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      QLED器件及其制備方法與流程

      文檔序號:12725596閱讀:270來源:國知局
      QLED器件及其制備方法與流程

      本發(fā)明屬于顯示技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種QLED器件及其制備方法。



      背景技術(shù):

      無機納米晶的量子點發(fā)光材料不僅具有出射光顏色飽和、波長可調(diào)的優(yōu)點,而且光致、電致發(fā)光量子產(chǎn)率高,適合制備高性能顯示器件。此外,從制備工藝角度看,量子點發(fā)光材料可以在非真空條件下采用旋涂、印刷、打印設(shè)備等溶液加工方式制備成膜。所以,以量子點薄膜制備的量子點發(fā)光二極管(QLED)成為下一代顯示技術(shù)的有力競爭者。

      通常的,QLED器件包括第一電極、空穴注入層、空穴傳輸層、量子點發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層和第二電極。根據(jù)第一電極和第二電極的相對位置,即背電極和頂電極,QLED的結(jié)構(gòu)可以分為傳統(tǒng)和反型器件兩周。其中,空穴注入層、空穴傳輸層用于從外電路向發(fā)光層提供可遷移空穴,電子傳輸層用于提供可遷移電子。電子-空穴在量子點中形成激子,激子通過輻射復(fù)合輸出光子,進而發(fā)光。隨著QLED器件運行中產(chǎn)生的光效率衰減,一個外量子效率大于10%的藍光器件,在1000cdm-2輸出亮度下隨著電流效率的衰減以及驅(qū)動電壓的升高,其發(fā)光區(qū)域的發(fā)熱功率可超過200mWcm-2。熱源主要可以來自非輻射復(fù)合、薄膜和界面電阻效應(yīng)、未出射光再吸收等。

      噴墨打印是大規(guī)模制備QLED矩陣的有效方法之一。每一個噴出的墨滴須要被隔離裝置(bank)限定在預(yù)設(shè)的區(qū)域內(nèi)用以定義像素。隔離材料至少滿足:可見波段內(nèi)吸收系數(shù)低、電絕緣、適應(yīng)光刻圖案化處理、能通過表面處理調(diào)節(jié)表面能和對溶劑的浸潤性等。通常使用的bank材料為聚酰亞胺(polyimide),其在室溫下的熱導(dǎo)率通常為0.1WK-1m-1。由于隔離材料在面板平面內(nèi)占據(jù)不可忽略的面積,且在垂直面板方向貫穿整個厚度并直接接觸兩個電極,所以隔離材料在像素器件的散熱過程中有很重要作用,使用熱導(dǎo)率很低的材料不利于像素散熱。



      技術(shù)實現(xiàn)要素:

      本發(fā)明的目的在于提供一種QLED器件及其制備方法,旨在解決現(xiàn)有QLED器件,由于隔離bank材料散熱效果不佳,影響QLED器件散熱效率和工作壽命的問題。

      本發(fā)明是這樣實現(xiàn)的,一種QLED器件,包括第一電極、用于定義像素區(qū)域的隔離bank,設(shè)置在所述像素區(qū)域的光學(xué)層、以及覆蓋所述隔離bank和所述光學(xué)層的第二電極,其中,所述隔離bank中含有高熱導(dǎo)材料,所述高熱導(dǎo)材料的熱導(dǎo)率≥10WK-1m-1

      以及,一種QLED器件的制備方法,包括以下步驟:

      提供第一電極,在所述第一電極表面沉積bank材料層,其中,所述bank材料層含有高導(dǎo)熱材料,所述高熱導(dǎo)材料的熱導(dǎo)率≥10WK-1m-1;

      將所述bank材料層依次進行光刻、拋光、表面處理,得到用于定義像素區(qū)域的隔離bank;

      在所述像素區(qū)域內(nèi)沉積光學(xué)層,在所述隔離bank和所述光學(xué)層表面覆蓋第二電極。

      本發(fā)明提供的QLED器件,采用熱導(dǎo)率≥10WK-1m-1的高熱導(dǎo)材料作為定義像素區(qū)域的隔離bank,提高了QLED像素區(qū)域的散熱效率,降低了像素區(qū)域的工作溫度,減緩發(fā)光器件發(fā)光效率的衰減,進而有利于提高QLED器件的壽命,特別是發(fā)光像素區(qū)域的壽命。

      本發(fā)明提供的QLED器件的制備方法,只需在現(xiàn)有的工藝基礎(chǔ)上,在所述第一電極上沉積含有高導(dǎo)熱材料的bank材料層,進一步依次進行光刻、拋光、表面處理,即可得到散熱效率高、工作壽命長的QLED器件。本發(fā)明提供的QLED的制備方法,方法簡單,可控性強。

      附圖說明

      圖1是本發(fā)明實施例提供的QLED器件的縱向剖面示意圖;

      圖2是本發(fā)明實施例提供的QLED器件的俯視圖;

      圖3是本發(fā)明實施例提供的QLED器件局部的像素矩陣圖。

      具體實施方式

      為了使本發(fā)明要解決的技術(shù)問題、技術(shù)方案及有益效果更加清楚明白,以下結(jié)合實施例,對本發(fā)明進行進一步詳細說明。應(yīng)當(dāng)理解,此處所描述的具體實施例僅僅用以解釋本發(fā)明,并不用于限定本發(fā)明。

      結(jié)合圖1-圖3,本發(fā)明實施例提供了一種QLED器件,包括第一電極1、用于定義像素區(qū)域3’的隔離bank 2,設(shè)置在所述像素區(qū)域3’的光學(xué)層3、以及覆蓋所述隔離bank 2和所述光學(xué)層3的第二電極4,其中,所述隔離bank 2中含有高熱導(dǎo)材料,所述高熱導(dǎo)材料的熱導(dǎo)率≥10WK-1m-1。

      如圖1所示,提供了本發(fā)明實施例所述QLED器件的縱向剖面示意圖;如圖2所示,提供了本發(fā)明實施例所述QLED器件的縱向剖面示意圖,由如可見,所述隔離bank 2形成在QLED區(qū)域的外圍,用于界定QLED器件的像素區(qū)域3’;如圖3所示,提供了本發(fā)明實施例所述QLED器件局部的縱向剖面示意圖。

      本發(fā)明實施例提供的QLED器件,采用熱導(dǎo)率≥10WK-1m-1的高熱導(dǎo)材料作為定義像素區(qū)域3’的隔離bank 2,提高了QLED像素區(qū)域3’的散熱效率,降低了像素區(qū)域3’的工作溫度。由于QLED器件發(fā)光效率的衰減隨溫度成指數(shù)變化,降低像素的工作溫度可以提高顯示器件的工作壽命。因此,采用熱導(dǎo)率≥10WK-1m-1的高熱導(dǎo)材料作為定義像素區(qū)域3’的隔離bank 2,有利于提高QLED器件的壽命。

      本發(fā)明實施例中,所述隔離bank 2定義出來的像素區(qū)域3’,優(yōu)選為倒梯形,從而有利于所述光學(xué)層在噴墨打印過程中形成厚度均勻、且與相鄰的像素區(qū)域不會產(chǎn)生顏色干擾的的功能層,更優(yōu)選為等邊的倒梯形。當(dāng)然,應(yīng)當(dāng)理解,所述像素區(qū)域3’不限于倒梯形結(jié)構(gòu)。

      本發(fā)明實施例中,所述隔離bank 2中可以含有一種高熱導(dǎo)材料,也可以含有兩種或兩種以上的高熱導(dǎo)材料。

      優(yōu)選的,所述高熱導(dǎo)材料包括氮化物、氧化物、鈣鈦礦結(jié)構(gòu)鐵電材料、碳單質(zhì)中的至少一種。優(yōu)選的所述高熱導(dǎo)材料,不僅具有優(yōu)異的導(dǎo)熱效果,而且能夠保證其可見波段內(nèi)具有低吸收系數(shù)和電絕緣性。此外,所述隔離材料用于噴墨打印時,需要能夠有效阻隔墨水?dāng)U散,定義溶液揮發(fā)后形成像素的形狀,即像素區(qū)域3’。此外,本發(fā)明實施例優(yōu)選的所述高熱導(dǎo)材料,還能通過表面處理調(diào)節(jié)表面能和對溶劑的浸潤性,從而適于噴墨打印制備膜層均勻、且與相鄰的像素區(qū)域不會產(chǎn)生顏色干擾的所述光學(xué)層3。具體優(yōu)選的,所述氮化物包括但不限于氮化鋁、氮化硅。具體優(yōu)選的,所述氧化物包括但不限于氧化鎂、氧化鋁、氧化鈹。具體優(yōu)選的,所述碳單質(zhì)包括但不限于金剛石、石墨烯、碳納米管。

      作為一種具體優(yōu)選情形,所述隔離bank 2由兩層或兩層以上bank薄膜疊加形成,其中,所述bank薄膜中含有一種或一種以上的所述高熱導(dǎo)材料,且不同的所述bank薄膜中的高熱導(dǎo)材料相同或不同。具體的,所述隔離bank 2可以由多層組成材料相同的bank薄膜構(gòu)成,也可以由組成材料各不相同的bank薄膜構(gòu)成。當(dāng)然,可以理解,當(dāng)所述bank薄膜的層數(shù)>3層時,可以允許部分所述bank薄膜的組成材料相同,部分所述bank薄膜的組成材料不同。

      作為另一種具體優(yōu)選情形,所述隔離bank 2由高熱導(dǎo)材料和低熱導(dǎo)材料制成,所述低熱導(dǎo)材料的熱導(dǎo)率≤1WK-1m-1。所述隔離bank 2中,通過摻雜所述低熱導(dǎo)材料,可以提高bank材料光刻性能,從而克服單獨使用所述高熱導(dǎo)材料制備隔離bank 2時存在的光刻加工性能不佳的問題。進一步優(yōu)選的,以所述隔離bank 2的總重量為100%計,所述高熱導(dǎo)材料的重量百分含量≤20%。該優(yōu)選的所述高熱導(dǎo)材料的重量百分含量,可以賦予混合材料良好的光刻加工性能。若所述高熱導(dǎo)材料的重量百分含量>20%,則仍然難以有效改善混合材料的光刻加工性能。

      作為又一種具體優(yōu)選情形,所述高熱導(dǎo)材料包裹在所述低熱導(dǎo)材料表面,形成核殼結(jié)構(gòu),作為所述隔離bank 2,其中,所述低熱導(dǎo)材料的熱導(dǎo)率≤1WK-1m-1。該優(yōu)選的所述隔離bank 2,由于含有一定的所述低熱導(dǎo)材料,因此,能夠提高bank材料的光刻加工性能;同時,由于外層包覆有所述高熱導(dǎo)材料,能夠減輕所述低熱導(dǎo)材料對器件散熱的不利影響,提高器件的散熱效率。具體的,熱量能夠通過表層的所述高熱導(dǎo)材料進行有效地疏散,從而同時兼具較優(yōu)的光刻加工性能和較優(yōu)的散熱性能。

      本發(fā)明實施例中,所述第一電極1與驅(qū)動電路直接連接;且所述電極、所述第二電極4中的至少一個在可見波段內(nèi)透光。所述第一電極1、所述第二電極4均可采用本領(lǐng)域的常規(guī)電極材料制成。

      本發(fā)明實施例中,所述光學(xué)層3至少包括發(fā)光層,優(yōu)選的,還包括空穴注入層、空穴傳輸層、電子注入層、電子傳輸層等功能層中的至少一種。作為具體優(yōu)選實施例,所述光學(xué)層3包括依次層疊設(shè)置的空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層和電子傳輸層。至于各功能層的具體設(shè)置方向,可根據(jù)所述QLED器件常規(guī)的具體類型而定。

      其中,所述空穴注入層用于將空穴從作為陽極的電極傳向所述空穴傳輸層。所述空穴注入層可以采用本領(lǐng)域常規(guī)的空穴注入材料。

      所述空穴傳輸層用于所述向發(fā)光層傳輸空穴。本發(fā)明實施例制備所述空穴傳輸層用的的空穴傳輸材料包括但不限于:有機材料,如苯胺、聚[雙(4-苯基)(4-丁基苯基)胺]、4-丁基-N,N-二苯基苯胺均聚物(Poly-TPD)、聚(9,9-二辛基芴-CO-N-(4-丁基苯基)二苯胺)(TFB)、聚(9-乙烯咔唑)(PVK)、TPD、Spiro-TPD、LG101、HAT-CN、PEDOT:PSS、TAPC、a-NPB、m-MTDATA等;氧化物,如NixO、MoOx、VOx、WOx等。

      所述發(fā)光層用于使空穴-電子對發(fā)生輻射復(fù)合輸出光子。制備所述發(fā)光層的電致發(fā)光材料包括無機半導(dǎo)體量子點納米晶,具體包括但不限于II-VI半導(dǎo)體的納米晶,如:CdS、CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、HgS、HgSe、HgTe、PbS、PbSe、PbTe和其他二元、三元、四元的II-VI族元素化合物;III-V半導(dǎo)體的納米晶,如:GaP、GaAs、InP、InAs和其他二元、三元、四元的III-V元素化合物。此外,所述無機半導(dǎo)體量子點納米晶還可以為II-V族化合物、III-VI化合物、IV-VI化合物、I-III-VI化合物、II-IV-VI化合物、IV族單質(zhì)。

      所述電子傳輸層用于向所述發(fā)光層傳輸電子。制備所述電子傳輸層的電子傳輸材料包括但不限于寬帶隙氧化物、硫化物(及其納米材料),如:ZnO、ZnS、TiO2等;有機材料,如BPHEN、Alq3等。

      所述電子注入層用于將電子從作為陰極的電極傳向所述電子傳輸層。所述電子注入層可以采用本領(lǐng)域常規(guī)的電子注入材料。

      本發(fā)明實施例提供的QLED器件,采用熱導(dǎo)率≥10WK-1m-1的高熱導(dǎo)材料作為定義像素區(qū)域的隔離bank,提高了QLED像素區(qū)域的散熱效率,降低了像素區(qū)域的工作溫度,減緩發(fā)光器件發(fā)光效率的衰減,進而有利于提高QLED器件的壽命,特別是發(fā)光像素區(qū)域的壽命。

      本發(fā)明實施例所述QLED器件,可以通過下述方法制備獲得。

      以及,本發(fā)明實施例提供了一種QLED器件的制備方法,包括以下步驟:

      S01.提供第一電極,在所述第一電極表面沉積bank材料層,其中,所述bank材料層含有高導(dǎo)熱材料,所述高熱導(dǎo)材料的熱導(dǎo)率≥10WK-1m-1;

      S02.將所述bank材料層依次進行光刻、拋光、表面處理,得到用于定義像素區(qū)域的隔離bank;

      S03.在所述像素區(qū)域內(nèi)沉積光學(xué)層,在所述隔離bank和所述光學(xué)層表面覆蓋第二電極。

      具體的,上述步驟S01中,根據(jù)出射光出射方向的不同,當(dāng)所述QLED器件為底發(fā)射器件時,所述第一電極采用在可見光內(nèi)具有較好透光性的電極材料,同時,所述第二電極應(yīng)為透光性較弱的電極材料;當(dāng)所述QLED器件為頂發(fā)射器件時,所述第一電極采用透光性較弱的電極材料,同時,所述第二電極應(yīng)為在可見光內(nèi)具有較好透光性的電極材料。在上述前提下,所述第一電極可以采用本領(lǐng)域常規(guī)的電極材料。

      本發(fā)明實施例在所述第一電極表面沉積bank材料層的方法,包括磁控濺射、化學(xué)氣相沉積、原子沉積、溶液旋涂、噴墨打印,但不限于此。進一步的,所述bank材料層含有高導(dǎo)熱材料,所述高熱導(dǎo)材料的熱導(dǎo)率≥10WK-1m-1,從而提高了QLED像素區(qū)域的散熱效率,可以降低像素區(qū)域的工作溫度,減緩發(fā)光器件發(fā)光效率的衰減,進而有利于提高QLED器件的壽命,特別是發(fā)光像素區(qū)域的壽命。

      上述步驟S02中,需要對沉積在所述第一電極表面的bank材料層依次進行光刻、拋光、表面處理,以形成隔離bank,用于在噴墨打印時阻隔墨水?dāng)U散,定義溶液揮發(fā)后形成像素的形狀,即像素區(qū)域。所述光刻、拋光處理可以采用本領(lǐng)域的常規(guī)方法實現(xiàn)。作為優(yōu)選實施例,所述表面處理包括等離子體處理、化學(xué)處理,從而獲得更有利于阻隔墨水?dāng)U散的像素區(qū)域。當(dāng)然,應(yīng)當(dāng)理解,所述表面處理的方法不限于此。

      上述步驟S03中,在所述像素區(qū)域內(nèi)沉積光學(xué)層,所述光學(xué)層的結(jié)構(gòu)組成如上所述,為了節(jié)約篇幅,此處不再贅述。在所述隔離bank和所述光學(xué)層表面覆蓋第二電極的方式,可采用本領(lǐng)域常規(guī)方法實現(xiàn)。同樣的,根據(jù)出射光出射方向的不同,當(dāng)所述QLED器件為頂發(fā)射器件時,所述第二電極采用在可見光內(nèi)具有較好透光性的電極材料,同時,所述第一電極應(yīng)為透光性較弱的電極材料;當(dāng)所述QLED器件為底發(fā)射器件時,所述第二電極采用透光性較弱的電極材料,同時,所述第一電極應(yīng)為在可見光內(nèi)具有較好透光性的電極材料。在上述前提下,所述第二電極可以采用本領(lǐng)域常規(guī)的電極材料。

      本發(fā)明實施例提供的QLED器件的制備方法,只需在現(xiàn)有的工藝基礎(chǔ)上,在所述第一電極上沉積含有高導(dǎo)熱材料的bank材料層,進一步依次進行光刻、拋光、表面處理,即可得到散熱效率高、工作壽命長的QLED器件。本發(fā)明實施例提供的QLED的制備方法,方法簡單,可控性強。

      以上所述僅為本發(fā)明的較佳實施例而已,并不用以限制本發(fā)明,凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)所作的任何修改、等同替換和改進等,均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護范圍之內(nèi)。

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