技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開了一種像素結(jié)構(gòu)及其制造方法，該像素結(jié)構(gòu)包括薄膜晶體管及像素電極。薄膜晶體管包括源極、漏極、半導(dǎo)體層及柵極。半導(dǎo)體層位于源極與漏極上且具有設(shè)置于源極與漏極之間的通道。柵極包括主要部及輔助部。主要部與源極、漏極和通道重迭設(shè)置。輔助部位于主要部外且與主要部電性連接。主要部與輔助部之間具有間隙。像素電極與漏極電性連接。上述像素結(jié)構(gòu)的制造方法也被提出。

技術(shù)研發(fā)人員：許世華;蔡佳宏;劉冠顯;陳維翰;吳安茹;涂峻豪;劉竹育
受保護的技術(shù)使用者：友達(dá)光電股份有限公司
文檔號碼：201710207090
技術(shù)研發(fā)日：2017.03.31
技術(shù)公布日：2017.06.27