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      用于控制晶片內(nèi)工藝均勻性的方法和裝置與流程

      文檔序號(hào):11179178閱讀:來(lái)源:國(guó)知局

      技術(shù)特征:

      技術(shù)總結(jié)
      本發(fā)明涉及用于控制晶片內(nèi)工藝均勻性的方法和裝置。襯底處理系統(tǒng)包括氣體分配裝置,所述氣體分配裝置被布置成將工藝氣體分配在布置在具有上室區(qū)域和下室區(qū)域的襯底處理室中的襯底的表面上。襯底支撐件布置在所述襯底處理室的所述下室區(qū)域中,位于所述氣體分配裝置下方。圈布置在所述襯底處理室的所述下室區(qū)域中,位于所述氣體分配裝置下方且在所述襯底支撐件上方。所述圈設(shè)置成圍繞所述氣體分配裝置的面板以及圍繞所述氣體分配裝置與所述襯底支撐件之間的區(qū)域,并且在所述襯底支撐件和所述圈之間限定間隙。

      技術(shù)研發(fā)人員:艾夫林·安格洛夫;克里斯蒂安·賽拉迪;阿倫·凱沙瓦穆爾蒂;樸俊洪;詹森·特雷德韋爾
      受保護(hù)的技術(shù)使用者:朗姆研究公司
      技術(shù)研發(fā)日:2017.03.24
      技術(shù)公布日:2017.10.03
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