本發(fā)明涉及芯片轉(zhuǎn)移技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種芯片轉(zhuǎn)移方法及設(shè)備。

背景技術(shù)：

發(fā)光二極管(英文：lightemittingdiode；簡稱：led)芯片是一種新型的光源芯片，具有體積小、發(fā)熱度小、耗電量低等優(yōu)點，廣泛應(yīng)用于指示燈、交通信號燈、顯示廣告牌等。led芯片通常需要在形成有特定襯底(例如藍寶石、碳化硅等)的基板(以下將形成有特定襯底的基板稱為源基板)上形成，在使用時，需要采用芯片轉(zhuǎn)移設(shè)備將led芯片從源基板轉(zhuǎn)移至目標基板。

相關(guān)技術(shù)中，芯片轉(zhuǎn)移設(shè)備通常包括吸附部以及與吸附部連接的握持部，在進行l(wèi)ed芯片轉(zhuǎn)移時，工作人員或者機械手可以手握握持部，然后通過吸附部吸附位于源基板上的led芯片，之后通過芯片轉(zhuǎn)移設(shè)備將led芯片轉(zhuǎn)移至目標基板上，使led芯片與目標基板上的鍵合單元鍵合，完成led芯片的轉(zhuǎn)移。

在實現(xiàn)本發(fā)明的過程中，發(fā)明人發(fā)現(xiàn)相關(guān)技術(shù)至少存在以下問題：相關(guān)技術(shù)中的芯片轉(zhuǎn)移設(shè)備每次只能轉(zhuǎn)移少量的led芯片，轉(zhuǎn)移效率較低。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

為了解決轉(zhuǎn)移效率較低的問題，本發(fā)明提供一種芯片轉(zhuǎn)移方法及設(shè)備。所述技術(shù)方案如下：

第一方面，提供一種芯片轉(zhuǎn)移設(shè)備，所述芯片轉(zhuǎn)移設(shè)備包括：對合組件和壓合組件，所述對合組件用于分別與源基板的第一板面以及目標基板的第一板面接觸，并控制所述源基板的第二板面與所述目標基板的第二板面相對設(shè)置；

所述壓合組件用于向所述源基板的第一板面和所述目標基板的第一板面施加壓力，使所述源基板的第二板面上的芯片與所述目標基板的第二板面壓合；

其中，任一基板的第一板面和第二板面為相對的板面。

可選地，所述芯片轉(zhuǎn)移設(shè)備還包括：分離組件，所述分離組件用于分別與所述源基板的第一板面和所述目標基板的第一板面接觸，并在所述源基板的第二板面上的芯片與所述目標基板的第二板面壓合后，控制所述源基板的第二板面與芯片分離。

可選地，所述芯片轉(zhuǎn)移設(shè)備還包括：預(yù)接觸組件和/或預(yù)分離組件，所述預(yù)接觸組件用于與所述源基板的第一板面接觸，并向所述源基板施加預(yù)接觸力，使所述源基板的第二板面上的芯片與所述目標基板的第二板面預(yù)接觸；

所述預(yù)分離組件用于與所述源基板的第一板面接觸，并向所述源基板施加預(yù)分離力，使所述源基板的第二板面與芯片預(yù)分離。

可選地，所述對合組件包括：第一導(dǎo)入件和第二導(dǎo)入件，所述第一導(dǎo)入件用于與所述源基板的第一板面接觸，所述第二導(dǎo)入件用于與所述目標基板的第一板面接觸，所述第一導(dǎo)入件與所述第二導(dǎo)入件能夠配合控制所述源基板的第二板面與所述目標基板的第二板面相對設(shè)置；

所述壓合組件包括：第一壓合件和第二壓合件，所述第一壓合件用于與所述源基板的第一板面接觸并向所述源基板的第一板面施加壓力，所述第二壓合件用于與所述目標基板的第一板面接觸并向所述目標基板的第一板面施加壓力；

所述分離組件包括：第一分離件和第二分離件，所述第一分離件用于與所述源基板的第一板面接觸，所述第二分離件用于與所述目標基板的第一板面接觸，所述第一分離件與所述第二分離件能夠配合控制所述源基板的第二板面與芯片分離。

可選地，所述芯片轉(zhuǎn)移設(shè)備包括：所述預(yù)接觸組件和所述預(yù)分離組件，

所述第一導(dǎo)入件、所述第二導(dǎo)入件、所述第一分離件和所述第二分離件分別包括第一導(dǎo)輪組，所述第一壓合件和所述第二壓合件分別包括第二導(dǎo)輪組，所述第一導(dǎo)輪組和所述第二導(dǎo)輪組中的每個導(dǎo)輪組包括共軸的至少一個導(dǎo)輪，所述預(yù)接觸組件包括第一滾輪，所述預(yù)分離組件包括第二滾輪；

所述第一導(dǎo)入件、所述第一滾輪、所述第一壓合件、所述第二滾輪以及所述第一分離件沿預(yù)設(shè)的傳輸方向依次排布，且所述第一導(dǎo)入件的第一導(dǎo)輪組的側(cè)面、所述第一滾輪的側(cè)面、所述第一壓合件的第二導(dǎo)輪組的側(cè)面、所述第二滾輪的側(cè)面以及所述第一分離件的第一導(dǎo)輪組的側(cè)面都能夠與所述源基板的第一板面接觸；

所述第二導(dǎo)入件、所述第二壓合件以及所述第二分離件沿所述預(yù)設(shè)的傳輸方向依次排布，且所述第二導(dǎo)入件的第一導(dǎo)輪組的側(cè)面、所述第二壓合件的第二導(dǎo)輪組的側(cè)面以及所述第二分離件的第一導(dǎo)輪組的側(cè)面都能夠與所述目標基板的第一板面接觸。

可選地，所述芯片轉(zhuǎn)移設(shè)備還包括：控制組件，所述控制組件分別與所述第一導(dǎo)輪組的導(dǎo)輪的軸、所述第二導(dǎo)輪組的導(dǎo)輪的軸、所述第一滾輪的軸以及所述第二滾輪的軸電連接；

所述控制組件用于通過所述第一導(dǎo)輪組的導(dǎo)輪的軸控制所述第一導(dǎo)輪組的導(dǎo)輪滾動，通過所述第二導(dǎo)輪組的導(dǎo)輪的軸控制所述第二導(dǎo)輪組的導(dǎo)輪滾動，通過所述第一滾輪的軸控制所述第一滾輪滾動，通過所述第二滾輪的軸控制所述第二滾輪滾動。

可選地，所述目標基板的第二板面上設(shè)置有多個芯片承接結(jié)構(gòu)，所述對合組件和所述分離組件用于配合控制所述源基板上的芯片與所述多個芯片承接結(jié)構(gòu)中的部分芯片承接結(jié)構(gòu)一一對應(yīng)。

可選地，所述芯片承接結(jié)構(gòu)包括：鍵合單元或承接凹槽，所述承接凹槽能夠與芯片匹配。

可選地，所述承接凹槽的開口面的形狀為圓形、四邊形或不等邊六邊形，所述承接凹槽的深度與相應(yīng)的芯片的高度相等。

第二方面，提供一種芯片轉(zhuǎn)移方法，用于第一方面或第一方面的任一可選方式所述的芯片轉(zhuǎn)移設(shè)備，所述芯片轉(zhuǎn)移設(shè)備包括對合組件和壓合組件，所述方法包括：

通過所述對合組件控制源基板的第二板面與目標基板的第二板面相對設(shè)置；

通過所述壓合組件向所述源基板的第一板面和所述目標基板的第一板面施加壓力，使所述源基板的第二板面上的芯片與所述目標基板的第二板面壓合；

其中，任一基板的第一板面和第二板面為相對的板面。

可選地，所述芯片轉(zhuǎn)移設(shè)備還包括：分離組件，在所述通過所述壓合組件向所述源基板的第一板面和所述目標基板的第一板面施加壓力，使所述源基板的第二板面上的芯片與所述目標基板的第二板面壓合之后，所述方法還包括：

通過所述分離組件控制所述源基板的第二板面與芯片分離。

可選地，所述芯片轉(zhuǎn)移設(shè)備還包括：預(yù)接觸組件和預(yù)分離組件，

在所述通過所述壓合組件向所述源基板的第一板面和所述目標基板的第一板面施加壓力，使所述源基板的第二板面上的芯片與所述目標基板的第二板面壓合之前，所述方法還包括：

通過所述預(yù)接觸組件向所述源基板施加預(yù)接觸力，使所述源基板的第二板面上的芯片與所述目標基板的第二板面預(yù)接觸；

在所述通過所述壓合組件向所述源基板的第一板面和所述目標基板的第一板面施加壓力，使所述源基板的第二板面上的芯片與所述目標基板的第二板面壓合之后，所述方法還包括：

通過所述預(yù)分離組件向所述源基板施加預(yù)分離力，使所述源基板的第二板面與芯片預(yù)分離。

可選地，所述目標基板的第二板面上設(shè)置有多個芯片承接結(jié)構(gòu)，在所述通過所述預(yù)接觸組件向所述源基板施加預(yù)接觸力，使所述源基板的第二板面上的芯片與所述目標基板的第二板面預(yù)接觸之前，所述方法還包括：

通過所述對合組件和所述分離組件配合，控制所述源基板的第二板面上的芯片與所述多個芯片承接結(jié)構(gòu)中的部分芯片承接結(jié)構(gòu)一一對應(yīng)；

所述通過所述預(yù)接觸組件向所述源基板施加預(yù)接觸力，使所述源基板的第二板面上的芯片與所述目標基板的第二板面預(yù)接觸，包括：

通過所述預(yù)接觸組件向所述源基板施加預(yù)接觸力，使所述源基板的第二板面上的芯片與相應(yīng)的芯片承接結(jié)構(gòu)預(yù)接觸。

可選地，所述芯片承接結(jié)構(gòu)包括：鍵合單元，所述通過所述壓合組件向所述源基板的第一板面和所述目標基板的第一板面施加壓力，使所述源基板的第二板面上的芯片與所述目標基板的第二板面壓合，包括：

在預(yù)設(shè)環(huán)境條件下，通過所述壓合組件向所述源基板的第一板面和所述目標基板的第一板面施加壓合力，使所述源基板的第二板面上的芯片與相應(yīng)的鍵合單元鍵合；

其中，所述預(yù)設(shè)環(huán)境條件包括：1～2個標準大氣壓、280納米～380納米的紫外光照和90攝氏度～900攝氏度中的至少一種。

本發(fā)明提供的技術(shù)方案帶來的有益效果是：

本發(fā)明提供的芯片轉(zhuǎn)移方法及設(shè)備，由于在對合組件將源基板的第二板面和目標基板的第二板面相對設(shè)置后，壓合組件能夠向源基板的第一板面和目標基板的第一板面施加壓力，使源基板的第二板面上的芯片與目標基板的第二板面壓合，將源基板上的芯片轉(zhuǎn)移至目標基板上，因此可以將大規(guī)模芯片從源基板轉(zhuǎn)移至目標基板，解決了相關(guān)技術(shù)中芯片轉(zhuǎn)移效率較低的問題，提高了芯片轉(zhuǎn)移效率。

應(yīng)當(dāng)理解的是，以上的一般描述和后文的細節(jié)描述僅是示例性的，并不能限制本發(fā)明。

附圖說明

為了更清楚地說明本發(fā)明實施例中的技術(shù)方案，下面將對實施例描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。

圖1是本發(fā)明實施例提供的一種形成有芯片的源基板的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2是本發(fā)明實施例提供的一種形成有l(wèi)ed外延片的源基板的部分區(qū)域的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3是對圖2所示的led外延片進行處理后的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖4是本發(fā)明實施例提供的一種形成有l(wèi)ed外延片的第二襯底的部分區(qū)域的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖5是本發(fā)明實施例提供的一種源基板的俯視圖；

圖6是將圖4所示的led外延片與源基板鍵合后的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖7是本發(fā)明實施例提供的一種將led外延片至源基板后的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖8是對圖7所示的led外延片進行處理后的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖9是本發(fā)明實施例提供的一種目標基板的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖10是本發(fā)明實施例提供的另一種目標基板的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖11是本發(fā)明實施例提供的一種芯片轉(zhuǎn)移設(shè)備的應(yīng)用場景圖；

圖12是本發(fā)明實施例提供的一種芯片轉(zhuǎn)移方法的方法流程圖；

圖13是本發(fā)明實施例提供的另一種芯片轉(zhuǎn)移方法的方法流程圖；

圖14是圖11的部分區(qū)域的放大圖；

圖15是圖11的部分區(qū)域的放大圖；

圖16是圖11的部分區(qū)域的放大圖；

圖17是圖11的部分區(qū)域的放大圖；

圖18是圖11的部分區(qū)域的放大圖。

此處的附圖被并入說明書中并構(gòu)成本說明書的一部分，示出了符合本發(fā)明的實施例，并與說明書一起用于解釋本發(fā)明的原理。

具體實施方式

為了使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點更加清楚，下面將結(jié)合附圖對本發(fā)明作進一步地詳細描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發(fā)明一部分實施例，而不是全部的實施例。基于本發(fā)明中的實施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其它實施例，都屬于本發(fā)明保護的范圍。

請參考圖1，其示出了本發(fā)明實施例提供的一種形成有芯片02的源基板01的結(jié)構(gòu)示意圖，參見圖1，源基板01包括襯底基板011以及形成在襯底基板011上的第一襯底012，芯片02位于第一襯底012上。

其中，襯底基板011可以為柔性基板，該襯底基板011的形成材料可以包括：聚對苯二甲酸乙二酯(英文：polyethyleneterephthalate；簡稱：pet)、聚甲基丙烯酸甲酯(英文：polymethylmethacrylate；簡稱：pmma)、聚酰亞胺(英文：polyimide；簡稱：pi)或者硅系有機物；或者，該襯底基板011的形成材料可以包括：無機玻璃、陶瓷、有機物復(fù)合材料等；第一襯底012可以為采用石墨烯或者其他六方二維結(jié)構(gòu)晶體形成的襯底，且第一襯底012可以是單層或多層，其中，石墨烯具有層間無化學(xué)鍵結(jié)構(gòu)，超高的導(dǎo)電導(dǎo)熱性能，易于分離等優(yōu)點，可作為優(yōu)秀的電極材料，其他六方二維結(jié)構(gòu)晶體可以為二維平面內(nèi)存在有序的化學(xué)鍵且其他維度上不存在化學(xué)鍵或者存在能量很小的化學(xué)鍵的晶體，本發(fā)明實施例對此不作限定。

其中，芯片02可以為led芯片，且具體可以為尺寸在1微米～200微米之間的微型led芯片。本發(fā)明實施例以芯片02為led芯片為例進行說明，則芯片02也即是led芯片02。在本發(fā)明實施例中，可以采用兩種方案在圖1所示的第一襯底012上形成led芯片02，該兩種方案包括：

第一種方案：在圖1所示的第一襯底012上生長led外延片，并采用該led外延片在第一襯底012上形成led芯片02。

具體地，可以以gan(中文：氮化鎵)等寬帶系晶體為材料，通過濺射或者金屬有機化合物化學(xué)氣相淀積(英文：metal-organicchemicalvapordeposition；簡稱：mocvd)的方式在圖1所示的第一襯底012上生長厚度為1微米～50微米的led外延片，然后依次通過掩膜工藝、光刻工藝、清洗工藝、刻蝕工藝、激光工藝等對led外延片進行處理，之后在處理后的外延片上形成電極得到led芯片02。其中，刻蝕工藝可以包括濕法刻蝕工藝或干法刻蝕工藝。在通過掩膜工藝、光刻工藝、清洗工藝、刻蝕工藝對led外延片進行處理的過程中，可以形成led芯片02的隔離槽，該隔離槽也即是led芯片02的溝道。其中，芯片02可以gan基芯片，其可以包括：電極、n型摻雜半導(dǎo)體、有源層、p型摻雜半導(dǎo)體、電極。

示例地，如圖2所示，其示出了本發(fā)明實施例提供的一種形成有l(wèi)ed外延片的源基板01的部分區(qū)域的結(jié)構(gòu)示意圖，參見圖2，源基板01的襯底基板011上形成有第一襯底012，第一襯底012上形成有l(wèi)ed外延片(圖2中未標出)，該led外延片包括：從靠近第一襯底012到遠離第一襯底012依次疊加的p型摻雜半導(dǎo)體021、有源層022和n型摻雜半導(dǎo)體023，有源層022可以為多層量子阱結(jié)構(gòu)，例如alingan(中文：鋁銦鎵氮)。如圖3所示，其示出的是對圖2所示的led外延片進行處理后的結(jié)構(gòu)示意圖，參見圖3，可以依次通過掩膜工藝、光刻工藝、清洗工藝、刻蝕工藝、激光工藝等對led外延片進行處理，之后在處理后的外延片上形成電極(圖3中未示出)得到led芯片02，該led芯片02包括隔離槽(溝道)g。

第二種方案：在第二襯底上生長led外延片，然后將led外延片從第二襯底轉(zhuǎn)移至圖1中的第一襯底012上，并采用該led外延片在第一襯底012上形成led芯片02，其中，該第二襯底可以為藍寶石襯底、sic(中文：碳化硅)襯底或si(中文：硅)襯底。

具體地，可以以gan等寬帶系晶體為材料，通過濺射或者mocvd的方式在第二襯底上生長厚度為1微米～50微米的led外延片，然后將led外延片從第二襯底轉(zhuǎn)移至圖1所示的第一襯底012上，并依次通過掩膜工藝、光刻工藝、清洗工藝、刻蝕工藝、激光工藝等對led外延片進行處理，之后在處理后的外延片上形成電極得到led芯片02。

示例地，請參考圖4，其示出了本發(fā)明實施例提供的一種在第二襯底031上形成led外延片(圖4中未標出)后的結(jié)構(gòu)示意圖，參見圖4，第二襯底031上形成有過渡層032，led外延片生長在過渡層032上，該led外延片包括：從遠離過渡層032到靠近過渡層032依次疊加的p型摻雜半導(dǎo)體021、有源層022和n型摻雜半導(dǎo)體023，有源層022可以為多層量子阱結(jié)構(gòu)，例如alingan。

如圖5所示，其示出了本發(fā)明實施例提供的一種源基板01的俯視圖，參見圖5，源基板01包括襯底基板011以及形成在襯底基板011上的第一襯底012。本發(fā)明實施例中，如圖6所示，可以將圖4所示的第二襯底031與圖5所示的源基板01相對設(shè)置，使led外延片的p型摻雜半導(dǎo)體021與源基板01的第一襯底012相對并鍵合，之后剝離第二襯底031和過渡層032，得到如圖7所示的結(jié)構(gòu)，至此，將led外延片從第二襯底031上轉(zhuǎn)移至第一襯底012上。其中，可以采用激光剝離或離子反應(yīng)刻蝕的方式剝離第二襯底031和過渡層032，本發(fā)明實施例對此不作限定。

將led外延片轉(zhuǎn)移至第一襯底012上之后，可以依次通過掩膜工藝、光刻工藝、清洗工藝、刻蝕工藝、激光工藝等對led外延片進行處理，之后在處理后的外延片上形成電極得到led芯片02，對led外延片進行處理后的結(jié)構(gòu)示意圖如圖8所示，在通過掩膜工藝、光刻工藝、清洗工藝、刻蝕工藝、激光工藝對led外延片進行處理的過程中，可以形成led芯片02的隔離槽g。

需要說明的是，本發(fā)明實施例中，led外延片的厚度優(yōu)選為1微米～10微米，led芯片02可以是正裝led芯片、倒裝led芯片或者垂直結(jié)構(gòu)led芯片，本發(fā)明實施例對此不作限定。

本發(fā)明實施例還提供了一種目標基板，該目標基板可以為柔性基板，其形成材料可以包括：pet、pmma、pi或者硅系有機物；或者，該目標基板的形成材料可以包括：無機玻璃、陶瓷、有機物復(fù)合材料等。該目標基板可以包括相對設(shè)置的第一板面和第二板面，且第二板面上設(shè)置有多個芯片承接結(jié)構(gòu)，以便于在芯片轉(zhuǎn)移的過程中承接芯片。其中，芯片承接結(jié)構(gòu)可以為鍵合單元或承接凹槽，本發(fā)明實施例對此不作限定。

示例地，請參考圖9，其示出了本發(fā)明實施例提供的一種目標基板04的結(jié)構(gòu)示意圖，參見圖9，目標基板04包括相對設(shè)置的第一板面(圖9中未標出)和第二板面(圖9中未標出)，該第二板面上設(shè)置有多個鍵合單元041，該鍵合單元041能夠與芯片鍵合，以便將芯片轉(zhuǎn)移至目標基板04的第二板面上。其中，鍵合單元041可以包括多個鍵合結(jié)構(gòu)，每個鍵合單元041中可以包括第一鍵合結(jié)構(gòu)和第二鍵合結(jié)構(gòu)，第一鍵合結(jié)構(gòu)和第二鍵合結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)可以相同，且第一鍵合結(jié)構(gòu)和第二鍵合結(jié)構(gòu)交錯排布，在本發(fā)明實施例中，第一鍵合結(jié)構(gòu)的形成材料可以為優(yōu)質(zhì)導(dǎo)熱導(dǎo)電材料，例如au(中文：金)、ausn(中文：錫化金)等，第二鍵合結(jié)構(gòu)的形成材料可以為紫外線(英文：ultraviolet；簡稱：uv)固化敏感有機物，在本發(fā)明實施例中，鍵合單元041中的鍵合結(jié)構(gòu)的數(shù)量為1～6個，優(yōu)選為2～3個，本發(fā)明實施例對此不作限定。在本發(fā)明實施例中，可以采用噴涂工藝、刻蝕工藝、轉(zhuǎn)印工藝等在目標基板04的第二板面上形成鍵合單元041，本發(fā)明實施例對此不作限定。

示例地，請參考圖10，其示出了本發(fā)明實施例提供的另一種目標基板04的結(jié)構(gòu)示意圖，參見圖10，目標基板04包括相對設(shè)置的第一板面(圖10中未標出)和第二板面(圖10中未標出)，該第二板面上設(shè)置有多個承接凹槽042，該承接凹槽042能夠與芯片配合，以便將芯片轉(zhuǎn)移至目標基板04的第二板面上。其中，承接凹槽042的開口面的形狀可以為圓形、四邊形或不等邊六邊形，承接凹槽042的深度可以與相應(yīng)的芯片的高度相等。示例地，當(dāng)承接凹槽042的開口面的形狀為四邊形時，承接凹槽042的長度的取值范圍可以為3微米～200微米，寬度的取值范圍可以為3微米～200微米，深度的取值范圍可以為1微米～100微米。優(yōu)選地，承接凹槽042的尺寸為：長度*寬度*深度＝10微米*10微米*5微米。在本發(fā)明實施例中，可以采用激光工藝、光刻工藝等在目標基板04的第二板面上形成承接凹槽042，優(yōu)選地，采用光刻工藝目標基板04的第二板面上形成承接凹槽042，且使用hf(中文：氟化氫)對目標基板04的第二板面進行刻蝕。

需要說明的是，本發(fā)明實施例提供的上述兩種目標基板僅僅是示例性的，本發(fā)明實施例不對目標基板的結(jié)構(gòu)作限定。

請參考圖11，其示出了本發(fā)明實施例提供的一種芯片轉(zhuǎn)移設(shè)備05的應(yīng)用場景圖，該芯片轉(zhuǎn)移設(shè)備05可以用于將源基板上的芯片轉(zhuǎn)移至目標基板，其中，源基板可以為圖1所示的源基板01，目標基板可以為圖9或圖10所示的目標基板04。參見圖11，該芯片轉(zhuǎn)移設(shè)備05包括：對合組件051和壓合組件052。

對合組件051用于分別與源基板01的第一板面(圖11中未標出)以及目標基板04的第一板面(圖11中未標出)接觸，并控制源基板01的第二板面(圖11中未標出)與目標基板04的第二板面(圖11中未標出)相對設(shè)置；

壓合組件052用于向源基板01的第一板面和目標基板04的第一板面施加壓力，使源基板01的第二板面上的芯片02與目標基板04的第二板面壓合；

其中，任一基板的第一板面和第二板面為相對的板面。

綜上所述，本發(fā)明實施例提供的芯片轉(zhuǎn)移設(shè)備，由于在對合組件控制源基板的第二板面和目標基板的第二板面相對設(shè)置后，壓合組件能夠向源基板的第一板面和目標基板的第一板面施加壓力，使源基板的第二板面上的芯片與目標基板的第二板面壓合，因此可以將大規(guī)模芯片從源基板轉(zhuǎn)移至目標基板，解決了相關(guān)技術(shù)中芯片轉(zhuǎn)移效率較低的問題，提高了芯片轉(zhuǎn)移效率。

進一步地，請繼續(xù)參考圖11，該芯片轉(zhuǎn)移設(shè)備05還包括：分離組件053，分離組件053用于分別與源基板01的第一板面和目標基板04的第一板面接觸，并在源基板01的第二板面上的芯片02與目標基板04的第二板面壓合后，控制源基板01的第二板面與芯片02分離。

可選地，該芯片轉(zhuǎn)移設(shè)備05還包括：預(yù)接觸組件054和/或預(yù)分離組件055，預(yù)接觸組件054用于與源基板01的第一板面接觸，并向源基板01施加預(yù)接觸力，使源基板01的第二板面上的芯片02與目標基板04的第二板面預(yù)接觸；預(yù)分離組件055用于與源基板01的第一板面接觸，并向源基板01施加預(yù)分離力，使源基板01的第二板面與芯片02預(yù)分離。

可選地，如圖11所示，對合組件051包括：第一導(dǎo)入件0511和第二導(dǎo)入件0512，第一導(dǎo)入件0511用于與源基板01的第一板面接觸，第二導(dǎo)入件0512用于與目標基板04的第一板面接觸，第一導(dǎo)入件0511與第二導(dǎo)入件0512能夠配合控制源基板01的第二板面與目標基板04的第二板面相對設(shè)置。

壓合組件052包括：第一壓合件0521和第二壓合件0522，第一壓合件0521用于與源基板01的第一板面接觸并向源基板01的第一板面施加壓力，第二壓合件0522用于與目標基板04的第一板面接觸并向目標基板04的第一板面施加壓力。需要說明的是，本發(fā)明實施例中的壓合組件052僅僅是示例性的，實際應(yīng)用中，壓合組件052還可以為其他結(jié)構(gòu)，例如壓合組件052可以包括兩塊壓合板，該兩塊壓合板中的一塊壓合板可以在源基板01的第一板面上向源基板01施加壓力，另一塊壓合板可以在目標基板04的第一板面上向目標基板04施加壓力，以使源基板01的第二板面上的芯片02與目標基板04的第二板面壓合，本發(fā)明實施例對此不作限定。

分離組件053包括：第一分離件0531和第二分離件0532，第一分離件0531用于與源基板01的第一板面接觸，第二分離件0532用于與目標基板04的第一板面接觸，第一分離件0531與第二分離件0532能夠配合控制源基板01的第二板面與芯片02分離。需要說明的是，本發(fā)明實施例中的分離組件053僅僅是示例性的，實際應(yīng)用中，分離組件053還可以為其他結(jié)構(gòu)，例如分離組件053可以為與源基板01連接的拉伸件，通過拉伸件可以向源基板01施加拉力，以拉動源基板01，使源基板01的第二板面與芯片02分離，本發(fā)明實施例對此不作限定。

可選地，在本發(fā)明實施例中，芯片轉(zhuǎn)移設(shè)備05包括：預(yù)接觸組件054和預(yù)分離組件055，第一導(dǎo)入件0511、第二導(dǎo)入件0512、第一分離件0531和第二分離件0532分別包括第一導(dǎo)輪組(圖11中未標出)，第一壓合件0521和第二壓合件0522分別包括第二導(dǎo)輪組(圖11中未標出)，第一導(dǎo)輪組和第二導(dǎo)輪組中的每個導(dǎo)輪組包括共軸的至少一個導(dǎo)輪，預(yù)接觸組件054包括第一滾輪(圖11中未標出)，預(yù)分離組件055包括第二滾輪；第一導(dǎo)入件0511、第一滾輪、第一壓合件0521、第二滾輪以及第一分離件0531沿預(yù)設(shè)的傳輸方向s依次排布，且第一導(dǎo)入件0511的第一導(dǎo)輪組的側(cè)面、第一滾輪的側(cè)面、第一壓合件0521的第二導(dǎo)輪組的側(cè)面、第二滾輪的側(cè)面以及第一分離件0531的第一導(dǎo)輪組的側(cè)面都能夠與源基板01的第一板面接觸，第二導(dǎo)入件0512、第二壓合件0522以及第二分離件0532沿預(yù)設(shè)的傳輸方向s依次排布，且第二導(dǎo)入件0512的第一導(dǎo)輪組的側(cè)面、第二壓合件0522的第二導(dǎo)輪組的側(cè)面以及第二分離件0532的第一導(dǎo)輪組的側(cè)面都能夠與目標基板04的第一板面接觸。

可選地，芯片轉(zhuǎn)移設(shè)備05還包括：控制組件(圖11中未示出)，控制組件分別與第一導(dǎo)輪組的導(dǎo)輪的軸、第二導(dǎo)輪組的導(dǎo)輪的軸、第一滾輪的軸以及第二滾輪的軸電連接；控制組件用于通過第一導(dǎo)輪組的導(dǎo)輪的軸控制第一導(dǎo)輪組的導(dǎo)輪滾動，通過第二導(dǎo)輪組的導(dǎo)輪的軸控制第二導(dǎo)輪組的導(dǎo)輪滾動，通過第一滾輪的軸控制第一滾輪滾動，通過第二滾輪的軸控制第二滾輪滾動。也即是，控制組件用于控制對合組件051、壓合組件052、分離組件053、預(yù)接觸組件054和預(yù)分離組件055實現(xiàn)相應(yīng)的功能。

可選地，在本發(fā)明實施例中，目標基板04的第二板面上設(shè)置有多個芯片承接結(jié)構(gòu)(圖11中未標出)，該芯片承接結(jié)構(gòu)用于承接芯片以便于芯片轉(zhuǎn)移，對合組件051和分離組件053用于配合控制源基板01上的芯片02與多個芯片承接結(jié)構(gòu)中的部分芯片承接結(jié)構(gòu)一一對應(yīng)，在源基板01上的芯片02與多個芯片承接結(jié)構(gòu)中的部分芯片承接結(jié)構(gòu)一一對應(yīng)之后，壓合組件052能夠向源基板01和目標基板04施加壓力，使源基板01上的芯片與相應(yīng)的芯片承接結(jié)構(gòu)壓合，之后分離組件053能夠控制源基板01的第二板面與芯片02分離，完成芯片的轉(zhuǎn)移。

綜上所述，本發(fā)明實施例提供的芯片轉(zhuǎn)移設(shè)備，由于在對合組件控制源基板的第二板面和目標基板的第二板面相對設(shè)置后，壓合組件能夠向源基板的第一板面和目標基板的第一板面施加壓力，使源基板的第二板面上的芯片與目標基板的第二板面壓合，因此可以將大規(guī)模芯片從源基板轉(zhuǎn)移至目標基板，解決了相關(guān)技術(shù)中芯片轉(zhuǎn)移效率較低的問題，提高了芯片轉(zhuǎn)移效率。

本發(fā)明實施例提供的芯片轉(zhuǎn)移設(shè)備，能夠采用卷對卷(英文：rolltoroll；簡稱：r2r)的轉(zhuǎn)移方式，快速的將源基板上按照特定的矩陣排列的大量芯片轉(zhuǎn)移至目標基板上，解決了microled(微型led)顯示技術(shù)中芯片轉(zhuǎn)移的難題，提高了芯片轉(zhuǎn)移效率，使得microled可實現(xiàn)批量化生產(chǎn)。

本發(fā)明實施例提供的芯片轉(zhuǎn)移設(shè)備可以應(yīng)用于下文的芯片轉(zhuǎn)移方法，本發(fā)明實施例中芯片轉(zhuǎn)移設(shè)備和芯片轉(zhuǎn)移原理可以參見下文各實施例中的描述。

請參考圖12，其示出了本發(fā)明實施例提供的一種芯片轉(zhuǎn)移方法的方法流程圖，該芯片轉(zhuǎn)移方法可以用于圖11所示的芯片轉(zhuǎn)移設(shè)備05，如圖11所示，該芯片轉(zhuǎn)移設(shè)備05可以包括對合組件051和壓合組件052。參見圖12，該芯片轉(zhuǎn)移方法包括：

步驟1201、通過對合組件控制源基板的第二板面與目標基板的第二板面相對設(shè)置。

步驟1202、通過壓合組件向源基板的第一板面和目標基板的第一板面施加壓力，使源基板的第二板面上的芯片與目標基板的第二板面壓合。

其中，任一基板的第一板面和第二板面為相對的板面。

綜上所述，本發(fā)明實施例提供的芯片轉(zhuǎn)移方法，由于在對合組件控制源基板的第二板面和目標基板的第二板面相對設(shè)置后，壓合組件能夠向源基板的第一板面和目標基板的第一板面施加壓力，使源基板的第二板面上的芯片與目標基板的第二板面壓合，因此可以將大規(guī)模芯片從源基板轉(zhuǎn)移至目標基板，解決了相關(guān)技術(shù)中芯片轉(zhuǎn)移效率較低的問題，提高了芯片轉(zhuǎn)移效率。

可選地，如圖11所示，該芯片轉(zhuǎn)移設(shè)備05還包括：分離組件053，在步驟1202之后，該方法還包括：通過分離組件控制源基板的第二板面與芯片分離。

可選地，如圖11所示，該芯片轉(zhuǎn)移設(shè)備05還包括：預(yù)接觸組件054和預(yù)分離組件055，

在步驟1202之前，該方法還包括：通過預(yù)接觸組件向源基板施加預(yù)接觸力，使源基板的第二板面上的芯片與目標基板的第二板面預(yù)接觸；

在步驟1202之后，該方法還包括：通過預(yù)分離組件向源基板施加預(yù)分離力，使源基板的第二板面與芯片預(yù)分離。

可選地，目標基板的第二板面上設(shè)置有多個芯片承接結(jié)構(gòu)，在通過預(yù)接觸組件向源基板施加預(yù)接觸力，使源基板的第二板面上的芯片與目標基板的第二板面預(yù)接觸之前，該方法還包括：通過對合組件和分離組件配合，控制源基板的第二板面上的芯片與多個芯片承接結(jié)構(gòu)中的部分芯片承接結(jié)構(gòu)一一對應(yīng)；

通過預(yù)接觸組件向源基板施加預(yù)接觸力，使源基板的第二板面上的芯片與目標基板的第二板面預(yù)接觸，包括：通過預(yù)接觸組件向源基板施加預(yù)接觸力，使源基板的第二板面上的芯片與相應(yīng)的芯片承接結(jié)構(gòu)預(yù)接觸。

可選地，芯片承接結(jié)構(gòu)包括：鍵合單元，通過壓合組件向源基板的第一板面和目標基板的第一板面施加壓力，使源基板的第二板面上的芯片與目標基板的第二板面壓合，包括：在預(yù)設(shè)環(huán)境條件下，通過壓合組件向源基板的第一板面和目標基板的第一板面施加壓合力，使源基板的第二板面上的芯片與相應(yīng)的鍵合單元鍵合；其中，預(yù)設(shè)環(huán)境條件包括：1～2個標準大氣壓、280納米～380納米的紫外光照和90攝氏度～900攝氏度中的至少一種。

上述所有可選技術(shù)方案，可以采用任意結(jié)合形成本發(fā)明的可選實施例，在此不再一一贅述。

綜上所述，本發(fā)明實施例提供的芯片轉(zhuǎn)移方法，由于在對合組件控制源基板的第二板面和目標基板的第二板面相對設(shè)置后，壓合組件能夠向源基板的第一板面和目標基板的第一板面施加壓力，使源基板的第二板面上的芯片與目標基板的第二板面壓合，因此可以將大規(guī)模芯片從源基板轉(zhuǎn)移至目標基板，解決了相關(guān)技術(shù)中芯片轉(zhuǎn)移效率較低的問題，提高了芯片轉(zhuǎn)移效率。

請參考圖13，其示出了本發(fā)明實施例提供的另一種芯片轉(zhuǎn)移方法的方法流程圖，該芯片轉(zhuǎn)移方法可以用于圖11所示的芯片轉(zhuǎn)移設(shè)備05，如圖11所示，該芯片轉(zhuǎn)移設(shè)備05包括對合組件051、壓合組件052、分離組件053、預(yù)接觸組件054和預(yù)分離組件055，且該芯片轉(zhuǎn)移設(shè)備05還可以包括控制組件，本發(fā)明實施例提供的芯片轉(zhuǎn)移方法可以由控制組件來執(zhí)行。參見圖13，該芯片轉(zhuǎn)移方法包括：

步驟1301、通過對合組件控制源基板的第二板面與目標基板的第二板面相對設(shè)置。

在本發(fā)明實施例中，源基板和目標基板均包括相對設(shè)置的第一板面和第二板面。如圖11所示，對合組件051包括第一導(dǎo)入件0511和第二導(dǎo)入件0512，且第一導(dǎo)入件0511和第二導(dǎo)入件0512分別包括第一導(dǎo)輪組(圖11中未標出)，每個第一導(dǎo)輪組中包括共軸的至少一個導(dǎo)輪，每個第一導(dǎo)輪組的導(dǎo)輪的軸與控制組件電連接。

如圖11所示，在本發(fā)明實施例中，工作人員或者機械手可以將源基板01的一端設(shè)置在第一導(dǎo)入件0511的下方(也即是第一導(dǎo)入件0511靠近第二導(dǎo)入件0512的一側(cè))，使第一導(dǎo)入件0511的第一導(dǎo)輪組的側(cè)面與源基板01的第一板面接觸，然后控制組件控制第一導(dǎo)入件0511的第一導(dǎo)輪組的導(dǎo)輪沿傳輸方向s滾動，通過第一導(dǎo)入件0511的第一導(dǎo)輪組的導(dǎo)輪的滾動將源基板01導(dǎo)入芯片轉(zhuǎn)移設(shè)備05；與此同時，工作人員或者機械手可以將目標基板04的一端設(shè)置在第二導(dǎo)入件0512的上方(也即是第二導(dǎo)入件0512靠近第一導(dǎo)入件0511的一側(cè))，使第二導(dǎo)入件0512的第一導(dǎo)輪組的側(cè)面與目標基板04的第一板面接觸，然后控制組件控制第二導(dǎo)入件0512的第一導(dǎo)輪組的導(dǎo)輪沿傳輸方向s滾動，通過第二導(dǎo)入件0512的第一導(dǎo)輪組的導(dǎo)輪的滾動將目標基板02導(dǎo)入芯片轉(zhuǎn)移設(shè)備05。由于第一導(dǎo)入件0511和第二導(dǎo)入件0512同時導(dǎo)入源基板01和目標基板02，因此，通過第一導(dǎo)入件0511和第二導(dǎo)入件0512的配合可以使源基板01的第二板面與目標基板04的第二板面相對設(shè)置。

步驟1302、通過對合組件和分離組件配合，控制源基板的第二板面上的芯片與目標基板的第二板面上的芯片承接結(jié)構(gòu)一一對應(yīng)。

如圖11所示，分離組件053包括第一分離件0531和第二分離件0532，且第一分離件0531和第二分離件0532分別包括第一導(dǎo)輪組(圖11中未標出)，每個第一導(dǎo)輪組中包括共軸的至少一個導(dǎo)輪，且每個第一導(dǎo)輪組的導(dǎo)輪的軸可以與控制組件電連接。本發(fā)明實施例中，控制組件在執(zhí)行步驟1301的同時，可以控制第一分離件0531的第一導(dǎo)輪組的導(dǎo)輪沿傳輸方向s滾動，并控制第二導(dǎo)入件0512的第一導(dǎo)輪組的導(dǎo)輪沿傳輸方向s滾動，在控制組件控制各個分離件的導(dǎo)輪組和各個導(dǎo)入件的導(dǎo)輪組的導(dǎo)輪滾動的同時，還可以通過控制各個導(dǎo)輪組的導(dǎo)輪的滾動速度，使源基板01的第二板面上的芯片02與目標基板04的第二板面上的芯片承接結(jié)構(gòu)一一對應(yīng)。

本發(fā)明實施例提供的芯片轉(zhuǎn)移設(shè)備50可以實現(xiàn)單色芯片(led芯片)的轉(zhuǎn)移，也可以實現(xiàn)多色芯片(led芯片)的轉(zhuǎn)移。其中，單色芯片為一種顏色的芯片(例如紅色芯片)，多色芯片指的是多種顏色的芯片，每種芯片為一種顏色的芯片，例如，多色芯片可以為rgb(紅綠藍)三色芯片、rgbw(紅綠藍白)四色芯片、rgby(紅綠藍黃)四色芯片等。本發(fā)明實施例提供的芯片轉(zhuǎn)移設(shè)備50可以通過一次轉(zhuǎn)移將單色芯片從源基板轉(zhuǎn)移至目標基板上，也可以通過多次轉(zhuǎn)移將多色芯片從源基板轉(zhuǎn)移至目標基板上，例如，通過三次轉(zhuǎn)移將rgb三色芯片從源基板轉(zhuǎn)移至目標基板上。在該步驟1302中，當(dāng)對單色芯片進行轉(zhuǎn)移時，源基板的第二板面上的芯片與目標基板的第二板面上的芯片承接結(jié)構(gòu)一一對應(yīng)可以是指：源基板的第二板面上的所有芯片與目標基板的第二板面上的所有芯片承接結(jié)構(gòu)一一對應(yīng)，當(dāng)對多色芯片進行轉(zhuǎn)移時，源基板的第二板面上的芯片與目標基板的第二板面上的芯片承接結(jié)構(gòu)一一對應(yīng)可以是指：源基板的第二板面上的芯片與目標基板的第二板面上的部分芯片承接結(jié)構(gòu)一一對應(yīng)，且具有一定的對應(yīng)規(guī)則。其中，如圖9和圖10所示，在本發(fā)明實施例中，芯片承接結(jié)構(gòu)可以為鍵合單元或承接凹槽，本發(fā)明實施例對此不作限定。

示例地，如圖14和圖15所示，其分別示出了對單色芯片進行轉(zhuǎn)移時圖11所示的場景圖的不同區(qū)域的放大圖，且圖14以芯片承接結(jié)構(gòu)為鍵合單元，圖15以芯片承接結(jié)構(gòu)為承接凹槽為例進行說明，參見圖14，源基板01的第二板面上的芯片02與目標基板04的第二板面上的鍵合單元041一一對應(yīng)，參見圖15，源基板01的第二板面上的芯片02與目標基板04的第二板面上的承接凹槽042一一對應(yīng)。

示例地，請參考圖16，其示出了對多色芯片進行轉(zhuǎn)移時圖11所示的場景圖的部分區(qū)域的放大圖，該圖16以多色芯片為三色芯片且以芯片承接結(jié)構(gòu)為鍵合單元為例進行說明，參見圖16，源基板01的第二板面上的芯片02與目標基板04的第二板面上的部分鍵合單元041一一對應(yīng)，且芯片02與鍵合單元041具有一定的對應(yīng)規(guī)則。具體地，目標基板04的第二板面上的鍵合單元041中，在同一行(或列)鍵合單元041中，每隔兩個鍵合單元041存在一個鍵合單元041與一個芯片02一一對應(yīng)。其中，該圖16是以第一次向目標基板轉(zhuǎn)移芯片為例進行說明的，當(dāng)不是第一次(例如第二次)向目標基板轉(zhuǎn)移芯片時，目標基板上的鍵合單元中，在同一行(或列)鍵合單元中，每隔兩個鍵合單元存在一個鍵合單元與一個芯片一一對應(yīng)，且該兩個鍵合單元中存在至少一個鍵合單元已與芯片鍵合。示例地，請參考圖17，其示出了對多色芯片進行轉(zhuǎn)移時圖11所示的場景圖的部分區(qū)域的放大圖，該圖17以多色芯片為三色芯片且以芯片承接結(jié)構(gòu)為承接凹槽為例進行說明，參見圖17，源基板01的第二板面上的芯片02與目標基板04的第二板面上的部分承接凹槽042一一對應(yīng)，且芯片02與承接凹槽042具有一定的對應(yīng)規(guī)則。具體地，目標基板04的第二板面上的承接凹槽042中，在同一行(或列)承接凹槽042中，每隔兩個承接凹槽042存在一個承接凹槽042與一個芯片02一一對應(yīng)，該兩個承接凹槽042中存在一個承接凹槽042已承接有芯片。本發(fā)明實施例提供的芯片轉(zhuǎn)移方法，可以通過多次轉(zhuǎn)移實現(xiàn)多色芯片的交叉轉(zhuǎn)移。

需要說明的是，在該步驟1302中，在控制組件控制各個導(dǎo)入件和各個分離件的導(dǎo)輪組的導(dǎo)輪的滾動速度的同時，可以借助對位系統(tǒng)的電荷耦合器件(英文：chargecoupleddevice；簡稱：ccd)、mark(中文：標記)標等實現(xiàn)源基板01的第二板面上的芯片02與目標基板04的第二板面上的芯片承接結(jié)構(gòu)(鍵合單元041或承接凹槽042)對位，關(guān)于ccd和mark標的詳細描述可以參考相關(guān)技術(shù)，在此不再贅述。

步驟1303、通過預(yù)接觸組件向源基板施加預(yù)接觸力，使源基板的第二板面上的芯片與相應(yīng)的芯片承接結(jié)構(gòu)預(yù)接觸。

在本發(fā)明實施例中，預(yù)接觸組件可以包括第一滾輪，第一滾輪的軸可以與控制組件電連接，控制組件可以通過第一滾輪的軸控制第一滾輪在源基板的第一板面上滾動，第一滾輪在滾動的過程中，可以向源基板的第一板面施加預(yù)接觸力，使源基板的第二板面上的芯片與相應(yīng)的芯片承接結(jié)構(gòu)(鍵合單元或承接凹槽)預(yù)接觸。示例地，如圖11所示，預(yù)接觸組件054的第一滾輪可以沿傳輸方向s在源基板01的第一板面上滾動，并向源基板01的第一板面施加預(yù)接觸力，在預(yù)接觸組件054的第一滾輪沿傳輸方向s滾動的過程中，如圖14所示和圖16所示，第一滾輪向源基板01的第一板面施加預(yù)接觸力，使源基板01的第二板面上的芯片02與鍵合單元041預(yù)接觸。

步驟1304、通過壓合組件向源基板的第一板面和目標基板的第一板面施加壓力，使源基板的第二板面上的芯片與相應(yīng)的芯片承接結(jié)構(gòu)壓合。

在源基板的第二板面上的芯片與目標基板上相應(yīng)的芯片承接結(jié)構(gòu)預(yù)接觸之后，可以通過壓合組件向源基板的第一板面和目標基板的第一板面施加壓力，使源基板的第二板面上的芯片與相應(yīng)的芯片承接結(jié)構(gòu)壓合。如圖11所示，在本發(fā)明實施例中，壓合組件052包括第一壓合件0521和第二壓合件0522，且第一壓合件0521和第二壓合件0522分別包括第二導(dǎo)輪組，每個第二導(dǎo)輪組包括共軸的至少一個導(dǎo)輪，每個第二導(dǎo)輪組的導(dǎo)輪的軸可以與控制組件電連接，控制組件可以通過第二導(dǎo)輪組的導(dǎo)輪的軸控制第二導(dǎo)輪組的導(dǎo)輪滾動，在第二導(dǎo)輪組的導(dǎo)輪滾動的過程中，第一壓合件0521的第二導(dǎo)輪組可以向源基板01的第一板面施加壓力，第二壓合件0522的第二導(dǎo)輪組可以向目標基板04的第一板面施加壓力，使源基板01的第二板面上的芯片與相應(yīng)的芯片承接結(jié)構(gòu)壓合。

可選地，在本發(fā)明實施例中，芯片承接結(jié)構(gòu)可以為鍵合單元或承接凹槽，當(dāng)芯片承接結(jié)構(gòu)為承接凹槽時，向源基板和目標基板施加壓力后，可以直接使源基板上的芯片與目標基板上的承接凹槽壓合，將芯片從源基板轉(zhuǎn)移至目標基板。當(dāng)芯片承接結(jié)構(gòu)為鍵合單元時，可以在預(yù)設(shè)環(huán)境條件下，通過壓合組件向源基板的第一板面和目標基板的第一板面施加壓合力，使源基板的第二板面上的芯片與相應(yīng)的鍵合單元鍵合；其中，預(yù)設(shè)環(huán)境條件包括：1～2個標準大氣壓、280納米～380納米的紫外光照和90攝氏度～900攝氏度中的至少一種。例如，可以在壓合組件向源基板的第一板面和目標基板的第一板面施加壓合力的同時，向源基板和/或目標基板施加壓力，或者采用280納米～380納米的紫外光照射源基板和/或目標基板，或者對源基板和/或目標基板加熱使其溫度處于90攝氏度～900攝氏度的溫度范圍內(nèi)。在上述預(yù)設(shè)環(huán)境條件下，芯片能夠與鍵合單元發(fā)生鍵合反應(yīng)(化學(xué)鍵的重組)，從而使芯片與鍵合單元鍵合。

步驟1305、通過預(yù)分離組件向源基板施加預(yù)分離力，使源基板的第二板面與芯片預(yù)分離。

在源基板的第二板面上的芯片與相應(yīng)的芯片承接結(jié)構(gòu)壓合，控制組件可以通過預(yù)分離組件向源基板施加預(yù)分離力，使源基板的第二板面與芯片預(yù)分離。其中，預(yù)分離組件可以包括第二滾輪，第二滾輪的軸可以與控制組件電連接，控制組件可以通過第二滾輪的軸控制第二滾輪在源基板的第一板面上滾動，第二滾輪在滾動的過程中，可以向源基板施加預(yù)分離力，使源基板的第二板面與芯片預(yù)分離。示例地，如圖11所示，預(yù)分離組件055的第二滾輪可以沿傳輸方向s在源基板01的第一板面上滾動，并向源基板01施加預(yù)分離力，在預(yù)分離組件055的第二滾輪沿傳輸方向s滾動的過程中，如圖18所示，預(yù)分離組件055的第二滾輪向源基板01施加預(yù)分離力，使源基板01的第二板面與芯片02預(yù)分離。

步驟1306、通過分離組件控制源基板的第二板面與芯片分離。

如圖11所示，分離組件053包括第一分離件0531和第二分離件0532，且第一分離件0531和第二分離件0532分別包括第一導(dǎo)輪組(圖11中未標出)，每個第一導(dǎo)輪組包括共軸的至少一個導(dǎo)輪，每個第一導(dǎo)輪組的導(dǎo)輪的軸可以與控制組件電連接。在本發(fā)明實施例中，控制組件可以通過每個第一導(dǎo)輪組的導(dǎo)輪的軸控制每個第一導(dǎo)輪組的導(dǎo)輪滾動，并控制每個第一導(dǎo)輪組的導(dǎo)輪的滾動速度，使第一導(dǎo)輪組在滾動的過程中向源基板的第一板面和目標基板的第一板面施加分離力，使源基板的第二板面與芯片分離。其中，如圖1所示，源基板01包括襯底基板011和第一襯底012，該步驟具體可以是芯片與源基板01的第一襯底012分離，該第一襯底通常為石墨烯襯底，石墨烯具有層間無化學(xué)鍵結(jié)構(gòu)，超高的導(dǎo)電導(dǎo)熱性能，易于分離等優(yōu)點，可作為優(yōu)秀的電極材料。

需要說明的是，該步驟1306與上述步驟1305可以同時執(zhí)行，控制組件可以控制預(yù)分離組件的第二滾輪以及各個分離件的第二導(dǎo)輪組的導(dǎo)輪滾動，并控制預(yù)分離組件的第二滾輪的滾動速度和第一分離件的導(dǎo)輪組的導(dǎo)輪的滾動速度，使第二滾輪的滾動速度與第一分離件0531的導(dǎo)輪組的導(dǎo)輪的滾動速度具有速度差，利用該速度差使源基板產(chǎn)生非對稱形變，將芯片與源基板分離，本發(fā)明實施例對此不作限定。

還需要說明的是，將芯片轉(zhuǎn)移至目標基板上之后，可以對芯片進行封裝，封裝的方式包括但不限于：有機樹脂封裝、玻璃封裝、陶瓷封裝等，具體的封裝過程可以參考相關(guān)技術(shù)，本發(fā)明實施例在此不再贅述。

還需要說明的是，本發(fā)明實施例提供的芯片轉(zhuǎn)移方法步驟的先后順序可以進行適當(dāng)調(diào)整，步驟也可以根據(jù)情況進行相應(yīng)增減，且在本發(fā)明實施例中，上述步驟1301至步驟1306可以同時執(zhí)行，且控制組件可以通過控制上述各個組件的導(dǎo)輪組的導(dǎo)輪的滾動速度和滾輪的滾動速度來實現(xiàn)上述功能，任何熟悉本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員在本發(fā)明揭露的技術(shù)范圍內(nèi)，可輕易想到變化的方法，都應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的保護范圍之內(nèi)，因此不再贅述。

綜上所述，本發(fā)明實施例提供的芯片轉(zhuǎn)移方法，由于在對合組件控制源基板的第二板面和目標基板的第二板面相對設(shè)置后，壓合組件能夠向源基板的第一板面和目標基板的第一板面施加壓力，使源基板的第二板面上的芯片與目標基板的第二板面壓合，因此可以將大規(guī)模芯片從源基板轉(zhuǎn)移至目標基板，解決了相關(guān)技術(shù)中芯片轉(zhuǎn)移效率較低的問題，提高了芯片轉(zhuǎn)移效率。

本發(fā)明中術(shù)語“和/或”，僅僅是一種描述關(guān)聯(lián)對象的關(guān)聯(lián)關(guān)系，表示可以存在三種關(guān)系，例如，a和/或b，可以表示：單獨存在a，同時存在a和b，單獨存在b這三種情況。另外，本文中字符“/”，一般表示前后關(guān)聯(lián)對象是一種“或”的關(guān)系。

本領(lǐng)域普通技術(shù)人員可以理解實現(xiàn)上述實施例的全部或部分步驟可以通過硬件來完成，也可以通過程序來指令相關(guān)的硬件完成，所述的程序可以存儲于一種計算機可讀存儲介質(zhì)中，上述提到的存儲介質(zhì)可以是只讀存儲器，磁盤或光盤等。

以上所述僅為本發(fā)明的較佳實施例，并不用以限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護范圍之內(nèi)。