本公開的實(shí)施例涉及一種發(fā)光二極管裝置的制作方法以及發(fā)光二極管裝置。

背景技術(shù)：

發(fā)光二極管(lightemittingdiode，led)是一種半導(dǎo)體固體發(fā)光電子元件，具有體積小、亮度高、能耗小、壽命長等特點(diǎn)，被廣泛的應(yīng)用于顯示屏，背光源、照明等顯示領(lǐng)域。

隨著技術(shù)的發(fā)展，led顯示面板向高分辨率的方向發(fā)展，逐漸受到一些高端顯示應(yīng)用的青睞。目前，全彩led顯示面板中的紅色子像素、綠色子像素以及藍(lán)色子像素需要單獨(dú)制作，然后將紅色子像素、綠色子像素、藍(lán)色子像素組裝或封裝成為一個像素單元，實(shí)現(xiàn)彩色發(fā)光，然而由于制作工藝的限制，led顯示面板中每個子像素的尺寸以及子像素之間的間距成為制約led顯示面板向高分辨率發(fā)展的關(guān)鍵因素。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本公開至少一實(shí)施例提供一種發(fā)光二極管(led)裝置的制作方法，其包括：在襯底上形成發(fā)光疊層，發(fā)光疊層包括在襯底上依次形成的第一導(dǎo)電類型的第一半導(dǎo)體層、第一發(fā)光層、第二導(dǎo)電類型的第二半導(dǎo)體層、第二發(fā)光層和第一導(dǎo)電類型的第三半導(dǎo)體層；分割發(fā)光疊層，以形成相互間隔的多個發(fā)光單元，每個發(fā)光單元包括相互間隔的第一區(qū)域和第二區(qū)域；去除第一區(qū)域內(nèi)的第三半導(dǎo)體層和第二發(fā)光層，以用于形成第一子發(fā)光單元，第二區(qū)域用于形成第二子發(fā)光單元。

例如，本公開至少一個實(shí)施例提供的發(fā)光二極管裝置的制作方法，還包括：刻蝕第一子發(fā)光單元的第二半導(dǎo)體層和第一發(fā)光層以暴露出部分第一半導(dǎo)體層；刻蝕第二子發(fā)光單元的第三半導(dǎo)體層和第二發(fā)光層以暴露出部分第二半導(dǎo)體層。

例如，本公開至少一個實(shí)施例提供的發(fā)光二極管裝置的制作方法，還包括：在第一子發(fā)光單元的暴露出的第一半導(dǎo)體層和第二半導(dǎo)體層上分別形成第一電極和第二電極；在第二子發(fā)光單元的第三半導(dǎo)體層和暴露出的第二半導(dǎo)體層上分別形成第三電極和第四電極。

例如，在本公開至少一個實(shí)施例提供的發(fā)光二極管裝置的制作方法中，發(fā)光疊層還包括在第三半導(dǎo)體層上依次形成的第三發(fā)光層和第二導(dǎo)電類型的第四半導(dǎo)體層；每個發(fā)光單元還包括與第一區(qū)域和第二區(qū)域相互間隔的第三區(qū)域；該制作方法還包括：去除第一區(qū)域內(nèi)的第四半導(dǎo)體層、第三發(fā)光層、第三半導(dǎo)體層和第二發(fā)光層，以用于形成第一子發(fā)光單元，去除第二區(qū)域內(nèi)的第四半導(dǎo)體層和第三發(fā)光層，以用于形成第二子發(fā)光單元，第三區(qū)域用于形成第三子發(fā)光單元。

例如，本公開至少一個實(shí)施例提供的發(fā)光二極管裝置的制作方法，還包括：刻蝕第三子發(fā)光單元的第四半導(dǎo)體層和第三發(fā)光層以暴露出部分第三半導(dǎo)體層。

例如，本公開至少一個實(shí)施例提供的發(fā)光二極管裝置的制作方法，還包括：在第三子發(fā)光單元暴露出的第三半導(dǎo)體層和第四半導(dǎo)體層上分別形成第五電極和第六電極。

例如，本公開至少一個實(shí)施例提供的發(fā)光二極管裝置的制作方法，還包括：提供基板，在基板上形成有多個相互絕緣的接觸電極；將發(fā)光單元倒裝焊接在基板上，且與相應(yīng)的接觸電極電連接。

例如，本公開至少一個實(shí)施例提供的發(fā)光二極管裝置的制作方法，還包括:在襯底上形成緩沖層，發(fā)光疊層形成在緩沖層上。

本公開至少一個實(shí)施例提供一種發(fā)光二極管(led)裝置，包括：多個發(fā)光單元。該發(fā)光單元包括相互間隔的第一子發(fā)光單元和第二子發(fā)光單元；其中，第一子發(fā)光單元包括依次設(shè)置的第一導(dǎo)電類型的第一半導(dǎo)體層、第一發(fā)光層和第二導(dǎo)電類型的第二半導(dǎo)體層；第二子發(fā)光單元包括依次設(shè)置的第一半導(dǎo)體層、第一發(fā)光層、第二半導(dǎo)體層、第二發(fā)光層和第一導(dǎo)電類型的第三半導(dǎo)體層。

例如，在本公開至少一個實(shí)施例提供的發(fā)光二極管裝置中，在第一子發(fā)光單元中，第一發(fā)光層和第二半導(dǎo)體層部分覆蓋第一半導(dǎo)體層，且在暴露的第一半導(dǎo)體層上設(shè)置有第一電極，在第二半導(dǎo)體層上設(shè)置有第二電極；在第二子發(fā)光單元中，第二發(fā)光層和第三半導(dǎo)體層部分覆蓋第二半導(dǎo)體層，且在暴露的第二半導(dǎo)體層上設(shè)置有第四電極，在第三半導(dǎo)體層上設(shè)置有第三電極。

例如，在本公開至少一個實(shí)施例提供的發(fā)光二極管裝置中，發(fā)光單元還包括與第一子發(fā)光單元和第二子發(fā)光單元相互間隔的第三子發(fā)光單元。該第三子發(fā)光單元包括依次設(shè)置的第一半導(dǎo)體層、第一發(fā)光層、第二半導(dǎo)體層、第二發(fā)光層、第三半導(dǎo)體層、第三發(fā)光層和第二導(dǎo)電類型的第四半導(dǎo)體層。

例如，在本公開至少一個實(shí)施例提供發(fā)光二極管裝置中，在第三子發(fā)光單元中，第三發(fā)光層和第四半導(dǎo)體層部分覆蓋第三半導(dǎo)體層，且在暴露的第三半導(dǎo)體層上設(shè)置有第五電極，在第四半導(dǎo)體層上設(shè)置有第六電極。

例如，本公開至少一個實(shí)施例提供的發(fā)光二極管裝置，還包括：基板，基板包括相互絕緣設(shè)置的多個接觸電極；發(fā)光單元倒裝設(shè)置在基板上，且與相應(yīng)的接觸電極電連接。

例如，在本公開至少一個實(shí)施例提供的發(fā)光二極管裝置中，發(fā)光單元還包括緩沖層，且第一半導(dǎo)體層設(shè)置在緩沖層上。

例如，在本公開至少一個實(shí)施例提供的發(fā)光二極管裝置中，第一子發(fā)光單元和第二子發(fā)光單元所發(fā)光的顏色不同。

本公開至少一實(shí)施例提供一種發(fā)光二極管裝置的制作方法以及發(fā)光二極管裝置。該發(fā)光二極管裝置的制作方法通過分割同一個發(fā)光疊層以形成發(fā)光單元中的多個子發(fā)光單元，提高了生產(chǎn)效率，降低了生產(chǎn)成本，減小了子發(fā)光單元的間距，提高了發(fā)光二極管裝置的分辨率；另一方面，該多個子發(fā)光單元可以發(fā)出不同顏色的光，實(shí)現(xiàn)彩色發(fā)光。

需要理解的是本公開的上述概括說明和下面的詳細(xì)說明都是示例性和解釋性的，用于進(jìn)一步說明所要求的發(fā)明。

附圖說明

為了更清楚地說明本公開實(shí)施例的技術(shù)方案，下面將對實(shí)施例的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅涉及本公開的一些實(shí)施例，而非對本公開的限制。

圖1為本公開一實(shí)施例提供的一種發(fā)光二極管(led)裝置的制備方法的示意圖；

圖2a-2j為本公開一實(shí)施例提供的一種發(fā)光二極管(led)裝置的制備方法的工藝流程圖；

圖3為本公開一實(shí)施例提供的一種發(fā)光二極管(led)裝置的截面結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

為了使得本公開實(shí)施例的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面將結(jié)合本公開實(shí)施例的附圖，對本公開實(shí)施例的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述。顯然，所描述的實(shí)施例是本公開的一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；谒枋龅谋竟_的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在無需創(chuàng)造性勞動的前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本公開保護(hù)的范圍。

除非另外定義，本公開使用的技術(shù)術(shù)語或者科學(xué)術(shù)語應(yīng)當(dāng)為本公開所屬領(lǐng)域內(nèi)具有一般技能的人士所理解的通常意義。本公開中使用的“第一”、“第二”以及類似的詞語并不表示任何順序、數(shù)量或者重要性，而只是用來區(qū)分不同的組成部分?！鞍ā被蛘摺鞍钡阮愃频脑~語意指出現(xiàn)該詞前面的元件或者物件涵蓋出現(xiàn)在該詞后面列舉的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。

附圖中各個部件或結(jié)構(gòu)并非嚴(yán)格按照比例繪制，為了清楚起見，可能夸大或縮小各個部件或結(jié)構(gòu)的尺寸，例如增加層的厚度、電極的寬度等，但是這些不應(yīng)用于限制本公開的范圍。為了保持本公開實(shí)施例的以下說明清楚且簡明，可省略已知功能和已知部件的詳細(xì)說明。

目前，全彩發(fā)光二極管(led)顯示面板中的每個子像素需分別由不同的外延晶片制成，然后對每個子像素進(jìn)行單獨(dú)裂片，最后通過真空吸嘴將其放置于基板上的對應(yīng)位置處進(jìn)行貼附，以形成led顯示面板，其生成效率較低，產(chǎn)品制備時間長，產(chǎn)品造價(jià)昂貴，每個子像素之間的間距較大，led顯示面板的分辨率較低，從而限制了led顯示面板向高分辨率方向的發(fā)展。

本公開至少一實(shí)施例提供一種發(fā)光二極管裝置的制作方法以及發(fā)光二極管裝置。該發(fā)光二極管裝置的制作方法包括：在襯底上形成發(fā)光疊層，發(fā)光疊層包括在襯底上依次形成的第一導(dǎo)電類型的第一半導(dǎo)體層、第一發(fā)光層、第二導(dǎo)電類型的第二半導(dǎo)體層、第二發(fā)光層和第一導(dǎo)電類型的第三半導(dǎo)體層；分割發(fā)光疊層，以形成相互間隔的多個發(fā)光單元，每個發(fā)光單元包括相互間隔的第一區(qū)域和第二區(qū)域；去除第一區(qū)域內(nèi)的第三半導(dǎo)體層和第二發(fā)光層，以用于形成第一子發(fā)光單元，第二區(qū)域用于形成第二子發(fā)光單元。該發(fā)光二極管裝置的制作方法通過分割同一個發(fā)光疊層以形成發(fā)光單元中的多個子發(fā)光單元，提高了生產(chǎn)效率，降低了生產(chǎn)成本，減小了子發(fā)光單元的間距，提高了發(fā)光二極管裝置的分辨率；另一方面，該多個子發(fā)光單元可以發(fā)出不同顏色的光，實(shí)現(xiàn)彩色發(fā)光。

例如，本公開至少一實(shí)施例提供一種發(fā)光二極管裝置的制作方法還包括提供基板，在基板上形成有多個相互絕緣的接觸電極；將所述發(fā)光單元倒裝焊接在所述基板上，且與相應(yīng)的接觸電極電連接。由此，該實(shí)施例的制備方法可以通過一道倒裝焊接工序，將多個子發(fā)光單元焊接在基板上的對應(yīng)位置，以形成發(fā)光二極管裝置，從而簡化了制作工序，減少了工藝步驟，進(jìn)一步提高了生產(chǎn)效率、降低了生產(chǎn)成本。

下面對本公開的幾個實(shí)施例進(jìn)行詳細(xì)說明，但是本公開并不限于這些具體的實(shí)施例。

實(shí)施例一

本實(shí)施例提供一種發(fā)光二極管(led)裝置的制作方法，圖1為本實(shí)施例提供的一種發(fā)光二極管(led)裝置的制備方法的示意圖，圖2a-2j為本實(shí)施例提供的一種發(fā)光二極管(led)裝置的制備方法的工藝流程圖。圖2a至2j中僅示出相關(guān)結(jié)構(gòu)的一部分以便更清楚地說明。

例如，本實(shí)施例提供一種發(fā)光二極管(led)裝置的制作方法，如圖1所示，該制作方法可以包括如下步驟：

s01、在適當(dāng)?shù)囊r底上形成發(fā)光疊層，發(fā)光疊層包括在襯底上依次形成的第一導(dǎo)電類型的第一半導(dǎo)體層、第一發(fā)光層、第二導(dǎo)電類型的第二半導(dǎo)體層、第二發(fā)光層和第一導(dǎo)電類型的第三半導(dǎo)體層；

s02、分割發(fā)光疊層，以形成相互間隔的多個發(fā)光單元，每個發(fā)光單元包括相互間隔的第一區(qū)域和第二區(qū)域；

s03、去除第一區(qū)域內(nèi)的第三半導(dǎo)體層和第二發(fā)光層，以用于形成第一子發(fā)光單元，第二區(qū)域用于形成第二子發(fā)光單元。

該發(fā)光二極管裝置的制作方法通過分割同一個發(fā)光疊層以形成發(fā)光單元中的多個子發(fā)光單元，簡化了生產(chǎn)工藝，提高了生產(chǎn)效率，降低了生產(chǎn)成本，減小了子發(fā)光單元的間距，提高了發(fā)光二極管裝置的分辨率；另一方面，該多個子發(fā)光單元可以發(fā)出不同顏色的光，實(shí)現(xiàn)彩色發(fā)光。

例如，發(fā)光疊層還可以包括在第三半導(dǎo)體層上再依次形成的第三發(fā)光層和第二導(dǎo)電類型的第四半導(dǎo)體層；每個發(fā)光單元還包括與第一區(qū)域和第二區(qū)域相互間隔的第三區(qū)域；該led裝置的制作方法還包括：去除第一區(qū)域內(nèi)的第四半導(dǎo)體層、第三發(fā)光層、第三半導(dǎo)體層和第二發(fā)光層，以用于形成第一子發(fā)光單元，去除第二區(qū)域內(nèi)的第四半導(dǎo)體層和第三發(fā)光層，以用于形成第二子發(fā)光單元，第三區(qū)域用于形成第三子發(fā)光單元。

下面將以每個發(fā)光單元包括三個子發(fā)光單元為例對本實(shí)施例的led裝置的制作方法進(jìn)行詳細(xì)說明，但是本實(shí)施例還可以適用于每個發(fā)光單元包括二個子發(fā)光單元、多于三個子發(fā)光單元，每個子發(fā)光單元發(fā)出的光可以相同或不同。

例如，如圖2a所示，提供一襯底基板10，在襯底基板10上依次形成第一緩沖層11和第二緩沖層12；然后在第二緩沖層12上形成發(fā)光疊層，該發(fā)光疊層包括依次形成在第二緩沖層12上的第一導(dǎo)電類型的第一半導(dǎo)體層20、第一發(fā)光層30、第二導(dǎo)電類型的第二半導(dǎo)體層21、第二發(fā)光層31、第一導(dǎo)電類型的第三半導(dǎo)體層22、第三發(fā)光層32和第二導(dǎo)電類型的第四半導(dǎo)體層23。

例如，襯底基板10的可以為各種適當(dāng)?shù)囊r底基板，例如襯底基板10的材料可以為藍(lán)寶石(al2o3)、硅(si)、砷化鎵(gaas)、碳化硅(sic)、鋁酸鋰(lialo2)、氮化鋁(aln)或氮化鎵(gan)等，又或者襯底基板10還可以為各種外延晶片等，本實(shí)施例對此不做限制。

例如，第一導(dǎo)電類型可以為摻有第一雜質(zhì)的n型，或者為摻有第二雜質(zhì)的p型；相應(yīng)地，第二導(dǎo)電類型可以為摻有第二雜質(zhì)的p型，或者為摻有第一雜質(zhì)的n型。例如，第一雜質(zhì)為施主雜質(zhì)，第二雜質(zhì)為受主雜質(zhì)，根據(jù)所使用的半導(dǎo)體材料，第一雜質(zhì)和第二雜質(zhì)可以為不同的元素，例如對于gan半導(dǎo)體，第一雜質(zhì)可以為硅(si)元素，第二雜質(zhì)可以為鎂(mg)元素。

例如，第一半導(dǎo)體層20、第二半導(dǎo)體層21、第三半導(dǎo)體層22和第四半導(dǎo)體層23的材料可以為透明摻雜氮化物化合物，例如第一半導(dǎo)體層20和第三半導(dǎo)體層22可以為p型摻雜gan，第二半導(dǎo)體層21和第四半導(dǎo)體層23相應(yīng)地為n型摻雜gan。需要說明的是，第一半導(dǎo)體層20、第二半導(dǎo)體層21、第三半導(dǎo)體層22和第四半導(dǎo)體層23還可以由其他合適的透明材料形成，本實(shí)施例對此不做限制。

例如，第一緩沖層11和第二緩沖層12的材料為透明材料。第一緩沖層11和第二緩沖層12可以為由氮化鋁(aln)或氮化鎵(gan)等形成的低溫成核層，第一緩沖層11例如可以為低溫gan層，第二緩沖層12例如可以為非摻雜gan層。第一緩沖層11和第二緩沖層12可以減輕襯底基板10和發(fā)光疊層之間的晶格不匹配，降低晶格失配引起的晶體缺陷，降低錯位密度，提高發(fā)光疊層的質(zhì)量，同時還可以防止降溫過程中發(fā)光疊層的龜裂等。

需要說明的是，如果襯底基板10具有接近第一半導(dǎo)體層20的晶格常數(shù)，則可以不設(shè)置第一緩沖層11和第二緩沖層12。例如，若襯底基板10的材料為gan，第一半導(dǎo)體層20的材料為摻雜的gan時，gan襯底為同質(zhì)襯底，可以避免晶格失配以及熱膨脹失配等引起的應(yīng)力、缺陷或龜裂的問題，從而可以不設(shè)置緩沖層。

例如，第一發(fā)光層30、第二發(fā)光層31和第三發(fā)光層32可以為各種類型適當(dāng)?shù)陌l(fā)光層，其類型可以彼此相同或不同。例如，第一發(fā)光層30、第二發(fā)光層31和第三發(fā)光層32可以為本征半導(dǎo)體層或低摻雜半導(dǎo)體層(其摻雜濃度較相鄰的同種摻雜類型的半導(dǎo)體層的更低)，或者可以為由量子阱形成的單層量子阱(sqw)發(fā)光層或多層量子阱(mqw)發(fā)光層，第一發(fā)光層30、第二發(fā)光層31和第三發(fā)光層32例如可以為由量子阱和勢壘層交替形成的多層，量子阱作為發(fā)光層可以提高發(fā)光單元100的發(fā)光效率和亮度。但本實(shí)施例不限于此，第一發(fā)光層30、第二發(fā)光層31和第三發(fā)光層32還可以為由量子點(diǎn)形成的單層或多層發(fā)光層。

例如，第一發(fā)光層30發(fā)出的光的波長小于第二發(fā)光層31和第三發(fā)光層32發(fā)出的光的波長，第二發(fā)光層31發(fā)出的光的波長小于第三發(fā)光層32發(fā)出的光的波長，即，第一發(fā)光層30發(fā)出的光的能量最高，第三發(fā)光層32發(fā)出的光的能量最低，從而可以防止第一發(fā)光層30發(fā)出的光被第二發(fā)光層31和第三發(fā)光層32所吸收，第二發(fā)光層31發(fā)出的光被第三發(fā)光層32所吸收，提高發(fā)光亮度，提升發(fā)光效果。

例如，第一發(fā)光層30、第二發(fā)光層31和第三發(fā)光層32可以為發(fā)出相同波段或不同波段的量子阱發(fā)光層。例如，第一發(fā)光層30可以為發(fā)出藍(lán)光波段的量子阱，藍(lán)光波段發(fā)光層的材料可選銦氮化鎵(ingan)、硒化鋅(znse)、銦氮化鎵/氮化鎵(ingan/gan)等材料中的一種或多種；第二發(fā)光層31可以為發(fā)出綠光波段的量子阱，綠光波段發(fā)光層的材料可選用銦氮化鎵/氮化鎵(ingan/gan)、磷化鎵(gap)、鋁磷化鎵(algap)等材料中的一種或多種；第三發(fā)光層32可以為發(fā)出紅光波段的量子阱，紅光波段發(fā)光層的材料可選用鋁砷化鎵(algaas)、磷砷化鎵(gaasp)、磷化鎵(gap)等材料中的一種或多種，從而發(fā)光單元100可以實(shí)現(xiàn)彩色發(fā)光。又例如，第一發(fā)光層30、第二發(fā)光層31和第三發(fā)光層32可以為發(fā)出相同波段的量子阱，例如，可以為發(fā)出黃光波段的量子阱，黃光波段發(fā)光層的材料可選磷砷化鎵(gaasp)、磷化鎵(gap)、硒化鋅(znse)、銦氮化鎵(ingan)、碳化硅(sic)等材料中的一種或多種，從而發(fā)光單元100進(jìn)行單色發(fā)光。

又例如，第一發(fā)光層30、第二發(fā)光層31和第三發(fā)光層32還可以發(fā)出不可見光，例如發(fā)出紅外光或紫外光，紅外波段發(fā)光層的材料例如可選用鋁砷化鎵(algaas)、磷化銦鎵鋁(algainp)、摻雜氧化鋅的磷化鎵(gap：zno)等材料中的一種或多種，紫外波段發(fā)光層的材料例如可選用氮化鋁(aln)、氮化鋁鎵(algan)等材料中的一種或多種。

例如，發(fā)光疊層的各層、第一緩沖層11和第二緩沖層12可以采用金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積法(mocvd)、氫化物氣相外延法(hvpe)、分子束外延(mbe)、金屬有機(jī)氣相外延法(movpe)或鹵化物化學(xué)氣相沉積法(hcvd)等方法沉積形成。

例如，如圖2b所示，分割發(fā)光疊層，以形成相互間隔的多個發(fā)光單元100，每個發(fā)光單元100包括相互間隔的第一區(qū)域a1、第二區(qū)域a2和第三區(qū)域a3。

需要說明的是，雖然圖中僅示出了一個發(fā)光單元100，但本領(lǐng)域普通技術(shù)人員可以知道led裝置可以包括多個發(fā)光單元100。例如，圖2c示出了分割發(fā)光疊層后發(fā)光單元的平面結(jié)構(gòu)圖，分割發(fā)光疊層后可以形成多個發(fā)光單元100，且該多個發(fā)光單元100可以布置為m行n列的陣列(m、n為整數(shù))，第一區(qū)域a1、第二區(qū)域a2和第三區(qū)域a3例如可以排布為一行，也可以排布為一列，本實(shí)施例對此不做限制。

例如，如圖2d所示，采用第一次刻蝕工藝依次去除第一區(qū)域a1內(nèi)的第四半導(dǎo)體層23、第三發(fā)光層32、第三半導(dǎo)體層22和第二發(fā)光層31，以用于形成第一子發(fā)光單元101；采用第二次刻蝕工藝依次去除第二區(qū)域a2內(nèi)的第四半導(dǎo)體層23和第三發(fā)光層32，以用于形成第二子發(fā)光單元102；第三區(qū)域a3用于形成第三子發(fā)光單元103。

例如，分割發(fā)光疊層可以采用干法刻蝕或激光劃槽等方法，從而可以減小第一區(qū)域a1、第二區(qū)域a2和第三區(qū)域a3之間的間距(例如其間距可以減小到10μm)，進(jìn)而減小各子發(fā)光單元間的距離，減小發(fā)光單元100的面積，提高分辨率。

例如，第一次刻蝕工藝和第二次刻蝕工藝可以為同一道構(gòu)圖工藝，從而減少生產(chǎn)步驟，降低生產(chǎn)成本。

例如，如圖2e所示，采用第三次刻蝕工藝刻蝕第一子發(fā)光單元101的第二半導(dǎo)體層21和第一發(fā)光層30以暴露出部分第一半導(dǎo)體層20；采用第四次刻蝕工藝刻蝕第二子發(fā)光單元102的第三半導(dǎo)體層22和第二發(fā)光層31以暴露出部分第二半導(dǎo)體層21；采用第五次刻蝕工藝刻蝕第三子發(fā)光單元103的第四半導(dǎo)體層23和第三發(fā)光層32以暴露出部分第三半導(dǎo)體層22。

例如，第三次刻蝕工藝、第四次刻蝕工藝和第五次刻蝕工藝也可以為同一道構(gòu)圖工藝，從而進(jìn)一步減少生產(chǎn)步驟，縮短生產(chǎn)時間，降低生產(chǎn)成本。

例如，刻蝕工藝可以采用干法刻蝕或濕法刻蝕。例如，干法刻蝕可以采用化學(xué)方法(例如等離子體腐蝕pe)、物理方法(例如離子腐蝕ie)或物理與化學(xué)相結(jié)合的方法(例如反應(yīng)離子腐蝕rie)。例如，刻蝕工藝還可以采用離子束刻蝕(ibe)，其具有方向性好，各向異性，分辨率高、陡直度高以及不受刻蝕材料限制等特點(diǎn)，從而可以精確刻蝕。

需要說明的是，“同一道構(gòu)圖工藝”指的是使用同一個掩模板，進(jìn)行一次光刻膠涂覆和剝離，其可能包括單次刻蝕工藝，也可能包括多次刻蝕工藝。例如，同一道構(gòu)圖工藝可以采用灰色調(diào)掩膜或半色調(diào)掩膜工藝,刻蝕工藝可以采用離子束刻蝕。首先，在發(fā)光單元上涂覆光刻膠；對該光刻膠進(jìn)行曝光、顯影，從而在第一區(qū)域a1、第二區(qū)域a2和第三區(qū)域a3分別形成光刻膠去除區(qū)域、光刻膠半保留區(qū)域和光刻膠全保留區(qū)域；采用第一次刻蝕工藝去除第一區(qū)域a1的第四半導(dǎo)體層23和第三發(fā)光層32；采用灰化工藝去除光刻膠半保留區(qū)域的光刻膠；采用第二次刻蝕工藝分別去除第一區(qū)域a1的第三半導(dǎo)體層22、第二發(fā)光層31和第二區(qū)域a2的第四半導(dǎo)體層23、第三發(fā)光層32，從而分別形成第一子發(fā)光單元101和第二子發(fā)光單元102；剝離光刻膠全保留區(qū)域的光刻膠，形成第三子發(fā)光單元103。

例如，如圖2f所示，在第一子發(fā)光單元101中，在暴露出的第一半導(dǎo)體層20和第二半導(dǎo)體層21上分別形成第一電極41和第二電極42；在第二子發(fā)光單元102中，在第三半導(dǎo)體層22和暴露出的第二半導(dǎo)體層21上分別形成第三電極43和第四電極44；在第三子發(fā)光單元103中，在暴露出的第三半導(dǎo)體層22和第四半導(dǎo)體層23上分別形成第五電極45和第六電極46。

例如，第一電極41、第二電極42、第三電極43、第四電極44、第五電極45和第六電極46的材料可以為不透明的導(dǎo)電材料，不透明的導(dǎo)電材料可以包括鈦(ti)、鉑(pt)、金(au)、鉻(cr)等金屬材料，不透明的導(dǎo)電材料還可以鋁(al)、銀(ag)等高反射材料，從而第一電極41、第二電極42、第三電極43、第四電極44、第五電極45和第六電極46為高反射電極，在發(fā)光層進(jìn)行發(fā)光時，減少電極對光的吸收，提高發(fā)光亮度。又例如，第一電極41、第二電極42、第三電極43、第四電極44、第五電極45和第六電極46的材料也可以是透明導(dǎo)電材料，透明導(dǎo)電材料可以包括氧化銦錫(ito)、氧化銦鋅(izo)、氧化鋅(zno)、氧化銦(in2o3)或氧化銦鎵(igo)等，本實(shí)施例對此不作限制。

例如，第一電極41、第二電極42、第三電極43、第四電極44、第五電極45和第六電極46可以采用同一道構(gòu)圖工藝形成，或者也可以由不同的構(gòu)圖工藝形成。

例如，如圖2g所示，以發(fā)光單元100為單位對襯底基板10進(jìn)行分割，以形成相互分割的多個發(fā)光單元100。分割發(fā)光單元100可以采用激光切割裂片等方法。

例如，如圖2h所示，本實(shí)施例的led裝置的制作方法，還包括：提供基板200，在基板200上形成有多個接觸電極；將分割開的發(fā)光單元100倒裝焊接在基板200上，且第一電極41、第二電極42、第三電極43、第四電極44、第五電極45和第六電極46分別與相應(yīng)的接觸電極電連接。該led裝置的制作方法可以通過一道倒裝焊接工序，將發(fā)光單元中的多個子發(fā)光單元焊接在基板上的對應(yīng)位置，從而形成發(fā)光二極管裝置，簡化了制作工序，提高了生產(chǎn)效率，降低了生產(chǎn)成本。

例如，如圖2h所示，基板200上可以形成有相互絕緣的第一接觸電極204、第二接觸電極205、第三接觸電極206、第四接觸電極207、第五接觸電極208和第六接觸電極209，從而第一電極41、第二電極42、第三電極43、第四電極44、第五電極45和第六電極46可以分別與第一接觸電極204、第二接觸電極205、第三接觸電極206、第四接觸電極207、第五接觸電極208和第六接觸電極209一一對應(yīng)電連接。又例如，基板200上還可以形成有相互絕緣的p型接觸電極和n型接觸電極，當(dāng)?shù)谝浑姌O41、第三電極43和第五電極45為n型電極，相應(yīng)地第二電極42、第四電極44和第六電極46為p型電極時，第一電極41、第三電極43和第五電極45可以與同一個n型接觸電極電連接，第二電極42、第四電極44和第六電極46可以與同一個p型接觸電極電連接；第一電極41、第三電極43和第五電極45還可以與不同的n型接觸電極電連接，第二電極42、第四電極44和第六電極46還可以與不同的p型接觸電極電連接。

例如，該多個發(fā)光單元100可以根據(jù)實(shí)際需要焊接在不同的位置，以滿足多樣化需求，例如形成led數(shù)字時鐘。

例如，基板200可以為透明絕緣基板或者金屬基板，透明絕緣基板例如可以包括玻璃基板、石英基板、陶瓷基板或其他合適的基板；金屬基板例如可以包括銅基覆銅板、鋁基覆銅板或鐵基覆銅板等。

例如，倒裝焊接可以采用倒裝焊、共晶焊、超聲熱壓焊、導(dǎo)電膠粘接或其它焊接技術(shù)。倒裝焊接例如可以采用凸點(diǎn)焊接技術(shù)，在進(jìn)行倒裝焊接前，在基板200上的每個接觸電極上可以形成凸起的導(dǎo)電凸點(diǎn)203，然后將發(fā)光單元100中的第一電極41、第二電極42、第三電極43、第四電極44、第五電極45、第六電極46和基板200上相應(yīng)的接觸電極進(jìn)行對位，最后利用凸點(diǎn)焊接技術(shù)通過導(dǎo)電凸點(diǎn)203焊接在一起，從而制得led裝置。需要說明的是，發(fā)光單元100例如還可以采用轉(zhuǎn)印方法轉(zhuǎn)印到基板200上，本實(shí)施例對此不做限制。

例如，導(dǎo)電凸點(diǎn)203的材料可以為金、鉛、錫、銅、銀、銦等其中的一種金屬材料或多種金屬材料。

例如，導(dǎo)電凸點(diǎn)203可以使用印刷、電鍍、化學(xué)鍍或金屬濺鍍等工藝形成。

需要說明的是，led裝置的制作方法中，還可以先進(jìn)行倒裝焊接，然后再分割發(fā)光單元100，或者直接剝離襯底基板10。例如，如圖2i所示，將發(fā)光單元100倒裝焊接在基板200上，然后剝離襯底基板10以形成led裝置。多個發(fā)光單元100可以通過一次倒裝焊接工藝焊接在基板200上，減少單獨(dú)焊接每個發(fā)光單元100的工藝步驟，縮短生產(chǎn)時間；同時，還可以減少切割襯底基板10的步驟，進(jìn)一步簡化制作工序，降低生產(chǎn)成本。

例如，如圖2j所示，剝離襯底基板10以形成led裝置。剝離襯底基板10例如可以采用激光剝離技術(shù)。

需要說明的是，如果襯底基板10為透明基板時，則可以保留襯底基板10，省去剝離襯底基板10的步驟，減少工藝步驟，縮短生產(chǎn)時間。

在本公開的實(shí)施例中，構(gòu)圖工藝?yán)缈梢詾楣饪虡?gòu)圖工藝，例如包括：在需要被構(gòu)圖的結(jié)構(gòu)層上涂覆光刻膠膜，光刻膠膜的涂覆可以采用旋涂、刮涂或者輥涂的方式；接著使用掩膜板對光刻膠層進(jìn)行曝光，對曝光的光刻膠層進(jìn)行顯影以得到光刻膠圖案；然后使用光刻膠圖案對結(jié)構(gòu)層進(jìn)行蝕刻，可選地去除光刻膠圖案；最后剝離光刻膠以形成需要的結(jié)構(gòu)。

實(shí)施例二

本實(shí)施例提供了一種發(fā)光二極管(led)裝置，其可以采用實(shí)施例一所述的制作方法制作。圖3示出了本實(shí)施例提供的一種發(fā)光二極管(led)裝置的截面結(jié)構(gòu)示意圖。圖3中僅示出相關(guān)結(jié)構(gòu)的一部分以便更清楚地說明。

例如，該發(fā)光二極管(led)裝置包括多個發(fā)光單元，多個發(fā)光單元例如可以陣列排布成多行多列。每個發(fā)光單元可以包括相互間隔的多個子發(fā)光單元。例如，每個發(fā)光單元可以包括第一子發(fā)光單元和第二子發(fā)光單元，且第一子發(fā)光單元可以包括依次設(shè)置的第一導(dǎo)電類型的第一半導(dǎo)體層、第一發(fā)光層和第二導(dǎo)電類型的第二半導(dǎo)體層；第二子發(fā)光單元可以包括依次設(shè)置的第一半導(dǎo)體層、第一發(fā)光層、第二半導(dǎo)體層、第二發(fā)光層和第一導(dǎo)電類型的第三半導(dǎo)體層。

例如，每個發(fā)光單元還可以包括與第一子發(fā)光單元和第二子發(fā)光單元相互間隔的第三子發(fā)光單元，且第三子發(fā)光單元包括依次設(shè)置的第一半導(dǎo)體層、第一發(fā)光層、第二半導(dǎo)體層、第二發(fā)光層、第三半導(dǎo)體層、第三發(fā)光層和第二導(dǎo)電類型的第四半導(dǎo)體層。

下面將以每個發(fā)光單元包括三個子發(fā)光單元為例進(jìn)行詳細(xì)說明，但是發(fā)光單元并不限于這些具體的結(jié)構(gòu)。

例如，如圖3所示，本實(shí)施例的led裝置可以包括發(fā)光單元100，且該發(fā)光單元100包括相互間隔的第一子發(fā)光單元101、第二子發(fā)光單元102和第三子發(fā)光單元103。

例如，第一子發(fā)光單元101、第二子發(fā)光單元102和第三子發(fā)光單元103可以排列在同一行或同一列中，或者按照δ方式排列等。

例如，如圖3所示，第一子發(fā)光單元101可以包括第一導(dǎo)電類型的第一半導(dǎo)體層20、第一發(fā)光層30和第二導(dǎo)電類型的第二半導(dǎo)體層21；第二子發(fā)光單元102可包括依次設(shè)置的第一半導(dǎo)體層20、第一發(fā)光層30、第二半導(dǎo)體層21、第二發(fā)光層31和第一導(dǎo)電類型的第三半導(dǎo)體層22；第三子發(fā)光單元103可以包括依次設(shè)置的第一半導(dǎo)體層20、第一發(fā)光層30、第二半導(dǎo)體層21、第二發(fā)光層31、第三半導(dǎo)體層22、第三發(fā)光層32和第二導(dǎo)電類型的第四半導(dǎo)體層23。

例如，第一半導(dǎo)體層20和第三半導(dǎo)體層22可以為摻有相同雜質(zhì)或不同雜質(zhì)的第一導(dǎo)電類型的半導(dǎo)體層，第二半導(dǎo)體層21和第四半導(dǎo)體層23也可以為摻有相同雜質(zhì)或不同雜質(zhì)的第二導(dǎo)電類型的半導(dǎo)體層，本實(shí)施例對此不做限制。第一導(dǎo)電類型和第二導(dǎo)電類型的摻雜類型可以與實(shí)施例一相同，第一半導(dǎo)體層20、第二半導(dǎo)體層21、第三半導(dǎo)體層22和第四半導(dǎo)體層23的材料也可以與實(shí)施例一相同，在此不再贅述。

例如，第一發(fā)光層30、第二發(fā)光層31和第三發(fā)光層32可以為可局限載流子的量子阱結(jié)構(gòu)，例如其可以為單層量子阱(sqw)或多層量子阱(mqw)結(jié)構(gòu)；第一發(fā)光層30、第二發(fā)光層31和第三發(fā)光層32例如可以為量子阱和勢壘層交替設(shè)置的多層結(jié)構(gòu)，且量子阱的能量帶隙小于相鄰的勢壘層的能量帶隙，勢壘層的能量帶隙小于第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層和第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層的能量帶隙，從而有效地防止載流子逃逸，提高發(fā)光單元的內(nèi)量子效率。但本實(shí)施例不限于此，第一發(fā)光層30、第二發(fā)光層31和第三發(fā)光層32例如還可以為量子點(diǎn)結(jié)構(gòu)。

例如，第一發(fā)光層30、第二發(fā)光層31和第三發(fā)光層32可以為發(fā)出相同波段或不同波段的量子阱發(fā)光層。第一發(fā)光層30例如可以發(fā)出藍(lán)光，第二發(fā)光層31可以發(fā)出綠光，第三發(fā)光層32可以為出紅光，從而發(fā)光單元100可以實(shí)現(xiàn)彩色發(fā)光。又例如，第一發(fā)光層30、第二發(fā)光層31和第三發(fā)光層32可以為出相同波長的光，第一發(fā)光層30、第二發(fā)光層31和第三發(fā)光層32例如可以發(fā)出黃光，從而發(fā)光單元100進(jìn)行單色發(fā)光。第一發(fā)光層30、第二發(fā)光層31和第三發(fā)光層32例如還可以發(fā)出不可見光，例如紅外光或紫外光。

例如，如圖3所示，在第一子發(fā)光單元101中，第一發(fā)光層30和第二半導(dǎo)體層21部分覆蓋第一半導(dǎo)體層20，在暴露的第一半導(dǎo)體層20上設(shè)置有第一電極41，在第二半導(dǎo)體層21上設(shè)置有第二電極42；在第二子發(fā)光單元102中，第二發(fā)光層31和第三半導(dǎo)體層22部分覆蓋第二半導(dǎo)體層21，在暴露的第二半導(dǎo)體層21上設(shè)置有第四電極44，在第三半導(dǎo)體層22上設(shè)置有第三電極43；在第三子發(fā)光單元103中，第三發(fā)光層32和第四半導(dǎo)體層23部分覆蓋第三半導(dǎo)體層22，在暴露的第三半導(dǎo)體層22上設(shè)置有第五電極45，在第四半導(dǎo)體層23上設(shè)置有第六電極46。

例如，第一電極41、第二電極42、第三電極43、第四電極44、第五電極45和第六電極46的材料可以與實(shí)施例一相同，在此不再贅述。

例如，當(dāng)?shù)谝话雽?dǎo)體層20和第三半導(dǎo)體層22為n型半導(dǎo)體層，第二半導(dǎo)體層21和第四半導(dǎo)體層23為p型半導(dǎo)體層時，第一電極41、第三電極43和第五電極45可以為n型電極，第二電極42、第四電極44和第六電極46相應(yīng)地可以為p型電極。例如，p型電極可以包括歐姆接觸層和高反射層以形成高反射電極，歐姆接觸層可以降低p型電極和半導(dǎo)體之間的接觸電阻，高反射層可以減少p型電極對光的吸收，同時可以將光反射至出光側(cè)，提高發(fā)光層的光萃取效率和發(fā)光亮度。需要說明的是，高反射層例如可以包括多層金屬反光層(例如鋁、銀形成的多層金屬反光層)，從而可以提高p型電極的電流擴(kuò)散和散熱性能。

需要說明的是，對于每個子發(fā)光單元，其p型電極的電壓需要大于n型電極的電壓，從而對每個子發(fā)光單元提供正向電壓驅(qū)動發(fā)光層發(fā)光。例如，對于第一子發(fā)光單元101，若第一電極41為p型電極，第二電極42為n型電極，則需要為第一電極41提供高于第二電極42的電壓。

例如，發(fā)光單元100還可以包括緩沖層，緩沖層可以為氮化鋁(aln)或氮化鎵(gan)等形成的低溫成核層。如圖3所示，緩沖層例如可以包括依次設(shè)置在第一半導(dǎo)體層20上的第二緩沖層12和第一緩沖層11，第一緩沖層11可以為低溫gan層，第二緩沖層12可以為非摻雜gan層。

需要說明的是，本實(shí)施例中，發(fā)光單元100的結(jié)構(gòu)不限于此，其還可以包括電流阻擋層、中間阻擋層等。

例如，如圖3所示，本實(shí)施例的led裝置還可以包括基板200?；?00上可以設(shè)置有多個相互絕緣的接觸電極201，發(fā)光單元100倒裝設(shè)置在基板200上，且第一電極41、第二電極42、第三電極43、第四電極44、第五電極45和第六電極46分別與相應(yīng)的接觸電極201電連接。

例如，基板200的類型可以與實(shí)施例一相同，接觸電極例如也可以與實(shí)施例一相同，第一電極41、第二電極42、第三電極43、第四電極44、第五電極45和第六電極46可以分別與不同的接觸電極一一對應(yīng)電接觸，也可以多個電極與同一個接觸電極電接觸，只要能保證每個發(fā)光二極管能實(shí)現(xiàn)正向?qū)?，從而?qū)動每個子發(fā)光單元發(fā)光即可，在此不再贅述。

例如，基板200可以是單層基板，還可以是包括絕緣導(dǎo)熱層和電路層(未示出)的多層基板，絕緣導(dǎo)熱層可以提高基板200的散熱性能，從而提高發(fā)光單元100的發(fā)光效率和穩(wěn)定性，延長led裝置的使用壽命。電路層例如可以包括驅(qū)動電路等，從而驅(qū)動發(fā)光單元100發(fā)光。接觸電極例如通過基板200上形成的導(dǎo)線耦接到驅(qū)動芯片、電源等部件(未示出)。

例如，本實(shí)施例的led裝置還可以包括多個導(dǎo)電凸點(diǎn)203，第一電極41、第二電極42、第三電極43、第四電極44、第五電極45和第六電極46通過導(dǎo)電凸點(diǎn)203分別與相應(yīng)的接觸電極201連接，從而可以進(jìn)一步耦接到驅(qū)動芯片、電源等部件(未示出)。導(dǎo)電凸點(diǎn)203的材料例如可以為金、鉛、錫、銅、銀、銦等其中的一種金屬材料或多種金屬材料。例如，導(dǎo)電凸點(diǎn)230可以具有不同的尺寸、形狀，以適應(yīng)不同的電極。例如，在垂直于基板200的方向上，第一電極41對應(yīng)的導(dǎo)電凸點(diǎn)203最長，而第六電極46對應(yīng)的導(dǎo)電凸點(diǎn)203最短。

例如，本實(shí)施例的led裝置可以為led顯示面板，led顯示面板可以應(yīng)用于電視、數(shù)碼相機(jī)、手機(jī)、手表、平板電腦、筆記本電腦、導(dǎo)航儀等任何具有顯示功能的產(chǎn)品或者部件。又例如，本實(shí)施例的led裝置還可以應(yīng)用于景觀裝飾、室外顯示屏、廣告演示牌、標(biāo)識指示或照明等。

對于本公開，還有以下幾點(diǎn)需要說明：

(1)本公開實(shí)施例附圖只涉及到與本公開實(shí)施例涉及到的結(jié)構(gòu)，其他結(jié)構(gòu)可參考通常設(shè)計(jì)。

(2)為了清晰起見，在用于描述本公開的實(shí)施例的附圖中，層或區(qū)域的厚度被放大或縮小，即這些附圖并非按照實(shí)際的比例繪制。

(3)在不沖突的情況下，本公開的實(shí)施例及實(shí)施例中的特征可以相互組合以得到新的實(shí)施例。

以上所述，僅為本公開的具體實(shí)施方式，但本公開的保護(hù)范圍并不局限于此，本公開的保護(hù)范圍應(yīng)以所述權(quán)利要求的保護(hù)范圍為準(zhǔn)。