技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開了Fe2O3納米棒陣列電極原位硫化及碳包覆的制備方法及應(yīng)用。首先，以鈦片為基底，氯化鐵為鐵源，硫酸鈉為沉淀劑，水熱合成法，燒結(jié)制得納米棒狀Fe2O3陣列，再以硫脲或硫代乙酰胺為硫化劑，采用溶劑熱法對三氧化二鐵進(jìn)行硫化，即可得到Fe2O3?S，采用等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法對Fe2O3?S進(jìn)行碳包覆，得到Fe2O3?S@C。在1?M?KOH電解液中，原始Fe2O3電極的最大容量僅為13.67?mAh/g，硫化之后提高至214.3?mAh/g，而進(jìn)一步碳包覆優(yōu)化可達(dá)768.3?mAh/g；100次循環(huán)后，F(xiàn)e2O3?S的容量保持率僅為7.95%，F(xiàn)e2O3?S@C的容量保持率可達(dá)92.13%。

技術(shù)研發(fā)人員：肖婷;李錦;譚新玉;向鵬;姜禮華
受保護(hù)的技術(shù)使用者：三峽大學(xué)
文檔號碼：201710142202
技術(shù)研發(fā)日：2017.03.10
技術(shù)公布日：2017.06.13