本發(fā)明涉及一種全背電極太陽(yáng)電池結(jié)構(gòu)及其制備方法。

背景技術(shù)：

太陽(yáng)電池永恒的發(fā)展方向是提高效率和降低成本。全背電極(又叫ibc，interdigitatedbackcontact指交叉背接觸)太陽(yáng)電池作為一種高效太陽(yáng)電池結(jié)構(gòu)，其高效率前景已被廣泛認(rèn)識(shí)。目前，全背電極太陽(yáng)電池的制備難點(diǎn)在于背面圖形化過(guò)程，要在背面形成交替排列的p型區(qū)和n型區(qū)，通常需要多次掩膜與圖形化過(guò)程。對(duì)于普通擴(kuò)散，想要在特定的局部區(qū)域形成擴(kuò)散層，就需要先在硅片上形成具有相反圖案的掩膜層，用于阻擋擴(kuò)散過(guò)程中雜質(zhì)的進(jìn)入而達(dá)到局部摻雜的目的。

通常，可以用光刻或者絲網(wǎng)印刷的方法來(lái)形成掩膜圖形，前者昂貴，不適合工業(yè)化生產(chǎn)。絲網(wǎng)印刷的方法最貼近工業(yè)化生產(chǎn)，但是需要用到刻蝕漿料或者阻擋型漿料，此種漿料本身的刻蝕性能和穩(wěn)定性仍未得到良好的解決，且對(duì)環(huán)境溫濕度敏感，不利于穩(wěn)定的圖形控制。同時(shí)，用絲網(wǎng)印刷的方法形成的圖形受限于絲網(wǎng)印刷能力，如對(duì)準(zhǔn)的精度問(wèn)題，印刷重復(fù)性問(wèn)題等，給電池結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)提出了一定的要求，在一定的參數(shù)條件下，較小的pn間距和金屬接觸面積能帶來(lái)電池效率的提升，因此，絲網(wǎng)印刷的方法，需在工藝重復(fù)可靠性和電池效率之間找到平衡點(diǎn)。

激光是解決絲網(wǎng)印刷局限性的一條途徑。無(wú)論是間接刻蝕掩膜(利用激光的高能量使局部固體硅升華成為氣相，從而使附著在該部分硅上的薄膜脫落)，還是直接刻蝕(如sinx吸收紫外激光能量而被刻蝕)，激光的方法都可以得到比絲網(wǎng)印刷更加細(xì)小的電池單位結(jié)構(gòu)，更小的金屬接觸開(kāi)孔和更靈活的設(shè)計(jì)。需要留意的是激光加工帶來(lái)的硅片損傷，以及對(duì)接觸電阻的影響；另外，精準(zhǔn)對(duì)位是激光設(shè)備的必要條件，如果不采用scanner方式的激光頭，其加工時(shí)間往往較長(zhǎng)，平均每片電池片的激光加工需耗時(shí)幾分鐘到十幾分鐘，生產(chǎn)效率低，目前只適合研發(fā)應(yīng)用。

離子注入作為一種穩(wěn)定可靠的摻雜方式，已被半導(dǎo)體行業(yè)青睞多年。隨著光伏行業(yè)離子注入設(shè)備的發(fā)展，應(yīng)用離子注入的方法來(lái)制備ibc電池的優(yōu)勢(shì)逐漸顯現(xiàn)出來(lái)。普通的離子注入通常為全面注入，圖形化的形成仍然依靠外加掩膜層，比如厚的氧化硅或氮化硅介質(zhì)膜或者光刻膠來(lái)阻擋部分區(qū)域的注入離子進(jìn)入硅片內(nèi)部。

上述問(wèn)題是在全背電極太陽(yáng)電池的生產(chǎn)過(guò)程中應(yīng)當(dāng)予以考慮并解決的問(wèn)題。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的是提供一種全背電極太陽(yáng)電池結(jié)構(gòu)及其制備方法，解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的電池背面圖形化工藝復(fù)雜，p、n接觸區(qū)處漏電，工藝重復(fù)可靠性不理想，生產(chǎn)效率低等問(wèn)題。

本發(fā)明的技術(shù)解決方案是：

一種全背電極太陽(yáng)電池結(jié)構(gòu)，包括n型單晶襯底，n型單晶襯底的正面形成金字塔絨面，金字塔絨面上設(shè)置有前表面場(chǎng)摻雜層，前表面場(chǎng)摻雜層上設(shè)置有正面鈍化減反膜；n型單晶襯底的背面形成拋光面，背面拋光面上設(shè)有摻雜圖形層，摻雜圖形層包括p型摻雜區(qū)和n型摻雜區(qū)，且p型摻雜區(qū)與n型摻雜區(qū)之間由非摻雜區(qū)域隔開(kāi)，摻雜圖形層上設(shè)置背面鈍化膜，背面鈍化膜設(shè)置多個(gè)接觸孔，金屬電極通過(guò)接觸孔分別與p型摻雜區(qū)、n型摻雜區(qū)形成金屬接觸。

進(jìn)一步地，n型單晶襯底的背面設(shè)有交替排列的線狀p型摻雜區(qū)和線狀n型摻雜區(qū)，或，n型單晶襯底的背面設(shè)有被p型摻雜區(qū)環(huán)繞的點(diǎn)狀或塊狀n型摻雜區(qū)，或，n型單晶襯底的背面設(shè)有被n型摻雜區(qū)環(huán)繞的點(diǎn)狀或塊狀p型摻雜區(qū)。

進(jìn)一步地，n型單晶襯底的背面設(shè)有交替排列的重復(fù)間距為0.5-3mm的p型摻雜區(qū)和n型摻雜區(qū)。

進(jìn)一步地，背面p型摻雜區(qū)的面積占比為50％-80％，背面n型摻雜區(qū)面積占比為10％-50％，非摻雜區(qū)域的面積比例為0％-20％，p型摻雜區(qū)方阻為50-200ω/□，n型摻雜區(qū)方阻為20-100ω/□，前表面場(chǎng)摻雜層的方阻為100-1000ω/□。

進(jìn)一步地，正面鈍化減反膜采用sinx薄膜、sio2薄膜、sioxny薄膜中的一種或者多種疊層構(gòu)成；如單層sinx，或疊層sinx，或sio2/sinx，sio2/sinx/sio2，sinx/sinxoy等疊層膜結(jié)構(gòu)。背面鈍化減反膜采用alox薄膜、sinx薄膜、sio2薄膜、sioxny薄膜、非晶硅薄膜、多晶硅薄膜中的一種或者多種疊層構(gòu)成；如alox/sinx鈍化膜，或者sio2/alox/sinx鈍化膜、sio2/alox/sinx/sinxoy疊層膜結(jié)構(gòu)，或者非晶硅/多晶硅薄膜與alox/sio2/sinx/sinxoy的組合結(jié)構(gòu)。

進(jìn)一步地，金屬電極包括細(xì)柵線和主柵線，主柵線垂直于細(xì)柵線，細(xì)柵線包括正極細(xì)柵線和負(fù)極細(xì)柵線，主柵線包括正極主柵線和負(fù)極主柵線，細(xì)柵線為分段式，相反極性的主柵線與細(xì)柵線通過(guò)間隔設(shè)置，即主柵線設(shè)于相反極性的細(xì)柵線的分段處。

進(jìn)一步地，細(xì)柵線的分段處的斷開(kāi)距離為0.05-0.3mm，達(dá)到不同極性電極之間的隔離效果。主柵線對(duì)數(shù)為2對(duì)-20對(duì)。

進(jìn)一步地，金屬電極包括細(xì)柵線和主柵線，主柵線垂直于細(xì)柵線，細(xì)柵線包括正極細(xì)柵線和負(fù)極細(xì)柵線，主柵線包括正極主柵線和負(fù)極主柵線，細(xì)柵線為連線直線形，相反極性的主柵線與細(xì)柵線通過(guò)絕緣層相互絕緣。

進(jìn)一步地，主柵線對(duì)數(shù)為2對(duì)-10對(duì)。

一種上述全背電極太陽(yáng)電池結(jié)構(gòu)的制備方法，包括以下步驟，

s1、對(duì)n型單晶硅片進(jìn)行前處理，形成正面為金字塔絨面，背面為拋光面的單面拋光制絨結(jié)構(gòu)；

s2、通過(guò)背面兩次定域離子注入來(lái)實(shí)現(xiàn)復(fù)雜的圖形化過(guò)程，具體為，通過(guò)在硅片上方設(shè)置具有摻雜圖形的掩模版實(shí)現(xiàn)硅片背面的局部定域硼注入，形成p型摻雜區(qū)域；通過(guò)在硅片上方設(shè)置具有摻雜圖形的掩模版實(shí)現(xiàn)硅片背面的局部定域磷注入，形成n型摻雜區(qū)域；且掩模版的摻雜圖形中，p型摻雜區(qū)域和n型摻雜區(qū)域間由非摻雜區(qū)域隔開(kāi)；

s3、在經(jīng)過(guò)硅片的離子注入后，進(jìn)行共退火或者分步退火處理；

s4、在金字塔絨面上進(jìn)行磷摻雜形成前表面場(chǎng)摻雜層；

s5、對(duì)經(jīng)過(guò)退火處理的襯底進(jìn)行清洗，然后在背面形成背面鈍化減反膜，在正面形成正面鈍化減反膜；或者，在對(duì)襯底進(jìn)行清洗后對(duì)硅片進(jìn)行中低溫?zé)嵫趸幚?，先在兩面形成第一氧化硅層，然后制備正面鈍化減反膜、背面鈍化減反膜；

s6、對(duì)背面鈍化減反膜進(jìn)行開(kāi)孔處理，在p型摻雜區(qū)域和n型摻雜區(qū)域分別開(kāi)出接觸孔；

s7、制作金屬電極，金屬電極通過(guò)接觸孔分別與p型摻雜區(qū)、n型摻雜區(qū)形成金屬接觸。

進(jìn)一步地，步驟s4中，磷摻雜采用局部定域離子方法，注入后進(jìn)行退火處理。

進(jìn)一步地，步驟s4中，磷摻雜采用磷擴(kuò)散方式，具體為：在經(jīng)過(guò)退火處理的硅片上生長(zhǎng)第二氧化硅層，然后去除硅片正面的第二氧化硅層，對(duì)硅片進(jìn)行輕摻雜磷擴(kuò)散處理，在正面形成前表面場(chǎng)摻雜層，背面的第二氧化硅層作為擴(kuò)散阻擋層。

進(jìn)一步地，步驟s6中，接觸孔采用直線、線段或點(diǎn)狀，接觸孔采用漿料刻蝕、阻擋層刻蝕或激光開(kāi)膜形成。

本發(fā)明的有益效果是：該種全背電極太陽(yáng)電池結(jié)構(gòu)及其制備方法，相比于現(xiàn)有技術(shù)方案，本發(fā)明背面圖形化工藝中不需要額外的掩膜層工藝，通過(guò)背面兩次定域離子注入來(lái)實(shí)現(xiàn)復(fù)雜的圖形化過(guò)程，簡(jiǎn)化了背面圖形化工藝實(shí)現(xiàn)方式，減少了電池制備過(guò)程中的熱過(guò)程，縮短了工藝流程，更適合大規(guī)模產(chǎn)業(yè)化生產(chǎn)。同時(shí)，本發(fā)明電池效率較高，p、n接觸區(qū)處不存在漏電問(wèn)題，提高了電池可靠性。

附圖說(shuō)明

圖1是本發(fā)明實(shí)施例全背電極太陽(yáng)電池結(jié)構(gòu)的示意圖；

圖2是實(shí)施例中線狀p型摻雜區(qū)與線狀n型摻雜區(qū)的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3是實(shí)施例中點(diǎn)狀n型摻雜區(qū)被p型摻雜區(qū)環(huán)繞的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖4是實(shí)施例中塊狀n型摻雜區(qū)被p型摻雜區(qū)環(huán)繞的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖5是實(shí)施例中塊狀p型摻雜區(qū)被n型摻雜區(qū)環(huán)繞的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖6是實(shí)施例中細(xì)柵線采用分段式的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖7是實(shí)施例中主柵線、細(xì)柵線與絕緣層的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖8是實(shí)施例中背面圖形化的過(guò)程示意圖；

其中：1-單晶襯底，2-金字塔絨面，3-前表面場(chǎng)摻雜層，4-正面鈍化減反膜，5-p型摻雜區(qū)，6-n型摻雜區(qū)，7-非摻雜區(qū)域，8-背面鈍化膜，9-金屬電極；

11-正極主柵線，12-負(fù)極主柵線，13-正極細(xì)柵線，14-負(fù)極細(xì)柵線，15-絕緣層。

具體實(shí)施方式

下面結(jié)合附圖詳細(xì)說(shuō)明本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例。

一種全背電極太陽(yáng)電池結(jié)構(gòu)，如圖1，包括n型單晶襯底1，n型單晶襯底1的正面形成金字塔絨面2，金字塔絨面2上設(shè)置有前表面場(chǎng)摻雜層3，前表面場(chǎng)摻雜層3上設(shè)置有正面鈍化減反膜4；n型單晶襯底1的背面形成拋光面，背面拋光面上設(shè)有摻雜圖形層，摻雜圖形層包括p型摻雜區(qū)5和n型摻雜區(qū)6，且p型摻雜區(qū)5與n型摻雜區(qū)6之間由非摻雜區(qū)域7隔開(kāi)，摻雜圖形層上設(shè)置背面鈍化膜8，背面鈍化膜8設(shè)置多個(gè)接觸孔，金屬電極9通過(guò)接觸孔分別與p型摻雜區(qū)5、n型摻雜區(qū)6形成金屬接觸。實(shí)施例電池效率較高，p、n接觸區(qū)處不存在漏電問(wèn)題。

如圖2，n型單晶襯底1的背面設(shè)有交替排列的重復(fù)間距為0.5-3mm的線狀p型摻雜區(qū)5和線狀n型摻雜區(qū)6，或，如圖3和圖4，n型單晶襯底1的背面設(shè)有被p型摻雜區(qū)5環(huán)繞的點(diǎn)狀或塊狀n型摻雜區(qū)6，或，如圖5，n型單晶襯底1的背面設(shè)有被n型摻雜區(qū)6環(huán)繞的點(diǎn)狀或塊狀p型摻雜區(qū)5。

背面p型摻雜區(qū)5的面積占比為50％-80％，背面n型摻雜區(qū)6面積占比為10％-50％，非摻雜區(qū)域7的面積比例為0％-20％，p型摻雜區(qū)5方阻為50-200ω/□，n型摻雜區(qū)6方阻為20-100ω/□，前表面場(chǎng)摻雜層3的方阻為100-1000ω/□。

正面鈍化減反膜4采用sinx薄膜、sio2薄膜、sioxny薄膜中的一種或者多種疊層構(gòu)成。如單層sinx，或疊層sinx，或sio2/sinx，sio2/sinx/sio2，sinx/sinxoy等疊層膜結(jié)構(gòu)。

背面鈍化減反膜采用alox薄膜、sinx薄膜、sio2薄膜、sioxny薄膜、非晶硅薄膜、多晶硅薄膜中的一種或者多種疊層構(gòu)成。如alox/sinx鈍化膜，或者sio2/alox/sinx鈍化膜、sio2/alox/sinx/sinxoy疊層膜結(jié)構(gòu)，或者非晶硅/多晶硅薄膜與alox/sio2/sinx/sinxoy的組合結(jié)構(gòu)。alox的制備方法可以是ald方法，也可以是pecvd方法。

如圖6，金屬電極9包括細(xì)柵線和主柵線，主柵線垂直于細(xì)柵線，細(xì)柵線包括正極細(xì)柵線13和負(fù)極細(xì)柵線14，主柵線包括正極主柵線11和負(fù)極主柵線12，主柵線對(duì)數(shù)為2對(duì)-20對(duì)，圖6中為優(yōu)選4對(duì)。細(xì)柵線為分段式，相反極性的主柵線與細(xì)柵線通過(guò)間隔設(shè)置，即主柵線設(shè)于相反極性的細(xì)柵線的分段處。細(xì)柵線的分段距離為0.05-0.3mm，達(dá)到不同極性電極之間的隔離效果。

如圖7，金屬電極9包括細(xì)柵線和主柵線，主柵線垂直于細(xì)柵線，細(xì)柵線包括正極細(xì)柵線13和負(fù)極細(xì)柵線14，主柵線包括正極主柵線11和負(fù)極主柵線12，細(xì)柵線為連線直線形，相反極性的主柵線與細(xì)柵線通過(guò)絕緣層15相互絕緣。絕緣層15位于主柵線下方、覆蓋于相反極性細(xì)柵線上，絕緣層15呈線段狀。通過(guò)絕緣層15來(lái)達(dá)到隔離相反極性電極的效果。主柵線對(duì)數(shù)為2對(duì)-10對(duì)。圖7中為優(yōu)選4對(duì)。

一種上述全背電極太陽(yáng)電池結(jié)構(gòu)的制備方法，包括以下步驟，

s1、對(duì)n型單晶硅片進(jìn)行前處理，形成正面為金字塔絨面2，背面為拋光面的單面拋光制絨結(jié)構(gòu)；

s2、通過(guò)在硅片上方設(shè)置具有摻雜圖形的掩模版實(shí)現(xiàn)硅片背面的局部定域硼注入，形成p型摻雜區(qū)5域；通過(guò)在硅片上方設(shè)置具有摻雜圖形的掩模版實(shí)現(xiàn)硅片背面的局部定域磷注入，形成n型摻雜區(qū)6域；且掩模版的摻雜圖形中，p型摻雜區(qū)5域和n型摻雜區(qū)6域間由非摻雜區(qū)域7隔開(kāi)，如圖8；

s3、在經(jīng)過(guò)硅片的離子注入后，進(jìn)行共退火或者分步退火處理；

s4、在金字塔絨面2上進(jìn)行磷摻雜形成前表面場(chǎng)摻雜層3；

s5、對(duì)經(jīng)過(guò)退火處理的襯底進(jìn)行清洗，然后在背面形成背面鈍化減反膜，在正面形成正面鈍化減反膜4；或者，在對(duì)襯底進(jìn)行清洗后對(duì)硅片進(jìn)行中低溫?zé)嵫趸幚?，先在兩面形成第一氧化硅層，然后制備正面鈍化減反膜4、背面鈍化減反膜；

s6、對(duì)背面鈍化減反膜進(jìn)行開(kāi)孔處理，在p型摻雜區(qū)5域和n型摻雜區(qū)6域分別開(kāi)出接觸孔；

s7、制作金屬電極9，金屬電極9通過(guò)接觸孔分別與p型摻雜區(qū)5、n型摻雜區(qū)6形成金屬接觸。

實(shí)施例不采用任何設(shè)置于硅片上的掩膜層結(jié)構(gòu)，直接通過(guò)設(shè)置于離子注入機(jī)器內(nèi)部，位于硅片上方的掩模版來(lái)實(shí)現(xiàn)局部定域的離子注入摻雜。實(shí)施例采用掩模板定域離子注入，直接在注入的時(shí)候形成圖形，不需要外加掩膜層，簡(jiǎn)化了圖形化工藝流程。背面通過(guò)掩模版上的摻雜圖形進(jìn)行定域離子注入，形成具有p型摻雜區(qū)5和n型摻雜區(qū)6，且p型摻雜區(qū)5和n型摻雜區(qū)6間通過(guò)非摻雜區(qū)域7隔開(kāi)。摻雜圖形采用排列設(shè)置的線狀、點(diǎn)狀或塊狀等。其背面摻雜工藝流程及剖面圖見(jiàn)圖8。

實(shí)施例中，對(duì)于通過(guò)定域離子注入形成的摻雜結(jié)構(gòu)，通過(guò)共退火或者分步退火的方式對(duì)注入損傷進(jìn)行修復(fù)，并激活雜質(zhì)原子，同時(shí)調(diào)節(jié)摻雜曲線。

實(shí)施例中，金屬電極9與p型摻雜區(qū)5和n型摻雜區(qū)6的金屬接觸，可以通過(guò)絲網(wǎng)印刷、電鍍或者蒸發(fā)等方法形成。

實(shí)施例中，前表面場(chǎng)摻雜層3的形成方法不受限制，可以是爐管擴(kuò)散、apcvd方法或離子注入摻雜方法，其方阻在100-1000ω/□。

實(shí)施例一

對(duì)n型單晶硅片進(jìn)行前處理，形成正面為金字塔絨面2，背面為拋光面的單面拋光制絨結(jié)構(gòu)。

在絨面上進(jìn)行整面低劑量磷離子注入，用于形成前表面場(chǎng)摻雜層3。

在背面需要形成p型摻雜區(qū)5域的地方進(jìn)行硼注入。硼注入通過(guò)在硅片上方設(shè)置具有摻雜圖形的掩模版來(lái)實(shí)現(xiàn)局部定域注入。

在背面需要形成n型摻雜區(qū)6域的地方進(jìn)行磷注入。磷注入通過(guò)在硅片上方設(shè)置具有摻雜圖形的掩模版來(lái)實(shí)現(xiàn)局部定域注入。硼注入和磷注入的掩模版圖形呈交替排列，如圖2，通過(guò)掩模版圖形設(shè)計(jì)來(lái)形成介于硼注入與磷注入?yún)^(qū)域中間的非摻雜區(qū)域7。

對(duì)經(jīng)過(guò)三次注入的襯底進(jìn)行共退火處理。

對(duì)經(jīng)過(guò)共退火處理的襯底進(jìn)行清洗，然后在背面形成鈍化膜8，鈍化膜結(jié)構(gòu)為alox/sinx，在正面形成正面鈍化減反膜4，結(jié)構(gòu)為單層或疊層sinx。也可以在清洗后對(duì)硅片進(jìn)行中低溫?zé)嵫趸幚?，先在兩面形成一層幾納米厚度的第一氧化硅層，然后再進(jìn)行正面鈍化減反膜4和背面鈍化減反膜的制備，在正面形成sio2/sinx結(jié)構(gòu)，背面形成sio2/alox/sinx結(jié)構(gòu)。

對(duì)背面鈍化減反膜8進(jìn)行開(kāi)孔處理，在p型摻雜區(qū)5域和n型摻雜區(qū)6域分別開(kāi)出接觸孔。

制作金屬電極9，絲網(wǎng)印刷金屬接觸漿料，燒結(jié)，測(cè)試。

實(shí)施例二

對(duì)n型單晶硅片進(jìn)行前處理，形成正面為金字塔絨面2，背面為拋光面的單面拋光制絨結(jié)構(gòu)。

在絨面上進(jìn)行帶有mark點(diǎn)的低劑量磷離子注入，用于形成前表面場(chǎng)摻雜層3。mark點(diǎn)可以設(shè)置于位于硅片上方的掩模版上，將mark點(diǎn)的部位留出不進(jìn)行注入，這樣在注入與未注入之間由于襯度不同會(huì)有差別，通過(guò)設(shè)置于注入機(jī)腔體下方的相機(jī)可以捕捉到mark點(diǎn)，用于后續(xù)定域注入的對(duì)位點(diǎn)，提高對(duì)位精度。

以正面mark點(diǎn)為對(duì)位點(diǎn)，在背面需要形成p型摻雜區(qū)5域的地方進(jìn)行硼注入。硼注入通過(guò)在硅片上方設(shè)置具有摻雜圖形的掩模版來(lái)實(shí)現(xiàn)局部定域注入。

對(duì)經(jīng)過(guò)前表面場(chǎng)摻雜層3和p型區(qū)注入的襯底進(jìn)行第一次退火處理。

對(duì)經(jīng)過(guò)第一次退火處理的硅片進(jìn)行清洗，然后以正面mark點(diǎn)為對(duì)位點(diǎn)，在背面需要形成n型摻雜區(qū)6域的地方進(jìn)行磷注入。磷注入通過(guò)在硅片上方設(shè)置具有摻雜圖形的掩模版來(lái)實(shí)現(xiàn)局部定域注入。硼注入和磷注入的掩模版圖形呈交替排列，通過(guò)掩模版圖形設(shè)計(jì)來(lái)形成介于硼注入與磷注入?yún)^(qū)域中間的非摻雜區(qū)域7。

對(duì)硅片進(jìn)行第二次退火處理，其中第二次退火處理的溫度低于第一次退火處理。

對(duì)經(jīng)過(guò)兩次退火處理的襯底進(jìn)行清洗，然后在背面形成背面鈍化減反膜8，背面鈍化減反膜結(jié)構(gòu)為alox/sinx，在正面形成正面鈍化減反膜4，結(jié)構(gòu)為單層或疊層sinx。也可以在清洗后對(duì)硅片進(jìn)行中低溫?zé)嵫趸幚?，先在兩面形成一層幾納米厚度的第一氧化硅層，然后再進(jìn)行正面鈍化減反膜4、背面鈍化減反膜制備，在正面形成sio2/sinx結(jié)構(gòu)，背面形成sio2/alox/sinx結(jié)構(gòu)。

對(duì)背面鈍化膜8進(jìn)行開(kāi)孔處理，在p型摻雜區(qū)5域和n型摻雜區(qū)6域分別開(kāi)出接觸孔。

制作金屬電極9，絲網(wǎng)印刷金屬接觸漿料，燒結(jié)，測(cè)試。

實(shí)施例三

對(duì)n型單晶硅片進(jìn)行前處理，形成正面為金字塔絨面2，背面為拋光面的單面拋光制絨結(jié)構(gòu)。

在背面需要形成p型摻雜區(qū)5域的地方進(jìn)行硼注入。硼注入通過(guò)在硅片上方設(shè)置具有摻雜圖形的掩模版來(lái)實(shí)現(xiàn)局部定域注入。

在背面需要形成n型摻雜區(qū)6域的地方進(jìn)行磷注入。磷注入通過(guò)在硅片上方設(shè)置具有摻雜圖形的掩模版來(lái)實(shí)現(xiàn)局部定域注入。硼注入和磷注入的掩模版圖形呈交替排列，通過(guò)掩模版圖形設(shè)計(jì)來(lái)形成介于硼注入與磷注入?yún)^(qū)域中間的非摻雜區(qū)域7。

對(duì)經(jīng)過(guò)兩次注入的硅片進(jìn)行退火處理，修復(fù)注入損傷，激活雜質(zhì)原子，同時(shí)在硅片上生長(zhǎng)一層第二氧化硅層。

去除硅片正面的第二氧化硅層，對(duì)硅片進(jìn)行輕摻雜磷擴(kuò)散處理，在正面形成前表面場(chǎng)摻雜層3。背面的氧化硅層作為擴(kuò)散阻擋層，阻擋在背面的擴(kuò)散。

對(duì)硅片進(jìn)行去psg和清洗處理，然后在背面形成背面鈍化減反膜8，背面鈍化減反膜結(jié)構(gòu)為alox/sinx，在正面形成正面鈍化減反膜4，結(jié)構(gòu)為單層或疊層sinx。也可以在清洗后對(duì)硅片進(jìn)行中低溫?zé)嵫趸幚?，先在兩面形成一層幾納米厚度的第一氧化硅層，然后再進(jìn)行正面鈍化減反膜4、背面鈍化減反膜制備，在正面形成sio2/sinx結(jié)構(gòu)，背面形成sio2/alox/sinx結(jié)構(gòu)。

對(duì)背面鈍化減反膜8進(jìn)行開(kāi)孔處理，在p區(qū)和n區(qū)分別開(kāi)出接觸孔。

制作金屬電極9，絲網(wǎng)印刷金屬接觸漿料，燒結(jié)，測(cè)試。

實(shí)施例中，可變換離子注入的先后順序以及退火順序和退火次數(shù)。

實(shí)施例方法通過(guò)設(shè)置于離子注入機(jī)器內(nèi)的掩模版，可以在硅片上形成定域的選擇性離子注入摻雜。這樣，電池的p區(qū)和n區(qū)可以通過(guò)掩模版實(shí)現(xiàn)分別注入，再加上前表面場(chǎng)的注入，不需要絲網(wǎng)印刷或者激光方法所用到的掩膜層。通過(guò)定域離子注入，只需設(shè)計(jì)對(duì)應(yīng)的掩模版尺寸，便可以簡(jiǎn)便地形成帶gap區(qū)域即帶非摻雜區(qū)域7的背面圖形，有效解決p、n接觸區(qū)處的漏電問(wèn)題，不需要額外的掩膜層。離子注入掩膜版的使用周期長(zhǎng)，通常使用壽命為半年到一年，有利于工藝的穩(wěn)定控制，同時(shí)節(jié)約了耗材。同時(shí)，只需要在離子注入完成后進(jìn)行一步高溫退火過(guò)程來(lái)將雜質(zhì)激活并推進(jìn)到硅片內(nèi)部，同時(shí)修復(fù)由于高能離子注入所引起的硅片表面晶格損傷，從而節(jié)約了兩步高溫?cái)U(kuò)散過(guò)程，也降低了能耗。實(shí)施例全背電極太陽(yáng)電池制備流程簡(jiǎn)單，有利于大規(guī)模工業(yè)化生產(chǎn)。