本發(fā)明涉及微電子及半導(dǎo)體領(lǐng)域，具體而言，涉及一種有機(jī)發(fā)光二極管器件及其封裝方法。

背景技術(shù)：

目前，現(xiàn)有OLED薄膜封裝方式將整個(gè)器件中的各個(gè)發(fā)光區(qū)都是統(tǒng)一封裝，導(dǎo)致不管是在封裝時(shí)，還是使用時(shí)只要某一處或者是某一發(fā)光區(qū)封裝失效，會(huì)導(dǎo)致整個(gè)器件都會(huì)失效。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

有鑒于此，本發(fā)明實(shí)施例的目的在于提供一種有機(jī)發(fā)光二極管器件及其封裝方法。

本發(fā)明實(shí)施例提供的一種有機(jī)發(fā)光二極管器件，該有機(jī)發(fā)光二極管器件包括：

基板，所述基板上設(shè)置多個(gè)發(fā)光區(qū)；

設(shè)置在所述基板上與每個(gè)發(fā)光區(qū)對(duì)應(yīng)的第一導(dǎo)線及第二導(dǎo)線；

沉積在所述基板上的第一無(wú)機(jī)層；

在所述第一無(wú)機(jī)層上制作的多個(gè)陽(yáng)極，每個(gè)陽(yáng)極與其中一個(gè)發(fā)光區(qū)對(duì)應(yīng)設(shè)置，每個(gè)所述陽(yáng)極穿過(guò)所述第一無(wú)機(jī)層與一個(gè)對(duì)應(yīng)發(fā)光區(qū)設(shè)置的第一導(dǎo)線連接；

覆蓋在所述陽(yáng)極上的OLED有機(jī)層；

覆蓋在所述OLED有機(jī)層上并延伸至所述第一無(wú)基層的多個(gè)陰極，每個(gè)陰極穿過(guò)所述第一無(wú)機(jī)層與對(duì)應(yīng)的發(fā)光區(qū)設(shè)置的第二導(dǎo)線連接；

設(shè)置在每個(gè)發(fā)光區(qū)外周的隔離柱，該隔離柱將相鄰兩個(gè)發(fā)光區(qū)隔離。

優(yōu)選地，所述隔離柱由負(fù)性光刻膠形成。

優(yōu)選地，還包括：在每個(gè)發(fā)光區(qū)制作的位于所述陰極遠(yuǎn)離所述OLED有機(jī)層一側(cè)的封裝層，相鄰發(fā)光區(qū)內(nèi)設(shè)置的封裝層通過(guò)所述隔離柱分離。

優(yōu)選地，還包括：設(shè)置于所述封裝層與所述陰極之間的第二無(wú)機(jī)層，所述第二無(wú)機(jī)層覆蓋所述陰極以及所述隔離柱，所述第二無(wú)機(jī)層將所述隔離柱與所述封裝層隔開(kāi)。

優(yōu)選地，所述隔離柱的高度大于所述封裝層的高度。

優(yōu)選地，還包括：制作于所述封裝層遠(yuǎn)離所述第二無(wú)機(jī)層一側(cè)的第三無(wú)機(jī)層，所述封裝層被該第二無(wú)機(jī)層以及第三無(wú)機(jī)層包裹。

優(yōu)選地，，所述第一無(wú)機(jī)層上與所述第一導(dǎo)線和第二導(dǎo)線對(duì)應(yīng)的位置分別設(shè)有通孔，所述陽(yáng)極穿過(guò)對(duì)應(yīng)的通孔與對(duì)應(yīng)設(shè)置的第一導(dǎo)線連接，所述陰極穿過(guò)對(duì)應(yīng)的通孔與對(duì)應(yīng)設(shè)置的第二導(dǎo)線連接。

本發(fā)明實(shí)施例還提供一種有機(jī)發(fā)光二極管器件封裝方法，該方法包括：

在一基板上的多個(gè)區(qū)域分別布置第一導(dǎo)線及第二導(dǎo)線，每個(gè)區(qū)域形成一個(gè)發(fā)光區(qū)；

在所述基板上制成第一無(wú)機(jī)層，所述第一無(wú)機(jī)層覆蓋所述多個(gè)區(qū)域以及所述第一導(dǎo)線和第二導(dǎo)線；

在所述第一無(wú)機(jī)層上多個(gè)發(fā)光區(qū)的對(duì)應(yīng)位置分別制作多個(gè)陽(yáng)極，所述陽(yáng)極穿過(guò)所述第一無(wú)機(jī)層與所述第一無(wú)機(jī)層下的第一導(dǎo)線連接，每個(gè)陽(yáng)極與一個(gè)發(fā)光區(qū)對(duì)應(yīng)設(shè)置；

在每個(gè)發(fā)光區(qū)的外周形成包圍該發(fā)光區(qū)的隔離柱；

在所述陽(yáng)極上方形成OLED有機(jī)層；

在所述OLED有機(jī)層上形成陰極，所述陰極覆蓋所述OLED有機(jī)層并延伸至所述第一無(wú)機(jī)層，然后穿過(guò)所述第一無(wú)機(jī)層與所述第一無(wú)機(jī)層下的第二導(dǎo)線連接；

在所述陰極上形成第二無(wú)機(jī)層，所述第二無(wú)機(jī)層覆蓋所述陰極及所述隔離柱；

在每個(gè)發(fā)光區(qū)的所述第二無(wú)機(jī)層上分別形成封裝層，使相鄰的發(fā)光區(qū)的封裝層被所述隔離柱隔開(kāi)；

在所述封裝層以及第二無(wú)機(jī)層上方形成第三無(wú)機(jī)層，使所述封裝層被該第二無(wú)機(jī)層和第三無(wú)機(jī)層包裹。

優(yōu)選地，在所述第一無(wú)機(jī)層上多個(gè)發(fā)光區(qū)的對(duì)應(yīng)位置分別制作多個(gè)陽(yáng)極的步驟之前，該方法還包括：

在所述第一無(wú)機(jī)層對(duì)應(yīng)的位置開(kāi)設(shè)通孔，使得形成的陽(yáng)極可通過(guò)該通孔與所述第一導(dǎo)線連接；

在所述OLED有機(jī)層上形成陰極的步驟之前，該方法還包括：

在所述第一無(wú)機(jī)層對(duì)應(yīng)的位置開(kāi)設(shè)通孔，使得所述陰極可通過(guò)該通孔與所述第二導(dǎo)線連接。

優(yōu)選地，所述在每個(gè)發(fā)光區(qū)的所述第二無(wú)機(jī)層上分別形成封裝層，每個(gè)發(fā)光區(qū)的封裝層被所述隔離柱隔開(kāi)的步驟包括：

在每個(gè)發(fā)光區(qū)的所述第二無(wú)機(jī)層上分別通過(guò)噴墨打印的方式形成封裝層，每個(gè)發(fā)光區(qū)的封裝層被所述隔離柱隔開(kāi)。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的提供的有機(jī)發(fā)光二極管器件及其封裝方法。通過(guò)在每個(gè)發(fā)光區(qū)的外周設(shè)置隔離柱，將相鄰的兩個(gè)發(fā)光區(qū)隔離，使每個(gè)發(fā)光區(qū)相對(duì)獨(dú)立以使封裝時(shí)每個(gè)發(fā)光區(qū)也能夠被獨(dú)立封裝。每個(gè)發(fā)光區(qū)相互獨(dú)立可以在有機(jī)發(fā)光二極管器件一處失效時(shí)，有機(jī)發(fā)光二極管器件的其它位置還能夠正常使用。在提高有機(jī)發(fā)光二極管器件的封裝效率的同時(shí)還能提高有機(jī)發(fā)光二極管器件的利用率。

為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，下文特舉較佳實(shí)施例，并配合所附附圖，作詳細(xì)說(shuō)明如下。

附圖說(shuō)明

為了更清楚地說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，應(yīng)當(dāng)理解，以下附圖僅示出了本發(fā)明的某些實(shí)施例，因此不應(yīng)被看作是對(duì)范圍的限定，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他相關(guān)的附圖。

圖1為本發(fā)明較佳實(shí)施例提供的一種有機(jī)發(fā)光二極管器件的平面結(jié)構(gòu)示意圖。

圖2為圖1所示的有機(jī)發(fā)光二極管器件沿II-II線的單個(gè)發(fā)光區(qū)的截面示意圖。

圖3為本發(fā)明較佳實(shí)施例提供的一種有機(jī)發(fā)光二極管器件的相鄰兩個(gè)發(fā)光區(qū)的截面示意圖。

圖4為本發(fā)明另一較佳實(shí)施例提供的一種有機(jī)發(fā)光二極管器件封裝方法的工藝流程示意圖。

圖5-圖12為本發(fā)明實(shí)施例提供的有機(jī)發(fā)光二極管器件封裝方法各工藝流程步驟中分別制造所述有機(jī)發(fā)光二極管器件各組成部分的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖標(biāo)：1-有機(jī)發(fā)光二極管器件；10-發(fā)光區(qū)；100-基板；200-導(dǎo)線；210-第一導(dǎo)線；220-第二導(dǎo)線；300-第一無(wú)機(jī)層；400-陽(yáng)極；500-隔離柱；600-OLED有機(jī)層；700-陰極；800-第二無(wú)機(jī)層；900-封裝層；1000-第三無(wú)機(jī)層。

具體實(shí)施方式

下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例。通常在此處附圖中描述和示出的本發(fā)明實(shí)施例的組件可以以各種不同的配置來(lái)布置和設(shè)計(jì)。因此，以下對(duì)在附圖中提供的本發(fā)明的實(shí)施例的詳細(xì)描述并非旨在限制要求保護(hù)的本發(fā)明的范圍，而是僅僅表示本發(fā)明的選定實(shí)施例?；诒景l(fā)明的實(shí)施例，本領(lǐng)域技術(shù)人員在沒(méi)有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。

應(yīng)注意到：相似的標(biāo)號(hào)和字母在下面的附圖中表示類(lèi)似項(xiàng)，因此，一旦某一項(xiàng)在一個(gè)附圖中被定義，則在隨后的附圖中不需要對(duì)其進(jìn)行進(jìn)一步定義和解釋。同時(shí)，在本發(fā)明的描述中，術(shù)語(yǔ)“第一”、“第二”等僅用于區(qū)分描述，而不能理解為指示或暗示相對(duì)重要性。

本發(fā)明的描述中，需要說(shuō)明的是，術(shù)語(yǔ)“上”、“下”、“內(nèi)”、“外”等指示的方位或位置關(guān)系為基于附圖所示的方位或位置關(guān)系，或者是該發(fā)明產(chǎn)品使用時(shí)慣常拜訪的方位或位置關(guān)系，僅是為了便于描述本發(fā)明和簡(jiǎn)化描述，而不是指示或暗示所指的裝置或元件必須具有特定的方位、以特定的方位構(gòu)造和操作，因此不能解釋為本發(fā)明的限制。

本發(fā)明的描述中，還需要說(shuō)明的是，除非另有明確的規(guī)定和限定，術(shù)語(yǔ)“設(shè)置”、“安裝”、“連接”應(yīng)做廣義理解，例如，可以是固定連接，也可以是可拆卸連接，或一體地連接；可以是機(jī)械連接，也可以是電連接；可以是直接連接，也可以是通過(guò)中間媒介間接連接，可以是兩個(gè)元件內(nèi)部的連通。對(duì)于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員而言，可以具體情況理解上述術(shù)語(yǔ)在本發(fā)明中的具體含義。

本發(fā)明實(shí)施例提供一種有機(jī)發(fā)光二極管器件1(organic light-emitting diode，OLED)。如圖1所示，圖1為本發(fā)明較佳實(shí)施例提供的一種有機(jī)發(fā)光二極管器件1的平面結(jié)構(gòu)示意圖。本實(shí)施例中的有機(jī)發(fā)光二極管器件1包括多個(gè)發(fā)光區(qū)10及設(shè)置在每個(gè)發(fā)光區(qū)10外周的隔離柱500。

所述隔離柱500設(shè)置在所述每個(gè)發(fā)光區(qū)10的外周，以將相鄰的發(fā)光區(qū)10進(jìn)行隔離。本實(shí)施例中，所述隔離柱500可采用負(fù)性光刻膠。在一個(gè)實(shí)例中，可通過(guò)狹縫涂布的方式將所述負(fù)性光刻膠在所述每個(gè)發(fā)光區(qū)10的外周形成所述隔離柱500。所述隔離柱500包圍所述發(fā)光區(qū)10以使相鄰的兩個(gè)發(fā)光區(qū)10相互獨(dú)立。

本實(shí)施例中，所述多個(gè)發(fā)光區(qū)10沿著兩個(gè)方向并列排列，形成矩陣式排列結(jié)構(gòu)。當(dāng)然，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以根據(jù)需求任意設(shè)置所述發(fā)光區(qū)10的個(gè)數(shù)及分布方式，而并不受所述矩陣式排列結(jié)構(gòu)的限制。

如圖2所示，圖2為圖1所示的有機(jī)發(fā)光二極管器件1沿II-II線的單個(gè)發(fā)光區(qū)10的截面示意圖。本實(shí)施例中，多個(gè)發(fā)光區(qū)10布置在一基板100上，該基板100可以是玻璃基板、金屬基板及聚合物基板等。

所述基板100上布置多條導(dǎo)線200，所述導(dǎo)線200包括第一導(dǎo)線210及第二導(dǎo)線220，使每個(gè)發(fā)光區(qū)10對(duì)應(yīng)的位置均布置有所述第一導(dǎo)線210及第二導(dǎo)線220。所述導(dǎo)線200的材質(zhì)可以是鋁、銀等導(dǎo)電材質(zhì)。優(yōu)選的實(shí)施例中，所述導(dǎo)線200的厚度可為150-250nm，所述導(dǎo)線200的寬度可為30-70um。優(yōu)選地，所述導(dǎo)線200的厚度可為200nm，所述導(dǎo)線200的寬度可為50um。

在一個(gè)實(shí)例中，請(qǐng)?jiān)俅螀㈤唸D1，所述第一導(dǎo)線210及第二導(dǎo)線220可相對(duì)平行布置在所述一列發(fā)光區(qū)10所在的區(qū)域。在一個(gè)實(shí)例中，每列發(fā)光區(qū)10可布置一條第一導(dǎo)線210及兩條第二導(dǎo)線220。所述兩條第二導(dǎo)線220布置在所述第一導(dǎo)線210的兩側(cè)。一較佳實(shí)施例中，所述第一導(dǎo)線210為陽(yáng)極導(dǎo)線，兩條所述第二導(dǎo)線220為陰極導(dǎo)線。

所述基板100上沉積有第一無(wú)機(jī)層300。本實(shí)施例中，所述第一無(wú)機(jī)層300的材料可以是氧化硅或氮化硅等材料。

本實(shí)施例中，所述第一無(wú)機(jī)層300可通過(guò)氣相沉積法(Chemical Vapor Deposition，簡(jiǎn)稱CVD)或等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition，簡(jiǎn)稱PECVD)的方式在所述基板100上形成。在一實(shí)施方式中，可將所述CVD所需的兩種或兩種以上的氣態(tài)原材料導(dǎo)入到一個(gè)反應(yīng)室內(nèi)，然后使它們相互之間發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，形成一種新的材料，沉積到所述基板100表面。具體地，所述第一無(wú)機(jī)層300的材料為氮化硅時(shí)，所述第一無(wú)機(jī)層300由硅烷和氮導(dǎo)入到一個(gè)反應(yīng)室內(nèi)，然后他們相互之間發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，形成一種新的材料，沉積到所述基板100上。所述PECVD是借助微波或射頻等使含有薄膜組成原子的氣體電離，在局部形成等離子體，而等離子體化學(xué)活性很強(qiáng)，很容易發(fā)生反應(yīng)，從而在所述基板100上沉積出所述第一無(wú)機(jī)層300。

本實(shí)施例中，所述第一無(wú)機(jī)層300的厚度可以是400-600nm，在一個(gè)具體實(shí)例中，所述第一無(wú)機(jī)層300的厚度優(yōu)選為500nm。

具體地，所述發(fā)光區(qū)10包括沉積在所述第一無(wú)機(jī)層300上的陽(yáng)極400。所述陽(yáng)極400穿過(guò)所述第一無(wú)機(jī)層300與對(duì)應(yīng)于每個(gè)發(fā)光區(qū)10設(shè)置的第一導(dǎo)線210(如陽(yáng)極導(dǎo)線)連接。在一個(gè)優(yōu)選的實(shí)例中，所述陽(yáng)極400的材料可以是氧化銦錫(Indium tin oxide，簡(jiǎn)稱ITO)。在其它實(shí)施例中，所述陽(yáng)極400也可以采用氧化鋅、氧化銦鋅等氧化物半導(dǎo)體材料制成，而不限于所述ITO。

本實(shí)施例中，所述第一無(wú)機(jī)層300上與所述第一導(dǎo)線210對(duì)應(yīng)的位置開(kāi)設(shè)有通孔。在所述第一無(wú)機(jī)層300上形成所述陽(yáng)極400時(shí)，每個(gè)發(fā)光區(qū)10的所述陽(yáng)極400可穿過(guò)其對(duì)應(yīng)的通孔與對(duì)應(yīng)設(shè)置的所述第一導(dǎo)線210連接。在優(yōu)選的實(shí)例中，所述通孔可通過(guò)黃光工藝在所述第一無(wú)機(jī)層300上形成。

具體地，所述陽(yáng)極400上覆蓋有OLED(Organic Light-Emitting Diode，有機(jī)發(fā)光二極管)有機(jī)層600。本實(shí)施例中，位于每個(gè)發(fā)光區(qū)10的所述OLED有機(jī)層600完全覆蓋該發(fā)光區(qū)10設(shè)置的陽(yáng)極400。在一個(gè)優(yōu)選的實(shí)例中，所述OLED有機(jī)層600完全覆蓋所述陽(yáng)極400，但不延伸至設(shè)置在所述第一導(dǎo)線210兩側(cè)的第二導(dǎo)線220處以防止所述OLED有機(jī)層600與所述第二導(dǎo)線220連接。

本實(shí)施例中，所述OLED有機(jī)層600可采用蒸鍍的方式形成。本實(shí)施例中，可將OLED有機(jī)材料在真空環(huán)境中加熱并鍍到所述陽(yáng)極400上方以形成所述OLED有機(jī)層600。

本實(shí)施例中，所述OLED有機(jī)層600還可以通過(guò)噴墨打印或精密金屬掩模板沉積方式形成。所述噴墨打印方法是噴頭從微孔板上吸取OLED有機(jī)材料后移至處理過(guò)的基板100上，通過(guò)熱敏或聲控等形式噴射器的動(dòng)力把OLED有機(jī)材料噴射到基板100表面。通過(guò)噴墨打印的方式形成OLED有機(jī)層600可以對(duì)每個(gè)發(fā)光區(qū)10形成獨(dú)立的OLED有機(jī)層600，可以有效避免不同發(fā)光區(qū)10的OLED有機(jī)層600相互干擾。例如，一個(gè)發(fā)光區(qū)10的OLED有機(jī)層600損壞，不會(huì)影響到其它位置的OLED有機(jī)層600的使用，從而提高有機(jī)發(fā)光二極管器件1的使用壽命。

本實(shí)施例中，如圖2或3所示，所述OLED有機(jī)層600上覆蓋有陰極700，陰極700穿過(guò)所述第一無(wú)機(jī)層300與所述發(fā)光區(qū)10設(shè)置的第二導(dǎo)線220(如陰極導(dǎo)線)連接。

本實(shí)施例中，所述陰極700可以是通過(guò)蒸鍍的方式形成。所述陰極700的材料可以是鋁或銀等材料。所述陰極700的厚度可以是80-130nm，例如100nm。

本實(shí)施例中，所述第一無(wú)機(jī)層300上與第二導(dǎo)線220對(duì)應(yīng)的位置也可設(shè)置通孔，位于每個(gè)發(fā)光區(qū)10的所述陽(yáng)極400可以穿過(guò)其對(duì)應(yīng)的通孔與對(duì)應(yīng)設(shè)置的第一導(dǎo)線210連接，所述陰極700穿過(guò)對(duì)應(yīng)的通孔與對(duì)應(yīng)設(shè)置的第二導(dǎo)線220連接。在優(yōu)選的實(shí)例中，所述通孔可通過(guò)黃光工藝在所述第一無(wú)機(jī)層300上形成。

本實(shí)施例中每個(gè)發(fā)光區(qū)10外周設(shè)置有隔離柱500，該隔離柱500將相鄰發(fā)光區(qū)10隔離。本實(shí)施例中，上述的陽(yáng)極400、OLED有機(jī)層600及陰極700設(shè)置所述隔離柱500圍成的發(fā)光區(qū)10內(nèi)。

所述發(fā)光區(qū)10設(shè)置有獨(dú)立的封裝層900。如圖2或3所示，所述封裝層900在所述隔離柱500形成的區(qū)域內(nèi)，并完全覆蓋所述陰極700。相鄰兩個(gè)發(fā)光區(qū)10內(nèi)設(shè)置的封裝層900通過(guò)所述隔離柱500分隔開(kāi)。所述封裝層900的材料可以是聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、二苯酮、水楊酸乙基己酯、對(duì)氨基苯甲酸、肉桂酸等。本實(shí)施例中，所述封裝層900可通過(guò)噴墨打印工藝在每個(gè)發(fā)光區(qū)10分別形成。也就是說(shuō)每個(gè)發(fā)光區(qū)10的封裝層900與相鄰的其它發(fā)光區(qū)10的封裝層900不接觸。具體地，所述封裝層900的厚度可以為1-3um，例如，2um。本實(shí)施例中使用噴墨打印的方式形成封裝層900，使每個(gè)發(fā)光區(qū)10的封裝層900均相互獨(dú)立。如此，在其中一個(gè)發(fā)光區(qū)10的封裝層900失效時(shí)，也不會(huì)影響其它發(fā)光區(qū)10的封裝效果。

本實(shí)施例中，所述封裝層900與所述陰極700之間設(shè)置有第二無(wú)機(jī)層800。所述第二無(wú)機(jī)層800覆蓋所述陰極700并延伸至所述隔離柱500并覆蓋所述隔離柱500，所述第二無(wú)機(jī)層800將所述隔離柱500與所述封裝層900隔開(kāi)。具體地，所述封裝層900遠(yuǎn)離第二無(wú)機(jī)層800的一側(cè)設(shè)置有第三無(wú)機(jī)層1000，所述第三無(wú)機(jī)層1000覆蓋于所述封裝層900上。具體地，如圖2或3所示，所述封裝層900被所述第二無(wú)機(jī)層800及第三無(wú)機(jī)層1000包裹。

具體地，所述第二無(wú)機(jī)層800及第三無(wú)機(jī)層1000可通過(guò)原子層沉積(Atomic layer deposition，簡(jiǎn)稱ALD)方法，將無(wú)機(jī)物以單原子膜形式的多層結(jié)構(gòu)鍍?cè)谀繕?biāo)物的表面。

作為優(yōu)選的實(shí)施例，所述隔離柱500的高度比所述封裝層900成型后的高度高，以在形成所述封裝層900時(shí)防止相鄰發(fā)光區(qū)10的封裝層900相互連接，從而提高獨(dú)立封裝的效果。

具體使用時(shí)，所述有機(jī)發(fā)光二極管器件1可用于制成照明燈，也可以用于制成顯示器等。

根據(jù)上述實(shí)施例提供的有機(jī)發(fā)光二極管器件1，每個(gè)發(fā)光區(qū)10通過(guò)所述隔離柱500包圍，使相鄰的兩個(gè)發(fā)光區(qū)10相互獨(dú)立，從而使每個(gè)發(fā)光區(qū)10相對(duì)獨(dú)立以使封裝時(shí)每個(gè)發(fā)光區(qū)10也能夠被獨(dú)立封裝。每個(gè)發(fā)光區(qū)10相互獨(dú)立可以在有機(jī)發(fā)光二極管器件1一處失效時(shí)，有機(jī)發(fā)光二極管器件1的其它位置還能夠正常使用。在提高有機(jī)發(fā)光二極管器件1的封裝效率的同時(shí)還能提高有機(jī)發(fā)光二極管器件1的利用率。

本發(fā)明實(shí)施例提供一種有機(jī)發(fā)光二極管器件1的封裝方法，如圖4所示，本實(shí)施例中的方法包括以下步驟。

步驟S101，在一基板100上的多個(gè)區(qū)域分別布置第一導(dǎo)線210及第二導(dǎo)線220，如圖5所示。本實(shí)施例中，所述基板100上的每個(gè)區(qū)域可形成一個(gè)獨(dú)立的發(fā)光區(qū)10(如圖1所示)。

步驟S102，在所述基板100上制成第一無(wú)機(jī)層300，所述第一無(wú)機(jī)層300覆蓋所述多個(gè)區(qū)域以及所述第一導(dǎo)線210和第二導(dǎo)線220，如圖6所示。所述第一無(wú)機(jī)層300可通過(guò)氣相沉積法(Chemical Vapor Deposition，簡(jiǎn)稱CVD)或等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition，簡(jiǎn)稱PECVD)的方式在所述基板100上形成。

步驟S103，在所述第一無(wú)機(jī)層300上所述多個(gè)發(fā)光區(qū)10的對(duì)應(yīng)位置分別制作多個(gè)陽(yáng)極400，所述陽(yáng)極400穿過(guò)所述第一無(wú)機(jī)層300與所述第一無(wú)機(jī)層300下的第一導(dǎo)線210連接，如圖7所示。本實(shí)施例中，每個(gè)陽(yáng)極400與一個(gè)發(fā)光區(qū)10對(duì)應(yīng)設(shè)置。詳細(xì)地，在形成該陽(yáng)極400之前，可首先在所述第一無(wú)機(jī)層300對(duì)應(yīng)的位置開(kāi)設(shè)通孔，使得形成的陽(yáng)極400可通過(guò)該通孔與所述第一導(dǎo)線210連接。

步驟S104，在每個(gè)發(fā)光區(qū)10的外周形成包圍該發(fā)光區(qū)10的隔離柱500，如圖8所示。本實(shí)施例中，所述隔離柱500將相鄰的發(fā)光區(qū)10隔離，以使相鄰的發(fā)光區(qū)10隔離。在一個(gè)實(shí)例中，可通過(guò)狹縫涂布的方式將所述負(fù)性光刻膠在所述每個(gè)發(fā)光區(qū)10的外周形成所述隔離柱500。

步驟S105，在所述陽(yáng)極400上方形成OLED有機(jī)層600，如圖9所示。

所述OLED有機(jī)層600可通過(guò)噴墨打印方式在所述陽(yáng)極400上形成，并覆蓋所述陽(yáng)極400。

步驟S106，在所述OLED有機(jī)層600上形成陰極700，所述陰極700覆蓋所述OLED有機(jī)層600并延伸至所述第一無(wú)機(jī)層300，然后穿過(guò)所述第一無(wú)機(jī)層300與所述第一無(wú)機(jī)層300下的第二導(dǎo)線220連接，如圖10所示。詳細(xì)地，在形成該陰極700之前，可首先在所述第一無(wú)機(jī)層300對(duì)應(yīng)的位置開(kāi)設(shè)通孔，使得形成的陰極700可通過(guò)該通孔與所述第二導(dǎo)線220連接。

步驟S107，在所述陰極700上形成第二無(wú)機(jī)層800，所述第二無(wú)機(jī)層800覆蓋所述陰極700及所述隔離柱500，如圖11所示。

步驟S108，在每個(gè)發(fā)光區(qū)10的所述第二無(wú)機(jī)層800上分別形成封裝層900，使得相鄰發(fā)光區(qū)10的封裝層900被所述隔離柱500隔開(kāi)，如圖12所示。本實(shí)施例中，在每個(gè)發(fā)光區(qū)10的所述第二無(wú)機(jī)層800上分別通過(guò)噴墨打印方式形成封裝層900，每個(gè)發(fā)光區(qū)10的封裝層900被所述隔離柱500隔開(kāi)。

步驟S109，在所述封裝層900以及第二無(wú)機(jī)層800上方形成第三無(wú)機(jī)層1000，如圖2所示。該第三無(wú)機(jī)層1000覆蓋該封裝層900和第二無(wú)機(jī)層800，使所述封裝層900被第三無(wú)機(jī)層1000和第二無(wú)機(jī)層800包裹。

本實(shí)施例中的方法用于制作上述實(shí)施例提供的有機(jī)發(fā)光二極管器件1，關(guān)于本實(shí)施例的其它細(xì)節(jié)可以參考上述實(shí)施例中的描述，在此不再贅述。

以上所述僅為本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例而已，并不用于限制本發(fā)明，對(duì)于本領(lǐng)域的技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，本發(fā)明可以有各種更改和變化。凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。應(yīng)注意到：相似的標(biāo)號(hào)和字母在下面的附圖中表示類(lèi)似項(xiàng)，因此，一旦某一項(xiàng)在一個(gè)附圖中被定義，則在隨后的附圖中不需要對(duì)其進(jìn)行進(jìn)一步定義和解釋。

以上所述，僅為本發(fā)明的具體實(shí)施方式，但本發(fā)明的保護(hù)范圍并不局限于此，任何熟悉本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員在本發(fā)明揭露的技術(shù)范圍內(nèi)，可輕易想到變化或替換，都應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。因此，本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)所述以權(quán)利要求的保護(hù)范圍為準(zhǔn)。