相關(guān)申請的交叉引用

本申請要求于2016年3月10日向韓國知識產(chǎn)權(quán)局提交的韓國專利申請第10-2016-0029093號的優(yōu)先權(quán)和權(quán)益，所述申請的全部內(nèi)容通過引用并入本文。

本公開的實(shí)施方式的一個(gè)或多個(gè)方面涉及有機(jī)發(fā)光裝置。

背景技術(shù)：

有機(jī)發(fā)光裝置為自發(fā)光裝置，其具有寬視角、高對比度、短響應(yīng)時(shí)間和優(yōu)異的亮度、驅(qū)動(dòng)電壓和響應(yīng)速度特征，并且可產(chǎn)生全色圖像。

有機(jī)發(fā)光裝置可包括在基板上的第一電極，以及順序放置在第一電極上的空穴傳輸區(qū)、發(fā)光層、電子傳輸區(qū)和第二電極。例如由第一電極提供的空穴可穿過空穴傳輸區(qū)向發(fā)光層移動(dòng)，并且例如由第二電極提供的電子可穿過電子傳輸區(qū)向發(fā)光層移動(dòng)。載流子(諸如空穴和電子)然后可在發(fā)光層中復(fù)合以產(chǎn)生激子。這些激子從激發(fā)態(tài)躍遷至基態(tài)，由此產(chǎn)生光。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本公開的實(shí)施方式的一個(gè)或多個(gè)方面針對具有低驅(qū)動(dòng)電壓、高效率和長壽命的有機(jī)發(fā)光裝置。

本申請另外的方面將部分在隨后的說明書中闡釋，并且部分將從說明書中顯而易見，或可通過實(shí)施所呈現(xiàn)的實(shí)施方式獲知。

根據(jù)一個(gè)或多個(gè)實(shí)施方式，有機(jī)發(fā)光裝置包括第一電極；

面向所述第一電極的第二電極；

在所述第一電極和所述第二電極之間堆疊的m個(gè)發(fā)光單元；以及

在所述m個(gè)發(fā)光單元之中的每兩個(gè)相鄰的發(fā)光單元之間的m-1個(gè)電荷產(chǎn)生層，所述m-1個(gè)電荷產(chǎn)生層包括m-1個(gè)n型電荷產(chǎn)生層和m-1個(gè)p型電荷產(chǎn)生層，

其中m為2或更大的整數(shù)，

由所述m個(gè)發(fā)光單元中的至少一個(gè)發(fā)射的光的最大發(fā)射波長不同于由其他發(fā)光單元中的至少一個(gè)發(fā)射的光的最大發(fā)射波長，

所述m-1個(gè)n型電荷產(chǎn)生層中的至少一個(gè)包括含有金屬的材料和不含有金屬的電子傳輸材料，

其中所述含有金屬的材料選自金屬、金屬絡(luò)合物或其組合，

所述金屬選自稀土金屬、過渡金屬、后過渡金屬或其組合，并且

所述金屬絡(luò)合物選自堿金屬、堿土金屬、稀土金屬、過渡金屬、后過渡金屬或其組合。

附圖說明

結(jié)合附圖，從實(shí)施方式的下述描述中，這些和/或其他方面將變得顯而易見和更容易理解，其中：

圖1是圖示說明根據(jù)實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光裝置的示意性截面圖；

圖2是圖示說明根據(jù)實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光裝置的示意性截面圖；

圖3是圖示說明根據(jù)實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光裝置的示意性截面圖；

圖4是圖示說明根據(jù)實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光裝置的示意性截面圖；

圖5是圖示說明根據(jù)實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光裝置的示意性截面圖；以及

圖6是圖示說明根據(jù)實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光裝置的示意性截面圖。

具體實(shí)施方式

現(xiàn)更詳細(xì)參考實(shí)施方式，其實(shí)施例闡釋在附圖中，其中通篇相同的參考數(shù)字指示相同的要素。就此而言，本示例性實(shí)施方式可具有不同的形式并且不應(yīng)解釋為限于本文闡釋的說明書。因此，僅僅在下面通過參考附圖描述實(shí)施方式，以解釋本說明書的各個(gè)方面。如本文所使用，術(shù)語“和/或”包括一個(gè)或多個(gè)相關(guān)列舉項(xiàng)的任何和所有組合。比如“……中的至少一個(gè)”、“……中的一個(gè)”和“選自……”的表述，當(dāng)在一列要素之前/之后時(shí)，修飾整列要素并且不修飾該列的單個(gè)要素。此外，當(dāng)描述本發(fā)明的實(shí)施方式時(shí)，使用“可”指“本發(fā)明的一個(gè)或多個(gè)實(shí)施方式”。

根據(jù)本公開的實(shí)施方式，有機(jī)發(fā)光裝置可包括第一電極；

面向所述第一電極的第二電極；

在所述第一電極和所述第二電極之間堆疊的m個(gè)發(fā)光單元；以及

在所述m個(gè)發(fā)光單元之中的每兩個(gè)相鄰的發(fā)光單元之間的m-1個(gè)電荷產(chǎn)生層，所述m-1個(gè)電荷產(chǎn)生層包括m-1個(gè)n型電荷產(chǎn)生層和m-1個(gè)p型電荷產(chǎn)生層，

其中m可為2或更大的整數(shù)，

由所述m個(gè)發(fā)光單元中的至少一個(gè)發(fā)射的光的最大發(fā)射波長可不同于由其他發(fā)光單元中的至少一個(gè)發(fā)射的光的最大發(fā)射波長，

所述m-1個(gè)n型電荷產(chǎn)生層中的至少一個(gè)可包括含有金屬的材料和不含有金屬的電子傳輸材料，

所述含有金屬的材料可包括金屬、金屬絡(luò)合物或其組合，

所述金屬可包括稀土金屬、過渡金屬、后過渡金屬或其組合，并且

所述金屬絡(luò)合物可包括堿金屬、堿土金屬、稀土金屬、過渡金屬、后過渡金屬或其組合。

圖1圖示說明根據(jù)本公開的實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光裝置10的示意圖。如圖1中示出的，根據(jù)實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光裝置10可包括第一電極110；面向第一電極的第二電極190；在第一電極110和第二電極190之間堆疊的m個(gè)發(fā)光單元153；以及在m個(gè)發(fā)光單元153之中的每兩個(gè)相鄰的發(fā)光單元153之間的m-1個(gè)電荷產(chǎn)生層155，所述m-1個(gè)電荷產(chǎn)生層包括m-1個(gè)n型電荷產(chǎn)生層155'和m-1個(gè)p型電荷產(chǎn)生層155”(例如，每個(gè)電荷產(chǎn)生層155可包括n型電荷產(chǎn)生層155'和p型電荷產(chǎn)生層155")。

本文使用的“發(fā)光單元”不被特別限定，而可以是能夠發(fā)光的任何適合的發(fā)光單元。在一些實(shí)施方式中，發(fā)光單元可包括至少一個(gè)發(fā)光層。在一些實(shí)施方式中，除了發(fā)光層之外，發(fā)光單元可進(jìn)一步包括有機(jī)層。

有機(jī)發(fā)光裝置10可包括m個(gè)堆疊的發(fā)光單元153，其中m可為2或更大的整數(shù)。表示發(fā)光單元數(shù)量的m可為任何適合的整數(shù)，并且發(fā)光單元的數(shù)量的上限不被特別限定。在一些實(shí)施方式中，有機(jī)發(fā)光裝置可包括2、3、4、或5個(gè)發(fā)光單元。

由m個(gè)發(fā)光單元中的至少一個(gè)發(fā)射的光的最大發(fā)射波長可不同于由其他發(fā)光單元中的至少一個(gè)發(fā)射的光的最大發(fā)射波長。在一些實(shí)施方式中，在包括堆疊在一起的第一發(fā)光單元和第二發(fā)光單元的有機(jī)發(fā)光裝置中，由第一發(fā)光單元發(fā)射的光的最大發(fā)射波長可不同于由第二發(fā)光單元發(fā)射的光的最大發(fā)射波長。在這種情況下，所述第一發(fā)光單元的發(fā)光層和所述第二發(fā)光單元的發(fā)光層可各自獨(dú)立地包括i)包括單個(gè)層(包括單種材料)的單層結(jié)構(gòu)，ii)包括單個(gè)層(包括多種不同的材料)的單層結(jié)構(gòu)或者iii)具有包括多種不同材料的多個(gè)層的多層結(jié)構(gòu)。因此，由第一發(fā)光單元或第二發(fā)光單元發(fā)射的光可為單色光或混色光。在一些實(shí)施方式中，在包括堆疊在一起的第一發(fā)光單元、第二發(fā)光單元和第三發(fā)光單元的有機(jī)發(fā)光裝置中，由第一發(fā)光單元發(fā)射的光的最大發(fā)射波長可與由第二發(fā)光單元發(fā)射的光的最大發(fā)射波長相同，而由第三發(fā)光單元發(fā)射的光的最大發(fā)射波長可不同于由第一和第二發(fā)光單元發(fā)射的光的最大發(fā)射波長。在一些實(shí)施方式中，由第一發(fā)光單元發(fā)射的光的最大發(fā)射波長、由第二發(fā)光單元發(fā)射的光的最大發(fā)射波長和由第三發(fā)光單元發(fā)射的光的最大發(fā)射波長可彼此不同。

有機(jī)發(fā)光裝置10可包括在m個(gè)發(fā)光單元153之中的兩個(gè)相鄰的發(fā)光單元153之間的電荷產(chǎn)生層155。此處，本文使用的術(shù)語“相鄰”可指彼此最接近放置的兩個(gè)層的布置。在一些實(shí)施方式中，術(shù)語“兩個(gè)相鄰的發(fā)光單元”可指多個(gè)發(fā)光單元之中離彼此最接近設(shè)置的兩個(gè)發(fā)光單元的布置。例如，術(shù)語“相鄰”可指在一些實(shí)施方式中，可彼此物理接觸的兩個(gè)層的布置以及在其他實(shí)施方式中，其間可設(shè)置有另一個(gè)層的兩個(gè)層的布置。在一些實(shí)施方式中，與第二電極相鄰的發(fā)光單元可指多個(gè)發(fā)光單元之中最接近第二電極設(shè)置的發(fā)光單元。在一些實(shí)施方式中，第二電極可物理接觸發(fā)光單元，或者在第二電極和發(fā)光單元之間可存在除了發(fā)光單元之外的另外的層。在一些實(shí)施方式中，電子傳輸層可在第二電極和發(fā)光單元之間。電荷產(chǎn)生層可在兩個(gè)相鄰的發(fā)光單元之間。

電荷產(chǎn)生層通過產(chǎn)生電子可起到用于所述兩個(gè)相鄰的發(fā)光單元中的一個(gè)的陰極的作用并且通過產(chǎn)生空穴起到用于另一個(gè)發(fā)光單元的陽極的作用。電荷產(chǎn)生層可分離相鄰的發(fā)光單元，而不直接連接到電極。在一些實(shí)施方式中，包括m個(gè)發(fā)光單元的有機(jī)發(fā)光裝置可包括m-1個(gè)電荷產(chǎn)生層。

電荷產(chǎn)生層155可包括n型電荷產(chǎn)生層155'和p型電荷產(chǎn)生層155"。在一些實(shí)施方式中，n型電荷產(chǎn)生層155'和p型電荷產(chǎn)生層155"可彼此直接接觸以便形成np結(jié)(例如，p-n結(jié))。由于np結(jié)，在n型電荷產(chǎn)生層155'和p型電荷產(chǎn)生層155"之間可同時(shí)地或一齊地產(chǎn)生電子和空穴。產(chǎn)生的電子可通過n型電荷產(chǎn)生層155'傳輸?shù)絻蓚€(gè)相鄰的發(fā)光單元中的一個(gè)發(fā)光單元。產(chǎn)生的空穴可通過p型電荷產(chǎn)生層155”傳輸?shù)絻蓚€(gè)相鄰的發(fā)光單元中的另一個(gè)發(fā)光單元。此外，由于電荷產(chǎn)生層155可各自包括一個(gè)n型電荷產(chǎn)生層155'和一個(gè)p型電荷產(chǎn)生層155"，所以包括m-1個(gè)電荷產(chǎn)生層155的有機(jī)發(fā)光裝置10可包括m-1個(gè)n型電荷產(chǎn)生層155'和m-1個(gè)p型電荷產(chǎn)生層155"。

本文中使用的術(shù)語“n型”可指n型半導(dǎo)體的性能，例如，能夠注入和傳輸電子的性能。本文中使用的術(shù)語“p型”可指p型半導(dǎo)體的性能，例如，能夠注入和傳輸空穴的性能。

m-1個(gè)n型電荷產(chǎn)生層中的至少一個(gè)可包括含有金屬的材料和不含有金屬的電子傳輸材料(例如，不包括金屬的電子傳輸材料)。

含有金屬的材料可包括金屬、金屬絡(luò)合物或其組合。

根據(jù)實(shí)施方式，當(dāng)m-1個(gè)n型電荷產(chǎn)生層中的至少一個(gè)包括金屬作為含有金屬的材料時(shí)，所述金屬可包括稀土金屬、過渡金屬、后過渡金屬或其組合。在一些實(shí)施方式中，當(dāng)m-1個(gè)n型電荷產(chǎn)生層中的至少一個(gè)包括金屬作為含有金屬的材料時(shí)，所述金屬可選自鑭(la)、鈰(ce)、鐠(pr)、釹(nd)、钷(pm)、釤(sm)、銪(eu)、釓(gd)、鋱(tb)、鏑(dy)、鈥(ho)、鉺(er)、銩(tm)、鐿(yb)和镥(lu)。根據(jù)實(shí)施方式，當(dāng)m-1個(gè)n型電荷產(chǎn)生層中的至少一個(gè)包括金屬作為含有金屬的材料時(shí)，所述金屬可為yb，但是實(shí)施方式不限于此。

在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施方式中，當(dāng)m-1個(gè)n型電荷產(chǎn)生層中的至少一個(gè)包括金屬絡(luò)合物作為含有金屬的材料時(shí)，金屬絡(luò)合物可包括堿金屬、堿土金屬、稀土金屬、過渡金屬、后過渡金屬或其組合。在一些實(shí)施方式中，當(dāng)m-1個(gè)n型電荷產(chǎn)生層中的至少一個(gè)包括金屬絡(luò)合物作為含有金屬的材料時(shí)，所述金屬絡(luò)合物的金屬可選自鋰(li)、鋁(al)、鈦(ti)、鋯(zr)、鉿(hf)、鋅(zn)和銅(cu)。根據(jù)實(shí)施方式，當(dāng)m-1個(gè)n型電荷產(chǎn)生層中的至少一個(gè)包括金屬絡(luò)合物作為含有金屬的材料時(shí)，金屬絡(luò)合物可為li絡(luò)合物或al絡(luò)合物，但是實(shí)施方式不限于此。

當(dāng)m-1個(gè)n型電荷產(chǎn)生層中的至少一個(gè)包括金屬絡(luò)合物作為含有金屬的材料時(shí)，金屬絡(luò)合物可包括選自以下的至少一個(gè)有機(jī)配位體：羥基喹啉、羥基異喹啉、羥基苯并喹啉、羥基吖啶、羥基菲啶、羥苯基噁唑、羥苯基噻唑、羥基二苯基噁二唑、羥基二苯基噻二唑、羥苯基吡啶、羥苯基苯并咪唑、羥苯基苯并噻唑、聯(lián)吡啶、菲咯啉和環(huán)戊二烯。在一些實(shí)施方式中，當(dāng)m-1個(gè)n型電荷產(chǎn)生層中的至少一個(gè)包括金屬絡(luò)合物作為含有金屬的材料時(shí)，金屬絡(luò)合物可包括選自取代或未取代的羥基喹啉和取代或未取代的羥苯基苯并噻唑中的至少一個(gè)，但是實(shí)施方式不限于此。

在一些實(shí)施方式中，當(dāng)m-1個(gè)n型電荷產(chǎn)生層中的至少一個(gè)包括金屬絡(luò)合物作為含有金屬的材料時(shí)，所述金屬絡(luò)合物可為8-羥基喹啉鋰(liq)和/或8-羥基喹啉鋁(alq3)。

在一些實(shí)施方式中，不含有金屬的電子傳輸材料的最低未占有分子軌道(lumo)能級可為約-4.0電子伏(ev)或更高。在一些實(shí)施方式中，不含有金屬的電子傳輸材料的lumo能級可為約-3.8ev或更高。在一些實(shí)施方式中，不含有金屬的電子傳輸材料的lumo能級可為約-3.5ev或更高。

由于具有約-4.0ev或更高的lumo能級的有機(jī)化合物與周圍層在lumo能級上具有稍許差異，所以所述有機(jī)化合物可有效地(或適當(dāng)?shù)?將n型電荷產(chǎn)生層中產(chǎn)生的電子傳輸?shù)街車鷮印?/p>

在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施方式中，不含有金屬的電子傳輸材料可為包括至少一個(gè)π電子耗盡的含氮環(huán)的有機(jī)化合物，

本文中使用的術(shù)語“π電子耗盡的含氮環(huán)”可指具有至少一個(gè)*-n＝*'部分作為成環(huán)部分的c1-c60雜環(huán)基。

例如，“π電子耗盡的含氮環(huán)”可為i)具有至少一個(gè)*-n＝*'部分的五元至七元雜單環(huán)基團(tuán)，ii)雜多環(huán)基團(tuán)，其中兩個(gè)或更多個(gè)各自具有至少一個(gè)*-n＝*'部分的五元至七元雜單環(huán)基團(tuán)彼此稠合(例如，稠接(fused))和/或iii)雜多環(huán)基團(tuán)，其中至少一個(gè)具有至少一個(gè)*-n＝*'部分的五元至七元雜單環(huán)基團(tuán)與至少一個(gè)c5-c60碳環(huán)基稠合。

在一些實(shí)施方式中，不含有金屬的電子傳輸材料可為包括選自以下的至少一個(gè)的有機(jī)化合物：咪唑環(huán)、吡唑環(huán)、噻唑環(huán)、異噻唑環(huán)、噁唑環(huán)、異噁唑環(huán)、吡啶環(huán)、吡嗪環(huán)、嘧啶環(huán)、噠嗪環(huán)、吲唑環(huán)、嘌呤環(huán)、喹啉環(huán)、異喹啉環(huán)、苯并喹啉環(huán)、酞嗪環(huán)、萘啶環(huán)、喹喔啉環(huán)、喹唑啉環(huán)、噌啉環(huán)、菲啶環(huán)、吖啶環(huán)、菲咯啉環(huán)、吩嗪環(huán)、苯并咪唑環(huán)、異苯并噻唑環(huán)、苯并噁唑環(huán)、異苯并噁唑環(huán)、三唑環(huán)、四唑環(huán)、噁二唑環(huán)、三嗪環(huán)、噻二唑環(huán)、咪唑并吡啶環(huán)、咪唑并嘧啶環(huán)和茚并喹啉環(huán)。在一些實(shí)施方式中，不含有金屬的電子傳輸材料可為包括選自以下的至少一個(gè)的有機(jī)化合物：菲咯啉環(huán)、咪唑環(huán)、吡啶環(huán)、吡嗪環(huán)、嘧啶環(huán)、噠嗪環(huán)和三嗪環(huán)。

根據(jù)實(shí)施方式，不含有金屬的電子傳輸材料可由式1表示：

式1

[ar1]c1-[(l1)a1-r1]b1，

其中，在式1中，

ar1可為取代或未取代的c5-c60碳環(huán)基或取代或未取代的c1-c60雜環(huán)基，

c1可為1、2或3，

當(dāng)c1大于或等于2時(shí)，多個(gè)ar1可彼此相同或不同，并且所述多個(gè)ar1可通過單鍵彼此相應(yīng)連接，

l1可選自取代或未取代的c3-c10亞環(huán)烷基、取代或未取代的c1-c10亞雜環(huán)烷基、取代或未取代的c3-c10亞環(huán)烯基、取代或未取代的c1-c10亞雜環(huán)烯基、取代或未取代的c6-c60亞芳基、取代或未取代的c1-c60亞雜芳基、取代或未取代的二價(jià)的非芳族稠合多環(huán)基團(tuán)和取代或未取代的二價(jià)的非芳族稠合雜多環(huán)基團(tuán)，

a1可為選自0至5的整數(shù)，

當(dāng)a1為0時(shí)，*-(l1)a1-*'可為單鍵，并且當(dāng)a1大于或等于2時(shí)，多個(gè)l1可彼此相同或不同，

r1可選自取代或未取代的c3-c10環(huán)烷基、取代或未取代的c1-c10雜環(huán)烷基、取代或未取代的c3-c10環(huán)烯基、取代或未取代的c1-c10雜環(huán)烯基、取代或未取代的c6-c60芳基、取代或未取代的c6-c60芳氧基、取代或未取代的c6-c60芳硫基、取代或未取代的c1-c60雜芳基、取代或未取代的單價(jià)的非芳族稠合多環(huán)基團(tuán)、取代或未取代的單價(jià)的非芳族稠合雜多環(huán)基團(tuán)、-si(q1)(q2)(q3)、-c(＝o)(q1)、-s(＝o)2(q1)和-p(＝o)(q1)(q2)，

其中q1至q3可各自獨(dú)立地為c1-c10烷基、c1-c10烷氧基、苯基、聯(lián)苯基、三聯(lián)苯基或萘基，

b1可為選自1至5的整數(shù)，并且

當(dāng)b1大于或等于2時(shí)，多個(gè)[(l1)a1-r1]可彼此相同或不同。

在一些實(shí)施方式中，在式1中，

ar1可選自由以下組成的組中：

苯基、萘基、芴基、螺-二芴基、苯并芴基、二苯并芴基、非那烯基、菲基、蒽基、熒蒽基、苯并菲基、芘基、屈基、并四苯基、苉基、苝基、戊芬基、茚并蒽基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、咔唑基、咪唑基、吡唑基、噻唑基、異噻唑基、噁唑基、異噁唑基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、噠嗪基、吲唑基、嘌呤基、喹啉基、異喹啉基、苯并喹啉基、酞嗪基、萘啶基、喹喔啉基、喹唑啉基、噌啉基、菲啶基、吖啶基、菲咯啉基、吩嗪基、苯并咪唑基、異苯并噻唑基、苯并噁唑基、異苯并噁唑基、三唑基、四唑基、噁二唑基、三嗪基、噻二唑基、咪唑并吡啶基、咪唑并嘧啶基、茚并喹啉基、吡啶并喹唑啉基和苯并咪唑并喹唑啉基；以及

各自被選自以下的至少一個(gè)取代的苯基、萘基、芴基、螺-二芴基、苯并芴基、二苯并芴基、非那烯基、菲基、蒽基、熒蒽基、苯并菲基、芘基、屈基、并四苯基、苉基、苝基、戊芬基、茚并蒽基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、咔唑基、咪唑基、吡唑基、噻唑基、異噻唑基、噁唑基、異噁唑基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、噠嗪基、吲唑基、嘌呤基、喹啉基、異喹啉基、苯并喹啉基、酞嗪基、萘啶基、喹喔啉基、喹唑啉基、噌啉基、菲啶基、吖啶基、菲咯啉基、吩嗪基、苯并咪唑基、異苯并噻唑基、苯并噁唑基、異苯并噁唑基、三唑基、四唑基、噁二唑基、三嗪基、噻二唑基、咪唑并吡啶基、咪唑并嘧啶基、茚并喹啉基、吡啶并喹唑啉基和苯并咪唑并喹唑啉基：氘、-f、-cl、-br、-i、羥基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、c1-c20烷基、c1-c20烷氧基、苯基、聯(lián)苯基、三聯(lián)苯基、萘基、-si(q31)(q32)(q33)、-s(＝o)2(q31)和-p(＝o)(q31)(q32)，

l1可選自由以下組成的組中：

亞苯基、亞萘基、亞芴基、亞螺-二芴基、亞苯并芴基、亞二苯并芴基、亞菲基、亞蒽基、亞熒蒽基、亞苯并菲基、亞芘基、亞屈基、亞苝基、亞戊芬基、亞并六苯基、亞并五苯基、亞噻吩基、亞呋喃基、亞咔唑基、亞吲哚基、亞異吲哚基、亞苯并呋喃基、亞苯并噻吩基、亞二苯并呋喃基、亞二苯并噻吩基、亞苯并咔唑基、亞二苯并咔唑基、亞二苯并硅雜環(huán)戊二烯基、亞吡啶基、亞咪唑基、亞吡唑基、亞噻唑基、亞異噻唑基、亞噁唑基、亞異噁唑基、亞噻二唑基、亞噁二唑基、亞吡嗪基、亞嘧啶基、亞噠嗪基、亞三嗪基、亞喹啉基、亞異喹啉基、亞苯并喹啉基、亞酞嗪基、亞萘啶基、亞喹喔啉基、亞喹唑啉基、亞噌啉基、亞菲啶基、亞吖啶基、亞菲咯啉基、亞吩嗪基、亞苯并咪唑基、亞異苯并噻唑基、亞苯并噁唑基、亞異苯并噁唑基、亞三唑基、亞四唑基、亞咪唑并吡啶基、亞咪唑并嘧啶基和亞氮雜咔唑基；以及

各自被選自以下的至少一個(gè)取代的亞苯基、亞萘基、亞芴基、亞螺-二芴基、亞苯并芴基、亞二苯并芴基、亞菲基、亞蒽基、亞熒蒽基、亞苯并菲基、亞芘基、亞屈基、亞苝基、亞戊芬基、亞并六苯基、亞并五苯基、亞噻吩基、亞呋喃基、亞咔唑基、亞吲哚基、亞異吲哚基、亞苯并呋喃基、亞苯并噻吩基、亞二苯并呋喃基、亞二苯并噻吩基、亞苯并咔唑基、亞二苯并咔唑基、亞二苯并硅雜環(huán)戊二烯基、亞吡啶基、亞咪唑基、亞吡唑基、亞噻唑基、亞異噻唑基、亞噁唑基、亞異噁唑基、亞噻二唑基、亞噁二唑基、亞吡嗪基、亞嘧啶基、亞噠嗪基、亞三嗪基、亞喹啉基、亞異喹啉基、亞苯并喹啉基、亞酞嗪基、亞萘啶基、亞喹喔啉基、亞喹唑啉基、亞噌啉基、亞菲啶基、亞吖啶基、亞菲咯啉基、亞吩嗪基、亞苯并咪唑基、亞異苯并噻唑基、亞苯并噁唑基、亞異苯并噁唑基、亞三唑基、亞四唑基、亞咪唑并吡啶基、亞咪唑并嘧啶基和亞氮雜咔唑基：氘、-f、-cl、-br、-i、羥基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、c1-c20烷基、c1-c20烷氧基、苯基、聯(lián)苯基、三聯(lián)苯基、萘基、芴基、螺-二芴基、苯并芴基、二苯并芴基、菲基、蒽基、熒蒽基、苯并菲基、芘基、屈基、苝基、戊芬基、并六苯基、并五苯基、噻吩基、呋喃基、咔唑基、吲哚基、異吲哚基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、苯并咔唑基、二苯并咔唑基、二苯并硅雜環(huán)戊二烯基、吡啶基、咪唑基、吡唑基、噻唑基、異噻唑基、噁唑基、異噁唑基、噻二唑基、噁二唑基、吡嗪基、嘧啶基、噠嗪基、三嗪基、喹啉基、異喹啉基、苯并喹啉基、酞嗪基、萘啶基、喹喔啉基、喹唑啉基、噌啉基、菲啶基、吖啶基、菲咯啉基、吩嗪基、苯并咪唑基、異苯并噻唑基、苯并噁唑基、異苯并噁唑基、三唑基、四唑基、咪唑并吡啶基、咪唑并嘧啶基和氮雜咔唑基，并且

r1可選自由以下組成的組中：

苯基、聯(lián)苯基、三聯(lián)苯基、萘基、芴基、螺-二芴基、苯并芴基、二苯并芴基、菲基、蒽基、熒蒽基、苯并菲基、芘基、屈基、苝基、戊芬基、并六苯基、并五苯基、噻吩基、呋喃基、咔唑基、吲哚基、異吲哚基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、苯并咔唑基、二苯并咔唑基、二苯并硅雜環(huán)戊二烯基、吡啶基、咪唑基、吡唑基、噻唑基、異噻唑基、噁唑基、異噁唑基、噻二唑基、噁二唑基、吡嗪基、嘧啶基、噠嗪基、三嗪基、喹啉基、異喹啉基、苯并喹啉基、酞嗪基、萘啶基、喹喔啉基、喹唑啉基、噌啉基、菲啶基、吖啶基、菲咯啉基、吩嗪基、苯并咪唑基、異苯并噻唑基、苯并噁唑基、異苯并噁唑基、三唑基、四唑基、咪唑并吡啶基、咪唑并嘧啶基、氮雜咔唑基和吡啶并萘啶基；

各自被選自以下的至少一個(gè)取代的苯基、聯(lián)苯基、三聯(lián)苯基、萘基、芴基、螺-二芴基、苯并芴基、二苯并芴基、菲基、蒽基、熒蒽基、苯并菲基、芘基、屈基、苝基、戊芬基、并六苯基、并五苯基、噻吩基、呋喃基、咔唑基、吲哚基、異吲哚基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、苯并咔唑基、二苯并咔唑基、二苯并硅雜環(huán)戊二烯基、吡啶基、咪唑基、吡唑基、噻唑基、異噻唑基、噁唑基、異噁唑基、噻二唑基、噁二唑基、吡嗪基、嘧啶基、噠嗪基、三嗪基、喹啉基、異喹啉基、苯并喹啉基、酞嗪基、萘啶基、喹喔啉基、喹唑啉基、噌啉基、菲啶基、吖啶基、菲咯啉基、吩嗪基、苯并咪唑基、異苯并噻唑基、苯并噁唑基、異苯并噁唑基、三唑基、四唑基、咪唑并吡啶基、咪唑并嘧啶基、氮雜咔唑基和吡啶并萘啶基：氘、-f、-cl、-br、-i、羥基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、c1-c20烷基、c1-c20烷氧基、苯基、聯(lián)苯基、三聯(lián)苯基、萘基、芴基、螺-二芴基、苯并芴基、二苯并芴基、菲基、蒽基、熒蒽基、苯并菲基、芘基、屈基、苝基、戊芬基、并六苯基、并五苯基、噻吩基、呋喃基、咔唑基、吲哚基、異吲哚基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、苯并咔唑基、二苯并咔唑基、二苯并硅雜環(huán)戊二烯基、吡啶基、咪唑基、吡唑基、噻唑基、異噻唑基、噁唑基、異噁唑基、噻二唑基、噁二唑基、吡嗪基、嘧啶基、噠嗪基、三嗪基、喹啉基、異喹啉基、苯并喹啉基、酞嗪基、萘啶基、喹喔啉基、喹唑啉基、噌啉基、菲啶基、吖啶基、菲咯啉基、吩嗪基、苯并咪唑基、異苯并噻唑基、苯并噁唑基、異苯并噁唑基、三唑基、四唑基、咪唑并吡啶基、咪唑并嘧啶基和氮雜咔唑基；以及

-s(＝o)2(q1)和-p(＝o)(q1)(q2)，

其中q1、q2和q31至q33可各自獨(dú)立地為c1-c10烷基、c1-c10烷氧基、苯基、聯(lián)苯基、三聯(lián)苯基或萘基。

根據(jù)實(shí)施方式，不含有金屬的電子傳輸材料可選自化合物1至21，但是實(shí)施方式不限于此：

根據(jù)實(shí)施方式，當(dāng)包括含有金屬的材料和不含有金屬的電子傳輸材料的n型電荷產(chǎn)生層包括金屬作為含有金屬的材料時(shí)，所述金屬與所述不含有金屬的電子傳輸材料的重量比可在約0.01:100至約15:100的范圍內(nèi)。在一些實(shí)施方式中，所述金屬與所述不含有金屬的電子傳輸材料的重量比可在約1:100至約5:100的范圍內(nèi)，但是實(shí)施方式不限于此。

根據(jù)實(shí)施方式，當(dāng)包括含有金屬的材料和不含有金屬的電子傳輸材料的n型電荷產(chǎn)生層包括金屬絡(luò)合物作為含有金屬的材料時(shí)，所述金屬絡(luò)合物與所述不含有金屬的電子傳輸材料的重量比可在約1:100至約100:1的范圍內(nèi)。在一些實(shí)施方式中，所述金屬絡(luò)合物與所述不含有金屬的電子傳輸材料的重量比可在約1:50至約50:1的范圍內(nèi)。在一些實(shí)施方式中，所述金屬絡(luò)合物與所述不含有金屬的電子傳輸材料的重量比可在約1:25至約25:1的范圍內(nèi)。在一些實(shí)施方式中，所述金屬絡(luò)合物與所述不含有金屬的電子傳輸材料的重量比可在約3:7至約7:3的范圍內(nèi)，但是實(shí)施方式不限于此。

p型電荷產(chǎn)生層可基本上順利地在p型電荷產(chǎn)生層和n型電荷產(chǎn)生層之間產(chǎn)生空穴，并且用于p型電荷產(chǎn)生層的材料不被特別限定，而可為能夠?qū)a(chǎn)生的空穴順利地傳輸?shù)较噜彽陌l(fā)光單元的任何適合的材料。在一些實(shí)施方式中，p型電荷產(chǎn)生層可僅包括有機(jī)化合物。在一些實(shí)施方式中，p型電荷產(chǎn)生層可進(jìn)一步包括金屬氧化物。在一些實(shí)施方式中，p型電荷產(chǎn)生層可進(jìn)一步包括p型摻雜劑。

根據(jù)實(shí)施方式，p型電荷產(chǎn)生層可包括選自醌衍生物、金屬氧化物和含氰基的化合物中的至少一種，但是實(shí)施方式不限于此。

在一些實(shí)施方式中，用于p型電荷產(chǎn)生層的材料可包括選自由以下組成的組中的至少一個(gè)：

醌衍生物(比如四氰醌二甲烷(tcnq)和/或2,3,5,6-四氟-7,7,8,8-四氰二甲基對苯醌(f4-tcnq))；

金屬氧化物(比如鎢氧化物和/或鉬氧化物)；

1,4,5,8,9,11-六氮雜苯并菲-六腈(hat-cn)；以及

由式221表示的化合物，但是本公開的實(shí)施方式不限于此：

式221

其中，在式221中，

r221至r223可各自獨(dú)立地選自取代或未取代的c3-c10環(huán)烷基、取代或未取代的c1-c10雜環(huán)烷基、取代或未取代的c3-c10環(huán)烯基、取代或未取代的c1-c10雜環(huán)烯基、取代或未取代的c6-c60芳基、取代或未取代的c1-c60雜芳基、取代或未取代的單價(jià)的非芳族稠合多環(huán)基團(tuán)和取代或未取代的單價(jià)的非芳族稠合雜多環(huán)基團(tuán)，前提是選自r221至r223中的至少一個(gè)可包括選自以下的至少一個(gè)取代基：氰基、-f、-cl、-br、-i、被-f取代的c1-c20烷基、被-cl取代的c1-c20烷基、被-br取代的c1-c20烷基和被-i取代的c1-c20烷基。

根據(jù)實(shí)施方式，n型電荷產(chǎn)生層的厚度和p型電荷產(chǎn)生層的厚度可各自獨(dú)立地在約至約的范圍內(nèi)。根據(jù)實(shí)施方式，n型電荷產(chǎn)生層的厚度和p型電荷產(chǎn)生層的厚度可各自獨(dú)立地在約至約的范圍內(nèi)。根據(jù)實(shí)施方式，n型電荷產(chǎn)生層的厚度可在約至約的范圍內(nèi)，并且p型電荷產(chǎn)生層的厚度可在約至約的范圍內(nèi)，但是實(shí)施方式不限于此。

根據(jù)實(shí)施方式，有機(jī)發(fā)光裝置10可進(jìn)一步包括在第一電極和m個(gè)發(fā)光單元之中與第一電極相鄰的發(fā)光單元之間的空穴傳輸區(qū)，其中所述空穴傳輸區(qū)可包括具有約-3.5ev或更低的lumo能級的p-摻雜劑。p-摻雜劑可包括選自醌衍生物、金屬氧化物和含氰基的化合物中的至少一種，但是實(shí)施方式不限于此。在一些實(shí)施方式中，p-摻雜劑可包括選自由以下組成的組中的至少一個(gè)：

醌衍生物(比如四氰醌二甲烷(tcnq)和/或2,3,5,6-四氟-7,7,8,8-四氰二甲基對苯醌(f4-tcnq))；

金屬氧化物(比如鎢氧化物和/或鉬氧化物)；

1,4,5,8,9,11-六氮雜苯并菲-六腈(hat-cn)；以及

由式221表示的化合物，但是本公開的實(shí)施方式不限于此。

圖2圖示說明根據(jù)實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光裝置11的示意圖。根據(jù)實(shí)施方式，如圖2中示出的，有機(jī)發(fā)光裝置11可進(jìn)一步包括在m個(gè)發(fā)光單元153之中與第二電極190相鄰的發(fā)光單元153與第二電極190之間的電子傳輸層157。

電子傳輸層157可包括含有金屬的材料和不含有金屬的電子傳輸材料(例如，不包括金屬的電子傳輸材料)。

所述含有金屬的材料可包括金屬、金屬絡(luò)合物或其組合。

在一些實(shí)施方式中，當(dāng)電子傳輸層包括金屬作為含有金屬的材料時(shí)，所述金屬可包括堿金屬、堿土金屬、稀土金屬、過渡金屬、后過渡金屬或其組合。在一些實(shí)施方式中，當(dāng)電子傳輸層包括金屬作為含有金屬的材料時(shí)，所述金屬可選自鋰(li)、鈉(na)、鉀(k)、銣(rb)、銫(cs)、鈁(fr)、鈹(be)、鎂(mg)、鈣(ca)、鍶(sr)、鋇(ba)、鐳(ra)、la、ce、pr、nd、pm、sm、eu、gd、tb、dy、ho、er、tm、yb和lu。根據(jù)實(shí)施方式，當(dāng)電子傳輸層包括金屬作為含有金屬的材料時(shí)，所述金屬可選自li、mg和yb，但是實(shí)施方式不限于此。

在一些實(shí)施方式中，當(dāng)電子傳輸層包括金屬絡(luò)合物作為含有金屬的材料時(shí)，所述金屬絡(luò)合物可包括堿金屬、堿土金屬、稀土金屬、過渡金屬、后過渡金屬或其組合。在一些實(shí)施方式中，當(dāng)電子傳輸層包括金屬絡(luò)合物作為含有金屬的材料時(shí)，所述金屬絡(luò)合物可包括li、al、ti、zr、hf、zn和/或cu。根據(jù)實(shí)施方式，當(dāng)電子傳輸層包括金屬絡(luò)合物作為含有金屬的材料時(shí)，所述金屬絡(luò)合物可為li絡(luò)合物或al絡(luò)合物，但是實(shí)施方式不限于此。

當(dāng)電子傳輸層包括金屬絡(luò)合物作為含有金屬的材料時(shí)，所述金屬絡(luò)合物可進(jìn)一步包括選自以下的至少一個(gè)有機(jī)配位體：羥基喹啉、羥基異喹啉、羥基苯并喹啉、羥基吖啶、羥基菲啶、羥苯基噁唑、羥苯基噻唑、羥基二苯基噁二唑、羥基二苯基噻二唑、羥苯基吡啶、羥苯基苯并咪唑、羥苯基苯并噻唑、聯(lián)吡啶、菲咯啉和環(huán)戊二烯。在一些實(shí)施方式中，當(dāng)電子傳輸層包括金屬絡(luò)合物作為含有金屬的材料時(shí)，所述金屬絡(luò)合物可包括選自取代或未取代的羥基喹啉和取代或未取代的羥苯基苯并噻唑中的至少一個(gè)。

在一些實(shí)施方式中，當(dāng)電子傳輸層包括金屬絡(luò)合物作為含有金屬的材料時(shí)，所述金屬絡(luò)合物可為8-羥基喹啉鋰(liq)和/或8-羥基喹啉鋁(alq3)。

包括在電子傳輸層中的不含有金屬的電子傳輸材料可為包括至少一個(gè)π電子耗盡的含氮環(huán)的有機(jī)化合物。在一些實(shí)施方式中，不含有金屬的電子傳輸材料可為包括選自以下的至少一個(gè)的有機(jī)化合物：咪唑環(huán)、吡唑環(huán)、噻唑環(huán)、異噻唑環(huán)、噁唑環(huán)、異噁唑環(huán)、吡啶環(huán)、吡嗪環(huán)、嘧啶環(huán)、噠嗪環(huán)、吲唑環(huán)、嘌呤環(huán)、喹啉環(huán)、異喹啉環(huán)、苯并喹啉環(huán)、酞嗪環(huán)、萘啶環(huán)、喹喔啉環(huán)、喹唑啉環(huán)、噌啉環(huán)、菲啶環(huán)、吖啶環(huán)、菲咯啉環(huán)、吩嗪環(huán)、苯并咪唑環(huán)、異苯并噻唑環(huán)、苯并噁唑環(huán)、異苯并噁唑環(huán)、三唑環(huán)、四唑環(huán)、噁二唑環(huán)、三嗪環(huán)、噻二唑環(huán)、咪唑并吡啶環(huán)、咪唑并嘧啶環(huán)和茚并喹啉環(huán)。在一些實(shí)施方式中，不含有金屬的電子傳輸材料可為包括選自以下的至少一個(gè)的有機(jī)化合物：菲咯啉環(huán)、咪唑環(huán)、吡啶環(huán)、吡嗪環(huán)、嘧啶環(huán)、噠嗪環(huán)和三嗪環(huán)。在一些實(shí)施方式中，不含有金屬的電子傳輸材料可選自化合物1至6(如上文圖示說明的)。

在一些實(shí)施方式中，包括在m-1個(gè)n型電荷產(chǎn)生層中的至少一個(gè)中的含有金屬的材料和不含有金屬的電子傳輸材料可分別與包括在電子傳輸層中的含有金屬的材料和不含有金屬的電子傳輸材料相同。在一些實(shí)施方式中，m-1個(gè)n型電荷產(chǎn)生層中的至少一個(gè)可包括yb作為含有金屬的材料以及化合物1作為不含有金屬的電子傳輸材料。電子傳輸層可包括yb作為含有金屬的材料以及化合物1作為不含有金屬的電子傳輸材料。

根據(jù)一些實(shí)施方式，包括在至少一個(gè)所述n型電荷產(chǎn)生層中的所述含有金屬的材料可不同于包括在所述電子傳輸層中的所述含有金屬的材料；且包括在至少一個(gè)所述n型電荷產(chǎn)生層中的所述不含有金屬的電子傳輸材料可不同于包括在所述電子傳輸層中的所述不含有金屬的電子傳輸材料。

在一些實(shí)施方式中，m-1個(gè)n型電荷產(chǎn)生層中的至少一個(gè)可包括yb作為含有金屬的材料以及化合物1作為不含有金屬的電子傳輸材料，且電子傳輸層可包括li作為含有金屬的材料以及化合物1作為不含有金屬的電子傳輸材料。在一些實(shí)施方式中，m-1個(gè)n型電荷產(chǎn)生層中的至少一個(gè)可包括yb作為含有金屬的材料以及化合物1作為不含有金屬的電子傳輸材料，且電子傳輸層可包括liq作為含有金屬的材料以及化合物5作為不含有金屬的電子傳輸材料。

根據(jù)一些實(shí)施方式，m可大于或等于3，并且m-1個(gè)n型電荷產(chǎn)生層可都包括相同的含有金屬的材料和相同的不含有金屬的電子傳輸材料，并且

包括在m-1個(gè)n型電荷產(chǎn)生層中的含有金屬的材料可不同于包括在電子傳輸層中的含有金屬的材料；包括在m-1個(gè)n型電荷產(chǎn)生層中的不含有金屬的電子傳輸材料可不同于包括在電子傳輸層中的不含有金屬的電子傳輸材料；或者包括在m-1個(gè)n型電荷產(chǎn)生層中的含有金屬的材料可不同于包括在電子傳輸層中的含有金屬的材料，并且包括在m-1個(gè)n型電荷產(chǎn)生層中的不含有金屬的電子傳輸材料可不同于包括在電子傳輸層中的不含有金屬的電子傳輸材料。

根據(jù)實(shí)施方式，除了在第二電極和m個(gè)發(fā)光單元之中與第二電極相鄰的發(fā)光單元之間的電子傳輸層以外，有機(jī)發(fā)光裝置11可進(jìn)一步包括在第一電極和m個(gè)發(fā)光單元之中與第一電極相鄰的發(fā)光單元之間的空穴傳輸區(qū)，其中所述空穴傳輸區(qū)可包括具有約-3.5ev或更低的lumo能級的p-摻雜劑。所述p-摻雜劑可與本文中所描述的相同。

在根據(jù)實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光裝置中，m可為2。也就是，在一些實(shí)施方式中，有機(jī)發(fā)光裝置可僅包括兩個(gè)發(fā)光單元。在一些實(shí)施方式中，有機(jī)發(fā)光裝置可包括以如下規(guī)定的順序堆疊的第一電極、第一發(fā)光單元、第一電荷產(chǎn)生層、第二發(fā)光單元以及第二電極。有機(jī)發(fā)光裝置可進(jìn)一步包括在第二發(fā)光單元和第二電極之間的電子傳輸層。

在根據(jù)另一個(gè)實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光裝置中，m可為3。也就是，在一些實(shí)施方式中，有機(jī)發(fā)光裝置僅包括三個(gè)發(fā)光單元。在一些實(shí)施方式中，有機(jī)發(fā)光裝置可包括以如下規(guī)定的順序堆疊的第一電極、第一發(fā)光單元、第一電荷產(chǎn)生層、第二發(fā)光單元、第二電荷產(chǎn)生層、第三發(fā)光單元以及第二電極。有機(jī)發(fā)光裝置可進(jìn)一步包括在第三發(fā)光單元和第二電極之間的電子傳輸層。

根據(jù)另一個(gè)實(shí)施方式，有機(jī)發(fā)光裝置可包括第一電極；

面向所述第一電極的第二電極；

在所述第一電極和所述第二電極之間堆疊的m個(gè)發(fā)光單元；以及

在所述m個(gè)發(fā)光單元之中的每兩個(gè)相鄰的發(fā)光單元之間的m-1個(gè)電荷產(chǎn)生層，m-1個(gè)電荷產(chǎn)生層包括m-1個(gè)n型電荷產(chǎn)生層和m-1個(gè)p型電荷產(chǎn)生層，

其中m可為2或更大的整數(shù)，

由所述m個(gè)發(fā)光單元中的至少一個(gè)發(fā)射的光的最大發(fā)射波長可不同于由其他發(fā)光單元中的至少一個(gè)發(fā)射的光的最大發(fā)射波長，

所述m-1個(gè)n型電荷產(chǎn)生層中的至少一個(gè)可包括含有金屬的材料和不含有金屬的電子傳輸材料，

所述含有金屬的材料可包括金屬、金屬絡(luò)合物或其組合，

所述金屬可包括稀土金屬、過渡金屬、后過渡金屬或其組合，并且

所述金屬絡(luò)合物可包括堿金屬、堿土金屬、稀土金屬、過渡金屬、后過渡金屬或其組合。

有機(jī)發(fā)光裝置可進(jìn)一步包括在所述第二電極和所述m個(gè)發(fā)光單元之中與所述第二電極相鄰的發(fā)光單元之間的電子傳輸層，

其中所述電子傳輸層可包括含有金屬的材料和不含有金屬的電子傳輸材料，

所述含有金屬的材料可包括金屬、金屬絡(luò)合物或其組合，

所述金屬可包括堿金屬、堿土金屬、稀土金屬、過渡金屬、后過渡金屬或其組合，并且

所述金屬絡(luò)合物可包括堿金屬、堿土金屬、稀土金屬、過渡金屬、后過渡金屬或其組合。

根據(jù)另一個(gè)實(shí)施方式，有機(jī)發(fā)光裝置可包括第一電極；

面向所述第一電極的第二電極；

在所述第一電極和所述第二電極之間堆疊的m個(gè)發(fā)光單元；以及

在所述m個(gè)發(fā)光單元之中的每兩個(gè)相鄰的發(fā)光單元之間的m-1個(gè)電荷產(chǎn)生層，并且所述m-1個(gè)電荷產(chǎn)生層包括m-1個(gè)n型電荷產(chǎn)生層和m-1個(gè)p型電荷產(chǎn)生層，

其中m可為2或更大的整數(shù)，

由所述m個(gè)發(fā)光單元中的至少一個(gè)發(fā)射的光的最大發(fā)射波長可不同于由其他發(fā)光單元中的至少一個(gè)發(fā)射的光的最大發(fā)射波長，

所述m-1個(gè)n型電荷產(chǎn)生層中的至少一個(gè)可包括含有金屬的材料和不含有金屬的電子傳輸材料，

所述含有金屬的材料可包括金屬、金屬絡(luò)合物或其組合，

所述金屬可包括稀土金屬、過渡金屬、后過渡金屬或其組合，并且

所述金屬絡(luò)合物可包括堿金屬、堿土金屬、稀土金屬、過渡金屬、后過渡金屬或其組合。

所述有機(jī)發(fā)光裝置可進(jìn)一步包括在所述第二電極和所述m個(gè)發(fā)光單元之中與所述第二電極相鄰的發(fā)光單元之間的電子傳輸層，

其中所述電子傳輸層可包括含有金屬的材料和不含有金屬的電子傳輸材料，

所述含有金屬的材料可包括金屬、金屬絡(luò)合物或其組合，

所述金屬可包括堿金屬、堿土金屬、稀土金屬、過渡金屬、后過渡金屬或其組合，并且

所述金屬絡(luò)合物可包括堿金屬、堿土金屬、稀土金屬、過渡金屬、后過渡金屬或其組合。

當(dāng)n型電荷產(chǎn)生層包括含有金屬的材料和不含有金屬的電子傳輸材料時(shí)，其中所述含有金屬的材料為包括稀土金屬、過渡金屬、后過渡金屬或其組合的金屬，所述金屬可具有相比于堿金屬相對大的原子量或原子尺寸，并且因而可不展現(xiàn)出或展現(xiàn)出降低的與周圍層的混合。因此，根據(jù)本公開的實(shí)施方式的包括n型電荷產(chǎn)生層的有機(jī)發(fā)光裝置可具有長壽命和/或改善的穩(wěn)定性。

此外，當(dāng)n型電荷產(chǎn)生層包括含有金屬的材料和不含有金屬的電子傳輸材料時(shí)，其中所述含有金屬的材料為金屬絡(luò)合物，所述金屬絡(luò)合物中的金屬可通過配位體(例如，金屬絡(luò)合物中包括的有機(jī)配位體)被穩(wěn)定。因此，根據(jù)本公開的實(shí)施方式的包括n型電荷產(chǎn)生層的有機(jī)發(fā)光裝置由于金屬絡(luò)合物和不含有金屬的電子傳輸材料之間的相互作用可具有改善的穩(wěn)定性。

此外，當(dāng)n型電荷產(chǎn)生層包括含有金屬的材料和不含有金屬的電子傳輸材料時(shí)，其中所述含有金屬的材料包括金屬(稀土金屬、過渡金屬、后過渡金屬或其組合)和金屬絡(luò)合物兩者，包括n型電荷產(chǎn)生層的有機(jī)發(fā)光裝置可同時(shí)具有以上優(yōu)點(diǎn)。

圖3的描述

圖3是圖示說明根據(jù)實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光裝置12的示意性截面圖。有機(jī)發(fā)光裝置12可包括第一電極110、有機(jī)層150和第二電極190。

以下將結(jié)合圖3描述根據(jù)實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光裝置12的結(jié)構(gòu)以及制備根據(jù)實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光裝置的方法。

第一電極110

在圖3中，基板可另外地設(shè)置在第一電極110之下或在第二電極190之上。基板可為玻璃基板或塑料基板，各自具有優(yōu)異的機(jī)械強(qiáng)度、熱穩(wěn)定性、透明度、表面光滑度、易操作性和/或防水性。

第一電極110可通過在基板上沉積或?yàn)R射用于第一電極110的材料而形成。當(dāng)?shù)谝浑姌O110為陽極時(shí)，用于第一電極110的材料可選自具有高功函的材料以便于空穴注入。

第一電極110可為反射電極、半透射電極或透射電極。當(dāng)?shù)谝浑姌O110為透射電極時(shí)，用于第一電極110的材料可選自氧化銦錫(ito)、氧化銦鋅(izo)、氧化錫(sno2)、氧化鋅(zno)及其任意組合，但是不限于此。在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施方式中，當(dāng)?shù)谝浑姌O110為半透射電極或反射電極時(shí)，用于第一電極110的材料可選自鎂(mg)、銀(ag)、鋁(al)、鋁-鋰(al-li)、鈣(ca)、鎂-銦(mg-in)、鎂-銀(mg-ag)及其任意組合，但是不限于此。

第一電極110可具有單層結(jié)構(gòu)或者包括兩個(gè)或更多個(gè)的多層結(jié)構(gòu)。例如，第一電極110可具有ito/ag/ito的三層結(jié)構(gòu)，但是第一電極110的結(jié)構(gòu)不限于此。

有機(jī)層150

有機(jī)層150可設(shè)置在第一電極110上。有機(jī)層150可包括發(fā)光單元。

有機(jī)層150可進(jìn)一步包括空穴傳輸區(qū)和電子傳輸區(qū)，其中所述空穴傳輸區(qū)在第一電極110與發(fā)光單元之間，并且所述電子傳輸區(qū)在發(fā)光單元與第二電極190之間。

在有機(jī)層150中的空穴傳輸區(qū)

空穴傳輸區(qū)可具有i)包括單個(gè)層(包括單種材料)的單層結(jié)構(gòu)，ii)包括單個(gè)層(包括多種不同的材料)的單層結(jié)構(gòu)或者iii)具有包括多種不同材料的多個(gè)層的多層結(jié)構(gòu)。

空穴傳輸區(qū)可包括選自空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光輔助層和電子阻擋層中的至少一個(gè)層。

例如，空穴傳輸區(qū)可具有單層結(jié)構(gòu)或多層結(jié)構(gòu)，所述單層結(jié)構(gòu)包括單個(gè)層(包括多種不同的材料)，所述多層結(jié)構(gòu)具有空穴注入層/空穴傳輸層、空穴注入層/空穴傳輸層/發(fā)光輔助層、空穴注入層/發(fā)光輔助層、空穴傳輸層/發(fā)光輔助層或空穴注入層/空穴傳輸層/電子阻擋層的結(jié)構(gòu)，其中對于每種結(jié)構(gòu)，構(gòu)成層以該規(guī)定的順序從第一電極110依次堆疊，但是空穴傳輸區(qū)的結(jié)構(gòu)不限于此。

空穴傳輸區(qū)可包括選自m-mtdata、tdata、2-tnata、npb(npd)、β-npb、tpd、螺-tpd、螺-npb、甲基化的npb、tapc、hmtpd、4,4',4”-三(n-咔唑基)三苯基胺(tcta)、聚苯胺/十二烷基苯磺酸(pani/dbsa)、聚(3,4-乙撐二氧噻吩)/聚(4-苯乙烯磺酸酯)(pedot/pss)、聚苯胺/樟腦磺酸(pani/csa)、聚苯胺/聚(4-苯乙烯磺酸酯)(pani/pss)、由式201表示的化合物和由式202表示的化合物中的至少一種：

式201

式202

其中，在式201和202中，

l201至l204可各自獨(dú)立地選自取代或未取代的c3-c10亞環(huán)烷基、取代或未取代的c1-c10亞雜環(huán)烷基、取代或未取代的c3-c10亞環(huán)烯基、取代或未取代的c1-c10亞雜環(huán)烯基、取代或未取代的c6-c60亞芳基、取代或未取代的c1-c60亞雜芳基、取代或未取代的二價(jià)的非芳族稠合多環(huán)基團(tuán)和取代或未取代的二價(jià)的非芳族稠合雜多環(huán)基團(tuán)，

l205可選自*-o-*'、*-s-*'、*-n(q201)-*'、取代或未取代的c1-c20亞烷基、取代或未取代的c2-c20亞烯基、取代或未取代的c3-c10亞環(huán)烷基、取代或未取代的c1-c10亞雜環(huán)烷基、取代或未取代的c3-c10亞環(huán)烯基、取代或未取代的c1-c10亞雜環(huán)烯基、取代或未取代的c6-c60亞芳基、取代或未取代的c1-c60亞雜芳基、取代或未取代的二價(jià)的非芳族稠合多環(huán)基團(tuán)和取代或未取代的二價(jià)的非芳族稠合雜多環(huán)基團(tuán)，

xa1至xa4可各自獨(dú)立地為選自0至3的整數(shù)，

xa5可為選自1至10的整數(shù)，并且

r201至r204和q201可各自獨(dú)立地選自取代或未取代的c3-c10環(huán)烷基、取代或未取代的c1-c10雜環(huán)烷基、取代或未取代的c3-c10環(huán)烯基、取代或未取代的c1-c10雜環(huán)烯基、取代或未取代的c6-c60芳基、取代或未取代的c6-c60芳氧基、取代或未取代的c6-c60芳硫基、取代或未取代的c1-c60雜芳基、取代或未取代的單價(jià)的非芳族稠合多環(huán)基團(tuán)和取代或未取代的單價(jià)的非芳族稠合雜多環(huán)基團(tuán)。

在一些實(shí)施方式中，在式202中，r201和r202可以可選地通過單鍵、二甲基-亞甲基或二苯基-亞甲基彼此結(jié)合，并且r203和r204可以可選地通過單鍵、二甲基-亞甲基或二苯基-亞甲基彼此結(jié)合。

在一些實(shí)施方式中，在式201和202中，

l201至l205可各自獨(dú)立地選自由以下組成的組中：

亞苯基、亞戊搭烯基、亞茚基、亞萘基、亞薁基、亞庚搭烯基、亞引達(dá)省基、亞苊基、亞芴基、亞螺-二芴基、亞苯并芴基、亞二苯并芴基、亞非那烯基、亞菲基、亞蒽基、亞熒蒽基、亞苯并菲基、亞芘基、亞屈基、亞并四苯基、亞苉基、亞苝基、亞戊芬基、亞并六苯基、亞并五苯基、亞玉紅省基、亞蔻基、亞卵苯基、亞噻吩基、亞呋喃基、亞咔唑基、亞吲哚基、亞異吲哚基、亞苯并呋喃基、亞苯并噻吩基、亞二苯并呋喃基、亞二苯并噻吩基、亞苯并咔唑基、亞二苯并咔唑基、亞二苯并硅雜環(huán)戊二烯基和亞吡啶基；以及

各自被選自以下的至少一個(gè)取代的亞苯基、亞戊搭烯基、亞茚基、亞萘基、亞薁基、亞庚搭烯基、亞引達(dá)省基、亞苊基、亞芴基、亞螺-二芴基、亞苯并芴基、亞二苯并芴基、亞非那烯基、亞菲基、亞蒽基、亞熒蒽基、亞苯并菲基、亞芘基、亞屈基、亞并四苯基、亞苉基、亞苝基、亞戊芬基、亞并六苯基、亞并五苯基、亞玉紅省基、亞蔻基、亞卵苯基、亞噻吩基、亞呋喃基、亞咔唑基、亞吲哚基、亞異吲哚基、亞苯并呋喃基、亞苯并噻吩基、亞二苯并呋喃基、亞二苯并噻吩基、亞苯并咔唑基、亞二苯并咔唑基、亞二苯并硅雜環(huán)戊二烯基和亞吡啶基：氘、-f、-cl、-br、-i、羥基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、c1-c20烷基、c1-c20烷氧基、環(huán)戊基、環(huán)己基、環(huán)庚基、環(huán)戊烯基、環(huán)己烯基、苯基、聯(lián)苯基、三聯(lián)苯基、被c1-c10烷基取代的苯基、被-f取代的苯基、戊搭烯基、茚基、萘基、薁基、庚搭烯基、引達(dá)省基、苊基、芴基、螺-二芴基、苯并芴基、二苯并芴基、非那烯基、菲基、蒽基、熒蒽基、苯并菲基、芘基、屈基、并四苯基、苉基、苝基、戊芬基、并六苯基、并五苯基、玉紅省基、蔻基、卵苯基、噻吩基、呋喃基、咔唑基、吲哚基、異吲哚基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、苯并咔唑基、二苯并咔唑基、二苯并硅雜環(huán)戊二烯基、吡啶基、-si(q31)(q32)(q33)和-n(q31)(q32)，

其中q31至q33可各自獨(dú)立地選自c1-c10烷基、c1-c10烷氧基、苯基、聯(lián)苯基、三聯(lián)苯基和萘基。

在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施方式中，xa1至xa4可各自獨(dú)立地為0、1或2。

根據(jù)實(shí)施方式，xa5可為1、2、3或4。

根據(jù)一些實(shí)施方式，r201至r204和q201可各自獨(dú)立地選自由以下組成的組中：

苯基、聯(lián)苯基、三聯(lián)苯基、戊搭烯基、茚基、萘基、薁基、庚搭烯基、引達(dá)省基、苊基、芴基、螺-二芴基、苯并芴基、二苯并芴基、非那烯基、菲基、蒽基、熒蒽基、苯并菲基、芘基、屈基、并四苯基、苉基、苝基、戊芬基、并六苯基、并五苯基、玉紅省基、蔻基、卵苯基、噻吩基、呋喃基、咔唑基、吲哚基、異吲哚基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、苯并咔唑基、二苯并咔唑基、二苯并硅雜環(huán)戊二烯基和吡啶基；以及

各自被選自以下的至少一個(gè)取代的苯基、聯(lián)苯基、三聯(lián)苯基、戊搭烯基、茚基、萘基、薁基、庚搭烯基、引達(dá)省基、苊基、芴基、螺-二芴基、苯并芴基、二苯并芴基、非那烯基、菲基、蒽基、熒蒽基、苯并菲基、芘基、屈基、并四苯基、苉基、苝基、戊芬基、并六苯基、并五苯基、玉紅省基、蔻基、卵苯基、噻吩基、呋喃基、咔唑基、吲哚基、異吲哚基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、苯并咔唑基、二苯并咔唑基、二苯并硅雜環(huán)戊二烯基和吡啶基：氘、-f、-cl、-br、-i、羥基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、c1-c20烷基、c1-c20烷氧基、環(huán)戊基、環(huán)己基、環(huán)庚基、環(huán)戊烯基、環(huán)己烯基、苯基、聯(lián)苯基、三聯(lián)苯基、被c1-c10烷基取代的苯基、被-f取代的苯基、戊搭烯基、茚基、萘基、薁基、庚搭烯基、引達(dá)省基、苊基、芴基、螺-二芴基、苯并芴基、二苯并芴基、非那烯基、菲基、蒽基、熒蒽基、苯并菲基、芘基、屈基、并四苯基、苉基、苝基、戊芬基、并六苯基、并五苯基、玉紅省基、蔻基、卵苯基、噻吩基、呋喃基、咔唑基、吲哚基、異吲哚基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、苯并咔唑基、二苯并咔唑基、二苯并硅雜環(huán)戊二烯基、吡啶基、-si(q31)(q32)(q33)和-n(q31)(q32)，

其中q31至q33可與本文中所描述的相同。

根據(jù)一些實(shí)施方式，在式201中，選自r201至r203中的至少一個(gè)可選自由以下組成的組中：

芴基、螺-二芴基、咔唑基、二苯并呋喃基和二苯并噻吩基；以及

各自被選自以下的至少一個(gè)取代的芴基、螺-二芴基、咔唑基、二苯并呋喃基和二苯并噻吩基：氘、-f、-cl、-br、-i、羥基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、c1-c20烷基、c1-c20烷氧基、環(huán)戊基、環(huán)己基、環(huán)庚基、環(huán)戊烯基、環(huán)己烯基、苯基、聯(lián)苯基、三聯(lián)苯基、被c1-c10烷基取代的苯基、被-f取代的苯基、萘基、芴基、螺-二芴基、咔唑基、二苯并呋喃基和二苯并噻吩基，

但是本公開的實(shí)施方式不限于此。

根據(jù)一些實(shí)施方式，在式202中，i)r201和r202可通過單鍵彼此結(jié)合，和/或ii)r203和r204可通過單鍵彼此結(jié)合。

根據(jù)一些實(shí)施方式，在式202中，選自r201至r204中的至少一個(gè)可選自由以下組成的組中：

咔唑基；以及

被選自以下的至少一個(gè)取代的咔唑基：氘、-f、-cl、-br、-i、羥基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、c1-c20烷基、c1-c20烷氧基、環(huán)戊基、環(huán)己基、環(huán)庚基、環(huán)戊烯基、環(huán)己烯基、苯基、聯(lián)苯基、三聯(lián)苯基、被c1-c10烷基取代的苯基、被-f取代的苯基、萘基、芴基、螺-二芴基、咔唑基、二苯并呋喃基和二苯并噻吩基，但是實(shí)施方式不限于此。

由式201表示的化合物可由式201a表示：

式201a

在一些實(shí)施方式中，由式201表示的化合物可由式201a(1)表示，但是實(shí)施方式不限于此：

式201a(1)

在一些實(shí)施方式中，由式201表示的化合物可由式201a-1表示，但是實(shí)施方式不限于此：

式201a-1

在一些實(shí)施方式中，由式202表示的化合物可由式202a表示，但是實(shí)施方式不限于此：

式202a

在一些實(shí)施方式中，由式202表示的化合物可由式202a-1表示：

式202a-1

在式201a、201a(1)、201a-1、202a和202a-1中，

l201至l203、xa1至xa3、xa5和r202至r204的描述可各自獨(dú)立地與本文中所提供的其描述相同，

r211和r212的描述可各自獨(dú)立地與本文中有關(guān)于r203所提供的描述相同，并且

r213至r217可各自獨(dú)立地選自氫、氘、-f、-cl、-br、-i、羥基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、c1-c20烷基、c1-c20烷氧基、環(huán)戊基、環(huán)己基、環(huán)庚基、環(huán)戊烯基、環(huán)己烯基、苯基、聯(lián)苯基、三聯(lián)苯基、被c1-c10烷基取代的苯基、被-f取代的苯基、戊搭烯基、茚基、萘基、薁基、庚搭烯基、引達(dá)省基、苊基、芴基、螺-二芴基、苯并芴基、二苯并芴基、非那烯基、菲基、蒽基、熒蒽基、苯并菲基、芘基、屈基、并四苯基、苉基、苝基、戊芬基、并六苯基、并五苯基、玉紅省基、蔻基、卵苯基、噻吩基、呋喃基、咔唑基、吲哚基、異吲哚基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、苯并咔唑基、二苯并咔唑基、二苯并硅雜環(huán)戊二烯基和吡啶基。

例如，空穴傳輸區(qū)可包括選自化合物ht1至ht39中的至少一個(gè)化合物，但是實(shí)施方式不限于此：

空穴傳輸區(qū)的厚度可在約至約例如，約至約的范圍內(nèi)。當(dāng)空穴傳輸區(qū)包括選自空穴注入層和空穴傳輸層中的至少一個(gè)時(shí)，空穴注入層的厚度可在約至約以及在一些實(shí)施方式中，約至約的范圍內(nèi)；空穴傳輸層的厚度可在約至約以及在一些實(shí)施方式中，約至約的范圍內(nèi)。當(dāng)空穴傳輸區(qū)、空穴注入層和空穴傳輸層的厚度在這些范圍中的任一個(gè)之內(nèi)時(shí)，在驅(qū)動(dòng)電壓沒有顯著增加下可獲得令人滿意的(或適當(dāng)?shù)?空穴傳輸特性。

發(fā)光輔助層可通過根據(jù)由發(fā)光層發(fā)射的光的波長補(bǔ)償光學(xué)共振距離來增加發(fā)光效率，并且電子阻擋層可阻擋或降低來自電子傳輸區(qū)的電子的流動(dòng)。發(fā)光輔助層和電子阻擋層可各自獨(dú)立地包括上文所描述的任一種材料。

p-摻雜劑

除了上述材料之外，空穴傳輸區(qū)可進(jìn)一步包括用于改善導(dǎo)電性能的電荷產(chǎn)生材料。電荷產(chǎn)生材料可均勻地或非均勻地分散于空穴傳輸區(qū)中。

電荷產(chǎn)生材料可為例如p-摻雜劑。

在一個(gè)實(shí)施方式中，p-摻雜劑可具有-3.5ev或更低的最低未占有分子軌道(lumo)。

p-摻雜劑可包括選自醌衍生物、金屬氧化物和含氰基的化合物中的至少一種，但是實(shí)施方式不限于此。

在一些實(shí)施方式中，p-摻雜劑可包括選自由以下組成的組中的至少一種：

醌衍生物(比如四氰醌二甲烷(tcnq)和/或2,3,5,6-四氟-7,7,8,8-四氰二甲基對苯醌(f4-tcnq))；

金屬氧化物(比如鎢氧化物和/或鉬氧化物)；

1,4,5,8,9,11-六氮雜苯并菲-六腈(hat-cn)；以及

由式221表示的化合物，但是實(shí)施方式不限于此：

式221

其中，在式221中，

r221至r223可各自獨(dú)立地選自取代或未取代的c3-c10環(huán)烷基、取代或未取代的c1-c10雜環(huán)烷基、取代或未取代的c3-c10環(huán)烯基、取代或未取代的c1-c10雜環(huán)烯基、取代或未取代的c6-c60芳基、取代或未取代的c1-c60雜芳基、取代或未取代的單價(jià)的非芳族稠合多環(huán)基團(tuán)和取代或未取代的單價(jià)的非芳族稠合雜多環(huán)基團(tuán)，前提是選自r221至r223中的至少一個(gè)可包括選自以下的至少一個(gè)取代基：氰基、-f、-cl、-br、-i、被-f取代的c1-c20烷基、被-cl取代的c1-c20烷基、被-br取代的c1-c20烷基和被-i取代的c1-c20烷基。

在有機(jī)層150中的發(fā)光層

在有機(jī)發(fā)光裝置12中，發(fā)光單元可包括發(fā)光層，其中所述發(fā)光層可具有選自紅色發(fā)光層、綠色發(fā)光層、黃色發(fā)光層和藍(lán)色發(fā)光層中的兩個(gè)或更多個(gè)層的堆疊結(jié)構(gòu)，其中所述兩個(gè)或更多個(gè)層可彼此接觸或者可彼此分離。在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施方式中，發(fā)光層可包括選自紅色發(fā)光材料、綠色發(fā)光材料、黃色發(fā)光材料和藍(lán)色發(fā)光材料中的兩種或更多種材料，其中，所述兩種或更多種材料可在一個(gè)層中混合在一起。

發(fā)光單元可進(jìn)一步包括形成在發(fā)光層上的上輔助層和/或形成在發(fā)光層下方(例如，下面)的下輔助層。所述下輔助層可與上述空穴傳輸層、發(fā)光輔助層和電子阻擋層執(zhí)行基本上相同的功能；并且所述上輔助層可與下述緩沖層、空穴阻擋層、電子控制層和電子傳輸層執(zhí)行基本上相同的功能。用于下輔助層和上輔助層的材料可與本文中關(guān)于用于空穴傳輸區(qū)和電子傳輸區(qū)的材料所描述的那些材料相同。

發(fā)光層可包括主體和摻雜劑。摻雜劑可包括選自磷光摻雜劑和熒光摻雜劑中的至少一種。

基于100重量份的主體，發(fā)光層中的摻雜劑的量可在約0.01至約15重量份的范圍內(nèi)，但是不限于此。

發(fā)光層的厚度可在約至約在一些實(shí)施方式中，約至約的范圍內(nèi)。當(dāng)發(fā)光層的厚度在這些范圍中的任一個(gè)之內(nèi)時(shí)，在驅(qū)動(dòng)電壓無顯著增加下可獲得優(yōu)異的(或適當(dāng)?shù)?發(fā)光特性。

發(fā)光層中的主體

主體可包括由式301表示的化合物：

式301

[ar301]xb11-[(l301)xb1-r301]xb21，

其中，在式301中，

ar301可為取代或未取代的c5-c60碳環(huán)基或取代或未取代的c1-c60雜環(huán)基，

xb11可為1、2或3，

l301可選自取代或未取代的c3-c10亞環(huán)烷基、取代或未取代的c1-c10亞雜環(huán)烷基、取代或未取代的c3-c10亞環(huán)烯基、取代或未取代的c1-c10亞雜環(huán)烯基、取代或未取代的c6-c60亞芳基、取代或未取代的c1-c60亞雜芳基、取代或未取代的二價(jià)的非芳族稠合多環(huán)基團(tuán)和取代或未取代的二價(jià)的非芳族稠合雜多環(huán)基團(tuán)，

xb1可為選自0至5的整數(shù)，

r301可選自氘、-f、-cl、-br、-i、羥基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、取代或未取代的c1-c60烷基、取代或未取代的c2-c60烯基、取代或未取代的c2-c60炔基、取代或未取代的c1-c60烷氧基、取代或未取代的c3-c10環(huán)烷基、取代或未取代的c1-c10雜環(huán)烷基、取代或未取代的c3-c10環(huán)烯基、取代或未取代的c1-c10雜環(huán)烯基、取代或未取代的c6-c60芳基、取代或未取代的c6-c60芳氧基、取代或未取代的c6-c60芳硫基、取代或未取代的c1-c60雜芳基、取代或未取代的單價(jià)的非芳族稠合多環(huán)基團(tuán)、取代或未取代的單價(jià)的非芳族稠合雜多環(huán)基團(tuán)、-si(q301)(q302)(q303)、-n(q301)(q302)、-b(q301)(q302)、-c(＝o)(q301)、-s(＝o)2(q301)和-p(＝o)(q301)(q302)，并且

xb21可為選自1至5的整數(shù)，

其中q301至q303可各自獨(dú)立地選自c1-c10烷基、c1-c10烷氧基、苯基、聯(lián)苯基、三聯(lián)苯基和萘基，但是實(shí)施方式不限于此。

在一些實(shí)施方式中，在式301中，ar301可選自由以下組成的組中：

萘基、芴基、螺-二芴基、苯并芴基、二苯并芴基、非那烯基、菲基、蒽基、熒蒽基、苯并菲基、芘基、屈基、并四苯基、苉基、苝基、戊芬基、茚并蒽基、二苯并呋喃基和二苯并噻吩基；以及

各自被選自以下的至少一個(gè)取代的萘基、芴基、螺-二芴基、苯并芴基、二苯并芴基、非那烯基、菲基、蒽基、熒蒽基、苯并菲基、芘基、屈基、并四苯基、苉基、苝基、戊芬基、茚并蒽基、二苯并呋喃基和二苯并噻吩基：氘、-f、-cl、-br、-i、羥基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、c1-c20烷基、c1-c20烷氧基、苯基、聯(lián)苯基、三聯(lián)苯基、萘基、-si(q31)(q32)(q33)、-n(q31)(q32)、-b(q31)(q32)、-c(＝o)(q31)、-s(＝o)2(q31)和-p(＝o)(q31)(q32)，

其中q31至q33可各自獨(dú)立地選自c1-c10烷基、c1-c10烷氧基、苯基、聯(lián)苯基、三聯(lián)苯基和萘基，但是實(shí)施方式不限于此。

在式301中，當(dāng)xb11大于或等于2時(shí)，多個(gè)ar301可通過單鍵彼此相應(yīng)結(jié)合。

在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施方式中，由式301表示的化合物可由式301-1或301-2表示：

式301-1

式301-2

其中，在式301-1至301-2中，

a301至a304可各自獨(dú)立地選自苯基、萘基、菲基、熒蒽基、苯并菲基、芘基、屈基、吡啶基、嘧啶基、茚基、芴基、螺-二芴基、苯并芴基、二苯并芴基、吲哚基、咔唑基、苯并咔唑基、二苯并咔唑基、呋喃基、苯并呋喃基、二苯并呋喃基、萘并呋喃基、苯并萘并呋喃基、二萘并呋喃基、噻吩基、苯并噻吩基、二苯并噻吩基、萘并噻吩基、苯并萘并噻吩基和二萘并噻吩基，

x301可為o、s或n-[(l304)xb4-r304]，

r311至r314可各自獨(dú)立地選自氫、氘、-f、-cl、-br、-i、羥基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、c1-c20烷基、c1-c20烷氧基、苯基、聯(lián)苯基、三聯(lián)苯基、萘基、-si(q31)(q32)(q33)、-n(q31)(q32)、-b(q31)(q32)、-c(＝o)(q31)、-s(＝o)2(q31)和-p(＝o)(q31)(q32)，

xb22和xb23可各自獨(dú)立地為0、1或2，

l301、xb1、r301和q31至q33的描述可各自獨(dú)立地與本文中提供的那些描述相同，

l302至l304的描述可各自獨(dú)立地與本文中關(guān)于l301所提供的描述相同，

xb2至xb4的描述可各自獨(dú)立地與本文中關(guān)于xb1所提供的描述相同，并且

r302至r304的描述可各自獨(dú)立地與本文中關(guān)于r301所提供的描述相同。

在一些實(shí)施方式中，在式301、301-1和301-2中，l301至l304可各自獨(dú)立地選自由以下組成的組中：

亞苯基、亞萘基、亞芴基、亞螺-二芴基、亞苯并芴基、亞二苯并芴基、亞菲基、亞蒽基、亞熒蒽基、亞苯并菲基、亞芘基、亞屈基、亞苝基、亞戊芬基、亞并六苯基、亞并五苯基、亞噻吩基、亞呋喃基、亞咔唑基、亞吲哚基、亞異吲哚基、亞苯并呋喃基、亞苯并噻吩基、亞二苯并呋喃基、亞二苯并噻吩基、亞苯并咔唑基、亞二苯并咔唑基、亞二苯并硅雜環(huán)戊二烯基、亞吡啶基、亞咪唑基、亞吡唑基、亞噻唑基、亞異噻唑基、亞噁唑基、亞異噁唑基、亞噻二唑基、亞噁二唑基、亞吡嗪基、亞嘧啶基、亞噠嗪基、亞三嗪基、亞喹啉基、亞異喹啉基、亞苯并喹啉基、亞酞嗪基、亞萘啶基、亞喹喔啉基、亞喹唑啉基、亞噌啉基、亞菲啶基、亞吖啶基、亞菲咯啉基、亞吩嗪基、亞苯并咪唑基、亞異苯并噻唑基、亞苯并噁唑基、亞異苯并噁唑基、亞三唑基、亞四唑基、亞咪唑并吡啶基、亞咪唑并嘧啶基和亞氮雜咔唑基；以及

各自被選自以下的至少一個(gè)取代的亞苯基、亞萘基、亞芴基、亞螺-二芴基、亞苯并芴基、亞二苯并芴基、亞菲基、亞蒽基、亞熒蒽基、亞苯并菲基、亞芘基、亞屈基、亞苝基、亞戊芬基、亞并六苯基、亞并五苯基、亞噻吩基、亞呋喃基、亞咔唑基、亞吲哚基、亞異吲哚基、亞苯并呋喃基、亞苯并噻吩基、亞二苯并呋喃基、亞二苯并噻吩基、亞苯并咔唑基、亞二苯并咔唑基、亞二苯并硅雜環(huán)戊二烯基、亞吡啶基、亞咪唑基、亞吡唑基、亞噻唑基、亞異噻唑基、亞噁唑基、亞異噁唑基、亞噻二唑基、亞噁二唑基、亞吡嗪基、亞嘧啶基、亞噠嗪基、亞三嗪基、亞喹啉基、亞異喹啉基、亞苯并喹啉基、亞酞嗪基、亞萘啶基、亞喹喔啉基、亞喹唑啉基、亞噌啉基、亞菲啶基、亞吖啶基、亞菲咯啉基、亞吩嗪基、亞苯并咪唑基、亞異苯并噻唑基、亞苯并噁唑基、亞異苯并噁唑基、亞三唑基、亞四唑基、亞咪唑并吡啶基、亞咪唑并嘧啶基和亞氮雜咔唑基：氘、-f、-cl、-br、-i、羥基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、c1-c20烷基、c1-c20烷氧基、苯基、聯(lián)苯基、三聯(lián)苯基、萘基、芴基、螺-二芴基、苯并芴基、二苯并芴基、菲基、蒽基、熒蒽基、苯并菲基、芘基、屈基、苝基、戊芬基、并六苯基、并五苯基、噻吩基、呋喃基、咔唑基、吲哚基、異吲哚基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、苯并咔唑基、二苯并咔唑基、二苯并硅雜環(huán)戊二烯基、吡啶基、咪唑基、吡唑基、噻唑基、異噻唑基、噁唑基、異噁唑基、噻二唑基、噁二唑基、吡嗪基、嘧啶基、噠嗪基、三嗪基、喹啉基、異喹啉基、苯并喹啉基、酞嗪基、萘啶基、喹喔啉基、喹唑啉基、噌啉基、菲啶基、吖啶基、菲咯啉基、吩嗪基、苯并咪唑基、異苯并噻唑基、苯并噁唑基、異苯并噁唑基、三唑基、四唑基、咪唑并吡啶基、咪唑并嘧啶基、氮雜咔唑基、-si(q31)(q32)(q33)、-n(q31)(q32)、-b(q31)(q32)、-c(＝o)(q31)、-s(＝o)2(q31)和-p(＝o)(q31)(q32)，

其中q31至q33可與本文中所描述的那些相同。

在一些實(shí)施方式中，在式301、301-1和301-2中，r301至r304可各自獨(dú)立地選自由以下組成的組中：

苯基、聯(lián)苯基、三聯(lián)苯基、萘基、芴基、螺-二芴基、苯并芴基、二苯并芴基、菲基、蒽基、熒蒽基、苯并菲基、芘基、屈基、苝基、戊芬基、并六苯基、并五苯基、噻吩基、呋喃基、咔唑基、吲哚基、異吲哚基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、苯并咔唑基、二苯并咔唑基、二苯并硅雜環(huán)戊二烯基、吡啶基、咪唑基、吡唑基、噻唑基、異噻唑基、噁唑基、異噁唑基、噻二唑基、噁二唑基、吡嗪基、嘧啶基、噠嗪基、三嗪基、喹啉基、異喹啉基、苯并喹啉基、酞嗪基、萘啶基、喹喔啉基、喹唑啉基、噌啉基、菲啶基、吖啶基、菲咯啉基、吩嗪基、苯并咪唑基、異苯并噻唑基、苯并噁唑基、異苯并噁唑基、三唑基、四唑基、咪唑并吡啶基、咪唑并嘧啶基和氮雜咔唑基；以及

各自被選自以下的至少一個(gè)取代的苯基、聯(lián)苯基、三聯(lián)苯基、萘基、芴基、螺-二芴基、苯并芴基、二苯并芴基、菲基、蒽基、熒蒽基、苯并菲基、芘基、屈基、苝基、戊芬基、并六苯基、并五苯基、噻吩基、呋喃基、咔唑基、吲哚基、異吲哚基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、苯并咔唑基、二苯并咔唑基、二苯并硅雜環(huán)戊二烯基、吡啶基、咪唑基、吡唑基、噻唑基、異噻唑基、噁唑基、異噁唑基、噻二唑基、噁二唑基、吡嗪基、嘧啶基、噠嗪基、三嗪基、喹啉基、異喹啉基、苯并喹啉基、酞嗪基、萘啶基、喹喔啉基、喹唑啉基、噌啉基、菲啶基、吖啶基、菲咯啉基、吩嗪基、苯并咪唑基、異苯并噻唑基、苯并噁唑基、異苯并噁唑基、三唑基、四唑基、咪唑并吡啶基、咪唑并嘧啶基和氮雜咔唑基：氘、-f、-cl、-br、-i、羥基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、c1-c20烷基、c1-c20烷氧基、苯基、聯(lián)苯基、三聯(lián)苯基、萘基、芴基、螺-二芴基、苯并芴基、二苯并芴基、菲基、蒽基、熒蒽基、苯并菲基、芘基、屈基、苝基、戊芬基、并六苯基、并五苯基、噻吩基、呋喃基、咔唑基、吲哚基、異吲哚基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、苯并咔唑基、二苯并咔唑基、二苯并硅雜環(huán)戊二烯基、吡啶基、咪唑基、吡唑基、噻唑基、異噻唑基、噁唑基、異噁唑基、噻二唑基、噁二唑基、吡嗪基、嘧啶基、噠嗪基、三嗪基、喹啉基、異喹啉基、苯并喹啉基、酞嗪基、萘啶基、喹喔啉基、喹唑啉基、噌啉基、菲啶基、吖啶基、菲咯啉基、吩嗪基、苯并咪唑基、異苯并噻唑基、苯并噁唑基、異苯并噁唑基、三唑基、四唑基、咪唑并吡啶基、咪唑并嘧啶基、氮雜咔唑基、-si(q31)(q32)(q33)、-n(q31)(q32)、-b(q31)(q32)、-c(＝o)(q31)、-s(＝o)2(q31)和-p(＝o)(q31)(q32)，

其中q31至q33可與本文中所描述的那些相同。

在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施方式中，主體可包括堿土金屬絡(luò)合物。例如，主體可選自鈹(be)絡(luò)合物(例如，下文例示的化合物h55)、鎂(mg)絡(luò)合物和鋅(zn)絡(luò)合物。

主體可包括選自9,10-二(2-萘基)蒽(adn)、2-甲基-9,10-雙(萘-2-基)蒽(madn)、9,10-二-(2-萘基)-2-叔丁基-蒽(tbadn)、4,4′-雙(n-咔唑基)-1,1′-聯(lián)苯(cbp)、1,3-二-9-咔唑基苯(mcp)、1,3,5-三(咔唑-9-基)苯(tcp)和化合物h1至h55中的至少一種，但是實(shí)施方式不限于此。

包括在有機(jī)層150的發(fā)光層中的磷光摻雜劑

磷光摻雜劑可包括由式401表示的有機(jī)金屬絡(luò)合物：

式401

m(l401)xc1(l402)xc2

其中，在式401中,

m可選自銥(ir)、鉑(pt)、鈀(pd)、鋨(os)、鈦(ti)、鋯(zr)、鉿(hf)、銪(eu)、鋱(tb)、銠(rh)和銩(tm)，

l401可選自由式402表示的配位體，

式402

并且xc1可為1、2或3；當(dāng)xc1大于或等于2時(shí)，多個(gè)l401可彼此相同或不同，

l402可為有機(jī)配位體，并且xc2可為選自0至4的整數(shù)；當(dāng)xc2大于或等于2時(shí)，多個(gè)l402可彼此相同或不同，

其中，在式402中,

x401至x404可各自獨(dú)立地為氮(n)或碳(c)，

x401和x403可通過單鍵或雙鍵彼此結(jié)合；x402和x404可通過單鍵或雙鍵彼此結(jié)合，

a401和a402可各自獨(dú)立地為c5-c60碳環(huán)基或c1-c60雜環(huán)基，

x405可為單鍵、*-o-*'、*-s-*'、*-c(＝o)-*'、*-n(q411)-*'、*-c(q411)(q412)-*'、*-c(q411)＝c(q412)-*'、*-c(q411)＝*'或*＝c(q411)＝*'，其中q411和q412可各自獨(dú)立地選自氫、氘、c1-c20烷基、c1-c20烷氧基、苯基、聯(lián)苯基、三聯(lián)苯基和萘基，

x406可為單鍵、o或s，

r401和r402可各自獨(dú)立地選自氫、氘、-f、-cl、-br、-i、羥基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、取代或未取代的c1-c20烷基、取代或未取代的c1-c20烷氧基、取代或未取代的c3-c10環(huán)烷基、取代或未取代的c1-c10雜環(huán)烷基、取代或未取代的c3-c10環(huán)烯基、取代或未取代的c1-c10雜環(huán)烯基、取代或未取代的c6-c60芳基、取代或未取代的c6-c60芳氧基、取代或未取代的c6-c60芳硫基、取代或未取代的c1-c60雜芳基、取代或未取代的單價(jià)的非芳族稠合多環(huán)基團(tuán)、取代或未取代的單價(jià)的非芳族稠合雜多環(huán)基團(tuán)、-si(q401)(q402)(q403)、-n(q401)(q402)、-b(q401)(q402)、-c(＝o)(q401)、-s(＝o)2(q401)和-p(＝o)(q401)(q402)、其中q401至q403可各自獨(dú)立地選自c1-c10烷基、c1-c10烷氧基、c6-c20芳基和c1-c20雜芳基，

xc11和xc12可各自獨(dú)立地為選自0至10的整數(shù)，并且

式402中的*和*'可各自獨(dú)立地表示與式401中的m的結(jié)合位點(diǎn)。

根據(jù)實(shí)施方式，式402中的a401和a402可各自獨(dú)立地選自苯基、萘基、芴基、螺-二芴基、茚基、吡咯基、噻吩基、呋喃基、咪唑基、吡唑基、噻唑基、異噻唑基、噁唑基、異噁唑基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、噠嗪基、喹啉基、異喹啉基、苯并喹啉基、喹喔啉基、喹唑啉基、咔唑基、苯并咪唑基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、異苯并噻吩基、苯并噁唑基、異苯并噁唑基、三唑基、四唑基、噁二唑基、三嗪基、二苯并呋喃基和二苯并噻吩基。

在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施方式中，在式402中，i)x401可為氮，并且x402可為碳，或者ii)x401和x402可都為氮。

根據(jù)一些實(shí)施方式，式402中的r401和r402可各自獨(dú)立地選自由以下組成的組中：

氫、氘、-f、-cl、-br、-i、羥基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、c1-c20烷基和c1-c20烷氧基；

各自被選自以下的至少一個(gè)取代的c1-c20烷基和c1-c20烷氧基：氘、-f、-cl、-br、-i、羥基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、苯基、萘基、環(huán)戊基、環(huán)己基、金剛烷基、降莰烷基和降莰烯基；

環(huán)戊基、環(huán)己基、金剛烷基、降莰烷基、降莰烯基、苯基、聯(lián)苯基、三聯(lián)苯基、萘基、芴基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、噠嗪基、三嗪基、喹啉基、異喹啉基、喹喔啉基、喹唑啉基、咔唑基、二苯并呋喃基和二苯并噻吩基；

各自被選自以下的至少一個(gè)取代的環(huán)戊基、環(huán)己基、金剛烷基、降莰烷基、降莰烯基、苯基、聯(lián)苯基、三聯(lián)苯基、萘基、芴基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、噠嗪基、三嗪基、喹啉基、異喹啉基、喹喔啉基、喹唑啉基、咔唑基、二苯并呋喃基和二苯并噻吩基：氘、-f、-cl、-br、-i、羥基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、c1-c20烷基、c1-c20烷氧基、環(huán)戊基、環(huán)己基、金剛烷基、降莰烷基、降莰烯基、苯基、聯(lián)苯基、三聯(lián)苯基、萘基、芴基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、噠嗪基、三嗪基、喹啉基、異喹啉基、喹喔啉基、喹唑啉基、咔唑基、二苯并呋喃基和二苯并噻吩基；以及

-si(q401)(q402)(q403)、-n(q401)(q402)、-b(q401)(q402)、-c(＝o)(q401)、-s(＝o)2(q401)和-p(＝o)(q401)(q402)，

其中q401至q403可各自獨(dú)立地選自c1-c10烷基、c1-c10烷氧基、苯基、聯(lián)苯基和萘基，但是實(shí)施方式不限于此。

在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施方式中，當(dāng)式401中的xc1大于或等于2時(shí)，多個(gè)l401中的兩個(gè)a401可以可選地通過作為連接基團(tuán)的x407彼此結(jié)合，并且多個(gè)l401中的兩個(gè)a402可以可選地通過作為連接基團(tuán)的x408彼此結(jié)合(參見例如化合物pd1至pd4和pd7)。x407和x408可各自獨(dú)立地選自單鍵、*-o-*'、*-s-*'、*-c(＝o)-*'、*-n(q413)-*'、*-c(q413)(q414)-*'或*-c(q413)＝c(q414)-*'(其中q413和q414可各自獨(dú)立地選自氫、氘、c1-c20烷基、c1-c20烷氧基、苯基、聯(lián)苯基、三聯(lián)苯基和萘基)，但是實(shí)施方式不限于此。

式401中的l402可為任何適合的單價(jià)、二價(jià)或三價(jià)有機(jī)配位體。在一些實(shí)施方式中，l402可選自鹵素、二酮(例如，乙酰丙酮化物)、羧酸(例如，吡啶甲酸鹽)、-c(＝o)、異腈、-cn和磷(例如，磷化氫和/或亞磷酸鹽)，但是實(shí)施方式不限于此。

在一些實(shí)施方式中，磷光摻雜劑可包括，例如，選自化合物pd1至pd25中的至少一個(gè)，但是實(shí)施方式不限于此：

發(fā)光層中的熒光摻雜劑

熒光摻雜劑可包括芳基胺化合物或苯乙烯胺化合物。

在一些實(shí)施方式中，熒光摻雜劑可包括由式501表示的化合物：

式501

其中，在式501中，

ar501可為取代或未取代的c5-c60碳環(huán)基或取代或未取代的c1-c60雜環(huán)基，

l501至l503可各自獨(dú)立地選自取代或未取代的c3-c10亞環(huán)烷基、取代或未取代的c1-c10亞雜環(huán)烷基、取代或未取代的c3-c10亞環(huán)烯基、取代或未取代的c1-c10亞雜環(huán)烯基、取代或未取代的c6-c60亞芳基、取代或未取代的c1-c60亞雜芳基、取代或未取代的二價(jià)的非芳族稠合多環(huán)基團(tuán)和取代或未取代的二價(jià)的非芳族稠合雜多環(huán)基團(tuán)，

xd1至xd3可各自獨(dú)立地為選自0至3的整數(shù)；

r501和r502可各自獨(dú)立地選自取代或未取代的c3-c10環(huán)烷基、取代或未取代的c1-c10雜環(huán)烷基、取代或未取代的c3-c10環(huán)烯基、取代或未取代的c1-c10雜環(huán)烯基、取代或未取代的c6-c60芳基、取代或未取代的c6-c60芳氧基、取代或未取代的c6-c60芳硫基、取代或未取代的c1-c60雜芳基、取代或未取代的單價(jià)的非芳族稠合多環(huán)基團(tuán)和取代或未取代的單價(jià)的非芳族稠合雜多環(huán)基團(tuán)，并且

xd4可為選自1至6的整數(shù)。

在一些實(shí)施方式中，式501中的ar501可選自由以下組成的組中：

萘基、庚搭烯基、芴基、螺-二芴基、苯并芴基、二苯并芴基、非那烯基、菲基、蒽基、熒蒽基、苯并菲基、芘基、屈基、并四苯基、苉基、苝基、戊芬基、茚并蒽基和茚并菲基；以及

各自被選自以下的至少一個(gè)取代的萘基、庚搭烯基、芴基、螺-二芴基、苯并芴基、二苯并芴基、非那烯基、菲基、蒽基、熒蒽基、苯并菲基、芘基、屈基、并四苯基、苉基、苝基、戊芬基、茚并蒽基和茚并菲基：氘、-f、-cl、-br、-i、羥基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、c1-c20烷基、c1-c20烷氧基、苯基、聯(lián)苯基、三聯(lián)苯基和萘基。

在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施方式中，式501中的l501至l503可各自獨(dú)立地選自由以下組成的組中：

亞苯基、亞萘基、亞芴基、亞螺-二芴基、亞苯并芴基、亞二苯并芴基、亞菲基、亞蒽基、亞熒蒽基、亞苯并菲基、亞芘基、亞屈基、亞苝基、亞戊芬基、亞并六苯基、亞并五苯基、亞噻吩基、亞呋喃基、亞咔唑基、亞吲哚基、亞異吲哚基、亞苯并呋喃基、亞苯并噻吩基、亞二苯并呋喃基、亞二苯并噻吩基、亞苯并咔唑基、亞二苯并咔唑基、亞二苯并硅雜環(huán)戊二烯基和亞吡啶基；以及

各自被選自以下的至少一個(gè)取代的亞苯基、亞萘基、亞芴基、亞螺-二芴基、亞苯并芴基、亞二苯并芴基、亞菲基、亞蒽基、亞熒蒽基、亞苯并菲基、亞芘基、亞屈基、亞苝基、亞戊芬基、亞并六苯基、亞并五苯基、亞噻吩基、亞呋喃基、亞咔唑基、亞吲哚基、亞異吲哚基、亞苯并呋喃基、亞苯并噻吩基、亞二苯并呋喃基、亞二苯并噻吩基、亞苯并咔唑基、亞二苯并咔唑基、亞二苯并硅雜環(huán)戊二烯基和亞吡啶基：氘、-f、-cl、-br、-i、羥基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、c1-c20烷基、c1-c20烷氧基、苯基、聯(lián)苯基、三聯(lián)苯基、萘基、芴基、螺-二芴基、苯并芴基、二苯并芴基、菲基、蒽基、熒蒽基、苯并菲基、芘基、屈基、苝基、戊芬基、并六苯基、并五苯基、噻吩基、呋喃基、咔唑基、吲哚基、異吲哚基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、苯并咔唑基、二苯并咔唑基、二苯并硅雜環(huán)戊二烯基和吡啶基。

根據(jù)一些實(shí)施方式，式501中的r501和r502可各自獨(dú)立地選自由以下組成的組中：

苯基、聯(lián)苯基、三聯(lián)苯基、萘基、芴基、螺-二芴基、苯并芴基、二苯并芴基、菲基、蒽基、熒蒽基、苯并菲基、芘基、屈基、苝基、戊芬基、并六苯基、并五苯基、噻吩基、呋喃基、咔唑基、吲哚基、異吲哚基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、苯并咔唑基、二苯并咔唑基、二苯并硅雜環(huán)戊二烯基和吡啶基；以及

各自被選自以下的至少一個(gè)取代的苯基、聯(lián)苯基、三聯(lián)苯基、萘基、芴基、螺-二芴基、苯并芴基、二苯并芴基、菲基、蒽基、熒蒽基、苯并菲基、芘基、屈基、苝基、戊芬基、并六苯基、并五苯基、噻吩基、呋喃基、咔唑基、吲哚基、異吲哚基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、苯并咔唑基、二苯并咔唑基、二苯并硅雜環(huán)戊二烯基和吡啶基：氘、-f、-cl、-br、-i、羥基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、c1-c20烷基、c1-c20烷氧基、苯基、聯(lián)苯基、三聯(lián)苯基、萘基、芴基、螺-二芴基、苯并芴基、二苯并芴基、菲基、蒽基、熒蒽基、苯并菲基、芘基、屈基、苝基、戊芬基、并六苯基、并五苯基、噻吩基、呋喃基、咔唑基、吲哚基、異吲哚基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、苯并咔唑基、二苯并咔唑基、二苯并硅雜環(huán)戊二烯基、吡啶基和-si(q31)(q32)(q33)，

其中q31至q33可各自獨(dú)立地選自c1-c10烷基、c1-c10烷氧基、苯基、聯(lián)苯基、三聯(lián)苯基和萘基。

在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施方式中，式501中的xd4可為2，但是實(shí)施方式不限于此。

在一些實(shí)施方式中，熒光摻雜劑可選自化合物fd1至fd22：

在一些實(shí)施方式中，熒光摻雜劑可選自以下的化合物，但是實(shí)施方式不限于此：

有機(jī)層150中的電子傳輸區(qū)

電子傳輸區(qū)可具有i)包括單個(gè)層(所述單個(gè)層包括單種材料)的單層結(jié)構(gòu)，ii)包括單個(gè)層(所述單個(gè)層包括多種不同的材料)的單層結(jié)構(gòu)或iii)具有包括多種不同材料的多個(gè)層的多層結(jié)構(gòu)。

電子傳輸區(qū)可包括選自緩沖層、空穴阻擋層、電子控制層、電子傳輸層和電子注入層中的至少一個(gè)，但是不限于此。

在一些實(shí)施方式中，電子傳輸區(qū)可具有電子傳輸層/電子注入層的結(jié)構(gòu)，空穴阻擋層/電子傳輸層/電子注入層的結(jié)構(gòu)、電子控制層/電子傳輸層/電子注入層的結(jié)構(gòu)或緩沖層/電子傳輸層/電子注入層的結(jié)構(gòu)，其中這些結(jié)構(gòu)的層以這些規(guī)定的順序在發(fā)光層上依次堆疊。然而，電子傳輸區(qū)的結(jié)構(gòu)不限于此。

電子傳輸區(qū)(例如，電子傳輸區(qū)中的緩沖層、空穴阻擋層、電子控制層和/或電子傳輸層)可包括無金屬的化合物，該無金屬的化合物含有至少一個(gè)π電子耗盡的含氮環(huán)。

如本文中使用的術(shù)語“π電子耗盡的含氮環(huán)”可指具有至少一個(gè)*-n＝*'部分作為成環(huán)部分的c1-c60雜環(huán)基。

例如，“π電子耗盡的含氮環(huán)”可為i)具有至少一個(gè)*-n＝*'部分的五元至七元雜單環(huán)基團(tuán)，ii)雜多環(huán)基團(tuán)，其中兩個(gè)或更多個(gè)各自具有至少一個(gè)*-n＝*'部分的五元至七元雜單環(huán)基團(tuán)稠合(例如，稠接(fused))或者iii)雜多環(huán)基團(tuán)，其中至少一個(gè)具有至少一個(gè)*-n＝*'部分的五元至七元雜單環(huán)基團(tuán)與至少一個(gè)c5-c60碳環(huán)基稠合(例如，稠接)。

π電子耗盡的含氮環(huán)的非限制性實(shí)例可包括咪唑、吡唑、噻唑、異噻唑、噁唑、異噁唑、吡啶、吡嗪、嘧啶、噠嗪、吲唑、嘌呤、喹啉、異喹啉、苯并喹啉、酞嗪、萘啶、喹喔啉、喹唑啉、噌啉、菲啶、吖啶、菲咯啉、吩嗪、苯并咪唑、異苯并噻唑、苯并噁唑、異苯并噁唑、三唑、四唑、噁二唑、三嗪、噻二唑、咪唑并吡啶、咪唑并嘧啶和氮雜咔唑，但是不限于此。

在一些實(shí)施方式中，電子傳輸區(qū)可包括由式601表示的化合物：

式601

[ar601]xe11-[(l601)xe1-r601]xe21，

其中，在式601中，

ar601可為取代或未取代的c5-c60碳環(huán)基或取代或未取代的c1-c60雜環(huán)基，

xe11可為1、2或3，

l601可選自取代或未取代的c3-c10亞環(huán)烷基、取代或未取代的c1-c10亞雜環(huán)烷基、取代或未取代的c3-c10亞環(huán)烯基、取代或未取代的c1-c10亞雜環(huán)烯基、取代或未取代的c6-c60亞芳基、取代或未取代的c1-c60亞雜芳基、取代或未取代的二價(jià)的非芳族稠合多環(huán)基團(tuán)和取代或未取代的二價(jià)的非芳族稠合雜多環(huán)基團(tuán)，

xe1可為選自0至5的整數(shù)，

r601可選自取代或未取代的c3-c10環(huán)烷基、取代或未取代的c1-c10雜環(huán)烷基、取代或未取代的c3-c10環(huán)烯基、取代或未取代的c1-c10雜環(huán)烯基、取代或未取代的c6-c60芳基、取代或未取代的c6-c60芳氧基、取代或未取代的c6-c60芳硫基、取代或未取代的c1-c60雜芳基、取代或未取代的單價(jià)的非芳族稠合多環(huán)基團(tuán)、取代或未取代的單價(jià)的非芳族稠合雜多環(huán)基團(tuán)、-si(q601)(q602)(q603)、-c(＝o)(q601)、-s(＝o)2(q601)和-p(＝o)(q601)(q602)，

其中q601至q603可各自獨(dú)立地為c1-c10烷基、c1-c10烷氧基、苯基、聯(lián)苯基、三聯(lián)苯基或萘基，并且

xe21可為選自1至5的整數(shù)。

在一些實(shí)施方式中，選自xe11數(shù)量的ar601和xe21數(shù)量的r601中的至少一個(gè)可包括π電子耗盡的含氮環(huán)。

在一些實(shí)施方式中，式601中的環(huán)ar601可選自由以下組成的組中：

苯基、萘基、芴基、螺-二芴基、苯并芴基、二苯并芴基、非那烯基、菲基、蒽基、熒蒽基、苯并菲基、芘基、屈基、并四苯基、苉基、苝基、戊芬基、茚并蒽基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、咔唑基、咪唑基、吡唑基、噻唑基、異噻唑基、噁唑基、異噁唑基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、噠嗪基、吲唑基、嘌呤基、喹啉基、異喹啉基、苯并喹啉基、酞嗪基、萘啶基、喹喔啉基、喹唑啉基、噌啉基、菲啶基、吖啶基、菲咯啉基、吩嗪基、苯并咪唑基、異苯并噻唑基、苯并噁唑基、異苯并噁唑基、三唑基、四唑基、噁二唑基、三嗪基、噻二唑基、咪唑并吡啶基、咪唑并嘧啶基和茚并喹啉基；以及

各自被選自以下的至少一個(gè)取代的苯基、萘基、芴基、螺-二芴基、苯并芴基、二苯并芴基、非那烯基、菲基、蒽基、熒蒽基、苯并菲基、芘基、屈基、并四苯基、苉基、苝基、戊芬基、茚并蒽基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、咔唑基、咪唑基、吡唑基、噻唑基、異噻唑基、噁唑基、異噁唑基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、噠嗪基、吲唑基、嘌呤基、喹啉基、異喹啉基、苯并喹啉基、酞嗪基、萘啶基、喹喔啉基、喹唑啉基、噌啉基、菲啶基、吖啶基、菲咯啉基、吩嗪基、苯并咪唑基、異苯并噻唑基、苯并噁唑基、異苯并噁唑基、三唑基、四唑基、噁二唑基、三嗪基、噻二唑基、咪唑并吡啶基、咪唑并嘧啶基和茚并喹啉基：氘、-f、-cl、-br、-i、羥基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、c1-c20烷基、c1-c20烷氧基、苯基、聯(lián)苯基、三聯(lián)苯基、萘基、-si(q31)(q32)(q33)、-s(＝o)2(q31)和-p(＝o)(q31)(q32)，

其中q31至q33可各自獨(dú)立地選自c1-c10烷基、c1-c10烷氧基、苯基、聯(lián)苯基、三聯(lián)苯基和萘基。

當(dāng)式601中的xe11大于或等于2時(shí)，多個(gè)ar601可通過單鍵彼此結(jié)合。

在一個(gè)實(shí)施方式中，式601中的ar601可為蒽基。

在一些實(shí)施方式中，由式601表示的化合物可由式601-1表示：

式601-1

其中，在式601-1中，

x614可為n或c(r614)、x615可為n或c(r615)、x616可為n或c(r616)，并且選自x614至x616中的至少一個(gè)可為n，

l611至l613的描述可各自獨(dú)立地與本文中關(guān)于l601所提供的描述相同，

xe611至xe613的描述可各自獨(dú)立地與本文中關(guān)于xe1所提供的描述相同，

r611至r613的描述可各自獨(dú)立地為與本文中關(guān)于r601所提供的描述基本上相同，并且

r614至r616可各自獨(dú)立地選自氫、氘、-f、-cl、-br、-i、羥基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、c1-c20烷基、c1-c20烷氧基、苯基、聯(lián)苯基、三聯(lián)苯基和萘基。

在一個(gè)實(shí)施方式中，在式601和601-1中，l601和l611至l613可各自獨(dú)立地選自由以下組成的組中：

亞苯基、亞萘基、亞芴基、亞螺-二芴基、亞苯并芴基、亞二苯并芴基、亞菲基、亞蒽基、亞熒蒽基、亞苯并菲基、亞芘基、亞屈基、亞苝基、亞戊芬基、亞并六苯基、亞并五苯基、亞噻吩基、亞呋喃基、亞咔唑基、亞吲哚基、亞異吲哚基、亞苯并呋喃基、亞苯并噻吩基、亞二苯并呋喃基、亞二苯并噻吩基、亞苯并咔唑基、亞二苯并咔唑基、亞二苯并硅雜環(huán)戊二烯基、亞吡啶基、亞咪唑基、亞吡唑基、亞噻唑基、亞異噻唑基、亞噁唑基、亞異噁唑基、亞噻二唑基、亞噁二唑基、亞吡嗪基、亞嘧啶基、亞噠嗪基、亞三嗪基、亞喹啉基、亞異喹啉基、亞苯并喹啉基、亞酞嗪基、亞萘啶基、亞喹喔啉基、亞喹唑啉基、亞噌啉基、亞菲啶基、亞吖啶基、亞菲咯啉基、亞吩嗪基、亞苯并咪唑基、亞異苯并噻唑基、亞苯并噁唑基、亞異苯并噁唑基、亞三唑基、亞四唑基、亞咪唑并吡啶基、亞咪唑并嘧啶基和亞氮雜咔唑基；以及

各自被選自以下的至少一個(gè)取代的亞苯基、亞萘基、亞芴基、亞螺-二芴基、亞苯并芴基、亞二苯并芴基、亞菲基、亞蒽基、亞熒蒽基、亞苯并菲基、亞芘基、亞屈基、亞苝基、亞戊芬基、亞并六苯基、亞并五苯基、亞噻吩基、亞呋喃基、亞咔唑基、亞吲哚基、亞異吲哚基、亞苯并呋喃基、亞苯并噻吩基、亞二苯并呋喃基、亞二苯并噻吩基、亞苯并咔唑基、亞二苯并咔唑基、亞二苯并硅雜環(huán)戊二烯基、亞吡啶基、亞咪唑基、亞吡唑基、亞噻唑基、亞異噻唑基、亞噁唑基、亞異噁唑基、亞噻二唑基、亞噁二唑基、亞吡嗪基、亞嘧啶基、亞噠嗪基、亞三嗪基、亞喹啉基、亞異喹啉基、亞苯并喹啉基、亞酞嗪基、亞萘啶基、亞喹喔啉基、亞喹唑啉基、亞噌啉基、亞菲啶基、亞吖啶基、亞菲咯啉基、亞吩嗪基、亞苯并咪唑基、亞異苯并噻唑基、亞苯并噁唑基、亞異苯并噁唑基、亞三唑基、亞四唑基、亞咪唑并吡啶基、亞咪唑并嘧啶基和亞氮雜咔唑基：氘、-f、-cl、-br、-i、羥基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、c1-c20烷基、c1-c20烷氧基、苯基、聯(lián)苯基、三聯(lián)苯基、萘基、芴基、螺-二芴基、苯并芴基、二苯并芴基、菲基、蒽基、熒蒽基、苯并菲基、芘基、屈基、苝基、戊芬基、并六苯基、并五苯基、噻吩基、呋喃基、咔唑基、吲哚基、異吲哚基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、苯并咔唑基、二苯并咔唑基、二苯并硅雜環(huán)戊二烯基、吡啶基、咪唑基、吡唑基、噻唑基、異噻唑基、噁唑基、異噁唑基、噻二唑基、噁二唑基、吡嗪基、嘧啶基、噠嗪基、三嗪基、喹啉基、異喹啉基、苯并喹啉基、酞嗪基、萘啶基、喹喔啉基、喹唑啉基、噌啉基、菲啶基、吖啶基、菲咯啉基、吩嗪基、苯并咪唑基、異苯并噻唑基、苯并噁唑基、異苯并噁唑基、三唑基、四唑基、咪唑并吡啶基、咪唑并嘧啶基和氮雜咔唑基，但是實(shí)施方式不限于此。

在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施方式中，在式601和601-1中，xe1和xe611至xe613可各自獨(dú)立地選自0、1或2。

在一些實(shí)施方式中，在式601和601-1中，r601和r611至r613可各自獨(dú)立地選自由以下組成的組中：

苯基、聯(lián)苯基、三聯(lián)苯基、萘基、芴基、螺-二芴基、苯并芴基、二苯并芴基、菲基、蒽基、熒蒽基、苯并菲基、芘基、屈基、苝基、戊芬基、并六苯基、并五苯基、噻吩基、呋喃基、咔唑基、吲哚基、異吲哚基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、苯并咔唑基、二苯并咔唑基、二苯并硅雜環(huán)戊二烯基、吡啶基、咪唑基、吡唑基、噻唑基、異噻唑基、噁唑基、異噁唑基、噻二唑基、噁二唑基、吡嗪基、嘧啶基、噠嗪基、三嗪基、喹啉基、異喹啉基、苯并喹啉基、酞嗪基、萘啶基、喹喔啉基、喹唑啉基、噌啉基、菲啶基、吖啶基、菲咯啉基、吩嗪基、苯并咪唑基、異苯并噻唑基、苯并噁唑基、異苯并噁唑基、三唑基、四唑基、咪唑并吡啶基、咪唑并嘧啶基和氮雜咔唑基；

各自被選自以下的至少一個(gè)取代的苯基、聯(lián)苯基、三聯(lián)苯基、萘基、芴基、螺-二芴基、苯并芴基、二苯并芴基、菲基、蒽基、熒蒽基、苯并菲基、芘基、屈基、苝基、戊芬基、并六苯基、并五苯基、噻吩基、呋喃基、咔唑基、吲哚基、異吲哚基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、苯并咔唑基、二苯并咔唑基、二苯并硅雜環(huán)戊二烯基、吡啶基、咪唑基、吡唑基、噻唑基、異噻唑基、噁唑基、異噁唑基、噻二唑基、噁二唑基、吡嗪基、嘧啶基、噠嗪基、三嗪基、喹啉基、異喹啉基、苯并喹啉基、酞嗪基、萘啶基、喹喔啉基、喹唑啉基、噌啉基、菲啶基、吖啶基、菲咯啉基、吩嗪基、苯并咪唑基、異苯并噻唑基、苯并噁唑基、異苯并噁唑基、三唑基、四唑基、咪唑并吡啶基、咪唑并嘧啶基和氮雜咔唑基：氘、-f、-cl、-br、-i、羥基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、c1-c20烷基、c1-c20烷氧基、苯基、聯(lián)苯基、三聯(lián)苯基、萘基、芴基、螺-二芴基、苯并芴基、二苯并芴基、菲基、蒽基、熒蒽基、苯并菲基、芘基、屈基、苝基、戊芬基、并六苯基、并五苯基、噻吩基、呋喃基、咔唑基、吲哚基、異吲哚基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、苯并咔唑基、二苯并咔唑基、二苯并硅雜環(huán)戊二烯基、吡啶基、咪唑基、吡唑基、噻唑基、異噻唑基、噁唑基、異噁唑基、噻二唑基、噁二唑基、吡嗪基、嘧啶基、噠嗪基、三嗪基、喹啉基、異喹啉基、苯并喹啉基、酞嗪基、萘啶基、喹喔啉基、喹唑啉基、噌啉基、菲啶基、吖啶基、菲咯啉基、吩嗪基、苯并咪唑基、異苯并噻唑基、苯并噁唑基、異苯并噁唑基、三唑基、四唑基、咪唑并吡啶基、咪唑并嘧啶基和氮雜咔唑基；以及

-s(＝o)2(q601)和-p(＝o)(q601)(q602)，

其中q601和q602可各自獨(dú)立地與本文中所描述的相同。

電子傳輸區(qū)可包括選自化合物et1至et36中的至少一個(gè)化合物，但是實(shí)施方式不限于此：

在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施方式中，電子傳輸區(qū)可包括選自以下的至少一個(gè)化合物：2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(bcp)、4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(bphen)、alq3、balq、3-(聯(lián)苯-4-基)-5-(4-叔丁基苯基)-4-苯基-4h-1,2,4-三唑(taz)和ntaz：

緩沖層、空穴阻擋層和電子控制層的厚度可各自獨(dú)立地在約至約的范圍內(nèi)。當(dāng)緩沖層、空穴阻擋層和電子控制層的厚度各自在這些范圍中的任一個(gè)之內(nèi)時(shí)，電子傳輸區(qū)在驅(qū)動(dòng)電壓無顯著增加下可具有優(yōu)異的(或適當(dāng)?shù)?空穴阻擋特性或電子控制特性。

電子傳輸層的厚度可在約至約以及在一些實(shí)施方式中，約至約的范圍內(nèi)。當(dāng)電子傳輸層的厚度在這些范圍中的任一個(gè)之內(nèi)時(shí)，電子傳輸層在驅(qū)動(dòng)電壓無顯著增加下可具有令人滿意的(或適當(dāng)?shù)?電子傳輸特性。

除了上面描述的材料，電子傳輸區(qū)(例如，電子傳輸區(qū)中的電子傳輸層)可進(jìn)一步包括含金屬的材料。

含金屬的材料可包括選自堿金屬絡(luò)合物和堿土金屬絡(luò)合物中的至少一種。堿金屬絡(luò)合物可包括選自以下的金屬離子：li離子、na離子、k離子、rb離子和cs離子，并且堿土金屬絡(luò)合物可包括選自以下的金屬離子：be離子、mg離子、ca離子、sr離子和ba離子。分別與堿金屬絡(luò)合物或堿土金屬絡(luò)合物的金屬離子配位的配位體可各自獨(dú)立地選自羥基喹啉、羥基異喹啉、羥基苯并喹啉、羥基吖啶、羥基菲啶、羥苯基噁唑、羥苯基噻唑、羥基二苯基噁二唑、羥基二苯基噻二唑、羥苯基吡啶、羥苯基苯并咪唑、羥苯基苯并噻唑、聯(lián)吡啶、菲咯啉和環(huán)戊二烯，但是實(shí)施方式不限于此。

在一些實(shí)施方式中，含金屬的材料可包括li絡(luò)合物。例如，li絡(luò)合物可包括化合物et-d1(8-羥基喹啉鋰，liq)和/或化合物et-d2：

電子傳輸區(qū)可包括促進(jìn)來自第二電極190的電子的注入的電子注入層。所述電子注入層可直接接觸第二電極190。

電子注入層可具有i)包括單個(gè)層(所述單個(gè)層包括單種材料)的單層結(jié)構(gòu)，ii)包括單個(gè)層(所述單個(gè)層包括多種不同的材料)的單層結(jié)構(gòu)或iii)具有包括多種不同材料的多個(gè)層的多層結(jié)構(gòu)。

電子注入層可包括堿金屬、堿土金屬、稀土金屬、堿金屬化合物、堿土金屬化合物、稀土金屬化合物、堿金屬絡(luò)合物、堿土金屬絡(luò)合物、稀土金屬絡(luò)合物或其組合。

堿金屬可選自li、na、k、rb和cs。在一個(gè)實(shí)施方式中，堿金屬可選自li、na和cs。在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施方式中，堿金屬可為li或cs，但是不限于此。

堿土金屬可選自mg、ca、sr和ba。

稀土金屬可選自sc、y、ce、yb、gd和tb。

堿金屬化合物、堿土金屬化合物和稀土金屬化合物可分別各自獨(dú)立地選自堿金屬、堿土金屬和稀土金屬的氧化物和鹵化物(例如，氟化物、氯化物、溴化物和/或碘化物)。

在一些實(shí)施方式中，堿金屬化合物可選自堿金屬氧化物(比如li2o、cs2o和/或k2o)和堿金屬鹵化物(比如lif、naf、csf、kf、lii、nai、csi和/或ki)。在一個(gè)實(shí)施方式中，堿金屬化合物可選自lif、li2o、naf、lii、nai、csi和ki，但是不限于此。

堿土金屬化合物可選自堿土金屬氧化物(比如bao、sro、cao、baxsr1-xo(其中0<x<1)和/或baxca1-xo(其中0<x<1))。在一個(gè)實(shí)施方式中，堿土金屬化合物可選自bao、sro和cao，但是不限于此。

稀土金屬化合物可選自ybf3、scf3、sco3、y2o3、ce2o3、gdf3和tbf3。在一個(gè)實(shí)施方式中，稀土金屬化合物可選自ybf3、scf3、tbf3、ybi3、sci3和tbi3，但是不限于此。

堿金屬絡(luò)合物、堿土金屬絡(luò)合物和稀土金屬絡(luò)合物可分別包括如上面所描述的堿金屬離子、堿土金屬離子和稀土金屬離子，并且分別與堿金屬絡(luò)合物、堿土金屬絡(luò)合物和稀土金屬絡(luò)合物的金屬離子配位的配位體可各自獨(dú)立地選自羥基喹啉、羥基異喹啉、羥基苯并喹啉、羥基吖啶、羥基菲啶、羥苯基噁唑、羥苯基噻唑、羥基二苯基噁二唑、羥基二苯基噻二唑、羥苯基吡啶、羥苯基苯并咪唑、羥苯基苯并噻唑、聯(lián)吡啶、菲咯啉和環(huán)戊二烯，但是不限于此。

電子注入層可包括：如上面描述的堿金屬、堿土金屬、稀土金屬、堿金屬化合物、堿土金屬化合物、稀土金屬化合物、堿金屬絡(luò)合物、堿土金屬絡(luò)合物、稀土金屬絡(luò)合物或其組合。在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施方式中，電子注入層可進(jìn)一步包括有機(jī)材料。當(dāng)電子注入層進(jìn)一步包括有機(jī)材料時(shí)，堿金屬、堿土金屬、稀土金屬、堿金屬化合物、堿土金屬化合物、稀土金屬化合物、堿金屬絡(luò)合物、堿土金屬絡(luò)合物、稀土金屬絡(luò)合物或其組合可均勻地或不均勻地分散在包括有機(jī)材料的基質(zhì)中。

電子注入層的厚度可在約至約以及在一些實(shí)施方式中，約至約的范圍內(nèi)。當(dāng)電子注入層的厚度在這些范圍中的任一個(gè)之內(nèi)時(shí)，電子注入層在驅(qū)動(dòng)電壓無顯著增加下可具有令人滿意的(或適當(dāng)?shù)?電子注入特性。

第二電極190

第二電極190可設(shè)置在有機(jī)層150上。第二電極190可為陰極，其為電子注入電極，并且在這方面，用于形成第二電極190的材料可選自各自具有相對低功函的金屬、合金、導(dǎo)電性化合物及其組合。

第二電極190可包括選自以下中的至少一個(gè)：鋰(li)、銀(ag)、鎂(mg)、鋁(al)、鋁-鋰(al-li)、鈣(ca)、鎂-銦(mg-in)、鎂-銀(mg-ag)、ito和izo，但是不限于此。第二電極190可為透射電極、半透射電極或反射電極。

第二電極190可具有單層結(jié)構(gòu)或包括兩個(gè)或更多個(gè)層的多層結(jié)構(gòu)。

圖4至圖6的描述

由圖4表示的有機(jī)發(fā)光裝置20包括以如下規(guī)定的順序依次堆疊的第一覆蓋層210、第一電極110、有機(jī)層150和第二電極190。由圖5表示的有機(jī)發(fā)光裝置30包括以如下規(guī)定的順序依次堆疊的第一電極110、有機(jī)層150、第二電極190和第二覆蓋層220。由圖6表示的有機(jī)發(fā)光裝置40包括以如下規(guī)定的順序依次堆疊的第一覆蓋層210、第一電極110、有機(jī)層150、第二電極190和第二覆蓋層220。

關(guān)于圖4至6，第一電極110、有機(jī)層150和第二電極190的描述可各自獨(dú)立地與本文中關(guān)于圖1提供的那些描述相同。

在有機(jī)發(fā)光裝置20和40中，由有機(jī)層150中的發(fā)光層發(fā)射的光可穿過第一電極110(其可為半透射電極或透射電極)并且穿過第一覆蓋層210到達(dá)外側(cè)。在有機(jī)發(fā)光裝置30和40中，由有機(jī)層150中的發(fā)光層中發(fā)射的光可穿過第二電極190(其可為半透射電極或透射電極)并且穿過第二覆蓋層220到達(dá)外側(cè)。

根據(jù)相長干涉的原理，第一覆蓋層210和第二覆蓋層220可改善外部發(fā)光效率。

第一覆蓋層210和第二覆蓋層220可各自獨(dú)立地為包括有機(jī)材料的有機(jī)覆蓋層、包括無機(jī)材料的無機(jī)覆蓋層或者包括有機(jī)材料和無機(jī)材料的復(fù)合覆蓋層。

選自第一覆蓋層210和第二覆蓋層220中的至少一個(gè)可包括選自以下的至少一種材料：碳環(huán)化合物、雜環(huán)化合物、胺類化合物、卟啉衍生物、酞菁衍生物、萘酞菁衍生物、堿金屬類絡(luò)合物和堿土金屬類絡(luò)合物。所述碳環(huán)化合物、雜環(huán)化合物和胺類化合物可各自獨(dú)立地可選地被含有選自以下的至少一種元素的取代基取代：o、n、s、硒(se)、硅(si)、氟(f)、氯(cl)、溴(br)和碘(i)。在一個(gè)實(shí)施方式中，選自第一覆蓋層210和第二覆蓋層220中的至少一個(gè)可包括胺類化合物。

在一個(gè)實(shí)施方式中，選自第一覆蓋層210和第二覆蓋層220中的至少一個(gè)可包括由式201表示的化合物或由式202表示的化合物。

在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施方式中，選自第一覆蓋層210和第二覆蓋層220中的至少一個(gè)可包括選自化合物ht28至ht33和化合物cp1至cp5的化合物，但是不限于此：

在上文中，已經(jīng)結(jié)合圖1-6描述了根據(jù)實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光裝置。然而，實(shí)施方式不限于此。

構(gòu)成空穴傳輸區(qū)的層、發(fā)光層和構(gòu)成電子傳輸區(qū)的層可使用一種或多種適當(dāng)?shù)姆椒ㄔ谔囟ǖ膮^(qū)域中形成，所述方法比如真空沉積、旋轉(zhuǎn)涂布、澆注、朗繆爾-布羅基特(lb)沉積、噴墨打印、激光打印和/或激光誘導(dǎo)的熱成像(liti)。

當(dāng)構(gòu)成空穴傳輸區(qū)的層、發(fā)光層和構(gòu)成電子傳輸區(qū)的層各自獨(dú)立地通過真空沉積形成時(shí)，取決于要包括在每個(gè)層中的化合物和要形成的每個(gè)層的結(jié)構(gòu)，所述真空沉積可在約100℃至約500℃的沉積溫度、約10^-8托至約10^-3托的真空度和約至約的沉積速率下進(jìn)行。

當(dāng)構(gòu)成空穴傳輸區(qū)的層、發(fā)光層和構(gòu)成電子傳輸區(qū)的層各自獨(dú)立地通過旋轉(zhuǎn)涂布形成時(shí)，取決于要包括在每個(gè)層中的化合物和要形成的每個(gè)層的結(jié)構(gòu)，旋轉(zhuǎn)涂布可在約2,000轉(zhuǎn)每分(rpm)至約5,000rpm的涂布速率和約80℃至200℃的熱處理溫度下進(jìn)行。

取代基的一般定義

如本文中使用的術(shù)語“c1-c60烷基”可指具有1至60個(gè)碳原子的直鏈或支鏈脂肪族烴單價(jià)基團(tuán)。其非限制性實(shí)例可包括甲基、乙基、丙基、異丁基、仲丁基、叔丁基、戊基、異戊基和己基。如本文中使用的術(shù)語“c1-c60亞烷基”可指與c1-c60烷基具有相同結(jié)構(gòu)的二價(jià)基團(tuán)。

如本文中使用的術(shù)語“c2-c60烯基”可指在沿c2-c60烷基的碳?xì)滏湹囊粋€(gè)或多個(gè)位置處(例如，在c2-c60烷基的中間和/或任一末端)具有至少一個(gè)碳碳雙鍵的烴基。其非限制性實(shí)例可包括乙烯基、丙烯基和丁烯基。如本文中使用的術(shù)語“c2-c60亞烯基”可指與c2-c60烯基具有相同結(jié)構(gòu)的二價(jià)基團(tuán)。

如本文中使用的術(shù)語“c2-c60炔基”可指在沿c2-c60烷基的碳?xì)滏湹囊粋€(gè)或多個(gè)位置處(例如，在c2-c60烷基的中間和/或任一末端)具有至少一個(gè)碳碳三鍵的烴基。其非限制性實(shí)例可包括乙炔基和丙炔基。如本文中使用的術(shù)語“c2-c60亞炔基”可指與c2-c60炔基具有相同結(jié)構(gòu)的二價(jià)基團(tuán)。

如本文中使用的術(shù)語“c1-c60烷氧基”可指由-oa101(其中a101為c1-c60烷基)表示的單價(jià)基團(tuán)。其非限制性實(shí)例可包括甲氧基、乙氧基和異丙氧基。

如本文中使用的術(shù)語“c3-c10環(huán)烷基”可指包括3至10個(gè)碳原子的單價(jià)飽和烴單環(huán)基團(tuán)。其非限制性實(shí)例可包括環(huán)丙基、環(huán)丁基、環(huán)戊基、環(huán)己基和環(huán)庚基。如本文中使用的術(shù)語“c3-c10亞環(huán)烷基”可指與c3-c10環(huán)烷基具有相同結(jié)構(gòu)的二價(jià)基團(tuán)。

如本文中使用的術(shù)語“c1-c10雜環(huán)烷基”可指包括至少一個(gè)選自n、o、si、p和s的雜原子作為成環(huán)原子以及1至10個(gè)碳原子的單價(jià)單環(huán)基團(tuán)。其非限制性實(shí)例可包括1,2,3,4-氧雜三唑烷基、四氫呋喃基和四氫噻吩基。如本文中使用的術(shù)語“c1-c10亞雜環(huán)烷基”可指與c1-c10雜環(huán)烷基具有相同結(jié)構(gòu)的二價(jià)基團(tuán)。

如本文中使用的術(shù)語“c3-c10環(huán)烯基”可指在其環(huán)中具有3至10個(gè)碳原子和至少一個(gè)雙鍵并且不具有芳香性的單價(jià)單環(huán)基團(tuán)。其非限制性實(shí)例可包括環(huán)戊烯基、環(huán)己烯基和環(huán)庚烯基。如本文中使用的術(shù)語“c3-c10亞環(huán)烯基”可指與c3-c10環(huán)烯基具有相同結(jié)構(gòu)的二價(jià)基團(tuán)。

如本文中使用的術(shù)語“c1-c10雜環(huán)烯基”可指在其環(huán)中包括至少一個(gè)選自n、o、si、p和s的雜原子作為成環(huán)原子、1至10個(gè)碳原子以及至少一個(gè)雙鍵的單價(jià)單環(huán)基團(tuán)。c1-c10雜環(huán)烯基的非限制性實(shí)例可包括4,5-二氫-1,2,3,4-氧雜三唑基、2,3-二氫呋喃基和2,3-二氫噻吩基。如本文中使用的術(shù)語“c1-c10亞雜環(huán)烯基”可指與c1-c10雜環(huán)烯基具有相同結(jié)構(gòu)的二價(jià)基團(tuán)。

如本文中使用的術(shù)語“c6-c60芳基”可指具有6至60個(gè)碳原子的芳族單價(jià)基團(tuán)，如本文中使用的術(shù)語“c6-c60亞芳基”可指具有6至60個(gè)碳原子的芳族二價(jià)基團(tuán)。c6-c60芳基的非限制性實(shí)例可包括苯基、萘基、蒽基、菲基、芘基和屈基。當(dāng)c6-c60芳基和c6-c60亞芳基各自獨(dú)立地包括多個(gè)環(huán)時(shí)，相應(yīng)的環(huán)可彼此稠接。

如本文中使用的術(shù)語“c1-c60雜芳基”可指具有雜環(huán)芳族系統(tǒng)(具有至少一個(gè)選自n、o、si、p和s的雜原子作為成環(huán)原子以及1至60個(gè)碳原子)的單價(jià)基團(tuán)。如本文中使用的術(shù)語“c1-c60亞雜芳基”可指具有雜環(huán)芳族系統(tǒng)(包括至少一個(gè)選自n、o、si、p和s的雜原子作為成環(huán)原子以及1至60個(gè)碳原子)的二價(jià)基團(tuán)。c1-c60雜芳基的非限制性實(shí)例可包括吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、噠嗪基、三嗪基、喹啉基和異喹啉基。當(dāng)c1-c60雜芳基和c1-c60亞雜芳基各自獨(dú)立地包括多個(gè)環(huán)時(shí)，相應(yīng)的環(huán)可彼此稠接。

如本文中使用的術(shù)語“c6-c60芳氧基”可指由-oa102(其中a102為c6-c60芳基)表示的基團(tuán)。如本文中使用的術(shù)語“c6-c60芳硫基”可指由-sa103(其中a103為c6-c60芳基)表示的基團(tuán)。

如本文中使用的術(shù)語“單價(jià)的非芳族稠合多環(huán)基團(tuán)”可指這樣的單價(jià)基團(tuán)，其具有彼此稠合(例如，稠接)的多個(gè)環(huán)，并且只具有碳原子(例如，8至60個(gè)碳原子)作為成環(huán)原子，其中分子結(jié)構(gòu)整體是非芳香性的(例如，不具有總的芳香性)。單價(jià)的非芳族稠合多環(huán)基團(tuán)的非限制性實(shí)例可為芴基。如本文中使用的術(shù)語“二價(jià)的非芳族稠合多環(huán)基團(tuán)”可指與單價(jià)的非芳族稠合多環(huán)基團(tuán)具有相同結(jié)構(gòu)的二價(jià)基團(tuán)。

如本文中使用的術(shù)語“單價(jià)的非芳族稠合雜多環(huán)基團(tuán)”可指這樣的單價(jià)基團(tuán)，其具有彼此稠合(例如，稠接)的兩個(gè)或更多個(gè)環(huán)，除了碳原子(例如，1至60個(gè)碳原子)以外，還具有選自n、o、si、p和s中的至少一個(gè)雜原子作為成環(huán)原子，其中分子結(jié)構(gòu)整體是非芳香性的(例如，不具有總的芳香性)。單價(jià)的非芳族稠合雜多環(huán)基團(tuán)的非限制性實(shí)例可為咔唑基。如本文中使用的術(shù)語“二價(jià)的非芳族稠合雜多環(huán)基團(tuán)”可指與單價(jià)的非芳族稠合雜多環(huán)基團(tuán)具有相同結(jié)構(gòu)的二價(jià)基團(tuán)。

如本文中使用的術(shù)語“c5-c60碳環(huán)基”可指僅具有5至60個(gè)碳原子作為成環(huán)原子的單環(huán)或多環(huán)基團(tuán)。如本文中使用的術(shù)語“c5-c60碳環(huán)基”可指芳族碳環(huán)基或非芳族碳環(huán)基。如本文中使用的術(shù)語“c5-c60碳環(huán)基”可指環(huán)(比如苯)、單價(jià)基團(tuán)(比如苯基)或二價(jià)基團(tuán)(比如亞苯基)。在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施方式中，取決于連接到c5-c60碳環(huán)基的取代基的數(shù)量，c5-c60碳環(huán)基可為三價(jià)基團(tuán)或四價(jià)基團(tuán)。

如本文中使用的術(shù)語“c1-c60雜環(huán)基”可指與c1-c60碳環(huán)基具有相同結(jié)構(gòu)的基團(tuán)，只是除了碳原子(例如，1至60個(gè)碳原子)以外，使用選自n、o、si、p和s中的至少一個(gè)雜原子作為成環(huán)原子。

如本說明書中，取代的c5-c60碳環(huán)基、取代的c1-c60雜環(huán)基、取代的c3-c10亞環(huán)烷基、取代的c1-c10亞雜環(huán)烷基、取代的c3-c10亞環(huán)烯基、取代的c1-c10亞雜環(huán)烯基、取代的c6-c60亞芳基、取代的c1-c60亞雜芳基、取代的二價(jià)非芳族稠合多環(huán)基團(tuán)、取代的二價(jià)非芳族稠合雜多環(huán)基團(tuán)、取代的c1-c60烷基、取代的c2-c60烯基、取代的c2-c60炔基、取代的c1-c60烷氧基、取代的c3-c10環(huán)烷基、取代的c1-c10雜環(huán)烷基、取代的c3-c10環(huán)烯基、取代的c1-c10雜環(huán)烯基、取代的c6-c60芳基、取代的c6-c60芳氧基、取代的c6-c60芳硫基、取代的c1-c60雜芳基、取代的單價(jià)的非芳族稠合多環(huán)基團(tuán)和取代的單價(jià)的非芳族稠合雜多環(huán)基團(tuán)的取代基中的至少一個(gè)可選自由以下組成的組中：

氘(-d)、-f、-cl、-br、-i、羥基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、c1-c60烷基、c2-c60烯基、c2-c60炔基和c1-c60烷氧基；

各自被選自以下的至少一個(gè)取代的c1-c60烷基、c2-c60烯基、c2-c60炔基和c1-c60烷氧基：氘、-f、-cl、-br、-i、羥基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、c3-c10環(huán)烷基、c1-c10雜環(huán)烷基、c3-c10環(huán)烯基、c1-c10雜環(huán)烯基、c6-c60芳基、c6-c60芳氧基、c6-c60芳硫基、c1-c60雜芳基、單價(jià)的非芳族稠合多環(huán)基團(tuán)、單價(jià)的非芳族稠合雜多環(huán)基團(tuán)、-si(q11)(q12)(q13)、-n(q11)(q12)、-b(q11)(q12)、-c(＝o)(q11)、-s(＝o)2(q11)和-p(＝o)(q11)(q12)；

c3-c10環(huán)烷基、c1-c10雜環(huán)烷基、c3-c10環(huán)烯基、c1-c10雜環(huán)烯基、c6-c60芳基、c6-c60芳氧基、c6-c60芳硫基、c1-c60雜芳基、單價(jià)的非芳族稠合多環(huán)基團(tuán)和單價(jià)的非芳族稠合雜多環(huán)基團(tuán)；

各自被選自以下的至少一個(gè)取代的c3-c10環(huán)烷基、c1-c10雜環(huán)烷基、c3-c10環(huán)烯基、c1-c10雜環(huán)烯基、c6-c60芳基、c6-c60芳氧基、c6-c60芳硫基、c1-c60雜芳基、單價(jià)的非芳族稠合多環(huán)基團(tuán)和單價(jià)的非芳族稠合雜多環(huán)基團(tuán)：氘、-f、-cl、-br、-i、羥基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、c1-c60烷基、c2-c60烯基、c2-c60炔基、c1-c60烷氧基、c3-c10環(huán)烷基、c1-c10雜環(huán)烷基、c3-c10環(huán)烯基、c1-c10雜環(huán)烯基、c6-c60芳基、c6-c60芳氧基、c6-c60芳硫基、c1-c60雜芳基、單價(jià)的非芳族稠合多環(huán)基團(tuán)、單價(jià)的非芳族稠合雜多環(huán)基團(tuán)、-si(q21)(q22)(q23)、-n(q21)(q22)、-b(q21)(q22)、-c(＝o)(q21)、-s(＝o)2(q21)和-p(＝o)(q21)(q22)；以及

-si(q31)(q32)(q33)、-n(q31)(q32)、-b(q31)(q32)、-c(＝o)(q31)、-s(＝o)2(q31)和-p(＝o)(q31)(q32)，

其中q11至q13、q21至q23和q31至q33可各自獨(dú)立地選自氫、氘、-f、-cl、-br、-i、羥基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、c1-c60烷基、c2-c60烯基、c2-c60炔基、c1-c60烷氧基、c3-c10環(huán)烷基、c1-c10雜環(huán)烷基、c3-c10環(huán)烯基、c1-c10雜環(huán)烯基、c6-c60芳基、c1-c60雜芳基、單價(jià)的非芳族稠合多環(huán)基團(tuán)、單價(jià)的非芳族稠合雜多環(huán)基團(tuán)、聯(lián)苯基和三聯(lián)苯基。

如本文中使用的術(shù)語“ph”可指苯基。如本文中使用的術(shù)語“me”可指甲基。如本文中使用的術(shù)語“et”可指乙基。如本文中使用的術(shù)語“ter-bu”或“bu^t”可指叔丁基。如本文中使用的術(shù)語“ome”可指甲氧基，并且“d”可指氘。

如本文中使用的術(shù)語“聯(lián)苯基”可指被苯基取代的苯基。“聯(lián)苯基”可為具有c6-c60芳基作為取代基的取代的苯基。

如本文中使用的術(shù)語“三聯(lián)苯基”可指被聯(lián)苯基取代的苯基。“三聯(lián)苯基”可為具有被c6-c60芳基取代的c6-c60芳基作為取代基的取代的苯基。

除非另有定義，如本文中使用的符號*和*'指在相應(yīng)的式中與相鄰原子的結(jié)合位點(diǎn)。

在下文中，將參考合成例和實(shí)施例更詳細(xì)地描述根據(jù)一個(gè)或多個(gè)實(shí)施方式的化合物和有機(jī)發(fā)光裝置。在描述合成例中使用的表述“使用b代替a”可指a的摩爾當(dāng)量與b的摩爾當(dāng)量相同。

實(shí)施例

實(shí)施例1

將作為基板和陽極的康寧牌(corning)15歐姆每平方厘米(ω/cm²)ito玻璃基板切割成50毫米(mm)x50mmx0.7mm的大小，使用異丙醇和去離子水分別超聲清洗5分鐘，并通過暴露于紫外線與臭氧清洗。然后，將玻璃基板安裝在真空沉積裝置上。

將tatchat-cn和npb依次沉積在ito陽極上以形成空穴傳輸區(qū)。

將htl1沉積在空穴傳輸區(qū)上以形成下輔助層，將and(adn)和dpavbi(dpavbi的量為5重量％(wt％))以的總厚度共沉積以形成發(fā)光層，并且將alq3沉積在發(fā)光層上以形成上輔助層，以由此形成第一發(fā)光單元。

將化合物1和yb(化合物1與yb的重量比為100:2)以的總厚度共沉積在第一發(fā)光單元上以形成n型電荷產(chǎn)生層，并且將hat-cn沉積在n型電荷產(chǎn)生層上以形成p型電荷產(chǎn)生層，以由此形成第一電荷產(chǎn)生層。

將htl1沉積在第一電荷產(chǎn)生層上以形成下輔助層，將cbp和(bt)2ir(acac)((bt)2ir(acac)的量為15wt％)以的總厚度共沉積在下輔助層上以形成發(fā)光層，并且將alq3沉積在發(fā)光層上以形成上輔助層，以由此形成第二發(fā)光單元。

將化合物1和yb(化合物1與yb的重量比100:2)以的總厚度共沉積在第二發(fā)光單元上以形成n型電荷產(chǎn)生層，并且將hat-cn沉積在n型電荷產(chǎn)生層上以形成p型電荷產(chǎn)生層，以由此形成第二電荷產(chǎn)生層。

將npb和htl1依次沉積在第二電荷產(chǎn)生層上以形成下輔助層，并且將and(adn)和dpavbi(dpavbi的量為5wt％)以的總厚度共沉積在下輔助層上以形成發(fā)光層，以由此形成第三發(fā)光單元。

將alq3沉積在第三發(fā)光單元上以形成第一電子傳輸層，將化合物1和yb(化合物1與yb的重量比為100:2)以的總厚度共沉積在第一電子傳輸層上以形成第二電子傳輸層，并且將lif沉積在第二電子傳輸層上以形成電子注入層，以由此形成電子傳輸區(qū)。

將al沉積在電子傳輸區(qū)上以形成陰極，由此完成有機(jī)發(fā)光裝置的制造。

實(shí)施例2和3以及對比例1

采用與實(shí)施例1相同的(或基本上相同的)方式制造有機(jī)發(fā)光裝置，只是在n型電荷產(chǎn)生層和在第二電子傳輸層中使用表1中示出的材料。

評價(jià)例1

通過使用吉時(shí)利源測量單元(smu)236和亮度計(jì)pr650測定實(shí)施例1至3和對比例1中制造的有機(jī)發(fā)光裝置的驅(qū)動(dòng)電壓(v)、效率(cd/a)和壽命(t97)。其結(jié)果示于表1中。

表1

參考表1，發(fā)現(xiàn)相比于對比例1的有機(jī)發(fā)光裝置，實(shí)施例1至3的有機(jī)發(fā)光裝置具有低驅(qū)動(dòng)電壓、高效率和/或長壽命。

實(shí)施例4

將作為基板和陽極的康寧牌15ω/cm²ito玻璃基板切割成50mmx50mmx0.7mm的大小，使用異丙醇和去離子水分別超聲清洗5分鐘，并通過暴露于紫外線與臭氧清洗。然后，將玻璃基板安裝在真空沉積裝置上。

將tatchat-cn和npb依次沉積在ito陽極上以形成空穴傳輸區(qū)。

將htl1沉積在空穴傳輸區(qū)上以形成下輔助層，將cbp和(bt)2ir(acac)((bt)2ir(acac)的量為15wt％)以的總厚度共沉積在下輔助層上以形成發(fā)光層，并且將alq3沉積在發(fā)光層上以形成上輔助層，以由此形成第一發(fā)光單元。

將化合物1和yb(化合物1與yb的重量比為100:2)以的總厚度共沉積在第一發(fā)光單元上以形成n型電荷產(chǎn)生層，并且將hat-cn沉積在n型電荷產(chǎn)生層上以形成p型電荷產(chǎn)生層，以由此形成電荷產(chǎn)生層。

將npb和htl1依次沉積在電荷產(chǎn)生層上以形成下輔助層，并且將and(adn)和dpavbi(dpavbi的量為5wt％)以的總厚度共沉積在下輔助層上以形成發(fā)光層，以由此形成第二發(fā)光單元。

將alq3沉積在第二發(fā)光單元上以形成第一電子傳輸層，將化合物4以的厚度沉積在第一電子傳輸層上以形成第二電子傳輸層，并且將lif沉積在第二電子傳輸層上以形成電子注入層，以由此形成電子傳輸區(qū)。

將al沉積在電子傳輸區(qū)上以形成陰極，由此完成有機(jī)發(fā)光裝置的制造。

實(shí)施例5和6以及對比例2

采用與實(shí)施例2相同的(或基本上相同的)方式制造有機(jī)發(fā)光裝置，只是在n型電荷產(chǎn)生層和在第二電子傳輸層中使用表2中示出的材料。

實(shí)施例7

采用與實(shí)施例4相同的(或基本上相同的)方式制造有機(jī)發(fā)光裝置，只是在形成第一發(fā)光單元時(shí)，沉積htl1以形成下輔助層，將cbp和(piq)2ir(acac)((piq)2ir(acac)的量為1wt％)以的總厚度共沉積在下輔助層上，并且然后將cbp和ir(ppy)3(ir(ppy)3的量為7wt％)以的總厚度共沉積以形成發(fā)光層，并且將mcbp沉積在發(fā)光層上以形成上輔助層。

實(shí)施例8和9以及對比例3和4

采用與實(shí)施例7相同的(或基本上相同的)方式制造有機(jī)發(fā)光裝置，只是在n型電荷產(chǎn)生層和在第二電子傳輸層中使用表2中示出的材料。

實(shí)施例10

采用與實(shí)施例4相同的(或基本上相同的)方式制造有機(jī)發(fā)光裝置，只是在形成空穴傳輸區(qū)時(shí)，將m-tdata和f4-tcnq(f4-tcnq的量為3wt％)以約的總厚度共沉積在ito陽極上，并且然后將npb以的厚度沉積在其上，而不是在ito陽極上依次沉積tatchat-cn和npb

對比例5

采用與實(shí)施例10相同的(或基本上相同的)方式制造有機(jī)發(fā)光裝置，只是在n型電荷產(chǎn)生層和在第二電子傳輸層中使用表2中示出的材料。

評價(jià)例2

通過使用吉時(shí)利源測量單元(smu)236和亮度計(jì)pr650測定實(shí)施例4至10和對比例2至5中制造的有機(jī)發(fā)光裝置的驅(qū)動(dòng)電壓(v)、效率(cd/a)和壽命(t97)。其結(jié)果示于表2中。

表2

參考表2，發(fā)現(xiàn)相比于相應(yīng)的對比例2至5的有機(jī)發(fā)光裝置，實(shí)施例4至10的有機(jī)發(fā)光裝置具有低驅(qū)動(dòng)電壓、高效率和/或長壽命。

如上所述，根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光裝置可具有低驅(qū)動(dòng)電壓、改善的效率和長壽命。

如本文中使用的，術(shù)語“使用(use)”、“使用(using)”和“使用(used)”可分別理解為術(shù)語“利用(utilize)”、“利用(utilizing)”和“利用(utilized)”的同義詞。

此外，術(shù)語“基本上”、“約”和類似的術(shù)語用作近似的術(shù)語而不是作為程度的術(shù)語，并且旨在考慮本領(lǐng)域普通技術(shù)人員認(rèn)識到的測量值或計(jì)算值的固有偏差。

將理解，當(dāng)比如層、膜、區(qū)或基板的元件被稱為在另一個(gè)元件“上”或“上方”時(shí)，其可直接在其他元件上或可存在中間元件。相反，當(dāng)元件被稱為“直接在另一元件上”或“直接接觸另一元件”時(shí)，不存在中間元件。

而且，本文所列出的任何數(shù)值范圍意圖為包括歸入所列范圍內(nèi)具有相同數(shù)值精度的全部子范圍。例如，“1.0至10.0”的范圍意圖為包括在1.0的所列最小值和10.0的所列最大值之間的全部子范圍(且包括1.0和10.0)，也就是說，具有等于或大于1.0的最小值和等于或小于10.0的最大值的全部子范圍，諸如，例如2.4至7.6。本文所列出的任何最大數(shù)值限制意圖為包括歸入本文的全部更小的數(shù)值限制，且本說明書所列出的任何最小數(shù)值限制意圖為包括歸入本文的全部更大的數(shù)值限制。因此，申請人保留修改包括權(quán)利要求書的本說明書的權(quán)利，以明確敘述落在本文明確敘述的范圍內(nèi)的任何子范圍。

應(yīng)理解，本文所述的實(shí)施方式應(yīng)理解為僅僅是描述性的并且不用于限制的目的。每個(gè)實(shí)施方式中的特征或方面的描述通常應(yīng)理解為可用于其他實(shí)施方式中的其他類似特征或方面。

盡管已經(jīng)參考附圖描述了一個(gè)或多個(gè)實(shí)施方式，但是本領(lǐng)域普通技術(shù)人員將理解，在不背離以下權(quán)利要求書和其等價(jià)物所限定的本公開的精神和范圍的情況下，在形式和細(xì)節(jié)方面可作出各種改變。