本發(fā)明涉及密封光半導(dǎo)體元件的制造方法。

背景技術(shù)：

以往，公知有利用熒光體層等包覆層包覆多個(gè)led來制作包覆led的技術(shù)。

例如，提出了一種方法，在該方法中，準(zhǔn)備具備硬質(zhì)的支承板的支承片材，將半導(dǎo)體元件配置于支承片材的上表面，利用密封層包覆半導(dǎo)體元件，之后，將密封層與半導(dǎo)體元件相對(duì)應(yīng)地切斷(參照例如日本特開2014-168036號(hào)公報(bào)。)。

在日本特開2014-168036號(hào)公報(bào)中，在支承板設(shè)置有基準(zhǔn)標(biāo)記，以該基準(zhǔn)標(biāo)記為基準(zhǔn)切斷了密封層。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

然而，存在想再利用支承板的情況。不過，在支承板設(shè)置有標(biāo)記，因此，存在無法再利用那樣的支承板這樣的不良情況。

而且，支承板是硬質(zhì)，因此，也存在設(shè)置標(biāo)記并不容易這樣的不良情況。

本發(fā)明的目的在于提供一種能夠再利用載體、且能夠在支承層容易地形成對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的密封光半導(dǎo)體元件的制造方法。

本發(fā)明[1]是一種密封光半導(dǎo)體元件的制造方法，其特征在于，該密封光半導(dǎo)體元件的制造方法具備：工序(1)，在該工序(1)中，準(zhǔn)備臨時(shí)固定構(gòu)件，該臨時(shí)固定構(gòu)件具備：硬質(zhì)的載體；支承層，其支承于所述載體，由合成樹脂形成；以及固定層，其支承于所述支承層；工序(2)，在該工序(2)中，將排列配置有多個(gè)光半導(dǎo)體元件的元件集合體臨時(shí)固定于所述固定層；工序(3)，其在所述工序(2)之后，在該工序(3)中，利用密封層包覆多個(gè)所述光半導(dǎo)體元件而獲得具備所述元件集合體和所述密封層的密封元件集合體；工序(4)，其在所述工序(3)之后，在該工序(4)中，以將所述密封光半導(dǎo)體元件單片化的方式切斷所述密封層；工序(5)，其在所述工序(4)之后，在該工序(5)中，將所述密封元件集合體從所述固定層剝離，在所述支承層設(shè)置有對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記，在所述工序(2)中，以所述對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記為基準(zhǔn)將所述元件集合體臨時(shí)固定于所述固定層，和/或，在所述工序(4)中，以所述對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記為基準(zhǔn)切斷所述密封層。

根據(jù)該方法，不是在硬質(zhì)的載體而是在由合成樹脂形成的支承層設(shè)置對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記，因此，只要將載體從支承層分離，就能夠再利用載體。

另外，在由合成樹脂形成的支承層設(shè)置對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記，因此，能夠在支承層容易地形成對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記。

本發(fā)明[2]是一種密封光半導(dǎo)體元件的制造方法，其特征在于，該密封光半導(dǎo)體元件的制造方法具備：工序(1)，在該工序(1)中，準(zhǔn)備臨時(shí)固定構(gòu)件，該臨時(shí)固定構(gòu)件具備：硬質(zhì)的載體；支承層，其支承于所述載體，由合成樹脂形成；固定層，其支承于所述支承層；以及標(biāo)記層，其支承于所述載體；工序(2)，在該工序(2)中，將排列配置有多個(gè)光半導(dǎo)體元件的元件集合體臨時(shí)固定于所述固定層；工序(3)，其在所述工序(2)之后，在該工序(3)中，利用密封層包覆多個(gè)所述光半導(dǎo)體元件而獲得具備所述元件集合體和所述密封層的密封元件集合體；工序(4)，其在所述工序(3)之后，在該工序(4)中，以將所述密封光半導(dǎo)體元件單片化的方式切斷所述密封層；工序(5)，其在所述工序(4)之后，在該工序(5)中，將所述密封元件集合體從所述固定層剝離，在所述標(biāo)記層設(shè)置有對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記，在所述工序(2)中，以所述對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記為基準(zhǔn)將所述元件集合體臨時(shí)固定于所述固定層，和/或，在所述工序(4)中，以所述對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記為基準(zhǔn)切斷所述密封層。

根據(jù)該方法，不是在硬質(zhì)的載體而是在標(biāo)記層設(shè)置對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記，因此，只要使載體從標(biāo)記層分離，就能夠再利用載體。

另外，能夠在標(biāo)記層容易地形成對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記。

本發(fā)明[3]是一種密封光半導(dǎo)體元件的制造方法，其特征在于，該密封光半導(dǎo)體元件的制造方法具備：工序(1)，在該工序(1)中，準(zhǔn)備臨時(shí)固定構(gòu)件，該臨時(shí)固定構(gòu)件具備：硬質(zhì)的載體；支承層，其支承于所述載體，由合成樹脂形成；以及固定層，其支承于所述支承層；工序(2)，在該工序(2)中，將排列配置有多個(gè)光半導(dǎo)體元件的元件集合體臨時(shí)固定于所述固定層；工序(3)，其在所述工序(2)之后，在該工序(3)中，利用密封層包覆多個(gè)所述光半導(dǎo)體元件而獲得具備所述元件集合體和所述密封層的密封元件集合體；工序(5)，其在所述工序(3)之后，在該工序(5)中，將所述密封元件集合體從所述固定層剝離，在所述支承層設(shè)置有對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記，在所述工序(2)中，以所述對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記為基準(zhǔn)將所述元件集合體臨時(shí)固定于所述固定層。

根據(jù)該方法，不是在硬質(zhì)的載體而是在由合成樹脂形成的支承層設(shè)置對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記，因此，只要將載體從支承層分離，就能夠再利用載體。

另外，在由合成樹脂形成的支承層設(shè)置對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記，因此，能夠容易地在支承層形成對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記。

本發(fā)明[4]是一種密封光半導(dǎo)體元件的制造方法，其特征在于，該密封光半導(dǎo)體元件的制造方法具備：工序(1)，在該工序(1)中，準(zhǔn)備臨時(shí)固定構(gòu)件，該臨時(shí)固定構(gòu)件具備：硬質(zhì)的載體；支承層，其支承于所述載體，由合成樹脂形成；固定層，其支承于所述支承層，以及標(biāo)記層，其支承于所述載體；工序(2)，在該工序(2)中，將排列配置有多個(gè)光半導(dǎo)體元件的元件集合體臨時(shí)固定于所述固定層；工序(3)，其在所述工序(2)之后，在該工序(3)中，利用密封層包覆多個(gè)所述光半導(dǎo)體元件而獲得具備所述元件集合體和所述密封層的密封元件集合體；工序(5)，其在所述工序(3)之后，在該工序(5)中，將所述密封元件集合體從所述固定層剝離，在所述標(biāo)記層設(shè)置有對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記，在所述工序(2)中，以所述對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記為基準(zhǔn)將所述元件集合體臨時(shí)固定于所述固定層。

根據(jù)該方法，不是在硬質(zhì)的載體而是在標(biāo)記層設(shè)置對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記，因此，只要將載體從標(biāo)記層分離，就能夠再利用載體。

另外，能夠在標(biāo)記層容易地形成對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記。

本發(fā)明[5]包括[1]～[4]中任一項(xiàng)所記載的密封光半導(dǎo)體元件的制造方法，其特征在于，所述臨時(shí)固定構(gòu)件還具備第1壓敏粘接層，所述臨時(shí)固定構(gòu)件依次具備所述載體、所述第1壓敏粘接層、所述支承層以及所述固定層。

根據(jù)該方法，能夠利用載體可靠且簡(jiǎn)便地對(duì)支承層進(jìn)行支承。

本發(fā)明[6]包括[1]～[4]中任一項(xiàng)所記載的密封光半導(dǎo)體元件的制造方法，其特征在于，所述元件集合體具備：多個(gè)所述光半導(dǎo)體元件；將多個(gè)所述光半導(dǎo)體元件臨時(shí)固定的第2壓敏粘接層，在所述工序(5)中，將所述第2壓敏粘接層從所述載體剝離。

根據(jù)該方法，能夠利用載體可靠且簡(jiǎn)便地對(duì)支承層進(jìn)行支承。

根據(jù)本發(fā)明的方法，能夠再利用載體。

附圖說明

圖1表示本發(fā)明的密封光半導(dǎo)體元件的制造方法的第1實(shí)施方式的工序圖，

圖1的a表示將載體設(shè)置于元件集合體臨時(shí)固定片材之下的工序、

圖1的b表示將多個(gè)光半導(dǎo)體元件臨時(shí)固定于元件集合體臨時(shí)固定片材的工序、

圖1的c表示利用密封層密封多個(gè)光半導(dǎo)體元件的工序、

圖1的d表示將密封層切斷而將密封光半導(dǎo)體元件從元件集合體臨時(shí)固定片材剝離的工序、

圖1的e表示將密封光半導(dǎo)體元件倒裝芯片安裝于基板的工序。

圖2表示第1實(shí)施方式所使用的元件集合體臨時(shí)固定片材的俯視圖。

圖3表示沿著圖2所示的元件集合體臨時(shí)固定片材的a-a線的剖視圖。

圖4a～圖4c是使用光刻法來設(shè)置對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的方法的工序圖，

圖4a表示準(zhǔn)備具備支承層和感光層的帶感光層的支承層的工序、

圖4b表示對(duì)感光層進(jìn)行曝光的工序、

圖4c表示對(duì)感光層進(jìn)行顯影的工序。

圖5a～圖5e是第1實(shí)施方式的元件集合體臨時(shí)固定片材的制造方法的變形例，

圖5a表示將載體設(shè)置于元件集合體臨時(shí)固定片材之下的工序、

圖5b表示將多個(gè)光半導(dǎo)體元件臨時(shí)固定于元件集合體臨時(shí)固定片材的工序、

圖5c表示利用密封層密封多個(gè)光半導(dǎo)體元件的工序、

圖5d表示將密封層切斷而將密封光半導(dǎo)體元件從元件集合體臨時(shí)固定片材剝離的工序、

圖5e表示將密封光半導(dǎo)體元件倒裝芯片安裝于基板的工序。

圖6a和圖6b是第1實(shí)施方式的密封光半導(dǎo)體元件的制造方法的變形例，

圖6a表示不將密封層切斷、就從元件集合體臨時(shí)固定片材剝離密封層的工序、

圖6b表示將密封元件集合體倒裝芯片安裝于基板的工序。

圖7a～圖7c是本發(fā)明的密封光半導(dǎo)體元件的制造方法的第2實(shí)施方式的工序圖，

圖7a表示將標(biāo)記層和載體設(shè)置于元件集合體臨時(shí)固定片材之下而準(zhǔn)備臨時(shí)固定構(gòu)件的工序、

圖7b表示將多個(gè)光半導(dǎo)體元件臨時(shí)固定于元件集合體臨時(shí)固定片材的工序、

圖7c表示利用密封層密封多個(gè)光半導(dǎo)體元件的工序。

圖8a和圖8b接著圖7c，是本發(fā)明的密封光半導(dǎo)體元件的制造方法的第2實(shí)施方式的工序圖，

圖8a表示切斷密封層而將密封光半導(dǎo)體元件從元件集合體臨時(shí)固定片材剝離的工序、

圖8b表示將密封光半導(dǎo)體元件倒裝芯片安裝于基板的工序。

圖9表示第2實(shí)施方式所使用的元件集合體臨時(shí)固定片材的俯視圖。

圖10表示具備圖8a所示的標(biāo)記層和第3剝離層的層疊體的剖視圖。

圖11表示圖10所示的層疊體的變形例的剖視圖。

圖12a～圖12f是本發(fā)明的密封光半導(dǎo)體元件的制造方法的第3實(shí)施方式的工序圖，

圖12a表示將載體設(shè)置于元件集合體臨時(shí)固定片材之上、并且將第2壓敏粘接層設(shè)置于載體之上來準(zhǔn)備元件集合體臨時(shí)固定片材的工序、

圖12b表示將多個(gè)光半導(dǎo)體元件臨時(shí)固定于第2壓敏粘接層的工序、

圖12c表示利用密封層密封多個(gè)光半導(dǎo)體元件的工序、

圖12d表示切斷密封層的工序、

圖12e表示將密封光半導(dǎo)體元件從第2壓敏粘接層剝離的工序、

圖12f表示將密封光半導(dǎo)體元件倒裝芯片安裝于基板的工序。

圖13表示第3實(shí)施方式所使用的元件集合體臨時(shí)固定片材的剖視圖。

圖14a～圖14f是第3實(shí)施方式的密封光半導(dǎo)體元件的制造方法的變形例，

圖14a表示將載體設(shè)置于元件集合體臨時(shí)固定片材之上、并且將第2壓敏粘接層設(shè)置于載體之上來準(zhǔn)備元件集合體臨時(shí)固定片材的工序、

圖14b表示將多個(gè)光半導(dǎo)體元件臨時(shí)固定于第2壓敏粘接層的工序、

圖14c表示利用密封層密封多個(gè)光半導(dǎo)體元件的工序、

圖14d表示切斷密封層的工序、

圖14e表示將密封光半導(dǎo)體元件從第2壓敏粘接層剝離的工序、

圖14f表示將密封光半導(dǎo)體元件倒裝芯片安裝于基板的工序。

圖15a～圖15c是第3實(shí)施方式的密封光半導(dǎo)體元件的制造方法的變形例的工序圖，

圖15a表示不將密封層切斷、就將第2壓敏粘接層從元件集合體臨時(shí)固定片材剝離的工序、

圖15b表示將光半導(dǎo)體元件和密封層從第2壓敏粘接層剝離的工序、

圖15c表示將光半導(dǎo)體元件倒裝芯片安裝于基板的工序。

具體實(shí)施方式

在圖1中，紙面上下方向是上下方向(第1方向、厚度方向)，紙面上側(cè)是上側(cè)(第1方向一側(cè)、厚度方向一側(cè))，紙面下側(cè)是下側(cè)(第1方向另一側(cè)、厚度方向另一側(cè))。在圖1中，紙面左右方向是左右方向(與第1方向正交的第2方向、寬度方向)，紙面右側(cè)是右側(cè)(第2方向一側(cè)、寬度方向一側(cè))，紙面左側(cè)是左側(cè)(第2方向另一側(cè)、寬度方向另一側(cè))。在圖1中，紙厚方向是前后方向(與第1方向和第2方向正交的第3方向)，紙面跟前側(cè)是前側(cè)(第3方向一側(cè))，紙面進(jìn)深側(cè)是后側(cè)(第3方向另一側(cè))。具體而言，依據(jù)各圖的方向箭頭。

1.第1實(shí)施方式

本發(fā)明的密封光半導(dǎo)體元件的制造方法的第1實(shí)施方式具備如下工序：工序(1)，在該工序(1)中，準(zhǔn)備臨時(shí)固定構(gòu)件30，該臨時(shí)固定構(gòu)件30依次具備載體10、第1壓敏粘接層4、支承層2以及作為固定層的一個(gè)例子的元件集合體固定層3(參照?qǐng)D1的a)；工序(2)，在該工序(2)中，將排列配置有多個(gè)光半導(dǎo)體元件11的元件集合體16臨時(shí)固定于元件集合體固定層3(參照?qǐng)D1的b)；工序(3)，其在工序(2)之后，在該工序(3)中，利用密封層12包覆多個(gè)光半導(dǎo)體元件11而獲得具備元件集合體16和密封層12的密封元件集合體19(參照?qǐng)D1的c)；工序(4)，其在工序(3)之后，以將密封光半導(dǎo)體元件13單片化的方式切斷密封層12(參照?qǐng)D1的d)；工序(5)，其在工序(4)之后，在該工序(5)中，將密封元件集合體19從元件集合體固定層3剝離(參照?qǐng)D1的d)。以下，說明各工序。

1-1.工序(1)

如圖1的a所示，在工序(1)中，準(zhǔn)備臨時(shí)固定構(gòu)件30。

臨時(shí)固定構(gòu)件30具備元件集合體臨時(shí)固定片材1和設(shè)置于元件集合體臨時(shí)固定片材1之下的載體10。

1-1.(1)元件集合體臨時(shí)固定片材

如圖2和圖3所示，元件集合體臨時(shí)固定片材1具有平板形狀，具體而言，具有預(yù)定的厚度，沿著與厚度方向正交的面方向(左右方向和前后方向)延伸，具有平坦的表面和平坦的背面。此外，元件集合體臨時(shí)固定片材1具有前后方向長(zhǎng)度比左右方向長(zhǎng)度(寬度)長(zhǎng)的平板形狀。或者、元件集合體臨時(shí)固定片材1具有前后方向較長(zhǎng)的縱長(zhǎng)形狀。

另外，如圖1的a所示，元件集合體臨時(shí)固定片材1位于臨時(shí)固定構(gòu)件30的上部。元件集合體臨時(shí)固定片材1形成了臨時(shí)固定構(gòu)件30的上表面。

如圖3所示，元件集合體臨時(shí)固定片材1依次具備元件集合體固定層3、支承層2以及第1壓敏粘接層4。具體而言，元件集合體臨時(shí)固定片材1具備支承層2、設(shè)置于支承層2之上的元件集合體固定層3以及設(shè)置于支承層2之下的第1壓敏粘接層4。另外，在該元件集合體臨時(shí)固定片材1中，元件集合體固定層3具備對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記7。以下，說明各構(gòu)件。

1-1.(1)a.支承層

支承層2位于元件集合體臨時(shí)固定片材1的厚度方向中央。也就是說，支承層2介于元件集合體固定層3與第1壓敏粘接層4之間。元件集合體臨時(shí)固定片材1具有平板形狀，具體而言，具有預(yù)定的厚度，沿著左右方向和前后方向延伸，具有平坦的表面和平坦的背面。另外，支承層2具有撓性。支承層2支承著元件集合體固定層3和第1壓敏粘接層4。

支承層2由合成樹脂形成。作為合成樹脂，可列舉出例如聚乙烯(例如、低密度聚乙烯、中密度聚乙烯、高密度聚乙烯、線狀低密度聚乙烯等)、聚丙烯、乙烯-丙烯共聚物、乙烯-c4以上的α-烯烴共聚物等烯烴聚合物、例如、乙烯-丙烯酸乙酯共聚物、乙烯-甲基丙烯酸甲酯共聚物、乙烯-n-丙烯酸丁酯共聚物等乙烯-(甲基)丙烯酸酯共聚物、例如、聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯(pet)、聚萘二甲酸乙二醇酯等聚酯、例如、聚碳酸酯、例如、聚氨酯、例如、聚酰亞胺等聚合物。共聚物也可以是無規(guī)共聚物和嵌段共聚物中的一種。合成樹脂也可以單獨(dú)使用或同時(shí)使用兩種以上。另外，支承層2也可以是上述的合成樹脂的多孔質(zhì)。

支承層2優(yōu)選由pet、聚碳酸酯形成。

另外，支承層2也可以由單層或多個(gè)層構(gòu)成。

另外，上述的合成樹脂是例如透明的。也就是說，支承層2是透明的。具體而言，支承層2的全光線透過率是例如80％以上，優(yōu)選是90％以上、更優(yōu)選是95％以上，另外，是例如99.9％以下。

支承層2的線膨脹系數(shù)是例如500×10^-6k^-1以下，優(yōu)選是300×10^-6k^-1以下，另外，是例如2×10^-6k^-1以上，優(yōu)選是10×10^-6k^-1以上。支承層2的收縮度只要是上述的上限以下，就能夠達(dá)成以對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記7為基準(zhǔn)的光半導(dǎo)體元件11的排列、和/或、密封層12的切斷。支承層2的線膨脹系數(shù)可由線膨脹系數(shù)測(cè)定裝置(tma)測(cè)定。以下的各構(gòu)件的線膨脹系數(shù)也可由同樣的方法測(cè)定。

支承層2的25℃時(shí)的拉伸模量e是例如200mpa以下，優(yōu)選是100mpa以下，更優(yōu)選是80mpa以下，另外，是例如50mpa以上。支承層2的25℃時(shí)的拉伸模量e只要是上述的上限以下，能夠確保撓性，能夠容易地設(shè)置對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記7。

支承層2的厚度是例如10μm以上，優(yōu)選是30μm以上，另外，是例如350μm以下，優(yōu)選是100μm以下。

1-1.(1)b.元件集合體固定層

元件集合體固定層3位于元件集合體臨時(shí)固定片材1的上端部。元件集合體固定層3配置于支承層2的上表面。也就是說，元件集合體固定層3形成了元件集合體臨時(shí)固定片材1的上表面。元件集合體固定層3支承于支承層2。元件集合體固定層3具有平板形狀，具體而言，具有預(yù)定的厚度，沿著左右方向和前后方向延伸，具有平坦的表面和平坦的背面(除了與后述的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記7相對(duì)應(yīng)的部分之外)。

元件集合體固定層3構(gòu)成為將排列配置有多個(gè)光半導(dǎo)體元件11的元件集合體16(后述。參照?qǐng)D1的b和圖2)臨時(shí)固定。

另外，元件集合體固定層3具有壓敏粘接性(粘合性)。

元件集合體固定層3包括壓敏粘接劑。作為壓敏粘接劑，可列舉出例如丙烯酸系壓敏粘接劑、橡膠系壓敏粘接劑、sis(苯乙烯-異戊二烯-苯乙烯·嵌段共聚物)系壓敏粘接劑、有機(jī)硅系壓敏粘接劑、乙烯基烷基醚系壓敏粘接劑、聚乙烯醇系壓敏粘接劑、聚乙烯吡咯烷酮系壓敏粘接劑、聚丙烯酰胺系壓敏粘接劑、纖維素系壓敏粘接劑、聚氨酯系壓敏粘接劑、聚酯系壓敏粘接劑、聚酰胺系壓敏粘接劑、環(huán)氧系壓敏粘接劑等。優(yōu)選可列舉出有機(jī)硅系壓敏粘接劑。

另外，元件集合體固定層3是透明的。元件集合體固定層3的全光線透過率是例如80％以上，優(yōu)選是90％以上，更優(yōu)選是95％以上，另外，例如是99.9％以下。

元件集合體固定層3的線膨脹系數(shù)是例如500×10^-6k^-1以下，優(yōu)選是300×10^-6k^-1以下，另外，是例如2×10^-6k^-1以上，優(yōu)選是10×10^-6k^-1以上。

元件集合體固定層3相對(duì)于硅板壓敏粘接，在25℃時(shí)，將元件集合體固定層3從硅板以180度剝離了時(shí)的剝離力是例如0.1n/mm以上，優(yōu)選是0.3n/mm以上，另外，是例如1n/mm以下。元件集合體固定層3的剝離力只要是上述的下限以上，就能夠可靠地臨時(shí)固定多個(gè)光半導(dǎo)體元件11。

元件集合體固定層3的厚度是例如5μm以上，優(yōu)選是10μm以上，另外，例如小于120μm，優(yōu)選小于100μm，更優(yōu)選是80μm以下，進(jìn)一步優(yōu)選是60μm以下。在元件集合體固定層3的厚度超過上述下限的情況下，能夠?qū)υ象w臨時(shí)固定片材1的上表面可靠地賦予壓敏粘接性。因此，能夠簡(jiǎn)便地制造元件集合體臨時(shí)固定片材1。在元件集合體固定層3的厚度低于上述上限的情況下，能夠提高元件集合體固定層3的處理性。

1-1.(1)c.第1壓敏粘接層

第1壓敏粘接層4位于元件集合體臨時(shí)固定片材1的下端部。另外，第1壓敏粘接層4配置于支承層2的下表面。也就是說，第1壓敏粘接層4形成了元件集合體臨時(shí)固定片材1的下表面。第1壓敏粘接層4支承于支承層2。而且，第1壓敏粘接層4沿著厚度方向與元件集合體固定層3夾持支承層2。第1壓敏粘接層4具有平板形狀，具體而言，具有預(yù)定的厚度，沿著左右方向和前后方向延伸，具有平坦的表面和平坦的背面。

第1壓敏粘接層4具有壓敏粘接性(粘合性)。

第1壓敏粘接層4包括與元件集合體固定層3相同的壓敏粘接劑。

第1壓敏粘接層4是透明的。第1壓敏粘接層4的全光線透過率是例如80％以上，優(yōu)選是90％以上，更優(yōu)選是95％以上，另外，例如是99.9％以下。

第1壓敏粘接層4的線膨脹系數(shù)是例如500×10^-6k^-1以下，優(yōu)選是300×10^-6k^-1以下，另外，例如是2×10^-6k^-1以上，優(yōu)選是10×10^-6k^-1以上。

第1壓敏粘接層4的厚度是例如5μm以上，優(yōu)選是10μm以上，另外，例如小于100μm、優(yōu)選是80μm以下，更優(yōu)選是60μm以下。

1-1.(1)d.對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記

如圖3所示，對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記7設(shè)置于支承層2的上表面。

如圖2和圖3所示，具體而言，對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記7在支承層2的上表面的右端部設(shè)置有多個(gè)。詳細(xì)而言，對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記7設(shè)置于劃分于供后述的元件集合體16設(shè)置的元件集合體形成區(qū)域17的右側(cè)(寬度方向一側(cè)的一個(gè)例子)的標(biāo)記形成區(qū)域18。標(biāo)記形成區(qū)域18沿著前后方向配置于元件集合體臨時(shí)固定片材1的右端部。

對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記7是用于將元件集合體16臨時(shí)固定于元件集合體固定層3的、且用于將密封元件集合體16的密封層12切斷的、基準(zhǔn)標(biāo)記。具體而言，對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記7具備排列標(biāo)記8和切斷標(biāo)記9。排列標(biāo)記8和切斷標(biāo)記9與沿著左右方向排列成一列的多個(gè)光半導(dǎo)體元件11(后述)相對(duì)應(yīng)地分別配置，它們沿著左右方向彼此隔開間隔地排列配置。

排列標(biāo)記8是對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記7中的位于左側(cè)的標(biāo)記，沿著前后方向彼此隔開間隔地配置有多個(gè)。多個(gè)排列標(biāo)記8分別具有例如大致圓形狀。

切斷標(biāo)記9是對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記7中的位于右側(cè)的標(biāo)記，沿著前后方向彼此隔開間隔地配置有多個(gè)。具體而言，多個(gè)切斷標(biāo)記9的每一個(gè)配置成，在沿著左右方向進(jìn)行了投影時(shí)不與多個(gè)排列標(biāo)記8的每一個(gè)重復(fù)。也就是說，多個(gè)排列標(biāo)記8和多個(gè)切斷標(biāo)記9配置成交錯(cuò)狀，也就是說，在沿著左右方向進(jìn)行了投影時(shí)在前后方向上交替地配置。多個(gè)切斷標(biāo)記9的每一個(gè)與多個(gè)排列標(biāo)記8的每一個(gè)隔開間隔地配置于右方斜前側(cè)。多個(gè)切斷標(biāo)記9分別具有例如沿著左右方向延伸的大致棒(直線)形狀。

對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記7是不透明的。

因此，對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記7由不透明(后述)的材料形成。作為那樣的材料，可列舉出例如銀(金屬銀)等金屬材料、碳黑等碳材料等。

作為金屬材料，優(yōu)選可列舉出銀。只要是銀，能夠更加提高對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記7的辨認(rèn)性。

另外，作為碳材料，優(yōu)選可列舉出碳黑。只要是碳黑，能夠更加提高對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記7的辨認(rèn)性。

適當(dāng)設(shè)定了對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記7的尺寸。排列標(biāo)記8的直徑(最大長(zhǎng)度)是例如0.05mm以上，優(yōu)選是0.1mm以上，另外，是例如1mm以下，優(yōu)選是0.5mm以下。相鄰的排列標(biāo)記8的中心間的距離(即、間距)是例如0.05mm以上，優(yōu)選是0.1mm以上，是例如1.0mm以下，優(yōu)選是0.8mm以下。

切斷標(biāo)記9的左右方向長(zhǎng)度是例如0.05mm以上，優(yōu)選是0.1mm以上，另外，是例如1mm以下，優(yōu)選是0.5mm以下。切斷標(biāo)記9的寬度(前后方向長(zhǎng)度)是例如0.05mm以上，優(yōu)選是0.1mm以上，另外，是例如1mm以下，優(yōu)選是0.25mm以下。在沿著前后方向進(jìn)行了投影時(shí)，左右方向上相鄰的排列標(biāo)記8和切斷標(biāo)記9的間隔是例如0.1mm以上，優(yōu)選是0.2mm以上，另外，是例如1mm以下，優(yōu)選是0.8mm以下。切斷標(biāo)記9的中心間的間距是例如0.05mm以上，優(yōu)選是0.1mm以上，另外，是例如1.0mm以下，優(yōu)選是0.8mm以下。

對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記7的厚度是例如0.5μm以上，優(yōu)選是1μm以上，另外，是例如10μm以下，優(yōu)選是5μm以下。

對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記7的全光線透過率是例如40％以下，優(yōu)選是20％以下，更優(yōu)選是10％以下，另外，是例如0.1％以上。

1-1.(2)元件集合體臨時(shí)固定片材的制造方法

接著，說明元件集合體臨時(shí)固定片材1的制造方法。

在該方法中，如參照?qǐng)D3那樣，首先，準(zhǔn)備支承層2，接下來，設(shè)置對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記7。

設(shè)置對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記7的方法并沒有特別限定，可列舉例如使用光刻法的方法、熱敏轉(zhuǎn)印(參照例如日本特開2000-135871號(hào)公報(bào))、壓印、凸版印刷、凹版印刷、孔版印刷(網(wǎng)板印刷)、噴墨印刷(參照例如日本特開2014-10823號(hào)公報(bào))等。從精度良好地配置對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記7的觀點(diǎn)考慮，優(yōu)選可列舉使用光刻法的方法、網(wǎng)板印刷，更優(yōu)選可列舉出使用光刻法的方法。

在使用光刻法的方法中，具體而言，如圖4a～圖4c所示，依次實(shí)施如下工序：工序(a)，在該工序(a)中，準(zhǔn)備已設(shè)置有感光層21的支承層2(參照?qǐng)D4a)；工序(b)，在該工序(b)中，利用光刻法從感光層21形成對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記7作為顯影圖案23(參照?qǐng)D4b和圖4c)。

在工序(a)中，如圖4a所示，準(zhǔn)備具備支承層2和設(shè)置于該支承層2的上表面的感光層21的帶感光層的支承層22。

感光層21設(shè)置于支承層2的整個(gè)上表面。感光層21由感光材料形成，該感光材料利用光刻法能夠形成顯影圖案23。作為感光材料，可列舉出例如銀鹽乳劑。銀鹽乳劑含有例如銀鹽。作為銀鹽，可列舉出例如鹵化銀等無機(jī)銀鹽，可列舉出例如醋酸銀等有機(jī)銀鹽，優(yōu)選可列舉出對(duì)光的響應(yīng)性優(yōu)異的無機(jī)銀鹽。

感光層21的厚度是例如0.5μm以上，優(yōu)選是1μm以上，另外，是例如10μm以下，優(yōu)選是5μm以下。

在工序(b)中，如圖4b所示，隔著光掩模(未圖示)對(duì)感光層21照射活性能量射線。具體而言，使用由不銹鋼等金屬形成的金屬掩模來局部地包覆感光層21，之后，對(duì)感光層21的從金屬掩模暴露的部分照射激光(峰值波長(zhǎng)150nm以上、250nm以下)。

之后，如圖4c所示，將感光層21浸漬于顯影液而殘留曝光部分，將未曝光部分去除(顯影)。由此，將對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記7形成為顯影圖案23。

之后，如圖3所示，在支承層2之上設(shè)置元件集合體固定層3、并且在支承層2之下設(shè)置第1壓敏粘接層4。

為了將元件集合體固定層3和第1壓敏粘接層4分別設(shè)置于支承層2，首先，分別準(zhǔn)備元件集合體固定層3和第1壓敏粘接層4。

將元件集合體固定層3設(shè)置于例如第1剝離層5(參照?qǐng)D3的假想線)的表面。

將第1壓敏粘接層4設(shè)置于例如第2剝離層6(參照?qǐng)D3的假想線)的表面。

接下來，將元件集合體固定層3配置于支承層2的上表面。此時(shí)，以埋設(shè)對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記7的方式將元件集合體固定層3配置于支承層2的上表面。

另外，將第1壓敏粘接層4配置于支承層2的下表面。

由此，獲得了元件集合體臨時(shí)固定片材1，該元件集合體臨時(shí)固定片材1具備：支承層2；元件集合體固定層3和第1壓敏粘接層4，其分別配置于該支承層2的上下；第1剝離層5和第2剝離層6，其分別配置于元件集合體固定層3和第1壓敏粘接層4。

元件集合體臨時(shí)固定片材1的厚度是例如15μm以上，優(yōu)選是40μm以上，另外，是例如550μm以下，優(yōu)選是260μm以下。

另外，該元件集合體臨時(shí)固定片材1具有撓性。

1-2.載體

載體10是用于從下方支承元件集合體臨時(shí)固定片材1(支承層2)的支承板。由此，載體10支承著支承層2。載體10形成為沿著前后方向和左右方向延伸的大致平板狀。如圖1的a所示，載體10在俯視時(shí)具有與元件集合體臨時(shí)固定片材1相同的形狀。

另外，載體10位于臨時(shí)固定構(gòu)件30的下部。載體10與元件集合體臨時(shí)固定片材1的下表面直接接觸。具體而言，載體10壓敏粘接于元件集合體固定層3的下表面。載體10形成了臨時(shí)固定構(gòu)件30的下表面。

載體10由硬質(zhì)材料形成。作為硬質(zhì)材料，可列舉出例如玻璃等透明材料、例如陶瓷、不銹鋼等不透明材料。硬質(zhì)材料的維氏硬度是例如0.5gpa以上，優(yōu)選是1gpa以上，更優(yōu)選是1.2gpa以上，另外，是例如10gpa以下。只要載體10由硬質(zhì)材料形成，具體而言，只要硬質(zhì)材料的維氏硬度是上述的下限以上，就能夠可靠地支承元件集合體臨時(shí)固定片材1。

載體10的厚度是例如100μm以上，優(yōu)選是350μm以上，另外，是例如1000μm以下，優(yōu)選是600μm以下。

1-3.臨時(shí)固定構(gòu)件的制造方法

為了制造臨時(shí)固定構(gòu)件30，如參照?qǐng)D1的a那樣，首先，分別準(zhǔn)備元件集合體臨時(shí)固定片材1和載體10。

具體而言，首先，在第1壓敏粘接層4的下表面配置載體10。

詳細(xì)而言，首先，將圖3的以假想線所示的第2剝離層6從第1壓敏粘接層4剝離，之后，如圖1的a所示，使載體10與第1壓敏粘接層4的下表面直接接觸。由此，使載體10壓敏粘接于第1壓敏粘接層4。

由此，可獲得依次具備載體10和元件集合體臨時(shí)固定片材1的臨時(shí)固定構(gòu)件30。另外，臨時(shí)固定構(gòu)件30具備元件集合體臨時(shí)固定片材1的支承層2所具有的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記7。

臨時(shí)固定構(gòu)件30的厚度是例如115μm以上，優(yōu)選是390μm以上，另外，是例如1550μm以下，優(yōu)選是860μm以下。

1-4.工序(2)

工序(2)在工序(1)之后實(shí)施。

在工序(2)中，如圖1的a的以假想線箭頭所示那樣，首先，在將第1剝離層5從元件集合體固定層3的上表面剝離了之后，如圖1的b所示，將多個(gè)光半導(dǎo)體元件11臨時(shí)固定于元件集合體固定層3的上表面。此時(shí)，以排列標(biāo)記8為基準(zhǔn)將多個(gè)光半導(dǎo)體元件11排列配置(排列)于元件集合體固定層3的上表面。另外，將多個(gè)光半導(dǎo)體元件11設(shè)置于元件集合體固定層3中的元件集合體形成區(qū)域17。

具體而言，一邊辨認(rèn)排列標(biāo)記8且進(jìn)行多個(gè)光半導(dǎo)體元件11的左右方向和前后方向上的定位、一邊使多個(gè)光半導(dǎo)體元件11與元件集合體固定層3的上表面直接接觸。

為了辨認(rèn)排列標(biāo)記8，利用設(shè)置于臨時(shí)固定構(gòu)件30的上方的照相機(jī)等從排列標(biāo)記8的上方對(duì)排列標(biāo)記8進(jìn)行辨認(rèn)。此時(shí)，元件集合體固定層3是透明的，因此，能夠從元件集合體固定層3的上方辨認(rèn)排列標(biāo)記8。

此外，光半導(dǎo)體元件11具有上表面、沿著厚度方向與上表面相對(duì)配置的下表面以及將上表面和下表面連接的周側(cè)面。在下表面形成有電極。

多個(gè)光半導(dǎo)體元件11排列配置于元件集合體固定層3的上表面，從而構(gòu)成元件集合體16。

相鄰的光半導(dǎo)體元件11之間的間隔(前后方向和/或左右方向上的間隔)是例如0.05mm以上，優(yōu)選是0.1mm以上，另外，是例如1.0mm以下，優(yōu)選是0.8mm以下。此外，多個(gè)光半導(dǎo)體元件11各自的厚度(高度)是例如0.1μm以上，優(yōu)選是0.2μm以上，另外，是例如500μm以下，優(yōu)選是200μm以下。多個(gè)光半導(dǎo)體元件11各自的左右方向長(zhǎng)度和/或前后方向長(zhǎng)度是例如0.05mm以上，優(yōu)選是0.1mm以上，另外，是例如1.0mm以下，優(yōu)選是0.8mm以下。

1-5.工序(3)

在工序(3)中，如圖1的c的以實(shí)線所示和圖2的以單點(diǎn)劃線所示那樣，接下來，利用密封層12密封元件集合體16。

利用由例如半固形狀或固形狀的密封組合物構(gòu)成的密封片材密封元件集合體16?；蛘摺⑼ㄟ^灌注液體狀的密封組合物來密封元件集合體16。密封組合物含有有機(jī)硅樹脂、環(huán)氧樹脂等透明樹脂。根據(jù)需要，密封組合物也能夠以適當(dāng)?shù)谋壤刑畛洳牧稀晒怏w、光反射性粒子等粒子。

密封層12對(duì)多個(gè)光半導(dǎo)體元件11各自的上表面和側(cè)面、元件集合體固定層3的上表面的從多個(gè)光半導(dǎo)體元件11暴露的部分進(jìn)行包覆。密封層12以將元件集合體固定層3的上表面的位于標(biāo)記形成區(qū)域18的部分暴露的方式設(shè)置于元件集合體固定層3的上表面的位于元件集合體形成區(qū)域17的部分。

由此，可獲得具備多個(gè)光半導(dǎo)體元件11(元件集合體16)和1個(gè)密封層12的密封元件集合體19。也就是說，密封元件集合體19以臨時(shí)固定到元件集合體臨時(shí)固定片材1的狀態(tài)可獲得。

密封層12的厚度是例如40μm以上，優(yōu)選是50μm以上，另外，是例如500μm以下，優(yōu)選是300μm以下。

1-6.工序(4)

如圖1的d的以單點(diǎn)劃線所示和圖2的以雙點(diǎn)劃線所示那樣，接下來，以光半導(dǎo)體元件11單片化的方式切斷密封層12。也就是說，密封元件集合體19(后述的密封光半導(dǎo)體元件13)被單片化。

為了切斷密封層12，使用具備例如切斷刀的切斷裝置、具備例如激光照射源的切斷裝置。

作為具備切斷刀的切斷裝置，可列舉出具備例如圓盤狀的切割鋸(切割刀片)的切割裝置、具備例如刀具的裁切裝置。

優(yōu)選使用具備切斷刀的切斷裝置，更優(yōu)選使用切割裝置。

在由上述的切斷裝置進(jìn)行的密封層12的切斷過程中，以對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記7的切斷標(biāo)記9為基準(zhǔn)切斷密封層12。另外，一邊利用與用于排列標(biāo)記8的辨認(rèn)的照相機(jī)相同的照相機(jī)從上方辨認(rèn)對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記7的切斷標(biāo)記9、一邊切斷密封層12。

切斷后的密封層12的前后方向長(zhǎng)度和/或左右方向長(zhǎng)度是例如20mm以上，優(yōu)選是40mm以上，另外，是例如150mm以下，優(yōu)選是100mm以下。

由此，具備1個(gè)光半導(dǎo)體元件11和1個(gè)密封層12的密封光半導(dǎo)體元件13以臨時(shí)固定到元件集合體固定層3(臨時(shí)固定構(gòu)件30)的狀態(tài)可獲得多個(gè)。

1-7.工序(5)

在工序(5)中，如圖1的d的以箭頭所示，將多個(gè)密封光半導(dǎo)體元件13分別從元件集合體固定層3剝離。

1-8.載體的再利用和光半導(dǎo)體裝置的制造

之后，在多個(gè)密封光半導(dǎo)體元件13被剝離后的臨時(shí)固定構(gòu)件30中，將載體10從第1壓敏粘接層4剝離，再利用載體10。另一方面，將元件集合體臨時(shí)固定片材1(支承層2、元件集合體固定層3以及第1壓敏粘接層4)廢棄。也就是說，元件集合體臨時(shí)固定片材1是一次性的。

之后，如圖1的e所示，將密封光半導(dǎo)體元件13倒裝芯片安裝于基板14。

基板14具有沿著前后方向和左右方向延伸的平板形狀。在基板14的上表面形成有與光半導(dǎo)體元件11的電極電連接的端子。

由此，可獲得具備密封光半導(dǎo)體元件13和基板14的光半導(dǎo)體裝置15。

2.第1實(shí)施方式的作用效果

根據(jù)該方法，不是在硬質(zhì)的載體10而是在由合成樹脂形成的支承層2設(shè)置對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記7，因此，只要將載體10從支承層2剝離，就能夠再利用載體10。

另外，在由合成樹脂形成的支承層2設(shè)置對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記7，因此，能夠容易地將對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記7形成在支承層2。

另外，根據(jù)該方法，能夠利用載體10隔著第1壓敏粘接層4可靠且簡(jiǎn)便地對(duì)支承層2進(jìn)行支承。

3.第1實(shí)施方式的變形例

在第1實(shí)施方式中，如圖2所示，排列標(biāo)記8具有大致圓形狀，切斷標(biāo)記9具有大致直線形狀。不過，對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記7各自的形狀并沒有特別限定。

在第1實(shí)施方式中，首先，在第1剝離層5(參照?qǐng)D3的假想線)的表面形成了元件集合體固定層3，之后，將元件集合體固定層3從第1剝離層5轉(zhuǎn)印于支承層2，但在變形例中，例如也能夠直接形成于支承層2的上表面。

在第1實(shí)施方式中，首先，在第2剝離層6(參照?qǐng)D3的假想線)的表面形成了第1壓敏粘接層4，之后，將第1壓敏粘接層4從第2剝離層6轉(zhuǎn)印到支承層2，但在變形例中，例如也能夠直接形成于支承層2的下表面。

另外，在第1實(shí)施方式中，如圖3所示，對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記7設(shè)置于支承層2的上表面。

在變形例中，如圖5a所示，對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記7設(shè)置于支承層2的下表面。

第1壓敏粘接層4埋設(shè)有對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記7。

如圖5b所示，在將多個(gè)光半導(dǎo)體元件11排列于元件集合體固定層3之際，利用配置到臨時(shí)固定構(gòu)件30的上方的照相機(jī)隔著元件集合體固定層3和支承層2辨認(rèn)排列標(biāo)記8。

另外，如圖5d所示，在切斷密封層12之際，利用上述的照相機(jī)隔著元件集合體固定層3和支承層2辨認(rèn)切斷標(biāo)記9。

而且，雖未圖示，但對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記7也能夠設(shè)置于支承層2的上下兩面。

優(yōu)選將對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記7僅設(shè)置于支承層2的一個(gè)面，也就是說，僅設(shè)置于上表面，或者、僅設(shè)置于下表面。若將對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記7僅設(shè)置于支承層2的一個(gè)面，則與將對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記7設(shè)置于支承層2的上下兩面的情況相比，能夠簡(jiǎn)易地形成對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記7，能夠相應(yīng)地降低制造成本。

更優(yōu)選的是，如第1實(shí)施方式的圖3所示，對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記7設(shè)置于支承層2的上表面。根據(jù)該結(jié)構(gòu)，與對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記7設(shè)置于支承層2的下表面的圖5a的情況相比，能夠從上方更可靠地辨認(rèn)對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記7。

而且，在第1實(shí)施方式中，如圖1的d的以單點(diǎn)劃線所示那樣，將密封層12切斷而使密封元件集合體19單片化。

不過，在變形例中，如圖6a所示，不切斷密封層12，就將密封元件集合體19從元件集合體固定層3剝離，之后，如圖6b所示，將密封元件集合體19倒裝芯片安裝于基板14。也就是說，該變形例不具備第1實(shí)施方式的工序(4)而依次具備工序(1)～(3)和(5)。

在該變形例中，不實(shí)施將密封層12切斷的工序(4)，因此，雖未圖示，但對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記7也可以不具備切斷標(biāo)記9而僅由排列標(biāo)記8構(gòu)成。

4.第2實(shí)施方式

在第2實(shí)施方式中，對(duì)于與第1實(shí)施方式相同的構(gòu)件和工序，標(biāo)注相同的參照附圖標(biāo)記，省略其詳細(xì)的說明。

在第1實(shí)施方式中，如圖1的a和圖3所示，在元件集合體臨時(shí)固定片材1(具體而言，支承層2)設(shè)置有對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記7。

不過，只要是除了載體10以外的構(gòu)件，就沒有特別限定，在第2實(shí)施方式中，例如，如圖7a所示，能夠?qū)⒃讵?dú)立于元件集合體臨時(shí)固定片材1的標(biāo)記層31設(shè)置對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記7。

在工序(1)中，在臨時(shí)固定構(gòu)件30中，標(biāo)記層31設(shè)置于載體10之下。標(biāo)記層31設(shè)置于臨時(shí)固定構(gòu)件30。也就是說，臨時(shí)固定構(gòu)件30依次具備元件集合體臨時(shí)固定片材1、載體10以及標(biāo)記層31。標(biāo)記層31支承于載體10。

標(biāo)記層31具備沿著厚度方向貫通的貫通孔26。另外，標(biāo)記層31依次具備配置于載體10的下表面的標(biāo)記壓敏粘接層33和支承標(biāo)記壓敏粘接層33的標(biāo)記支承層32。貫通孔26通過一并貫通標(biāo)記壓敏粘接層33和標(biāo)記支承層32而設(shè)置為對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記7。

標(biāo)記壓敏粘接層33由與上述的元件集合體固定層3同樣的壓敏粘接劑形成，具有與元件集合體固定層3同樣的物性。標(biāo)記支承層32由與支承層2同樣的合成樹脂形成，具有與支承層2同樣的物性。

特別是，標(biāo)記支承層32和標(biāo)記壓敏粘接層33中的、例如任一層是有色，剩余的層是無色的。有色的上述的層的全光線透過率分別是例如80％以下，優(yōu)選是65％以下，更優(yōu)選50％以下。

另一方面，優(yōu)選的是，載體10為了提高從上方辨認(rèn)對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記7的辨認(rèn)性而是無色的。載體10優(yōu)選由透明材料形成。而且，元件集合體固定層3、支承層2以及第1壓敏粘接層4優(yōu)選是無色的。載體10、元件集合體固定層3、支承層2以及第1壓敏粘接層4的全光線透過率分別是例如80％以上，優(yōu)選是90％以上、更優(yōu)選95％以上，另外，是例如99.9％以下。

因而，載體10、元件集合體固定層3、支承層2以及第1壓敏粘接層4是無色，只要標(biāo)記層31中的至少1層是有色，則貫通孔26在俯視中辨認(rèn)為無色。也就是說，如圖9所示，可利用有色的標(biāo)記層31中的至少1層與無色的貫通孔26之間的對(duì)比度來明確地辨認(rèn)貫通孔26。

為了制造該元件集合體臨時(shí)固定片材1，如圖7a所示，在工序(1)中，準(zhǔn)備依次具備標(biāo)記層31、載體10以及元件集合體臨時(shí)固定片材1的臨時(shí)固定構(gòu)件30。

標(biāo)記層31如參照?qǐng)D10那樣，首先，準(zhǔn)備依次具備第3剝離層35、標(biāo)記壓敏粘接層33以及標(biāo)記支承層32的層疊體，之后，將沿著厚度方向貫通層疊體(第3剝離層35、標(biāo)記壓敏粘接層33以及標(biāo)記支承層32)的貫通孔26形成為對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記7。

貫通孔26利用例如切削、沖裁、激光加工等形成。優(yōu)選是利用激光加工形成貫通孔26。作為激光加工，可列舉出例如準(zhǔn)分子激光器、yag激光器、co2激光器等，優(yōu)選的是，從以卷軸對(duì)卷軸(日文：リールツーリール)連續(xù)地制造臨時(shí)固定構(gòu)件30的觀點(diǎn)和將貫通孔26形成于大范圍區(qū)域的觀點(diǎn)考慮，可列舉出yag激光器。

之后，將第3剝離層35從標(biāo)記壓敏粘接層33剝離，接下來，將標(biāo)記壓敏粘接層33的上表面壓敏粘接于載體10的下表面。

另外，將元件集合體臨時(shí)固定片材1的第1壓敏粘接層4壓敏粘接于載體10的上表面。

之后，如圖7b所示，在工序(2)中，以排列標(biāo)記8為基準(zhǔn)將多個(gè)光半導(dǎo)體元件11排列配置(排列)于元件集合體固定層3的上表面。

此時(shí)，一邊從上方辨認(rèn)排列標(biāo)記8且進(jìn)行多個(gè)光半導(dǎo)體元件11的左右方向和前后方向上的定位、一邊使多個(gè)光半導(dǎo)體元件11與元件集合體固定層3的上表面直接接觸。

具體而言，將排列標(biāo)記8(貫通孔26)辨認(rèn)為無色。排列標(biāo)記8(貫通孔26)可利用與標(biāo)記壓敏粘接層33和標(biāo)記支承層32的至少任一者的有色之間的對(duì)比度明確地辨認(rèn)(參照?qǐng)D9)。

另外，如圖8a所示，在工序(4)中，在切斷密封層12之際，以切斷標(biāo)記9為基準(zhǔn)。具體而言，利用與上述的排列標(biāo)記8(貫通孔26)的辨認(rèn)同樣的方法辨認(rèn)切斷標(biāo)記9(貫通孔26)(參照?qǐng)D9)。

如圖8a的以箭頭所示那樣，在工序(5)中，將多個(gè)密封光半導(dǎo)體元件13分別從元件集合體固定層3剝離，接下來，在臨時(shí)固定構(gòu)件30中，將載體10從第1壓敏粘接層4(元件集合體臨時(shí)固定片材1)和標(biāo)記壓敏粘接層33(標(biāo)記層31)分別剝離，再利用載體10。另一方面，將元件集合體臨時(shí)固定片材1(支承層2、元件集合體固定層3以及第1壓敏粘接層4)和標(biāo)記層31(標(biāo)記支承層32和標(biāo)記壓敏粘接層33)廢棄。也就是說，元件集合體臨時(shí)固定片材1和標(biāo)記層31是一次性的。

5.第2實(shí)施方式的作用效果

利用第2實(shí)施方式也能夠起到與第1實(shí)施方式同樣的作用效果。

而且，根據(jù)該方法，不是在硬質(zhì)的載體10而是在標(biāo)記層31設(shè)置對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記7，因此，只要將載體10從標(biāo)記層31分離，就能夠再利用載體10。

另外，能夠在標(biāo)記層31簡(jiǎn)便且容易地形成對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記7。

在上述的方法中，如圖10所示，形成了一并貫通第3剝離層35、標(biāo)記壓敏粘接層33以及標(biāo)記支承層32的貫通孔26。不過，例如，如圖11所示，也能夠形成不貫通第3剝離層35而僅貫通標(biāo)記壓敏粘接層33和標(biāo)記支承層32的貫通孔26。

另外，雖未圖示，但也能夠?qū)?duì)準(zhǔn)標(biāo)記7設(shè)置為在標(biāo)記層31中向厚度方向中途凹陷的凹部。

而且，雖未圖示，但對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記7不是貫通孔26而能夠由在第1實(shí)施方式中例示了的不透明的材料形成。例如對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記7設(shè)置于標(biāo)記支承層32。

優(yōu)選將對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記7形成為貫通標(biāo)記層31的貫通孔26。只要將對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記7形成為貫通標(biāo)記層31的貫通孔26，能夠簡(jiǎn)便且容易地形成對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記7。

6.第3實(shí)施方式

在第3實(shí)施方式中，對(duì)于與第1實(shí)施方式和第2實(shí)施方式相同的構(gòu)件和工序，標(biāo)注相同的參照附圖標(biāo)記，省略其詳細(xì)的說明。

6-1.工序(1)

在工序(1)中，如圖12a所示，準(zhǔn)備依次具備元件集合體臨時(shí)固定片材1和載體10的臨時(shí)固定構(gòu)件30。

元件集合體臨時(shí)固定片材1不具備第1壓敏粘接層4(參照?qǐng)D3的實(shí)線)，而具備支承層2和元件集合體固定層3。另外，在圖12a中雖未圖示，但元件集合體臨時(shí)固定片材1也能夠具備第1剝離層5(參照?qǐng)D3)。優(yōu)選元件集合體臨時(shí)固定片材1僅由支承層2和元件集合體固定層3構(gòu)成，另外，根據(jù)需要，優(yōu)選元件集合體臨時(shí)固定片材1僅由支承層2、元件集合體固定層3以及第1剝離層5構(gòu)成。

為了制造元件集合體臨時(shí)固定片材1，首先，準(zhǔn)備支承層2，接下來，利用上述的方法(圖4a～圖4c的方法)將對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記7設(shè)置于支承層2。之后，將元件集合體固定層3設(shè)置于支承層2的整個(gè)上表面。

在工序(1)中，為了準(zhǔn)備臨時(shí)固定構(gòu)件30，首先，將第1剝離層5(參照?qǐng)D13)從元件集合體固定層3剝離，接下來，如圖12a所示，將載體10配置于元件集合體固定層3的上表面。

載體10由玻璃等透明材料形成。載體10的全光線透過率是例如80％以上，優(yōu)選是90％以上，更優(yōu)選是95％以上，另外，是例如99.9％以下。

由此，可獲得依次具備支承層2、元件集合體固定層3以及載體10的臨時(shí)固定構(gòu)件30。臨時(shí)固定構(gòu)件30優(yōu)選僅由支承層2、元件集合體固定層3以及載體10構(gòu)成。

臨時(shí)固定構(gòu)件30的厚度是例如115μm以上、優(yōu)選是390μm以上，另外，是例如1550μm以下，優(yōu)選是860μm以下。

6-2.工序(2)

在工序(2)中，如圖12b所示，使載體10支承元件集合體16。

具體而言，首先，如圖12a所示，在載體10的上表面配置第2壓敏粘接層25。

第2壓敏粘接層25具有平板形狀，具有預(yù)定的厚度，沿著左右方向和前后方向延伸，具有平坦的表面和平坦的背面。第2壓敏粘接層25具有壓敏粘接性(粘合性)。第2壓敏粘接層25具有與圖3所示的上述的元件集合體臨時(shí)固定片材1(支承層2、元件集合體固定層3、第1壓敏粘接層4)同樣的層結(jié)構(gòu)。另外，第2壓敏粘接層25也能夠包括日本特開2014-168036號(hào)公報(bào)所記載的粘合層。此外，第2壓敏粘接層25在俯視時(shí)具有比元件集合體臨時(shí)固定片材1小的尺寸，具體而言，第2壓敏粘接層25配置成，在沿著厚度方向進(jìn)行了投影時(shí)，第2壓敏粘接層25不與對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記7重疊。具體而言，第2壓敏粘接層25配置于載體10的元件集合體形成區(qū)域17。第2壓敏粘接層25的厚度是例如30μm以上、優(yōu)選是50μm以上，另外，是例如500μm以下，優(yōu)選是300μm以下。

如圖12b所示，接下來，將多個(gè)光半導(dǎo)體元件11壓敏粘接于第2壓敏粘接層25的上表面。

此時(shí)，一邊從臨時(shí)固定構(gòu)件30的上方辨認(rèn)對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記7的排列標(biāo)記8、一邊以排列標(biāo)記8為基準(zhǔn)將多個(gè)光半導(dǎo)體元件11排列配置(排列)于第2壓敏粘接層25的上表面。隔著透明的載體10和元件集合體固定層3辨認(rèn)排列標(biāo)記8。

由此，具備1個(gè)第2壓敏粘接層25和多個(gè)光半導(dǎo)體元件11的元件集合體16以支承于載體10的狀態(tài)獲得。也就是說，元件集合體16支承于載體10。也就是說，元件集合體16借助載體10臨時(shí)固定于元件集合體臨時(shí)固定片材1(元件集合體固定層3)。

6-3.工序(3)

在工序(3)中，如圖12c所示，接下來，利用密封層12將元件集合體16中的多個(gè)光半導(dǎo)體元件11密封。

密封層12包覆著多個(gè)光半導(dǎo)體元件11各自的上表面和側(cè)面、第2壓敏粘接層25的上表面的從多個(gè)光半導(dǎo)體元件11暴露的部分。另一方面，密封層12沒有形成于載體10的上表面。

由此，可獲得具備元件集合體16和包覆元件集合體16的密封層12的密封元件集合體19。密封元件集合體19依次具備1個(gè)第2壓敏粘接層25、多個(gè)光半導(dǎo)體元件11以及1個(gè)密封層12。密封元件集合體19優(yōu)選僅由1個(gè)第2壓敏粘接層25、多個(gè)光半導(dǎo)體元件11以及1個(gè)密封層12構(gòu)成。

6-4.工序(4)

在工序(4)中，如圖12d的以單點(diǎn)劃線所示那樣，接下來，切斷密封層12。

由此，具備1個(gè)光半導(dǎo)體元件11和1個(gè)密封層12的密封光半導(dǎo)體元件13以臨時(shí)固定于第2壓敏粘接層25的狀態(tài)獲得多個(gè)。

6-5.工序(5)

在工序(5)中，如圖12e所示，將密封元件集合體19從載體10的上表面剝離。

接下來，如圖12e的以箭頭所示，將多個(gè)密封光半導(dǎo)體元件13分別從第2壓敏粘接層25剝離。

6-6.載體的再利用和光半導(dǎo)體裝置的制造

在臨時(shí)固定構(gòu)件30中，將載體10從元件集合體固定層3的上表面剝離而再利用載體10。另一方面，將元件集合體臨時(shí)固定片材1(支承層2和元件集合體固定層3)廢棄。也就是說，元件集合體臨時(shí)固定片材1是一次性的。

如圖12f所示，之后，將密封光半導(dǎo)體元件13倒裝芯片安裝于基板14而獲得光半導(dǎo)體裝置15。

7.第3實(shí)施方式的作用效果

利用第3實(shí)施方式也能夠起到與第1實(shí)施方式同樣的作用效果。

詳細(xì)而言，能夠利用載體10隔著第2壓敏粘接層25可靠且簡(jiǎn)便地支承支承層2。

另外，如圖13所示，該元件集合體臨時(shí)固定片材1不具備第1壓敏粘接層4(參照?qǐng)D3)，因此，與具備第1壓敏粘接層4的第1實(shí)施方式的元件集合體臨時(shí)固定片材1相比，能夠使層結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單。

8.第3實(shí)施方式的變形例

在第3實(shí)施方式中，如圖12a所示，對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記7設(shè)置于支承層2的上表面。

在變形例中，如圖14a所示，對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記7設(shè)置于支承層2的下表面。

對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記7朝向下方暴露。

如圖14b所示，在工序(2)中，在將多個(gè)光半導(dǎo)體元件11排列于第2壓敏粘接層25之際，利用配置到臨時(shí)固定構(gòu)件30的上方的照相機(jī)隔著載體10、元件集合體固定層3以及支承層2辨認(rèn)排列標(biāo)記8。

如圖14d所示，在工序(4)中，在切斷密封層12之際，利用上述的照相機(jī)隔著載體10、元件集合體固定層3以及支承層2辨認(rèn)切斷標(biāo)記9。

而且，雖未圖示，但也能夠?qū)?duì)準(zhǔn)標(biāo)記7設(shè)置于支承層2的上下兩面。

優(yōu)選的是，將對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記7僅設(shè)置于支承層2的一個(gè)面、也就是說，僅設(shè)置于上表面、或者、僅設(shè)置于下表面。只要將對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記7僅設(shè)置于支承層2的一個(gè)面，與將對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記7設(shè)置于支承層2的上下兩面的情況相比，能夠簡(jiǎn)易地形成對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記7，能夠相應(yīng)地降低制造成本。

更優(yōu)選的是，如第3實(shí)施方式的圖13所示，對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記7設(shè)置于支承層2的上表面。根據(jù)該結(jié)構(gòu)，與對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記7設(shè)置于支承層2的下表面的圖14a的情況相比，能夠從上方更可靠地辨認(rèn)對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記7。

另外，雖未圖示，但也能夠?qū)?duì)準(zhǔn)標(biāo)記7設(shè)為沿著厚度方向貫通支承層2的貫通孔或凹部。

而且，在第3實(shí)施方式中，如圖12d的以單點(diǎn)劃線所示那樣，切斷了密封層12。

不過，在變形例中，如圖15a所示，不切斷密封層12，就將第2壓敏粘接層25從載體10的上表面剝離。也就是說，不實(shí)施工序(4)。

接下來，如圖15b所示，將密封元件集合體19從多個(gè)光半導(dǎo)體元件11各自的下表面和密封層12的下表面剝離。

之后，如圖15c所示，將多個(gè)光半導(dǎo)體元件11倒裝芯片安裝于基板14。

該變形例不具備第3實(shí)施方式的工序(4)而依次具備工序(1)～(3)和(5)。

在該變形例中，如圖15a所示，不實(shí)施將密封層12切斷的工序(4)，因此，雖未圖示，但對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記7也可以不具備切斷標(biāo)記9而僅由排列標(biāo)記8構(gòu)成。

實(shí)施例

在以下的記載中所使用的配合比例(含有比例)、物性值、參數(shù)等具體的數(shù)值能夠替代為上述的“具體實(shí)施方式”中記載的、與它們相對(duì)應(yīng)的配合比例(含有比例)、物性值、參數(shù)等相應(yīng)記載的上限值(定義為“以下”、“小于”的數(shù)值)或下限值(定義為“以上”、“超過”的數(shù)值)。

實(shí)施例1(與第1實(shí)施方式相對(duì)應(yīng)的實(shí)施例)

1-1.工序(1)

如參照?qǐng)D4a那樣，首先，準(zhǔn)備了帶感光層的支承層22(工序(a))，該帶感光層的支承層22具備：厚度為175μm的支承層2，其由pet形成；厚度為3μm的感光層21，其設(shè)置于支承層2的上表面，由含有鹵化銀的銀鹽乳劑形成。帶感光層的支承層22的前后方向長(zhǎng)度是600mm，左右方向長(zhǎng)度是500mm。

支承層2的全光線透過率是95％。支承層2的線膨脹系數(shù)是70×10^-6k^-1。支承層2的25℃時(shí)的拉伸模量e是60mpa。

元件集合體固定層3的全光線透過率是95％。元件集合體固定層3的線膨脹系數(shù)是220×10^-6k^-1。

接下來，如圖4b所示，使用由不銹鋼形成的金屬掩模來局部地包覆感光層21，之后，對(duì)感光層21的從金屬掩模暴露的部分照射了峰值波長(zhǎng)是193nm的激光。由此，將排列標(biāo)記8和切斷標(biāo)記9形成為曝光圖案。

之后，通過將帶感光層的支承層22浸漬于顯影液，殘留曝光部分并將未曝光部分去除了(進(jìn)行了顯影)。由此，如圖2和圖4c所示，將具有圓形狀的排列標(biāo)記8和直線形狀的切斷標(biāo)記9的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記7形成為顯影圖案23。

排列標(biāo)記8的直徑是0.5mm，相鄰的排列標(biāo)記8之間的間隔是1.14mm，相鄰的排列標(biāo)記8的間距是1.64mm。切斷標(biāo)記9的左右方向長(zhǎng)度是0.5mm，前后方向長(zhǎng)度是0.2mm。相鄰的切斷標(biāo)記9之間的間隔是1.62mm，相鄰的切斷標(biāo)記9的間距是1.64mm。

對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記7是不透明的，全光線透過率是10％。

另外，在第1剝離層5的表面準(zhǔn)備了由有機(jī)硅系粘合劑形成的厚度為25μm的元件集合體固定層3，而在第2剝離層6的表面準(zhǔn)備了由有機(jī)硅系粘合劑形成的厚度為15μm的第1壓敏粘接層4。

接下來，將元件集合體固定層3以包括對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記7在內(nèi)的方式配置于支承層2的上表面，并且將第1壓敏粘接層4配置于支承層2的下表面。

由此，如圖3所示，獲得了依次具備第2剝離層6、第1壓敏粘接層4、支承層2、元件集合體固定層3以及第1剝離層5的元件集合體臨時(shí)固定片材1。

之后，將第2剝離層6從第1壓敏粘接層4剝離，之后，如圖1的a所示，在第1壓敏粘接層4的下表面配置了由玻璃構(gòu)成的厚度為700μm的載體10。

由此，如圖1的a所示，準(zhǔn)備了具備元件集合體臨時(shí)固定片材1和設(shè)置于元件集合體臨時(shí)固定片材1之下的載體10的臨時(shí)固定構(gòu)件30。臨時(shí)固定構(gòu)件30的厚度是790μm。

1-4.工序(2)

如圖1的a的以假想線箭頭所示那樣，在將第1剝離層5從元件集合體固定層3的上表面剝離了之后，如圖1的b所示，將多個(gè)光半導(dǎo)體元件11以排列標(biāo)記8為基準(zhǔn)排列配置于元件集合體固定層3。此時(shí)，照相機(jī)從上方辨認(rèn)了排列標(biāo)記8。

光半導(dǎo)體元件11的厚度是150μm，光半導(dǎo)體元件11的左右方向長(zhǎng)度和前后方向長(zhǎng)度是1.14mm，相鄰的光半導(dǎo)體元件11之間的間隔是0.5mm以上。

1-5.工序(3)

如圖1的c所示，接下來，利用密封層12密封了元件集合體16。密封層12由含有100質(zhì)量份的有機(jī)硅樹脂和15質(zhì)量份的熒光體的密封組合物形成。密封層12的厚度是400μm。由此，獲得了具備多個(gè)光半導(dǎo)體元件11和1個(gè)密封層12的密封元件集合體19。

1-6.工序(4)

如圖1的d的以單點(diǎn)劃線所示和圖2所示那樣，接下來，以切斷標(biāo)記9為基準(zhǔn)利用切割鋸切斷密封層12而使密封元件集合體19單片化。此時(shí)，照相機(jī)從上方辨認(rèn)了切斷標(biāo)記9。切斷后的密封層12的左右方向長(zhǎng)度和前后方向長(zhǎng)度分別是100mm。

由此，以將具備光半導(dǎo)體元件11和密封層12的密封光半導(dǎo)體元件13臨時(shí)固定于臨時(shí)固定構(gòu)件30的狀態(tài)獲得了多個(gè)該密封光半導(dǎo)體元件13。

1-7.工序(5)

接下來，如圖1的d的以箭頭所示那樣，將多個(gè)密封光半導(dǎo)體元件13分別從元件集合體固定層3剝離了。

之后，如圖1的e所示，將密封光半導(dǎo)體元件13倒裝芯片安裝于基板14。

實(shí)施例2(與第1實(shí)施方式相對(duì)應(yīng)的實(shí)施例)

在工序(1)中，除了利用含有碳黑的涂敷液的噴墨印刷和干燥形成了對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記7以外，與實(shí)施例1同樣地進(jìn)行處理而獲得元件集合體臨時(shí)固定片材1，接下來，使用元件集合體臨時(shí)固定片材1來制造密封光半導(dǎo)體元件13，接著制造了光半導(dǎo)體裝置15。

實(shí)施例3(與第2實(shí)施方式相對(duì)應(yīng)的實(shí)施例)

在工序(1)中，除了如下述那樣進(jìn)行了變更以外，與實(shí)施例1同樣地進(jìn)行處理而獲得元件集合體臨時(shí)固定片材1，接下來，使用元件集合體臨時(shí)固定片材1來制造密封光半導(dǎo)體元件13(參照?qǐng)D7a～圖8a)，接著制造了光半導(dǎo)體裝置15(參照?qǐng)D8b)。

在工序(1)中，如參照?qǐng)D10那樣，首先，準(zhǔn)備了具備由聚酯形成的厚度為50μm的第3剝離層35、由有機(jī)硅系壓敏粘接劑形成的厚度為6μm的標(biāo)記壓敏粘接層33以及由聚酰亞胺形成的厚度為25μm的標(biāo)記支承層32的層疊體(商品名“trm-6250-l”、日東電工株式會(huì)社制)。

支承層2的全光線透過率是95％。支承層2的線膨脹系數(shù)是70×10^-6k^-1。支承層2的25℃時(shí)的拉伸模量e是60mpa。

元件集合體固定層3的全光線透過率是95％。元件集合體固定層3的線膨脹系數(shù)是220×10^-6k^-1。

接下來，如圖10所示，利用yag激光器以與實(shí)施例1同樣的圖案以貫通層疊體的方式形成了貫通孔26。yag激光器的條件如以下那樣。

yag激光器：model5330(株式會(huì)社esi制)

射束直徑：5μm

激光功率：2.5w

脈沖的反復(fù)頻率：30khz

掃描速度＝150mm/秒

由此，貫通孔26作為對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記7形成于第3剝離層35和支承于該第3剝離層35的標(biāo)記層31(標(biāo)記壓敏粘接層33和標(biāo)記支承層32)。

之后，將第3剝離層35從標(biāo)記壓敏粘接層33剝離，接下來，如圖7a所示，將標(biāo)記壓敏粘接層33壓敏粘接于載體10的下表面。另外，將元件集合體臨時(shí)固定片材1中的第1壓敏粘接層4的下表面壓敏粘接于載體10的上表面。

由此，獲得了具備載體10、支承于載體10的元件集合體臨時(shí)固定片材1以及支承于載體10的標(biāo)記層31的臨時(shí)固定構(gòu)件30。

實(shí)施例4(與第3實(shí)施方式相對(duì)應(yīng)的實(shí)施例)

4-1.工序(1)

除了不具備第2剝離層6和第1壓敏粘接層4以外，與實(shí)施例1同樣進(jìn)行處理而獲得了元件集合體臨時(shí)固定片材1。也就是說，如圖13所示，該元件集合體臨時(shí)固定片材1依次具備支承層2、元件集合體固定層3以及第1剝離層5。元件集合體臨時(shí)固定片材1的厚度是100μm。

之后，將第1剝離層5從元件集合體固定層3剝離，接下來，如圖12a所示，將由玻璃構(gòu)成的厚度為700μm的載體10配置于元件集合體固定層3的上表面。由此，準(zhǔn)備了臨時(shí)固定構(gòu)件30。臨時(shí)固定構(gòu)件30的厚度是800μm。

4-2.工序(2)

另外，將厚度為90μm的第2壓敏粘接層25配置到載體10的上表面，該第2壓敏粘接層25由元件集合體臨時(shí)固定片材1構(gòu)成，該元件集合體臨時(shí)固定片材1由支承層2、元件集合體固定層3以及第1壓敏粘接層4構(gòu)成。

如圖12b所示，接下來，將多個(gè)光半導(dǎo)體元件11以排列標(biāo)記8為基準(zhǔn)排列配置于第2壓敏粘接層25的上表面。此時(shí)，照相機(jī)從上方辨認(rèn)了排列標(biāo)記8。光半導(dǎo)體元件11的尺寸和相鄰的光半導(dǎo)體元件11間的尺寸與實(shí)施例1相同。

由此，以具備第2壓敏粘接層25和多個(gè)光半導(dǎo)體元件11的元件集合體16借助載體10支承于元件集合體臨時(shí)固定片材1的狀態(tài)獲得了該元件集合體16。

4-3.工序(3)

如圖12c所示，接下來，利用密封層12密封了元件集合體16中的多個(gè)光半導(dǎo)體元件11。密封層12由含有100質(zhì)量份的有機(jī)硅樹脂和15質(zhì)量份的熒光體的密封組合物形成。密封層12的厚度是400μm。

由此，獲得了具備元件集合體16和包覆多個(gè)光半導(dǎo)體元件11的密封層12的密封元件集合體19。

4-4.工序(4)

如圖12d的以單點(diǎn)劃線所示那樣，接下來，以切斷標(biāo)記9為基準(zhǔn)利用切割鋸切斷了密封層12。此時(shí)，照相機(jī)從上方辨認(rèn)了切斷標(biāo)記9。切斷后的密封層12的左右方向長(zhǎng)度和前后方向長(zhǎng)度分別是1.62mm。

4-5.工序(5)

之后，如圖12e的以箭頭所示那樣，將密封元件集合體19從載體10的上表面剝離了。接下來，將多個(gè)密封光半導(dǎo)體元件13分別從第2壓敏粘接層25剝離了。

之后，如圖12f所示，將密封光半導(dǎo)體元件13倒裝芯片安裝于基板14而獲得了光半導(dǎo)體裝置15。

實(shí)施例5(與第3實(shí)施方式相對(duì)應(yīng)的實(shí)施例)

在工序(1)中，除了利用含有碳黑的涂敷液的噴墨印刷和干燥形成了對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記7以外，與實(shí)施例4同樣地進(jìn)行處理而獲得元件集合體臨時(shí)固定片材1，接下來，使用元件集合體臨時(shí)固定片材1來制造密封光半導(dǎo)體元件13，接著制造了光半導(dǎo)體裝置15。

此外，上述說明作為本發(fā)明的例示的實(shí)施方式而提供，但這只不過是例示，并不進(jìn)行限定性解釋。本領(lǐng)域技術(shù)人員清楚的本發(fā)明的變形例包含于權(quán)利要求書。