3中黑白相間的條紋即為納米孿晶銅布線層中取向不同的孿晶片層。本實施例中得到的納米孿晶銅布線層的TEM圖如圖4所示，圖4中可以清晰的看出取向不同的納米孿晶片層，從TEM中的高分辨原子相(即圖4中的(c))中可以看出在孿晶界上有大量堆垛層錯產(chǎn)生，這種圍觀結構在提高納米孿晶銅布線層的力學性能的同時，并不會降低納米孿晶銅布線層的導電性。本實施例中得到的納米孿晶銅布線層的厚度分布圖及曲線擬合如圖5所示，由圖5可知，本實施例中得到的納米孿晶銅布線層中孿晶片層的平均厚度為71nm。

實施例二

本實施例還提供一種納米孿晶銅布線層的制備方法，本實施例中的制備方法與實施例一中的制備方法大致相同，二者的區(qū)別在于：實施例一中，步驟5)中，升溫速率為20℃/min，降溫速率為200℃/3min，且當基片溫度低于50℃后，降溫速率變得相對緩慢；而本實施例中，步驟5)中，升溫速率及降溫速率均為10℃/min。

本實施例中得到的納米孿晶銅布線層在FIB離子束下的微觀形貌圖如圖6及圖6所示，其中，圖6及圖7中黑白相間的條紋即為納米孿晶銅布線層中取向不同的孿晶片層。本實施例中得到的納米孿晶銅布線層的厚度分布圖及曲線擬合如圖8所示，由圖8可知，本實施例中得到的納米孿晶銅布線層中孿晶片層的平均厚度為193nm。

實施例三

本實施例還提供一種納米孿晶銅布線層的制備方法，本實施例中的制備方法與實施例一中的制備方法大致相同，二者的區(qū)別在于：實施例一中，執(zhí)行步驟4)之后，先將步驟4)得到的結構先進行退火處理后，再去除步驟3)中所涂覆的光刻膠，并腐蝕掉多余的種子層，最后于形成的納米孿晶銅布線層表面形成聚酰亞胺鈍化層；而本實施例中，執(zhí)行步驟4)之后，先去除步驟3)中所涂覆的光刻膠，并腐蝕掉多余的種子層，再于形成的布線銅層表面形成一層材料為氮化鉭或氮化硅第二鈍化層(氮化鉭或氮化硅鈍化層的厚度可以為但不僅限于500nm)，最后再按照實施例一中退火工藝條件進行退火處理。本實施例中是先形成第二鈍化層之后再進行退火處理，這種處理方式可以提高得到的納米孿晶銅布線層內(nèi)的孿晶密度。

如上所述，本發(fā)明提供一種納米孿晶銅布線層的制備方法，所述制備方法包括步驟：1)于基片上制備第一鈍化層，并于所述第一鈍化層內(nèi)形成用于與所述基片上器件結構互聯(lián)的互聯(lián)窗口；2)于所述第一鈍化層表面及所述互聯(lián)窗口中形成種子層；3)于所述種子層表面形成光刻膠層，將所述光刻膠層進行圖形化處理，以在所述光刻膠層內(nèi)形成定義出納米孿晶銅布線層形狀的圖形窗口，所述圖形窗口貫穿所述光刻膠層以暴露出部分所述種子層；4)以圖形化處理后的所述光刻膠層為掩膜，于裸露的所述種子層表面形成布線銅層；5)將得到的結構進行退火處理：將得到的結構所處環(huán)境的溫度自室溫升溫至預設溫度，升溫速率大于5℃/min；在預設溫度保溫預設時間；自預設溫度降溫至室溫，降溫速率大于5℃/min，以得到納米孿晶銅布線層。本發(fā)明的制備方法制備的納米孿晶銅布線層中，納米孿晶銅的孿晶片層厚度為5nm～500nm，使得布線層具有良好的導電性、抗電遷移性能、抑制柯肯達爾孔洞性能以及良好的力學性能，同時，本發(fā)明的制備方法制備的納米孿晶銅布線層具有良好的熱穩(wěn)定性，在100℃環(huán)境下保溫數(shù)天也不會發(fā)生明顯的去孿晶化；本發(fā)明的制備方法與目前主流半導體工藝相兼容，不會在制備過程中增加過多額外的制造成本，也不必引入額外的制造設備；本發(fā)明可以通過控制退火參數(shù)及鈍化層的厚度等調(diào)節(jié)納米孿晶銅布線層內(nèi)部的孿晶密度，實現(xiàn)孿晶密度的可控；本發(fā)明的制備方法可以輕易實現(xiàn)圓片級制備，在圓片級尺寸上，片內(nèi)均勻性好。

上述實施例僅例示性說明本發(fā)明的原理及其功效，而非用于限制本發(fā)明。任何熟悉此技術的人士皆可在不違背本發(fā)明的精神及范疇下，對上述實施例進行修飾或改變。因此，舉凡所屬技術領域中具有通常知識者在未脫離本發(fā)明所揭示的精神與技術思想下所完成的一切等效修飾或改變，仍應由本發(fā)明的權利要求所涵蓋。