技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明涉及一種單管IGBT的散熱結(jié)構(gòu)及加工工藝，其結(jié)構(gòu)包括基板、芯片、熱沉、石墨烯散熱層以及石墨烯基互連材料。其中采用化學(xué)氣相沉積法制備的單層石墨烯薄膜作為芯片正面的散熱層，通過(guò)發(fā)揮其優(yōu)異的面內(nèi)熱傳導(dǎo)性能，將單管IGBT器件的局部熱點(diǎn)熱量迅速橫向傳遞到熱沉；將氧化還原法或溶劑剝離法制備的少層石墨烯粉末填充到多模態(tài)銀顆粒導(dǎo)電膠中，增強(qiáng)其導(dǎo)電導(dǎo)熱性能，并將其作為芯片與基板、熱沉與基板之間的互連材料，提高熱量從芯片到基板的縱向傳導(dǎo)能力；采用芯片倒裝的互連方式縮短熱傳導(dǎo)路徑，增強(qiáng)整體結(jié)構(gòu)的散熱性能，實(shí)現(xiàn)局部高熱流密度熱點(diǎn)的有效散熱，從而降低單管IGBT器件的最高溫度，提升器件使用壽命。

技術(shù)研發(fā)人員：鮑婕;寧仁霞;陳珍海;何聚;焦錚;王政留
受保護(hù)的技術(shù)使用者：黃山學(xué)院
文檔號(hào)碼：201710131770
技術(shù)研發(fā)日：2017.03.07
技術(shù)公布日：2017.05.10