本發(fā)明涉及顯示器技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種陣列基板及其制作方法。

背景技術(shù)：

隨著顯示器不斷向高分辨和大尺寸的發(fā)展，使得信號(hào)線的長(zhǎng)度變長(zhǎng)，導(dǎo)致阻容延遲較大，因此解決陣列基板中信號(hào)的傳輸問(wèn)題成為研究的熱點(diǎn)。

目前為了降低阻容延遲，第一種方法是將信號(hào)線的材料由高阻抗的材料替換為低阻抗的材料，比如將鋁替換為銅。第二種方法是對(duì)信號(hào)線所在的金屬層進(jìn)行加厚處理。在液晶面板制程中，通常通過(guò)磁控濺射沉積方式沉積銅膜，由于這種方式會(huì)增加生產(chǎn)時(shí)間，還會(huì)引起玻璃的形變和翹曲，降低了產(chǎn)品的良率。

因此，有必要提供一種陣列基板及其制作方法，以解決現(xiàn)有技術(shù)所存在的問(wèn)題。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的在于提供一種陣列基板及其制作方法，能夠提高產(chǎn)品的良率。

為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明提供一種陣列基板的制作方法，其包括：

在襯底基板上形成第一金屬層，對(duì)第一金屬層進(jìn)行圖案化處理形成遮光線和柵極；

在所述遮光線和所述柵極上形成柵絕緣層；

在與所述柵極對(duì)應(yīng)的柵絕緣層上形成有源層，所述有源層用于形成溝道；

將所述遮光線對(duì)應(yīng)的柵絕緣層去除，以使所述遮光線露出；

在所述遮光線、未被有源層覆蓋的柵絕緣層以及所述有源層上形成第二金屬層；

對(duì)所述第二金屬層進(jìn)行圖案化處理形成數(shù)據(jù)線、源極以及漏極；

在所述第二金屬層、未被第二金屬層覆蓋的柵絕緣層上以及所述有源層上形成鈍化層；所述鈍化層上形成有連接所述漏極的過(guò)孔；

在所述鈍化層上形成透明電極層。

在本發(fā)明的陣列基板的制作方法中，所述將所述遮光線對(duì)應(yīng)的柵絕緣層去除，以使所述遮光線露出的步驟包括：

在所述有源層以及未被所述有源層覆蓋的柵絕緣層上形成光阻層，并使用掩膜板對(duì)光阻層進(jìn)行曝光、顯影，以使與所述遮光線對(duì)應(yīng)的光阻層被去除，其中所述掩膜板包括全透光區(qū)域、部分透光區(qū)域以及不透光區(qū)域，所述全透光區(qū)域的位置與所述遮光線的位置對(duì)應(yīng)；

將所述遮光線對(duì)應(yīng)的柵絕緣層刻蝕掉。

在本發(fā)明的陣列基板的制作方法中，其中部分所述不透光區(qū)域位于所述掩膜板的兩側(cè)，其余部分的不透光區(qū)域的位置與所述柵極的位置對(duì)應(yīng)，所述部分透光區(qū)域位于所述全透光區(qū)域和所述不透光區(qū)域外；

所述在所述遮光線、未被所述有源層覆蓋的柵絕緣層、所述有源層上形成第二金屬層的步驟包括：

將所述部分透光區(qū)域?qū)?yīng)的光阻層去除；

在所述遮光線、未被所述光阻層覆蓋的柵絕緣層以及剩余的光阻層上形成第二金屬層。

在本發(fā)明的陣列基板的制作方法中，所述將所述部分透光區(qū)域?qū)?yīng)的光阻層去除的步驟包括：

對(duì)所述光阻層進(jìn)行灰化處理，以將所述部分透光區(qū)域?qū)?yīng)的光阻層去除。

在本發(fā)明的陣列基板的制作方法中，所述在所述第二金屬層、未被所述第二金屬層覆蓋的柵絕緣層上以及所述有源層上形成鈍化層的步驟之前，所述方法還包括：

將所述剩余的光阻層以及所述剩余的光阻層上的第二金屬層進(jìn)行去除。

在本發(fā)明的陣列基板的制作方法中，通過(guò)剝離工藝將所述剩余的光阻層剝除，以將所述剩余的光阻層和所述剩余的光阻層上的第二金屬層去除。

在本發(fā)明的陣列基板的制作方法中，所述第一金屬層和所述第二金屬層的材料為銅。

在本發(fā)明的陣列基板的制作方法中，所述柵絕緣層的厚度位于預(yù)設(shè)范圍內(nèi)。

本發(fā)明還提供一種陣列基板，其包括：

第一金屬層，位于襯底基板上，包括遮光線和柵極；

柵絕緣層，位于所述遮光線以外的第一金屬層上；

有源層，部分位于所述柵絕緣層上；所述有源層用于形成溝道；

第二金屬層，位于所述遮光線和所述柵絕緣層上；所述第二金屬層包括數(shù)據(jù)線、源極以及漏極；

鈍化層，位于所述第二金屬層上；所述鈍化層上形成有連接所述漏極的過(guò)孔；

透明導(dǎo)電層，位于所述鈍化層上。

在本發(fā)明的陣列基板中，所述柵絕緣層的厚度位于預(yù)設(shè)范圍內(nèi)。

本發(fā)明的陣列基板及其制作方法，通過(guò)遮光線對(duì)數(shù)據(jù)線所在的金屬層進(jìn)行累積加厚處理，縮短了生產(chǎn)時(shí)間，同時(shí)也避免了陣列基板發(fā)生形變和翹曲的風(fēng)險(xiǎn)。

【附圖說(shuō)明】

圖1為本發(fā)明的陣列基板的第一步制程工藝的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖2為本發(fā)明的陣列基板的第二步制程工藝的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖3為本發(fā)明的陣列基板的第三步制程工藝的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖4為本發(fā)明的陣列基板的第四步制程工藝的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖5為本發(fā)明的陣列基板的第五步制程工藝的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖6為本發(fā)明的陣列基板的第六步制程工藝的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖7為本發(fā)明的陣列基板的第七步制程工藝的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖8為本發(fā)明的陣列基板的第八步制程工藝的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖9為本發(fā)明的陣列基板的第九步制程工藝的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖10為本發(fā)明的陣列基板的第十步制程工藝的結(jié)構(gòu)示意圖。

【具體實(shí)施方式】

以下各實(shí)施例的說(shuō)明是參考附加的圖式，用以例示本發(fā)明可用以實(shí)施的特定實(shí)施例。本發(fā)明所提到的方向用語(yǔ)，例如「上」、「下」、「前」、「后」、「左」、「右」、「內(nèi)」、「外」、「?jìng)?cè)面」等，僅是參考附加圖式的方向。因此，使用的方向用語(yǔ)是用以說(shuō)明及理解本發(fā)明，而非用以限制本發(fā)明。在圖中，結(jié)構(gòu)相似的單元是以相同標(biāo)號(hào)表示。

請(qǐng)參照?qǐng)D1-10，圖1為本發(fā)明的陣列基板的第一步制程工藝的結(jié)構(gòu)示意圖。

本發(fā)明的陣列基板的制作方法包括以下步驟：

S101、在襯底基板上形成第一金屬層，對(duì)第一金屬層進(jìn)行圖案化處理形成遮光線和柵極。

如圖1所示，通過(guò)物理氣相沉積(PVD，Physical Vapor Deposition)法在襯底基板11上沉積第一金屬層12，之后對(duì)第一金屬層12進(jìn)行曝光、顯影，再經(jīng)過(guò)刻蝕后形成遮光線121、柵極122，同時(shí)還形成掃描線(圖中未示出)。

S102、在所述遮光線和所述柵極上形成柵絕緣層。

如圖2所示，在所述遮光線121、柵極122、掃描線以及未被遮光線121、柵極122以及掃描線覆蓋的襯底基板11上形成柵絕緣層13。

為了使得數(shù)據(jù)線的沉積厚度達(dá)到預(yù)設(shè)厚度，所述柵絕緣層13的厚度位于預(yù)設(shè)范圍內(nèi)，以便更好地降低阻容延遲。

S103、在與所述柵極對(duì)應(yīng)的柵絕緣層上形成有源層，所述有源層用于形成溝道。

如圖3所示，在柵極122對(duì)應(yīng)的柵絕緣層13上先通過(guò)化學(xué)氣相沉積工藝沉積一層有源層14，之后再對(duì)有源層14進(jìn)行曝光、顯影，然后經(jīng)過(guò)干燥后形成溝道。

S104、將所述遮光線對(duì)應(yīng)的柵絕緣層去除，以使所述遮光線露出。該步驟具體可包括以下步驟：

S201、在所述有源層以及未被所述有源層覆蓋的柵絕緣層上形成光阻層，并使用掩膜板對(duì)光阻層進(jìn)行曝光、顯影，以使與所述遮光線對(duì)應(yīng)的光阻層被去除。

如圖4所示，在所述有源層14以及未被所述有源層覆蓋的柵絕緣層13上形成光阻層15，并使用掩膜板21對(duì)光阻層15進(jìn)行曝光、顯影，使所述遮光線121對(duì)應(yīng)的柵絕緣層13上的光阻層15被去除。

其中所述掩膜板21包括全透光區(qū)域211、部分透光區(qū)域212以及不透光區(qū)域213，所述全透光區(qū)域211的位置與所述遮光線121的位置對(duì)應(yīng)。其中部分所述不透光區(qū)域213位于所述掩膜板21的兩側(cè)，其余部分的不透光區(qū)域213的位置與柵極122的位置對(duì)應(yīng)。所述部分透光區(qū)域212的位置與所述柵極122兩側(cè)的位置對(duì)應(yīng)，且位于所述全透光區(qū)域和所述不透光區(qū)域外。由于與遮光線121對(duì)應(yīng)的光阻層受到較多的光照，因此在顯影過(guò)程中，被全部去除。

S202、將所述遮光線121對(duì)應(yīng)的柵絕緣層刻蝕掉。

之后，如圖5所示，再通過(guò)干法刻蝕工藝將遮光線121對(duì)應(yīng)的柵絕緣層去除，從而將遮光線121暴露在外。

S105、在所述遮光線、未被有源層覆蓋的柵絕緣層以及所述有源層上形成第二金屬層。

該步驟具體可包括以下步驟：

S203、將所述部分透光區(qū)域?qū)?yīng)的光阻層去除。

如圖6所示，之后將所述部分透光區(qū)域212對(duì)應(yīng)的光阻層去除。其中對(duì)剩余的光阻層15進(jìn)行灰化處理，以將部分曝光的光阻層反應(yīng)掉，留下未曝光的光阻層15。

S204、在所述遮光線、未被所述光阻層覆蓋的柵絕緣層以及剩余的光阻層上形成第二金屬層。

如圖7所示，通過(guò)物理氣相沉積(PVD，Physical Vapor Deposition)法在遮光線121、未被所述光阻層15覆蓋的柵絕緣層13以及剩余的光阻層15上沉積第二金屬層16。所述第二金屬層16包括數(shù)據(jù)線161、源極162以及漏極163。經(jīng)過(guò)該步驟，使得數(shù)據(jù)線161疊加在遮光線121上，也即對(duì)數(shù)據(jù)線進(jìn)行加厚處理，從而縮短了生產(chǎn)時(shí)間，避免陣列基板發(fā)生形變或者翹曲。

為了更好地降低阻容延遲，所述第二金屬層16和第一金屬層12的材料都為銅。

S205、將所述剩余的光阻層以及所述剩余的光阻層上的第二金屬層進(jìn)行去除。

結(jié)合圖7，將所述剩余的光阻層15以及所述剩余的光阻層上的第二金屬層16進(jìn)行去除。其中通過(guò)剝離工藝將所述剩余的光阻層15剝除，其上的第二金屬層16也一同被去除。最終的結(jié)構(gòu)如圖8所示。

S107、在所述第二金屬層、未被第二金屬層覆蓋的柵絕緣層上以及所述有源層上形成鈍化層；在所述鈍化層上形成連接所述漏極的過(guò)孔。

如圖9所示，通過(guò)化學(xué)氣相沉積工藝在數(shù)據(jù)線161、源極162、漏極163、未被數(shù)據(jù)線161、源極162和漏極163覆蓋的柵絕緣層13以及有源層14上形成沉積一層鈍化層17，之后再對(duì)鈍化層17進(jìn)行曝光、顯影、干燥等工序。在所述鈍化層17上形成連接所述漏極163的過(guò)孔171。

S108、在所述鈍化層上形成透明電極層。

如圖10所示，通過(guò)物理氣相沉積(PVD，Physical Vapor Deposition)法在所述鈍化層17以及所述過(guò)孔171內(nèi)沉積透明電極層18，之后對(duì)透明電極層18進(jìn)行曝光、顯影，再經(jīng)過(guò)刻蝕后形成像素電極。也即該透明導(dǎo)電層18包括像素電極。

可以理解的，上述方法僅以數(shù)據(jù)線的加厚為例，如需加厚掃描線，則可采用類似的工藝和結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)。

本發(fā)明還提供一種陣列基板，如圖10所示，其包括：第一金屬層12、柵絕緣層13、有源層14、第二金屬層16、鈍化層17、透明導(dǎo)電層18。其中第一金屬層12位于襯底基板11上，第一金屬層12包括遮光線121和柵極122。

柵絕緣層13位于所述遮光線121以外的第一金屬層12以及未被第一金屬層覆蓋的襯底基板11上。有源層14部分位于所述柵絕緣層13上；所述有源層13用于形成溝道。第二金屬層16位于所述遮光線121和所述柵絕緣層13上，第二金屬層16包括數(shù)據(jù)線161、源極162和漏極163。鈍化層17部分位于所述第二金屬層16上，其余部分位于未被第二金屬層16覆蓋的柵絕緣層13和有源層14上；所述鈍化層17上形成有連接所述漏極163的過(guò)孔171。透明導(dǎo)電層18位于所述鈍化層17上。

本發(fā)明的陣列基板及其制作方法，通過(guò)遮光線對(duì)數(shù)據(jù)線所在的金屬層進(jìn)行累積加厚處理，縮短了生產(chǎn)時(shí)間，同時(shí)也避免了陣列基板發(fā)生形變和翹曲的風(fēng)險(xiǎn)。

綜上所述，雖然本發(fā)明已以優(yōu)選實(shí)施例揭露如上，但上述優(yōu)選實(shí)施例并非用以限制本發(fā)明，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，均可作各種更動(dòng)與潤(rùn)飾，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍以權(quán)利要求界定的范圍為準(zhǔn)。