本發(fā)明涉及OLED顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種OLED面板的制作方法及OLED面板。

背景技術(shù)：

有機發(fā)光二極管(Organic Light Emitting Diode，OLED)面板具有自發(fā)光、驅(qū)動電壓低、發(fā)光效率高、響應(yīng)時間短、清晰度與對比度高、近180°視角、使用溫度范圍寬，可實現(xiàn)柔性顯示與大面積全色顯示等諸多優(yōu)點，被業(yè)界公認(rèn)為是最有發(fā)展?jié)摿Φ娘@示裝置。

請同時參閱圖1與圖2，現(xiàn)有的OLED面板通常包括TFT基板100、設(shè)在所述TFT基板100上呈陣列式排布的多個像素單元200、以及填充在各個像素單元200之間對所述呈陣列式排布的多個像素單元200進行分隔的像素隔離層300，其中每一像素單元200內(nèi)設(shè)有一整塊像素電極201，像素電極201上沉積有OLED發(fā)光器件202。具體地，OLED發(fā)光器件202包括依次層疊在像素電極201上的空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層、及陰極，像素電極201同時作為OLED發(fā)光器件202的陽極。OLED發(fā)光器件202的發(fā)光原理為：在一定電壓驅(qū)動下，電子和空穴分別從陰極和陽極注入到電子傳輸層和空穴傳輸層，電子和空穴分別經(jīng)過電子傳輸層和空穴傳輸層遷移到發(fā)光層，并在發(fā)光層中相遇，形成激子并使發(fā)光分子激發(fā)，后者經(jīng)過輻射弛豫而發(fā)出可見光。

在OLED面板制作過程中，由于打印技術(shù)可以大幅降低OLED材料的成本，越來越受到關(guān)注。但是因為目前的打印能力限制，采用打印工藝來制作高解析度(比如4K)OLED面板的困難很大，主要表現(xiàn)在現(xiàn)有的打印方法不能夠在很小的像素單元200中完美打印出OLED發(fā)光器件202，會產(chǎn)生墨水溢流，造成混色等不良。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的在于提供一種OLED面板的制作方法，能夠在不改變打印精度的前提下提高OLED面板的解析度，使得像素電極之間具有穩(wěn)定可靠的絕緣隔離。

本發(fā)明的另一目的在于提供一種OLED面板，其解析度較高，像素電極之間具有穩(wěn)定可靠的絕緣隔離。

為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明首先提供一種OLED面板的制作方法，包括如下步驟：

步驟S1、提供TFT基板；

步驟S2、在所述TFT基板上沉積導(dǎo)電薄膜，并依據(jù)欲形成的呈陣列式排布的多個像素單元對導(dǎo)電薄膜進行圖案化處理，獲得設(shè)在每一像素單元內(nèi)的第一像素電極、及與所述第一像素電極隔斷的第二像素電極；

步驟S3、采用原子層沉積成膜方式沉積絕緣薄膜，并對絕緣薄膜進行圖案化處理，形成像素電極分隔絕緣層；

所述像素電極分隔絕緣層包括縱部、及垂直連接所述縱部的橫部，所述縱部填充在第一像素電極與第二像素電極之間，所述橫部的兩端分別覆蓋第一像素電極相對靠近第二像素電極的部分、及第二像素電極相對靠近第一像素電極的部分；

步驟S4、制作填充在各個欲形成的像素單元之間對所述欲形成的呈陣列式排布的多個像素單元進行分隔的像素隔離層；

步驟S5、對應(yīng)于所述欲形成的呈陣列式排布的多個像素單元在第一像素電極、第二像素電極、與像素電極分隔絕緣層上打印出相應(yīng)數(shù)量的OLED發(fā)光器件；

所述第一像素電極、第二像素電極、像素電極分隔絕緣層、與OLED發(fā)光器件構(gòu)成一像素單元。

所述TFT基板的厚度為

所述導(dǎo)電薄膜的材料為氧化銦錫。

所述絕緣薄膜的材料為氧化硅，厚度為

本發(fā)明還提供一種OLED面板，包括TFT基板、設(shè)在所述TFT基板上呈陣列式排布的多個像素單元、以及填充在各個像素單元之間對所述呈陣列式排布的多個像素單元進行分隔的像素隔離層；

每一像素單元內(nèi)設(shè)有第一像素電極、第二像素電極、對第一像素電極與第二像素電極進行隔斷絕緣的像素電極分隔絕緣層、及沉積在所述第一像素電極、第二像素電極、與像素電極分隔絕緣層上的OLED發(fā)光器件；

所述像素電極分隔絕緣層經(jīng)原子層沉積成膜方式沉積絕緣薄膜后做圖案化處理得到，包括縱部、及垂直連接所述縱部的橫部，所述縱部填充在第一像素電極與第二像素電極之間，所述橫部的兩端分別覆蓋第一像素電極相對靠近第二像素電極的部分、及第二像素電極相對靠近第一像素電極的部分。

所述TFT基板的厚度為

所述第一像素電極與第二像素電極的材料為氧化銦錫。

所述像素電極分隔絕緣層的材料為氧化硅，厚度為

本發(fā)明的有益效果：本發(fā)明提供的一種OLED面板的制作方法，在每一像素單元內(nèi)制作出第一像素電極、及與所述第一像素電極隔斷的第二像素電極，接著采用原子層沉積成膜方式沉積絕緣薄膜后做圖案化處理，形成像素電極分隔絕緣層，像素電極分隔絕緣層的縱部填充在第一像素電極與第二像素電極之間，像素電極分隔絕緣層的橫部的兩端分別覆蓋第一像素電極相對靠近第二像素電極的部分、及第二像素電極相對靠近第一像素電極的部分，然后制作像素隔離層，最后打印出OLED發(fā)光器件，能夠在不改變打印精度的前提下提高OLED面板的解析度，使得一個像素單元內(nèi)的第一像素電極與第二像素電極充分絕緣，減少第一像素電極與第二像素電極之間的橫向漏電。本發(fā)明提供的一種OLED面板，在每一像素單元內(nèi)設(shè)有第一像素電極、第二像素電極、對第一像素電極與第二像素電極進行隔斷絕緣的像素電極分隔絕緣層、及沉積在所述第一像素電極、第二像素電極、與像素電極分隔絕緣層上的OLED發(fā)光器件，所述像素電極分隔絕緣層能夠使得一個像素單元內(nèi)的第一像素電極與第二像素電極充分絕緣，減少第一像素電極與第二像素電極之間的橫向漏電。

附圖說明

為了能更進一步了解本發(fā)明的特征以及技術(shù)內(nèi)容，請參閱以下有關(guān)本發(fā)明的詳細說明與附圖，然而附圖僅提供參考與說明用，并非用來對本發(fā)明加以限制。

附圖中，

圖1為現(xiàn)有的OLED面板的主視示意圖；

圖2為對應(yīng)于圖1中A-A處的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3為本發(fā)明的OLED面板的制作方法的流程圖；

圖4為本發(fā)明的OLED面板的主視示意圖；

圖5為對應(yīng)于圖4中B-B處的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實施方式

為更進一步闡述本發(fā)明所采取的技術(shù)手段及其效果，以下結(jié)合本發(fā)明的優(yōu)選實施例及其附圖進行詳細描述。

請參閱圖3，結(jié)合圖4、與圖5，本發(fā)明首先提供一種OLED面板的制作方法，包括如下步驟：

步驟S1、提供TFT基板1。

具體地，所述TFT基板1的厚度為通常包括玻璃襯底、柵極、掃描線、柵極絕緣層、有源層、層間絕緣層、源極、漏極、數(shù)據(jù)線等，與現(xiàn)有技術(shù)無異，此處不做贅述。

步驟S2、在所述TFT基板1上沉積導(dǎo)電薄膜，并依據(jù)欲形成的呈陣列式排布的多個像素單元2對導(dǎo)電薄膜進行圖案化處理，獲得設(shè)在每一像素單元2內(nèi)的第一像素電極21、及與所述第一像素電極21隔斷的第二像素電極22。

具體地，該步驟2中，所述導(dǎo)電薄膜的材料為氧化銦錫(Indium Tin Oxide，ITO)。

值得注意的是，現(xiàn)有技術(shù)通常是在每一像素單元內(nèi)設(shè)置一整塊像素電極，而上述步驟S2則是在每一像素單元2內(nèi)制作出第一像素電極21、及與所述第一像素電極21隔斷的第二像素電極22，即在一個像素單元中設(shè)置兩塊像素電極(可簡稱為2in 1結(jié)構(gòu))，能夠提高最終制得的OLED面板成品的解析度。

步驟S3、采用原子層沉積成膜(Atomic Layer Deposition，ALD)方式沉積絕緣薄膜，并對絕緣薄膜進行圖案化處理，形成像素電極分隔絕緣層3。

所述像素電極分隔絕緣層3包括縱部31、及垂直連接所述縱部31的橫部32，所述縱部31填充在第一像素電極21與第二像素電極22之間，所述橫部32的兩端分別覆蓋第一像素電極21相對靠近第二像素電極22的部分、及第二像素電極22相對靠近第一像素電極21的部分。

由于ITO經(jīng)蝕刻工藝進行圖案化處理后斜角很不規(guī)整，若采用常規(guī)的化學(xué)沉積方式來制作像素電極分隔絕緣層3，會造成像素電極分隔絕緣層3不能很好地覆蓋第一像素電極21相對靠近第二像素電極22的部分、及第二像素電極22相對靠近第一像素電極21的部分，導(dǎo)致一個像素單元2內(nèi)的第一像素電極21與第二像素電極22不能充分絕緣，二者之間存在橫向漏電的問題；而本發(fā)明采用ALD成膜方式，是將物質(zhì)以單原子膜形式一層一層地鍍在基底表面，可以與第一像素電極21、第二像素電極22的相應(yīng)部分較好的契合，從而經(jīng)該步驟S3制得的所述像素電極分隔絕緣層3能夠使得一個像素單元2內(nèi)的第一像素電極21與第二像素電極22充分絕緣，減少第一像素電極21與第二像素電極22之間的橫向漏電。

具體地，在該步驟3中，所述絕緣薄膜的材料為氧化硅(SiOx)，厚度為

步驟S4、制作填充在各個欲形成的像素單元2之間對所述欲形成的呈陣列式排布的多個像素單元2進行分隔的像素隔離層4。

進一步地，所述像素隔離層4還分別覆蓋每一像素單元2中第一像素電極21遠離像素電極分隔絕緣層3的部分、及第二像素電極22遠離像素電極分隔絕緣層3的部分，保證多個像素單元2之間的充分絕緣。

步驟S5、對應(yīng)于所述欲形成的呈陣列式排布的多個像素單元2在第一像素電極21、第二像素電極22、與像素電極分隔絕緣層3上打印出相應(yīng)數(shù)量的OLED發(fā)光器件5。

所述第一像素電極21、第二像素電極22、像素電極分隔絕緣層3、與OLED發(fā)光器件5構(gòu)成一像素單元2。

具體地，所述OLED發(fā)光器件5包括依次層疊在第一像素電極21、第二像素電極22、與像素電極分隔絕緣層3上的空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層、及陰極，第一像素電極21與第二像素電極22同時作為OLED發(fā)光器件5的陽極。

由于前述步驟在每一像素單元2內(nèi)制作出了第一像素電極21、及第二像素電極22，且制作出像素電極分隔絕緣層3來使得第一像素電極21與第二像素電極22充分絕緣，提高了OLED面板的解析度，該步驟S5并不需要通過提高對OLED發(fā)光器件5的打印精度來提高解析度，有利于打印工藝順利進行。

基于同一發(fā)明構(gòu)思，本發(fā)明還提供一種OLED面板。請同時參閱圖4、與圖5，本發(fā)明的OLED面板包括TFT基板1、設(shè)在所述TFT基板1上呈陣列式排布的多個像素單元2、以及填充在各個像素單元2之間對所述呈陣列式排布的多個像素單元2進行分隔的像素隔離層4。

每一像素單元2內(nèi)設(shè)有第一像素電極21、第二像素電極22、對第一像素電極21與第二像素電極22進行隔斷絕緣的像素電極分隔絕緣層3、及沉積在所述第一像素電極21、第二像素電極22、與像素電極分隔絕緣層3上的OLED發(fā)光器件5。

所述像素電極分隔絕緣層3經(jīng)ALD成膜方式沉積絕緣薄膜后做圖案化處理得到，包括縱部31、及垂直連接所述縱部31的橫部32，所述縱部31填充在第一像素電極21與第二像素電極22之間，所述橫部32的兩端分別覆蓋第一像素電極21相對靠近第二像素電極22的部分、及第二像素電極22相對靠近第一像素電極21的部分。

進一步地，所述像素隔離層4還分別覆蓋每一像素單元2中第一像素電極21遠離像素電極分隔絕緣層3的部分、及第二像素電極22遠離像素電極分隔絕緣3的部分，保證多個像素單元2之間的充分絕緣。

具體地，所述TFT基板1的厚度為通常包括玻璃襯底、柵極、掃描線、柵極絕緣層、有源層、層間絕緣層、源極、漏極、數(shù)據(jù)線等，與現(xiàn)有技術(shù)無異，此處不做贅述；

所述第一像素電極21與第二像素電極22的材料為ITO；

所述像素電極分隔絕緣層3的材料為SiOx，厚度為

所述OLED發(fā)光器件5包括依次層疊在第一像素電極21、第二像素電極22、與像素電極分隔絕緣層3上的空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層、及陰極，第一像素電極21與第二像素電極22同時作為OLED發(fā)光器件5的陽極。

由于本發(fā)明的OLED面板在每一像素單元2內(nèi)設(shè)置第一像素電極21、及與所述第一像素電極21隔斷的第二像素電極22，即采用2in 1結(jié)構(gòu)，能夠提高OLED面板的解析度；由于像素電極分隔絕緣層3采用ALD成膜方式沉積絕緣薄膜后做圖案化處理得到，可以與第一像素電極21、第二像素電極22的相應(yīng)部分較好的契合，從而所述像素電極分隔絕緣層3能夠使得一個像素單元2內(nèi)的第一像素電極21與第二像素電極22充分絕緣，減少第一像素電極21與第二像素電極22之間的橫向漏電。

綜上所述，本發(fā)明的OLED面板的制作方法，在每一像素單元內(nèi)制作出第一像素電極、及與所述第一像素電極隔斷的第二像素電極，接著采用原子層沉積成膜方式沉積絕緣薄膜后做圖案化處理，形成像素電極分隔絕緣層，像素電極分隔絕緣層的縱部填充在第一像素電極與第二像素電極之間，像素電極分隔絕緣層的橫部的兩端分別覆蓋第一像素電極相對靠近第二像素電極的部分、及第二像素電極相對靠近第一像素電極的部分，然后制作像素隔離層，最后打印出OLED發(fā)光器件，能夠在不改變打印精度的前提下提高OLED面板的解析度，使得一個像素單元內(nèi)的第一像素電極與第二像素電極充分絕緣，減少第一像素電極與第二像素電極之間的橫向漏電。本發(fā)明的OLED面板，在每一像素單元內(nèi)設(shè)有第一像素電極、第二像素電極、對第一像素電極與第二像素電極進行隔斷絕緣的像素電極分隔絕緣層、及沉積在所述第一像素電極、第二像素電極、與像素電極分隔絕緣層上的OLED發(fā)光器件，所述像素電極分隔絕緣層能夠使得一個像素單元內(nèi)的第一像素電極與第二像素電極充分絕緣，減少第一像素電極與第二像素電極之間的橫向漏電。

以上所述，對于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，可以根據(jù)本發(fā)明的技術(shù)方案和技術(shù)構(gòu)思作出其他各種相應(yīng)的改變和變形，而所有這些改變和變形都應(yīng)屬于本發(fā)明后附的權(quán)利要求的保護范圍。