技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開了一種漏連接半超結(jié)氮化鎵基垂直型異質(zhì)結(jié)功率器件，其自下而上包括：肖特基漏極(15)、襯底(1)、漂移層(3)、孔徑層(5)、左右兩個(gè)對(duì)稱的電流阻擋層(6)、溝道層(8)、勢(shì)壘層(9)、帽層(10)和柵極(12)；兩個(gè)電流阻擋層(6)之間形成孔徑(7)，勢(shì)壘層上的兩側(cè)淀積有兩個(gè)源極(14)，兩個(gè)源極下方通過離子注入形成兩個(gè)注入?yún)^(qū)(13)，帽層兩側(cè)刻有兩個(gè)臺(tái)階(11)；其中：襯底與漂移層的兩側(cè)有兩個(gè)對(duì)稱的P柱(2)，兩個(gè)P柱的上部與電流阻擋層下部之間設(shè)有輔助層(4)，肖特基漏極采用高功函數(shù)金屬。本發(fā)明擊穿電壓高、導(dǎo)通電阻小，可用于電力電子系統(tǒng)。

技術(shù)研發(fā)人員：毛維;石朋毫;楊翠;郝躍
受保護(hù)的技術(shù)使用者：西安電子科技大學(xué)
文檔號(hào)碼：201710135459
技術(shù)研發(fā)日：2017.03.09
技術(shù)公布日：2017.06.23