本發(fā)明屬于微電子技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種基于c面al2o3襯底的c面ⅲ族氮化物的發(fā)光二極管，可用于照明，顯示屏和背光源的各種光學(xué)應(yīng)用。

技術(shù)背景

發(fā)光二極管led由于其效率高，壽命長(zhǎng)，節(jié)能環(huán)保等優(yōu)點(diǎn)，使得led照明飛速發(fā)展。氮化物作為直接帶隙半導(dǎo)體，同時(shí)具有較大的禁帶寬度，通過(guò)調(diào)節(jié)材料中各組分的比例禁帶寬度可以在0.7ev到6.2ev之間變化，覆蓋了從紅外到極紫外的波段范圍，在led應(yīng)用中獲得了廣泛使用。其中，ⅲ族氮化物半導(dǎo)體材料是最常用的制備led的材料，如aln基、gan基、inn基等半導(dǎo)體材料。纖鋅礦結(jié)構(gòu)的ⅲ族氮化物半導(dǎo)體材料通常有一個(gè)平行于晶胞的c軸(0001)方向的極性軸，由于沿著極性軸方向不存在中心反轉(zhuǎn)對(duì)稱(chēng)性，因此c面ⅲ族氮化物由極性方向的不同可分為n面ⅲ族氮化物材料和金屬面ⅲ族氮化物材料。n面ⅲ族氮化物和金屬面ⅲ族氮化物的交界處，稱(chēng)為反型疇idb。

p.j.schuck等人在2001年研究了gan內(nèi)反型疇的光學(xué)特性，即反型疇的發(fā)光強(qiáng)度超過(guò)體gan面區(qū)域一個(gè)數(shù)量級(jí)，據(jù)此，該研究認(rèn)為反型疇可以看做是一個(gè)高效輻射復(fù)合中心，理論上可以將反型疇看做量子阱，且具有一定密度的反型疇的gan薄膜，可以用于制作led而不需要生長(zhǎng)量子阱結(jié)構(gòu)，這樣大大減少了工藝步驟?；谏鲜鼋Y(jié)論，具有一定密度的反型疇的ⅲ族氮化物薄膜，可以制作發(fā)光顏色不同的led。

金屬有機(jī)化合物化學(xué)氣相沉淀mocvd技術(shù)是目前使用最多的ⅲ族氮化物半導(dǎo)體外延技術(shù)。通過(guò)mocvd工藝在c面al2o3襯底上外延生長(zhǎng)的ⅲ族氮化物薄膜一般具有金屬面極性。2008年nicholasa.fichtenbaum在博士論文中提到，使用mocvd生長(zhǎng)機(jī)理在c面al2o3襯底上生長(zhǎng)gan，使用高溫氮化處理步驟后，獲得的是n面極性的gan材料；而使用低溫氮化處理步驟后，獲得的是ga面極性的gan材料。2015年林志宇在博士論文中指出，氮化處理以及高溫aln成核層生長(zhǎng)過(guò)程中高的氨氣流量是n面gan材料生長(zhǎng)方法的主要特征。利用上述理論，在生長(zhǎng)c面ⅲ族氮化物時(shí)，使用sin做掩膜層將襯底的不同區(qū)域進(jìn)行不同的氮化處理，可以在襯底上同時(shí)生長(zhǎng)n面極性和金屬面極性的ⅲ族氮化物，在兩個(gè)不同極性面的交界處，會(huì)有反型疇產(chǎn)生。將sin掩膜層的窗口區(qū)設(shè)計(jì)為圓環(huán)形狀，改變圓環(huán)的環(huán)寬和間距，則可得到不同密度的反型疇的ⅲ族氮化物薄膜，可用于制作新型的無(wú)量子阱結(jié)構(gòu)的led器件。

目前基于al2o3襯底的led器件的發(fā)光依靠阱層/壘層量子阱結(jié)構(gòu)內(nèi)的載流子輻射復(fù)合，其結(jié)構(gòu)自下而上包括襯底層、成核層、n型ⅲ族氮化物層、量子阱層和p型ⅲ族氮化物層，其中量子阱層包括多層ⅲ族氮化物阱層和ⅲ族氮化物壘層，其結(jié)構(gòu)十分復(fù)雜，且制備過(guò)程需要在襯底上先生長(zhǎng)n型ⅲ族氮化物，再生長(zhǎng)量子阱結(jié)構(gòu)，再生長(zhǎng)p型ⅲ族氮化物，使得傳統(tǒng)led制作流程繁瑣，工藝周期長(zhǎng)。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的在于針對(duì)上述現(xiàn)有技術(shù)的不足，提出一種基于c面al2o3襯底的c面ⅲ族氮化物的發(fā)光二極管，以簡(jiǎn)化器件結(jié)構(gòu)和制作流程，縮短工藝周期。

為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明的技術(shù)方案如下：

1.一種基于c面al2o3襯底的c面ⅲ族氮化物的發(fā)光二極管，包括：c面al2o3襯底層、aln成核層、發(fā)光層和電極，其特征在于：aln成核層由ⅴ/ⅲ比為15000-23000的高aln圓環(huán)和ⅴ/ⅲ比為800-1200的低aln圓環(huán)相間組成，發(fā)光層為一層c面ⅲ族氮化物層，該ⅲ族氮化物層由n面圓環(huán)和金屬面圓環(huán)相間組成。

上述薄膜，其特征在于：所述的aln成核層的厚度為20-40nm，且高aln圓環(huán)與低aln圓環(huán)的環(huán)寬均為5-50nm，兩者之間的間距為5-50nm。

上述薄膜，其特征在于：所述的c面ⅲ族氮化物薄膜的厚度為700-2000nm。

上述薄膜，其特征在于：所述的n面圓環(huán)和金屬面圓環(huán)的環(huán)寬均為5-50nm，兩者之間的間距為5-50nm。

上述薄膜，其特征在于：c面ⅲ族氮化物層，采用gan，aln和algan中的任意一種。

2.一種基于c面al2o3襯底的c面ⅲ族氮化物的發(fā)光二極管的制備方法，包括：

1)熱處理：

將c面al2o3襯底置于金屬有機(jī)化學(xué)氣相淀積mocvd反應(yīng)室中，將反應(yīng)室的真空度降低到小于2×10^-2torr；再向反應(yīng)室通入氫氣，使mocvd反應(yīng)室壓力升為20-760torr，將襯底加熱到溫度為900-1200℃，并保持5-10min，完成對(duì)襯底基片的熱處理；

2)生長(zhǎng)sin掩膜層：

2a)采用mocvd工藝在反應(yīng)室溫度為950-1100℃的條件下，同時(shí)通入流量為3000-4000sccm的氨氣和流量為10-20sccm的硅源，在熱處理后的襯底上生長(zhǎng)厚度為20-40nm的sin掩膜層；

2b)采用光刻工藝按照5-50nm的間距刻蝕掉部分sin掩膜層至al2o3襯底，形成數(shù)個(gè)環(huán)寬為5-50nm的sin圓環(huán)圖形；

3)生長(zhǎng)高aln圓環(huán)：

3a)采用mocvd工藝在反應(yīng)室溫度為1000-1100℃的條件下通入流量為3000-4000sccm的氨氣，持續(xù)3-5min進(jìn)行氮化；

3b)將反應(yīng)室溫度降為950-1100℃，同時(shí)通入流量為3000-4000sccm的氨氣和流量為10-20sccm的鋁源，即ⅴ/ⅲ比為15000-23000，在al2o3襯底上生長(zhǎng)厚度為20-40nm的高aln圓環(huán)，高aln圓環(huán)的環(huán)寬為5-50nm；

4)生長(zhǎng)sin掩膜層：

4a)采用mocvd工藝保持反應(yīng)室溫度為950-1100℃，同時(shí)通入流量為3000-4000sccm的氨氣和流量為10-20sccm的硅源，在2)中的sin掩膜層以及高aln圓環(huán)上生長(zhǎng)厚度為20-40nm的sin掩膜層；

4b)采用光刻工藝按照5-50nm的間距刻蝕掉部分sin掩膜層至al2o3襯底，形成數(shù)個(gè)環(huán)寬為5-50nm的sin圓環(huán)圖形，刻蝕形狀和位置與2)中未刻蝕部分相同；

5)生長(zhǎng)低aln圓環(huán)：

5a)采用mocvd工藝在反應(yīng)室溫度為1000-1100℃的條件下通入流量為300-400sccm的氨氣，持續(xù)3-5min進(jìn)行氮化；

5b)將反應(yīng)室溫度降為950-1100℃，同時(shí)通入流量為300-400sccm的氨氣和流量為20-40sccm的鋁源，即ⅴ/ⅲ比為800-1200，在al2o3襯底上生長(zhǎng)環(huán)寬為5-50nm的低aln圓環(huán)，其厚度與3)中高aln圓環(huán)厚度相同；

5c)采用光刻工藝去除sin掩膜；

6)生長(zhǎng)n型c面ⅲ族氮化物層：

在aln成核層上采用mocvd工藝生長(zhǎng)厚度為700-2000nm的n型c面ⅲ族氮化物層，再采用光刻工藝刻蝕掉部分n型ⅲ族氮化物層至aln成核層；

7)生長(zhǎng)p型c面ⅲ族氮化物層：

在n型ⅲ族氮化物層被刻蝕掉的地方采用mocvd工藝生長(zhǎng)厚度為700-2000nm的p型c面ⅲ族氮化物層；再將反應(yīng)室溫度降為850℃，在h2氣氛下退火；

8)沉積電極：

采用金屬濺射的方法分別在n型ⅲ族氮化物層上沉積n型電極，在p型ⅲ族氮化物層沉積p型電極，完成器件制作。

本發(fā)明具有如下優(yōu)點(diǎn)：

1.本發(fā)明由于利用圓環(huán)的結(jié)構(gòu)增加了n面ⅲ族氮化物與金屬面ⅲ族氮化物的交界面，從而增加了反型疇的密度；同時(shí)由于利用一層包含n面圓環(huán)和金屬面圓環(huán)的c面ⅲ族氮化物層代替?zhèn)鹘y(tǒng)led的量子阱結(jié)構(gòu)發(fā)光，簡(jiǎn)化了器件結(jié)構(gòu)。

2.本發(fā)明的發(fā)光層由于只需生長(zhǎng)一層由n面圓環(huán)和金屬面圓環(huán)相間組成c面ⅲ族氮化物層，相比傳統(tǒng)led的發(fā)光層需要生長(zhǎng)多層ⅲ族氮化物層作為量子阱的阱層和壘層，減少了工藝流程。

3.本發(fā)明由于器件簡(jiǎn)化了結(jié)構(gòu)，因而減少了工藝流程，縮短了制作周期。

附圖說(shuō)明

圖1是本發(fā)明器件的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2是圖1的俯視圖；

圖3是本發(fā)明制備圖1器件的流程圖。

具體實(shí)施方式

以下結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明做進(jìn)一步說(shuō)明。

參照?qǐng)D1，本發(fā)明的器件結(jié)構(gòu)包括：c面al2o3襯底層、aln成核層、c面ⅲ族氮化物層和電極。該aln成核層位于c面al2o3襯底層之上，該aln成核層由ⅴ/ⅲ比為15000-23000的高aln圓環(huán)和ⅴ/ⅲ比為800-1200的低aln圓環(huán)相間組成，該aln成核層的厚度為20-40nm，該高aln圓環(huán)和低aln圓環(huán)的環(huán)寬均為5-50nm；該c面ⅲ族氮化物層位于aln成核層之上，該ⅲ族氮化物層包括n型ⅲ族氮化物層和p型ⅲ族氮化物層，其中，n型ⅲ族氮化物層和p型ⅲ族氮化物層的厚度均為700-2000nm，p型ⅲ族氮化物層位于n型ⅲ族氮化物層的右邊，該n型ⅲ族氮化物層由n型n面圓環(huán)和n型金屬面圓環(huán)相間組成，該n型n面圓環(huán)和n型金屬面圓環(huán)的環(huán)寬均為5-50nm，該p型ⅲ族氮化物層由p型n面圓環(huán)和p型金屬面圓環(huán)相間組成，該p型n面圓環(huán)和p型金屬面圓環(huán)的環(huán)寬均為5-50nm；電極包括n型電極和p型電極，分別位于n型ⅲ族氮化物層和p型ⅲ族氮化物層之上。

該c面ⅲ族氮化物層，采用gan或aln或algan材料作為發(fā)光源，發(fā)不同顏色的光，當(dāng)采用gan時(shí)，發(fā)光層發(fā)紫外光；當(dāng)采用aln時(shí)，發(fā)光層發(fā)極紫外光；當(dāng)采用algan時(shí)，發(fā)光層發(fā)深紫外光。

參照?qǐng)D2，所述c面ⅲ族氮化物層包括n型n面圓環(huán)、n型金屬面圓環(huán)、p型n面圓環(huán)和p型金屬面圓環(huán)，圓環(huán)環(huán)寬均相同；

參照?qǐng)D3，本發(fā)明給出制備基于c面al2o3襯底的c面ⅲ族氮化物的發(fā)光二極管的三種實(shí)施例。

實(shí)施例1，制備一種基于c面al2o3襯底的c面gan的紫外發(fā)光二極管。

步驟1，熱處理。

將c面al2o3襯底置于金屬有機(jī)化學(xué)氣相淀積mocvd反應(yīng)室中，將反應(yīng)室的真空度降低到小于2×10^-2torr；再向反應(yīng)室通入氫氣，使mocvd反應(yīng)室壓力升為20torr，將襯底加熱到900℃，維持5min，完成對(duì)襯底的熱處理。

步驟2，生長(zhǎng)sin掩膜層。

2a)采用mocvd工藝將反應(yīng)室溫度設(shè)為950℃，壓力設(shè)為20torr，同時(shí)通入流量為3000sccm的氨氣和流量為10sccm的硅源，在熱處理后的襯底上生長(zhǎng)厚度為20nm的sin掩膜層；

2b)采用光刻工藝按照5nm的間距刻蝕刻蝕掉部分sin掩膜層至al2o3襯底，形成數(shù)個(gè)環(huán)寬為5nm的sin圓環(huán)圖形；

步驟3，生長(zhǎng)高aln圓環(huán)。

3a)采用mocvd工藝將反應(yīng)室溫度升為1000℃，通入流量為3000sccm的氨氣，持續(xù)3min對(duì)al2o3襯底進(jìn)行氮化處理；

3b)采用mocvd工藝將反應(yīng)室溫度降為950℃，保持壓力為20torr，同時(shí)通入流量為3000sccm的氨氣和流量為10sccm的鋁源，即ⅴ/ⅲ比為23000，在al2o3襯底上生長(zhǎng)厚度為20nm的高aln圓環(huán)，高aln圓環(huán)的環(huán)寬為5nm。

步驟4，生長(zhǎng)sin掩膜層。

4a)保持反應(yīng)室溫度為950℃，壓力為20torr，同時(shí)通入流量為3000sccm的氨氣和流量為10sccm的硅源，采用mocvd工藝在步驟2中的sin掩膜層和高aln圓環(huán)上生長(zhǎng)厚度為20nm的sin掩膜層；

4b)采用光刻工藝按照5nm的環(huán)寬間距刻蝕刻蝕掉部分sin掩膜層至al2o3襯底，形成數(shù)個(gè)環(huán)寬為5nm的sin圓環(huán)圖形，刻蝕形狀和位置與步驟2中未刻蝕部分相同。

步驟5，生長(zhǎng)低aln圓環(huán)。

5a)采用mocvd工藝將反應(yīng)室溫度升為1000℃，通入流量為300sccm的氨氣，對(duì)al2o3襯底進(jìn)行3min的氮化處理；

5b)將反應(yīng)室溫度降為950℃，保持壓力為20torr，同時(shí)通入流量為300sccm的氨氣和流量為20sccm的鋁源，即ⅴ/ⅲ比為1200，再采用mocvd工藝在al2o3襯底上生長(zhǎng)厚度為20nm的低aln圓環(huán)，低aln圓環(huán)的環(huán)寬為5nm；

5c)采用光刻工藝去除sin掩膜。

步驟6，生長(zhǎng)n型c面gan層。

6a)保持反應(yīng)室溫度為950℃、壓力為20torr，同時(shí)通入流量為2500sccm的氨氣，流量為150sccm的鎵源和流量為10sccm的硅源，再采用mocvd工藝在aln成核層上生長(zhǎng)厚度為700nm的n型c面gan層；

6b)采用光刻工藝刻蝕掉部分n型gan層至aln成核層。

步驟7，生長(zhǎng)p型c面gan層。

采用mocvd工藝保持反應(yīng)室溫度為950℃，壓力為20torr，同時(shí)通入氨氣、鎵源和鎂源，在n型gan層被刻蝕掉的地方生長(zhǎng)厚度為700nm的p型c面gan層，其中，氨氣的流量為2500sccm，鎵源的流量為150sccm，鎂源的流量為100sccm；再將反應(yīng)室溫度維持為850℃，在h2氣氛下，退火10min。

步驟8，沉積電極。

采用金屬濺射的方法分別在n型gan層上沉積n型電極，在p型gan層沉積p型電極，完成對(duì)紫外led器件的制作。

實(shí)施例2，制備發(fā)光波長(zhǎng)為200nm的基于c面al2o3襯底的c面aln的極紫外發(fā)光二極管。

步驟一，熱處理。

將c面al2o3襯底置于金屬有機(jī)化學(xué)氣相淀積mocvd反應(yīng)室中，將反應(yīng)室的真空度降低到小于2×10^-2torr；再向反應(yīng)室通入氫氣，使mocvd反應(yīng)室壓力升為200torr，將襯底加熱到1000℃，對(duì)襯底進(jìn)行7min的熱處理。

步驟二，生長(zhǎng)sin掩膜層。

2.1)采用mocvd工藝控制反應(yīng)室溫度為1000℃、壓力為200torr，同時(shí)通入流量為3500sccm的氨氣和流量為15sccm的硅源，在熱處理后的襯底上生長(zhǎng)厚度為30nm的sin掩膜層；

2.2)采用光刻工藝按照20nm的環(huán)寬間距刻蝕刻蝕掉部分sin掩膜層至al2o3襯底，形成數(shù)個(gè)環(huán)寬為20nm的sin圓環(huán)圖形；

步驟三，生長(zhǎng)高aln圓環(huán)。

3.1)采用mocvd工藝將反應(yīng)室溫度升為1050℃，通入流量為3500sccm的氨氣，持續(xù)4min對(duì)al2o3襯底進(jìn)行氮化處理；

3.2)在反應(yīng)室溫度降為1000℃、壓力為200torr的條件下，同時(shí)通入流量為3500sccm的氨氣和流量為15sccm的鋁源，即ⅴ/ⅲ比為18000，采用mocvd工藝在al2o3襯底上生長(zhǎng)厚度為30nm的高aln圓環(huán)，高aln圓環(huán)的環(huán)寬為20nm。

步驟四，生長(zhǎng)sin掩膜層。

4.1)采用mocvd工藝保持反應(yīng)室溫度為1000℃，壓力為200torr，同時(shí)通入流量為3500sccm的氨氣和流量為15sccm的硅源，在步驟二中的sin掩膜層以及高aln圓環(huán)上生長(zhǎng)厚度為30nm的sin掩膜層；

4.2)采用光刻工藝按照20nm的環(huán)寬間距刻蝕刻蝕掉部分sin掩膜層至al2o3襯底，形成數(shù)個(gè)環(huán)寬為20nm的sin圓環(huán)圖形，刻蝕形狀和位置與步驟二中未刻蝕部分相同；

步驟五，生長(zhǎng)低aln圓環(huán)。

5.1)采用mocvd工藝將反應(yīng)室溫度升為1050℃，通入流量為350sccm的氨氣，持續(xù)4min，對(duì)al2o3襯底進(jìn)行氮化處理；

5.2)將反應(yīng)室溫度降為1000℃，反應(yīng)室壓力保持200torr，同時(shí)通入流量為350sccm的氨氣和流量為30sccm的鋁源，即ⅴ/ⅲ比為900，采用mocvd工藝在al2o3襯底上生長(zhǎng)厚度為30nm的低aln圓環(huán)，低aln圓環(huán)的環(huán)寬為20nm；

5.3)采用光刻工藝去掉sin掩膜。

步驟六，生長(zhǎng)n型c面aln層。

6.1)保持反應(yīng)室溫度為1000℃，壓力為200torr，同時(shí)通入流量為3000sccm的氨氣，流量為200sccm的鋁源和流量為15sccm的硅源，采用mocvd工藝在aln成核層上生長(zhǎng)厚度為1000nm的n型c面aln層；

6.2)采用光刻工藝刻蝕掉部分n型aln層至aln成核層。

步驟七，生長(zhǎng)p型c面aln層。

采用mocvd工藝維持反應(yīng)室溫度為1000℃、壓力為200tor，同時(shí)通入氨氣、鋁源和鎂源，在n型aln層被刻蝕掉的地方生長(zhǎng)厚度為1000nm的p型c面aln層，其中氨氣的流量為3000sccm，鋁源的流量為200sccm，鎂源的流量為150sccm；再將反應(yīng)室溫度降為850℃，在h2氣氛下，退火10min。

步驟八，沉積電極。

采用金屬濺射的方法分別在n型aln層上沉積n型電極，在p型aln層沉積p型電極，完成極紫外led器件的制作。

實(shí)施例3，制備發(fā)光波長(zhǎng)為280nm的基于c面al2o3襯底的c面al0.43ga0.57n的深紫外發(fā)光二極管。

步驟a，熱處理。

將c面al2o3襯底置于金屬有機(jī)化學(xué)氣相淀積mocvd反應(yīng)室中，將反應(yīng)室的真空度降低到小于2×10^-2torr；再向反應(yīng)室通入氫氣，使mocvd反應(yīng)室壓力升到760torr，將襯底溫度加熱到1200℃，對(duì)襯底進(jìn)行10min的熱處理。

步驟b，生長(zhǎng)sin掩膜層。

b1)將反應(yīng)室溫度降為1100℃，維持反應(yīng)室壓力為760torr，同時(shí)通入流量為4000sccm的氨氣和流量為20sccm的硅源，采用mocvd工藝在al2o3襯底上生長(zhǎng)厚度為40nm的sin掩膜層；

b2)采用光刻工藝按照50nm的環(huán)寬間距刻蝕刻蝕掉部分sin掩膜層至al2o3襯底，形成數(shù)個(gè)環(huán)寬為50nm的sin圓環(huán)圖形；

步驟c，生長(zhǎng)高aln圓環(huán)。

c1)采用mocvd工藝將反應(yīng)室溫度升為1100℃，通入流量為4000sccm的氨氣，對(duì)al2o3襯底進(jìn)行5min的氮化處理；

c2)維持反應(yīng)室溫度為1100℃、壓力為760torr，同時(shí)通入流量為4000sccm的氨氣和流量為20sccm的鋁源，即ⅴ/ⅲ比為15000，采用mocvd工藝在al2o3襯底上生長(zhǎng)厚度為40nm的高aln圓環(huán)，高aln圓環(huán)的環(huán)寬為50nm。

步驟d，生長(zhǎng)sin掩膜層。

d1)采用mocvd工藝保持反應(yīng)室溫度為1100℃，保持壓力為760torr，同時(shí)通入流量為4000sccm的氨氣和流量為20sccm的硅源，在步驟b中的sin掩膜層以及高aln圓環(huán)上生長(zhǎng)厚度為40nm的sin掩膜層；

d2)采用光刻工藝按照50nm的環(huán)寬間距刻蝕刻蝕掉部分sin掩膜層至al2o3襯底，形成數(shù)個(gè)環(huán)寬為50nm的sin圓環(huán)圖形，刻蝕形狀和位置與步驟b中未刻蝕部分相同；

步驟e，生長(zhǎng)低aln圓環(huán)。

e1)采用mocvd工藝將反應(yīng)室溫度升為1100℃，通入流量為400sccm的氨氣，持續(xù)5min，對(duì)al2o3襯底進(jìn)行氮化處理；

e2)維持反應(yīng)室溫度為1100℃、反應(yīng)室壓力為760torr，同時(shí)通入流量為400sccm的氨氣和流量為40sccm的鋁源，即ⅴ/ⅲ比為800，采用mocvd工藝在al2o3襯底上生長(zhǎng)厚度為40nm的低aln圓環(huán)，低aln圓環(huán)的環(huán)寬為50nm；

e3)采用光刻工藝去掉sin掩膜。

步驟f，生長(zhǎng)n型c面algan層。

f1)保持反應(yīng)室溫度為1100℃，壓力為760torr，同時(shí)通入氨氣、鋁源、鎵源和硅源，采用mocvd工藝在aln成核層上生長(zhǎng)厚度為2000nm的n型c面algan層，其中氨氣的流量為3500sccm，鋁源的流量為250sccm，鎵源的流量為250sccm，硅源的流量為20sccm；

f2)采用光刻工藝刻蝕掉部分n型algan層至aln成核層。

步驟g，生長(zhǎng)p型c面algan層。

采用mocvd工藝在反應(yīng)室溫度為1100℃，壓力為760torr的的條件下，同時(shí)通入氨氣、鋁源、鎵源和鎂源，在n型algan層被刻蝕掉的地方生長(zhǎng)厚度為2000nm的p型c面aln層，其中氨氣的流量為3500sccm，鋁源的流量為250sccm，鎵源的流量為250sccm，鎂源的流量為180sccm；再將反應(yīng)室溫度降為850℃，在h2氣氛下，退火10min。

步驟h，沉積電極。

采用金屬濺射的方法分別在n型algan層上沉積n型電極，在p型algan層沉積p型電極，完成深紫外led器件的制作。

以上描述僅是本發(fā)明的三個(gè)具體實(shí)例，不構(gòu)成對(duì)本發(fā)明的任何限制，顯然對(duì)于本領(lǐng)域的專(zhuān)業(yè)人員來(lái)說(shuō)，在了解本發(fā)明內(nèi)容和原理后，都可能在不背離本發(fā)明的原理、結(jié)構(gòu)的情況下，進(jìn)行形式和細(xì)節(jié)上的各種修正和改變，但是這些基于本發(fā)明思想的修正和改變?nèi)栽诒景l(fā)明的權(quán)利要求保護(hù)范圍之內(nèi)。